JP2011216734A - Adhesive sheet for processing semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、薄型半導体ウエハを加工する際に使用される、放射線硬化型の粘着剤層を有する半導体ウエハ加工用粘着シートに関する。 The present invention relates to a semiconductor wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet having a radiation curable pressure-sensitive adhesive layer, which is used when processing a thin semiconductor wafer.
従来から、ダイパッド上に所定の回路パターンが形成された半導体チップを接着剤で固定することにより、半導体集積回路は製造されている。このとき使用される半導体チップは、例えば以下の方法により製造されている。
（１）高純度シリコン単結晶をスライスして半導体ウエハとした後、該ウエハ表面にＩＣなどの所定の回路パターンを形成する。
（２）半導体ウエハ回路面を保護する表面保護テープを貼合して、形成された回路面を保護した上で、該ウエハ裏面を研削機により研削して、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度まで薄くし、その後表面保護テープを回路面から剥離する。
（３）半導体ウエハの直径よりもやや大きな中空部分を有する輪状のダイシングフレームにダイシングシートを貼合し、該フレームの中空部分に露出した粘着剤層に前記研削機で研削されたウエハ裏面を貼合する。
（４）ダイシングシートが貼合された面とは反対側（すなわち、回路が形成された側）からダイシングして半導体チップとし、紫外線などの放射線を照射してダイシングシートの粘着剤層の粘着力を低下させて、該チップをダイシングシートの基材フィルム側からニードルで突き上げてピックアップを行う。
Conventionally, a semiconductor integrated circuit has been manufactured by fixing a semiconductor chip having a predetermined circuit pattern formed on a die pad with an adhesive. The semiconductor chip used at this time is manufactured by the following method, for example.
(1) After slicing a high-purity silicon single crystal to obtain a semiconductor wafer, a predetermined circuit pattern such as an IC is formed on the wafer surface.
(2) A surface protection tape for protecting the circuit surface of the semiconductor wafer is bonded to protect the formed circuit surface, and then the back surface of the wafer is ground by a grinder to reduce the thickness of the wafer to about 100 to 600 μm. Then, the surface protection tape is peeled off from the circuit surface.
(3) A dicing sheet is bonded to a ring-shaped dicing frame having a hollow portion slightly larger than the diameter of the semiconductor wafer, and the back surface of the wafer ground by the grinding machine is bonded to the adhesive layer exposed in the hollow portion of the frame. Match.
(4) Dicing from the side opposite to the surface on which the dicing sheet is bonded (that is, the side on which the circuit is formed) to form a semiconductor chip, which is irradiated with radiation such as ultraviolet rays, and the adhesive strength of the adhesive layer of the dicing sheet The chip is pushed up from the substrate film side of the dicing sheet with a needle and picked up.
この工程に使用されるダイシングシートは、ダイシング加工中に剥離しない程度の粘着力が必要である一方で、ダイシング後のピックアップ時には、半導体チップを容易に剥離できる程度の低い粘着力でダイシングシートから剥離でき、チップ裏面に粘着剤をはじめとする汚染物質が付着しないことが必要とされる。
一方、近年、直径３００ｍｍの大口径のウエハから厚さ１００μｍ以下の薄型の半導体チップを得ることが主流となっている。そこでこの薄型ウエハからいかに問題なく半導体チップを得ることが重要な課題である。
The dicing sheet used in this process requires an adhesive strength that does not peel during dicing, while it is peeled from the dicing sheet with a low adhesive strength that can easily peel the semiconductor chip when picking up after dicing. It is necessary that the contaminants including the adhesive do not adhere to the back surface of the chip.
On the other hand, in recent years, it has become mainstream to obtain a thin semiconductor chip having a thickness of 100 μm or less from a large-diameter wafer having a diameter of 300 mm. Therefore, it is an important issue to obtain a semiconductor chip without any problem from this thin wafer.
これに対する解決方法の１つとして、上記の（１）〜（３）までを連続装置内で行う、いわゆるインライン製造装置や（２）と（３）の工程を速やかに行う製造方法などが提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。例えばインライン製造装置では、（２）のウエハ裏面の研削工程と（３）のウエハ裏面へのダイシングシートの貼合工程が連続で行われる。このため、インライン製造装置内では半導体ウエハや半導体チップの破損を少なくすることができる。この装置では、ウエハ裏面の酸化被膜が生成する前に、ダイシングシートを貼合させる。しかし、従来の製造工程では、ダイシングシートをウエハ裏面に酸化被膜が生成した後に貼合されていたので、この場合にはうまく剥離できた従来の粘着剤層を有するダイシングシートをインライン製造装置で同様に使用してもうまく剥離できないという問題が生じることとなった。
As one solution to this problem, a so-called in-line manufacturing apparatus in which the above (1) to (3) are performed in a continuous apparatus, a manufacturing method in which the steps (2) and (3) are performed quickly, and the like have been proposed. (For example, see
また他の解決方法の１つとして、ダイパッド上に半導体チップを固定する際に使用される接着剤をフィルム状に成形したものを、予めダイシングテープの粘着剤層に積層した、いわゆるダイシングダイボンドシートが提案されている。このダイシングダイボンドシートを使用する際には、通常のダイシングシートと同様にウエハ裏面に貼合されるが、粘着剤層とともに接着剤層もダイシングされる。このシートには接着剤層が貼合されているため、テープ全体の強度が増し、シート自体が薄型ウエハの強度を補強する効果を有する。このため薄型ウエハのダイシングをうまく行うことができる。しかし、ダイシング終了後に接着剤層は半導体チップ裏面に残して、接着剤層と粘着剤層間で剥さなければならない。そこで粘着剤層として特定の放射線硬化型のものを用いたシートが使われている。最近、ダイシング工程後の放射線照射量を上げ、半導体チップの製造工程のスピードアップが行われている。しかし放射線照射量が多いと発熱量が多く、ダイシング工程後の放射線照射工程で発生した熱により接着剤層と粘着剤層との剥離が困難になるという問題が生じている。 As another solution, there is a so-called dicing die bond sheet in which an adhesive used for fixing a semiconductor chip on a die pad is formed into a film and laminated in advance on an adhesive layer of a dicing tape. Proposed. When using this dicing die-bonding sheet, it is bonded to the back surface of the wafer in the same manner as a normal dicing sheet, but the adhesive layer is also diced together with the pressure-sensitive adhesive layer. Since the adhesive layer is bonded to this sheet, the strength of the entire tape is increased and the sheet itself has the effect of reinforcing the strength of the thin wafer. For this reason, dicing of a thin wafer can be performed well. However, after the dicing is completed, the adhesive layer must be left on the back surface of the semiconductor chip and peeled off between the adhesive layer and the adhesive layer. Therefore, a sheet using a specific radiation-curing type is used as the pressure-sensitive adhesive layer. Recently, the radiation dose after the dicing process is increased to speed up the semiconductor chip manufacturing process. However, if the radiation dose is large, the calorific value is large, and there is a problem that it is difficult to peel off the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer due to the heat generated in the radiation irradiation step after the dicing step.
本発明は、ウエハ裏面直後にダイシングシートを貼合させる装置においても、ダイシング工程終了後容易に剥離でき、汚染物質の付着を低減できる半導体ウエハ加工用粘着シートを提供することを課題とする。
また本発明は、粘着剤層上にさらに接着剤層が設けられた半導体ウエハ加工用粘着シートにより、接着剤層と粘着剤層とをピックアップ工程で容易に剥離して、接着剤層付きの半導体チップを得ることができる半導体ウエハ加工用粘着シートを提供することを課題とする。
This invention makes it a subject to provide the adhesive sheet for semiconductor wafer processing which can peel easily after completion | finish of a dicing process also in the apparatus which bonds a dicing sheet immediately after a wafer back surface, and can reduce adhesion of a contaminant.
In addition, the present invention provides a semiconductor with an adhesive layer by easily peeling the adhesive layer and the adhesive layer in a pickup process by using an adhesive sheet for processing a semiconductor wafer in which an adhesive layer is further provided on the adhesive layer. It is an object of the present invention to provide a pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer that can obtain a chip.
