JP2011212569A - セルロースナノファイバー積層体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくともセルロースナノファイバーからなるセルロースナノファイバー積層体の製造方法は、基材の少なくとも一方の面に、カルボキシル基を有するセルロースナノファイバーを含む分散液を塗布して、積層体を形成する工程と、該積層体に荷電粒子線を照射する工程とを備える。
【選択図】なし
Description
(カルボキシル基を有するセルロースナノファイバー分散液の調整)
<セルロースの酸化>
針葉樹晒クラフトパルプ30gを蒸留水1800gに懸濁し、蒸留水200gにTEMPOを0.3g、臭化ナトリウムを3g溶解させた溶液を加え、15℃まで冷却した。ここに、2mol/l、密度1.15g/mlの次亜塩素酸ナトリウム水溶液172gを滴下し、酸化反応を開始した。系内の温度は、常に15℃に保ち、反応中のpHの低下は、0.5Nの水酸化ナトリウム水溶液を添加することで、pH10に保ち続けた。セルロースの質量に対して、水酸化ナトリウムが2.85mmol/gになったところで十分量のエタノールを添加し反応を停止させた。その後、pH3になるまで塩酸を添加した後、蒸留水で十分洗浄を繰り返し、酸化パルプを濾別し真空乾燥した。
上記TEMPO酸化パルプ2gを198gの蒸留水に分散させ、水酸化ナトリウム水溶液を用いてpH7.5に調製した。調製した分散液を超音波ホモジナイザーで60分間微細化処理を行い、固形分が1%のカルボキシル基含有セルロースナノファイバー分散液を得た。
<カルボキシル基を有するセルロースナノファイバー分散液の基材への塗工>
得られたカルボキシル基を有するセルロースナノファイバー分散液を、厚さ12μmのPETフィルム上に#20のワイヤーバーでコートし、120℃のオーブンで十分乾燥させ、積層体を得た。
エリア型電子線照射装置キュアトロン(日新ハイボルテージ社製)を用いて、酸素濃度200ppmで、加速電圧175kVにて、照射量50kGyの電子線を上記積層体へ照射した。
実施例1と同様に積層体を作製した後、RDI社製ダイナミトロンを用いて、加速電圧5MeVにて、照射量80kGyの電子線を積層体へ照射した。
実施例1と同様に積層体を作製した後、コバルト60を用いて、照射線量100kGyのガンマー線を積層体に照射した。
実施例1と同様に積層体を作製したが、本積層体へは電子線またはガンマー線の照射は行わなかった。
カルボキシル基を有するセルロースナノファイバーを含む被膜を有しない厚さ12μmのPETフィルムを比較例として用いた。
実施例1〜3、および比較例1の積層体のガスバリア性を、酸素透過度測定および水蒸気透過度測定により評価した。酸素透過度は、モダンコントロール社製MOCON OX−TRAN 2/21を用いて、25℃、40%RHの雰囲気下で測定した。水蒸気透過度は、カップ法にて温度25℃、湿度90%RHの雰囲気下で測定した。
実施例1〜3、および比較例1積層体に、クロスカットガイド「CCJ−1」(コーテック社製)を用い、縦×横にそれぞれ10本×10本の碁盤目(間隔1mm、計100カット)をきり、その上にセロテープ(登録商標)「CT24」(ニチバン社製)を貼り付けて剥離試験を行った。剥離後、基材表面に、剥離せず残った碁盤目の数を数え、(残った碁盤目の数/100)を密着性の指標とした。残存碁盤目数が多いほど、密着性が高いことを示す。
Claims (5)
- 基材の少なくとも一方の面に、カルボキシル基を有するセルロースナノファイバーを含む分散液を塗布して、積層体を形成する工程と、
該積層体に荷電粒子線を照射する工程と
を備えることを特徴とするセルロースナノファイバー積層体の製造方法。 - 前記荷電粒子線が、電子線またはガンマー線であることを特徴とするセルロースナノファイバー積層体の製造方法。
- 請求項1または2に記載の製造方法により製造されてなることを特徴とするセルロースナノファイバー積層体。
- 前記カルボキシル基を有するセルロースナノファイバーの繊維幅が50nm以下であり、繊維長が3μmであることを特徴とする請求項3に記載のセルロースナノファイバー積層体。
- 前記カルボキシル基を有するセルロースナノファイバーのカルボキシル基量が、セルロースの乾燥重量1g当たり0.3mmol以上であることを特徴とするセルロースナノファイバー積層体。
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