JP2011221537A - Exposure device, substrate processing device, and method of manufacturing device - Google Patents

Exposure device, substrate processing device, and method of manufacturing device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure device capable of efficiently manufacturing a device on a belt-like substrate.SOLUTION: The exposure device configured to rotate a mask having a pattern along a predetermined cylindrical surface in the circumferential direction of the cylindrical surface, and transfer the pattern on the substrate includes: a first projection optical system to project an image of a first partial pattern, positioned in a first area on the cylindrical surface, of the pattern to a first projection area; a second projection optical system to project an image of a second partial pattern, positioned in a second area away from the first area along the circumferential direction, of the pattern to a second projection area different from the first projection area; and a substrate carrying device to carry the substrate so that the substrate may pass through the first projection area and the second projection area in synchronism with the rotation of the mask in the circumferential direction. The substrate carrying device includes a path adjusting device to adjust the path length of the substrate carrying path between the first projection area and the second projection area.

Description

本発明は、露光装置、基板処理装置及びデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus, a substrate processing apparatus, and a device manufacturing method.

ディスプレイ装置などの表示装置を構成する表示素子として、例えば液晶表示素子、有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)素子が知られている。現在、これらの表示素子では、各画素に対応して基板表面に薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)を形成する能動的素子(アクティブデバイス)が主流となってきている。   As display elements that constitute display devices such as display devices, for example, liquid crystal display elements and organic electroluminescence (organic EL) elements are known. Currently, in these display elements, active elements (active devices) that form thin film transistors (TFTs) on the substrate surface corresponding to each pixel have become mainstream.

近年では、可撓性を有する基板(例えばフィルム部材など)上に表示素子を形成する技術が提案されている。このような技術として、例えばロール・トゥ・ロール方式(以下、単に「ロール方式」と表記する)と呼ばれる手法が知られている(例えば、特許文献1参照)。ロール方式では、基板供給側の供給用ローラーに巻かれた帯状の基板を送り出すと共に送り出された基板を基板回収側の回収用ローラーで巻き取りながら基板を搬送する。   In recent years, a technique for forming a display element on a flexible substrate (for example, a film member) has been proposed. As such a technique, for example, a technique called a roll-to-roll system (hereinafter simply referred to as “roll system”) is known (see, for example, Patent Document 1). In the roll method, the belt-shaped substrate wound around the substrate supply side supply roller is sent out, and the substrate is transported while being wound up by the substrate recovery side recovery roller.

国際公開第2008/129819号パンフレットInternational Publication No. 2008/1229819 Pamphlet

ところで、表示装置では表示画面の大型化が期待されており、上記のようなロール方式においても、帯状の基板に大型の表示素子を効率的に製造可能とする技術が要望されている。   By the way, the display device is expected to have a large display screen, and there is a demand for a technique that enables a large display element to be efficiently manufactured on a strip-shaped substrate even in the roll method described above.

そこで、本発明の態様は、帯状の基板に表示素子等のデバイスを効率的に製造することができる露光装置、基板処理装置及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。   Accordingly, an aspect of the present invention is to provide an exposure apparatus, a substrate processing apparatus, and a device manufacturing method that can efficiently manufacture a device such as a display element on a belt-shaped substrate.

本発明の第一の態様に従えば、所定の円筒面に沿ってパターンを有するマスクを円筒面の円周方向に回転させつつパターンを基板に転写する露光装置であって、パターンのうち円筒面の第一領域に位置する第一部分パターンの像を第一投影領域に投影する第一投影光学系と、パターンのうち第一領域から円周方向に沿って間隔を置いた第二領域に位置する第二部分パターンの像を、第一投影領域と異なる第二投影領域に投影する第二投影光学系と、マスクの円周方向への回転に同期して、第一投影領域及び第二投影領域を経由するように基板を搬送する基板搬送装置と、を備え、搬送装置は、第一投影領域と第二投影領域との間における基板の搬送経路の経路長を調整する経路調整装置を含む露光装置が提供される。   According to a first aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus for transferring a pattern to a substrate while rotating a mask having a pattern along a predetermined cylindrical surface in the circumferential direction of the cylindrical surface, the cylindrical surface of the pattern A first projection optical system for projecting an image of the first partial pattern located in the first area of the first area onto the first projection area, and a second area of the pattern spaced from the first area along the circumferential direction. A second projection optical system that projects an image of the second partial pattern onto a second projection area different from the first projection area, and the first projection area and the second projection area in synchronization with the rotation of the mask in the circumferential direction An exposure apparatus including a path adjustment device that adjusts a path length of a transport path of the substrate between the first projection area and the second projection area. An apparatus is provided.

本発明の第二の態様に従えば、帯状の基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を該基板の長手方向に搬送する基板搬送部と、前記基板搬送部による前記基板の搬送経路に沿って設けられ、該搬送経路に沿って搬送される前記基板を処理する基板処理部と、を備え、前記基板処理部は、前記基板にパターンを転写する本発明の第一の態様に従う露光装置を有する基板処理装置が提供される。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for processing a strip-shaped substrate, wherein the substrate transport unit transports the substrate in the longitudinal direction of the substrate, and the substrate transport path by the substrate transport unit. And a substrate processing unit that processes the substrate transported along the transport path, wherein the substrate processing unit transfers a pattern to the substrate according to the first aspect of the present invention. A substrate processing apparatus having the apparatus is provided.

本発明の第三の態様に従えば、基板を処理してデバイスを製造するデバイス製造方法であって、本発明の第二の態様に従う露光装置を用いて、前記基板にパターンを転写することと、前記パターンが転写された前記基板を該パターンに基づいて加工することと、を含むデバイス製造方法が提供される。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method for manufacturing a device by processing a substrate, wherein a pattern is transferred to the substrate using an exposure apparatus according to the second aspect of the present invention. And processing the substrate on which the pattern is transferred based on the pattern.

本発明の態様によれば、帯状の基板に表示素子等のデバイスを効率的に製造することができる。   According to the aspect of the present invention, a device such as a display element can be efficiently manufactured on a belt-like substrate.

本発明の第一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of the substrate processing apparatus which concerns on 1st embodiment of this invention. 本実施形態に係る露光装置の構成を示す概略図。1 is a schematic diagram showing a configuration of an exposure apparatus according to the present embodiment. 本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of part of the exposure apparatus according to the present embodiment. 本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of part of the exposure apparatus according to the present embodiment. 本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of part of the exposure apparatus according to the present embodiment. 本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a part of the exposure apparatus according to the present embodiment. 本実施形態に係る露光装置の動作の様子を示す図。The figure which shows the mode of operation | movement of the exposure apparatus which concerns on this embodiment. マスクの他の構成を示す図。The figure which shows the other structure of a mask. 半導体デバイスを製造する際の製造工程の一部を示すフローチャート。The flowchart which shows a part of manufacturing process at the time of manufacturing a semiconductor device. 液晶表示素子の製造する際の製造工程の一部を示すフローチャート。The flowchart which shows a part of manufacturing process at the time of manufacturing a liquid crystal display element.

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置FPAの構成を示す図である。
図1に示すように、基板処理装置FPAは、帯状の基板(例えば、帯状のフィルム部材)FBを供給する基板供給部SU、基板FBの表面(被処理面)に対して処理を行う基板処理部PR、基板FBを回収する基板回収部CL、及び、これらの各部を制御する制御部CONTを有している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus FPA according to an embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus FPA is a substrate supply unit SU that supplies a band-shaped substrate (for example, a band-shaped film member) FB, and a substrate process that performs processing on the surface (surface to be processed) of the substrate FB. The part PR, the substrate recovery part CL for recovering the substrate FB, and the control part CONT for controlling these parts are provided.

なお、本実施形態では、図1に示すようにXYZ座標系を設定し、以下では適宜このXYZ座標系を用いて説明を行う。XYZ座標系は、例えば、水平面に沿ってX軸及びY軸が設定され、鉛直方向に沿って上向きにZ軸が設定される。また、基板処理装置FPAは、全体としてX軸に沿って、そのマイナス側(−側)からプラス側(+側)へ基板FBを搬送する。その際、帯状の基板FBの幅方向(短尺方向)は、Y軸方向に設定される。   In this embodiment, an XYZ coordinate system is set as shown in FIG. 1, and the following description will be given using this XYZ coordinate system as appropriate. In the XYZ coordinate system, for example, the X axis and the Y axis are set along the horizontal plane, and the Z axis is set upward along the vertical direction. The substrate processing apparatus FPA transports the substrate FB from the minus side (− side) to the plus side (+ side) along the X axis as a whole. At that time, the width direction (short direction) of the belt-like substrate FB is set to the Y-axis direction.

基板処理装置FPAは、基板供給部SUから基板FBが送り出されてから、基板回収部CLによって基板FBが回収されるまでの間に、基板FBの表面に各種処理を実行する装置である。基板処理装置FPAは、基板FB上に例えば有機EL素子、液晶表示素子等の表示素子(電子デバイス)を形成する場合に用いることができる。   The substrate processing apparatus FPA is an apparatus that executes various processes on the surface of the substrate FB after the substrate FB is sent out from the substrate supply unit SU until the substrate FB is recovered by the substrate recovery unit CL. The substrate processing apparatus FPA can be used when a display element (electronic device) such as an organic EL element or a liquid crystal display element is formed on the substrate FB.

基板処理装置FPAにおいて処理対象となる基板FBとしては、例えば樹脂フィルムやステンレス鋼などの箔(フォイル)を用いることができる。例えば、樹脂フィルムは、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂、などの材料を用いることができる。   As the substrate FB to be processed in the substrate processing apparatus FPA, for example, a foil (foil) such as a resin film or stainless steel can be used. For example, the resin film is made of polyethylene resin, polypropylene resin, polyester resin, ethylene vinyl copolymer resin, polyvinyl chloride resin, cellulose resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, vinyl acetate resin, etc. Can be used.

