JP2011228493A - Method for manufacturing flexible wiring board - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a flexible wiring board which can simplify a manufacturing process, reduce a manufacturing cost and also allow for continuous production.SOLUTION: The method for manufacturing a flexible wiring board includes: a conductive layer forming step of forming a copper foil 12 having a through hole-forming portion, on one main face of a resin layer 11 containing an alkali soluble resin composition; a through hole forming step of melting and removing the resin layer 11 of blind via-forming portions 12a-12c through the copper foil 12 to form through holes 15a-15c; a blind via forming step of providing a copper foil 16 on the other main face of the resin layer 11 having the through holes 15a-15c formed therein to form blind vias 17a-17c; and a plating step of providing a copper plating film 18 over the blind vias 17a-17c to electrically connect the copper foil 12 with the copper foil 16.

Description

本発明は、エレクトロニクス機器等に用いられるフレキシブル配線板の製造方法に関し、特にビルドアップ法に好適に用いることが可能なフレキシブル配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a flexible wiring board used in electronic equipment and the like, and more particularly to a method for manufacturing a flexible wiring board that can be suitably used in a build-up method.

近年、携帯電話端末機などに採用されているフレキシブル配線板は、部品実装密度向上のため、配線回路のファイン化や多層化(両面、又は多層)が求められてきた。その結果、両面フレキシブル配線板や多層フレキシブル配線板の比率が増え、その生産量が急増している。   In recent years, flexible wiring boards employed in mobile phone terminals and the like have been required to have finer and multilayered (double-sided or multilayered) wiring circuits in order to improve component mounting density. As a result, the ratio of double-sided flexible wiring boards and multilayer flexible wiring boards has increased, and the production volume has increased rapidly.

従来、両面フレキシブル配線板や多層フレキシブル配線板の製造工程では、ドリル加工を用いて形成された貫通ビアにより各導電層の層間接続が行われてきた。最近では、配線密度を上げるために、レーザー加工を用いて形成されたブラインドビアにより各導電層を層間接続したフレキシブル配線板が増加している。しかしながら、レーザー加工では、1穴ずつ加工するため、生産効率が悪く、またレーザー加工後にレーザー加工かす(スミア)の除去も必要であるため、コストダウンの大きな障害になっている。また、ブラインドビア形成は、製造工程の初期に行う必要があるため、ロールツーロールによる連続生産の拡大にも大きな障害にもなっている。   Conventionally, in a manufacturing process of a double-sided flexible wiring board or a multilayer flexible wiring board, interlayer connection of each conductive layer has been performed by through vias formed using drilling. Recently, in order to increase the wiring density, flexible wiring boards in which each conductive layer is interlayer-connected by blind vias formed using laser processing are increasing. However, in laser processing, since holes are processed one by one, production efficiency is poor, and laser processing debris (smear) must be removed after laser processing, which is a major obstacle to cost reduction. Moreover, since it is necessary to perform blind via formation at the beginning of the manufacturing process, it is a major obstacle to expansion of continuous production by roll-to-roll.

ブラインドビア形成技術は、主に両面フレキシブル配線板、多層フレキシブル配線板、あるいはリジッド・フレキ配線板のコア基板として使われる両面フレキシブル基板に数多く採用されている。両面フレキシブル基板は、ポリイミドフイルムの両面に接着剤で銅箔を貼り付けた接着剤付き両面フレキシブル基板と、ポリイミド樹脂の両面に銅箔を貼り付けた接着剤なし両面フレキシブル基板とがあるが、ブラインドビアを形成する場合には、一般的にはレーザー加工性から接着剤なし両面フレキシブル基板を用いる。以下、両面フレキシブル配線板及び多層フレキシブル配線板に用いられるブラインドビア形成技術の概略について説明する。   Blind via formation technology is widely used for double-sided flexible boards mainly used as the core board of double-sided flexible wiring boards, multilayer flexible wiring boards, or rigid / flexible wiring boards. Double-sided flexible boards include double-sided flexible boards with adhesive, with copper foil attached to both sides of polyimide film, and double-sided flexible boards without adhesive, with copper foil attached to both sides of polyimide resin, but blind When forming a via, a double-sided flexible substrate without an adhesive is generally used because of laser processability. The outline of the blind via forming technique used for the double-sided flexible wiring board and the multilayer flexible wiring board will be described below.

図5(a)〜図5(f)に一般的な両面フレキシブル配線板の製造工程の概略を示す。まず、図5(a)に示す両面フレキシブル基板101の銅箔102、103のうち、一方の銅箔102上にエッチングレジストとなる不図示の感光性ドライフイルム(DF)をラミネートし、露光・現像、及びエッチング工程を経て、ブラインドビア形成部位102a、102bの銅箔102を除去する(図5(b))。   FIG. 5A to FIG. 5F schematically show a manufacturing process of a general double-sided flexible wiring board. First, of the copper foils 102 and 103 of the double-sided flexible substrate 101 shown in FIG. 5 (a), a photosensitive dry film (DF) (not shown) serving as an etching resist is laminated on one copper foil 102, and exposure and development are performed. Then, through the etching process, the copper foil 102 in the blind via forming portions 102a and 102b is removed (FIG. 5B).

次に、レーザー加工機を用いて、残された銅箔102をマスクとしてレーザー光を照射し、ポリイミド層104(絶縁基板)を除去してブラインドビア104a、104bを形成する(図5(c))。レーザー光としては、一般的には炭酸ガスレーザー、又はYAGレーザーが用いられる。またフレキシブル銅張積層板(FCCL)の場合には、ドリル加工と同様、定尺状態にして行う場合が多い。   Next, using a laser processing machine, laser light is irradiated using the remaining copper foil 102 as a mask, and the polyimide layer 104 (insulating substrate) is removed to form blind vias 104a and 104b (FIG. 5C). ). As the laser beam, a carbon dioxide gas laser or a YAG laser is generally used. In the case of a flexible copper-clad laminate (FCCL), it is often performed in a fixed state, similar to drilling.

次にデスミア処理を行う。デスミア工程では、過マンガン酸カリウム液等の強アルカリ加熱液に浸漬してレーザー加工時に銅箔面に付着したポリイミドのかす(スミア)を除去し、ブラインドビア104a、104b内に均一な銅めっきを施すために銅箔102、103表面を清浄にする。   Next, desmear processing is performed. In the desmear process, it is immersed in a strong alkali heating solution such as potassium permanganate solution to remove the smudges of polyimide adhering to the copper foil surface during laser processing, and uniform copper plating is applied to the blind vias 104a and 104b. The surfaces of the copper foils 102 and 103 are cleaned for application.

次に、ブラインドビア104a、104b内壁のポリイミド層104を導電化するために、無電解銅めっき処理を行った後、通常15μm程度の厚みの銅めっき105をブラインドビア104a、104b内壁及び銅箔102、103表面に施し、銅箔102、103を電気的接続に接続する(図5(d))。最近では、無電解銅めっき処理の替わりに、ポリイミド層104にカーボン粒子を付着させ、カーボン粒子を核として電解銅めっき処理を行う方法も用いられている。   Next, in order to make the polyimide layer 104 on the inner walls of the blind vias 104a and 104b conductive, an electroless copper plating process is performed, and then the copper plating 105 having a thickness of about 15 μm is usually formed on the inner walls of the blind vias 104a and 104b and the copper foil 102. , 103, and the copper foils 102, 103 are connected for electrical connection (FIG. 5D). Recently, instead of the electroless copper plating process, a method of attaching carbon particles to the polyimide layer 104 and performing the electrolytic copper plating process using the carbon particles as a nucleus is also used.

次に、サブトラクティブ法で回路形成を行う。まず、エッチングレジストとなる感光性ドライフィルム106を両面にラミネートする(図5(e))。次いで、露光・現像、及びエッチング工程を経て所定の回路パターン107の形成が完了する(図5(f))。   Next, circuit formation is performed by a subtractive method. First, the photosensitive dry film 106 used as an etching resist is laminated on both surfaces (FIG. 5E). Next, formation of a predetermined circuit pattern 107 is completed through an exposure / development and etching process (FIG. 5F).

図6(a)〜図6(e)に一般的な多層フレキシブル配線板の製造工程の概略を示す。まず、両面フレキシブル配線板111の両面にカバーレイ112a、112bを設けてコア基板113とする(図6(a))。次にコア基板113の上下面に層間接着剤、又はプリプレグを仮固定して接着層114a、114bを設ける。ここでフレキシブル部120となる部位は、あらかじめ金型等を使って接着層114a、114bを除去する。次に、2枚の片面フレキシブル基板115a、115bを上下から接着層114a、114b上に仮止めし、熱プレスを用いて加圧・加熱硬化して積層する(図6(b))。   6 (a) to 6 (e) show an outline of a manufacturing process of a general multilayer flexible wiring board. First, cover lays 112a and 112b are provided on both sides of the double-sided flexible wiring board 111 to form the core substrate 113 (FIG. 6A). Next, an adhesive layer 114a, 114b is provided by temporarily fixing an interlayer adhesive or prepreg on the upper and lower surfaces of the core substrate 113. Here, the adhesive layers 114a and 114b are removed in advance from a portion to be the flexible portion 120 using a mold or the like. Next, the two single-sided flexible boards 115a and 115b are temporarily fixed on the adhesive layers 114a and 114b from above and below, and are laminated by pressurization and heat curing using a hot press (FIG. 6B).

次に、ドリル加工による貫通ビア116の形成及びレーザー加工によるブラインドビア117a、117bの形成を施した後、無電解銅めっき処理及び電気銅めっきにより、銅めっき118を施して片面フレキシブル基板115a、115bの導電層及びコア基板113の導電層を電気的に接続する(図6(c))。次に片面フレキシブル基板115a、115b上へ感光性ドライフィルム119をラミネートする(図6(d))。次いで、露光・現像、及びエッチング工程を経て所定の回路パターンを形成する。   Next, through vias 116 are formed by drilling and blind vias 117a and 117b are formed by laser processing, copper plating 118 is applied by electroless copper plating and electrolytic copper plating, and single-sided flexible boards 115a and 115b are formed. Are electrically connected to the conductive layer of the core substrate 113 (FIG. 6C). Next, a photosensitive dry film 119 is laminated on the single-sided flexible substrates 115a and 115b (FIG. 6D). Next, a predetermined circuit pattern is formed through exposure / development and etching processes.

最後に多層フレキシブル配線板のフレキシブル部120を形成するため、外層剥がしを行う。外層剥がし工程では、外層の片面フレキシブル基板115a、115bの一部をルーター加工等により除去してフレキシブル部120を形成する(図6(e))。   Finally, in order to form the flexible portion 120 of the multilayer flexible wiring board, the outer layer is peeled off. In the outer layer peeling step, a part of the outer layer single-sided flexible boards 115a and 115b is removed by router processing or the like to form the flexible part 120 (FIG. 6E).

上述した両面フレキシブル配線板の製造工程や多層フレキシブル配線板の製造工程で用いられる貫通ビア及びブラインドビアの形成方法としては、感光性樹脂を使用するフォトリソグラフィーを用いたビルドアップ法が提案されている(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)。   As a method for forming through vias and blind vias used in the above-described double-sided flexible wiring board manufacturing process and multilayer flexible wiring board manufacturing process, a build-up method using photolithography using a photosensitive resin has been proposed. (For example, refer to Patent Document 1 and Patent Document 2).

特開2005−26297号公報JP 2005-26297 A 特開2000−91743号公報JP 2000-91743 A

しかしながら、従来のフレキシブル配線板の製造方法においては、上述の如くブラインドビアの形成にレーザー加工機を使って1穴ずつ加工する必要があるため、多大なコスト(加工時間)がかかる。またレーザー加工機を用いたフレキシブル配線板のロールツーロールでの連続生産は、搬送方法や品質管理面での課題が多く導入が遅れている。そのため、ブラインドビア形成は多くの加工時間を必要とし、自動化が困難な工程となっている。また、上述したようにフレキシブル配線板の生産量が増大しているため、更なる生産性の向上及び製造コストの低減が望まれている。   However, in the conventional method for manufacturing a flexible wiring board, as described above, it is necessary to process each hole by using a laser processing machine for forming a blind via, so that a great cost (processing time) is required. Also, roll-to-roll continuous production of flexible wiring boards using laser processing machines has many problems in terms of transport methods and quality control, and its introduction has been delayed. Therefore, blind via formation requires a lot of processing time and is a process that is difficult to automate. Moreover, since the production amount of flexible wiring boards is increasing as described above, further improvement in productivity and reduction in manufacturing cost are desired.

さらに、従来の多層フレキシブル配線板の製造工程では、屈曲や折り曲げを可能とするため、最終工程で外層基板を除去してフレキシブル部を形成している。この外層基板はがし工程は、コストや品質面で大きな障害になっている。   Furthermore, in the manufacturing process of the conventional multilayer flexible wiring board, in order to enable bending and bending, the outer layer substrate is removed in the final process to form the flexible portion. This outer layer substrate peeling process is a major obstacle in terms of cost and quality.

本発明は、かかる点に鑑みて為されたものであり、製造工程の簡略化が可能であり、製造コストの削減か可能となると共に、連続生産にも対応可能なフレキシブル配線板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and it is possible to simplify the manufacturing process, reduce the manufacturing cost, and provide a method for manufacturing a flexible wiring board that can be used for continuous production. The purpose is to provide.

本発明のフレキシブル配線板の製造方法は、アルカリ可溶性樹脂組成物を含む樹脂層の一方の主面上に貫通孔形成部位を有する第1導電層を形成する導電層形成工程と、前記第1導電層を介して前記貫通孔形成部位の前記樹脂層を溶解除去して貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔が形成された前記樹脂層の他方の主面上に第2導電層を設けてブラインドビアを形成するブラインドビア形成工程と、前記ブラインドビアにめっきを施して前記第1導電層と前記第2導電層とを電気的に接続するめっき工程とを具備することを特徴とする。   The method for producing a flexible wiring board of the present invention includes a conductive layer forming step of forming a first conductive layer having a through hole forming portion on one main surface of a resin layer containing an alkali-soluble resin composition, and the first conductive A through-hole forming step of forming a through-hole by dissolving and removing the resin layer at the through-hole forming portion through a layer, and a second conductive layer on the other main surface of the resin layer in which the through-hole is formed A blind via forming step of forming a blind via and a plating step of plating the blind via to electrically connect the first conductive layer and the second conductive layer. To do.

本発明のフレキシブル配線板の製造方法は、片面フレキシブル配線板、両面フレキシブル配線板、又は多層フレキシブル配線板のいずれかからなるコア基板と、外層基板と、が積層されてなるフレキシブル配線板の製造方法であって、アルカリ可溶性樹脂組成物を含む樹脂層の一方の主面上に貫通孔形成部位を有する外部導電層を形成する外部導電層形成工程と、前記外部導電層を介して前記貫通孔形成部位の前記樹脂層を溶解除去して前記外層基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記外層基板の前記貫通孔と前記コア基板の所定の部位とが一致するように前記外層基板と前記コア基板とを積層してブラインドビアを形成するブラインドビア形成工程と、前記ブラインドビアにめっきを施して前記コア基板の内部導電層と前記外層基板の外部導電層とを電気的に接続するめっき工程とを具備することを特徴とする。   The method for manufacturing a flexible wiring board of the present invention is a method for manufacturing a flexible wiring board in which a core substrate made of any one of a single-sided flexible wiring board, a double-sided flexible wiring board, and a multilayer flexible wiring board and an outer layer substrate are laminated. An external conductive layer forming step of forming an external conductive layer having a through hole forming site on one main surface of the resin layer containing the alkali-soluble resin composition, and forming the through hole via the external conductive layer A step of forming a through hole in the outer layer substrate by dissolving and removing the resin layer of the portion; and the outer layer substrate so that the through hole of the outer layer substrate matches a predetermined portion of the core substrate. Blind via forming step of laminating the core substrate to form a blind via, and plating the blind via to form an inner conductive layer and an outer layer base of the core substrate Characterized by comprising the outer conductive layer and a plating step of electrically connecting.

本発明のフレキシブル配線板の製造方法においては、前記外部導電層形成工程では、フレキシブル部形成部位の前記外部導電層を除去し、前記貫通孔形成工程では、前記フレキシブル部形成部位の前記樹脂層を溶解除去してフレキシブル部を形成することが好ましい。   In the method for manufacturing a flexible wiring board of the present invention, in the external conductive layer forming step, the external conductive layer in the flexible portion forming portion is removed, and in the through hole forming step, the resin layer in the flexible portion forming portion is removed. It is preferable to form a flexible part by dissolving and removing.

本発明のフレキシブル配線板の製造方法においては、前記アルカリ可溶性樹脂組成物が、少なくともポリアミド酸構造を有するポリイミド前駆体を含有することが好ましい。   In the manufacturing method of the flexible wiring board of this invention, it is preferable that the said alkali-soluble resin composition contains the polyimide precursor which has a polyamic acid structure at least.

本発明のフレキシブル配線板の製造方法においては、前記ポリイミド前駆体が、ポリアミド酸構造及びポリイミド構造をそれぞれ構成単位として有するブロック共重合体を含有することが好ましい。   In the manufacturing method of the flexible wiring board of this invention, it is preferable that the said polyimide precursor contains the block copolymer which has a polyamic-acid structure and a polyimide structure as a structural unit, respectively.

本発明のフレキシブル配線板の製造方法においては、前記ポリイミド前駆体が、ポリアルキレンエーテル構造及び/又はシロキサン構造を有することが好ましい。   In the manufacturing method of the flexible wiring board of this invention, it is preferable that the said polyimide precursor has a polyalkylene ether structure and / or a siloxane structure.

本発明のフレキシブル配線板の製造方法においては、前記アルカリ可溶性樹脂組成物が、さらに、溶解抑止剤を含むことが好ましい。   In the method for producing a flexible wiring board of the present invention, it is preferable that the alkali-soluble resin composition further contains a dissolution inhibitor.

本発明のフレキシブル配線板の製造方法においては、前記溶解抑止剤が、アミド化合物又はウレア化合物であることが好ましい。   In the method for producing a flexible wiring board of the present invention, the dissolution inhibitor is preferably an amide compound or a urea compound.

本発明のフレキシブル配線板の製造方法においては、前記アルカリ可溶性樹脂組成物が、さらにリン化合物を含有することが好ましい。   In the manufacturing method of the flexible wiring board of this invention, it is preferable that the said alkali-soluble resin composition contains a phosphorus compound further.

本発明のフレキシブル配線板の製造方法においては、前記リン化合物が、リン酸エステル化合物及び/又はホスファゼン化合物であることが好ましい。   In the manufacturing method of the flexible wiring board of this invention, it is preferable that the said phosphorus compound is a phosphate ester compound and / or a phosphazene compound.

本発明のフレキシブル配線板の製造方法においては、前記樹脂層は、アルカリ可溶性樹脂組成物を導電性フィルム基材上に塗工、加熱による脱溶剤後に得られる膜厚25μmの樹脂層の水酸化ナトリウム水溶液への溶解速度が0.50μm/sec以上であり、更に前記樹脂層を160℃以上で加熱することにより得られる水酸化ナトリウム水溶液への溶解速度が0.05μm/sec以下であり、前記樹脂層の弾性率が0.2GPa〜1.5GPaであり、前記樹脂層のガラス転移点温度が150℃以下であることが好ましい。   In the method for producing a flexible wiring board of the present invention, the resin layer is a sodium hydroxide of a resin layer having a film thickness of 25 μm obtained after coating an alkali-soluble resin composition on a conductive film substrate and removing the solvent by heating. The dissolution rate in an aqueous solution is 0.50 μm / sec or more, the dissolution rate in a sodium hydroxide aqueous solution obtained by heating the resin layer at 160 ° C. or more is 0.05 μm / sec or less, and the resin The elastic modulus of the layer is preferably 0.2 GPa to 1.5 GPa, and the glass transition temperature of the resin layer is preferably 150 ° C. or lower.

本発明のフレキシブル配線板は、上記フレキシブル配線板の製造方法により製造されたことを特徴とする。   The flexible wiring board of the present invention is manufactured by the above-described method for manufacturing a flexible wiring board.

本発明によれば、製造工程の簡略化が可能であり、製造コストの削減が可能となると共に、連続生産にも対応可能な両面フレキシブル配線板の製造方法及び多層フレキシブル配線板の製造方法を提供することができる。   According to the present invention, a manufacturing method of a double-sided flexible wiring board and a manufacturing method of a multilayer flexible wiring board that can simplify the manufacturing process, reduce the manufacturing cost, and can cope with continuous production are provided. can do.

