JP2011204986A - Lamp and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly reliable lamp capable of preventing deterioration caused by oxygen contained in air, water and sulfur compounds, and to provide a method for manufacturing the same.SOLUTION: The lamp 1 includes a light-emitting element 5, a package 4 having a seal part 4a to store the light-emitting element 5, a lead electrode 3 for electrically connecting the light-emitting element 5 to the outside of the package 4, and a protection film 10 formed so as to cover at least a part of the surface of the lead electrode 3 and composed of a thin film containing silicon oxide and aluminum oxide.

Description

本発明は、空気中に含まれる酸素や水、硫黄化合物に起因する劣化を防止できる信頼性に優れたランプおよびランプの製造方法に関する。   The present invention relates to a highly reliable lamp capable of preventing deterioration due to oxygen, water, and sulfur compounds contained in the air, and a method for manufacturing the lamp.

発光ダイオードなどの発光素子を備えたランプとして、発光素子を収容する凹部状の封止部を有するパッケージを備えたものが知られている。一般に、このようなランプでは、発光素子の収容された封止部の内部に、封止用樹脂組成物が充填されることにより、発光素子が封止されている。また、通常、封止部の底部には、リード電極を構成する一対の電極が露出されており、封止された発光素子が一対の電極とワイヤーを介して電気的に接続されている。   As a lamp including a light emitting element such as a light emitting diode, a lamp including a package having a recessed sealing portion for accommodating the light emitting element is known. Generally, in such a lamp, the light emitting element is sealed by filling a sealing resin composition accommodated in the light emitting element with a sealing resin composition. In general, a pair of electrodes constituting the lead electrode is exposed at the bottom of the sealing portion, and the sealed light emitting element is electrically connected to the pair of electrodes via a wire.

このようなランプは、空気中に含まれる酸素や水、硫黄化合物によって劣化するため、信頼性が不十分であった。より具体的には、空気中に含まれる酸素や水、硫黄化合物などによって、リード電極が変色されて、リード電極の反射率が低下し、輝度が低下するという問題や、発光素子自体が劣化するという問題があった。   Since such a lamp deteriorates due to oxygen, water, or sulfur compounds contained in the air, the reliability is insufficient. More specifically, the lead electrode is discolored by oxygen, water, sulfur compounds, etc. contained in the air, the reflectivity of the lead electrode is lowered, and the luminance is lowered, or the light emitting element itself is deteriorated. There was a problem.

特許文献1には、LEDチップ内の金属であるリードフレームや反射層の変色を防止する技術として、LEDチップのケース内において金属の部分が、透光性の無機材料層で被覆されているLED装置が提案されている。また、特許文献1には、透光性の無機材料層として、ゾルゲルガラスを用いることが記載され、ゾルゲルガラスの組成はSiOであるが、これにPBO、ZnO、Alを配合することもできることが記載されている。 In Patent Document 1, as a technique for preventing discoloration of a lead frame or a reflective layer which is a metal in an LED chip, an LED in which a metal portion is covered with a light-transmitting inorganic material layer in a case of the LED chip. A device has been proposed. Patent Document 1 describes that sol-gel glass is used as a light-transmitting inorganic material layer, and the composition of sol-gel glass is SiO 2 , and PBO, ZnO, and Al 2 O 3 are blended therein. It is described that it is also possible.

特許文献2には、内部リードに施されている銀めっきの表面の硫化を防止する技術として、内部リードの露出部に銀が使用されたパッケージと、内部リードの銀の表面を被覆するように形成された薄膜コートとを具備する発光装置が記載されている。
また、特許文献3には、空気中の水分や酸素などの浸透によって素子が劣化することを防止するために、ガスや水分に対し不浸透性の皮膜で、樹脂で封止したパッケージ表面を覆う技術が提案されている。
In Patent Document 2, as a technique for preventing sulfidation of the surface of the silver plating applied to the internal lead, a package in which silver is used for the exposed portion of the internal lead and the surface of the silver of the internal lead are covered. A light emitting device is described comprising a formed thin film coat.
In Patent Document 3, the surface of a package sealed with a resin is covered with a film that is impermeable to gas and moisture in order to prevent the element from deteriorating due to penetration of moisture or oxygen in the air. Technology has been proposed.

また、非特許文献1には、十分なガスバリア性を有する薄膜として、酸化ケイ素―酸化アルミニウム混合蒸着フィルムが記載されている。   Non-Patent Document 1 describes a silicon oxide-aluminum oxide mixed vapor deposition film as a thin film having sufficient gas barrier properties.

特開2007−324256号公報JP 2007-324256 A 特開2008−10591号公報JP 2008-10591 A 特開2007−59419号公報JP 2007-59419 A

高分子の表面改質・解析の新展開(シーエムシー出版)(発行2007年2月)New developments in surface modification and analysis of polymers (CMC Publishing) (issued February 2007)