基板FBは、例えば200℃程度の熱を受けても寸法が変わらないように熱膨張係数が小さい方が好ましい。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合して熱膨張係数を小さくすることができる。無機フィラーの例としては、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素などが挙げられる。   The substrate FB preferably has a smaller coefficient of thermal expansion so that, for example, the size does not change even when the substrate FB receives heat of about 200 ° C. For example, an inorganic filler can be mixed with a resin film to reduce the thermal expansion coefficient. Examples of the inorganic filler include titanium oxide, zinc oxide, alumina, silicon oxide and the like.

基板FBの幅方向(短尺方向)の寸法は例えば1m〜2m程度に形成されており、長さ方向(長尺方向)の寸法は例えば10m以上に形成されている。勿論、この寸法は一例に過ぎず、これに限られることは無い。例えば基板FBのY方向の寸法が50cm以下であっても構わないし、2m以上であっても構わない。また、基板FBのX方向の寸法が10m以下であっても構わない。   The dimension in the width direction (short direction) of the substrate FB is, for example, about 1 m to 2 m, and the dimension in the length direction (long direction) is, for example, 10 m or more. Of course, this dimension is only an example and is not limited thereto. For example, the dimension in the Y direction of the substrate FB may be 50 cm or less, or 2 m or more. Moreover, the dimension of the X direction of the board | substrate FB may be 10 m or less.

基板FBは、可撓性を有するように形成されている。ここで可撓性とは、基板に自重程度の力を加えても線断したり破断したりすることはなく、該基板を撓めることが可能な性質をいう。また、自重程度の力によって屈曲する性質も可撓性に含まれる。また、上記可撓性は、該基板の材質、大きさ、厚さ、又は温度などの環境、等に応じて変わる。なお、基板FBとしては、1枚の帯状の基板を用いても構わないが、複数の単位基板を接続して帯状に形成される構成としても構わない。   The substrate FB is formed to have flexibility. Here, the term “flexibility” refers to the property that the substrate can be bent without being broken or broken even if a force of its own weight is applied to the substrate. In addition, flexibility includes a property of bending by a force of about its own weight. The flexibility varies depending on the material, size, thickness, environment such as temperature, etc. of the substrate. As the substrate FB, a single strip-shaped substrate may be used, but a plurality of unit substrates may be connected to be formed in a strip shape.

基板供給部SUは、例えばロール状に巻かれた基板FBを基板処理部PRへ送り出して供給する。この場合、基板供給部SUには、基板FBを巻きつける軸部や当該軸部を回転させる回転駆動装置などが設けられる。この他、例えばロール状に巻かれた状態の基板FBを覆うカバー部などが設けられた構成であっても構わない。なお、基板供給部SUは、ロール状に巻かれた基板FBを送り出す機構に限定されず、帯状の基板FBをその長さ方向に順次送り出す機構を含むものであればよい。   The substrate supply unit SU sends out and supplies the substrate FB wound in a roll shape to the substrate processing unit PR, for example. In this case, the substrate supply unit SU is provided with a shaft around which the substrate FB is wound, a rotation drive device that rotates the shaft, and the like. In addition, for example, a configuration in which a cover portion that covers the substrate FB wound in a roll shape or the like may be provided. Note that the substrate supply unit SU is not limited to a mechanism that sends out the substrate FB wound in a roll shape, and may be any device that includes a mechanism that sequentially sends the belt-like substrate FB in the length direction thereof.

基板回収部CLは、基板処理部PRからの基板FBを例えばロール状に巻きとって回収する。基板回収部CLには、基板供給部SUと同様に、基板FBを巻きつけるための軸部や当該軸部を回転させる回転駆動源、回収した基板FBを覆うカバー部などが設けられている。なお、基板処理部PRにおいて基板FBがパネル状に切断される場合などには例えば基板FBを重ねた状態に回収するなど、ロール状に巻いた状態とは異なる状態で基板FBを回収する構成であっても構わない。   The substrate collection unit CL collects the substrate FB from the substrate processing unit PR in a roll shape, for example. Similar to the substrate supply unit SU, the substrate recovery unit CL is provided with a shaft for winding the substrate FB, a rotational drive source for rotating the shaft, a cover for covering the recovered substrate FB, and the like. When the substrate FB is cut into a panel shape in the substrate processing unit PR, the substrate FB is recovered in a state different from the state wound in a roll shape, for example, the substrate FB is recovered in an overlapped state. It does not matter.

基板処理部PRは、基板供給部SUから供給される基板FBを基板回収部CLへ搬送すると共に、搬送の過程で基板FBの被処理面Fpに対して処理を行う。基板処理部PRは、例えば処理装置10、搬送装置30及びアライメント装置50を有している。   The substrate processing unit PR transports the substrate FB supplied from the substrate supply unit SU to the substrate recovery unit CL, and performs processing on the processing surface Fp of the substrate FB in the course of transport. The substrate processing unit PR includes, for example, a processing apparatus 10, a transfer apparatus 30, and an alignment apparatus 50.

処理装置10は、基板FBの被処理面Fpに対して例えば有機EL素子を形成するための各種装置を有している。このような装置としては、例えば被処理面Fp上に隔壁を形成するための隔壁形成装置、電極を形成するための電極形成装置、発光層を形成するための発光層形成装置などが挙げられる。より具体的には、液滴塗布装置(例えばインクジェット型塗布装置、スピンコート型塗布装置)、成膜装置(例えば蒸着装置、スパッタリング装置)、露光装置、現像装置、表面改質装置、洗浄装置などが挙げられる。これらの各装置は、基板FBの搬送経路に沿って適宜設けられる。本実施形態では、処理装置10として、露光装置が設けられている。   The processing apparatus 10 includes various apparatuses for forming, for example, organic EL elements on the processing surface Fp of the substrate FB. Examples of such an apparatus include a partition wall forming apparatus for forming a partition wall on the processing surface Fp, an electrode forming apparatus for forming an electrode, and a light emitting layer forming apparatus for forming a light emitting layer. More specifically, a droplet coating apparatus (for example, an ink jet type coating apparatus, a spin coating type coating apparatus), a film forming apparatus (for example, a vapor deposition apparatus, a sputtering apparatus), an exposure apparatus, a developing apparatus, a surface modification apparatus, a cleaning apparatus, etc. Is mentioned. Each of these apparatuses is appropriately provided along the transport path of the substrate FB. In the present embodiment, an exposure apparatus is provided as the processing apparatus 10.

搬送装置30は、基板処理部PR内において基板FBを基板回収部CL側へ搬送するローラー装置Rを有している。ローラー装置Rは、基板FBの搬送経路に沿って複数設けられている。複数のローラー装置Rのうち少なくとも一部のローラー装置Rには、駆動機構(不図示)が取り付けられている。このようなローラー装置Rが回転することにより、基板FBがX軸方向に搬送されるようになっている。複数のローラー装置Rのうち一部のローラー装置Rが基板FBの表面と交差する方向に移動可能に設けられた構成であっても構わない。   The transport device 30 includes a roller device R that transports the substrate FB to the substrate recovery unit CL in the substrate processing unit PR. A plurality of roller devices R are provided along the transport path of the substrate FB. A drive mechanism (not shown) is attached to at least some of the plurality of roller devices R. By rotating such a roller device R, the substrate FB is transported in the X-axis direction. A configuration may be adopted in which some of the plurality of roller devices R are movable in a direction intersecting the surface of the substrate FB.

アライメント装置50は、基板FBに対してアライメント動作を行う。アライメント装置50は、基板FBの位置を検出するアライメントカメラ51と、当該アライメントカメラ51の検出結果に基づいて基板FBの位置及び姿勢の少なくとも一方を調整する調整装置52とを有している。   The alignment apparatus 50 performs an alignment operation on the substrate FB. The alignment apparatus 50 includes an alignment camera 51 that detects the position of the substrate FB, and an adjustment device 52 that adjusts at least one of the position and orientation of the substrate FB based on the detection result of the alignment camera 51.

アライメントカメラ51は、例えば基板FBに形成されたアライメントマークを検出し、検出結果を制御部CONTに送信する。制御部CONTは、当該検出結果に基づいて基板FBの位置情報を求め、当該位置情報に基づいて調整装置52による調整量を制御する。   For example, the alignment camera 51 detects an alignment mark formed on the substrate FB, and transmits the detection result to the control unit CONT. The control unit CONT obtains the position information of the substrate FB based on the detection result, and controls the adjustment amount by the adjusting device 52 based on the position information.

図2は、処理装置10として用いられる露光装置EXの構成を示す図である。露光装置EXは、マスクMに形成されたパターンPmの像を基板FBに投影する装置である。露光装置EXは、図2に示すように、マスクMを照明する照明装置IUと、マスクMを保持して移動及び回転可能なマスク移動装置MSTと、基板FBに対してパターンPmの像を投影する投影装置PUと、基板FBを搬送する基板搬送装置FSTとを有している。   FIG. 2 is a view showing a configuration of an exposure apparatus EX used as the processing apparatus 10. The exposure apparatus EX is an apparatus that projects an image of the pattern Pm formed on the mask M onto the substrate FB. As shown in FIG. 2, the exposure apparatus EX projects an illumination apparatus IU that illuminates the mask M, a mask movement apparatus MST that can move and rotate while holding the mask M, and an image of the pattern Pm onto the substrate FB. And a substrate transport device FST that transports the substrate FB.

照明装置IUは、マスクMに露光光ELIを照明する。照明装置IUは、複数の照明光学系ILを有している。照明光学系ILから射出される露光光は、複数の方向からマスクMに対して照射される(例えば+X方向及び−X方向から照射される)。   The illumination device IU illuminates the exposure light ELI on the mask M. The illumination device IU has a plurality of illumination optical systems IL. The exposure light emitted from the illumination optical system IL is irradiated onto the mask M from a plurality of directions (for example, irradiated from the + X direction and the −X direction).