本発明の実施の形態に係る両面フレキシブル配線板の製造工程の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the double-sided flexible wiring board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る多層フレキシブル配線板に用いられるコア基板の製造工程の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the core board | substrate used for the multilayer flexible wiring board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る多層フレキシブル配線板の製造工程の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the multilayer flexible wiring board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るフレキシブル部を有する多層フレキシブル配線板の製造工程の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the multilayer flexible wiring board which has a flexible part which concerns on embodiment of this invention. 一般的な両面フレキシブル配線板の製造工程の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of a general double-sided flexible wiring board. 一般的な多層フレキシブル配線板の製造工程の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of a general multilayer flexible wiring board.

以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
本発明の一実施の形態に係るフレキシブル配線板の製造方法においては、接着層としてのアルカリ可溶性樹脂組成物を含む樹脂層と、この樹脂層上に設けられた導電層とを備えた片面フレキシブル基板を用いてフレキシブル配線板を製造する。本実施の形態においては、アルカリ可溶性樹脂組成物を含有する樹脂層を用いることにより、レーザー加工及びドリル加工を行わずに樹脂層を溶解除去して貫通孔を形成することができるので、製造工程の簡略化及び製造コストの削減が可能となる。以下、本実施の形態に係るフレキシブル配線板の製造方法を用いた両面フレキシブル配線板の製造工程及び多層フレキシブル配線板の製造工程について説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
In the method for manufacturing a flexible wiring board according to one embodiment of the present invention, a single-sided flexible board comprising a resin layer containing an alkali-soluble resin composition as an adhesive layer and a conductive layer provided on the resin layer To manufacture a flexible wiring board. In the present embodiment, by using a resin layer containing an alkali-soluble resin composition, it is possible to dissolve and remove the resin layer without performing laser processing and drilling, so that a through hole can be formed. Can be simplified and the manufacturing cost can be reduced. Hereinafter, the manufacturing process of the double-sided flexible wiring board and the manufacturing process of the multilayer flexible wiring board using the manufacturing method of the flexible wiring board according to the present embodiment will be described.

(両面フレキシブル配線板の製造工程)
図1(a)〜図1(f)に本発明の実施の形態に係る両面フレキシブル配線板の製造工程の概略を示す。両面フレキシブル配線板の製造には、アルカリ可溶性樹脂組成物を含む樹脂層11と、この樹脂層11の一方の主面上に設けられた銅箔12とを備えた片面フレキシブル配線板13が用いられる(図1(a))。
(Manufacturing process of double-sided flexible wiring board)
FIG. 1A to FIG. 1F schematically show the manufacturing process of the double-sided flexible wiring board according to the embodiment of the present invention. For manufacturing a double-sided flexible wiring board, a single-sided flexible wiring board 13 including a resin layer 11 containing an alkali-soluble resin composition and a copper foil 12 provided on one main surface of the resin layer 11 is used. (FIG. 1 (a)).

まず、銅箔12上に不図示の感光性ドライフィルムをラミネートし、露光・現像によってブラインドビア形成部位12a〜12c(貫通孔形成部位)のドライフィルムを除去する。次いで、ブラインドビア形成部位12a〜12cの銅箔12をエッチングにより除去してコンフォーマルマスク14を形成する(図1(b))。次に、ブラインドビア形成部位12a〜12cの樹脂層11をアルカリ液により溶解除去して貫通孔15a〜15cを形成する(図1(c))。アルカリ液としては、樹脂層11として用いるアルカリ可溶性樹脂組成物を溶解できるものであれば特に限定されず、炭酸ナトリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液を用いることができる。また、アルカリ液による樹脂層の溶解除去は、一般的なフレキシブル配線板の製造工程で用いられているアルカリスプレー装置などを用いることができる。   First, a photosensitive dry film (not shown) is laminated on the copper foil 12, and the dry films of the blind via forming portions 12a to 12c (through hole forming portions) are removed by exposure and development. Next, the copper foil 12 in the blind via forming portions 12a to 12c is removed by etching to form a conformal mask 14 (FIG. 1B). Next, the resin layers 11 of the blind via forming portions 12a to 12c are dissolved and removed with an alkaline solution to form the through holes 15a to 15c (FIG. 1C). The alkali solution is not particularly limited as long as it can dissolve the alkali-soluble resin composition used as the resin layer 11, and an aqueous sodium carbonate solution, an aqueous sodium hydroxide solution, and an aqueous potassium hydroxide solution can be used. Moreover, the alkali spray apparatus etc. which are used by the manufacturing process of the general flexible wiring board can be used for melt | dissolution removal of the resin layer by an alkali liquid.

次に、貫通孔15a〜15cが設けられた樹脂層11の他方の主面側から銅箔16を貼り合せてブラインドビア17a〜17cを形成する(図1(d))。次いで、ブラインドビア17a〜17c内壁及び銅箔12の表面に無電解銅めっき処理を行い、ブラインドビア17a〜17c内の樹脂層11を導電化する。次に、ブラインドビア17a〜17c内壁及び銅箔12表面に銅めっき18を施して銅箔12と銅箔16とを電気的接続に接続する(図1(e))。   Next, the blind vias 17a to 17c are formed by bonding the copper foil 16 from the other main surface side of the resin layer 11 provided with the through holes 15a to 15c (FIG. 1D). Next, the inner walls of the blind vias 17a to 17c and the surface of the copper foil 12 are subjected to electroless copper plating to make the resin layer 11 in the blind vias 17a to 17c conductive. Next, copper plating 18 is applied to the inner walls of the blind vias 17a to 17c and the surface of the copper foil 12 to connect the copper foil 12 and the copper foil 16 to electrical connection (FIG. 1 (e)).

次いで、銅めっき18の所定の部位に不図示の感光性ドライフィルムをラミネートし、露光・現像により感光性ドライフィルムをパターニングする。次に、エッチングによって銅箔12を除去して回路パターン19を形成する(図1(f))。以上の工程により両面フレキシブル配線板20が製造される。   Next, a photosensitive dry film (not shown) is laminated on a predetermined portion of the copper plating 18, and the photosensitive dry film is patterned by exposure and development. Next, the copper foil 12 is removed by etching to form a circuit pattern 19 (FIG. 1 (f)). The double-sided flexible wiring board 20 is manufactured by the above process.

(多層フレキシブル配線板の製造工程)
次に、多層フレキシブル配線板の製造工程について説明する。多層フレキシブル配線板は、両面フレキシブル配線板を用いて製造されるコア基板と、片面フレキシブル基板を用いて製造される外層基板とを貼り合わせて製造する。
(Manufacturing process of multilayer flexible wiring board)
Next, the manufacturing process of a multilayer flexible wiring board is demonstrated. The multilayer flexible wiring board is manufactured by bonding a core substrate manufactured using a double-sided flexible wiring board and an outer layer substrate manufactured using a single-sided flexible substrate.

図2(a)〜図2(e)に多層フレキシブル配線板に用いられるコア基板29の製造工程の概略を示す。コア基板29は、アルカリ可溶性樹脂組成物を含む樹脂層21と、この樹脂層21の一方の主面に設けられた銅箔22と、他方の主面に設けられた銅箔23とを備えた両面フレキシブル配線板24を用いて製造する(図2(a))。なお、コア基板は、片面フレキシブル配線板、両面フレキシブル配線板、又は多層フレキシブル配線板など、各種フレキシブル配線板を用いて製造することもできる。   2A to 2E show an outline of the manufacturing process of the core substrate 29 used for the multilayer flexible wiring board. The core substrate 29 includes a resin layer 21 containing an alkali-soluble resin composition, a copper foil 22 provided on one main surface of the resin layer 21, and a copper foil 23 provided on the other main surface. It manufactures using the double-sided flexible wiring board 24 (Fig.2 (a)). The core substrate can also be manufactured using various flexible wiring boards such as a single-sided flexible wiring board, a double-sided flexible wiring board, or a multilayer flexible wiring board.

まず、銅箔22上に不図示のドライフィルムをラミネートし、露光・現像によりブラインドビア形成部位21a(貫通孔形成部位)のドライフィルムを除去する。次いで、エッチングにより銅箔22、23を除去してコンフォーマルマスクを形成する。次に、ブラインドビア形成部位21aに対応する位置の樹脂層21をアルカリ液により溶解除去して貫通孔25を形成し、ドライフィルムを除去する(図2(b))。アルカリ液としては、樹脂層21として用いたアルカリ可溶性樹脂組成物を溶解できるものであれば特に限定されない。   First, a dry film (not shown) is laminated on the copper foil 22, and the dry film of the blind via forming portion 21a (through hole forming portion) is removed by exposure and development. Next, the copper foils 22 and 23 are removed by etching to form a conformal mask. Next, the resin layer 21 at a position corresponding to the blind via forming portion 21a is dissolved and removed with an alkaline solution to form a through hole 25, and the dry film is removed (FIG. 2B). The alkali liquid is not particularly limited as long as it can dissolve the alkali-soluble resin composition used as the resin layer 21.

次に、貫通孔25の内壁及び銅箔22、23の表面に無電解銅めっき処理を施し、貫通孔25内の樹脂層21を導電化する。次いで、貫通孔25内壁及び銅箔22、23表面に銅めっき26を施して銅箔22と銅箔23とを電気的接続に接続する(図2(c))。   Next, the inner wall of the through hole 25 and the surfaces of the copper foils 22 and 23 are subjected to electroless copper plating to make the resin layer 21 in the through hole 25 conductive. Next, copper plating 26 is applied to the inner wall of the through hole 25 and the surfaces of the copper foils 22 and 23 to connect the copper foil 22 and the copper foil 23 to electrical connection (FIG. 2C).

次に、銅めっき26の所定の部位に感光性ドライフィルム27をラミネートし、露光・現像により感光性ドライフィルム27をパターニングする(図2(d))。次いで、エッチングによって銅箔22、23をパターニングして回路パターン28を形成する。以上の工程によりコア基板29が製造される(図2(e))。   Next, a photosensitive dry film 27 is laminated on a predetermined portion of the copper plating 26, and the photosensitive dry film 27 is patterned by exposure and development (FIG. 2D). Next, the copper foils 22 and 23 are patterned by etching to form a circuit pattern 28. The core substrate 29 is manufactured through the above steps (FIG. 2E).

図3(a)〜図3(e)に多層フレキシブル配線板の製造工程の概略を示す。まず、銅箔30と、アルカリ可溶性樹脂組成物を含む接着層としての樹脂層31とが積層された2枚の片面フレキシブル配線板を用いて外層基板33、34を製造する。まず、銅箔30上に不図示の感光性ドライフィルムをラミネートし、露光・現像によってブラインドビア形成部位30a〜30d(貫通孔形成部位)のドライフィルムを除去する。次いで、エッチングによってブラインドビア形成部位30a〜30dの銅箔30を除去し、アルカリ液によって樹脂層31を溶解除去して貫通孔32a〜32dを形成して外層基板33、34を製造する(図3(a))。   3A to 3E show an outline of the manufacturing process of the multilayer flexible wiring board. First, outer layer substrates 33 and 34 are manufactured using two single-sided flexible wiring boards in which a copper foil 30 and a resin layer 31 as an adhesive layer containing an alkali-soluble resin composition are laminated. First, a photosensitive dry film (not shown) is laminated on the copper foil 30, and the blind via forming portions 30a to 30d (through hole forming portions) are removed by exposure and development. Next, the copper foils 30 of the blind via forming portions 30a to 30d are removed by etching, and the resin layer 31 is dissolved and removed with an alkaline solution to form the through holes 32a to 32d, thereby manufacturing the outer layer substrates 33 and 34 (FIG. 3). (A)).

次に、コア基板29の一方の主面側の回路パターン28と樹脂層31とが対向するように外層基板33を接合し、他方の主面側の回路パターン28と樹脂層31とが対向するように外層基板34を接合する(図3(b))。ここで、外層基板33、34の貫通孔32a〜32dによって、ブラインドビア35a〜35dが形成される。コア基板29の回路パターン28が内部導電層36となり、外層基板33の銅箔30及び外層基板34の銅箔30が外部導電層37となる。   Next, the outer substrate 33 is bonded so that the circuit pattern 28 on one main surface side of the core substrate 29 and the resin layer 31 face each other, and the circuit pattern 28 on the other main surface side and the resin layer 31 face each other. In this manner, the outer substrate 34 is bonded (FIG. 3B). Here, blind vias 35 a to 35 d are formed by the through holes 32 a to 32 d of the outer layer substrates 33 and 34. The circuit pattern 28 of the core substrate 29 becomes the inner conductive layer 36, and the copper foil 30 of the outer layer substrate 33 and the copper foil 30 of the outer layer substrate 34 become the outer conductive layer 37.

次に、外部導電層37の表面及びブラインドビア35a〜35dの内壁に無電解銅めっき処理を行い、ブラインドビア35a〜35d内の樹脂層31を導電化する。次いで、ブラインドビア35a〜35d内壁及び外部導電層37表面に銅めっき38を施し、内部導電層36と外部導電層37とを電気的に接続する(図3(c))。   Next, electroless copper plating is performed on the surface of the external conductive layer 37 and the inner walls of the blind vias 35a to 35d to make the resin layer 31 in the blind vias 35a to 35d conductive. Next, copper plating 38 is applied to the inner walls of the blind vias 35a to 35d and the surface of the external conductive layer 37 to electrically connect the internal conductive layer 36 and the external conductive layer 37 (FIG. 3C).

次に、銅めっき38の所定の部位に感光性ドライフィルム39をラミネートし、露光・現像によりパターニングする(図3(d))。次いで、エッチングによって外部導電層37をパターニングして回路パターン40を形成し、感光性ドライフィルム39を除去することにより多層フレキシブル配線板41が製造される(図3(e))。   Next, a photosensitive dry film 39 is laminated on a predetermined portion of the copper plating 38 and patterned by exposure and development (FIG. 3D). Next, the external conductive layer 37 is patterned by etching to form a circuit pattern 40, and the photosensitive dry film 39 is removed to manufacture the multilayer flexible wiring board 41 (FIG. 3E).

次に、フレキシブル部を有する多層フレキシブル配線板の製造方法について説明する。図4(a)〜図4(e)にフレキシブル部を有する多層フレキシブル配線板の製造工程の概略を示す。なお、以下の説明においては、上述した多層フレキシブル配線板の製造方法との相違点を中心に説明し、説明の重複を避ける。   Next, the manufacturing method of the multilayer flexible wiring board which has a flexible part is demonstrated. The outline of the manufacturing process of the multilayer flexible wiring board which has a flexible part in Fig.4 (a)-FIG.4 (e) is shown. In the following description, differences from the above-described multilayer flexible wiring board manufacturing method will be mainly described to avoid duplication of description.

まず、銅箔50上に不図示のドライフィルムをラミネートし、露光・現像によってブラインドビア形成部位(貫通孔形成部位)及びフレキシブル部50aの銅箔50を除去する。次いで、アルカリ液によりアルカリ可溶性樹脂組成物を含む樹脂層51を溶解除去してブラインドビア形成部位に貫通孔52a〜52dを形成すると共に、フレキシブル部50aの樹脂層51を除去する。以上のようにして外層基板53、54を製造する(図4(a))。   First, a dry film (not shown) is laminated on the copper foil 50, and the blind via forming part (through hole forming part) and the copper foil 50 in the flexible part 50a are removed by exposure and development. Next, the resin layer 51 containing the alkali-soluble resin composition is dissolved and removed with an alkali solution to form the through holes 52a to 52d at the blind via formation sites, and the resin layer 51 of the flexible portion 50a is removed. The outer layer substrates 53 and 54 are manufactured as described above (FIG. 4A).

次に、コア基板29の一方の主面側の回路パターン28と樹脂層51とが対向するようにして外層基板53を接合し、他方の主面側の回路パターン28と樹脂層51とが対向するようにして外層基板54を接合する(図4(b))。ここで、外層基板53、54に設けられた貫通孔52a〜52dによって、ブラインドビア55a〜55dが形成される。コア基板29の回路パターン28が内部導電層56となり、外層基板53の銅箔50及び外層基板54の銅箔50が外部導電層57となる。   Next, the outer substrate 53 is bonded so that the circuit pattern 28 on one main surface side of the core substrate 29 and the resin layer 51 face each other, and the circuit pattern 28 on the other main surface side and the resin layer 51 face each other. In this manner, the outer substrate 54 is bonded (FIG. 4B). Here, blind vias 55a to 55d are formed by the through holes 52a to 52d provided in the outer layer substrates 53 and 54, respectively. The circuit pattern 28 of the core substrate 29 becomes the inner conductive layer 56, and the copper foil 50 of the outer layer substrate 53 and the copper foil 50 of the outer layer substrate 54 become the outer conductive layer 57.

次いで、外部導電層57の表面及びブラインドビア55a〜55dの内壁に無電解銅めっき処理を行い、ブラインドビア55a〜55d内の樹脂層51を導電化する。次に、ブラインドビア55a〜55d内壁及び外部導電層57表面に銅めっき58を施し、内部導電層56と外部導電層57とを電気的に接続する(図4(c))。   Next, an electroless copper plating process is performed on the surface of the external conductive layer 57 and the inner walls of the blind vias 55a to 55d to make the resin layer 51 in the blind vias 55a to 55d conductive. Next, copper plating 58 is applied to the inner walls of the blind vias 55a to 55d and the surface of the external conductive layer 57 to electrically connect the internal conductive layer 56 and the external conductive layer 57 (FIG. 4C).

次いで、銅めっき58の所定の部位に感光性ドライフィルム59をラミネートし、露光・現像により感光性ドライフィルム59をパターニングする(図4(d))。次いで、エッチングによって外部導電層57をパターニングして回路パターン60を形成する。最後に感光性ドライフィルム59を除去することにより多層フレキシブル配線板61が製造される(図4(e))。   Next, a photosensitive dry film 59 is laminated on a predetermined portion of the copper plating 58, and the photosensitive dry film 59 is patterned by exposure and development (FIG. 4D). Next, the external conductive layer 57 is patterned by etching to form a circuit pattern 60. Finally, by removing the photosensitive dry film 59, the multilayer flexible wiring board 61 is manufactured (FIG. 4E).

上述した実施の形態によれば、アルカリ可溶性樹脂組成物を含む樹脂層を用いることにより、アルカリ液によって樹脂層を溶解除去できる。このため、レーザー加工やドリル加工を必要とすることなく容易にブラインドビアを形成できる。また、銅箔表面に異物(スミア)が生じることが無いので、デスミア処理などが不要となる。したがって、ブラインドビア形成コストを大幅に削減でき、またロールツーロール生産が容易にでき、大幅な生産リードタイム短縮ができる両面フレキシブル配線板や多層フレキシブル配線板の生産が可能となる。   According to the embodiment described above, the resin layer can be dissolved and removed by the alkali solution by using the resin layer containing the alkali-soluble resin composition. For this reason, a blind via can be easily formed without requiring laser processing or drilling. Further, since no foreign matter (smear) is generated on the surface of the copper foil, desmear processing or the like is not required. Therefore, the cost of forming blind vias can be greatly reduced, roll-to-roll production can be facilitated, and double-sided flexible wiring boards and multilayer flexible wiring boards that can greatly reduce production lead time can be produced.

また、上述した実施の形態においては、両面フレキシブル配線板や多層フレキシブル配線板の層間絶縁体の機能を有する層間接着剤として、従来の熱硬化型接着剤ではなく加熱硬化後に再度接着性付与したアルカリ可溶性樹脂組成物を用いることが可能となる。このため、層間接続のためのブラインドビア形成にレーザー加工を用いることなくフレキシブルプリント配線板の製造工程で一般的に使用されているエッチング装置、アルカリ液スプレー装置、及びラミネート設備等を使用することが可能となる。また、両面フレキシブル配線板のブラインドビア形成だけではなく、多層フレキシブル配線板のブラインドビア形成にも適用できる。   Further, in the above-described embodiment, as an interlayer adhesive having a function of an interlayer insulator of a double-sided flexible wiring board or a multilayer flexible wiring board, an alkali imparted again with adhesiveness after heat curing instead of a conventional thermosetting adhesive. A soluble resin composition can be used. For this reason, it is possible to use an etching apparatus, an alkaline liquid spray apparatus, a laminating equipment, etc. that are generally used in the manufacturing process of a flexible printed wiring board without using laser processing to form a blind via for interlayer connection. It becomes possible. Moreover, it can be applied not only to the formation of blind vias on double-sided flexible wiring boards but also to the formation of blind vias on multilayer flexible wiring boards.

また、上記実施の形態によれば、コア基板と外層基板との間にカバーレイを設けることなく多層フレキシブル配線板を構成することが可能となる。このため、従来の多層フレキシブル配線板の製造方法によって製造された多層フレキシブル配線板と比較して構成の簡素化が可能となると共に、製造工程の大幅な簡略化が可能となる。   Moreover, according to the said embodiment, it becomes possible to comprise a multilayer flexible wiring board, without providing a coverlay between a core board | substrate and an outer layer board | substrate. For this reason, it is possible to simplify the configuration as compared with the multilayer flexible wiring board manufactured by the conventional multilayer flexible wiring board manufacturing method, and it is possible to greatly simplify the manufacturing process.