しかしながら、従来の技術では、ランプの劣化を十分に防止することができず、より一層信頼性を向上させることが望まれていた。
例えば、従来の技術では、透明性およびガスバリア性に優れ、光透過率が高く、封止用樹脂組成物との屈折率の差が小さい、ランプの劣化の防止に用いる薄膜として好適な性能を有するものはなく、薄膜を用いてランプの輝度を下げずに劣化を防止して信頼性を向上させることは困難であった。例えば、ゾルゲルガラスは、脱離反応によって収縮するものであり、緻密な膜を形成することが困難なものである。このため、例えば、ランプの金属の部分をゾルゲルガラスで被服したとしても、ゾルゲルガラスのガスバリア性が不十分であるため、ランプの劣化を十分に防止することはできなかった。
However, the conventional technology cannot sufficiently prevent the lamp from being deteriorated, and it has been desired to further improve the reliability.
For example, the conventional technology has excellent performance as a thin film used for preventing lamp deterioration, having excellent transparency and gas barrier properties, high light transmittance, small difference in refractive index from the sealing resin composition, and the like. There is nothing, and it has been difficult to improve the reliability by using a thin film to prevent deterioration without lowering the brightness of the lamp. For example, sol-gel glass shrinks due to elimination reaction, and it is difficult to form a dense film. For this reason, for example, even if the metal portion of the lamp is covered with sol-gel glass, the gas barrier property of the sol-gel glass is insufficient, so that deterioration of the lamp cannot be sufficiently prevented.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、空気中に含まれる酸素や水、硫黄化合物に起因する劣化を防止できる信頼性に優れたランプおよびその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a highly reliable lamp capable of preventing deterioration due to oxygen, water, and sulfur compounds contained in the air, and a method for manufacturing the same. .

本発明者は、上記問題を解決するために、薄膜を用いてランプの劣化を防止することについて鋭意検討した。その結果、リード電極の表面の少なくとも一部を覆うように、二種以上の混合金属酸化物を含む薄膜からなる保護膜を設けることで、ランプの劣化を効果的に防止できることを見出し、本発明を完成した。即ち、本発明は以下に関する。   In order to solve the above-mentioned problems, the present inventor diligently studied to prevent lamp deterioration using a thin film. As a result, it has been found that by providing a protective film made of a thin film containing two or more mixed metal oxides so as to cover at least a part of the surface of the lead electrode, deterioration of the lamp can be effectively prevented. Was completed. That is, the present invention relates to the following.

(1) 発光素子と、前記発光素子を収容するための凹部状の封止部を有するパッケージと、前記発光素子と前記パッケージの外部とを電気的に接続するリード電極と、前記リード電極の表面の少なくとも一部を覆うように設けられ、二種以上の混合金属酸化物を含む薄膜からなる保護膜とを備えることを特徴とするランプ。 (1) A light emitting element, a package having a recessed sealing portion for accommodating the light emitting element, a lead electrode that electrically connects the light emitting element and the outside of the package, and a surface of the lead electrode And a protective film made of a thin film containing two or more kinds of mixed metal oxides.

また、本発明者は、上記問題を解決するために、鋭意検討を重ね、保護膜として、ガスバリア性に優れた酸化ケイ素と酸化アルミニウムとを含む薄膜を用いることで、ランプの劣化を効果的に防止できるとともに、ランプの輝度を向上させることができることを見出した。   Further, in order to solve the above problems, the present inventor has made extensive studies and uses a thin film containing silicon oxide and aluminum oxide having excellent gas barrier properties as a protective film, thereby effectively preventing lamp deterioration. It was found that the brightness of the lamp can be improved as well as the prevention.

(2) 発光素子と、前記発光素子を収容するための凹部状の封止部を有するパッケージと、前記発光素子と前記パッケージの外部とを電気的に接続するリード電極と、前記リード電極の表面の少なくとも一部を覆うように設けられ、酸化ケイ素と酸化アルミニウムとを含む薄膜からなる保護膜とを備えることを特徴とするランプ。 (2) a light emitting element, a package having a recessed sealing portion for accommodating the light emitting element, a lead electrode that electrically connects the light emitting element and the outside of the package, and a surface of the lead electrode A lamp comprising: a protective film that is provided so as to cover at least a part of the thin film and includes a thin film containing silicon oxide and aluminum oxide.

(3) 前記リード電極が、前記封止部内に露出されたパッド電極と、前記パッド電極と前記パッケージの外部とを接続するための引き出し配線とを有し、前記パッド電極が、前記保護膜に覆われていることを特徴とする(1)または(2)に記載のランプ。
(4) 前記発光素子の上面と前記封止部の内壁と前記パッケージの上面とが、前記保護膜に覆われていることを特徴とする(1)〜(3)の何れか一項に記載のランプ。
(5) 前記封止部の内部に封止用樹脂組成物が充填されており、前記リード電極が、前記封止部内に露出されたパッド電極と、前記パッド電極と前記パッケージの外部とを接続するための引き出し配線とを有し、前記封止用樹脂組成物の上面と前記パッケージの外面と前記パッケージの外部に露出された前記引き出し配線の一部とが、前記保護膜に覆われていることを特徴とする(1)または(2)に記載のランプ。
(3) The lead electrode includes a pad electrode exposed in the sealing portion and a lead-out wiring for connecting the pad electrode and the outside of the package, and the pad electrode is formed on the protective film. The lamp according to (1) or (2), wherein the lamp is covered.
(4) The upper surface of the light-emitting element, the inner wall of the sealing portion, and the upper surface of the package are covered with the protective film, according to any one of (1) to (3), Lamp.
(5) The inside of the sealing portion is filled with a sealing resin composition, and the lead electrode connects the pad electrode exposed in the sealing portion to the pad electrode and the outside of the package. An upper surface of the sealing resin composition, an outer surface of the package, and a part of the lead wiring exposed to the outside of the package are covered with the protective film. The lamp as described in (1) or (2) above.