マスク移動装置MSTは、保持部40及び駆動装置ACMを有している。保持部40は、概形として円筒状に形成されており、その外周面に相当する円筒面40aに沿ってマスクMを保持するように形成されている。保持部40は、円筒面40aの円周方向に沿って(すなわち、円筒面40aの中心軸線としての軸線C回りに)回転可能に設けられている。駆動装置ACMは、保持部40を円筒面40aに沿って回転駆動させると共に、保持部40を図中X方向、Y方向及びZ方向へ移動させることができる。   The mask moving device MST includes a holding unit 40 and a driving device ACM. The holding part 40 is formed in a cylindrical shape as a general shape, and is formed so as to hold the mask M along a cylindrical surface 40a corresponding to the outer peripheral surface thereof. The holding part 40 is provided to be rotatable along the circumferential direction of the cylindrical surface 40a (that is, around the axis C as the central axis of the cylindrical surface 40a). The driving device ACM can rotate the holding unit 40 along the cylindrical surface 40a and can move the holding unit 40 in the X, Y, and Z directions in the drawing.

マスクMは、保持部40によって取り外し可能に保持される。図3は、マスクMの構成を示す図である。マスクMとしては、シート状に形成された反射型マスクが用いられる。
マスクMに形成されたパターンPmは、例えば短冊状(長矩形状)の4つのパターンP1〜P4に分割された状態で形成されている。各パターンP1〜P4は、等ピッチで図3の図中左右方向に並んだ異なる4つの領域にそれぞれ形成されている。マスクMは、パターンPmが円筒面40aに沿って配置されるように保持部40に保持される。その際、マスクMは、各パターンP1〜P4の長手方向(長辺方向)が円筒面40aの円周方向と一致するように保持される。各パターンP1〜P4の長手方向の寸法は、例えば円筒面40aの半周の寸法と等しくなるように形成されている。
The mask M is detachably held by the holding unit 40. FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the mask M. As shown in FIG. As the mask M, a reflective mask formed in a sheet shape is used.
The pattern Pm formed on the mask M is formed in a state of being divided into four strip-shaped (long rectangular) patterns P1 to P4, for example. Each of the patterns P1 to P4 is formed in four different regions arranged in the left-right direction in FIG. 3 at an equal pitch. The mask M is held by the holding unit 40 so that the pattern Pm is arranged along the cylindrical surface 40a. In that case, the mask M is hold | maintained so that the longitudinal direction (long side direction) of each pattern P1-P4 may correspond with the circumferential direction of the cylindrical surface 40a. The dimension of the longitudinal direction of each pattern P1-P4 is formed so that it may become equal to the dimension of the semicircle of the cylindrical surface 40a, for example.

図2に示すように、投影装置PUは、複数の投影光学系PLを有している。複数の投影光学系PLの一部は、マスクMに対して基板FBの搬送方向上流側(−X側)に配置されており、保持部40の−X側に位置するパターンPmの像を、保持部40よりも−X側に位置する基板FBに対して投影する。また、複数の投影光学系PLの他の一部は、マスクMに対して基板FBの下流側(+X側)に配置されており、保持部40の+X側に位置するパターンPmの像を、保持部40よりも+X側に位置する基板FBに対して投影する。
なお、本実施形態では、各投影光学系PLとして、例えばマスクMに形成されたパターンPmの像を拡大して投影する拡大光学系(すなわち、投影倍率として拡大倍率を有する光学系)が用いられている。ただし、各投影光学系PLは、拡大光学系に限定されず、等倍又は縮小倍の投影倍率を有する光学系とすることもできる。
As shown in FIG. 2, the projection apparatus PU has a plurality of projection optical systems PL. A part of the plurality of projection optical systems PL is arranged on the upstream side (−X side) in the transport direction of the substrate FB with respect to the mask M, and an image of the pattern Pm positioned on the −X side of the holding unit 40 Projecting is performed on the substrate FB located on the −X side of the holding unit 40. Further, another part of the plurality of projection optical systems PL is arranged on the downstream side (+ X side) of the substrate FB with respect to the mask M, and an image of the pattern Pm positioned on the + X side of the holding unit 40 is Projection is performed on the substrate FB located on the + X side of the holding unit 40.
In this embodiment, as each projection optical system PL, for example, an enlargement optical system that enlarges and projects an image of the pattern Pm formed on the mask M (that is, an optical system having an enlargement magnification as the projection magnification) is used. ing. However, each projection optical system PL is not limited to the magnifying optical system, and may be an optical system having a projection magnification of equal or reduced magnification.

また、各投影光学系PLは、投影像(パターンPmの像)の投影位置を基板FBの表面に沿った方向(XY平面に沿った方向)へ調整可能な調整機構をそれぞれ備えている。この調整機構として、例えば図2に示すように、露光光ELIを透過させるとともに、投影光学系PLの光軸に対して傾斜可能(すなわち、光軸に垂直な軸線HVa回りに回転可能)に設けられた平行平板ガラスHVを用いることができる。各投影光学系が、基板FBの幅方向(Y方向)に沿った軸線HVa回りに回転可能な平行平板ガラスHVを備えることで、パターンPmの像の投影位置は、基板FBの搬送方向(X方向)に沿って調整可能とされる。   Each projection optical system PL includes an adjustment mechanism that can adjust the projection position of the projection image (image of the pattern Pm) in the direction along the surface of the substrate FB (direction along the XY plane). As the adjustment mechanism, for example, as shown in FIG. 2, the exposure light ELI is transmitted and can be tilted with respect to the optical axis of the projection optical system PL (that is, rotatable about the axis HVa perpendicular to the optical axis). The obtained parallel flat glass HV can be used. Each projection optical system includes a parallel flat glass HV that is rotatable about an axis HVa along the width direction (Y direction) of the substrate FB, so that the projection position of the image of the pattern Pm is in the transport direction (X Direction).

基板搬送装置FSTは、投影装置PUによってパターンPmの像が投影される各投影領域PAを経由するように基板FBを搬送する。基板搬送装置FSTは、第一ステージ81、第二ステージ82、搬送ローラー83〜84、経路調整装置ADJ及び駆動装置ACFを有している。第一ステージ81及び第二ステージ82は、保持部40の−X側に配置される投影光学系PLの投影領域PAと+X側に配置される投影光学系PLの投影領域PAとに対応した位置にそれぞれ配置されている。第一ステージ81及び第二ステージ82の+Z側の面には、XY平面に平行な平坦面が形成されている。当該平坦面は、基板FBを支持する基板支持面81a及び82aとなっている。第一ステージ81及び第二ステージ82は、図示しないエアベアリング機構がそれぞれ設けられており、このエアベアリング機構によって基板FBを基板支持面81a及び82a上に非接触に支持することができる。基板支持面81a及び82aは、それぞれ投影光学系PLにより、保持部40に保持されたマスクMのパターンPmと(もしくは円筒面40aと)光学的に共役な位置に配置されている。搬送ローラー83及び84は、基板FBを+X方向へ搬送する。   The substrate transport device FST transports the substrate FB so as to pass through each projection area PA onto which the image of the pattern Pm is projected by the projection device PU. The substrate transport device FST includes a first stage 81, a second stage 82, transport rollers 83 to 84, a path adjustment device ADJ, and a drive device ACF. The first stage 81 and the second stage 82 are positions corresponding to the projection area PA of the projection optical system PL arranged on the −X side of the holding unit 40 and the projection area PA of the projection optical system PL arranged on the + X side. Respectively. Flat surfaces parallel to the XY plane are formed on the + Z side surfaces of the first stage 81 and the second stage 82. The flat surfaces are substrate support surfaces 81a and 82a that support the substrate FB. The first stage 81 and the second stage 82 are each provided with an air bearing mechanism (not shown), and the air bearing mechanism can support the substrate FB on the substrate support surfaces 81a and 82a in a non-contact manner. The substrate support surfaces 81a and 82a are arranged at positions optically conjugate with the pattern Pm of the mask M held by the holding unit 40 (or the cylindrical surface 40a) by the projection optical system PL. The transport rollers 83 and 84 transport the substrate FB in the + X direction.

経路調整装置ADJは、移動部85及び駆動機構86を有している。移動部85は、基板FBの−Z側に配置されている。移動部85は、X方向(基板FBの搬送方向)に関して第一ステージ81と第二ステージ82との間に設けられている。移動部85は、例えば円筒状に形成され、その円周方向に回転可能に設けられており、その回転の中心軸線がY方向に平行になるように配置されている。また、移動部85は、その中心軸線回りに回転可能に設けられている。移動部85の中心軸線方向の寸法は、基板FBのY方向(幅方向)の寸法よりも大きく形成されている。   The path adjustment device ADJ includes a moving unit 85 and a drive mechanism 86. The moving unit 85 is disposed on the −Z side of the substrate FB. The moving unit 85 is provided between the first stage 81 and the second stage 82 in the X direction (the conveyance direction of the substrate FB). The moving part 85 is formed, for example, in a cylindrical shape and is provided so as to be rotatable in the circumferential direction thereof, and is arranged so that the central axis of the rotation is parallel to the Y direction. Moreover, the moving part 85 is provided so that rotation around the center axis line is possible. The dimension of the moving part 85 in the central axis direction is formed larger than the dimension of the substrate FB in the Y direction (width direction).

移動部85は、駆動機構86の駆動によって基板FBの表面と交差する方向(例えば図中Z方向)に移動可能に設けられている。移動部85が+Z側に移動することにより、基板FBのうち搬送ローラー83と搬送ローラー84との間の部分が移動部85に掛けられた状態となる。このため、基板FBの移動経路は、X方向に設定された直線経路に対して+Z側に湾曲された経路(迂回した経路)に変更される。   The moving unit 85 is provided so as to be movable in a direction intersecting the surface of the substrate FB (for example, the Z direction in the figure) by driving of the driving mechanism 86. As the moving unit 85 moves to the + Z side, a portion of the substrate FB between the transport roller 83 and the transport roller 84 is put on the moving unit 85. For this reason, the moving path of the substrate FB is changed to a path curved to the + Z side (a detour path) with respect to the linear path set in the X direction.