さらに、上記実施の形態によれば、多層フレキシブル配線基板の製造工程において、ブラインドビアの形成と共に、外層基板を除去してフレキシブル部を形成することも可能となる。このため、上記ブラインドビア形成技術を多層フレキシブル配線板の外層基板剥がし工程に展開して、ブラインドビア形成工程と同時に外層除去部の銅箔エッチングと絶縁層であるアルカリ可溶性樹脂組成物を溶解除去することにより、容易に外層基板をはがしてフレキシブル部を形成することが可能となる。   Furthermore, according to the above embodiment, in the manufacturing process of the multilayer flexible wiring board, it is possible to form the flexible part by removing the outer layer board as well as forming the blind via. For this reason, the blind via forming technology is applied to the outer layer substrate peeling process of the multilayer flexible wiring board, and simultaneously with the blind via forming process, the copper foil etching of the outer layer removing portion and the alkali-soluble resin composition as the insulating layer are dissolved and removed. As a result, the outer layer substrate can be easily peeled off to form the flexible portion.

(アルカリ可溶性樹脂組成物)
次に、本実施の形態に係るフレキシブル配線板の製造方法に用いられるアルカリ可溶性樹脂組成物について説明する。アルカリ可溶性樹脂組成物は、フレキシブル配線板の層間絶縁層をなす接着材としての樹脂層の形成に用いられる。アルカリ可溶性樹脂組成物としては、少なくともアルカリ可溶性樹脂を含むものであれば限定されない。アルカリ可溶性樹脂としては、コンフォーマルマスク形成後のアルカリ液による溶解処理で溶解するものであれば特に限定されない。
(Alkali-soluble resin composition)
Next, the alkali-soluble resin composition used in the method for producing a flexible wiring board according to the present embodiment will be described. The alkali-soluble resin composition is used for forming a resin layer as an adhesive that forms an interlayer insulating layer of a flexible wiring board. The alkali-soluble resin composition is not limited as long as it contains at least an alkali-soluble resin. The alkali-soluble resin is not particularly limited as long as it is dissolved by a dissolution treatment with an alkaline solution after the conformal mask is formed.

樹脂層は、フレキシブル配線板のフレキシブル部での柔軟性を付与するためやロールツーロール法での成型を可能にするために、低弾性率であることが好ましい。樹脂層の導電性フィルム基材上に塗工、加熱による脱溶剤後に得られる膜厚25μmの樹脂層の水酸化ナトリウム水溶液への溶解速度が0.50μm/sec以上であり、更に樹脂層を160℃以上で加熱することにより得られる水酸化ナトリウム水溶液への溶解速度が0.05μm/sec以下であり、樹脂層の弾性率が0.2GPa〜1.5GPa、ガラス転移点温度が150℃以下であることが好ましい。樹脂層のアルカリ溶解速度が上記範囲内であれば、樹脂層のアルカリ溶解性の制御が容易となり、フレキシブルプリント配線板製造工程で一般的に使用されているアルカリ液スプレー装置が使用できる。また、樹脂層の弾性率が0.2GPa〜1.5GPaであれば、基板の反りが小さく、且つ、柔軟性に優れる。ガラス転移点温度が150℃以下、好ましくは、50℃〜120℃であれば、一般的なラミネート装置を用いてのラミネート加工ができるため好ましい。   The resin layer preferably has a low elastic modulus in order to impart flexibility at the flexible portion of the flexible wiring board or to enable molding by a roll-to-roll method. The resin layer having a film thickness of 25 μm obtained after coating on the conductive film substrate of the resin layer and desolvation by heating has a dissolution rate in a sodium hydroxide aqueous solution of 0.50 μm / sec or more. The dissolution rate in an aqueous sodium hydroxide solution obtained by heating at a temperature of not less than 0.05 ° C. is 0.05 μm / sec or less, the elastic modulus of the resin layer is 0.2 GPa to 1.5 GPa, and the glass transition temperature is 150 ° C. or less. Preferably there is. When the alkali dissolution rate of the resin layer is within the above range, the alkali solubility of the resin layer can be easily controlled, and an alkaline liquid spray device generally used in the flexible printed wiring board manufacturing process can be used. Moreover, if the elasticity modulus of a resin layer is 0.2 GPa-1.5 GPa, the curvature of a board | substrate is small and it is excellent in a softness | flexibility. A glass transition temperature of 150 ° C. or lower, preferably 50 ° C. to 120 ° C., is preferable because lamination using a general laminating apparatus can be performed.

樹脂層は、アルカリ可溶性樹脂組成物を導電性基材フィルムに塗布しても良いし、一旦、フィルムに成膜してから導電性基材にラミネートしても良い。得られた樹脂層を必要に応じて加温させることで、接着性のある樹脂層が形成される。   For the resin layer, the alkali-soluble resin composition may be applied to the conductive substrate film, or may be laminated on the conductive substrate after being once formed on the film. By heating the obtained resin layer as needed, an adhesive resin layer is formed.

アルカリ可溶性樹脂としては、例えばノボラック樹脂、アクリル樹脂、スチレンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの重合体、ポリビニルフェノール、ポリα−メチルビニルフェノール、ポリイミド系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂などが挙げられる。   Examples of the alkali-soluble resin include novolak resins, acrylic resins, copolymers of styrene and acrylic acid, polymers of hydroxystyrene, polyvinylphenol, poly α-methylvinylphenol, polyimide resins, polybenzoxazole resins, and the like. Can be mentioned.

アルカリ可溶性樹脂は、アルカリ可溶性を有するために分子鎖中にカルボキシル基を有する樹脂であることが好ましい。さらに200℃以下の加熱後に得られる樹脂層の耐熱性や柔軟性の観点より、分子中にカルボキシル基を有する(以下、分子中にカルボキシル基を含むものをカルボキシル基含有とする)ポリイミド、ポリイミド前駆体、カルボキシル基含有ポリベンゾオキサゾール、カルボキシル基含有ポリベンゾオキサゾール前駆体が好ましい。下記一般式(1)で表されるポリアミド酸、分子中にカルボキシル基を有する(以下、カルボキシル基含有)ポリアミド酸エステル構造を有するポリマーが更に好ましい。   The alkali-soluble resin is preferably a resin having a carboxyl group in the molecular chain in order to have alkali solubility. Furthermore, from the viewpoint of heat resistance and flexibility of the resin layer obtained after heating at 200 ° C. or lower, a polyimide having a carboxyl group in the molecule (hereinafter referred to as a carboxyl group-containing one having a carboxyl group in the molecule), a polyimide precursor Body, carboxyl group-containing polybenzoxazole, and carboxyl group-containing polybenzoxazole precursor are preferred. A polyamic acid represented by the following general formula (1) and a polymer having a polyamic acid ester structure having a carboxyl group in the molecule (hereinafter, containing a carboxyl group) are more preferable.

本実施の形態においては、ポリイミド前駆体、下記一般式(1)で表されるポリアミド酸、ポリアミド酸エステル構造を有するカルボキシル基含有ポリマーを用いることにより、通常の生産ラインで使用される比較的弱塩基性水溶液で樹脂層を溶解することができ、回路基板の品質に優れるフレキシブル配線板を得ることができる。   In this embodiment, by using a polyimide precursor, a polyamic acid represented by the following general formula (1), and a carboxyl group-containing polymer having a polyamic acid ester structure, it is relatively weak used in a normal production line. The resin layer can be dissolved with a basic aqueous solution, and a flexible wiring board having excellent circuit board quality can be obtained.

Figure 2011228493
(式(1)中、Rは4価の有機基である。R、Rは水素又は炭素数1〜炭素数20の有機基であり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Rは2価〜4価の有機基である。R、Rは水素又は炭素数1〜炭素数20の有機基であり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。ただし、R及びRが水素でないとき、m+n>0かつn>0であり、Rは水素又は炭素数1〜炭素数20の有機基、Rは水素である。R、Rの少なくとも一方が水素のときm+n≧0であり、かつR、Rは水素又は炭素数1〜炭素数20の有機基であって、それぞれ同一でも異なっていてもよい。)
Figure 2011228493
(In Formula (1), R 1 is a tetravalent organic group. R 2 and R 3 are hydrogen or an organic group having 1 to 20 carbon atoms, and may be the same or different. R 4 Is a divalent to tetravalent organic group, R 5 and R 6 are hydrogen or an organic group having 1 to 20 carbon atoms, which may be the same or different, provided that R 2 and R 3 are When not hydrogen, m + n> 0 and n> 0, R 5 is hydrogen or an organic group having 1 to 20 carbon atoms, R 6 is hydrogen, m + n when at least one of R 2 and R 3 is hydrogen ≧ 0, and R 5 and R 6 are hydrogen or an organic group having 1 to 20 carbon atoms, which may be the same or different.

アルカリ可溶性樹脂として、下記一般式(2)で表されるポリアミド酸がさらに好ましい。   As the alkali-soluble resin, a polyamic acid represented by the following general formula (2) is more preferable.

Figure 2011228493
(式(2)中、Rは炭素数2以上である4価の有機基を示し、Rは炭素数2以上の2価の有機基を示す。)
Figure 2011228493
(In Formula (2), R 7 represents a tetravalent organic group having 2 or more carbon atoms, and R 8 represents a divalent organic group having 2 or more carbon atoms.)

ポリイミド前駆体は、好ましくは、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを重合させて製造されるが、その使用されるテトラカルボン酸二無水物とジアミンとしては、例えば、以下に示すものがある。   The polyimide precursor is preferably produced by polymerizing tetracarboxylic dianhydride and diamine. Examples of the tetracarboxylic dianhydride and diamine used include those shown below.

芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、3,3’−オキシジフタル酸二無水物、4,4’−オキシジフタル酸二無水物、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、1,3−ジヒドロ−1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン酸−1,4−フェニレンエステル、4−(2,5−ジオキソテトラヒドロフラン−3−イル)−1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−1,2−ジカルボン酸無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸ニ無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンニ無水物、2,2−ビス(4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス(4−(3,4−ジカルボキシベンゾイルオキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ビフェニル二無水物などを挙げられる。   Examples of the aromatic tetracarboxylic dianhydride include pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetra. Carboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3 '-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1, 1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride , Screw (2, -Dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 3,3'-oxydiphthalic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, 2,2 -Bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4-phenylene ester, 4- (2,5-dioxo Tetrahydrofuran-3-yl) -1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic anhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7 -Naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis 3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (4- ( 3,4-dicarboxybenzoyloxy) phenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2′-bis (trifluoromethyl) -4,4′-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) biphenyl dianhydride, etc. Can be mentioned.

脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ−3−フラニル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボンサン二無水物、エチレングリコール−ビス−無水トリメリット酸エステル、ビシクロ[2,2,2]オクト−7−エン−2,3,5,6テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物などを挙げることができる。これらは単独で用いても2種以上組み合わせて用いてもよい。   Examples of the aliphatic tetracarboxylic dianhydride include cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, and 2,3,5,6-cyclohexanetetracarboxylic acid. Dianhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylicsan dianhydride, ethylene glycol-bis-trimellitic anhydride ester, bicyclo [2,2,2] Oct-7-ene-2,3,5,6 tetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic dianhydride and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

これらのテトラカルボン酸二無水物の内、加熱処理を経て形成される絶縁層の柔軟性を高める観点から、ピロメリット酸ニ無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ニ無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ニ無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパンニ無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパンニ無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタンニ無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタンニ無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタンニ無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタンニ無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホンニ無水物、3,3’−オキシジフタル酸ニ無水物、4,4’−オキシジフタル酸ニ無水物、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、1,3−ジヒドロ−1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン酸−1,4−フェニレンエステル、エチレングリコール−ビス−無水トリメリット酸エステルが好ましい。これらは単独で用いても2種以上組み合わせて用いても良い。   Among these tetracarboxylic dianhydrides, pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid dianiline is used from the viewpoint of increasing the flexibility of the insulating layer formed through the heat treatment. Anhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone Tetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2 , 3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane anhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane anhydride, bis (3 , 4-Di Ruboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfon dianhydride, 3,3′-oxydiphthalic dianhydride, 4,4 '-Oxydiphthalic acid dianhydride, 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4-phenylene Preferred are esters, ethylene glycol-bis-trimellitic anhydride esters. These may be used alone or in combination of two or more.

ジアミンとしては、例えば、1,4−ジアミノベンゼン、1,3−ジアミノベンゼン、2,4−ジアミノトルエン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル、3,7−ジアミノ−ジメチルベンゾチオフェン−5,5−ジオキシド、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ビス(4−アミノフェニル)スルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノベンズアニリド、1,n−ビス(4−アミノフェノキシ)アルカン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)−2,2−ジメチルプロパン、1,2−ビス[2−(4−アミノフェノキシ)エトキシ]エタン、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、5(6)−アミノ−1−(4−アミノメチル)−1,3,3−トリメチルインダン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)プロパン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、3,3’−ジカルボキシ−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,6−ジヒドロキシ−1,3−フェニレンジアミン、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ペンタン、1,5−ビス(4‘−アミノフェノキシ)ペンタン、ビス(γ−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,4−ビス(γ−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、ビス(4−アミノブチル)テトラメチルジシロキサン、ビス(γ−アミノプロピル)テトラフェニルジシロキサン、下記一般式(3)で表されるジアミノシロキサン化合物などが挙げられる。これらは単独で用いても2種以上組み合わせて用いてもよい。   Examples of the diamine include 1,4-diaminobenzene, 1,3-diaminobenzene, 2,4-diaminotoluene, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenyl ether, and 3,4′-diaminodiphenyl ether. 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2′-bis (trifluoromethyl) -4,4′-diaminobiphenyl 3,7-diamino-dimethylbenzothiophene-5,5-dioxide, 4,4′-diaminobenzophenone, 3,3′-diaminobenzophenone, 4,4′-bis (4-aminophenyl) sulfide, 4,4 '-Diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminobenzanilide, 1, n-bis (4-aminopheno B) Alkane, 1,3-bis (4-aminophenoxy) -2,2-dimethylpropane, 1,2-bis [2- (4-aminophenoxy) ethoxy] ethane, 9,9-bis (4-amino) Phenyl) fluorene, 5 (6) -amino-1- (4-aminomethyl) -1,3,3-trimethylindane, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4- Aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4,4′-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 2,2- Bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2, -Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 3,3'-dicarboxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,6-dihydroxy-1,3-phenylenediamine, 3,3 ' -Dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl, 1,4-bis (4-aminophenoxy) pentane, 1,5-bis (4'-aminophenoxy) pentane, bis (γ-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, 1,4-bis (γ-aminopropyldimethylsilyl) benzene, bis (4-aminobutyl) tetramethyldisiloxane, bis (γ-aminopropyl) tetraphenyldisiloxane, diamino represented by the following general formula (3) Examples thereof include siloxane compounds. These may be used alone or in combination of two or more.

Figure 2011228493
Figure 2011228493

上記一般式(3)において、R、R10は炭素数1以上炭素数30以下の有機基を表し、それぞれ同じであっても異なっていても良い。炭素数1以上炭素数30以下の有機基(R)としては、脂肪族飽和炭化水素基、脂肪族不飽和炭化水素基、環状構造を含む官能基、及びそれらを組み合わせた基などが挙げられる。 In the general formula (3), R 9 and R 10 represent an organic group having 1 to 30 carbon atoms, and may be the same or different. Examples of the organic group (R 9 ) having 1 to 30 carbon atoms include an aliphatic saturated hydrocarbon group, an aliphatic unsaturated hydrocarbon group, a functional group including a cyclic structure, and a group obtained by combining them. .

上記脂肪族飽和炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などの第一級炭化水素基、イソブチル基、イソペンチル基などの第二級炭化水素基、t−ブチル基などの第三級炭化水素基などが挙げられる。   Examples of the aliphatic saturated hydrocarbon group include primary hydrocarbon groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, and hexyl group, secondary hydrocarbon groups such as isobutyl group and isopentyl group, and tertiary hydrocarbon groups such as t-butyl group.

上記脂肪族不飽和炭化水素基としては、ビニル基、アリル基などの二重結合を含む炭化水素基、エチニル基などの三重結合を含む炭化水素基などが挙げられる。   Examples of the aliphatic unsaturated hydrocarbon group include a hydrocarbon group containing a double bond such as a vinyl group and an allyl group, and a hydrocarbon group containing a triple bond such as an ethynyl group.

上記環状構造を含む官能基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロデシル基、シクロオクチル基などの単環式官能基;ノルボルニル基、アダマンチル基などの多環式官能基;ピロール、フラン、チオフェン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、テトラヒドロフラン、ジオキサン構造を有する複素環式官能基;ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環構造を含む芳香族炭化水素基などが挙げられる。   Examples of the functional group containing a cyclic structure include a monocyclic functional group such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclodecyl group, and a cyclooctyl group; a polycyclic functional group such as a norbornyl group and an adamantyl group; pyrrole, furan, A heterocyclic functional group having a thiophene, imidazole, oxazole, thiazole, tetrahydrofuran, dioxane structure; an aromatic hydrocarbon group containing a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, or a phenanthrene ring structure.

上記炭素数1以上炭素数30以下の有機基(R)は、ハロゲン原子、ヘテロ原子及び金属原子を含むことができる。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。また、ヘテロ原子としては、酸素、硫黄、窒素、リンが挙げられる。また、金属原子としては、ケイ素及びチタンが挙げられる。 The organic group (R 9 ) having 1 to 30 carbon atoms may contain a halogen atom, a hetero atom, and a metal atom. Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and iodine. Moreover, oxygen, sulfur, nitrogen, and phosphorus are mentioned as a hetero atom. Examples of the metal atom include silicon and titanium.

また、炭素数1以上炭素数30以下の有機基(R)がヘテロ原子及び/又は金属原子を含む場合、有機基(R)は結合するヘテロ原子及び/又は金属原子に直接結合していても、ヘテロ原子及び/又は金属原子を介して結合していても良い。 In addition, when the organic group (R 9 ) having 1 to 30 carbon atoms includes a hetero atom and / or a metal atom, the organic group (R 9 ) is directly bonded to the bonded hetero atom and / or metal atom. Alternatively, they may be bonded via a hetero atom and / or a metal atom.

上記一般式(3)で表される化合物として、例えば、シリコーンジアミン(信越化学工業社製、PAM−E、KF−8010、X−22−161A、X−22−1660B−3)が挙げられる。   Examples of the compound represented by the general formula (3) include silicone diamine (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., PAM-E, KF-8010, X-22-161A, X-22-1660B-3).

の炭素数は、難燃性を考慮して、1以上20以下が好ましい。さらに、生成するポリイミドの溶媒溶解性の観点から、Rの炭素数は、1以上10以下が特に好ましい。 The carbon number of R 9 is preferably 1 or more and 20 or less in consideration of flame retardancy. Furthermore, from the viewpoint of solvent solubility of the polyimide to be produced, the carbon number of R 9 is particularly preferably 1 or more and 10 or less.

またジアミンには、鎖状ポリエーテルを分子構造内に有するジアミンを用いることも好ましく、下記一般式(4)、または下記一般式(5)で表される化合物を用いることが好ましい。   Moreover, it is also preferable to use the diamine which has chain | strand-shaped polyether in a molecular structure as a diamine, and it is preferable to use the compound represented by the following general formula (4) or the following general formula (5).

Figure 2011228493
(式(4)中、bは1〜50の整数を表し、R11はそれぞれ独立に炭素数2〜炭素数10のアルキレン基を表す。)
Figure 2011228493
(In formula (4), b represents an integer of 1 to 50, and R 11 independently represents an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms.)

Figure 2011228493
(式(5)中、R12、R13、R14、R15、R16はそれぞれ独立して炭素数1〜炭素数20のアルキレン基を表し、それぞれ独立して炭素数1〜炭素数5のアルキル基を1個以上、有していても良い。c、d、eはそれぞれ独立して0以上の整数を表す。)
Figure 2011228493
(In Formula (5), R < 12 >, R <13> , R <14> , R <15> , R < 16 > each independently represents an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, and each independently represents 1 to 5 carbon atoms. And may have one or more alkyl groups, and c, d and e each independently represents an integer of 0 or more.)

上記一般式(4)で表されるジアミンとしては、例えば、ポリテトラメチレンオキシド−ジ−o−アミノベンゾエート、ポリテトラメチレンオキシド−ジ−m−アミノベンゾエート、ポリテトラメチレンオキシド−ジ−p−アミノベンゾエート、ポリトリメチレンオキシド−ジ−o−アミノベンゾエート、ポリトリメチレンオキシド−ジ−m−アミノベンゾエート、ポリトリメチレンオキシド−ジ−p−アミノベンゾエート等が挙げられるが、これらに限定されない。中でも、両末端が、p−アミノ安息香酸エステル基のものが好ましく、その中でも、ポリテトラメチレンオキシド−ジ−p−アミノベンゾエートが好ましく用いられる。また、ジアミンを2種以上使用しても良い。   Examples of the diamine represented by the general formula (4) include polytetramethylene oxide-di-o-aminobenzoate, polytetramethylene oxide-di-m-aminobenzoate, polytetramethylene oxide-di-p-amino. Examples include, but are not limited to, benzoate, polytrimethylene oxide-di-o-aminobenzoate, polytrimethylene oxide-di-m-aminobenzoate, polytrimethylene oxide-di-p-aminobenzoate. Among them, those having both ends at the p-aminobenzoic acid ester group are preferable, and among them, polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate is preferably used. Two or more diamines may be used.