本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、ベース樹脂に放射線重合性化合物と特定の分子量の光重合開始剤を含有する樹脂組成物の放射線重合性の粘着剤層を用いれば、上記課題を解決できることを見出した。本発明はその知見に基づきなされたものである。
すなわち、本発明は、
＜１＞放射線透過性の基材樹脂フィルムと、該基材樹脂フィルム上に粘着剤層が形成された半導体ウエハ加工用粘着シートであって、該粘着剤層がベース樹脂１００質量部に対し、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有する重量平均分子量が１０，０００以下の化合物１〜３００質量部、ゲル透過クロマトグラフィ（以下、「ＧＰＣ」という）法によって、ポリスチレンを標準物質として換算された重量平均分子量が１０００未満の光重合開始剤０．１〜１０質量部を含有する放射線硬化性樹脂組成物を用いた層で構成されることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着シート、
＜２＞前記光重合開始剤が、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニル−ケトン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、および下記一般式（１）で表されるオリゴマー
からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする＜１＞記載の半導体ウエハ加工用粘着シート、
＜３＞前記一般式（１）で表されるオリゴマーの重合度がｎ＝２〜４であることを特徴とする＜２＞記載の半導体ウエハ加工用粘着シート、及び
＜４＞＜１＞〜＜３＞記載の半導体ウエハ加工用粘着シートの粘着剤層上に、さらに接着剤層が設けられたことを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着シート、
を提供するものである。
As a result of earnestly examining the above problems, the present inventors have used the above-mentioned problems when using a radiation polymerizable adhesive layer of a resin composition containing a radiation polymerizable compound and a photopolymerization initiator having a specific molecular weight in the base resin. It was found that can be solved. The present invention has been made based on the findings.
That is, the present invention
<1> A radiation-transmitting base resin film, and an adhesive sheet for processing a semiconductor wafer in which an adhesive layer is formed on the base resin film, wherein the adhesive layer is based on 100 parts by mass of the base resin. 1 to 300 parts by weight of a compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule and a weight average molecular weight of 10,000 or less, and polystyrene standard by gel permeation chromatography (hereinafter referred to as “GPC”) method Adhesive for processing semiconductor wafers comprising a layer using a radiation curable resin composition containing 0.1 to 10 parts by mass of a photopolymerization initiator having a weight average molecular weight of less than 1000 converted as a substance Sheet,
<2> The photopolymerization initiator is 1-hydroxy-cyclohexylphenyl-ketone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2 -Morpholinopropan-1-one and an oligomer represented by the following general formula (1)
The pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer according to <1>, which is at least one selected from the group consisting of:
<3> The degree of polymerization of the oligomer represented by the general formula (1) is n = 2 to 4, and the pressure-sensitive adhesive sheet for processing semiconductor wafers according to <2>, and <4><1> to A pressure-sensitive adhesive sheet for processing semiconductor wafers, wherein an adhesive layer is further provided on the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet for processing semiconductor wafers according to <3>.
Is to provide.
本発明の半導体ウエハ加工用粘着シートにより、ウエハ裏面直後にダイシングシートを貼合させる装置に使用する際に、ダイシング工程終了後容易に剥離でき、汚染物質の付着を著しく少なくできる。
また本発明の粘着剤層上にさらに接着剤層が設けられた半導体ウエハ加工用粘着シートにより、接着剤層と粘着剤層とをピックアップ工程で容易に剥離して、接着剤層付きの半導体チップを得ることができる。
When the adhesive sheet for processing a semiconductor wafer of the present invention is used in an apparatus for laminating a dicing sheet immediately after the back surface of the wafer, it can be easily peeled off after the dicing process is completed, and the adhesion of contaminants can be remarkably reduced.
Moreover, the adhesive layer and the adhesive layer are easily peeled off in the pickup process by the semiconductor wafer processing adhesive sheet further provided with the adhesive layer on the adhesive layer of the present invention. Can be obtained.
図面を参照して本発明の好ましい半導体ウエハ加工用粘着シートについて説明する。
図１は本発明の半導体ウエハ加工用粘着シートの好ましい一実施形態を示す概略断面図であり、基材樹脂フィルム１と、基材樹脂フィルム１上に粘着剤層２が形成されている。また図２は本発明の半導体ウエハ加工用粘着シートの好ましい他の一実施形態を示す概略断面図である。図２においては、基材樹脂フィルム１と、基材樹脂フィルム１上に粘着剤層２が形成され、さらに接着剤層３が形成されている。
A preferred adhesive sheet for processing a semiconductor wafer of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of an adhesive sheet for processing a semiconductor wafer of the present invention, in which a
本発明における粘着剤層は、ベース樹脂に特定の配合量の放射線重合性化合物とともに特定の光重合開始剤が特定の配合量で含有された放射線硬化性樹脂組成物で構成されている。本発明の半導体ウエハ加工用粘着シートを用いて、ダイシング加工終了後、後述の放射線透過性の基材樹脂フィルム側から放射線を照射して、粘着剤層の粘着力を低減させる。これにより、問題なく半導体チップのピックアップを可能にする。図２に示すように、粘着剤層上に接着剤層が形成された半導体ウエハ加工用粘着シートでも同様に、後述の放射線透過性の基材樹脂フィルム側から放射線を照射して、粘着剤層の粘着力を低減させる。この場合は接着剤層と粘着剤層との界面で剥離することにより、接着剤層付きの半導体チップを得て、そのままダイパッド上に固定することができる。 The pressure-sensitive adhesive layer in the present invention is composed of a radiation-curable resin composition in which a specific photopolymerization initiator is contained in a specific blending amount together with a specific blending amount of a radiation-polymerizable compound in a base resin. Using the pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer of the present invention, after the dicing process is completed, radiation is irradiated from the side of the below-described radiation-transmissive base resin film to reduce the pressure-sensitive adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer. As a result, the semiconductor chip can be picked up without any problem. As shown in FIG. 2, the pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer in which an adhesive layer is formed on the pressure-sensitive adhesive layer is also irradiated with radiation from the side of the below-described radiation-transmissive base resin film, and the pressure-sensitive adhesive layer Reduce the adhesive strength. In this case, by peeling at the interface between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer, a semiconductor chip with an adhesive layer can be obtained and fixed on the die pad as it is.
図１に示す、本発明の半導体ウエハ加工用粘着シートは、半導体ウエハの裏面研削終了後速やかに該裏面に貼合した場合でも、放射線照射後のピックアップ工程で問題なく剥離することができる。研削終了直後の半導体ウエハ表面は、自然酸化膜が全面的に形成されておらず、未酸化状態の活性な原子が存在する活性面となっている。この場合でも本発明の半導体ウエハ加工用粘着シートは、放射線照射後、問題なく剥離することができ、粘着剤成分に起因する汚染物の付着を著しく少なくすることができる。
また図２に示す、粘着剤層上にさらに接着剤層が設けられた本発明の半導体ウエハ加工用粘着シートは、ダイシング工程終了後の放射線照射で発生した熱により、粘着剤層と接着剤層との剥離に問題が生じるということがない。
The adhesive sheet for semiconductor wafer processing of the present invention shown in FIG. 1 can be peeled off without any problems in the pick-up process after radiation irradiation even when it is bonded to the back surface immediately after finishing the back surface grinding of the semiconductor wafer. The surface of the semiconductor wafer immediately after the end of the grinding is an active surface in which a natural oxide film is not entirely formed and active atoms in an unoxidized state are present. Even in this case, the pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer of the present invention can be peeled off without any problem after irradiation, and the adhesion of contaminants due to the pressure-sensitive adhesive component can be remarkably reduced.
Further, the pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer according to the present invention, in which an adhesive layer is further provided on the pressure-sensitive adhesive layer, is shown in FIG. 2 by the heat generated by radiation irradiation after the dicing process is completed. There is no problem in peeling off.
本発明の粘着剤層を構成する放射線硬化性樹脂組成物に使用されるベース樹脂は、特に限定されず、従来から公知のものを広く使用できる。例えば、天然ゴム、各種の合成ゴムなどのゴム系ポリマー、あるいはポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとこれと共重合可能な他の不飽和単量体との共重合物などのアクリル系ポリマーを使用することができる。 The base resin used in the radiation curable resin composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer of the present invention is not particularly limited, and conventionally known resins can be widely used. For example, natural rubber, rubber-based polymers such as various synthetic rubbers, or poly (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid alkyl ester and other non-polymerizable copolymers thereof. Acrylic polymers such as copolymers with saturated monomers can be used.