駆動装置ACFは、制御部CONTからの制御信号に基づいて搬送ローラー83及び84の回転速度を調整し、これによって基板FBの搬送速度を調整する。制御部CONTは、マスクMの回転速度に応じた搬送速度で基板FBが搬送されるように、駆動装置ACMの駆動及び駆動装置ACFの駆動を制御する。具体的には、制御部CONTは、円筒面40aに沿ったマスクMの移動速度(周速度)に対する、基板FBの長さ方向への搬送速度(すなわち、基板FBの表面の移動速度)の比が、投影光学系PLの投影倍率(拡大倍率)と等しくなるように、駆動装置ACM及び駆動装置ACFの駆動を制御する。   The driving device ACF adjusts the rotation speed of the transport rollers 83 and 84 based on the control signal from the control unit CONT, thereby adjusting the transport speed of the substrate FB. The controller CONT controls the driving of the driving device ACM and the driving of the driving device ACF so that the substrate FB is transported at a transport speed corresponding to the rotational speed of the mask M. Specifically, the control unit CONT compares the moving speed (peripheral speed) of the mask M along the cylindrical surface 40a with the transport speed in the length direction of the substrate FB (that is, the moving speed of the surface of the substrate FB). Controls the driving of the driving device ACM and the driving device ACF so as to be equal to the projection magnification (enlargement magnification) of the projection optical system PL.

図4は、マスク移動装置MST、照明装置IU及び投影装置PUの構成を示す図である。図4に示すように、照明装置IUは、4つの照明光学系IL(IL1〜IL4)を有している。照明光学系IL1〜IL4は、保持部40に保持されたマスクMの4つのパターンP1〜P4のそれぞれに対応して1つずつ設けられている。照明光学系IL1,IL3は、図中−X側からそれぞれパターンP1,P3を露光光ELIで照明する。照明光学系IL2,IL4は、図中+X側からそれぞれパターンP2,P4を露光光ELIで照明する。   FIG. 4 is a diagram illustrating configurations of the mask moving device MST, the illumination device IU, and the projection device PU. As illustrated in FIG. 4, the illumination device IU includes four illumination optical systems IL (IL1 to IL4). The illumination optical systems IL1 to IL4 are provided one by one corresponding to each of the four patterns P1 to P4 of the mask M held by the holding unit 40. The illumination optical systems IL1 and IL3 illuminate the patterns P1 and P3 with the exposure light ELI from the −X side in the drawing, respectively. The illumination optical systems IL2 and IL4 illuminate the patterns P2 and P4 with the exposure light ELI from the + X side in the drawing, respectively.

このように、照明装置IUは、マスクMのうち円筒面40aの−X側の所定領域(第一領域)を露光光ELIで照明する第一照明光学系(照明光学系IL1及びIL3)と、マスクMのうち円筒面40aの+X側の所定領域(第二領域)を露光光ELIで照明する第二照明光学系(照明光学系IL2及びIL4)とを有している。   As described above, the illumination device IU includes the first illumination optical system (illumination optical systems IL1 and IL3) that illuminates a predetermined region (first region) on the −X side of the cylindrical surface 40a of the mask M with the exposure light ELI, The mask M includes a second illumination optical system (illumination optical systems IL2 and IL4) that illuminates a predetermined region (second region) on the + X side of the cylindrical surface 40a with the exposure light ELI.

図5は、投影装置PU、投影領域PA及び基板FBの位置関係を示す平面図である。
図5に示すように、投影装置PUは、4つの投影光学系PL(PL1〜PL4)を有している。
FIG. 5 is a plan view showing the positional relationship between the projection apparatus PU, the projection area PA, and the substrate FB.
As shown in FIG. 5, the projection apparatus PU has four projection optical systems PL (PL1 to PL4).

投影光学系PL1には、照明光学系IL1から射出されパターンP1で反射された露光光ELIが入射される。投影光学系PL2には、照明光学系IL2から射出されパターンP2で反射された露光光ELIが入射される。投影光学系PL3には、照明光学系IL3から射出されパターンP3で反射された露光光ELIが入射される。投影光学系PL4には、照明光学系IL4から射出されパターンP4で反射された露光光ELIが入射される。投影光学系PL1〜PL4は、それぞれパターンP1〜P4で反射された露光光ELIを基板FBに対する所定の投影領域PA1〜PA4に照射してパターンP1〜P4の像を拡大投影する。   The exposure light ELI emitted from the illumination optical system IL1 and reflected by the pattern P1 is incident on the projection optical system PL1. Exposure light ELI emitted from illumination optical system IL2 and reflected by pattern P2 is incident on projection optical system PL2. The exposure light ELI emitted from the illumination optical system IL3 and reflected by the pattern P3 is incident on the projection optical system PL3. Exposure light ELI emitted from illumination optical system IL4 and reflected by pattern P4 is incident on projection optical system PL4. The projection optical systems PL1 to PL4 irradiate predetermined projection areas PA1 to PA4 on the substrate FB with the exposure light ELI reflected by the patterns P1 to P4, respectively, and enlarge and project the images of the patterns P1 to P4.

このように投影装置PUは、保持部40の−X側の投影領域PA1及びPA3にそれぞれパターンP1及びP3の像を投影する第一投影光学系(投影光学系PL1及びPL3)と、保持部40の+X側の投影領域PA2及びPA4にそれぞれパターンP2及びP4の像を投影する第二投影光学系(投影光学系PL2及びPL4)とを有している。また、当該第一投影光学系は、複数の第一単位光学系(本実施形態では2つの投影光学系PL1及びPL3)を有している。第二投影光学系は、複数の第二単位光学系(本実施形態では2つの投影光学系PL2及びPL4)を有している。   Thus, the projection apparatus PU includes the first projection optical system (projection optical systems PL1 and PL3) that projects the images of the patterns P1 and P3 on the −X side projection areas PA1 and PA3 of the holding unit 40, and the holding unit 40, respectively. The second projection optical system (projection optical systems PL2 and PL4) that projects the images of the patterns P2 and P4 on the + X side projection areas PA2 and PA4, respectively. The first projection optical system includes a plurality of first unit optical systems (two projection optical systems PL1 and PL3 in the present embodiment). The second projection optical system has a plurality of second unit optical systems (in this embodiment, two projection optical systems PL2 and PL4).

すなわち、本実施形態では、第一照明光学系から円筒面40aの第一領域に位置するパターンP1及びパターンP3に照射された露光光ELIが第一投影光学系に入射され、当該第一投影光学系によって第一投影領域にパターンP1及びP3の像がそれぞれ投影される。   That is, in the present embodiment, the exposure light ELI irradiated from the first illumination optical system to the pattern P1 and the pattern P3 located in the first region of the cylindrical surface 40a is incident on the first projection optical system, and the first projection optical system. Images of the patterns P1 and P3 are respectively projected onto the first projection area by the system.

同様に、第二照明光学系から円筒面40aの第二領域に位置するパターンP2及びパターンP4に照射された露光光ELIが第二投影光学系に入射され、当該第二投影光学系によって第二投影領域にパターンP2及びP4の像がそれぞれ投影される。   Similarly, the exposure light ELI irradiated to the pattern P2 and the pattern P4 located in the second region of the cylindrical surface 40a from the second illumination optical system is incident on the second projection optical system, and the second projection optical system causes the second light to enter the second projection optical system. Images of the patterns P2 and P4 are respectively projected on the projection areas.

各投影領域PA1〜PA4は、例えばY方向に沿って2辺が平行な平行四辺形状に形成されている。各投影領域PA1〜PA4は、Y方向の端部の幅(X方向の寸法)が徐々に小さくなるように形成されている。以下、この幅が徐々に小さくなっている部分をテーパー部分と表記する。なお、投影領域PA1〜PA4の形状は、平行四辺形状に限定されるものではなく、例えばY方向の端部にテーパー部を有する台形状または六角形状とすることもできる。投影領域PA1〜PA4の形状は、それぞれ投影光学系PL1〜PL4に設けられた不図示のブラインドによって設定される。   Each of the projection areas PA1 to PA4 is formed in a parallelogram shape in which, for example, two sides are parallel along the Y direction. Each of the projection areas PA1 to PA4 is formed so that the width of the end in the Y direction (dimension in the X direction) gradually decreases. Hereinafter, the portion where the width is gradually reduced is referred to as a tapered portion. The shape of the projection areas PA1 to PA4 is not limited to the parallelogram shape, and may be a trapezoidal shape or a hexagonal shape having a tapered portion at an end portion in the Y direction, for example. The shapes of the projection areas PA1 to PA4 are set by blinds (not shown) provided in the projection optical systems PL1 to PL4, respectively.

投影光学系PL1及び投影光学系PL2は、投影領域PA1の+Y側に形成されるテーパー部分のY方向に関する位置と投影領域PA2の−Y側に形成されるテーパー部分のY方向に関する位置とが重なるように配置されている。また、投影光学系PL2及び投影光学系PL3は、投影領域PA2の+Y側に形成されるテーパー部分のY方向に関する位置と投影領域PA3の−Y側に形成されるテーパー部分のY方向に関する位置とが重なるように配置されている。更に、投影光学系PL3及び投影光学系PL4は、投影領域PA3の+Y側に形成されるテーパー部分のY方向に関する位置と投影領域PA4の−Y側に形成されるテーパー部分のY方向に関する位置とが重なるように配置されている。   In the projection optical system PL1 and the projection optical system PL2, the position in the Y direction of the taper portion formed on the + Y side of the projection area PA1 and the position in the Y direction of the taper portion formed on the −Y side of the projection area PA2 overlap. Are arranged as follows. In addition, the projection optical system PL2 and the projection optical system PL3 include a position related to the Y direction of the tapered portion formed on the + Y side of the projection area PA2, and a position related to the Y direction of the tapered portion formed on the −Y side of the projection area PA3. Are arranged to overlap. Further, the projection optical system PL3 and the projection optical system PL4 have a position in the Y direction of the tapered portion formed on the + Y side of the projection area PA3 and a position in the Y direction of the taper portion formed on the −Y side of the projection area PA4. Are arranged to overlap.