上記一般式(4)で表されるジアミンは、全ジアミンに対して上記一般式(4)で表されるジアミンを25モル%〜55モル%含む。好ましくは25モル%〜50モル%、より好ましくは30モル%〜50モル%である。25モル%以上であれば、柔軟性を示し、55モル%以下であれば、耐溶剤性と耐熱性に優れる。   The diamine represented by the general formula (4) contains 25 to 55 mol% of the diamine represented by the general formula (4) with respect to the total diamine. Preferably they are 25 mol%-50 mol%, More preferably, they are 30 mol%-50 mol%. If it is 25 mol% or more, flexibility is shown, and if it is 55 mol% or less, it is excellent in solvent resistance and heat resistance.

また上記一般式(5)で表されるジアミンとしては、例えば、1,8−ジアミノ−3,6−ジオキシオクタン等のポリオキシエチレンジアミンや、ポリオキシプロピレンジアミン、そのほか長さの異なるオキシアルキレン基を含むものなどのポリオキシアルキレンジアミン等が挙げられる。ポリオキシアルキレンジアミン類としては米ハンツマン社によるジェファーミンEDR−148、EDR−176などのポリオキシエチレンジアミン、ジェファーミンD−230、D−400、D−2000、D−4000などのポリオキシプロピレンジアミン、HK−511、ED−600、ED−900、ED−2003、XTJ−542などの異なるオキシアルキレン基をもつものなどの市販品が、使用例として挙げられる。特に、中でも比較的分子量の低いEDR−148、D−230、D−400、HK−511などは比較的高いガラス転移温度をもつポリマーとなり得るため、耐熱性、耐薬品性が必要な用途で使用することができる。一方、比較的分子量の高いD−2000などは柔軟性、低沸点溶媒溶解性等に優れる。また、純度が高いものを用いた方がポリアミド酸として高分子量のものを得やすく、好ましくは95%以上、さらに好ましくは97%以上、さらに好ましくは98.5%以上である。   Examples of the diamine represented by the general formula (5) include polyoxyethylene diamine such as 1,8-diamino-3,6-dioxyoctane, polyoxypropylene diamine, and other oxyalkylene groups having different lengths. And polyoxyalkylene diamines such as those containing As polyoxyalkylene diamines, polyoxyethylene diamines such as Jeffamine EDR-148 and EDR-176 by Huntsman, Inc., polyoxypropylene diamines such as Jeffamine D-230, D-400, D-2000 and D-4000, Commercial products such as those having different oxyalkylene groups such as HK-511, ED-600, ED-900, ED-2003, XTJ-542 are listed as examples of use. In particular, EDR-148, D-230, D-400, HK-511, etc., which have relatively low molecular weights, can be polymers having a relatively high glass transition temperature, and therefore are used in applications that require heat resistance and chemical resistance. can do. On the other hand, D-2000 having a relatively high molecular weight is excellent in flexibility, low boiling point solvent solubility and the like. In addition, it is easier to obtain a high molecular weight polyamic acid when the one having high purity is used, preferably 95% or more, more preferably 97% or more, and further preferably 98.5% or more.

上記一般式(5)で表されるジアミンは、全ジアミンに対して25モル%〜60モル%であることが好ましい。さらに好ましくは25モル%〜50モル%、より好ましくは30モル%〜50モル%である。25モル%以上であれば、柔軟性を示し、60モル%以下であれば、耐溶剤性と耐熱性に優れる。   It is preferable that the diamine represented by the said General formula (5) is 25 mol%-60 mol% with respect to all the diamines. More preferably, it is 25 mol%-50 mol%, More preferably, it is 30 mol%-50 mol%. If it is 25 mol% or more, flexibility is shown, and if it is 60 mol% or less, it is excellent in solvent resistance and heat resistance.

これらのジアミンの内、加熱処理を経て形成される絶縁層の柔軟性を高める観点から、1,4−ジアミノベンゼン、1,3−ジアミノベンゼン、2,4−ジアミノトルエン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアノビフェニル、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,7−ジアミノ−ジメチルベンゾチオフェン−5,5−ジオキシド、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ビス(4−アミノフェニル)スルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノベンズアニリド、1,n−ビス(4−アミノフェノキシ)アルカン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)−2,2−ジメチルプロパン、1,2−ビス[2−(4−アミノフェノキシ)エトキシ]エタン、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、5(6)−アミノ−1−(4−アミノメチル)−1,3,3−トリメチルインダン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)プロパン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、4,6−ジヒドロキシ−1,3−フェニレンジアミン、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ペンタン、1,5−ビス(4'−アミノフェノキシ)ペンタン、ビス(γ−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,4−ビス(γ−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、ビス(4−アミノブチル)テトラメチルジシロキサン、ビス(γ−アミノプロピル)テトラフェニルジシロキサン、上記一般式(3)で表されるジアミノシロキサン化合物、鎖状ポリエーテルを分子構造内に有する上記一般式(4)、または上記一般式(5)で表される化合物が好ましい。これらは単独で用いても2種以上組み合わせて用いても良い。   Among these diamines, 1,4-diaminobenzene, 1,3-diaminobenzene, 2,4-diaminotoluene, 4,4′-diamino are used from the viewpoint of enhancing the flexibility of the insulating layer formed through the heat treatment. Diphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′-dimethyl-4,4′-dianobiphenyl, 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 3, , 7-diamino-dimethylbenzothiophene-5,5-dioxide, 4,4′-diaminobenzophenone, 3,3′-diaminobenzophenone, 4,4′-bis (4-aminophenyl) sulfide, 4,4′- Diaminodiphenylsulfone, 4,4′-diaminobenzanilide, 1, n-bis (4-aminophenoxy) alkane, 1 3-bis (4-aminophenoxy) -2,2-dimethylpropane, 1,2-bis [2- (4-aminophenoxy) ethoxy] ethane, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, 5 ( 6) -Amino-1- (4-aminomethyl) -1,3,3-trimethylindane, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, , 3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4,4′-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 2,2-bis (4-aminophenoxy) Phenyl) propane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,6-dihydroxy- , 3-phenylenediamine, 3,3′-dihydroxy-4,4′-diaminobiphenyl, 1,4-bis (4-aminophenoxy) pentane, 1,5-bis (4′-aminophenoxy) pentane, bis ( γ-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, 1,4-bis (γ-aminopropyldimethylsilyl) benzene, bis (4-aminobutyl) tetramethyldisiloxane, bis (γ-aminopropyl) tetraphenyldisiloxane, the above The diaminosiloxane compound represented by the general formula (3), the general formula (4) having a chain polyether in the molecular structure, or the compound represented by the general formula (5) is preferable. These may be used alone or in combination of two or more.

また、ポリイミド前駆体は、ポリアミド酸構造に加えて、ポリイミド構造を有していることも好ましい。イミド化率は0%〜99.9%の範囲内が好ましく、0%〜90%の範囲内がより好ましく、0%〜80%の範囲内が更に好ましい。   In addition to the polyamic acid structure, the polyimide precursor preferably has a polyimide structure. The imidation ratio is preferably in the range of 0% to 99.9%, more preferably in the range of 0% to 90%, and still more preferably in the range of 0% to 80%.

次にポリイミド前駆体の製造方法について述べる。ポリイミド前駆体は、最新ポリイミド〜基礎と応用〜 日本ポリイミド研究会編 pp4〜pp49などに記載の公知の方法で容易に合成することができる。具体的には、低温から100℃以下でテトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとを反応させジエステルを合成し、その後に縮合剤の存在下、ジアミンと反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとを反応させジエステルを合成し、その後、残りのジカルボン酸を酸クロリド化し、次いでジアミンと反応させる方法などがある。低温から100℃以下でテトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させる方法が好ましい。   Next, a method for producing a polyimide precursor will be described. The polyimide precursor can be easily synthesized by a known method described in the latest polyimide, basics and applications, edited by Japan Polyimide Research Group, pp4 to pp49. Specifically, a method of reacting a tetracarboxylic dianhydride and a diamine at a low temperature to 100 ° C. or lower, a tetracarboxylic dianhydride and an alcohol are reacted to synthesize a diester, and then a diamine in the presence of a condensing agent. And a method of reacting tetracarboxylic dianhydride with an alcohol to synthesize a diester, and then converting the remaining dicarboxylic acid into an acid chloride and then reacting with a diamine. A method in which tetracarboxylic dianhydride and diamine are reacted at a low temperature to 100 ° C. or less is preferred.

反応は有機溶媒中で行うことが好ましい。このような反応において用いられる溶媒として、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、1,3−ジオキサン、1,4−ジオキサン、ジメチルスルホキシド、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、フェノール、クレゾール等が挙げられる。これらは単独あるいは2種以上混合して用いられる。   The reaction is preferably performed in an organic solvent. As a solvent used in such a reaction, for example, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, 1,2-dimethoxyethane, tetrahydrofuran, 1,3 -Dioxane, 1,4-dioxane, dimethyl sulfoxide, benzene, toluene, xylene, mesitylene, phenol, cresol and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

この反応における反応原料の濃度は、通常、2質量%〜60質量%、好ましくは5質量
%〜50質量%、さらに好ましくは10質量%〜45質量%である。
The density | concentration of the reaction raw material in this reaction is 2 mass%-60 mass% normally, Preferably it is 5 mass%-50 mass%, More preferably, it is 10 mass%-45 mass%.

重合させる酸二無水物とジアミンとのモル比は、0.8〜1.2の範囲内である。この範囲内の場合、分子量を上げることができ、伸度等にも優れる。好ましくは0.9〜1.1、より好ましくは0.95〜1.05である。   The molar ratio of the acid dianhydride to be polymerized and the diamine is in the range of 0.8 to 1.2. Within this range, the molecular weight can be increased, and the elongation and the like are excellent. Preferably it is 0.9-1.1, More preferably, it is 0.95-1.05.

ポリイミド前駆体の重量平均分子量は、5000以上100000以下であることが好ましい。ここで、重量平均分子量とは、既知の数平均分子量のポリスチレンを標準として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって測定される分子量をいう。重量平均分子量は10000以上60000以下がより好ましく、20000以上50000以下が最も好ましい。重量平均分子量が5000以上100000以下であると樹脂組成物を用いて得られる絶縁層の反りが改善され、柔軟性、及び耐熱性に優れる。   The weight average molecular weight of the polyimide precursor is preferably 5000 or more and 100,000 or less. Here, the weight average molecular weight refers to a molecular weight measured by gel permeation chromatography using polystyrene having a known number average molecular weight as a standard. The weight average molecular weight is more preferably from 10,000 to 60,000, and most preferably from 20,000 to 50,000. When the weight average molecular weight is 5,000 or more and 100,000 or less, the warp of the insulating layer obtained using the resin composition is improved, and the flexibility and heat resistance are excellent.

イミド構造を導入するには、上記で得られたポリイミド前駆体を好ましくは100℃〜400℃に加熱してイミド化するか、または無水酢酸等のイミド化剤を用いて化学イミド化することにより、ポリアミド酸構造に対応する繰り返し単位構造を有するポリイミドが得られる。加熱してイミド化する場合、副生する水を除去するために、共沸剤(好ましくは、トルエンやキシレン)を共存させて、ディーンシュターク型脱水装置を用いて、還流下、脱水を行うことも好ましい。   In order to introduce an imide structure, the polyimide precursor obtained above is preferably heated to 100 ° C. to 400 ° C. to imidize, or chemically imidized using an imidizing agent such as acetic anhydride. A polyimide having a repeating unit structure corresponding to the polyamic acid structure is obtained. In the case of imidization by heating, in order to remove by-product water, dehydration is carried out under reflux using a Dean-Stark type dehydrator in the presence of an azeotropic agent (preferably toluene or xylene). Is also preferable.

また、80℃〜220℃で反応を行うことにより、ポリイミド前駆体の生成と熱イミド
化反応を共に進行させて、ポリイミドを得ることも好ましい。すなわち、ジアミン成分と
酸二無水物成分とを有機溶媒中に懸濁または溶解させ、80℃〜220℃の加熱下に反応
を行い、ポリイミド前駆体の生成と脱水イミド化とを共に行わせることにより、ポリイミ
ドを得ることも好ましい。
Moreover, it is also preferable to obtain a polyimide by carrying out the reaction at 80 ° C. to 220 ° C. to advance both the generation of the polyimide precursor and the thermal imidization reaction. That is, the diamine component and the acid dianhydride component are suspended or dissolved in an organic solvent and reacted under heating at 80 ° C. to 220 ° C. to cause both generation of a polyimide precursor and dehydration imidization. It is also preferable to obtain polyimide.

またポリイミド前駆体は、ポリアミド酸構造体とポリイミド構造体をそれぞれ構成単位として有するブロック共重合体であることが、アルカリ溶解性を制御する点から好ましい。   The polyimide precursor is preferably a block copolymer having a polyamic acid structure and a polyimide structure as structural units, respectively, from the viewpoint of controlling alkali solubility.

ポリイミド構造及びポリアミド酸構造をそれぞれ繰り返し単位として有するポリイミド前駆体は、酸二無水物とジアミンを非等モル量で反応させて1段階目のポリアミド酸を合成する工程(工程1)、続いてイミド化する工程(工程2)、続いて2段階目のポリアミド酸を合成する工程(工程3)により作製することができる。   A polyimide precursor having a polyimide structure and a polyamic acid structure as repeating units, respectively, is a step of synthesizing a first stage polyamic acid by reacting acid dianhydride and diamine in an unequal molar amount (step 1), followed by imide It can be produced by the step (Step 2) to synthesize, and then the step (Step 3) for synthesizing the second stage polyamic acid.

さらにポリアミド酸−ポリイミドブロック体として、ポリイミドブロックに、上記一般式(3)で表される鎖状シロキサン構造を分子構造内に有するジアミン、上記一般式(4)、上記一般式(5)のいずれかで表される鎖状ポリエーテルを分子構造内に有するジアミンを導入することが好ましい。これらのジアミンの末端をイミド構造に変換することにより、アルカリ可溶性樹脂組成物の貯蔵安定性を向上させることが出来る。以下、それぞれの工程について説明する。   Furthermore, as a polyamic acid-polyimide block body, any of the diamine having a chain siloxane structure represented by the above general formula (3) in the molecular structure in the polyimide block, the above general formula (4), and the above general formula (5) It is preferable to introduce a diamine having a chain polyether represented by the formula: By converting the terminal of these diamines into an imide structure, the storage stability of the alkali-soluble resin composition can be improved. Hereinafter, each process will be described.

(工程1)
1段階目のポリアミド酸を合成する工程について説明する。1段階目のポリアミド酸を合成する工程としては特に限定されず、公知の方法を適用することができる。より具体的には、以下の方法により得られる。まずジアミンを重合反応溶媒に溶解及び/又は分散し、これに酸二無水物粉末を添加し、メカニカルスターラーを用い、0.5時間〜96時間好ましくは0.5時間〜30時間撹拌する。この際モノマー濃度は0.5質量%以上、95質量%以下、好ましくは1質量%以上、90質量%以下である。このモノマー濃度範囲で重合を行うことにより、ポリアミド酸溶液を得ることができる。
(Process 1)
The process of synthesizing the first stage polyamic acid will be described. The step of synthesizing the first stage polyamic acid is not particularly limited, and a known method can be applied. More specifically, it is obtained by the following method. First, diamine is dissolved and / or dispersed in a polymerization reaction solvent, acid dianhydride powder is added thereto, and the mixture is stirred for 0.5 hours to 96 hours, preferably 0.5 hours to 30 hours using a mechanical stirrer. In this case, the monomer concentration is 0.5% by mass or more and 95% by mass or less, preferably 1% by mass or more and 90% by mass or less. By performing polymerization in this monomer concentration range, a polyamic acid solution can be obtained.

ポリアミド酸の製造の際に使用される反応溶媒としては、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテルのような炭素数2以上炭素数9以下のエーテル化合物;アセトン、メチルエチルケトンのような炭素数2以上炭素数6以下のケトン化合物;ノルマルペンタン、シクロペンタン、ノルマルヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカリンのような炭素数5以上炭素数10以下の飽和炭化水素化合物;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリンのような炭素数6以上炭素数10以下の芳香族炭化水素化合物;酢酸メチル、酢酸エチル、γ―ブチロラクトン、安息香酸メチルのような炭素数3以上炭素数9以下のエステル化合物;クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタンのような炭素数1以上炭素数10以下の含ハロゲン化合物;アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンのような炭素数2以上炭素数10以下の含窒素化合物;ジメチルスルホキシドのような含硫黄化合物が挙げられる。これらは必要に応じて1種、あるいは2種以上の混合物であっても良い。特に好ましい溶媒としては、炭素数2以上炭素数9以下のエーテル化合物、炭素数3以上炭素数9以下のエステル化合物、炭素数6以上炭素数10以下の芳香族炭化水素化合物、炭素数2以上炭素数10以下の含窒素化合物が挙げられる。これらは工業的な生産性、次反応への影響などを考慮して任意に選択可能である。   Examples of the reaction solvent used in the production of the polyamic acid include dimethyl ether, diethyl ether, methyl ethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, and triethylene glycol dimethyl ether. Ether compounds of: ketone compounds having 2 to 6 carbon atoms such as acetone and methyl ethyl ketone; saturated compounds having 5 to 10 carbon atoms such as normal pentane, cyclopentane, normal hexane, cyclohexane, methylcyclohexane and decalin Hydrocarbon compounds; aromatic hydrocarbon compounds having 6 to 10 carbon atoms such as benzene, toluene, xylene, mesitylene, tetralin; methyl acetate, ethyl acetate ester compounds having 3 to 9 carbon atoms such as γ-butyrolactone and methyl benzoate; halogen-containing compounds having 1 to 10 carbon atoms such as chloroform, methylene chloride and 1,2-dichloroethane; acetonitrile, Nitrogen-containing compounds having 2 to 10 carbon atoms such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone; and sulfur-containing compounds such as dimethyl sulfoxide. These may be one kind or a mixture of two or more kinds as necessary. Particularly preferable solvents include ether compounds having 2 to 9 carbon atoms, ester compounds having 3 to 9 carbon atoms, aromatic hydrocarbon compounds having 6 to 10 carbon atoms, and 2 to carbon atoms. A nitrogen-containing compound of several tens or less is mentioned. These can be arbitrarily selected in consideration of industrial productivity and influence on the next reaction.

1段階目のポリアミド酸の製造の際の反応温度は、シリコーンジアミンの反応性の観点から、100℃以上250℃以下が好ましい。100℃以上あれば反応が開始され、また250℃以下であれば副反応等の影響が無い。好ましくは120℃以上220℃以下、さらに好ましくは120℃以上200℃以下である。ポリアミド酸の反応に要する時間は、目的あるいは反応条件によって異なるが、通常は96時間以内であり、特に好適には好ましくは、30分から30時間の範囲で実施される。   The reaction temperature for producing the first stage polyamic acid is preferably 100 ° C. or higher and 250 ° C. or lower from the viewpoint of the reactivity of the silicone diamine. If it is 100 degreeC or more, reaction will be started, and if it is 250 degrees C or less, there will be no influence of a side reaction. Preferably they are 120 degreeC or more and 220 degrees C or less, More preferably, they are 120 degreeC or more and 200 degrees C or less. The time required for the reaction of the polyamic acid varies depending on the purpose or reaction conditions, but is usually within 96 hours, particularly preferably 30 to 30 hours.

(工程2)
次に、ポリアミド酸をイミド化する方法について説明する。本発明に係るポリイミド部位を製造する際は、公知のイミド化触媒を添加することによっても、無触媒によっても、得ることができる。本発明におけるイミド化触媒は特に制限されないが、無水酢酸のような酸無水物、γ−バレロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−テトロン酸、γ−フタリド、γ−クマリン、γ−フタリド酸のようなラクトン化合物、ピリジン、キノリン、N−メチルモルホリン、トリエチルアミンのような三級アミンのなどが挙げられる。また、必要に応じて1種、あるいは2種以上の混合物であっても良い。この中でも特に、反応性の高さ及び次反応への影響の観点からγ−バレロラクトンとピリジンの混合系及び無触媒が特に好ましい。
(Process 2)
Next, a method for imidizing polyamic acid will be described. When manufacturing the polyimide site | part which concerns on this invention, it can obtain even by adding a well-known imidation catalyst or without a catalyst. The imidization catalyst in the present invention is not particularly limited, but an acid anhydride such as acetic anhydride, γ-valerolactone, γ-butyrolactone, γ-tetronic acid, γ-phthalide, γ-coumarin, and γ-phthalido acid. Examples include lactone compounds, pyridine, quinoline, N-methylmorpholine, tertiary amines such as triethylamine, and the like. Moreover, 1 type or 2 or more types of mixtures may be sufficient as needed. Among these, a mixed system of γ-valerolactone and pyridine and a non-catalyst are particularly preferable from the viewpoint of high reactivity and influence on the next reaction.