(6) 基板上に、リード電極と、凹部状の封止部を有するパッケージとを形成する工程と、前記封止部内に発光素子を収容し、前記発光素子と前記リード電極とを接続する工程と、前記リード電極の表面の少なくとも一部を覆うように、二種以上の混合金属酸化物を含む薄膜からなる保護膜を形成する工程とを有することを特徴とするランプの製造方法。
(7) 前記保護膜を、前記封止部の底部に露出された前記リード電極の表面と、前記発光素子の上面と、前記封止部の内壁と、前記パッケージの上面とを連続して覆うように形成することを特徴とする(6)に記載のランプの製造方法。
(6) A step of forming a lead electrode and a package having a recessed sealing portion on the substrate, a step of housing the light emitting element in the sealing portion, and connecting the light emitting element and the lead electrode And a step of forming a protective film made of a thin film containing two or more mixed metal oxides so as to cover at least a part of the surface of the lead electrode.
(7) The protective film continuously covers the surface of the lead electrode exposed at the bottom of the sealing portion, the upper surface of the light emitting element, the inner wall of the sealing portion, and the upper surface of the package. (6) The method of manufacturing a lamp according to (6).

(8) 基板上に、リード電極と、凹部状の封止部を有するパッケージとを形成する工程と、前記封止部内に発光素子を収容し、前記発光素子と前記リード電極とを接続する工程と、前記封止部の内部に封止用樹脂組成物を充填して、前記発光素子を封止する工程と、前記リード電極の表面の少なくとも一部を覆うように、二種以上の混合金属酸化物を含む薄膜からなる保護膜を形成する工程とを有することを特徴とするランプの製造方法。
(9) 前記保護膜を、前記封止用樹脂組成物の上面と、前記パッケージの外面と、前記パッケージの外部に露出された前記リード電極の一部とを覆うように形成することを特徴とする(8)に記載のランプの製造方法。
(8) A step of forming a lead electrode and a package having a recessed sealing portion on the substrate, a step of housing the light emitting element in the sealing portion, and connecting the light emitting element and the lead electrode Two or more mixed metals so as to cover at least part of the surface of the lead electrode, and a step of sealing the light emitting element by filling a sealing resin composition in the sealing portion And a step of forming a protective film made of a thin film containing an oxide.
(9) The protective film is formed so as to cover an upper surface of the sealing resin composition, an outer surface of the package, and a part of the lead electrode exposed to the outside of the package. The method for manufacturing a lamp according to (8).

(10) 前記保護層として、酸化ケイ素と酸化アルミニウムとを含む薄膜を形成することを特徴とする(6)〜(9)のいずれかに記載のランプの製造方法。
(11) 前記保護層を、物理気相蒸着法または化学気相蒸着法を用いて形成することを特徴とする(6)〜(10)のいずれかに記載のランプの製造方法。
(10) The method for manufacturing a lamp according to any one of (6) to (9), wherein a thin film containing silicon oxide and aluminum oxide is formed as the protective layer.
(11) The method for manufacturing a lamp according to any one of (6) to (10), wherein the protective layer is formed using a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method.

本発明のランプは、リード電極の表面の少なくとも一部を覆うように設けられ、二種以上の混合金属酸化物を含む薄膜からなる保護膜を備えているので、空気中に含まれる酸素や水、硫黄化合物などによって、リード電極が変色されることを防止できる。したがって、リード電極が変色されてリード電極の反射率の低下することによる輝度の低下を防止でき、長期にわたって高い出力を維持できる信頼性に優れたものとなる。   The lamp of the present invention is provided so as to cover at least a part of the surface of the lead electrode, and includes a protective film made of a thin film containing two or more kinds of mixed metal oxides. The lead electrode can be prevented from being discolored by a sulfur compound or the like. Therefore, it is possible to prevent a decrease in luminance due to the lead electrode being discolored and a decrease in the reflectivity of the lead electrode, and it is possible to maintain high output over a long period of time and have excellent reliability.

また、本発明のランプは、二種以上の混合金属酸化物を含む薄膜からなる保護膜を用いているので、混合金属酸化物の組成比や厚みを変化させることによって、保護膜の性能を制御できる。具体的には、混合金属酸化物の組成比や厚みを変化させることによって、保護膜を、十分なガスバリア性を有するとともに、封止用樹脂組成物の屈折率などランプを構成する材料等に応じた適切な屈折率、光吸収、光透過率であるものとなるように制御できる。したがって、本発明のランプでは、保護膜を備えることによって、ランプの劣化を効果的に防止できるとともに、ランプの光取り出し性を向上させることができる。よって、本発明のランプは、信頼性に優れ、なおかつ輝度の高いものとなる。   Moreover, since the lamp of the present invention uses a protective film made of a thin film containing two or more kinds of mixed metal oxides, the performance of the protective film is controlled by changing the composition ratio and thickness of the mixed metal oxides. it can. Specifically, by changing the composition ratio and thickness of the mixed metal oxide, the protective film has a sufficient gas barrier property, and the refractive index of the sealing resin composition, etc., according to the material constituting the lamp, etc. In addition, it can be controlled so as to have an appropriate refractive index, light absorption, and light transmittance. Therefore, in the lamp of the present invention, by providing the protective film, the deterioration of the lamp can be effectively prevented and the light extraction performance of the lamp can be improved. Therefore, the lamp of the present invention has excellent reliability and high brightness.