投影光学系PL1及びPL3の投影領域PA1及びPA3は、X方向に関して等しい位置に配置されている。同様に、投影光学系PL2及びPL4の投影領域PA2及びPA4は、X方向に関して等しい位置に配置されている。また、マスクMの回転進行方向に関して円筒面40aの円周方向に沿った第一領域から第二領域までの間隔(すなわち、第一投影光学系の視野領域から第二投影光学系の視野領域までの間隔)Dmは、円筒面40aの半径(実質的には保持部40の半径)をRとすると、本実施形態の場合、円筒面40aの周方向の寸法の半分(πR)に等しい。また、本実施形態では、第一投影光学系及び第二投影光学系は、第一投影領域(投影領域PA1及びPA3)と第二投影領域(投影領域PA2及びPA4)との間のX方向の直線間隔DLと、第一投影光学系及び第二投影光学系の投影倍率βと、間隔Dmとが、DL≦β×Dmを満足するように配置されている。さらに、経路調整装置ADJの移動部85は、後述のように、第一投影領域から第二投影領域までの基板FBの経路長Dp(図7参照)が、Dp=β×Dmを満足するように配置される。   Projection areas PA1 and PA3 of projection optical systems PL1 and PL3 are arranged at equal positions in the X direction. Similarly, the projection areas PA2 and PA4 of the projection optical systems PL2 and PL4 are arranged at equal positions in the X direction. Further, the interval from the first region to the second region along the circumferential direction of the cylindrical surface 40a with respect to the rotation traveling direction of the mask M (that is, from the field region of the first projection optical system to the field region of the second projection optical system). In the present embodiment, the distance Dm is equal to half of the circumferential dimension of the cylindrical surface 40a (πR), where R is the radius of the cylindrical surface 40a (substantially the radius of the holding portion 40). In the present embodiment, the first projection optical system and the second projection optical system are arranged in the X direction between the first projection area (projection areas PA1 and PA3) and the second projection area (projection areas PA2 and PA4). The linear interval DL, the projection magnification β of the first projection optical system and the second projection optical system, and the interval Dm are arranged so as to satisfy DL ≦ β × Dm. Furthermore, as will be described later, the moving unit 85 of the path adjusting device ADJ causes the path length Dp (see FIG. 7) of the substrate FB from the first projection area to the second projection area to satisfy Dp = β × Dm. Placed in.

次に、上記のように構成された基板処理装置FPAを用いて有機EL素子、液晶表示素子などの表示素子(電子デバイス)を製造する工程を説明する。基板処理装置FPAは、制御部CONTの制御に従って、当該表示素子を製造する。   Next, a process of manufacturing a display element (electronic device) such as an organic EL element or a liquid crystal display element using the substrate processing apparatus FPA configured as described above will be described. The substrate processing apparatus FPA manufactures the display element according to the control of the control unit CONT.

まず、不図示のローラーに巻き付けられた帯状の基板FBを基板供給部SUに取り付ける。制御部CONTは、この状態から基板供給部SUから当該基板FBが送り出されるように、不図示のローラーを回転させる。そして、基板処理部PRを通過した当該基板FBを基板回収部CLに設けられた不図示のローラーで巻き取らせる。この基板供給部SU及び基板回収部CLを制御することによって、基板FBの被処理面Fpを基板処理部PRに対して連続的に搬送することができる。   First, a belt-like substrate FB wound around a roller (not shown) is attached to the substrate supply unit SU. The controller CONT rotates a roller (not shown) so that the substrate FB is sent out from the substrate supply unit SU from this state. And the said board | substrate FB which passed the board | substrate process part PR is wound up with the roller not shown provided in the board | substrate collection | recovery part CL. By controlling the substrate supply unit SU and the substrate recovery unit CL, the processing surface Fp of the substrate FB can be continuously transferred to the substrate processing unit PR.

制御部CONTは、基板FBが基板供給部SUから送り出されてから基板回収部CLで巻き取られるまでの間に、基板処理部PRの搬送装置30によって基板FBを当該基板処理部PR内で適宜搬送させつつ、処理装置10によって表示素子の構成要素を基板FB上に順次形成させる。この工程の中で、露光装置EXによって処理を行う場合、まず保持部40にマスクMを取り付ける。   The control unit CONT appropriately transfers the substrate FB within the substrate processing unit PR by the transfer device 30 of the substrate processing unit PR after the substrate FB is sent out from the substrate supply unit SU until it is wound up by the substrate recovery unit CL. While being conveyed, the processing device 10 sequentially forms the constituent elements of the display element on the substrate FB. In this process, when processing is performed by the exposure apparatus EX, first, the mask M is attached to the holding unit 40.

次に、制御部CONTは、照明装置IUからマスクMのパターンPmに対して露光光ELIを照射させる。投影光学系PLは、当該パターンPmの像を投影領域PA1〜PA4に対して投影する。   Next, the control unit CONT irradiates the exposure light ELI to the pattern Pm of the mask M from the illumination device IU. The projection optical system PL projects the image of the pattern Pm onto the projection areas PA1 to PA4.

図6に示すように、投影領域PA1〜PA4は、基板FBのうち第一ステージ81及び第二ステージ82の基板支持面81a及び82a上に配置された部分に形成される。基板FBの当該部分は、基板支持面81a及び82aに倣って平坦にされている。投影領域PA1〜PA4は、平坦にされた基板FB上に形成される。   As shown in FIG. 6, the projection areas PA1 to PA4 are formed in portions of the substrate FB that are disposed on the substrate support surfaces 81a and 82a of the first stage 81 and the second stage 82. The portion of the substrate FB is flattened along the substrate support surfaces 81a and 82a. The projection areas PA1 to PA4 are formed on the flattened substrate FB.

制御部CONTは、まず、保持部40の上流側(−X側)において露光処理を行わせる。制御部CONTは、照明光学系IL1及びIL3から露光光ELIをそれぞれパターンP1及びP3に照射させる。このとき、図7に示すように、パターンP1及びパターンP3は、円筒面40aの−X側に位置する第一領域MA1(すなわち、投影光学系PL1及びPL3の視野領域)に配置された状態で露光光ELIが照射される。   First, the control unit CONT performs an exposure process on the upstream side (−X side) of the holding unit 40. The controller CONT irradiates the patterns P1 and P3 with the exposure light ELI from the illumination optical systems IL1 and IL3, respectively. At this time, as shown in FIG. 7, the pattern P1 and the pattern P3 are arranged in the first area MA1 (that is, the field area of the projection optical systems PL1 and PL3) located on the −X side of the cylindrical surface 40a. Exposure light ELI is irradiated.

パターンP1及びP3に照射された露光光ELIは、それぞれパターンP1及びP3で反射され、投影光学系PL1及びPL3に入射される。投影光学系PL1及びPL3を介した露光光ELIは、それぞれ投影領域PA1及びPA3に照射される。この動作により、投影領域PA1及びPA3にはパターンP1及びP3の拡大像がそれぞれ投影される。   The exposure light ELI irradiated to the patterns P1 and P3 is reflected by the patterns P1 and P3, respectively, and enters the projection optical systems PL1 and PL3. Exposure light ELI through projection optical systems PL1 and PL3 is irradiated to projection areas PA1 and PA3, respectively. By this operation, enlarged images of the patterns P1 and P3 are projected onto the projection areas PA1 and PA3, respectively.

この状態で、制御部CONTは、駆動装置ACMによって保持部40を回転させつつ、基板FBを+X方向に搬送させる。基板FBを+X方向に搬送する。この動作により、基板FBのうちY方向に離れた2つの領域が、投影領域PA1及びPA2に投影されるパターンP1及びP2の像によって+X側から−X側へと順に露光され、基板FBにX軸方向に沿った帯状の露光領域PB1及びPB3が形成される。このとき、制御部CONTは、円筒面40aに沿ったマスクMの移動速度(周速度)に対する基板FBの長さ方向への移動速度の比が、第一投影光学系の投影倍率(拡大倍率)と等しくなるように、保持部40の回転速度と基板FBの移動速度とを調整しつつ、駆動装置ACM及び駆動装置ACFに当該動作を行わせる。   In this state, the control unit CONT transports the substrate FB in the + X direction while rotating the holding unit 40 by the driving device ACM. The substrate FB is transported in the + X direction. By this operation, two regions of the substrate FB separated in the Y direction are sequentially exposed from the + X side to the −X side by the images of the patterns P1 and P2 projected onto the projection regions PA1 and PA2, and the substrate FB is exposed to X. Band-shaped exposure regions PB1 and PB3 along the axial direction are formed. At this time, the control unit CONT determines that the ratio of the moving speed in the length direction of the substrate FB to the moving speed (circumferential speed) of the mask M along the cylindrical surface 40a is the projection magnification (enlargement magnification) of the first projection optical system. The driving device ACM and the driving device ACF are caused to perform the operation while adjusting the rotation speed of the holding unit 40 and the moving speed of the substrate FB so as to be equal to each other.