イミド化触媒の添加量は、ポリアミド酸を100質量部とすると、50質量部以下が好ましく、30質量部以下がより好ましい。反応溶媒としては、ポリアミド酸の製造に使用したものと同じものを用いることができる。その場合、ポリアミド酸溶液をそのまま用いることができる。また、ポリアミド酸の製造に用いたものと異なる溶媒を用いてもよい。   The amount of the imidization catalyst added is preferably 50 parts by mass or less, and more preferably 30 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polyamic acid. As the reaction solvent, the same solvent as used for the production of polyamic acid can be used. In that case, the polyamic acid solution can be used as it is. Moreover, you may use the solvent different from what was used for manufacture of a polyamic acid.

このような溶媒として、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテルのような炭素数2以上炭素数9以下のエーテル化合物;アセトン、メチルエチルケトンのような炭素数2以上炭素数6以下のケトン化合物;ノルマルペンタン、シクロペンタン、ノルマルヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカリンのような炭素数5以上炭素数10以下の飽和炭化水素化合物;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリンのような炭素数6以上炭素数10以下の芳香族炭化水素化合物;酢酸メチル、酢酸エチル、γ―ブチロラクトン、安息香酸メチルのような炭素数3以上炭素数9以下のエステル化合物;クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタンのような炭素数1以上炭素数10以下の含ハロゲン化合物;アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンのような炭素数2以上炭素数10以下の含窒素化合物;ジメチルスルホキシドのような含硫黄化合物が挙げられる。   Examples of such solvents include ether compounds having 2 to 9 carbon atoms such as dimethyl ether, diethyl ether, methyl ethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, and triethylene glycol dimethyl ether; acetone, methyl ethyl ketone, and the like. A ketone compound having 2 to 6 carbon atoms; a saturated hydrocarbon compound having 5 to 10 carbon atoms, such as normal pentane, cyclopentane, normal hexane, cyclohexane, methylcyclohexane, decalin; benzene, toluene, xylene Aromatic hydrocarbon compounds having 6 to 10 carbon atoms such as mesitylene and tetralin; methyl acetate, ethyl acetate, γ-butyrolactone, benzoic acid Ester compounds having 3 to 9 carbon atoms such as chill; halogen-containing compounds having 1 to 10 carbon atoms such as chloroform, methylene chloride and 1,2-dichloroethane; acetonitrile, N, N-dimethylformamide N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone and other nitrogen-containing compounds having 2 to 10 carbon atoms; sulfur-containing compounds such as dimethyl sulfoxide.

これらは必要に応じて1種、あるいは2種以上の混合物であっても良い。特に好ましい溶媒としては、炭素数2以上炭素数9以下のエーテル化合物、炭素数3以上炭素数9以下のエステル化合物、炭素数6以上炭素数10以下の芳香族炭化水素化合物、炭素数2以上炭素数10以下の含窒素化合物が挙げられる。これらは工業的な生産性、次反応への影響などを考慮して任意に選択可能である。   These may be one kind or a mixture of two or more kinds as necessary. Particularly preferable solvents include ether compounds having 2 to 9 carbon atoms, ester compounds having 3 to 9 carbon atoms, aromatic hydrocarbon compounds having 6 to 10 carbon atoms, and 2 to carbon atoms. A nitrogen-containing compound of several tens or less is mentioned. These can be arbitrarily selected in consideration of industrial productivity and influence on the next reaction.

本発明に係るポリイミドの製造においては、反応温度は15℃以上、250℃以下で実施することが好ましい。15℃以上あれば反応が開始され、また250℃以下であれば触媒の失活が無い。好ましくは20℃以上、220℃以下、さらに好ましくは20℃以上、200℃以下である。反応に要する時間は、目的あるいは反応条件によって異なるが、通常は96時間以内であり、特に好適には30分から30時間の範囲で実施される。   In the production of the polyimide according to the present invention, the reaction temperature is preferably 15 ° C. or more and 250 ° C. or less. If it is 15 degreeC or more, reaction will be started, and if it is 250 degrees C or less, there will be no deactivation of a catalyst. Preferably they are 20 degreeC or more and 220 degrees C or less, More preferably, they are 20 degreeC or more and 200 degrees C or less. The time required for the reaction varies depending on the purpose or reaction conditions, but is usually within 96 hours, particularly preferably in the range of 30 minutes to 30 hours.

(工程3)
次に、2段階目のポリアミド酸を合成する工程について説明する。2段階目のポリアミド酸の合成方法については、1段階目のポリアミド酸と同様の方法で実施することができる。
(Process 3)
Next, the process of synthesizing the second stage polyamic acid will be described. The method of synthesizing the second stage polyamic acid can be carried out in the same manner as the first stage polyamic acid.

2段階目の重合反応温度については、0℃以上250℃以下が好ましく、得られるポリイミド前駆体の分子量の観点から0℃以上100℃以下が好ましく、0℃以上、80℃以下が特に好ましい。製造終了後における、ポリイミド前駆体の回収は、反応溶液中の溶媒を減圧留去することに行うことができる。   The polymerization reaction temperature in the second stage is preferably 0 ° C. or higher and 250 ° C. or lower, preferably 0 ° C. or higher and 100 ° C. or lower, and particularly preferably 0 ° C. or higher and 80 ° C. or lower from the viewpoint of the molecular weight of the resulting polyimide precursor. Recovery of the polyimide precursor after completion of production can be performed by distilling off the solvent in the reaction solution under reduced pressure.

ポリイミド前駆体の精製方法としては、反応溶液中の不溶解な酸二無水物及びジアミンを減圧濾過、加圧濾過などで除去する方法が挙げられる。また、反応溶液を貧溶媒に加え析出させる、いわゆる再沈殿による精製法を実施することができる。更に特別に高純度なポリイミド前駆体が必要な場合は、超臨界二酸化炭素を用いた抽出法による精製も可能である。   Examples of the method for purifying the polyimide precursor include a method of removing insoluble acid dianhydride and diamine in the reaction solution by vacuum filtration, pressure filtration, or the like. Moreover, the purification method by what is called reprecipitation which adds a reaction solution to a poor solvent and precipitates can be implemented. Further, when a particularly high-purity polyimide precursor is required, purification by an extraction method using supercritical carbon dioxide is also possible.

ポリイミド前駆体のポリマー主鎖の末端は、モノアミン誘導体またはカルボン酸誘導体からなる末端封止剤で末端封止することが好ましい。ポリイミド前駆体のポリマー主鎖を末端封止することにより、貯蔵安定性が向上する。   The end of the polymer main chain of the polyimide precursor is preferably end-capped with an end-capping agent made of a monoamine derivative or a carboxylic acid derivative. Storage stability is improved by end-capping the polymer main chain of the polyimide precursor.

モノアミン誘導体からなる末端封止剤としては、例えば、アニリン、o−トルイジン、m−トルイジン、p−トルイジン、2,3−キシリジン、2,6−キシリジン、3,4−キシリジン、3,5−キシリジン、o−クロロアニリン、m−クロロアニリン、p−クロロアニリン、o−ブロモアニリン、m−ブロモアニリン、p−ブロモアニリン、o−ニトロアニリン、p−ニトロアニリン、m−ニトロアニリン、o−アミノフェノール、p−アミノフェノール、m−アミノフェノール、o−アニシジン、m−アニシジン、p−アニシジン、o−フェネチジン、m−フェネチジン、p−フェネチジン、o−アミノベンズアルデヒド、p−アミノベンズアルデヒド、m−アミノベンズアルデヒド、o−アミノベンズニトリル、p−アミノベンズニトリル、m−アミノベンズニトリル、2−アミノビフェニル、3−アミノビフェニル、4−アミノビフェニル、2−アミノフェニルフェニルエーテル、3−アミノフェニルフェニルエーテル、4−アミノフェニルフェニルエーテル、2−アミノベンゾフェノン、3−アミノベンゾフェノン、4−アミノベンゾフェノン、2−アミノフェニルフェニルスルフィド、3−アミノフェニルフェニルスルフィド、4−アミノフェニルフェニルスルフィド、2−アミノフェニルフェニルスルホン、3−アミノフェニルフェニルスルホン、4−アミノフェニルフェニルスルホン、α−ナフチルアミン、β−ナフチルアミン、1−アミノ−2−ナフトール、5−アミノ−1−ナフトール、2−アミノ−1−ナフトール、4−アミノ−1−ナフトール、5−アミノ−2−ナフトール、7−アミノ−2−ナフトール、8−アミノ−1−ナフトール、8−アミノ−2−ナフトール、1−アミノアントラセン、2−アミノアントラセン、9−アミノアントラセンなどの芳香族モノアミンを挙げることができ、この中で好ましくはアニリンの誘導体が使用される。これらは単独でも、2種以上を混合して用いることもできる。   Examples of the end capping agent comprising a monoamine derivative include aniline, o-toluidine, m-toluidine, p-toluidine, 2,3-xylidine, 2,6-xylidine, 3,4-xylidine, and 3,5-xylidine. O-chloroaniline, m-chloroaniline, p-chloroaniline, o-bromoaniline, m-bromoaniline, p-bromoaniline, o-nitroaniline, p-nitroaniline, m-nitroaniline, o-aminophenol P-aminophenol, m-aminophenol, o-anisidine, m-anisidine, p-anisidine, o-phenetidine, m-phenetidine, p-phenetidine, o-aminobenzaldehyde, p-aminobenzaldehyde, m-aminobenzaldehyde, o-aminobenzonitrile, p-aminobenzonitrile Lyl, m-aminobenzonitrile, 2-aminobiphenyl, 3-aminobiphenyl, 4-aminobiphenyl, 2-aminophenylphenyl ether, 3-aminophenylphenyl ether, 4-aminophenylphenyl ether, 2-aminobenzophenone, 3 -Aminobenzophenone, 4-aminobenzophenone, 2-aminophenyl phenyl sulfide, 3-aminophenyl phenyl sulfide, 4-aminophenyl phenyl sulfide, 2-aminophenyl phenyl sulfone, 3-aminophenyl phenyl sulfone, 4-aminophenyl phenyl sulfone , Α-naphthylamine, β-naphthylamine, 1-amino-2-naphthol, 5-amino-1-naphthol, 2-amino-1-naphthol, 4-amino-1-naphthol, 5-amino Aromatic monoamines such as 2-naphthol, 7-amino-2-naphthol, 8-amino-1-naphthol, 8-amino-2-naphthol, 1-aminoanthracene, 2-aminoanthracene, 9-aminoanthracene Of these, derivatives of aniline are preferably used. These may be used alone or in combination of two or more.

カルボン酸誘導体からなる末端封止剤としては、主に無水カルボン酸誘導体が挙げられ、無水フタル酸、2,3−ベンゾフェノンジカルボン酸無水物、3,4−ベンゾフェノンジカルボン酸無水物、2,3−ジカルボキシフェニルフェニルエーテル無水物、3,4−ジカルボキシフェニルフェニルエーテル無水物、2,3−ビフェニルジカルボン酸無水物、3,4−ビフェニルジカルボン酸無水物、2,3−ジカルボキシフェニルフェニルスルホン無水物、3,4−ジカルボキシフェニルフェニルスルホン無水物、2,3−ジカルボキシフェニルフェニルスルフィド無水物、3,4−ジカルボキシフェニルフェニルスルフィド無水物、1,2−ナフタレンジカルボン酸無水物、2,3−ナフタレンジカルボン酸無水物、1,8−ナフタレンジカルボン酸無水物、1,2−アントラセンジカルボン酸無水物、2,3−アントラセンジカルボン酸無水物、1,9−アントラセンジカルボン酸無水物などの芳香族ジカルボン酸無水物が挙げられる。これらの芳香族ジカルボン酸無水物の中で、好ましくは無水フタル酸が使用される。これらは単独でも、2種以上を混合して用いることもできる。   Examples of the terminal blocking agent comprising a carboxylic acid derivative include carboxylic anhydride derivatives, such as phthalic anhydride, 2,3-benzophenone dicarboxylic anhydride, 3,4-benzophenone dicarboxylic anhydride, 2,3- Dicarboxyphenyl phenyl ether anhydride, 3,4-dicarboxyphenyl phenyl ether anhydride, 2,3-biphenyl dicarboxylic acid anhydride, 3,4-biphenyl dicarboxylic acid anhydride, 2,3-dicarboxyphenyl phenyl sulfone anhydride 3,4-dicarboxyphenyl phenyl sulfone anhydride, 2,3-dicarboxyphenyl phenyl sulfide anhydride, 3,4-dicarboxyphenyl phenyl sulfide anhydride, 1,2-naphthalenedicarboxylic acid anhydride, 2, 3-Naphthalenedicarboxylic anhydride, 1,8-naphthalene Carboxylic acid anhydride, 1,2-anthracene dicarboxylic acid anhydride, 2,3-anthracene dicarboxylic acid anhydride, 1,9-aromatic dicarboxylic acid anhydrides such as anthracene dicarboxylic acid anhydride. Of these aromatic dicarboxylic acid anhydrides, phthalic anhydride is preferably used. These may be used alone or in combination of two or more.

ポリイミド前駆体は、主鎖中のポリアミド酸構造以外に、カルボキシル基、芳香族性水酸基、スルホン酸基からなる群から選ばれた官能基を有することも好ましい。このようなポリイミド前駆体は、例えば、カルボキシル基、芳香族性水酸基、スルホン酸基を有するジアミンを共重合させても良いし、ジアミン末端のポリイミド前駆体と分子構造中にカルボキシル基、芳香族性水酸基、スルホン酸基を有する酸無水物と反応させることによっても、酸無水物末端のポリイミド前駆体とカルボキシル基、芳香族性水酸基、スルホン酸基を有するアミン化合物を反応させることによっても、得ることができる。   In addition to the polyamic acid structure in the main chain, the polyimide precursor preferably has a functional group selected from the group consisting of a carboxyl group, an aromatic hydroxyl group, and a sulfonic acid group. Such a polyimide precursor may be copolymerized with, for example, a diamine having a carboxyl group, an aromatic hydroxyl group, or a sulfonic acid group, or a carboxyl group or aromaticity in the molecular structure with the diamine-terminated polyimide precursor. It can also be obtained by reacting with an acid anhydride having a hydroxyl group or a sulfonic acid group, or by reacting an acid anhydride terminal polyimide precursor with an amine compound having a carboxyl group, an aromatic hydroxyl group or a sulfonic acid group. Can do.

分子構造中にカルボキシル基、芳香族性水酸基、スルホン酸基を有するアミン化合物としては、2−アミノ安息香酸、3−アミノ安息香酸、4−アミノ安息香酸などが挙げられる。   Examples of the amine compound having a carboxyl group, an aromatic hydroxyl group, or a sulfonic acid group in the molecular structure include 2-aminobenzoic acid, 3-aminobenzoic acid, and 4-aminobenzoic acid.

分子構造中にカルボキシル基、芳香族性水酸基、スルホン酸基を有する酸無水物としては、トリメリット酸無水物などのカルボキシル基含有酸無水物、などが挙げられる。   Examples of the acid anhydride having a carboxyl group, an aromatic hydroxyl group, or a sulfonic acid group in the molecular structure include carboxyl group-containing acid anhydrides such as trimellitic acid anhydride.

ポリマー主鎖末端に、カルボキシル基、芳香族性水酸基、スルホン酸基から選ばれる官能基に由来する部位の導入率については、現像性を向上させるため、得られる樹脂層の柔軟性を損なわない範囲で決定する。好ましくは、0.5mol%以上、10mol%以下である。   As for the introduction rate of the site derived from the functional group selected from a carboxyl group, an aromatic hydroxyl group, and a sulfonic acid group at the end of the polymer main chain, in order to improve developability, the range that does not impair the flexibility of the resulting resin layer To decide. Preferably, it is 0.5 mol% or more and 10 mol% or less.

またアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解性を制御する目的のため、溶解抑止剤を含んでもよい。本発明において溶解抑止剤とは、カルボキシル基を含有するアルカリ可溶性樹脂のカルボキシル基と水素結合する化合物をいう。アルカリ可溶性樹脂のカルボキシル基が溶解抑止剤と水素結合することでアルカリ液から遮蔽され、溶解を制御することが可能となる。   Further, for the purpose of controlling the alkali solubility of the alkali-soluble resin, a dissolution inhibitor may be included. In the present invention, the dissolution inhibitor refers to a compound that hydrogen bonds with a carboxyl group of an alkali-soluble resin containing a carboxyl group. When the carboxyl group of the alkali-soluble resin is hydrogen-bonded with the dissolution inhibitor, it is shielded from the alkaline liquid and the dissolution can be controlled.

カルボキシル基と水素結合する基を有する化合物としては、カルボン酸化合物、カルボン酸エステル化合物、アミド化合物、ウレア化合物などが挙げられる。アルカリ水溶液への溶解抑止効果及び保存安定性の観点より、アミド化合物、ウレア化合物が好ましい。   Examples of the compound having a group capable of hydrogen bonding with a carboxyl group include a carboxylic acid compound, a carboxylic acid ester compound, an amide compound, and a urea compound. An amide compound and a urea compound are preferable from the viewpoint of the effect of inhibiting dissolution in an alkaline aqueous solution and storage stability.

アミド化合物としては、例えば、N,N−ジエチルアセトアミド、N,N−ジイソプロピルホルムアミド、N,N−ジメチルブチルアミド、N,N−ジブチルアセトアミド、N,N−ジプロピルアセトアミド、N,N−ジブチルホルムアミド、N,N−ジエチルプロピオンアミド、N,N−ジメチルプロピオンアミド、N,N’−ジメトキシ−N,N’−ジメチロキサミド、N−メチル−ε−カプロラクタム、4−ヒドロキシフェニルベンズアミド、サリチルアミド、サリチルアニリド、アセトアニリド、2’−ヒドロキシフェニルアセトアニリド、3’−ヒドロキシフェニルアセトアニリド、4’−ヒドロキシフェニルアセトアニリドが挙げられる。   Examples of the amide compound include N, N-diethylacetamide, N, N-diisopropylformamide, N, N-dimethylbutyramide, N, N-dibutylacetamide, N, N-dipropylacetamide, N, N-dibutylformamide. N, N-diethylpropionamide, N, N-dimethylpropionamide, N, N′-dimethoxy-N, N′-dimethyloxamide, N-methyl-ε-caprolactam, 4-hydroxyphenylbenzamide, salicylamide, salicylanilide , Acetanilide, 2′-hydroxyphenylacetanilide, 3′-hydroxyphenylacetanilide, 4′-hydroxyphenylacetanilide.

中でも、加熱硬化後の絶縁層の低Tg化の観点より、芳香族水酸基を含有するアミド化合物がより好ましい。具体的には、4−ヒドロキシフェニルベンズアミド、3’−ヒドロキシフェニルアセトアニリド、4’−ヒドロキシフェニルアセトアニリドが挙げられる。これらは単独でも2種以上組み合わせて使用してもよい。   Among these, from the viewpoint of lowering the Tg of the insulating layer after heat curing, an amide compound containing an aromatic hydroxyl group is more preferable. Specific examples include 4-hydroxyphenylbenzamide, 3'-hydroxyphenylacetanilide, and 4'-hydroxyphenylacetanilide. These may be used alone or in combination of two or more.

ウレア化合物としては、例えば、1,3−ジメチルウレア、テトラメチルウレア、テトラエチルウレア、1,3−ジフェニルウレア、3−ヒドロキシフェニルウレアが挙げられる。中でも、加熱硬化後の絶縁層の低Tg化の観点より、芳香族水酸基を含有するウレア化合物がより好ましい。具体的には3−ヒドロキシフェニルウレアが挙げられる。これらは単独でも2種以上組み合わせて使用してもよい。   Examples of the urea compound include 1,3-dimethylurea, tetramethylurea, tetraethylurea, 1,3-diphenylurea, and 3-hydroxyphenylurea. Among these, from the viewpoint of lowering the Tg of the insulating layer after heat curing, a urea compound containing an aromatic hydroxyl group is more preferable. Specific examples include 3-hydroxyphenylurea. These may be used alone or in combination of two or more.