上記の粘着剤層を構成する放射線硬化性樹脂組成物中に、ポリイソシアネート化合物、アルキルエーテル化メラミン化合物、エポキシ系化合物、シランカップリング剤などの従来から使用されている硬化剤を含ませることができる。硬化剤を配合した樹脂組成物とすることにより、初期の粘着力を任意の値に設定することができる。硬化剤の中でもイソシアネート系硬化剤を使用することが好ましい。
イソシアネート系硬化剤としては、具体的には多価イソシアネート化合物、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、リジンイソシアネートなどが用いられる。
It is possible to include conventionally used curing agents such as polyisocyanate compounds, alkyl etherified melamine compounds, epoxy compounds, silane coupling agents in the radiation curable resin composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer. it can. By setting it as the resin composition which mix | blended the hardening | curing agent, the initial stage adhesive force can be set to arbitrary values. Among the curing agents, it is preferable to use an isocyanate curing agent.
Specific examples of the isocyanate curing agent include polyvalent isocyanate compounds such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, and diphenylmethane. -4,4'-diisocyanate, diphenylmethane-2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, Lysine isocyanate and the like are used.
本発明の粘着剤層を構成する放射線硬化性樹脂組成物には、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有する重量平均分子量が１０，０００以下の化合物が配合される。本発明における分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有する重量平均分子量が１０，０００以下の化合物は、放射線の照射により硬化して三次元網状化するものであれば特に制限なく使用することができる。この化合物には、重量平均分子量が１０，０００以下のオリゴマーを含み、重量平均分子量が１０，００００を越える高分子重合体を含まないものとする。放射線の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、分子量が５，０００以下でかつ分子内の放射線重合性の炭素−炭素二重結合の数が２〜６個であるものが好ましい。
なお、本発明における分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有する低分子量化合物の重量平均分子量とは、下記条件のＧＰＣ（ゲルーパーミエーション クロマトグラフ）で測定されたポリスチレン換算の重量平均分子量のことをいう。
（重量平均分子量の測定条件）
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ（商品名、東ソー社製）
カラム ：ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｇ２５００ＨＨＲ（商品名、東ソー社製）
流量 ：１ｍｌ／ｍｉｎ
濃度 ：０．２ｍｇ／ｍｌ
注入量 ：１００μｌ、
恒温槽温度：４０℃
移動相 ：クロロホルム
放射線重合性化合物としては、たとえば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オルガノポリシロキサン組成物、市販のオリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートなどが挙げられる。
The radiation curable resin composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer of the present invention is blended with a compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule and having a weight average molecular weight of 10,000 or less. In the present invention, a compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule and having a weight average molecular weight of 10,000 or less is particularly limited as long as it is cured by irradiation with radiation to form a three-dimensional network. It can be used without. This compound includes an oligomer having a weight average molecular weight of 10,000 or less and does not include a high molecular weight polymer having a weight average molecular weight exceeding 10,000. The molecular weight is 5,000 or less and the number of radiation-polymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule is 2 to 6 so that the three-dimensional network of the pressure-sensitive adhesive layer can be efficiently formed by radiation irradiation. Those are preferred.
In addition, the weight average molecular weight of the low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule in the present invention is a polystyrene equivalent measured by GPC (gel permeation chromatography) under the following conditions. It refers to the weight average molecular weight.
(Measurement conditions for weight average molecular weight)
GPC device: HLC-8120GPC (trade name, manufactured by Tosoh Corporation)
Column: TSK-GEL G2500HHR (trade name, manufactured by Tosoh Corporation)
Flow rate: 1 ml / min
Concentration: 0.2 mg / ml
Injection volume: 100 μl,
Thermostatic bath temperature: 40 ° C
Mobile phase: Chloroform As the radiation polymerizable compound, for example, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1 , 4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, organopolysiloxane composition, commercially available oligoester acrylate, urethane acrylate, and the like.
分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有する重量平均分子量が１０，０００以下の化合物は、１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。配合量は、ベース樹脂１００質量部に対し、１〜３００質量部である。好ましくは、ベース樹脂１００質量部に対し、３０〜２００質量部、さらに好ましくは、５０〜１５０質量部である。この量が少なすぎると、粘着剤層の放射線の照射による三次元網状化が不十分となり、半導体ウエハ加工用粘着シートをウエハから剥離しにくくなり、ウエハを汚染するおそれがある。この量が多すぎると、放射線による重合反応が過度に進み、放射線の照射による硬化収縮が発生する。その結果、粘着剤層が被着体の表面に追従して食い込み、ダイシング後の半導体チップをピックアップする際に、ピックアップしにくくなる。また、放射線重合性化合物の量が多すぎると、粘着剤層の形状を保持しにくくなり、厚み精度が悪くなるなどの問題がある。 A compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule and having a weight average molecular weight of 10,000 or less may be used alone or in combination of two or more. A compounding quantity is 1-300 mass parts with respect to 100 mass parts of base resins. Preferably, it is 30-200 mass parts with respect to 100 mass parts of base resin, More preferably, it is 50-150 mass parts. If the amount is too small, three-dimensional reticulation by irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer becomes insufficient, the semiconductor wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet becomes difficult to peel from the wafer, and the wafer may be contaminated. If this amount is too large, the polymerization reaction due to radiation proceeds excessively and curing shrinkage due to radiation irradiation occurs. As a result, the pressure-sensitive adhesive layer follows the surface of the adherend and becomes difficult to pick up when picking up the semiconductor chip after dicing. Moreover, when there is too much quantity of a radiation polymerizable compound, there exists a problem that it becomes difficult to hold | maintain the shape of an adhesive layer and thickness accuracy worsens.
光重合開始剤としては、ゲル透過クロマトグラフィ（以下、「ＧＰＣ」という）法によって、ポリスチレンを標準物質として換算された重量平均分子量が１０００未満のものを用いる。
なお本発明においては、光重合開始剤の重量平均分子量は、下記条件のＧＰＣで測定された値をいうものとする。
（重量平均分子量の測定条件）
ＧＰＣ装置：島津製作所製 ＬＣＶＰシリーズ
カラム：ＯｌｉｇｏＰｏｒｅ ３００×７．５（商品名）（商品名、ＰｏｌｙｍｅｒＬａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ製）
流量： １ ｍｌ／ｍｉｎ、
濃度： １ｍｇ／ｍｌ
注入量： ５０μｌ、
カラム温度：４０℃
展開溶媒：クロロホルム
As the photopolymerization initiator, those having a weight average molecular weight of less than 1000 converted to polystyrene as a standard substance by gel permeation chromatography (hereinafter referred to as “GPC”) method are used.
In the present invention, the weight average molecular weight of the photopolymerization initiator is a value measured by GPC under the following conditions.
(Measurement conditions for weight average molecular weight)
GPC device: LCVP series manufactured by Shimadzu Corporation Column: OligoPore 300 × 7.5 (trade name) (trade name, manufactured by Polymer Laboratories)
Flow rate: 1 ml / min,
Concentration: 1 mg / ml
Injection volume: 50 μl,
Column temperature: 40 ° C
Developing solvent: Chloroform
光重合開始剤は光や紫外線などの放射線を照射により、ラジカルを発生し、粘着剤層中に含まれる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有する重量平均分子量が１０，０００以下の化合物の硬化反応を促す。光重合開始剤のポリスチレン換算でのＧＰＣによる重量平均分子量が大きすぎると粘着剤層中での光重合開始剤の分散に問題が生じ、発生したラジカルの移動が速やかに行われにくくなり、効率のよい硬化反応を進行させることができなくなる。この場合、必要以上に高照度の放射線を照射する必要が生じ、発熱により、粘着剤層と被着体との密着性を効果的に低下させることが困難になる。
その場合の現象について、図面を参照して説明すると、図１に示すように、基材樹脂フィルム１に粘着剤層２が形成された半導体ウエハ加工用粘着シート１０の場合には、半導体チップのピックアップに支障が生じる。また図２に示すように、基材樹脂フィルム１に粘着剤層２が設けられ、さらに接着剤層３が形成された半導体ウエハ加工用粘着シート２０の場合には、接着剤層３と粘着剤層２との剥離を円滑に行うことが困難となる。
光重合開始剤のポリスチレン換算でのＧＰＣによる重量平均分子量の上限は好ましくは８００、さらに好ましくは６００である。
The photopolymerization initiator generates radicals by irradiation with light such as light and ultraviolet rays, and has a weight average molecular weight of 10 having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule contained in the pressure-sensitive adhesive layer. Accelerates curing reaction of 000 or less compounds. If the weight average molecular weight by GPC in terms of polystyrene of the photopolymerization initiator is too large, there will be a problem in the dispersion of the photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive layer, and it will be difficult for the generated radicals to move quickly and the efficiency of A good curing reaction cannot proceed. In this case, it becomes necessary to irradiate radiation with higher illuminance than necessary, and it becomes difficult to effectively reduce the adhesion between the pressure-sensitive adhesive layer and the adherend due to heat generation.