続いて、制御部CONTは、基板FBの移動にともない露光領域PB1及びPB3の+X側端部が投影領域PA2及びPA4と等しいX方向位置に到達したら、次に保持部40の下流側(+X側)において露光処理を行わせる。制御部CONTは、照明光学系IL2及びIL4から露光光ELIをそれぞれパターンP2及びP4に照射させる。パターンP2及びP4を介した露光光ELIは、投影光学系PL2及びPL4に入射する。このとき、図7に示すように、パターンP2及びパターンP4は、円筒面40aの+X側に位置する第二領域MA2(すなわち、投影光学系PL2及びPL4の視野領域)に配置された状態で露光光ELIが照射される。   Subsequently, when the + X side end portions of the exposure areas PB1 and PB3 reach the X direction position equal to the projection areas PA2 and PA4 as the substrate FB moves, the control unit CONT next moves to the downstream side (+ X side) of the holding unit 40. ) To perform an exposure process. The controller CONT irradiates the patterns P2 and P4 with the exposure light ELI from the illumination optical systems IL2 and IL4, respectively. Exposure light ELI through patterns P2 and P4 is incident on projection optical systems PL2 and PL4. At this time, as shown in FIG. 7, the pattern P2 and the pattern P4 are exposed in a state where they are arranged in the second area MA2 located on the + X side of the cylindrical surface 40a (that is, the visual field area of the projection optical systems PL2 and PL4). Light ELI is irradiated.

投影光学系PL2及びPL4を介した露光光ELIは、投影領域PA2及びPA4に照射される。投影領域PA2及びPA4には、パターンP2及びP4の拡大像がそれぞれ投影される。これによって、基板FBのうちY方向に離れた2つの領域が、それぞれパターンP2の像及びP4の像によって+X側から−X側へと順に露光され、X軸方向に沿った帯状の露光領域PB2,PB4が基板FBに形成される。このとき、露光領域PB2の−Y側の端部及び+Y側の端部は、それぞれ露光領域PB1の+Y側の端部及び露光領域PB3の−Y側の端部に重なった状態で露光され、露光領域PB4の−Y側の端部は、露光領域PB3の+Y側の端部に重なった状態で露光される。   The exposure light ELI that has passed through the projection optical systems PL2 and PL4 is applied to the projection areas PA2 and PA4. Enlarged images of the patterns P2 and P4 are projected on the projection areas PA2 and PA4, respectively. As a result, two regions of the substrate FB separated in the Y direction are exposed sequentially from the + X side to the −X side by the image of the pattern P2 and the image of P4, respectively, and a strip-shaped exposure region PB2 along the X-axis direction. , PB4 are formed on the substrate FB. At this time, the −Y side end and the + Y side end of the exposure area PB2 are exposed in a state where they overlap the + Y side end of the exposure area PB1 and the −Y side end of the exposure area PB3, respectively. The exposure area PB4 is exposed in the state where the end on the −Y side overlaps the end on the + Y side of the exposure area PB3.

本実施形態では、基板FB上には、投影領域PA1〜PA4に投影される単独の像のみによって露光される部分と、投影領域PA1に投影される像の一部と投影領域PA2に投影される像の一部とによって露光される部分と、投影領域PA2に投影される像の一部と投影領域PA3に投影される像の一部とによって露光される部分と、投影領域PA3に投影される像の一部と投影領域PA4に投影される像の一部とによって露光される部分と、が形成されることになる。このように露光動作を行うことにより、基板FB上には、パターンP1〜P4を短手方向に相互に連結したパターンの拡大像に対応する露光パターンPfが形成されることになる。   In the present embodiment, on the substrate FB, a portion exposed by only a single image projected onto the projection areas PA1 to PA4, a part of the image projected onto the projection area PA1, and a projection area PA2 are projected. A portion exposed by a portion of the image, a portion exposed by a portion of the image projected on the projection region PA2 and a portion of the image projected on the projection region PA3, and a portion projected by the projection region PA3 A part to be exposed is formed by a part of the image and a part of the image projected onto the projection area PA4. By performing the exposure operation in this way, an exposure pattern Pf corresponding to an enlarged image of the pattern in which the patterns P1 to P4 are interconnected in the short direction is formed on the substrate FB.

制御部CONTは、上記露光動作を行う際、保持部40の回転速度及び基板FBの搬送速度を調整することに加えて、図7に示すように、投影領域PA1及びP3から投影領域PA2及びP4までの基板FBの搬送経路の経路長Dpを経路調整装置ADJに調整させる。当該経路長Dpは、投影領域PA1及びP3から投影領域PA2及びP4までのX方向に沿った間隔DLとは必ずしも一致しない。経路調整装置ADJの移動部85によって基板FBの搬送経路が曲げられる場合には、経路長Dpは間隔DLよりも大きくなる。   When the exposure operation is performed, the control unit CONT adjusts the rotation speed of the holding unit 40 and the conveyance speed of the substrate FB, and, as shown in FIG. 7, the projection areas PA1 and P3 to the projection areas PA2 and P4. The path adjusting device ADJ adjusts the path length Dp of the transport path of the substrate FB up to this point. The path length Dp does not necessarily coincide with the distance DL along the X direction from the projection areas PA1 and P3 to the projection areas PA2 and P4. When the transport path of the substrate FB is bent by the moving unit 85 of the path adjusting device ADJ, the path length Dp becomes larger than the interval DL.

制御部CONTは、パターンP1及びP3に露光光ELIが照射されるときの第一領域MA1とパターンP2及びP4に露光光ELIが照射されるときの第二領域MA2との間隔Dmと、投影光学系PL1〜PL4の投影倍率βとに基づいて基板FBの経路長Dpを調整する。   The control unit CONT has a distance Dm between the first region MA1 when the exposure light ELI is irradiated on the patterns P1 and P3 and the second region MA2 when the exposure light ELI is irradiated on the patterns P2 and P4, and projection optics. The path length Dp of the substrate FB is adjusted based on the projection magnification β of the systems PL1 to PL4.

具体的には、制御部CONTは、間隔Dmと、投影倍率βと、経路長Dpとが、Dp=Dm×βの関係を満足するように当該経路長Dpを調整する。ここで、間隔Dmとは、マスクMの回転進行方向に、第一領域MA1のうち円筒面40aの円周方向の中心から、第二領域MA2のうち円筒面40aの円周方向の中心までの円周方向に沿った距離である。
したがって、本実施形態では、円筒面40aの円周の半径をRとすると、Dm=πRとなる。よって、制御部CONTは、Dp=πR×βを満たすように経路長Dpを調整する。
なお、Dm=πRが満足される場合に限定されず、一般には、間隔Dmは、間隔Dmに対応する円筒面40aの円弧の中心角φ(ラジアン)を用いてDm=φ×Rとなる。この場合、制御部CONTは、Dp=φ×R×βを満たすように経路長Dpを調整する。
Specifically, the control unit CONT adjusts the path length Dp so that the interval Dm, the projection magnification β, and the path length Dp satisfy the relationship Dp = Dm × β. Here, the distance Dm refers to the rotation direction of the mask M from the center in the circumferential direction of the cylindrical surface 40a in the first region MA1 to the center in the circumferential direction of the cylindrical surface 40a in the second region MA2. The distance along the circumferential direction.
Therefore, in this embodiment, when the radius of the circumference of the cylindrical surface 40a is R, Dm = πR. Therefore, the control unit CONT adjusts the path length Dp so as to satisfy Dp = πR × β.
In addition, it is not limited to the case where Dm = πR is satisfied, and in general, the interval Dm is Dm = φ × R using the central angle φ (radian) of the circular arc of the cylindrical surface 40a corresponding to the interval Dm. In this case, the control unit CONT adjusts the path length Dp so as to satisfy Dp = φ × R × β.

基板FBが搬送ローラー83から搬送ローラー84までの間でX方向に沿って直線状に搬送される場合、経路長Dpは投影領域PA1及びPA3と投影領域PA2及びPA4との間隔DLに等しくなる(Dp=DL)。これに対して、間隔DL,Dm及び投影倍率βがDL=β×Dmを満足する場合、制御部CONTは、駆動機構86によって移動部85を基板FBから退避させ、搬送ローラー83から搬送ローラー84までの間で基板FBを直線状に搬送させる状態を維持する。一方、間隔DL,Dm及び投影倍率βがDL<β×Dmを満足する場合には、制御部CONTは、駆動機構86により移動部85を+Z側に移動させ、搬送ローラー83から搬送ローラー84までの間における基板FBの搬送経路を迂回させることにより経路長Dpを増大させ、Dp=β×Dmを満足させる。移動部85の移動距離と、経路長Dpの変化量との関係については、予め設計値として決定されるか、あるいは実験やシミュレーションなどによって求められる。制御部CONTは、その関係に基づいて最適な経路長Dpとなるように移動部85を移動させる。また、制御部CONTは、経路長Dpを計測する不図示の計測装置の計測結果に基づいて、Dp=β×Dmが満足されるように移動部85を移動させることもできる。   When the substrate FB is transported linearly along the X direction between the transport roller 83 and the transport roller 84, the path length Dp is equal to the distance DL between the projection areas PA1 and PA3 and the projection areas PA2 and PA4 ( Dp = DL). On the other hand, when the distances DL and Dm and the projection magnification β satisfy DL = β × Dm, the control unit CONT retracts the moving unit 85 from the substrate FB by the drive mechanism 86, and the transport roller 83 to the transport roller 84. Until the substrate FB is conveyed in a straight line. On the other hand, when the distances DL and Dm and the projection magnification β satisfy DL <β × Dm, the control unit CONT moves the moving unit 85 to the + Z side by the driving mechanism 86 and moves from the transport roller 83 to the transport roller 84. The path length Dp is increased by detouring the transfer path of the substrate FB during the period, and Dp = β × Dm is satisfied. The relationship between the moving distance of the moving unit 85 and the amount of change in the path length Dp is determined in advance as a design value, or is obtained by experiments or simulations. Based on the relationship, the control unit CONT moves the moving unit 85 so that the optimum path length Dp is obtained. Further, the control unit CONT can move the moving unit 85 so that Dp = β × Dm is satisfied based on the measurement result of a measurement device (not shown) that measures the path length Dp.