溶解抑止剤は、アミド化合物を用いる場合、アルカリ可溶性樹脂のカルボン酸1molに対して、溶解抑止効果発現の点から0.1mol〜1.5mol以下を配合することが好ましく、0.15mol〜1.0mol配合することがより好ましい。   In the case of using an amide compound, the dissolution inhibitor is preferably blended in an amount of 0.1 mol to 1.5 mol or less from the viewpoint of the dissolution inhibition effect with respect to 1 mol of the carboxylic acid of the alkali-soluble resin. It is more preferable to add 0 mol.

溶解抑止剤は、ウレア化合物を用いる場合、アルカリ可溶性樹脂のカルボキシル基1molに対して、溶解抑止効果発現の点から0.1mol〜1.5mol以下が好ましい。溶解抑止効果発現及びアルカリ現像後のキュアで得られるポリイミドの機械物性の観点から、0.15mol〜0.5mol配合することがより好ましい。   When a urea compound is used, the dissolution inhibitor is preferably 0.1 mol to 1.5 mol or less from the viewpoint of the dissolution inhibition effect with respect to 1 mol of the carboxyl group of the alkali-soluble resin. From the viewpoint of the dissolution inhibiting effect and the mechanical properties of the polyimide obtained by curing after alkali development, it is more preferable to add 0.15 mol to 0.5 mol.

また、アミド化合物とウレア化合物との両方を用いる場合には、アミド化合物とウレア化合物の総量が、溶解抑止効果の観点から、アルカリ可溶性樹脂のカルボン酸1molに対して、0.1mol〜1.5molの範囲が好ましい。   Moreover, when using both an amide compound and a urea compound, the total amount of an amide compound and a urea compound is 0.1 mol-1.5 mol with respect to 1 mol of carboxylic acids of alkali-soluble resin from a viewpoint of a dissolution inhibitory effect. The range of is preferable.

また、アルカリ可溶性樹脂組成物による樹脂層難燃性の点からリン化合物を含有することが好ましい。リン化合物は、構造中にリン原子を含む化合物であれば限定されない。このような化合物として、リン酸エステル化合物、ホスファゼン化合物などが挙げられる。   Moreover, it is preferable to contain a phosphorus compound from the point of the resin layer flame retardance by an alkali-soluble resin composition. A phosphorus compound will not be limited if it is a compound which contains a phosphorus atom in a structure. Examples of such compounds include phosphate ester compounds and phosphazene compounds.

リン酸エステル化合物としては、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリイソブチルホスフェート、トリス(2−エチルヘキシル)ホスフェートなどの脂肪族炭化水素基を置換基とするリン酸エステル、トリス(ブトキシエチル)ホスフェート(以下、TBXPと略称する)などの酸素原子を含む脂肪族有機基を置換基とするリン酸エステル、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリキシレニルホスフェート、レゾルシノールビス(ジフェニルホスフェート)などの芳香族有機基を置換基とするリン酸エステル化合物などが挙げられる。これらの中で、現像性の観点からTBXP、トリイソブチルホスフェートが好ましい。   Examples of the phosphoric acid ester compound include trimethyl phosphate, triethyl phosphate, tributyl phosphate, triisobutyl phosphate, tris (2-ethylhexyl) phosphate, phosphate ester having tris (2-ethylhexyl) phosphate as a substituent, tris (butoxyethyl) phosphate ( Aromatics such as phosphate esters, triphenyl phosphates, tricresyl phosphates, trixylenyl phosphates, resorcinol bis (diphenyl phosphates) substituted with aliphatic organic groups containing oxygen atoms such as TBXP) Examples thereof include phosphate ester compounds having an organic group as a substituent. Among these, TBXP and triisobutyl phosphate are preferable from the viewpoint of developability.

ホスファゼン化合物としては、下記一般式(6)、下記一般式(7)で表される構造などが挙げられる。   Examples of the phosphazene compound include structures represented by the following general formula (6) and the following general formula (7).

Figure 2011228493
(上記一般式(6)及び上記一般式(7)で表されるホスファゼン化合物におけるR17、R18、R19、及びR20としては、炭素数1〜炭素数20の有機基であれば限定されない。炭素数1以上であれば、難燃性が発現する傾向にあるため好ましい。炭素数20以下であれば、ポリイミド前駆体と相溶する傾向にあるため好ましい。この中で、難燃性発現の観点から、炭素数6以上炭素数18以下の芳香族性化合物に由来する官能基が特に好ましい。)
Figure 2011228493
(R 17 , R 18 , R 19 , and R 20 in the phosphazene compound represented by the general formula (6) and the general formula (7) are limited as long as they are organic groups having 1 to 20 carbon atoms. If it has 1 or more carbon atoms, it is preferable because flame retardancy tends to be exhibited, and if it has 20 or less carbon atoms, it is preferable because it tends to be compatible with the polyimide precursor. From the viewpoint of expression, a functional group derived from an aromatic compound having 6 to 18 carbon atoms is particularly preferable.)

このような官能基として、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2−ヒドロキシフェニル基、3−ヒドロキシフェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、2−シアノフェニル基、3−シアノフェニル基、4−シアノフェニル基などのフェニル基を有する官能基、1−ナフチル基、2−ナフチル基などのナフチル基を有する官能基、ピリジン、イミダゾール、トリアゾール、テトラゾールなどの含窒素複素環化合物に由来する官能基、などが挙げられる。これらの化合物は、必要に応じて1種類でも2種類以上の組み合わせで用いても良い。この中で、入手の容易さからフェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、4−シアノフェニル基、を有する化合物が好ましい。   As such a functional group, phenyl group, 2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, 2-hydroxyphenyl group, 3-hydroxyphenyl group, 4-hydroxyphenyl group, 2-cyanophenyl Group, functional group having a phenyl group such as 3-cyanophenyl group and 4-cyanophenyl group, functional group having a naphthyl group such as 1-naphthyl group and 2-naphthyl group, pyridine, imidazole, triazole, tetrazole and the like. And functional groups derived from nitrogen heterocyclic compounds. These compounds may be used alone or in combination of two or more as required. Among these, a compound having a phenyl group, a 4-hydroxyphenyl group, and a 4-cyanophenyl group is preferable because of availability.

上記一般式(6)で表されるホスファゼン化合物におけるXは、3以上25以下の整数であれば限定されない。Xが3以上であれば、難燃性を発現し、25以下であれば、有機溶剤に対する溶解性が高い。この中で特に、入手の容易さからXは3以上10以下であることが好ましい。   X in the phosphazene compound represented by the general formula (6) is not limited as long as it is an integer of 3 or more and 25 or less. When X is 3 or more, flame retardancy is exhibited, and when it is 25 or less, solubility in an organic solvent is high. Among these, X is preferably 3 or more and 10 or less because of availability.

上記一般式(7)で表されるホスファゼン化合物におけるYは、3以上10000以下の整数であれば限定されない。Yが3以上であれば、難燃性を発現し、10000以下であれば、有機溶剤に対する溶解性が高い。この中で特に、入手の容易さからYは3以上100以下が好ましい。   Y in the phosphazene compound represented by the general formula (7) is not limited as long as it is an integer of 3 or more and 10,000 or less. If Y is 3 or more, flame retardancy is exhibited, and if it is 10,000 or less, the solubility in organic solvents is high. Among these, Y is preferably 3 or more and 100 or less because of availability.

上記一般式(7)で表されるホスファゼン化合物におけるA及びBは、炭素数3以上炭素数30以下の有機基であれば限定されない。この中で、Aは−N=P(OC、−N=P(OC(OCOH)、−N=P(OC)(OCOH)、−N=P(OCOH)、−N=P(O)OC、−N=P(O)(OCOH)が好ましい。Bは−P(OC、−P(OC(OCOH)、−P(OC(OCOH)、−P(OC)(OCOH)、−P(OCOH)、−P(O)(OC、−P(O)(OCOH)、−P(O)(OC)(OCOH)などが好ましい。リン化合物は、1種類でも2種類以上の組み合わせで用いても良い。 A and B in the phosphazene compound represented by the general formula (7) are not limited as long as they are organic groups having 3 to 30 carbon atoms. In this, A is -N = P (OC 6 H 5 ) 3, -N = P (OC 6 H 5) 2 (OC 6 H 4 OH), - N = P (OC 6 H 5) (OC 6 H 4 OH) 2, -N = P (OC 6 H 4 OH) 3, -N = P (O) OC 6 H 5, -N = P (O) (OC 6 H 4 OH) are preferred. B is -P (OC 6 H 5) 4 , -P (OC 6 H 5) 3 (OC 6 H 4 OH), - P (OC 6 H 5) 2 (OC 6 H 4 OH) 2, -P ( OC 6 H 5) (OC 6 H 4 OH) 3, -P (OC 6 H 4 OH) 4, -P (O) (OC 6 H 5) 2, -P (O) (OC 6 H 4 OH) 2, such as -P (O) (OC 6 H 5) (OC 6 H 4 OH) are preferred. A phosphorus compound may be used alone or in combination of two or more.

リン化合物の添加量は、ポリイミド前駆体100質量部に対し、感光性などの観点から、50質量部以下が好ましい。硬化体の難燃性の観点から、45質量部以下が好ましく、40質量部以下がより好ましい。   The addition amount of the phosphorus compound is preferably 50 parts by mass or less from the viewpoint of photosensitivity with respect to 100 parts by mass of the polyimide precursor. From the viewpoint of flame retardancy of the cured product, 45 parts by mass or less is preferable, and 40 parts by mass or less is more preferable.

アルカリ溶解性樹脂組成物には、必要に応じてポリイミド前駆体、リン化合物などが均一に溶解及び/又は分散しうる溶媒を含むことができる。溶媒としては、上述のポリイミド前駆体の合成に用いる溶媒を使用することができる。   The alkali-soluble resin composition may contain a solvent in which a polyimide precursor, a phosphorus compound, and the like can be uniformly dissolved and / or dispersed as necessary. As a solvent, the solvent used for the synthesis | combination of the above-mentioned polyimide precursor can be used.

ポリイミド前駆体を含有するアルカリ可溶性樹脂組成物を構成する溶媒は、ポリイミド前駆体を均一に溶解及び/又は分散させうるものであれば限定されない。このような溶媒として、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテルのような炭素数2〜炭素数9のエーテル化合物;アセトン、メチルエチルケトンのような炭素数2〜炭素数6のケトン化合物;ノルマルペンタン、シクロペンタン、ノルマルヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカリンのような炭素数5〜炭素数10の飽和炭化水素化合物;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリンのような炭素数6〜炭素数10の芳香族炭化水素化合物;酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、安息香酸メチルのような炭素数3〜炭素数9のエステル化合物;クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタンのような炭素数1〜炭素数10の含ハロゲン化合物;アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンのような炭素数2〜炭素数10の含窒素化合物;ジメチルスルホキシドのような含硫黄化合物が挙げられる。これらは必要に応じて1種、あるいは2種以上の混合物であっても良い。特に好ましい溶媒としては、炭素数2〜炭素数9のエーテル化合物、炭素数3〜炭素数9のエステル化合物、炭素数6〜炭素数10の芳香族炭化水素化合物、炭素数2〜炭素数10の含窒素化合物が挙げられる。また、必要に応じて、1種、あるいは2種以上の混合物であっても良い。ポリイミド前駆体の溶解性の観点から、トリエチレングリコールジメチルエーテル、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドが好ましい。   The solvent which comprises the alkali-soluble resin composition containing a polyimide precursor will not be limited if it can melt | dissolve and / or disperse | distribute a polyimide precursor uniformly. Examples of such solvents include C2-C9 ether compounds such as dimethyl ether, diethyl ether, methyl ethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, and triethylene glycol dimethyl ether; acetone, methyl ethyl ketone, and the like. Ketone compounds having 2 to 6 carbon atoms; saturated hydrocarbon compounds having 5 to 10 carbon atoms such as normal pentane, cyclopentane, normal hexane, cyclohexane, methylcyclohexane and decalin; benzene, toluene, xylene, mesitylene, Aromatic hydrocarbon compounds having 6 to 10 carbon atoms such as tetralin; 3 to 3 carbon atoms such as methyl acetate, ethyl acetate, γ-butyrolactone, methyl benzoate 9-prime ester compounds; halogen-containing compounds having 1 to 10 carbon atoms such as chloroform, methylene chloride, and 1,2-dichloroethane; acetonitrile, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl Examples thereof include nitrogen-containing compounds having 2 to 10 carbon atoms such as -2-pyrrolidone; sulfur-containing compounds such as dimethyl sulfoxide. These may be one kind or a mixture of two or more kinds as necessary. Particularly preferable solvents include ether compounds having 2 to 9 carbon atoms, ester compounds having 3 to 9 carbon atoms, aromatic hydrocarbon compounds having 6 to 10 carbon atoms, and 2 to 10 carbon atoms. A nitrogen-containing compound is mentioned. Moreover, 1 type or 2 or more types of mixtures may be sufficient as needed. From the viewpoint of solubility of the polyimide precursor, triethylene glycol dimethyl ether, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylformamide, and N, N-dimethylacetamide are preferable.

ポリイミド前駆体と溶媒とからなるアルカリ可溶性樹脂組成物におけるポリイミド前駆体の濃度は、樹脂成型体が製造される濃度であれば、特に制限されない。作製する樹脂成型体の膜厚の観点からポリイミド前駆体の濃度が1質量%以上、樹脂成型体の膜厚の均一性からポリイミド前駆体の濃度は90質量%以下が好ましい。得られる樹脂層の膜厚の観点から、2質量%以上、80質量%以下がより好ましい。   The density | concentration of the polyimide precursor in the alkali-soluble resin composition which consists of a polyimide precursor and a solvent will not be restrict | limited especially if it is a density | concentration with which a resin molding is manufactured. The concentration of the polyimide precursor is preferably 1% by mass or more from the viewpoint of the film thickness of the resin molded body to be produced, and the concentration of the polyimide precursor is preferably 90% by mass or less from the uniformity of the film thickness of the resin molded body. From the viewpoint of the film thickness of the resulting resin layer, it is more preferably 2% by mass or more and 80% by mass or less.

アルカリ可溶性樹脂組成物には、さらに架橋剤を配合することも好ましい。これにより、キュア時にアルカリ可溶性樹脂の分子量を増加させることが可能となる。架橋剤として、例えば、のジアミン化合物のカーボネート保護基やカルバメート保護基を有するものが好ましい。架橋剤の配合量は、ポリイミド前駆体100質量部に対して、0.1質量部〜10質量部添加することが好ましい。   It is also preferable to add a crosslinking agent to the alkali-soluble resin composition. This makes it possible to increase the molecular weight of the alkali-soluble resin during curing. As the crosslinking agent, for example, a diamine compound having a carbonate protecting group or a carbamate protecting group is preferable. It is preferable to add 0.1 mass part-10 mass parts of compounding quantities of a crosslinking agent with respect to 100 mass parts of polyimide precursors.

アルカリ可溶性樹脂組成物には、その性能に悪影響を及ぼさない範囲でその他化合物を含むことが出来る。具体的には、密着性向上のための複素環化合物などが挙げられる。複素環化合物とはヘテロ原子を含む環式化合物であれば限定されない。ここで、ヘテロ原子には、酸素、硫黄、窒素、リンが挙げられる。   The alkali-soluble resin composition can contain other compounds as long as the performance is not adversely affected. Specific examples include heterocyclic compounds for improving adhesion. The heterocyclic compound is not limited as long as it is a cyclic compound containing a hetero atom. Here, examples of the hetero atom include oxygen, sulfur, nitrogen, and phosphorus.

複素環化合物とは、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾールのようなイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾールのようなN−アルキル基置換イミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾールなどの芳香族基含有イミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾールなどのシアノ基含有イミダゾール、イミダゾールシランなどのケイ素含有イミダゾールなどのイミダゾール化合物、5−メチルベンゾトリアゾール、1−(1’、2’−ジカルボキシエチルベンゾトリアゾール)、1−(2−エチルヘキシアミノメチルベンゾトリアゾール)などのトリアゾール化合物、5−フェニルテトラゾールなどのテトラゾール化合物、2−メチル−5−フェニルベンゾオキサゾールなどオキサゾール化合物などが挙げられる。   Heterocyclic compounds include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, imidazole such as 2-phenylimidazole, and N-alkyl group-substituted imidazole such as 1,2-dimethylimidazole. Aromatic group-containing imidazole such as 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1- Cyanoethyl-containing imidazole such as cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, imidazole compounds such as silicon-containing imidazole such as imidazolesilane, 5-methylbenzotriazole, 1- (1 ′, 2′- The And triazole compounds such as 1- (2-ethylhexylaminomethylbenzotriazole), tetrazole compounds such as 5-phenyltetrazole, and oxazole compounds such as 2-methyl-5-phenylbenzoxazole. .

その他化合物の添加量は、ポリイミド前駆体100質量部に対し、0.01質量部以上、30質量部以下であれば限定されない。0.01質量部以上であれば十分に密着性が向上する傾向にあり、30質量部以下であればアルカリ溶解性への悪影響がない。   The addition amount of other compounds is not limited as long as it is 0.01 parts by mass or more and 30 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyimide precursor. If it is 0.01 mass part or more, there exists a tendency for adhesiveness to fully improve, and if it is 30 mass parts or less, there will be no bad influence on alkali solubility.

また、その他の具体的に添加剤としては、密着性向上剤、界面活性剤、酸化防止剤、紫外線防止剤、光安定剤、可塑剤、ワックス類、充填剤、顔料、染料、発泡剤、消泡剤、脱水剤、帯電防止剤、抗菌剤、防カビ剤、レベリング剤、分散剤、エチレン性不飽和化合物などが挙げられる。   Other specific additives include adhesion improvers, surfactants, antioxidants, UV inhibitors, light stabilizers, plasticizers, waxes, fillers, pigments, dyes, foaming agents, extinguishing agents. Examples include foaming agents, dehydrating agents, antistatic agents, antibacterial agents, antifungal agents, leveling agents, dispersants, and ethylenically unsaturated compounds.

本発明に係るアルカリ可溶性樹脂組成物は、上記の成分を常法により混合して調製することができる。具体的には、例えば、撹拌装置及び加熱装置を備えたライカイ機、三本ロール、ボールミル、プラネタリーミキサー等を用いることができる。また、これらの混合装置を適宜2種以上組み合わせて用いてもよい。   The alkali-soluble resin composition according to the present invention can be prepared by mixing the above components by a conventional method. Specifically, for example, a laika machine equipped with a stirring device and a heating device, a three-roll, a ball mill, a planetary mixer, and the like can be used. Moreover, you may use these mixing apparatuses in combination of 2 or more types suitably.

本発明に係るアルカリ可溶性樹脂組成物は、ブラインドビアを有する両面及び多層フレキシブルプリント配線板の製造に適する片面フレキシブル基板に好適に用いることができる。片面フレキシブル基板を製造するという観点からは、アルカリ可溶性樹脂組成物におけるポリイミド前駆体の濃度は、1質量%以上、90質量%以下が好ましい。ポリイミド前駆体の濃度は、片面フレキシブル基板の膜厚の観点から1質量%以上が好ましく、アルカリ可溶性樹脂組成物の粘度、膜厚の均一性の観点から90質量%以下が好ましい。得られる片面フレキシブル基板の膜厚の観点から、2質量%以上、80質量%以下がより好ましい。   The alkali-soluble resin composition according to the present invention can be suitably used for a single-sided flexible substrate suitable for manufacturing double-sided and multilayer flexible printed wiring boards having blind vias. From the viewpoint of producing a single-sided flexible substrate, the concentration of the polyimide precursor in the alkali-soluble resin composition is preferably 1% by mass or more and 90% by mass or less. The concentration of the polyimide precursor is preferably 1% by mass or more from the viewpoint of the film thickness of the single-sided flexible substrate, and preferably 90% by mass or less from the viewpoint of the viscosity of the alkali-soluble resin composition and the uniformity of the film thickness. From the viewpoint of the film thickness of the obtained single-sided flexible substrate, it is more preferably 2% by mass or more and 80% by mass or less.

次に、片面フレキシブル基板の製造方法について説明する。まず、アルカリ可溶性樹脂組成物を基材にコートする。基材としては、ロールツーロールでの連続生産可能な塗工、乾燥設備であれば特に限定されない。このような基材としては、金属フィルム、ガラスクロス、キャリアフィルムなどが挙げられる。連続生産性やハンドリングの点からキャリアフィルムが好ましい。本発明においてキャリアフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルが挙げられる。取扱いの良さや基板圧着後の剥離性の観点から、ポリエチレンテレフタレートフィルムが特に好ましい。   Next, the manufacturing method of a single-sided flexible substrate is demonstrated. First, a base material is coated with an alkali-soluble resin composition. The substrate is not particularly limited as long as it is a coating and drying facility capable of continuous production in roll-to-roll. Examples of such a substrate include a metal film, a glass cloth, and a carrier film. A carrier film is preferable from the viewpoint of continuous productivity and handling. In the present invention, examples of the carrier film include polyethylene terephthalate fill. A polyethylene terephthalate film is particularly preferable from the viewpoint of good handling and peelability after pressure bonding to the substrate.