本発明のランプの製造方法では、リード電極の表面の少なくとも一部を覆うように、二種以上の混合金属酸化物を含む薄膜からなる保護膜を形成するので、長期にわたって高い出力を維持できる信頼性に優れた本発明のランプを実現できる。   In the lamp manufacturing method of the present invention, a protective film made of a thin film containing two or more kinds of mixed metal oxides is formed so as to cover at least a part of the surface of the lead electrode, so that a high output can be maintained over a long period of time. It is possible to realize the lamp of the present invention having excellent performance.

図1は、本発明のランプの一例を模式的に示した概略図であり、図1(a)は断面図であり、図1(b)は図1(a)の平面図である。FIG. 1 is a schematic view schematically showing an example of the lamp of the present invention, FIG. 1 (a) is a cross-sectional view, and FIG. 1 (b) is a plan view of FIG. 1 (a). 図2は、本発明のランプの他の例を模式的に示した概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view schematically showing another example of the lamp of the present invention.

以下、本発明のランプおよびランプの製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。
「第1実施形態」
図1は、本発明のランプの一例を模式的に示した概略図であり、図1(a)は断面図であり、図1(b)は図1(a)の平面図である。本実施形態のランプ1は、図1に示すように、基板2と、リード電極3と、LED素子5(発光素子)と、パッケージ4と、保護膜10とを有している。
Hereinafter, a lamp and a method of manufacturing the lamp according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
“First Embodiment”
FIG. 1 is a schematic view schematically showing an example of the lamp of the present invention, FIG. 1 (a) is a cross-sectional view, and FIG. 1 (b) is a plan view of FIG. 1 (a). As shown in FIG. 1, the lamp 1 of this embodiment includes a substrate 2, a lead electrode 3, an LED element 5 (light emitting element), a package 4, and a protective film 10.

パッケージ4は、例えば、ポリフタルアミドやポリフェニレンスルフィドなどの白色の耐熱性樹脂からなるものであり、LED素子5を収容するための封止部4aを有している。封止部4aは、図1(a)および図1(b)に示すように、平面視円形の凹部状(すり鉢状)の形状とされている。   The package 4 is made of, for example, a white heat resistant resin such as polyphthalamide or polyphenylene sulfide, and has a sealing portion 4 a for accommodating the LED element 5. As shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), the sealing portion 4a has a circular concave shape (conical shape).

リード電極3は、基板2上に設けられたものであり、LED素子5とパッケージ4の外部とを電気的に接続するためのものである。リード電極3に用いられる材料は、導電材料であればよく、特に限定されないが、CuやCu系合金、Fe系合金、Niなどの素地金属上に、AuやAgなどの貴金属めっきを施したものなどを好適に用いることができる。中でも特に、素地金属上に銀めっきを施してなるリード電極3は、優れた反射率を有するものとなり、ランプの輝度向上に寄与するため好ましい。   The lead electrode 3 is provided on the substrate 2 and electrically connects the LED element 5 and the outside of the package 4. The material used for the lead electrode 3 is not particularly limited as long as it is a conductive material, but is obtained by plating a noble metal such as Au or Ag on a base metal such as Cu, Cu alloy, Fe alloy, or Ni. Etc. can be used suitably. Among them, the lead electrode 3 obtained by performing silver plating on the base metal is preferable because it has excellent reflectivity and contributes to improvement of the luminance of the lamp.

リード電極3は、図1(a)および図1(b)に示すように、封止部4aの底部に露出されたパッド電極31と、パッド電極31とパッケージ4の外部とを接続するための引き出し配線32とを有している。パッド電極31は、図1(b)に示すように、基板2上に設けられた帯状の絶縁領域9によって電気的に絶縁された第1電極3aと第2電極3bとからなる。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the lead electrode 3 is connected to the pad electrode 31 exposed at the bottom of the sealing portion 4a and the pad electrode 31 to the outside of the package 4. It has a lead wiring 32. As shown in FIG. 1B, the pad electrode 31 includes a first electrode 3 a and a second electrode 3 b that are electrically insulated by a strip-shaped insulating region 9 provided on the substrate 2.

LED素子5は、図1(a)および図1(b)に示すように、表面実装型のものであり、サファイヤなどからなる基板上に窒化ガリウム系半導体層が形成されてなるものなどが用いられる。LED素子5は、封止部4aの底部に露出された第2電極3bに樹脂組成物6によって接着されて、基板2上に固定されている。LED素子5の上面には、図1(b)に示すように、Au、Al、NiまたはCuなどからなる陽極ボンディングパッド5aおよび陰極ボンディングパッド5bが設けられており、それぞれAuまたはAlなどからなるワイヤー7、7を介して第1電極3aおよび第2電極3bと電気的に接続されている。   As shown in FIG. 1A and FIG. 1B, the LED element 5 is of a surface mount type and uses a gallium nitride based semiconductor layer formed on a substrate made of sapphire or the like. It is done. The LED element 5 is fixed on the substrate 2 by being adhered to the second electrode 3b exposed at the bottom of the sealing portion 4a by the resin composition 6. As shown in FIG. 1B, an anode bonding pad 5a and a cathode bonding pad 5b made of Au, Al, Ni, Cu, or the like are provided on the upper surface of the LED element 5, and each of them is made of Au, Al, or the like. It is electrically connected to the first electrode 3 a and the second electrode 3 b via the wires 7 and 7.