また、制御部CONTは、第一投影光学系(投影光学系PL1及びPL3)が備える平行平板ガラスHVと、第二投影光学系(投影光学系PL2及びPL4)が備える平行平板ガラスHVとの少なくとも一方を、図示しない駆動装置によって、それぞれ対応する軸線HVa回りに回転させることで、第一投影光学系によるパターンPmの像の投影位置(すなわち、第一投影領域)と第二投影光学系によるパターンPmの像の投影位置(すなわち、第二投影領域)の少なくとも一方をX方向に移動させ、経路長Dpを変化させることができる。このため、制御部CONTは、経路調整装置として平行平板ガラスHVを用いて、Dp=β×Dmが満足されるように経路長Dpを調整することができる。   The control unit CONT includes at least a parallel flat glass HV included in the first projection optical system (projection optical systems PL1 and PL3) and a parallel flat glass HV included in the second projection optical system (projection optical systems PL2 and PL4). One is rotated about a corresponding axis HVa by a driving device (not shown), so that the projection position of the image of the pattern Pm by the first projection optical system (that is, the first projection area) and the pattern by the second projection optical system The path length Dp can be changed by moving at least one of the projection positions (that is, the second projection area) of the Pm image in the X direction. For this reason, the control part CONT can adjust the path length Dp so that Dp = β × Dm is satisfied using the parallel flat glass HV as the path adjusting device.

さらに、制御部CONTは、経路調整装置ADJと平行平板ガラスHVとを併用して経路長Dpを調整することもできる。この場合、制御部CONTは、例えば、経路調整装置ADJによって経路長Dpの粗調整を行い、平行平板ガラスHVによって経路長Dpの微調整をすることができる。   Further, the control unit CONT can adjust the path length Dp by using the path adjusting device ADJ and the parallel flat glass HV together. In this case, for example, the control unit CONT can perform rough adjustment of the path length Dp by the path adjustment device ADJ and fine adjustment of the path length Dp by the parallel flat glass HV.

なお、平行平板ガラスHVの回転量と、経路長Dpの変化量との関係については、予め設計値として決定されるか、あるいは実験やシミュレーションなどによって求められる。
制御部CONTは、その関係に基づいて所望の経路長Dpとなるように平行平板ガラスHVを回転させることができる。また、制御部CONTは、経路長Dpを計測する不図示の計測装置の計測結果に基づいて、平行平板ガラスHVを回転させることができる。
The relationship between the amount of rotation of the parallel flat glass HV and the amount of change in the path length Dp is determined in advance as a design value, or is obtained by experiments or simulations.
Based on the relationship, the control unit CONT can rotate the parallel flat glass HV so as to have a desired path length Dp. Moreover, the control part CONT can rotate the parallel flat glass HV based on the measurement result of the measurement apparatus not shown which measures the path length Dp.

以上のように、本実施形態の露光装置EXは、基板搬送装置FSTが、第一投影領域(投影領域PA1及びPA3)と第二投影領域(投影領域PA2及びPA4)との間における基板FBの搬送経路の経路長Dpを調整する経路調整装置ADJを含むこととしたので、第一投影領域において基板FBに転写されるパターンP1及びP3(ひいては、露光領域PB1及びPB3)と、第二投影領域において基板FBに転写されるパターンP2及びP4(ひいては、露光領域PB2及びPB4)とを簡便に、かつ高精度に位置合わせすることができる。これにより、露光装置EXは、帯状の基板FBに表示素子等のデバイスを効率的に製造することができる。   As described above, in the exposure apparatus EX of the present embodiment, the substrate transport apparatus FST has the substrate FB between the first projection area (projection areas PA1 and PA3) and the second projection area (projection areas PA2 and PA4). Since the path adjustment device ADJ for adjusting the path length Dp of the transport path is included, the patterns P1 and P3 (and thus the exposure areas PB1 and PB3) transferred to the substrate FB in the first projection area, and the second projection area The patterns P2 and P4 (and thus the exposure areas PB2 and PB4) transferred to the substrate FB can be simply and accurately aligned. Thereby, the exposure apparatus EX can efficiently manufacture devices such as display elements on the strip-shaped substrate FB.

本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
上記実施形態では、投影光学系PL(PL1〜PL4)として拡大光学系(β>0)が用いられた例を説明したが、これに限られることは無く、例えば投影光学系PL(PL1〜PL4)として、等倍光学系(β=1)が用いられた構成とすることができる。この場合、マスクMに形成されるパターンPmは、図8に示すように、パターンP1〜P4が1つに接続された状態で形成されることになる。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
In the above-described embodiment, the example in which the magnifying optical system (β> 0) is used as the projection optical system PL (PL1 to PL4) has been described. ), An equal-magnification optical system (β = 1) can be used. In this case, the pattern Pm formed on the mask M is formed in a state where the patterns P1 to P4 are connected together as shown in FIG.

また、上記実施形態では、マスクMとして、照明装置IUからの露光光ELIを反射する反射型のマスクMを用いた構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば露光光ELIを透過する透過型のマスクを用いても構わない。また、上記実施形態では、円筒状の保持部40に可撓性を有するシート状のマスクMを取り付け可能に保持させる構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば円筒状のマスクMの円筒外周面に直接パターンが形成されている構成のマスクを用いても構わない。   In the above-described embodiment, the configuration using the reflective mask M that reflects the exposure light ELI from the illumination device IU as an example has been described as the mask M. However, the present invention is not limited to this. A transmissive mask that transmits light ELI may be used. In the above-described embodiment, the configuration in which the flexible sheet-like mask M is held in the cylindrical holding portion 40 so as to be attachable is described as an example. However, the present invention is not limited to this. A mask having a configuration in which a pattern is directly formed on the cylindrical outer peripheral surface of the mask M may be used.

上記実施形態の露光装置EXの光源としては、例えばg線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)、YAGレーザの第3高調波(波長355nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)、F2レーザ(157nm)などを用いることができる。   As a light source of the exposure apparatus EX of the above embodiment, for example, g-line (436 nm), h-line (405 nm), i-line (365 nm), third harmonic of YAG laser (wavelength 355 nm), KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F2 laser (157 nm), or the like can be used.

また、前述した実施形態においては、有機EL表示素子を製造する場合を例に挙げて説明したが、もちろん、有機EL表示素子の製造に用いられる露光装置だけではなく、例えば、液晶表示素子の製造に用いられる露光装置にも本発明を適用することができる。帯状の基板に表示素子等のデバイスを製造するために用いる露光装置であれば、本発明は、種々のデバイスの製造に用いることができる。   In the above-described embodiment, the case where an organic EL display element is manufactured has been described as an example. Of course, not only an exposure apparatus used for manufacturing an organic EL display element but also a liquid crystal display element is manufactured, for example. The present invention can also be applied to an exposure apparatus used for the above. As long as the exposure apparatus is used for manufacturing a device such as a display element on a belt-like substrate, the present invention can be used for manufacturing various devices.

次に本発明の一実施形態による露光装置をリソグラフィー工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図9は、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを製造する際の製造工程の一部を示すフローチャートである。まず、図9のステップS10において、帯状の基板に金属膜が蒸着される。次のステップS12において、その基板の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップS14において、露光装置EXを用いて、マスクM上のパターンの像が投影装置PU(投影光学系PL1〜PL4)を介して、その基板の各ショット領域に順次露光転写される(転写工程)。   Next, an embodiment of a manufacturing method of a micro device using an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention in a lithography process will be described. FIG. 9 is a flowchart showing a part of a manufacturing process when manufacturing a semiconductor device as a micro device. First, in step S10 of FIG. 9, a metal film is deposited on a belt-like substrate. In the next step S12, a photoresist is applied on the metal film of the substrate. Thereafter, in step S14, the image of the pattern on the mask M is sequentially exposed and transferred to each shot area of the substrate via the projection unit PU (projection optical systems PL1 to PL4) using the exposure apparatus EX (transfer). Process).

その後、ステップS16において、その基板のフォトレジストの現像(現像工程)が行われた後、ステップS18において、レジストパターンを介してその基板のエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、その基板の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く効率的に製造することができる。   Thereafter, in step S16, the photoresist on the substrate is developed (development process), and then in step S18, the substrate is etched through the resist pattern, whereby a circuit pattern corresponding to the pattern on the mask is obtained. Are formed in each shot region of the substrate. Thereafter, a device pattern such as a semiconductor element is manufactured by forming a circuit pattern of an upper layer. According to the semiconductor device manufacturing method described above, a semiconductor device having an extremely fine circuit pattern can be efficiently manufactured with high throughput.

また、露光装置EXでは、帯状の基板に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を製造することもできる。以下、図10のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。図10は、マイクロデバイスとしての液晶表示素子の製造する際の製造工程の一部を示すフローチャートである。   In the exposure apparatus EX, a liquid crystal display element as a micro device can also be manufactured by forming a predetermined pattern (circuit pattern, electrode pattern, etc.) on a belt-like substrate. Hereinafter, an example of the technique at this time will be described with reference to the flowchart of FIG. FIG. 10 is a flowchart showing a part of a manufacturing process when manufacturing a liquid crystal display element as a micro device.

図10中のパターン形成工程S20では、本実施形態の露光装置EXを用いてマスクMのパターンを感光性基板(例えば、レジストが塗布されたガラス製もしくはプラスティック製の基板)に転写露光する、所謂光リソグラフィー工程が実行される。この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。
その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レチクル剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程S22へ移行する。
In the pattern forming step S20 in FIG. 10, the pattern of the mask M is transferred and exposed to a photosensitive substrate (for example, a glass or plastic substrate coated with a resist) using the exposure apparatus EX of the present embodiment. An optical lithography process is performed. By this photolithography process, a predetermined pattern including a large number of electrodes and the like is formed on the photosensitive substrate.
Thereafter, the exposed substrate undergoes steps such as a development step, an etching step, and a reticle peeling step, whereby a predetermined pattern is formed on the substrate, and the process proceeds to the next color filter forming step S22.