コート方法としてはバーコート、ローラーコート、ダイコート、ブレードコート、ディップコート、ドクターナイフ、スプレーコート、フローコート、スピンコート、スリットコート、はけ塗り、などが例示できる。コート後、必要に応じてホットプレートなどによりプリベークと呼ばれる加熱処理を行っても良い。   Examples of the coating method include bar coating, roller coating, die coating, blade coating, dip coating, doctor knife, spray coating, flow coating, spin coating, slit coating, and brush coating. After coating, if necessary, heat treatment called pre-baking may be performed with a hot plate or the like.

アルカリ可溶性樹脂組成物を用いる場合は、アルカリ可溶性樹脂組成物の溶液を任意の方法でキャリアフィルムなど任意の基材上に塗布後乾燥し、アルカリ可溶性樹脂組成物層をドライフィルム化した積層体を形成する。この積層体のアルカリ可溶性樹脂組成物層上に、任意の防汚用や保護用のカバーフィルムを少なくとも一層設けても良い。本発明に係る積層体において、カバーフィルムとしては、低密度ポリエチレンなどアルカリ可溶性樹脂組成物を保護するフィルムであれば限定されない。   When using an alkali-soluble resin composition, a solution obtained by applying a solution of the alkali-soluble resin composition on an arbitrary substrate such as a carrier film by an arbitrary method and then drying, and forming a laminate obtained by forming the alkali-soluble resin composition layer into a dry film Form. An optional antifouling or protective cover film may be provided on the alkali-soluble resin composition layer of the laminate. In the laminate according to the present invention, the cover film is not limited as long as it is a film that protects an alkali-soluble resin composition such as low-density polyethylene.

次いで、積層体に導電性基材を加熱圧着し、導電性基材/アルカリ可溶性樹脂層組成物層/キャリアフィルムの3層から構成される片面フレキシブル基板を形成する。このような形成方法としては、本発明のアルカリ可溶性樹脂組成物層から保護用のカバーフィルムを剥離させ、導電性基材と接触させた状態で、熱プレス、熱ラミネート、熱真空プレス、熱真空ラミネート等を行う方法などが挙げられる。この中で、アルカリ可溶性樹脂組成物層との接着性の観点から、熱真空プレス、熱真空ラミネートが好ましい。更に、ロールツーロールによる生産性の観点から、熱真空ラミネートが特に好ましい。導電性基材としては、電解銅箔、圧延銅箔、電着フィルム、導電性ペースト付きフィルム、アルミニウム箔フィルム、ステンレス箔フィルムなどが挙げられる。本発明のおける導電性基材フィルムは、電気伝導性や樹脂層との密着性の観点から電界銅箔が好ましい。   Next, a conductive base material is heat-pressed to the laminate to form a single-sided flexible substrate composed of three layers of conductive base material / alkali-soluble resin layer composition layer / carrier film. As such a forming method, the protective cover film is peeled off from the alkali-soluble resin composition layer of the present invention and in contact with the conductive substrate, hot pressing, thermal laminating, thermal vacuum pressing, thermal vacuum Examples include a method of laminating. Among these, from the viewpoint of adhesiveness with the alkali-soluble resin composition layer, a heat vacuum press and a heat vacuum laminate are preferable. Furthermore, from the viewpoint of productivity by roll-to-roll, thermal vacuum lamination is particularly preferable. Examples of the conductive substrate include electrolytic copper foil, rolled copper foil, electrodeposition film, film with conductive paste, aluminum foil film, and stainless steel foil film. The conductive base film in the present invention is preferably an electric field copper foil from the viewpoint of electrical conductivity and adhesiveness with a resin layer.

アルカリ可溶性樹脂組成物層を接着する際の加熱温度は、導電性基材に密着しうる温度であれば限定されない。導電性基材への密着の観点から、50℃以上、150℃以下が好ましい。より好ましくは、50℃以上、120℃以下である。   The heating temperature at the time of bonding the alkali-soluble resin composition layer is not limited as long as it is a temperature capable of being in close contact with the conductive substrate. From the viewpoint of adhesion to the conductive substrate, 50 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is preferable. More preferably, it is 50 degreeC or more and 120 degrees C or less.

アルカリ可溶性樹脂組成物層が溶解しうるアルカリ溶液であれば限定されない。このような溶液として、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液などが挙げられる。一般的に用いられている製造設備やプロセス条件などの観点から、炭酸ナトリウム水溶液及び水酸化ナトリウム水溶液が好ましい。現像方法としては、スプレー現像、浸漬現像、パドル現像などが挙げられる。   The alkaline solution is not limited as long as the alkali-soluble resin composition layer can be dissolved. Examples of such a solution include a sodium carbonate aqueous solution, a potassium carbonate aqueous solution, a sodium hydroxide aqueous solution, a potassium hydroxide aqueous solution, and a tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. From the viewpoint of generally used production equipment and process conditions, an aqueous sodium carbonate solution and an aqueous sodium hydroxide solution are preferred. Examples of the development method include spray development, immersion development, and paddle development.

次いで、本発明のアルカリ可溶性樹脂層と導電性基材からなる片面フレキシブル基板加熱硬化する。加熱硬化は、溶媒の除去の観点や副反応や分解などの観点から、またポリアミド酸のイミド化の観点から120℃以上、400℃以下の温度で実施することが好ましい。より好ましくは、150℃以上、300℃以下である。   Subsequently, the single-sided flexible substrate comprising the alkali-soluble resin layer of the present invention and a conductive substrate is cured by heating. The heat curing is preferably performed at a temperature of 120 ° C. or higher and 400 ° C. or lower from the viewpoint of solvent removal, side reaction, decomposition, and the like, and from the viewpoint of imidization of the polyamic acid. More preferably, it is 150 degreeC or more and 300 degrees C or less.

加熱硬化における反応雰囲気は、空気雰囲気下でも不活性ガス雰囲気下でも実施可能である。加熱硬化に要する時間は、反応条件によって異なるが、通常は24時間以内であり、特に好適に好ましくは1時間から8時間の範囲で実施される。   The reaction atmosphere in heat curing can be carried out in an air atmosphere or an inert gas atmosphere. Although the time required for heat curing varies depending on the reaction conditions, it is usually within 24 hours, particularly preferably 1 to 8 hours.

本発明におけるアルカリ可溶性樹脂組成物を絶縁層としたフレキシブルプリント配線板の製造方法においては、フレキシブル配線板の層間接続のためのブラインドビア形成工程で、従来のレーザー加工ではなく、アルカリ可溶性樹脂組成物を含む層間接着剤としての樹脂層を用いることにより、フレキシブルプリント配線板の製造工程で一般的に使用されているアルカリ液スプレー装置等を用いて、容易にブラインドビアを形成できる。このため、ブラインドビア形成コストを大幅に削減でき、またロールツーロール生産が容易にでき、大幅な生産リードタイム短縮ができる両面フレキシブル配線板や多層フレキシブル配線板の製造方法を実現できる。   In the method for producing a flexible printed wiring board using the alkali-soluble resin composition as an insulating layer in the present invention, the alkali-soluble resin composition is used in the blind via forming step for interlayer connection of the flexible wiring board instead of the conventional laser processing. By using a resin layer as an interlayer adhesive containing, a blind via can be easily formed using an alkaline liquid spray device or the like generally used in the manufacturing process of a flexible printed wiring board. For this reason, the manufacturing method of the double-sided flexible wiring board and multilayer flexible wiring board which can reduce a blind via formation cost significantly, can perform roll-to-roll production easily, and can reduce a production lead time significantly is realizable.

(実施例)
以下、本発明の効果を明確にするために行った実施例により具体的に説明するが、本発明は、これらの例によって何ら限定されるものではない。
(Example)
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples made to clarify the effects of the present invention, but the present invention is not limited to these examples.

〔アルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解試験〕
アルカリ可溶性樹脂の溶解特性の評価は以下の手順により実施した。真空吸着及び加熱できる塗工台(マツキ科学社製)上にポリエステルフィルム(R−310−25/三菱ポリエステル社製)を敷き、真空吸着させることでポリエステルフィルムを貼り付けた。ポリエステルフィルム上にギャップが250μmのアプリケーター(マツキ科学社製)を用いて、アルカリ可溶性樹脂を塗布した。その後、乾燥機(SPH−201/エスペック社製)で95℃、30分の条件で脱溶剤を行った。
[Alkali dissolution test of alkali-soluble resin]
Evaluation of the solubility characteristics of the alkali-soluble resin was carried out according to the following procedure. A polyester film (R-310-25 / Mitsubishi Polyester Co., Ltd.) was laid on a coating table (Matsuki Kagaku Co., Ltd.) that can be vacuum-adsorbed and heated, and the polyester film was attached by vacuum adsorption. The alkali-soluble resin was applied onto the polyester film using an applicator (manufactured by Matsuki Kagaku) with a gap of 250 μm. Thereafter, the solvent was removed with a dryer (SPH-201 / Espec Corp.) at 95 ° C. for 30 minutes.

得られたフィルムの樹脂層側に電解銅箔(F1−WS/古河サーキットフォイル社製)の粗面側に重ねて、真空プレス(テスター産業社製)を用い90℃、0.5MPaの条件で1分加圧接着させた。更に、ドライフィルムレジスト(DFR)(サンフォートAQ2578 旭化成イーマテリアルズ社製)を電解銅箔側にラミネートし、500μmφの円孔パターンを形成した後、塩化第二鉄エッチング液で円孔形成部の銅箔をエッチング除去した。   The obtained film is overlaid on the resin layer side of the electrolytic copper foil (F1-WS / Furukawa Circuit Foil Co., Ltd.) on the rough surface side, using a vacuum press (Tester Sangyo Co., Ltd.) at 90 ° C. and 0.5 MPa. Pressure bonding was performed for 1 minute. Furthermore, after laminating a dry film resist (DFR) (Sanfort AQ2578, manufactured by Asahi Kasei E-Materials Co., Ltd.) on the electrolytic copper foil side to form a 500 μmφ circular hole pattern, The copper foil was removed by etching.

その後、50℃に加温した3wt%の水酸化ナトリウム水溶液を圧力0.18MPaでスプレーし、フィルムが完全に溶けるまでに要した時間を溶解時間とし、アルカリ可溶性樹脂の水酸化ナトリウム水溶液に対する溶解速度を、溶解前の膜厚(μm)を溶解時間(sec)で除し、100を掛けることで算出した。   Thereafter, a 3 wt% sodium hydroxide aqueous solution heated to 50 ° C. is sprayed at a pressure of 0.18 MPa, and the dissolution time is defined as the time required for the film to be completely dissolved. Was calculated by dividing the film thickness (μm) before dissolution by the dissolution time (sec) and multiplying by 100.

〔弾性率〕
アルカリ可溶性樹脂組成物を用いて約30μmの膜厚になるように銅箔上に成膜した。続いて120℃で1時間、180℃で1時間熱処理し、その後塩化第二鉄水溶液で銅箔部分を溶解させ、水道水で水洗後、室温で1日乾燥させてフィルムを得た。得られたフィルムを5mm×100mmに切り出し、試験片とした。得られた試験片を引っ張り試験機(RTG−1210/エー・アンド・デイ社製)にて測定した。
[Elastic modulus]
It formed into a film on copper foil so that it might become a film thickness of about 30 micrometers using an alkali-soluble resin composition. Then, it heat-processed at 120 degreeC for 1 hour, and 180 degreeC for 1 hour, Then, the copper foil part was dissolved with the ferric chloride aqueous solution, and it was made to dry at room temperature after washing with tap water, and the film was obtained. The obtained film was cut out into 5 mm x 100 mm, and it was set as the test piece. The obtained test piece was measured with a tensile tester (RTG-1210 / A & D).

〔ガラス転移点温度〕
アルカリ可溶性樹脂組成物を用いて約30μmの膜厚になるように銅箔上に成膜した。続いて120℃で1時間、180℃で1時間熱処理し、その後塩化第二鉄水溶液で銅箔部分を溶解させ、水道水で水洗後、室温で1日乾燥させてフィルムを得た。得られたフィルムを3mm×50mmに切り出し、試験片とした。得られた試験片をTMA試験機(EXSTAR6000/セイコーインスツルメント社製)にて測定した。
[Glass transition temperature]
It formed into a film on copper foil so that it might become a film thickness of about 30 micrometers using an alkali-soluble resin composition. Then, it heat-processed at 120 degreeC for 1 hour, and 180 degreeC for 1 hour, Then, the copper foil part was dissolved with the ferric chloride aqueous solution, and it was made to dry at room temperature after washing with tap water, and the film was obtained. The obtained film was cut into 3 mm x 50 mm, and it was set as the test piece. The obtained test piece was measured with a TMA tester (EXSTAR6000 / manufactured by Seiko Instruments Inc.).

〔試薬〕
試薬として、シリコーンジアミン(KF−8010)(信越化学工業社製)、エチレングリコール−ビス−無水トリメリット酸エステル(TMEG)(新日本理化社製)、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン(APB−N)(三井化学社製)、トリス(ブトキシエチル)ホスフェート(TBXP)(大八化学社製)、ホスファゼン化合物(FP−100)(伏見製薬所社製)、トルエン(和光純薬工業社製、有機合成用)、γ―ブチロラクトン(和光純薬工業社製)、トリエチレングリコールジメチルエーテル(和光純薬工業社製)は特別な精製を実施せずに用いた。
〔reagent〕
As reagents, silicone diamine (KF-8010) (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), ethylene glycol-bis-trimellitic anhydride ester (TMEG) (manufactured by Shin Nippon Chemical Co., Ltd.), 1,3-bis (3-aminophenoxy) Benzene (APB-N) (manufactured by Mitsui Chemicals), tris (butoxyethyl) phosphate (TBXP) (manufactured by Daihachi Chemical Co., Ltd.), phosphazene compound (FP-100) (manufactured by Fushimi Pharmaceutical Co., Ltd.), toluene (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) Kogyo Co., Ltd. (for organic synthesis), γ-butyrolactone (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and triethylene glycol dimethyl ether (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were used without any special purification.

〔調製例〕
窒素雰囲気下、セパラブルフラスコに、γ―ブチロラクトン(42.0g)、トリエチレングリコールジメチルエーテル(18.0g)、トルエン(20.0g)、シリコーンジアミン(KF−8010、19.54mmol)、TMEG(40.00mmol)を入れ、ディーンシュタルク装置及び還流器をつけ、180℃で30分間加熱撹拌した。共沸溶媒であるトルエンを除去した後に、25℃まで冷却し、続いてシリコーンジアミン(KF−8010、4.89mmol)、APB−N(15.56mmol)を加え25℃で5時間撹拌した。撹拌後にポリマー固形分濃度30重量%となるようにγ―ブチロラクトン/トリエチレングリコールジメチルエーテルの混合溶媒を加え、ポリイミド前駆体の溶液を得た。更にポリイミド前駆体100質量部に対して、TBXP(10質量部)、FP−100(7質量部)を混合し、アルカリ可溶性樹脂組成物を調整した。電解銅箔と積層後のアルカリ溶解速度は3μm/sec、加温処理後の弾性率は0.25GPa、ガラス転移点温度は58℃であった。
[Preparation Example]
In a separable flask under nitrogen atmosphere, γ-butyrolactone (42.0 g), triethylene glycol dimethyl ether (18.0 g), toluene (20.0 g), silicone diamine (KF-8010, 19.54 mmol), TMEG (40 0.0000 mmol), a Dean-Stark apparatus and a refluxer were attached, and the mixture was heated and stirred at 180 ° C. for 30 minutes. After removing toluene, which is an azeotropic solvent, the mixture was cooled to 25 ° C., silicone diamine (KF-8010, 4.89 mmol) and APB-N (15.56 mmol) were added, and the mixture was stirred at 25 ° C. for 5 hours. After stirring, a mixed solvent of γ-butyrolactone / triethylene glycol dimethyl ether was added so that the polymer solid concentration would be 30% by weight to obtain a polyimide precursor solution. Furthermore, with respect to 100 mass parts of polyimide precursors, TBXP (10 mass parts) and FP-100 (7 mass parts) were mixed to prepare an alkali-soluble resin composition. The alkali dissolution rate after lamination with the electrolytic copper foil was 3 μm / sec, the elastic modulus after the heating treatment was 0.25 GPa, and the glass transition temperature was 58 ° C.

(実施例1)
上記実施の形態に係るフレキシブル配線板の製造方法を用いた両面フレキシブル配線板の実施例について説明する。
Example 1
Examples of the double-sided flexible wiring board using the method for manufacturing a flexible wiring board according to the above embodiment will be described.

調整例のアルカリ可溶性樹脂組成物溶液をポリエステルフィルム上にダイコーターを用いて塗布し、95℃、30分乾燥して、膜厚25μmのフィルムを作成した。この積層フィルムを電解銅箔(厚み12μm、F1−WS/古河サーキットフォイル社製)の粗面側に重ねて真空プレスを用いて90℃、0.5MPaで1分ラミネートして、片面フレキシブル基板を製作した。   The alkali-soluble resin composition solution of the adjustment example was applied on a polyester film using a die coater, and dried at 95 ° C. for 30 minutes to prepare a film having a thickness of 25 μm. This laminated film is laminated on the rough side of an electrolytic copper foil (thickness 12 μm, F1-WS / Furukawa Circuit Foil Co., Ltd.) and laminated at 90 ° C. and 0.5 MPa for 1 minute using a vacuum press to form a single-sided flexible substrate. Produced.

この銅箔上にドライフィルムをラミネートし、露光・現像した後、塩化第二鉄を用いたエッチングにより、所定の位置の銅箔を除去した部位75μmφ円孔のコンフォーマルマスクを形成した。更に銅箔が除去された部位に、3%濃度の水酸化ナトリウム溶液を30秒スプレーして樹脂層を溶解除去して、ブラインドビアを形成した。一般的には銅箔のエッチングと水酸化ナトリウム溶液のスプレーは連続した装置で行なう事ができる。   A dry film was laminated on the copper foil, exposed and developed, and then a conformal mask having a 75 μmφ circular hole was formed by etching using ferric chloride. Further, a 3% sodium hydroxide solution was sprayed for 30 seconds at the site where the copper foil was removed to dissolve and remove the resin layer, thereby forming a blind via. In general, copper foil etching and sodium hydroxide solution spraying can be performed in a continuous apparatus.

次に裏面のポリエステルフィルムを剥離した後、硬化乾燥炉を用いて、180℃で1時間加熱することにより、アルカリ可溶性樹脂組成物を含む樹脂層(接着剤)を硬化させた。   Next, after peeling the polyester film on the back surface, the resin layer (adhesive) containing the alkali-soluble resin composition was cured by heating at 180 ° C. for 1 hour using a curing and drying furnace.

次に真空プレスを用いて別の電解銅箔の粗面側を樹脂層(接着剤)に接する様に重ねて120℃、1.0MPaで1分ラミネートを行い貼り合わせブラインドビアが形成された両面フレキシブル基板を作製した。なお、銅箔との貼り合せは、ラミネーターを使って連続的に行なうこともできる。得られたブラインドビアの壁面や底部には、樹脂残渣が観測されず、ブラインドビア形成は良好であり、デスミア工程は不要であった。   Next, using a vacuum press, the rough surface side of another electrolytic copper foil is laminated so as to be in contact with the resin layer (adhesive) and laminated at 120 ° C. and 1.0 MPa for 1 minute to form a laminated via via. A flexible substrate was produced. In addition, bonding with copper foil can also be performed continuously using a laminator. Resin residue was not observed on the wall surface and bottom of the obtained blind via, the blind via formation was good, and the desmear process was unnecessary.

次に従来の両面フレキシブル配線板と同様のブラインドビアめっきを行った。まず穴内壁の樹脂層に無電解銅めっき、あるいはカーボン微粒子を付着させた後、電解銅めっきを施して両面の電気的接続を完了させた。次に従来の両面フレキシブル配線板と同様の回路形成工程を行った。以降の工程も従来の両面フレキシブル配線板の製造方法と同様にして実施した。   Next, blind via plating similar to the conventional double-sided flexible wiring board was performed. First, after electroless copper plating or carbon fine particles were adhered to the resin layer on the inner wall of the hole, electrolytic copper plating was applied to complete electrical connection on both sides. Next, the same circuit formation process as the conventional double-sided flexible wiring board was performed. Subsequent steps were performed in the same manner as the conventional method for manufacturing a double-sided flexible wiring board.