保護膜10は、二種以上の混合金属酸化物を含む薄膜からなるものであり、好ましくは酸化ケイ素と酸化アルミニウムとを含む薄膜からなる。保護膜10に含まれる酸化ケイ素の組成比は、20質量%〜95質量%の範囲であることが好ましい。また、保護膜10に含まれる酸化アルミニウムの組成比は、5質量%〜80質量%の範囲であることが好ましい。酸化アルミニウムが20質量%未満であるとガスバリア性が不十分になる場合があり、80質量%を超えると保護膜10の屈折率が高くなりすぎて、保護膜10を設けることによるランプ1の光取り出し性を向上させる効果が不十分となる場合がある。   The protective film 10 is made of a thin film containing two or more mixed metal oxides, and is preferably made of a thin film containing silicon oxide and aluminum oxide. The composition ratio of silicon oxide contained in the protective film 10 is preferably in the range of 20% by mass to 95% by mass. The composition ratio of aluminum oxide contained in the protective film 10 is preferably in the range of 5% by mass to 80% by mass. If the aluminum oxide is less than 20% by mass, the gas barrier property may be insufficient. If it exceeds 80% by mass, the refractive index of the protective film 10 becomes too high, and the light of the lamp 1 by providing the protective film 10 The effect of improving the take-out property may be insufficient.

また、保護膜10は、酸化ケイ素と酸化アルミニウムのみからなるものであってもよいが、酸化ケイ素と酸化アルミニウムの他に、必要に応じて酸化チタン、酸化ジルコン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛などが含まれていてもよい。
また、保護膜10の厚みは5nm〜150nmの範囲であることが好ましい。保護膜10の厚みが5nm未満であるとガスバリア性が不十分になる場合があり、150nmを超えると保護膜10が光を吸収することによって光取り出し性に支障を来たす場合がある。
Further, the protective film 10 may be composed only of silicon oxide and aluminum oxide, but includes titanium oxide, zircon oxide, magnesium oxide, zinc oxide and the like as required in addition to silicon oxide and aluminum oxide. It may be.
The thickness of the protective film 10 is preferably in the range of 5 nm to 150 nm. If the thickness of the protective film 10 is less than 5 nm, the gas barrier property may be insufficient, and if it exceeds 150 nm, the protective film 10 may absorb light, thereby impairing the light extraction property.

保護膜10は、図1(a)に示すように、パッド電極31の表面と、LED素子5の上面と、封止部4aの内壁4b、パッケージ4の上面41を連続して覆うように形成されている。
なお、本実施形態においては、保護膜10が、パッド電極31の表面と、LED素子5の上面と、封止部4aの内壁4b、パッケージ4の上面41を連続して覆うように形成されているが、保護膜は、リード電極3の表面の少なくとも一部を覆うように設けられていればよく、例えば、パッド電極31の表面のみに形成されていてもよいし、引き出し配線32の表面のみ形成されていてもよい。また、保護膜10が引き出し配線32の表面に形成されている場合、保護膜10は、リード電極3上のパッケージ4と重なり合う領域にも形成されていていてもよいし、形成されていなくてもよい。
As shown in FIG. 1A, the protective film 10 is formed so as to continuously cover the surface of the pad electrode 31, the upper surface of the LED element 5, the inner wall 4b of the sealing portion 4a, and the upper surface 41 of the package 4. Has been.
In the present embodiment, the protective film 10 is formed so as to continuously cover the surface of the pad electrode 31, the upper surface of the LED element 5, the inner wall 4b of the sealing portion 4a, and the upper surface 41 of the package 4. However, the protective film only needs to be provided so as to cover at least a part of the surface of the lead electrode 3. For example, the protective film may be formed only on the surface of the pad electrode 31, or only the surface of the lead wiring 32. It may be formed. When the protective film 10 is formed on the surface of the lead-out wiring 32, the protective film 10 may or may not be formed in a region overlapping the package 4 on the lead electrode 3. Good.

また、図1(a)に示すように、封止部4aの内部に封止用樹脂組成物8が充填されることにより、LED素子5が封止されている。   Moreover, as shown to Fig.1 (a), the LED element 5 is sealed by being filled with the resin composition 8 for sealing inside the sealing part 4a.

本実施形態のランプ1を製造するには、まず、基板2上に、リード電極3と、凹部状の封止部4aを有するパッケージ4とを形成する。次いで、封止部4a内にLED素子5を収容し、LED素子5とリード電極3のパッド電極31とを接続して、LED素子5とパッケージ4の外部とを電気的に接続できるようにする。
続いて、封止部4aの底部に露出されたパッド電極31の表面と、LED素子5の上面と、封止部4aの内壁4bと、パッケージ4の上面41とを連続して覆うように、二種以上の混合金属酸化物を含む薄膜からなる保護膜10を形成する。
In order to manufacture the lamp 1 of this embodiment, first, the lead electrode 3 and the package 4 having the recessed sealing portion 4a are formed on the substrate 2. Next, the LED element 5 is accommodated in the sealing portion 4a, and the LED element 5 and the pad electrode 31 of the lead electrode 3 are connected so that the LED element 5 and the outside of the package 4 can be electrically connected. .
Subsequently, the surface of the pad electrode 31 exposed at the bottom of the sealing portion 4a, the upper surface of the LED element 5, the inner wall 4b of the sealing portion 4a, and the upper surface 41 of the package 4 are continuously covered. A protective film 10 made of a thin film containing two or more mixed metal oxides is formed.