The phenomenon in that case will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, in the case of the
The upper limit of the weight average molecular weight by GPC in terms of polystyrene of the photopolymerization initiator is preferably 800, more preferably 600.
光重合開始剤のポリスチレン換算でのＧＰＣによる重量平均分子量の下限については特に制限はないが、２００以上であることが好ましい。分子量が小さいと、昇華しやすくなり、粘着剤層から非着体層への移行が顕著になることでウエハを汚染しやすくなる。また粘着剤層の耐熱性が悪くなり、製造時の基材塗工後の乾燥工程において分解しやすくなる。そのため安定した硬化反応を示さなくなることがある。 Although there is no restriction | limiting in particular about the minimum of the weight average molecular weight by GPC in polystyrene conversion of a photoinitiator, It is preferable that it is 200 or more. When the molecular weight is small, it becomes easy to sublimate, and the shift from the pressure-sensitive adhesive layer to the non-adherent layer becomes remarkable, so that the wafer is easily contaminated. In addition, the heat resistance of the pressure-sensitive adhesive layer is deteriorated, and the pressure-sensitive adhesive layer is easily decomposed in the drying step after the base material is coated during production. Therefore, a stable curing reaction may not be exhibited.
光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２，４，６−トリメチルベンゾフェン、４−フェニルベンゾフェノン、ｔ−ブチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシル−フェニルケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオニル）ベンジル］フェニル｝−２−メチルプロパン−１−オン、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン、
下記一般式（１）で表されるオリゴマーを挙げることができる。
（Ｒはアルキル基を表す。ｎは整数である。）
Examples of the photopolymerization initiator include benzophenone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone, 2,4,6-trimethylbenzophene, 4-phenylbenzophenone, t-butylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1-hydroxycyclohexyl-phenyl ketone, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, Benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -Butano -1, diethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, 2-hydroxy-1- {4- [4- ( 2-hydroxy-2-methylpropionyl) benzyl] phenyl} -2-methylpropan-1-one, 2- (dimethylamino) -2-[(4-methylphenyl) methyl] -1- [4- (4- Morpholinyl) phenyl] -1-butanone,
Examples include oligomers represented by the following general formula (1).
(R represents an alkyl group. N is an integer.)
上記の光重合開始剤の中でも昇華しにくく、汚染の残存物が発生しにくい優れた光重合開始剤として、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（分子量２６０）、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン（分子量２８０）、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニル−ケトン（分子量２０５）を挙げることができる。
前記一般式（１）のオリゴマーは、重合度ｎ＝２〜４（分子量４００〜７００）のものが好ましく、重合度ｎ＝２〜３の（分子量４００〜５００）ものがさらに好ましい。
Among the above photopolymerization initiators, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one (molecular weight 260), 2 is an excellent photopolymerization initiator that hardly sublimes and hardly generates residue of contamination. -Methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropan-1-one (molecular weight 280), 1-hydroxy-cyclohexylphenyl-ketone (molecular weight 205).
The oligomer of the general formula (1) preferably has a polymerization degree n = 2 to 4 (molecular weight 400 to 700), and more preferably has a polymerization degree n = 2 to 3 (molecular weight 400 to 500).
光重合開始剤は、ベース樹脂１００質量部に対し、０．１〜１０質量部配合する。好ましくはベース樹脂１００質量部に対して、１〜１０質量部配合するのが好ましく、さらに好ましくは、２〜７質量部である。光重合開始剤が少なすぎると粘着剤層の放射線の照射による三次元網状化が不十分となり、うまく接着剤層と剥離できなかったり、半導体チップを汚染する原因となる。また、光重合開始剤が多すぎると、それに見合った効果が得られないばかりか、ウエハにこの光重合開始剤が残留するおそれがある。
必要により、上記の光重合開始剤を２種以上併用してもよい。使用される光重合開始剤のそれぞれのＧＰＣによる重量平均分子量が１０００未満であればよい。またトリエチルアミン、テトラエチルペンタアミン、ジメチルアミノエタノ―ルなどのアミン化合物やチオキサントン系の光重合開始剤を光重合促進剤として併用することもできる。
0.1-10 mass parts of photoinitiators are mix | blended with respect to 100 mass parts of base resins. Preferably, 1 to 10 parts by mass is blended with respect to 100 parts by mass of the base resin, and more preferably 2 to 7 parts by mass. When the amount of the photopolymerization initiator is too small, the pressure-sensitive adhesive layer is not sufficiently three-dimensionally formed by irradiation with radiation, and cannot be peeled off from the adhesive layer well, or the semiconductor chip is contaminated. Moreover, when there are too many photoinitiators, the effect corresponding to it may not be acquired, but there exists a possibility that this photoinitiator may remain on a wafer.
If necessary, two or more of the above photopolymerization initiators may be used in combination. The weight average molecular weight by each GPC of the photoinitiator used should just be less than 1000. Also, amine compounds such as triethylamine, tetraethylpentamine, dimethylaminoethanol, and thioxanthone photopolymerization initiators can be used in combination as photopolymerization accelerators.
放射線硬化性樹脂組成物には、必要に応じ、半導体ウエハに対する粘着力を調整するため、粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤、その他の改質剤や慣用成分を含ませることもできる。ただし、界面活性剤や界面活性を示す化合物などは、半導体ウエハを汚染することもあるので、使用する場合はなるべく少ない方が好ましい。 If necessary, the radiation curable resin composition may contain a tackifier, a tackifier, a surfactant, other modifiers, and conventional components in order to adjust the adhesion to the semiconductor wafer. However, since surfactants and compounds showing surface activity may contaminate the semiconductor wafer, it is preferable to use as few as possible.
本発明においては、基材樹脂フィルム上に、上記のベース樹脂、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有する重量平均分子量が１０，０００以下の化合物、特定の光重合開始剤、必要により架橋剤およびその他の配合剤成分を含有する放射線重合性樹脂組成物を、直接塗布し加熱乾燥するか、又は剥離紙上に一旦塗布し乾燥させた後に基材樹脂フィルム上に転写することにより、粘着剤層が放射線重合性樹脂組成物を用いた層で構成された半導体ウエハ加工用粘着シートを製造することができる。
粘着剤層の厚さに特に制限はない。通常、粘着剤層の厚さが通常５〜１００μｍとするように、粘着剤層を形成して、シート状、テープ状などの半導体ウエハ加工用粘着シートとする。
放射線としては、アルファ線、ガンマ線、電子線、紫外線等が使用でき、粘着剤層を硬化させることにより、粘着力を低下させることができるものであれば特に限定するものではない。電子線、紫外線が好ましく、光重合開始剤を使用したときは紫外線がさらに好ましい。
In the present invention, on the base resin film, the above base resin, a compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule and a weight average molecular weight of 10,000 or less, specific photopolymerization start A radiation-polymerizable resin composition containing an agent, and if necessary, a crosslinking agent and other compounding ingredients, is directly applied and dried by heating, or once applied to release paper and dried, and then transferred onto a base resin film. By this, the adhesive sheet for semiconductor wafer processing by which the adhesive layer was comprised by the layer using a radiation polymerizable resin composition can be manufactured.
There is no restriction | limiting in particular in the thickness of an adhesive layer. Usually, the pressure-sensitive adhesive layer is formed so that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is usually 5 to 100 μm to obtain a pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer such as a sheet or tape.
As the radiation, alpha rays, gamma rays, electron beams, ultraviolet rays, and the like can be used, and there is no particular limitation as long as the adhesive strength can be reduced by curing the adhesive layer. Electron beams and ultraviolet rays are preferred, and ultraviolet rays are more preferred when a photopolymerization initiator is used.