次に、カラーフィルタ形成工程S22では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、又はR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程S22の後に、セル組み立て工程S24が実行される。セル組み立て工程S24では、パターン形成工程S20にて得られた所定パターンを有する基板、及びカラーフィルタ形成工程S22にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。   Next, in the color filter forming step S22, a large number of sets of three dots corresponding to R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a matrix or three of R, G, and B A color filter is formed by arranging a plurality of stripe filter sets in the horizontal scanning line direction. And cell assembly process S24 is performed after color filter formation process S22. In the cell assembly step S24, a liquid crystal panel (liquid crystal cell) is assembled using the substrate having the predetermined pattern obtained in the pattern formation step S20 and the color filter obtained in the color filter formation step S22.

セル組み立て工程S24では、例えば、パターン形成工程S20にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程S22にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。その後、モジュール組立工程S26にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く効率的に製造することができる。   In the cell assembling step S24, for example, liquid crystal is injected between the substrate having the predetermined pattern obtained in the pattern forming step S20 and the color filter obtained in the color filter forming step S22. ). Thereafter, in a module assembly step S26, components such as an electric circuit and a backlight for performing a display operation of the assembled liquid crystal panel (liquid crystal cell) are attached to complete the liquid crystal display element. According to the above-described method for manufacturing a liquid crystal display element, a liquid crystal display element having an extremely fine circuit pattern can be efficiently manufactured with high throughput.

FPA…基板処理装置 FB…基板 CONT…制御部 EX…露光装置 M…マスク MST…マスク移動装置 PU…投影装置 PL(PL1〜PL4)…投影光学系 FST…基板搬送装置 ELI…露光光 Pm(P1〜P4)…パターン PA(PA1〜PA4)…投影領域 ADJ…経路調整装置 DL…間隔 Dp…経路長 Dm…間隔
β…投影倍率 LS…レンズ LH…レンズホルダ 10…処理装置 81…第一ステージ 82…第二ステージ 85…移動部 86…駆動機構 180…ステージ機構
DESCRIPTION OF SYMBOLS FPA ... Substrate processing apparatus FB ... Substrate CONT ... Control part EX ... Exposure apparatus M ... Mask MST ... Mask moving apparatus PU ... Projection apparatus PL (PL1-PL4) ... Projection optical system FST ... Substrate conveyance apparatus ELI ... Exposure light Pm (P1) ... P4) Pattern PA (PA1 to PA4) Projection area ADJ Path adjustment device DL Space Dp Path length Dm Space β Projection magnification LS Lens LH Lens holder 10 Processing device 81 First stage 82 ... second stage 85 ... moving part 86 ... drive mechanism 180 ... stage mechanism

Claims (12)

所定の円筒面に沿ってパターンを有するマスクを前記円筒面の円周方向に回転させつつ前記パターンを基板に転写する露光装置であって、
前記パターンのうち前記円筒面の第一領域に位置する第一部分パターンの像を第一投影領域に投影する第一投影光学系と、
前記パターンのうち前記第一領域から前記円周方向に沿って間隔を置いた第二領域に位置する第二部分パターンの像を、前記第一投影領域と異なる第二投影領域に投影する第二投影光学系と、
前記マスクの前記円周方向への回転に同期して、前記第一投影領域及び前記第二投影領域を経由するように前記基板を搬送する基板搬送装置と、を備え、
前記搬送装置は、前記第一投影領域と前記第二投影領域との間における前記基板の搬送経路の経路長を調整する経路調整装置を含む
露光装置。
An exposure apparatus for transferring the pattern to a substrate while rotating a mask having a pattern along a predetermined cylindrical surface in a circumferential direction of the cylindrical surface,
A first projection optical system that projects an image of a first partial pattern located in the first region of the cylindrical surface of the pattern onto the first projection region;
A second projection of an image of a second partial pattern located in a second area spaced from the first area along the circumferential direction in the pattern onto a second projection area different from the first projection area. A projection optical system;
A substrate transport device that transports the substrate through the first projection region and the second projection region in synchronization with the rotation of the mask in the circumferential direction;
The transport apparatus includes a path adjustment device that adjusts a path length of a transport path of the substrate between the first projection area and the second projection area.
前記経路調整装置は、前記円筒面の円周方向に沿った前記第一領域と前記第二領域との間隔と、前記第一投影光学系及び前記第二投影光学系の投影倍率と、に基づいて前記経路長を調整する
請求項1に記載の露光装置。
The path adjusting device is based on an interval between the first region and the second region along a circumferential direction of the cylindrical surface, and projection magnifications of the first projection optical system and the second projection optical system. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the path length is adjusted.
前記経路調整装置は、前記円筒面の円周方向に沿った前記第一領域と前記第二領域との間隔Dmと、前記第一投影光学系及び前記第二投影光学系の投影倍率βと、前記第一投影領域と前記第二投影領域との間における前記経路長DpとがDp=Dm×βの関係を満足するように前記経路長を調整する
請求項2に記載の露光装置。
The path adjusting device includes a distance Dm between the first region and the second region along a circumferential direction of the cylindrical surface, a projection magnification β of the first projection optical system and the second projection optical system, The exposure apparatus according to claim 2, wherein the path length is adjusted so that the path length Dp between the first projection area and the second projection area satisfies a relationship of Dp = Dm × β.
前記経路調整装置は、前記第一投影領域と前記第二投影領域との間隔に基づいて前記経路長を調整する
請求項2又は3に記載の露光装置。
The exposure apparatus according to claim 2, wherein the path adjustment apparatus adjusts the path length based on an interval between the first projection area and the second projection area.
前記経路調整装置は、前記基板を支持して前記基板の表面に交差する方向に移動可能な移動部を有する
請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載の露光装置。
5. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the path adjustment device includes a moving unit that supports the substrate and is movable in a direction intersecting the surface of the substrate.
前記移動部は、円筒状に形成され、円周方向に回転可能に設けられ、前記基板の搬送方向に回転するように配置されている
請求項5に記載の露光装置。
The exposure apparatus according to claim 5, wherein the moving unit is formed in a cylindrical shape, is provided so as to be rotatable in a circumferential direction, and is arranged so as to rotate in a conveyance direction of the substrate.
前記第一投影光学系は、複数の第一単位光学系を含み、
前記第一投影領域は、複数の前記第一単位光学系による複数の第一単位領域を含み、
複数の前記第一単位光学系は、複数の前記第一単位領域が前記基板の搬送方向に交差する方向に並ぶように配置されている
請求項1から請求項6のうちいずれか一項に記載の露光装置。
The first projection optical system includes a plurality of first unit optical systems,
The first projection region includes a plurality of first unit regions by the plurality of first unit optical systems,
7. The plurality of first unit optical systems are arranged such that the plurality of first unit regions are arranged in a direction intersecting a transport direction of the substrate. Exposure equipment.
前記第二投影光学系は、複数の第二単位光学系を含み、
前記第二投影領域は、複数の前記第二単位光学系による複数の第二単位領域を含み、
複数の前記第二単位光学系は、複数の前記第二単位領域が前記基板の搬送方向に交差する方向に並ぶように配置されている
請求項1から請求項7のうちいずれか一項に記載の露光装置。
The second projection optical system includes a plurality of second unit optical systems,
The second projection region includes a plurality of second unit regions by the plurality of second unit optical systems,
8. The plurality of second unit optical systems are arranged so that the plurality of second unit regions are arranged in a direction intersecting the transport direction of the substrate. 9. Exposure equipment.
前記第一投影光学系は、複数の第一単位光学系を含み、
前記第一投影領域は、複数の前記第一単位光学系による複数の第一単位領域を含み、
前記第二投影光学系は、複数の第二単位光学系を含み、
前記第二投影領域は、複数の前記第二単位光学系による複数の第二単位領域を含み、
複数の前記第一単位光学系及び複数の前記第二単位光学系は、前記第一単位領域と前記第二単位領域とが前記基板の搬送方向に交差する方向に交互に並ぶように配置されている
請求項1から請求項8のうちいずれか一項に記載の露光装置。
The first projection optical system includes a plurality of first unit optical systems,
The first projection region includes a plurality of first unit regions by the plurality of first unit optical systems,
The second projection optical system includes a plurality of second unit optical systems,
The second projection region includes a plurality of second unit regions by the plurality of second unit optical systems,
The plurality of first unit optical systems and the plurality of second unit optical systems are arranged so that the first unit regions and the second unit regions are alternately arranged in a direction intersecting the transport direction of the substrate. The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 8.
複数の前記第一単位光学系及び複数の前記第二単位光学系は、前記基板の搬送方向に交差する方向において前記第一単位領域と前記第二単位領域との位置が一部重なるように配置されている
請求項9に記載の露光装置。
The plurality of first unit optical systems and the plurality of second unit optical systems are arranged so that the positions of the first unit region and the second unit region partially overlap in a direction intersecting the transport direction of the substrate. The exposure apparatus according to claim 9.
帯状の基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を該基板の長手方向に搬送する基板搬送部と、
前記基板搬送部による前記基板の搬送経路に沿って設けられ、該搬送経路に沿って搬送される前記基板を処理する基板処理部と、を備え、
前記基板処理部は、前記基板にパターンを転写する請求項1から請求項10のうちいずれか一項に記載の露光装置を有する
基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a band-shaped substrate,
A substrate transfer section for transferring the substrate in the longitudinal direction of the substrate;
A substrate processing section that is provided along a transport path of the substrate by the substrate transport section and that processes the substrate transported along the transport path;
The substrate processing apparatus having the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 10, wherein the substrate processing unit transfers a pattern to the substrate.
基板を処理してデバイスを製造するデバイス製造方法であって、
請求項1から請求項10のうちいずれか一項に記載の露光装置を用いて、前記基板にパターンを転写することと、
前記パターンが転写された前記基板を該パターンに基づいて加工することと、
を含むデバイス製造方法。
A device manufacturing method for manufacturing a device by processing a substrate,
Using the exposure apparatus according to claim 1 to transfer a pattern to the substrate;
Processing the substrate to which the pattern is transferred based on the pattern;
A device manufacturing method including:
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