保護膜10は、封止部4a内にLED素子5を収容し、LED素子5とリード電極3のパッド電極31とを接続した後、封止部4aの内部に封止用樹脂組成物8が充填される前に形成される。
保護膜10は、スパッタ法や蒸着法などにより、所定の組成比および厚みで形成できる。
The protective film 10 accommodates the LED element 5 in the sealing part 4a, connects the LED element 5 and the pad electrode 31 of the lead electrode 3, and then the sealing resin composition 8 is placed inside the sealing part 4a. Formed before filling.
The protective film 10 can be formed with a predetermined composition ratio and thickness by sputtering or vapor deposition.

スパッタ法としては、公知のスパッタ装置を用いる方法を使用でき、例えばDCマグネトロンスパッタ装置を使用できる。酸化ケイ素と酸化アルミニウムとを含む薄膜からなる保護膜10をスパッタ法により形成する場合、酸化ケイ素と酸化アルミニウムとの複合酸化物をターゲットとしてスパッタする方法を用いてもよいし、酸化アルミニウムからなるターゲットと酸化ケイ素からなるターゲットをそれぞれ用意して二源同時スパッタを行う方法を用いてもよい。
酸化ケイ素と酸化アルミニウムとを含む薄膜からなる保護膜10を蒸着法により形成する場合、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素を蒸着源として用いて、抵抗加熱あるいはイオンビーム(EB)同時蒸着法などの公知の二源蒸着法を用いることができる。
As the sputtering method, a method using a known sputtering apparatus can be used, for example, a DC magnetron sputtering apparatus can be used. When the protective film 10 made of a thin film containing silicon oxide and aluminum oxide is formed by sputtering, a method of sputtering using a composite oxide of silicon oxide and aluminum oxide as a target may be used, or a target made of aluminum oxide Alternatively, a method may be used in which targets made of silicon oxide and silicon oxide are prepared and two-source simultaneous sputtering is performed.
When the protective film 10 made of a thin film containing silicon oxide and aluminum oxide is formed by vapor deposition, two known methods such as resistance heating or ion beam (EB) simultaneous vapor deposition using aluminum oxide and silicon oxide as vapor deposition sources are used. Source evaporation can be used.

次に、図1(a)に示すように、封止部4aの内部に封止用樹脂組成物8を充填して、LED素子5を封止する。以上の工程により、本実施形態のランプ1が得られる。   Next, as shown in FIG. 1A, the sealing resin composition 8 is filled in the sealing portion 4 a to seal the LED element 5. The lamp 1 of the present embodiment is obtained through the above steps.

本実施形態のランプ1は、リード電極3の表面の少なくとも一部を覆うように設けられ、酸化ケイ素と酸化アルミニウムとを含む薄膜からなる保護膜10を備えるものであるので、空気中に含まれる酸素や水、硫黄化合物などによって、リード電極3が変色されることを防止できる。
また、本実施形態のランプ1は、リード電極3が、封止部4a内に露出されたパッド電極31と、パッド電極31とパッケージ4の外部とを接続するための引き出し配線32とを有するものであり、パッド電極31が保護膜10に覆われているものであるので、パッド電極31が変色されることを防止でき、LED素子5から発光された光がパッド電極31によって長期にわたって効率よく反射されるものとなり、長期にわたって高い出力を維持できる優れたものとなる。
The lamp 1 of the present embodiment is provided so as to cover at least a part of the surface of the lead electrode 3 and includes the protective film 10 made of a thin film containing silicon oxide and aluminum oxide, and thus is included in the air. It is possible to prevent the lead electrode 3 from being discolored by oxygen, water, a sulfur compound, or the like.
In the lamp 1 of the present embodiment, the lead electrode 3 has a pad electrode 31 exposed in the sealing portion 4 a and a lead-out wiring 32 for connecting the pad electrode 31 and the outside of the package 4. Since the pad electrode 31 is covered with the protective film 10, the pad electrode 31 can be prevented from being discolored, and the light emitted from the LED element 5 is efficiently reflected by the pad electrode 31 over a long period of time. Therefore, it is possible to maintain a high output for a long time.

また、本実施形態のランプ1は、LED素子5の上面と、封止部4aの内壁4b、パッケージ4の上面41とが、保護膜10に覆われているものであるので、LED素子5を基板2上に固定し、パッド電極31とLED素子5とを電気的に接続した後、封止用樹脂組成物8が充填される前に保護膜10を形成できる。このため、封止用樹脂組成物8中に含まれる蛍光体、光拡散剤、あるいは硬化剤などのパッド電極31の変色を促進する成分からパッド電極31を保護できる。
また、本実施形態においては、保護膜10が、連続して形成されている一つのものであるので、保護膜10によるガスバリア性が効果的に発揮されて、ランプ1の劣化をより効果的に防止できるとともに、少ない工程で容易に保護膜10を形成できる。
In the lamp 1 of the present embodiment, the upper surface of the LED element 5, the inner wall 4 b of the sealing portion 4 a, and the upper surface 41 of the package 4 are covered with the protective film 10. After fixing on the substrate 2 and electrically connecting the pad electrode 31 and the LED element 5, the protective film 10 can be formed before the sealing resin composition 8 is filled. For this reason, the pad electrode 31 can be protected from components that promote discoloration of the pad electrode 31 such as a phosphor, a light diffusing agent, or a curing agent contained in the sealing resin composition 8.
In the present embodiment, since the protective film 10 is one formed continuously, the gas barrier property by the protective film 10 is effectively exhibited, and the deterioration of the lamp 1 is more effectively prevented. The protective film 10 can be easily formed with fewer steps.