本発明の半導体ウエハ加工用粘着シートとして、図２に示すように、基材樹脂フィルム１に粘着剤層２を設け、さらにその上に接着剤層３を形成してもよい。基材樹脂フィルム上に粘着剤層、次いで接着剤層を形成する方法は特に限定されず、従来の方法に従って、基材樹脂フィルム上に粘着剤層を積層し、さらに粘着剤層上に接着剤層を積層すればよい。
この場合は、半導体ウエハ加工用粘着シートを研削後の半導体ウエハ裏面に貼合し、その後半導体ウエハの回路形成面側から、粘着剤と接着剤が同時にダイシング加工で切り込まれる。そして接着剤層付きの半導体チップを得ることができる。接着剤層３に使用される接着剤としては、従来のものを使用することができる。
As shown in FIG. 2, as the pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer of the present invention, a pressure-
In this case, the adhesive sheet for semiconductor wafer processing is bonded to the back surface of the semiconductor wafer after grinding, and then the adhesive and the adhesive are simultaneously cut by dicing from the circuit forming surface side of the semiconductor wafer. And a semiconductor chip with an adhesive layer can be obtained. As the adhesive used for the
接着剤層としては、接着剤を予めフィルム化したものを使用することができる。例えば、接着剤に使用される従来のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂などやこれらの混合物を使用することができる。
この中でも、硬化後の耐熱性が良い点で特にエポキシ樹脂を用いることが好ましい。エポキシ樹脂は硬化して接着作用を呈するものであればよい。ガラス転移温度（Ｔｇ）を高くして接着剤層の耐熱性を確保するために、多官能エポキシ樹脂を加えてもよい。多官能エポキシ樹脂としてはフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などを例示することができる。エポキシ樹脂の硬化剤は、通常、硬化剤として用いられているものであれば特に限定するものではなく、アミン系化合物、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三弗化硼素、フェノール性水酸基を１分子中に２個以上有する化合物であるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、及びビスフェノールＳなどが挙げられる。
特に吸湿時の耐電食性に優れるためフェノール樹脂であるフェノールノボラック樹脂やビスフェノールノボラック樹脂等を用いるのが好ましい。また、硬化剤とともに硬化促進剤を用いることが、硬化のための熱処理の時間を短縮できる点で好ましい。硬化促進剤としては、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテートといった各種イミダゾール類等の塩基が使用できる。
As the adhesive layer, an adhesive layer formed in advance can be used. For example, conventional polyimide resin, polyamide resin, polyetherimide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyesterimide resin, phenoxy resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene sulfide resin, polyether ketone used for adhesives Resins, chlorinated polypropylene resins, acrylic resins, polyurethane resins, epoxy resins, polyacrylamide resins, melamine resins, and the like, and mixtures thereof can be used.
Among these, it is particularly preferable to use an epoxy resin in terms of good heat resistance after curing. Any epoxy resin that cures and exhibits an adhesive action may be used. In order to increase the glass transition temperature (Tg) and ensure the heat resistance of the adhesive layer, a polyfunctional epoxy resin may be added. Examples of the polyfunctional epoxy resin include phenol novolac type epoxy resins and cresol novolac type epoxy resins. The epoxy resin curing agent is not particularly limited as long as it is usually used as a curing agent. One molecule of amine compound, polyamide, acid anhydride, polysulfide, boron trifluoride, phenolic hydroxyl group is used. Examples thereof include bisphenol A, bisphenol F, and bisphenol S, which are compounds having two or more compounds.
In particular, it is preferable to use phenol novolac resin, bisphenol novolac resin, or the like, which is a phenol resin, because of its excellent resistance to electric corrosion during moisture absorption. Moreover, it is preferable to use a curing accelerator together with the curing agent in terms of shortening the heat treatment time for curing. As a curing accelerator, bases such as various imidazoles such as 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate are used. it can.
また、半導体チップやリードフレームに対する接着力を強化するために、シランカップリング剤やチタンカップリング剤を添加剤として前記樹脂やその混合物に加えることが望ましい。また、耐熱性の向上や流動性の調節を目的にフィラーを添加してもよい。このようなフィラーとしては、例えば、シリカ、アルミナ、及びアンチモンの酸化物などを使用することができる。これらのフィラーは、最大粒子径が接着剤層の厚さよりも小さいものであれば任意の割合で配合して使用することができる。 Moreover, in order to strengthen the adhesive force with respect to a semiconductor chip or a lead frame, it is desirable to add a silane coupling agent or a titanium coupling agent as an additive to the resin or a mixture thereof. Further, a filler may be added for the purpose of improving heat resistance and adjusting fluidity. As such a filler, for example, silica, alumina, antimony oxide, and the like can be used. These fillers can be used by mixing at an arbitrary ratio as long as the maximum particle size is smaller than the thickness of the adhesive layer.
接着剤層の厚さは特に制限されるものではないが、通常、５〜１００μｍ程度が好ましい。また、接着剤層は粘着フィルムの粘着剤層の全面に積層してもよい。また予め貼り合わされる半導体ウエハに応じた形状に切断された（プリカットされた）接着剤層を粘着剤層の一部に積層してもよい。この場合、半導体ウエハが貼り合わされる部分には接着剤層があり、ダイシング用のリングフレームが貼り合わされる部分には接着剤層がなく粘着フィルムの粘着剤層のみが存在する形状となる。この形状とすることで、リングフレームには粘着剤層が貼合され、通常、被着体と剥離しにくい接着剤層は貼合されないので、本発明の半導体ウエハ加工用粘着シートは、使用後、リングフレームから容易に剥離することができる。 The thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but is usually preferably about 5 to 100 μm. Moreover, you may laminate | stack an adhesive bond layer on the whole surface of the adhesive layer of an adhesive film. Moreover, you may laminate | stack the adhesive layer cut | disconnected (pre-cut) in the shape according to the semiconductor wafer previously bonded together in a part of adhesive layer. In this case, there is an adhesive layer in the part where the semiconductor wafer is bonded, and there is no adhesive layer in the part where the ring frame for dicing is bonded, and only the pressure-sensitive adhesive layer of the adhesive film is present. By adopting this shape, the pressure-sensitive adhesive layer is bonded to the ring frame, and usually the adhesive layer that is difficult to peel off from the adherend is not bonded, so the pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer processing of the present invention is used after use It can be easily peeled from the ring frame.
本発明の半導体ウエハ加工用粘着シートは、剥離時に基材樹脂フィルム側から放射線を照射し、粘着剤層を硬化させるため、基材樹脂フィルムが放射線透過性であることが必要である。またウエハ加工時には切削刃などにより衝撃を受け、洗浄水などによる圧力受ける。このため、基材樹脂フィルムはこれらに耐え得る強度を有し、これらに適する材料と厚さが選択される。基材樹脂フィルムの粘着剤層形成面には、粘着剤層が基材樹脂フィルムから剥離しにくくするため、コロナ処理をはじめとする各種の表面処理を施しておくのが好ましい。 Since the adhesive sheet for semiconductor wafer processing of the present invention irradiates radiation from the base resin film side at the time of peeling and cures the adhesive layer, the base resin film needs to be radiolucent. Further, when processing a wafer, it receives an impact by a cutting blade or the like and receives a pressure from cleaning water or the like. For this reason, a base resin film has the intensity | strength which can endure these, and the material and thickness suitable for these are selected. The surface of the base resin film on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed is preferably subjected to various surface treatments including corona treatment in order to make the pressure-sensitive adhesive layer difficult to peel from the base resin film.
基材樹脂フィルムに使用される材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレ―ト、ポリブチレンテレフタレ―ト、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリウレタン、ポリメチルペンテン、ポリブタジエンなどのフィルムを挙げることができる。
基材樹脂フィルムの厚さは、３０〜５００μｍ、好ましくは４０〜３００μｍ、さらに好ましくは５０〜２００μｍである。この厚さが薄すぎると強度が弱くなるため、半導体ウエハ加工中の破断等による不具合が生じることがある。
一方、基材樹脂フィルムが厚すぎると、ダイシング工程終了後の半導体チップのピックアップ工程において、半導体ウエハ加工用粘着シートが硬すぎて、ニードルによる突き上げに支障を生じる。また、ダイシング工程が終了し、ピックアップ工程前のエキスパンド工程において、半導体ウエハ加工用粘着シートを十分延伸することが困難になる。そのため、半導体チップの間隙が小さく、画像によるチップ認識性が不十分となり、半導体チップのピックアップ不良が生じる。
Materials used for the base resin film include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, ethylene-vinyl acetate copolymer, polybutene-1. , Poly-4-methylpentene-1, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, polyurethane, polymethylpentene, polybutadiene and the like. it can.
The thickness of the base resin film is 30 to 500 μm, preferably 40 to 300 μm, and more preferably 50 to 200 μm. If this thickness is too thin, the strength will be weakened, which may cause problems due to breakage or the like during semiconductor wafer processing.