上述の如く、従来の両面フレキシブル配線板のブラインドビア形成では、レーザー加工機を用いて1穴ずつ加工していたため、多大なコストと時間を必要としていた。本発明では、接着性を有するアルカリ可溶性の樹脂組成物を採用することにより、従来からの銅エッチング装置、アルカリスプレー装置、ラミネーターを用いることができ、低コストかつ短時間でブラインドビアを形成することが可能となった。またロールツーロール生産が容易であることから、以降の工程まで含めたロールツーロールによる連続自動化生産が可能となった。   As described above, in the conventional blind via formation of the double-sided flexible wiring board, since each hole was processed using a laser processing machine, a great deal of cost and time were required. In the present invention, by using an alkali-soluble resin composition having adhesiveness, a conventional copper etching apparatus, alkali spray apparatus, and laminator can be used, and a blind via can be formed at low cost and in a short time. Became possible. In addition, since roll-to-roll production is easy, continuous automated production by roll-to-roll including the subsequent processes has become possible.

(実施例2)
次に上記実施の形態に係るフレキシブル配線板の製造方法を用いた多層フレキシブル配線板の実施例について説明する。
(Example 2)
Next, examples of the multilayer flexible wiring board using the method for manufacturing a flexible wiring board according to the above embodiment will be described.

まず、両面フレキシブル配線板をコア基板として製造する。実施例1により作製された両面フレキシブル配線板をコア基板として用いても良い。並行してアルカリ可溶性樹脂組成物を接着剤として銅箔とラミネートした片面フレキシブル基板を2組用意する。調整例のアルカリ可溶性樹脂組成物溶液をポリエステルフィルム上にダイコーターを用いて塗布し、95℃、30分乾燥して、膜厚25μmのフィルムを作成した。この積層フィルムを電解銅箔(厚み12μm、F1−WS/古河サーキットフォイル社製)の粗面側に重ねて真空プレスを用いて90℃、0.5MPaで1分ラミネートして、片面フレキシブル基板を製作した。   First, a double-sided flexible wiring board is manufactured as a core substrate. You may use the double-sided flexible wiring board produced by Example 1 as a core board | substrate. In parallel, two sets of single-sided flexible substrates laminated with copper foil using an alkali-soluble resin composition as an adhesive are prepared. The alkali-soluble resin composition solution of the adjustment example was applied on a polyester film using a die coater, and dried at 95 ° C. for 30 minutes to prepare a film having a thickness of 25 μm. This laminated film is laminated on the rough side of an electrolytic copper foil (thickness 12 μm, F1-WS / Furukawa Circuit Foil Co., Ltd.) and laminated at 90 ° C. and 0.5 MPa for 1 minute using a vacuum press to form a single-sided flexible substrate. Produced.

この銅箔上にドライフィルムをラミネートし、露光、現像した後、塩化第二鉄エッチングにより、所定の位置の銅箔を除去し、部位に75μmφ円孔のコンフォーマルマスクを形成した。更に銅箔が除去された部位に、3%濃度の水酸化ナトリウム溶液を30秒スプレーし樹脂層を溶解除去して、ブラインドビアを形成した。一般的には銅箔のエッチングと水酸化ナトリウム溶液のスプレーは連続した装置で行なうことができる。   A dry film was laminated on the copper foil, exposed and developed, and then the copper foil at a predetermined position was removed by ferric chloride etching to form a conformal mask having a 75 μmφ circular hole at the site. Further, a 3% sodium hydroxide solution was sprayed for 30 seconds at the site where the copper foil was removed, and the resin layer was dissolved and removed to form a blind via. In general, copper foil etching and sodium hydroxide solution spraying can be performed in a continuous apparatus.

次に裏面のポリエステルフィルムを剥離した後、硬化乾燥炉を用いて、180℃で1時間加熱することにより、アルカリ可溶性樹脂組成物を含む樹脂層(接着剤)を硬化させた。   Next, after peeling the polyester film on the back surface, the resin layer (adhesive) containing the alkali-soluble resin composition was cured by heating at 180 ° C. for 1 hour using a curing and drying furnace.

次にコア基板の上下両面に、ブラインドビアが形成された片面フレキシブル基板をそれぞれ所定の位置に位置あわせして、真空プレスを用いて120℃、1.0MPaで1分ラミネートを行い貼り合わせしてブラインドビアを形成した4層からなる多層フレキシブル基板を作製した。銅箔との貼り合せは、ラミネーターを使って連続的に行なうこともできる。得られたブラインドビアの壁面や底部には、樹脂残渣が観測されず、ブラインドビア形成は良好であり、デスミア工程は不要であった。   Next, the single-sided flexible board on which the blind vias are formed is positioned at predetermined positions on both the upper and lower surfaces of the core board and laminated by using a vacuum press at 120 ° C. and 1.0 MPa for 1 minute. A multilayer flexible substrate consisting of four layers formed with blind vias was produced. Bonding with copper foil can also be performed continuously using a laminator. Resin residue was not observed on the wall surface and bottom of the obtained blind via, the blind via formation was good, and the desmear process was unnecessary.

次に多層フレキシブル配線板と同様のブラインドビアめっきを行った。まず穴内壁の樹脂層に無電解銅めっき、あるいはカーボン微粒子を付着させた後、電解銅めっきを施して両面の電気的接続を完了させた。次に従来の多層フレキシブル配線板と同様の回路形成工程を行った。以降の工程も従来のフレキシブル配線板の製造方法と同様にして実施した。   Next, blind via plating similar to that for the multilayer flexible wiring board was performed. First, after electroless copper plating or carbon fine particles were adhered to the resin layer on the inner wall of the hole, electrolytic copper plating was applied to complete electrical connection on both sides. Next, the same circuit formation process as the conventional multilayer flexible wiring board was performed. The subsequent steps were performed in the same manner as the conventional method for manufacturing a flexible wiring board.

上述の如く、従来の多層フレキシブル配線板のブラインドビア形成は、レーザー加工機を用いて、1穴ずつ加工していたため、多大なコストと時間を必要としていた。本発明では、接着性を有するアルカリ可溶性の樹脂組成物を採用することにより、従来から銅エッチング装置、アルカリスプレー装置、ラミネーターを用いることができ、低コストかつ短時間で、また両面同時にブラインドビアを形成することが可能となった。   As described above, the conventional blind via formation of the multilayer flexible wiring board has been processed one hole at a time using a laser processing machine, and therefore requires a great deal of cost and time. In the present invention, by using an alkali-soluble resin composition having adhesiveness, a copper etching apparatus, an alkali spray apparatus, and a laminator can be used conventionally, and a blind via can be simultaneously formed at low cost and in a short time. It became possible to form.

(実施例3)
次に、上記実施の形態に係るフレキシブル配線板の製造方法を用いたフレキシブル部を有する多層フレキシブル配線板の実施例について説明する。
(Example 3)
Next, an example of a multilayer flexible wiring board having a flexible part using the method for manufacturing a flexible wiring board according to the above embodiment will be described.

まず、両面フレキシブル配線板をコア基板として製作する。実施例1による両面フレキシブル配線板をコア基板として用いても良い。並行してアルカリ可溶性樹脂組成物を接着剤として銅箔とラミネートした片面フレキシブル基板を2種類用意する。調整例のアルカリ可溶性樹脂組成物溶液をポリエステルフィルム上にダイコーターを用いて塗布し、95℃、30分乾燥して、膜厚25μmのフィルムを作成した。この積層フィルムを電解銅箔(厚み12μm、F1−WS/古河サーキットフォイル社製)の粗面側に重ねて真空プレスを用いて90℃、0.5MPaで1分ラミネートして、片面フレキシブル基板を製作した。   First, a double-sided flexible wiring board is manufactured as a core substrate. You may use the double-sided flexible wiring board by Example 1 as a core board | substrate. In parallel, two types of single-sided flexible substrates prepared by laminating copper foil with an alkali-soluble resin composition as an adhesive are prepared. The alkali-soluble resin composition solution of the adjustment example was applied on a polyester film using a die coater, and dried at 95 ° C. for 30 minutes to prepare a film having a thickness of 25 μm. This laminated film is laminated on the rough side of an electrolytic copper foil (thickness 12 μm, F1-WS / Furukawa Circuit Foil Co., Ltd.) and laminated at 90 ° C. and 0.5 MPa for 1 minute using a vacuum press to form a single-sided flexible substrate. Produced.

この銅箔上にドライフィルムをラミネートし、露光、現像した後、塩化第二鉄エッチングにより、所定の位置の銅箔を除去し、部位に75μmφ円孔のコンフォーマルマスクを形成した。同時に外層基板をはがす必要があるフレキシブル部についても銅箔をエッチング除去した。   A dry film was laminated on the copper foil, exposed and developed, and then the copper foil at a predetermined position was removed by ferric chloride etching to form a conformal mask having a 75 μmφ circular hole at the site. At the same time, the copper foil was also removed by etching for the flexible portion where the outer layer substrate had to be peeled off.

次いで銅箔が除去された部位に3%濃度の水酸化ナトリウム溶液を30秒スプレーし、樹脂層を溶解除去してブラインドビアを形成する共に外層基板のはがす必要のある樹脂層部位も同時に溶解除去した。一般的には銅箔のエッチングと水酸化ナトリウム溶液のスプレーは連続した装置で行なうことができる。   Next, spray 3% sodium hydroxide solution for 30 seconds on the part where the copper foil has been removed, dissolve and remove the resin layer to form a blind via, and simultaneously dissolve and remove the resin layer part that needs to be peeled off the outer substrate. did. In general, copper foil etching and sodium hydroxide solution spraying can be performed in a continuous apparatus.

次に裏面のポリエステルフィルムを剥離した後、硬化乾燥炉を用いて、180℃で1時間加熱することにより、アルカリ可溶性樹脂組成物からなる接着剤を硬化させた。   Next, after peeling the polyester film on the back, the adhesive made of the alkali-soluble resin composition was cured by heating at 180 ° C. for 1 hour using a curing and drying furnace.

次にコア基板の上下両面に、ブラインドビアが形成された片面フレキシブル基板を、それぞれ所定の位置に位置あわせして、真空プレスを用いて120℃、1.0MPaで1分ラミネートを行い貼り合わせしてブラインドビアを形成した両面フレキシブル基板を作製した。   Next, single-sided flexible substrates with blind vias formed on the upper and lower surfaces of the core substrate are respectively aligned at predetermined positions, and laminated using a vacuum press at 120 ° C. and 1.0 MPa for 1 minute. A double-sided flexible substrate with blind vias was prepared.

この結果、回路形成済みのコア基板と片面フレキシブル基板の間でブラインドビアが形成される。また外層はがし部は、外層樹脂層がくり抜かれた状態でコア基板に積層される。   As a result, a blind via is formed between the core substrate on which the circuit has been formed and the single-sided flexible substrate. The outer layer peeling portion is laminated on the core substrate with the outer resin layer cut out.

次に多層フレキシブル配線板と同様のブラインドビアめっきを行った。この工程では、外層はがし部に、ブラインドビアめっき付着を防ぐために、めっきマスクを施す。このため、この部分にドライフィルムを積層するが、これによりめっき付着を防ぐともに、この後の工程において基材の補強を果すことができる。その後、穴内壁の樹脂層に無電解銅めっき、あるいはカーボン微粒子を付着させた後、電解銅めっきを施して両面の電気的接続を完了させた。次に従来の多層フレキシブル配線板と同様の回路形成工程を行うが、この時、外層くり抜き部は、上述のドライフィルムにより保護された状態で行なわれる。以降の工程も従来のフレキシブル配線板の製造方法と同様にして実施した。   Next, blind via plating similar to that for the multilayer flexible wiring board was performed. In this step, a plating mask is applied to the peeling portion of the outer layer in order to prevent blind via plating adhesion. For this reason, although a dry film is laminated | stacked on this part, while preventing plating adhesion by this, the reinforcement | strengthening of a base material can be achieved in a subsequent process. Then, after electroless copper plating or carbon fine particles were adhered to the resin layer on the inner wall of the hole, electrolytic copper plating was performed to complete the electrical connection on both sides. Next, a circuit forming process similar to that of the conventional multilayer flexible wiring board is performed. At this time, the outer layer cut-out portion is performed in a state protected by the above-described dry film. The subsequent steps were performed in the same manner as the conventional method for manufacturing a flexible wiring board.

上述の如く、従来の多層フレキシブル配線板は外層基板のはがし工程が障害となっていたが、本発明により、容易にかつブラインドビア形成工程と同時に行なう事が可能となった。   As described above, in the conventional multilayer flexible wiring board, the peeling process of the outer substrate has been an obstacle, but according to the present invention, it can be easily performed simultaneously with the blind via forming process.

本発明のフレキシブル配線板は、種々の電子部品に好適に利用できる。   The flexible wiring board of the present invention can be suitably used for various electronic components.

11、21、31、51 樹脂層
12、16、22、23、30、50、102、103 銅箔
12a〜12c、21a、30a〜30d、102a、102b ブラインドビア形成部位
13、115a、115b 片面フレキシブル基板
14 コンフォーマルマスク
15a〜15c、25、32a〜32d、52a〜52d 貫通孔
17a〜17c、35a〜35d、55a〜55d、104a、104b、117a、117b ブラインドビア
18、26、38、58、118 銅めっき
19、28、40、60、107 回路パターン
20、24、101、111 両面フレキシブル基板
27、39、59、106、119 感光性ドライフィルム
29、113 コア基板
33、34、53、54 外層基板
36、56 内部導電層
37、57 外部導電層
41、61 多層フレキシブル配線板
50a、120 フレキシブル部
104 ポリイミド層
112a、112b カバーレイ
114a、114b 接着層
116 貫通ビア
11, 21, 31, 51 Resin layer 12, 16, 22, 23, 30, 50, 102, 103 Copper foil 12a-12c, 21a, 30a-30d, 102a, 102b Blind via formation site 13, 115a, 115b Single-sided flexible Substrate 14 Conformal mask 15a-15c, 25, 32a-32d, 52a-52d Through hole 17a-17c, 35a-35d, 55a-55d, 104a, 104b, 117a, 117b Blind via 18, 26, 38, 58, 118 Copper plating 19, 28, 40, 60, 107 Circuit pattern 20, 24, 101, 111 Double-sided flexible substrate 27, 39, 59, 106, 119 Photosensitive dry film 29, 113 Core substrate 33, 34, 53, 54 Outer layer substrate 36, 56 Internal conductive layer 37, 57 Bushirubedenso 41,61 multilayer flexible wiring board 50a, 120 flexible portion 104 polyimide layer 112a, 112b coverlay 114a, 114b adhesive layer 116 through vias

Claims (12)

アルカリ可溶性樹脂組成物を含む樹脂層の一方の主面上に貫通孔形成部位を有する第1導電層を形成する導電層形成工程と、前記第1導電層を介して前記貫通孔形成部位の前記樹脂層を溶解除去して貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔が形成された前記樹脂層の他方の主面上に第2導電層を設けてブラインドビアを形成するブラインドビア形成工程と、前記ブラインドビアにめっきを施して前記第1導電層と前記第2導電層とを電気的に接続するめっき工程とを具備することを特徴とするフレキシブル配線板の製造方法。   A conductive layer forming step of forming a first conductive layer having a through hole forming site on one main surface of the resin layer containing the alkali-soluble resin composition; and the through hole forming site through the first conductive layer. A through hole forming step of forming a through hole by dissolving and removing the resin layer, and a blind via forming in which a second conductive layer is provided on the other main surface of the resin layer in which the through hole is formed to form a blind via A method of manufacturing a flexible wiring board, comprising: a step; and a plating step of electrically connecting the first conductive layer and the second conductive layer by plating the blind via. 片面フレキシブル配線板、両面フレキシブル配線板、又は多層フレキシブル配線板のいずれかからなるコア基板と、外層基板と、が積層されてなるフレキシブル配線板の製造方法であって、
アルカリ可溶性樹脂組成物を含む樹脂層の一方の主面上に貫通孔形成部位を有する外部導電層を形成する外部導電層形成工程と、前記外部導電層を介して前記貫通孔形成部位の前記樹脂層を溶解除去して前記外層基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記外層基板の前記貫通孔と前記コア基板の所定の部位とが一致するように前記外層基板と前記コア基板とを積層してブラインドビアを形成するブラインドビア形成工程と、前記ブラインドビアにめっきを施して前記コア基板の内部導電層と前記外層基板の外部導電層とを電気的に接続するめっき工程とを具備することを特徴とするフレキシブル配線板の製造方法。
A core substrate made of either a single-sided flexible wiring board, a double-sided flexible wiring board, or a multilayer flexible wiring board, and an outer layer substrate are laminated, and a manufacturing method of a flexible wiring board,
An external conductive layer forming step of forming an external conductive layer having a through hole forming site on one main surface of the resin layer containing the alkali-soluble resin composition; and the resin at the through hole forming site through the external conductive layer A through hole forming step of forming a through hole in the outer layer substrate by dissolving and removing a layer; and the outer layer substrate and the core substrate so that the through hole of the outer layer substrate and a predetermined portion of the core substrate coincide with each other. And forming a blind via to form a blind via, and a plating step of electrically connecting the inner conductive layer of the core substrate and the outer conductive layer of the outer substrate by plating the blind via. A method for producing a flexible wiring board, comprising:
前記外部導電層形成工程では、フレキシブル部形成部位の前記外部導電層を除去し、前記貫通孔形成工程では、前記フレキシブル部形成部位の前記樹脂層を溶解除去してフレキシブル部を形成することを特徴とする請求項2記載のフレキシブル配線板の製造方法。   In the external conductive layer forming step, the external conductive layer in the flexible portion forming portion is removed, and in the through hole forming step, the resin layer in the flexible portion forming portion is dissolved and removed to form a flexible portion. The manufacturing method of the flexible wiring board of Claim 2. 前記アルカリ可溶性樹脂組成物が、少なくともポリアミド酸構造を有するポリイミド前駆体を含有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載のフレキシブル配線板の製造方法。   The said alkali-soluble resin composition contains the polyimide precursor which has a polyamic acid structure at least, The manufacturing method of the flexible wiring board in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 前記ポリイミド前駆体が、ポリアミド酸構造及びポリイミド構造をそれぞれ構成単位として有するブロック共重合体を含有することを特徴とする請求項4に記載のフレキシブル配線板の製造方法。   The said polyimide precursor contains the block copolymer which has a polyamic-acid structure and a polyimide structure as a structural unit, respectively, The manufacturing method of the flexible wiring board of Claim 4 characterized by the above-mentioned. 前記ポリイミド前駆体が、ポリアルキレンエーテル構造及び/又はシロキサン構造を有することを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。   6. The method for producing a flexible wiring board according to claim 4, wherein the polyimide precursor has a polyalkylene ether structure and / or a siloxane structure. 前記アルカリ可溶性樹脂組成物が、さらに、溶解抑止剤を含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載のフレキシブル配線板の製造方法。   The method for producing a flexible wiring board according to claim 1, wherein the alkali-soluble resin composition further contains a dissolution inhibitor. 前記溶解抑止剤が、アミド化合物又はウレア化合物であることを特徴とする請求項7記載のフレキシブル配線板の製造方法。   The method for producing a flexible wiring board according to claim 7, wherein the dissolution inhibitor is an amide compound or a urea compound. 前記アルカリ可溶性樹脂組成物が、さらにリン化合物を含有することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに記載のフレキシブル配線板の製造方法。   The method for producing a flexible wiring board according to claim 1, wherein the alkali-soluble resin composition further contains a phosphorus compound. 前記リン化合物が、リン酸エステル化合物及び/又はホスファゼン化合物であることを特徴とする請求項9に記載のフレキシブル配線板の製造方法。   The method for producing a flexible wiring board according to claim 9, wherein the phosphorus compound is a phosphate ester compound and / or a phosphazene compound. 前記樹脂層は、アルカリ可溶性樹脂組成物を導電性フィルム基材上に塗工、加熱による脱溶剤後に得られる膜厚25μmの樹脂層の水酸化ナトリウム水溶液への溶解速度が0.50μm/sec以上であり、更に前記樹脂層を160℃以上で加熱することにより得られる水酸化ナトリウム水溶液への溶解速度が0.05μm/sec以下であり、前記樹脂層の弾性率が0.2GPa〜1.5GPaであり、前記樹脂層のガラス転移点温度が150℃以下であることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれかに記載のフレキシブル配線板の製造方法。   The resin layer is obtained by applying an alkali-soluble resin composition on a conductive film substrate and removing the solvent layer having a thickness of 25 μm obtained after desolvation by heating in an aqueous sodium hydroxide solution of 0.50 μm / sec or more. Furthermore, the dissolution rate in a sodium hydroxide aqueous solution obtained by heating the resin layer at 160 ° C. or higher is 0.05 μm / sec or less, and the elastic modulus of the resin layer is 0.2 GPa to 1.5 GPa. The glass transition temperature of the resin layer is 150 ° C. or less, The method for manufacturing a flexible wiring board according to claim 1, wherein the resin layer has a glass transition temperature of 150 ° C. or lower. 請求項1から請求項11のいずれかに記載のフレキシブル配線板の製造方法により製造されたことを特徴とするフレキシブル配線板。   The flexible wiring board manufactured by the manufacturing method of the flexible wiring board in any one of Claims 1-11.
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