「第2実施形態」
図2は、本発明のランプの他の例を模式的に示した概略断面図である。図2に示す本実施形態のランプ11が、図1に示すランプ1と異なるところは、保護膜10の形成領域のみであるので、図1に示すランプ1と同じ部材についての説明を省略する。
保護膜10は、図2に示すように、封止用樹脂組成物8の上面とパッケージ4の外面全面とパッケージ4の外部に露出された引き出し配線32の一部とを覆うように形成されている。
“Second Embodiment”
FIG. 2 is a schematic sectional view schematically showing another example of the lamp of the present invention. The lamp 11 of the present embodiment shown in FIG. 2 is different from the lamp 1 shown in FIG. 1 only in the region where the protective film 10 is formed, and the description of the same members as those of the lamp 1 shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the protective film 10 is formed so as to cover the upper surface of the sealing resin composition 8, the entire outer surface of the package 4, and a part of the lead wiring 32 exposed to the outside of the package 4. Yes.

本実施形態のランプ11を製造するには、まず、基板2上に、リード電極3と、凹部状の封止部4aを有するパッケージ4とを形成する。次いで、封止部4a内にLED素子5を収容し、LED素子5とリード電極3のパッド電極31とを接続して、LED素子5とパッケージ4の外部とを電気的に接続できるようにする。
次に、図2に示すように、封止部4aの内部に封止用樹脂組成物8を充填して、LED素子5を封止する。
In order to manufacture the lamp 11 of this embodiment, first, the lead electrode 3 and the package 4 having the recessed sealing portion 4 a are formed on the substrate 2. Next, the LED element 5 is accommodated in the sealing portion 4a, and the LED element 5 and the pad electrode 31 of the lead electrode 3 are connected so that the LED element 5 and the outside of the package 4 can be electrically connected. .
Next, as shown in FIG. 2, the sealing resin composition 8 is filled in the sealing portion 4 a to seal the LED element 5.

その後、封止用樹脂組成物8の上面とパッケージ4の外面全面とパッケージ4の外部に露出されたリード電極3の引き出し配線32の一部とを覆うように、二種以上の混合金属酸化物を含む薄膜からなる保護膜10を形成する。以上の工程により、本実施形態のランプ11が得られる。   Thereafter, two or more mixed metal oxides are formed so as to cover the upper surface of the sealing resin composition 8, the entire outer surface of the package 4, and a part of the lead wiring 32 of the lead electrode 3 exposed to the outside of the package 4. A protective film 10 made of a thin film containing is formed. The lamp 11 of this embodiment is obtained by the above process.

本実施形態においては、保護膜10は、封止部4aの内部に封止用樹脂組成物8を充填した後に形成される。保護膜10は、スパッタ法や蒸着法、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法などにより、所定の組成比および厚みで形成できる。なお、第2実施形態では、保護膜10を形成する際に、パッド電極31が封止樹脂に覆われているので、反応性スパッタ、プラズマCVDなど、酸素を導入して酸化反応を伴う成膜方法を用いて保護膜10を形成しても、パッド電極31を酸化させることがなく、好ましい。   In the present embodiment, the protective film 10 is formed after the sealing resin composition 8 is filled in the sealing portion 4a. The protective film 10 can be formed with a predetermined composition ratio and thickness by sputtering, vapor deposition, plasma CVD (Chemical Vapor Deposition), or the like. In the second embodiment, since the pad electrode 31 is covered with the sealing resin when the protective film 10 is formed, film formation involving an oxidation reaction by introducing oxygen, such as reactive sputtering or plasma CVD. Even if the protective film 10 is formed by the method, the pad electrode 31 is not oxidized, which is preferable.

第2実施形態において、酸化ケイ素と酸化アルミニウムとを含む薄膜からなる保護膜10をスパッタ法により形成する場合、第1実施形態において挙げた方法を用いてもよいし、アルミニウムとケイ素との合金をターゲットとして、酸素を導入する反応性スパッタを行う方法を用いてもよい。
第2実施形態において、酸化ケイ素と酸化アルミニウムとを含む薄膜からなる保護膜10を蒸着法により形成する場合、第1実施形態において挙げた方法を用いることができる。
In the second embodiment, when the protective film 10 made of a thin film containing silicon oxide and aluminum oxide is formed by sputtering, the method described in the first embodiment may be used, or an alloy of aluminum and silicon may be used. As a target, a method of performing reactive sputtering in which oxygen is introduced may be used.
In the second embodiment, when the protective film 10 made of a thin film containing silicon oxide and aluminum oxide is formed by a vapor deposition method, the method described in the first embodiment can be used.