On the other hand, if the base resin film is too thick, the semiconductor wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet is too hard in the pick-up process of the semiconductor chip after the dicing process is completed, which causes a problem in pushing up with the needle. Moreover, the dicing process is completed, and it becomes difficult to sufficiently stretch the semiconductor wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet in the expanding process before the pickup process. For this reason, the gap between the semiconductor chips is small, the chip recognizability by the image is insufficient, and the pickup failure of the semiconductor chip occurs.
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
１．放射線硬化性樹脂組成物の調製
（１）粘着剤層を構成するベース樹脂
アクリル酸ｎ−ブチル８５質量部、アクリル酸エチル１０質量部およびアクリル酸５質量部を用いて、粘着剤層を構成するベース樹脂として、アクリル系共重合体を調製した。その重量平均分子量は６０万であった。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to these Examples.
1. Preparation of radiation curable resin composition (1) Base resin constituting pressure-sensitive adhesive layer A pressure-sensitive adhesive layer is formed using 85 parts by mass of n-butyl acrylate, 10 parts by mass of ethyl acrylate and 5 parts by mass of acrylic acid. An acrylic copolymer was prepared as a base resin. The weight average molecular weight was 600,000.
（２）分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有する重量平均分子量が１０，０００以下の化合物
ＵＮ−３３２０ＨＡ（商品名、根上工業製）、ＵＮ−９０００ＰＥＰ（商品名、根上工業製）、ＵＮ−６０５０ＰＴＭ（商品名、根上工業製）、ＵＮ−９０１Ｔ（商品名、根上工業製）、ＵＮ−９２００Ａ（商品名、根上工業製）を用いた。
使用した化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量と二重結合量を、以下の方法によって測定した。その結果は以下の通りであった。
ＵＮ−３３２０ＨＡ（商品名、根上工業製）：１５００（二重結合量：６）
ＵＮ−３３２０ＨＣ（商品名、根上工業製）：１５００（二重結合量：６）
ＵＮ−９０００ＰＥＰ（商品名、根上工業製）：５０００（二重結合量：２）
ＵＮ−６０５０ＰＴＭ（商品名、根上工業製）：６０００（二重結合量：２）
ＵＮ−９０１Ｔ（商品名、根上工業製）：４０００（二重結合量：９）
ＵＮ−９２００Ａ（商品名、根上工業製）：１１５００（二重結合量：２）
（重量平均分子量の測定条件）
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ（商品名、東ソー社製）
カラム ：ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｇ２５００ＨＨＲ（商品名、東ソー社製）
流量 ：１ｍｌ／ｍｉｎ
濃度 ：０．２ｍｇ／ｍｌ
注入量 ：１００μｌ、
恒温槽温度：４０℃
移動相 ：クロロホルム
（二重結合量の測定方法）
二重結合量
ＪＩＳ Ｋ ００７０ により、ヨウ素価を求め、その値から二重結合量を算出した。
(2) Compound UN-3320HA (trade name, manufactured by Negami Industrial Co., Ltd.) having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule and having a weight average molecular weight of 10,000 or less, UN-9000PEP (trade name, Negami) Industrial), UN-6050PTM (trade name, manufactured by Negami Kogyo), UN-901T (trade name, manufactured by Negami Kogyo), UN-9200A (trade name, manufactured by Negami Kogyo) were used.
The weight average molecular weight and double bond amount in terms of polystyrene of the used compound were measured by the following methods. The results were as follows.
UN-3320HA (trade name, manufactured by Negami Kogyo): 1500 (double bond amount: 6)
UN-3320HC (trade name, manufactured by Negami Kogyo): 1500 (double bond amount: 6)
UN-9000PEP (trade name, manufactured by Negami Kogyo): 5000 (double bond amount: 2)
UN-6050PTM (trade name, manufactured by Negami Kogyo): 6000 (double bond amount: 2)
UN-901T (trade name, manufactured by Negami Kogyo): 4000 (double bond amount: 9)
UN-9200A (trade name, manufactured by Negami Kogyo): 11500 (double bond amount: 2)
(Measurement conditions for weight average molecular weight)
GPC device: HLC-8120GPC (trade name, manufactured by Tosoh Corporation)
Column: TSK-GEL G2500HHR (trade name, manufactured by Tosoh Corporation)
Flow rate: 1 ml / min
Concentration: 0.2 mg / ml
Injection volume: 100 μl,
Thermostatic bath temperature: 40 ° C
Mobile phase: Chloroform (measurement method of double bond amount)
The amount of double bonds was calculated from the iodine value obtained by JIS K 0070.
（３）放射線硬化性樹脂組成物の調製
（１）のベース樹脂１００質量部に、表１〜表４記載の部数で、（２）記載の、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有する重量平均分子量が１０，０００以下の化合物及び光開始剤を配合し、さらに硬化剤としてポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン社製、商品名コロネートＬ）３質量部を配合して、表１〜表４の実施例及び比較例記載の放射線硬化性樹脂組成物を調製した。比較例１で使用した光開始剤の、ポリエチレングリコールユニット含有高分子アゾ重合開始剤としては、ＶＰＥ−０２０１（商品名、和光純薬工業社製）を用いた。
光開始剤の重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法により測定を行い、ポリスチレンを標準物質として、重量平均分子量を算出した。その結果を表１〜３に併せて示した。ゲル透過クロマトグラフィとしては、ＰｏｌｙｍｅｒＬａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ製のＯｌｉｇｏＰｏｒｅ ３００×７．５（商品名）を使用した。展開溶媒はクロロホルムを用い、４０℃で測定を行った。
(3) Preparation of radiation curable resin composition The photopolymerizable carbon-carbon double bond in the molecule described in (2) in 100 parts by mass of the base resin in (1) and in the number of parts described in Tables 1 to 4. A compound having a weight average molecular weight of 10,000 or less and a photoinitiator, and 3 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as a curing agent. 1- Radiation curable resin compositions described in Examples and Comparative Examples in Table 4 were prepared. As a photoinitiator used in Comparative Example 1, a polyethylene glycol unit-containing polymer azo polymerization initiator, VPE-0201 (trade name, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was used.
The weight average molecular weight of the photoinitiator was measured by a gel permeation chromatography (GPC) method, and the weight average molecular weight was calculated using polystyrene as a standard substance. The result was combined with Tables 1-3, and was shown. As gel permeation chromatography, OligoPore 300 × 7.5 (trade name) manufactured by Polymer Laboratories was used. The developing solvent was chloroform, and the measurement was performed at 40 ° C.
２．半導体ウエハ加工用粘着シートの作製（Ｉ）
ＥＭＭＡ樹脂（住友化学社製商品名、商品名：アクリフトＷＤ２０１）を用いて、Ｔダイ法により、厚さ１００μｍの基材樹脂フィルムを作製した。この基材樹脂フィルムに、実施例１〜１０、比較例１〜５に示された放射線硬化性樹脂組成物を塗工して適宜養生した。これにより、乾燥後の膜厚が１０μｍの粘着剤層を有する、図１に示す構成の半導体ウエハ加工用粘着シートを得た。
2. Preparation of pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer processing (I)
A base resin film having a thickness of 100 μm was produced by T-die method using EMMA resin (trade name, trade name: ACRIFT WD201 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.). The radiation curable resin compositions shown in Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 5 were applied to the base resin film and appropriately cured. Thereby, the adhesive sheet for semiconductor wafer processing of the structure shown in FIG. 1 which has an adhesive layer whose film thickness after drying is 10 micrometers was obtained.
３．半導体ウエハ加工用粘着シートの作製（ＩＩ）
（ａ）接着層を構成する接着剤組成物の調整
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂５０質量部、フェノール樹脂５０重量部に対し、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン３質量部及びγ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン５質量部、並びにフィラーとして球状シリカ３０重量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分混練した。
上記の組成物にアクリルゴム（重量平均分子量１５万）を３００量部、及び硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール１質量部を加え、攪拌混合し、真空脱気し、接着剤組成物を得た。
3. Preparation of adhesive sheet for semiconductor wafer processing (II)
(A) Adjustment of adhesive composition constituting
300 parts by weight of acrylic rubber (weight average molecular weight 150,000) and 1 part by weight of 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole as a curing accelerator are added to the above composition, mixed with stirring, vacuum degassed, and adhesive composition. I got a thing.
（ｂ）半導体ウエハ加工用粘着シートの作製
（ａ）で得られた接着剤組成物を厚さ３５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（離型フィルム）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍのＢステージ状態の離型フィルム上に接着剤層が形成された接着剤シートを得た。
次に、前記２．半導体ウエハ加工用粘着シートの作製（Ｉ）に記載された方法と同様の方法で、基材樹脂フィルム上に、表４の実施例１１〜１５、比較例６、７記載の放射線重合性樹脂組成物を用いて粘着剤層が形成された図１に示す構造の半導体ウエハ加工用粘着シートを得た。この粘着剤層と、上記の方法で作製した接着剤シートの接着剤層を突き合わせて積層し、図２に示す構成の半導体ウエハ加工用粘着シートに離型フィルムが積層された粘着シート（実施例１１〜１５、比較例６、７）を得た。以下の試験では、離型フィルムを剥して半導体ウエハに貼合し、評価を行った。
(B) Preparation of pressure-sensitive adhesive sheet for processing semiconductor wafer The adhesive composition obtained in (a) was applied onto a 35 μm-thick release-treated polyethylene terephthalate film (release film) and heated at 140 ° C. for 5 minutes. It dried and the adhesive sheet in which the adhesive bond layer was formed on the mold release film of the B stage state whose film thickness is 20 micrometers was obtained.
Next, 2. Radiation-polymerizable resin compositions described in Examples 11 to 15 and Comparative Examples 6 and 7 in Table 4 on a base resin film in the same manner as described in Preparation (I) of an adhesive sheet for processing semiconductor wafers A pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer having a structure shown in FIG. 1 having a pressure-sensitive adhesive layer formed thereon was obtained. This pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer of the adhesive sheet produced by the method described above are laminated and laminated, and a pressure-sensitive adhesive sheet in which a release film is laminated on a semiconductor wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet having the configuration shown in FIG. 11 to 15 and Comparative Examples 6 and 7) were obtained. In the following tests, the release film was peeled off and bonded to a semiconductor wafer for evaluation.
４．性能試験
以下の条件でダイシングを行い、その後、ピックアップ性とチップ汚染性の評価を行った。
（ダイシング条件）
（１）図１の構成の半導体ウエハ加工用粘着シート
実施例１〜１０と比較例１〜５に関しては、ＤＩＳＣＯ社製の「ＤＦＤ−８４０」を用いて、シリコンウエハの裏面を２軸で３０μｍ研削後、シリコンウエハの最終厚みが１００μｍとなるように研削した。そのときの研削条件は以下の通りとした。
１軸：３５０砥石（回転数：４８００ｒｐｍ、ダウンスピード：Ｐ１：３．０μｍ／ｓｅｃ、Ｐ２：２．０μｍ／ｓｅｃ）
２軸：♯２０００砥石（回転数：５５００ｒｐｍ、ダウンスピード：Ｐ１：０．８μｍ／ｓｅｃ、Ｐ２：０．６μｍ／ｓｅｃ）
4). Performance test Dicing was performed under the following conditions, and then the pickup property and chip contamination were evaluated.
(Dicing conditions)
(1) Adhesive sheet for processing a semiconductor wafer having the configuration shown in FIG. 1 For Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 5, using “DFD-840” manufactured by DISCO, the back surface of the silicon wafer is biaxially 30 μm. After grinding, the silicon wafer was ground so that the final thickness was 100 μm. The grinding conditions at that time were as follows.
1 axis: 350 grinding wheel (rotation speed: 4800 rpm, down speed: P1: 3.0 μm / sec, P2: 2.0 μm / sec)
Biaxial: # 2000 grinding wheel (rotation speed: 5500 rpm, down speed: P1: 0.8 μm / sec, P2: 0.6 μm / sec)
裏面研削後５分以内に、図１の構成の半導体ウエハ加工用粘着シートを８インチ用リングフレームに貼着固定し、その貼着固定された状態で半導体ウエハ加工用粘着シートに１００μｍ厚の８インチシリコンウエハを貼合し、ＤＩＳＣＯ社製ダイシング装置ＤＡＤ３４０（商品名）を用いて、５ｍｍ×５ｍｍのチップサイズにフルカットダイシングした。この際の半導体ウエハ加工用粘着シート面からのブレードの切削深さは、図１に示す構成の粘着シートの場合は３０μｍとした。 Within 5 minutes after the backside grinding, the adhesive sheet for semiconductor wafer processing having the configuration shown in FIG. 1 is adhered and fixed to an 8-inch ring frame, and the adhesive sheet for semiconductor wafer processing is attached to the adhesive sheet for semiconductor wafer processing. Inch silicon wafers were bonded and full-cut dicing was performed to a chip size of 5 mm × 5 mm using a dicing apparatus DAD340 (trade name) manufactured by DISCO. In this case, the cutting depth of the blade from the adhesive sheet surface for processing a semiconductor wafer was 30 μm in the case of the adhesive sheet having the configuration shown in FIG.
（２）図２の構成の半導体ウエハ加工用粘着シート
実施例１１と比較例６に関しては、１００μｍ厚の８インチシリコンウエハに、図２の構成の半導体ウエハ加工用粘着シートを７０℃、２０秒で貼合した後、Ｄｉｓｃｏ社製 ＤＦＤ６３４０を用いて以下の条件でダイシングした。
ダイシングブレード(薄型回転砥石)：１回目 Ｄｉｓｃｏ社製２７ＨＥＥＥ、２回目 Ｄｉｓｃｏ社製２７ＨＥＤＤ
ブレード回転数：３５０００ｒｐｍ
ブレード送り速度：５０ｍｍ／ｓ
チップサイズ：５ｍｍ×５ｍｍ
切削深さ：
１回目 シリコンウエハへ５０μｍ
２回目 半導体ウエハ加工用粘着シートへ４０μｍ（基材樹脂フィルムの厚さ１００μｍ、粘着剤層の厚さ１０μｍ、接着剤層の厚さ２０μｍ）
(2) Adhesive sheet for processing a semiconductor wafer having the structure shown in FIG. 2 For Example 11 and Comparative Example 6, the adhesive sheet for processing a semiconductor wafer having the structure shown in FIG. Then, dicing was performed under the following conditions using DFD 6340 manufactured by Disco.
Dicing blade (thin rotary grindstone): 1st Disco 27HEEE 2nd Disco 27HEDD
Blade rotation speed: 35000rpm
Blade feed rate: 50mm / s
Chip size: 5mm x 5mm
Cutting depth:
First time 50μm to silicon wafer
2nd time 40 μm to semiconductor wafer processing adhesive sheet (base resin film thickness 100 μm,
４−１．ピックアップ試験
実施例１〜１５及び比較例１〜７の半導体ウエハ加工用粘着シートについて、上記の４−１．に示した条件でダイシングを行った後、高圧水銀灯ランプの紫外線照射機を用いて、半導体ウエハ加工用粘着シートの基材樹脂フィルム面側から照射量が２００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外線照射を行い、その後、ＣＡＮＯＮマシナリー製ＣＰＳ−６８２０（商品名）を用いてエキスパンドストローク５ｍｍにてエキスパンドし、その状態でピックアップを行った。ピックアップは先端径でＲ２５０の突き上げピンを用いて行った。評価項目は以下の項目について実施した。
4-1. Pick-up test About the adhesive sheet for semiconductor wafer processing of Examples 1-15 and Comparative Examples 1-7, said 4-1. After performing the dicing under the conditions shown in Fig. 1, UV irradiation is performed using a UV irradiation machine of a high-pressure mercury lamp lamp so that the irradiation amount is 200 mJ / cm 2 from the base resin film side of the adhesive sheet for semiconductor wafer processing. Then, using CPS-6820 (trade name) manufactured by CANON Machinery, the product was expanded with an expansion stroke of 5 mm, and picked up in that state. The pickup was performed using a push-up pin having a tip diameter of R250. The evaluation items were as follows.
（１）ピックアップ性
チップを実際にピックアップし、ａ．チップが問題なく突き上げ、ｂ．円形コレットで吸着、及びｃ．リードフレーム上に設置のいずれも問題なくできるか評価した。評価は、８インチウエハの中から２００チップをピックアップし、そのうちどれ位のチップ数がピックアップできたかにより評価した。２００チップ中すべてピックアップできたものを合格とし、表１〜４にピックアップ成功チップ数を示した。
(1) Pickup property The chip is actually picked up, and a. The tip is pushed up without problems, b. Adsorption with a circular collet, and c. We evaluated whether installation on the lead frame could be done without any problems. The evaluation was made by picking up 200 chips from an 8-inch wafer and evaluating how many chips were picked up. Those that could be picked up out of 200 chips were accepted, and Tables 1 to 4 show the number of chips successfully picked up.
（２）チップ汚染性
チップ汚染性は図１の構成の半導体ウエハ加工用粘着シート（実施例１〜１０、比較例１〜５）については、以下の方法で評価した。
（２）−１ 目視試験
上記チッピング性を評価した際、チップを剥がして、目視で確認した。ウエハ裏面に粘着剤の貼着もしくは汚染物の付着による虹色の光沢がない場合を合格とし、表１〜３に合格の場合は○、若干光沢が発生するが実用上問題ないレベルを△、粘着剤が貼着する場合を不合格とし、×で表示した。
（２）−２ 異物試験
表面を洗浄した鏡面仕上げのシリコンウエハ（６インチ）に、半導体ウエハ加工用粘着シートを貼合し、２４時間放置後、該シートを剥離した。該シートが貼合されていたウエハ表面に残留している異物の数をレーザー表面検査装置（サーフスキャン６４２０（商品名、ＫＬＡ・Ｔｅｎｃｏｒ（株）製）によって測定した。得られた結果を、次に示す評価基準で判定した。このうち、◎及び○を合格とし、△を実用上問題ないレベルであるとし、×を不合格とした。この結果を表１〜３に表示した。
◎：２０個未満、○：２０個以上９０個未満、△：９０個以上２００個未満、×：２００個以上
(2) Chip Contamination The chip contamination was evaluated for the semiconductor wafer processing adhesive sheets (Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 5) having the configuration shown in FIG.
(2) -1 Visual test When the above chipping property was evaluated, the chip was peeled off and visually confirmed. The case where there is no iridescent luster due to adhesion of adhesive or adhesion of contaminants on the back of the wafer is accepted, and in the case of passing in Tables 1 to 3, ◯, a level where there is a slight gloss but practically no problem △, The case where the adhesive was stuck was rejected and indicated by x.
(2) -2 Foreign matter test An adhesive sheet for processing semiconductor wafers was bonded to a mirror-finished silicon wafer (6 inches) whose surface was cleaned, and the sheet was peeled off after being left for 24 hours. The number of foreign matters remaining on the wafer surface to which the sheet was bonded was measured with a laser surface inspection device (Surf Scan 6420 (trade name, manufactured by KLA Tencor Co., Ltd.). Among them, ◎ and ○ were accepted, Δ was regarded as a practically acceptable level, and x was rejected, and the results are shown in Tables 1 to 3.
◎: Less than 20, ○: 20 or more and less than 90, Δ: 90 or more and less than 200, ×: 200 or more
（３）粘着剤層と接着剤層との剥離性
８０℃に加熱されたホットプレート上に直径５インチのシリコンウエハを載せ、該シリコンウエハの表面温度が８０℃になったのを確認した後に、およそ１０秒間で半導体ウエハ加工用粘着シートを貼合した。その後、ホットプレートを取り去り、半導体ウエハ加工用粘着シートが貼合されたシリコンウエハの表面温度を室温まで下げた。
その後、高圧水銀灯ランプの紫外線照射機を用いて、半導体ウエハ加工用粘着シートの基材樹脂フィルム面側から照射量が２００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外線照射を行った。その後ＪＩＳ−０２３７に準拠し、紫外線照射後の半導体ウエハ加工用粘着シートのシリコンウエハに対する剥離力を測定した。測定条件は、９０°剥離で、剥離速度５０ｍｍ/分）とした。その剥離力が０．５Ｎ／２５ｍｍ以下の場合を合格とし、○とした。
(3) Peelability of adhesive layer and adhesive layer After placing a silicon wafer having a diameter of 5 inches on a hot plate heated to 80 ° C. and confirming that the surface temperature of the silicon wafer reached 80 ° C. The semiconductor wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet was bonded in about 10 seconds. Thereafter, the hot plate was removed, and the surface temperature of the silicon wafer bonded with the semiconductor wafer processing adhesive sheet was lowered to room temperature.
Thereafter, using a UV irradiation machine of a high-pressure mercury lamp lamp, UV irradiation was performed from the substrate resin film surface side of the semiconductor wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet so that the irradiation amount was 200 mJ / cm 2 . Thereafter, in accordance with JIS-0237, the peel strength of the adhesive sheet for semiconductor wafer processing after ultraviolet irradiation to the silicon wafer was measured. The measurement conditions were 90 ° peeling and peeling speed of 50 mm / min). The case where the peeling force was 0.5 N / 25 mm or less was determined to be acceptable, and the result was ◯.
表１〜３からわかるように、図１に示す構成の半導体ウエハ加工用粘着シートについて評価した実施例１〜１０では、２００チップ中、すべての半導体チップをピックアップでき、チップ汚染や異物残りが少なく、うまくピックアップすることができた。実施例６はチップ汚染性や残留異数がややみられたが、実用上問題はないレベルだった。
これに対し、光重合開始剤としてポリエチレングリコールユニット含有高分子アゾ重合開始剤を用いたところ（比較例１）、光開始剤が十分均一に溶解できず、発生したラジカルの移動が十分円滑に行えない結果、２００チップ中半分しかピックアップできなかった。
また、光重合開始剤の量を０．１質量部より少なくした場合（比較例２）、開始剤によるラジカル供給不足により、ピックアップ性に問題が生じ、１０質量部より多くした場合（比較例３）、未反応物による昇華によりチップ汚染を生じた。
分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有する化合物の配合部数を１質量部より少なくすると(比較例４)、ピックアップ性が低下した。逆に、放射線重合性化合物の配合部数が３００質量部より多い場合（比較例５）、粘着剤層に硬化収縮が発生し、チップ裏面に粘着剤が密着することにより、ピックアップ性の低下が見られた。
As can be seen from Tables 1 to 3, in Examples 1 to 10 where the semiconductor wafer processing adhesive sheet having the configuration shown in FIG. 1 was evaluated, all semiconductor chips out of 200 chips can be picked up, and chip contamination and foreign matter residue are small. We were able to pick up well. In Example 6, chip contamination and residual number were slightly observed, but there was no practical problem.
On the other hand, when a polyethylene glycol unit-containing polymer azo polymerization initiator was used as a photopolymerization initiator (Comparative Example 1), the photoinitiator could not be dissolved sufficiently uniformly, and the generated radicals could move sufficiently smoothly. As a result, only half of the 200 chips could be picked up.
Further, when the amount of the photopolymerization initiator is less than 0.1 parts by mass (Comparative Example 2), a problem occurs in pick-up property due to insufficient radical supply by the initiator, and when the amount is more than 10 parts by mass (Comparative Example 3). ), Sublimation by unreacted substances caused chip contamination.
When the compounding number of the compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule was less than 1 part by mass (Comparative Example 4), the pickup property was lowered. On the contrary, when the number of the radiation-polymerizable compound is more than 300 parts by mass (Comparative Example 5), curing shrinkage occurs in the pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive is in close contact with the back surface of the chip. It was.
また表４からわかるように、図２に示す構成の半導体ウエハ加工用粘着シートについて評価した実施例１１〜１５では、粘着剤層と接着剤層との間でうまく界面剥離することができ、２００チップ中、すべての半導体チップをピックアップすることができた。
これに対し、重量平均分子量の大きい光重合開始剤を用いた比較例６では、粘着剤層と接着剤層との間でうまく界面剥離することができず、２００チップ中、１００の半導体チップしかピックアップすることができなかった。
また、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有する化合物の重量平均分子量が１１，５００のものを用いた比較例７でも、比較例６と同様に、２００チップ中、１００の半導体チップしかピックアップすることができなかった。
Further, as can be seen from Table 4, in Examples 11 to 15 evaluated for the pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer having the configuration shown in FIG. 2, the interface peeling can be successfully performed between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer. In the chip, all the semiconductor chips could be picked up.
On the other hand, in Comparative Example 6 using a photopolymerization initiator having a large weight average molecular weight, the interface separation between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer could not be successfully performed, and only 100 semiconductor chips out of 200 chips. Could not pick up.
In Comparative Example 7 using a compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule and having a weight average molecular weight of 11,500, as in Comparative Example 6, Only the semiconductor chip of was able to be picked up.
１ 基材樹脂フィルム
２ 粘着剤層
３ 接着剤層
１０、２０ 半導体ウエハ加工用粘着シート
DESCRIPTION OF
Claims (4)
からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ加工用粘着シート。 The photopolymerization initiator is 1-hydroxy-cyclohexylphenyl-ketone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopro Pan-1-one and an oligomer represented by the following general formula (1)
The pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive sheet is at least one selected from the group consisting of:
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