また、酸化ケイ素と酸化アルミニウムとを含む薄膜からなる保護膜10をプラズマCVD法により形成する場合、アルミニウムジケトン錯体やアルミニウムハライドなどの揮発性アルミニウム化合物と、シランアルコキサイドなどの揮発性ケイ素化合物とを導入して、放電プラズマ下で反応させる方法などを用いることができる。   Moreover, when forming the protective film 10 which consists of a thin film containing a silicon oxide and aluminum oxide by a plasma CVD method, volatile aluminum compounds, such as an aluminum diketone complex and an aluminum halide, and volatile silicon compounds, such as a silane alkoxide, Or the like, and reacting under discharge plasma can be used.

本実施形態のランプ11も図1に示すランプ1と同様に、リード電極3の表面の少なくとも一部を覆うように設けられ、酸化ケイ素と酸化アルミニウムとを含む薄膜からなる保護膜10を備えるものであるので、空気中に含まれる酸素や水、硫黄化合物などによって、リード電極3が変色されることを防止できる。
また、本実施形態のランプ11は、封止用樹脂組成物8の上面とパッケージ4の外面全面とパッケージ4の外部に露出された引き出し配線32の一部とが保護膜10に覆われているものであるので、保護膜10によって、ランプ11内部への空気中に含まれる酸素や水、硫黄化合物などの侵入が効果的に防止されて、リード電極3の変色が効果的に防止されるとともに、LED素子5の劣化が効果的に防止されるため、長期にわたって高い出力を維持できる。
Similarly to the lamp 1 shown in FIG. 1, the lamp 11 of this embodiment is provided so as to cover at least a part of the surface of the lead electrode 3, and includes a protective film 10 made of a thin film containing silicon oxide and aluminum oxide. Therefore, it is possible to prevent the lead electrode 3 from being discolored by oxygen, water, sulfur compounds, etc. contained in the air.
In the lamp 11 of this embodiment, the upper surface of the sealing resin composition 8, the entire outer surface of the package 4, and a part of the lead-out wiring 32 exposed to the outside of the package 4 are covered with the protective film 10. Therefore, the protective film 10 effectively prevents oxygen, water, sulfur compounds, and the like contained in the air from entering the lamp 11, and effectively prevents discoloration of the lead electrode 3. Since deterioration of the LED element 5 is effectively prevented, a high output can be maintained over a long period of time.

<実施例>
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
実施例1〜実施例4および比較例1〜比較例4のランプを製造し、評価した。
<Example>
EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention still in detail, this invention is not limited only to these Examples.
The lamps of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 were manufactured and evaluated.

「実施例1」
以下に示す方法により、図1に示すランプ1を製造した。
まず、基板2上に、Cuの素地金属上に銀めっきを施してなるリード電極3と、上面41の寸法が横3.5mm、縦2.8mmであり、凹部状の封止部4aの最大深さが0.85mmであるポリフタルアミドからなるパッケージ4とを形成した。パッケージ4を構成するポリフタルアミドの可視領域における光吸収率は7%であった。
次いで、パッケージ4の封止部4a内にLED素子5を収容し、LED素子5とリード電極3とを接続した。
"Example 1"
The lamp 1 shown in FIG. 1 was manufactured by the following method.
First, the lead electrode 3 formed by performing silver plating on a base metal of Cu on the substrate 2 and the dimensions of the upper surface 41 are 3.5 mm wide and 2.8 mm long, and the maximum of the recessed sealing portion 4a is the maximum. A package 4 made of polyphthalamide having a depth of 0.85 mm was formed. The light absorption rate in the visible region of the polyphthalamide constituting the package 4 was 7%.
Subsequently, the LED element 5 was accommodated in the sealing part 4a of the package 4, and the LED element 5 and the lead electrode 3 were connected.

次に、封止部4aの底部に露出されたリード電極3のパッド電極31の表面と、LED素子5の上面と、封止部4aの内壁4bと、パッケージ4の上面41とを連続して覆うように、厚み40nmの表1に示す保護膜10を形成した。
なお、保護膜10としては、酸化ケイ素(SiO2)と酸化アルミニウム(Al)とからなる薄膜を形成した。保護膜10は、SiO2とAlとを蒸着源(タブレット)として用いるイオンビーム同時蒸着法により形成した。また、保護膜10を構成する薄膜におけるSiO2とAlとの構成比は、7(SiO2):3(Al)であり、電子線照射の出力を制御することにより調整した。
Next, the surface of the pad electrode 31 of the lead electrode 3 exposed at the bottom of the sealing portion 4a, the upper surface of the LED element 5, the inner wall 4b of the sealing portion 4a, and the upper surface 41 of the package 4 are continuously provided. The protective film 10 shown in Table 1 having a thickness of 40 nm was formed so as to cover it.
As the protective film 10, a thin film made of silicon oxide (SiO 2 ) and aluminum oxide (Al 2 O 3 ) was formed. The protective film 10 was formed by an ion beam co-evaporation method using SiO 2 and Al 2 O 3 as an evaporation source (tablet). The composition ratio of SiO 2 and Al 2 O 3 in the thin film constituting the protective film 10 is 7 (SiO 2 ): 3 (Al 2 O 3 ), and is adjusted by controlling the output of electron beam irradiation. did.

Figure 2011204986
Figure 2011204986

次に、封止部4aの内部に封止用樹脂組成物8を充填して、LED素子5を封止した。封止用樹脂組成物8としては、蛍光体粉体と未硬化状態の透明樹脂とを含むものを用いた。透明樹脂としては、硬化性シリコーン樹脂〔主剤であるビニル基含有ポリジメチルシロキサンと、硬化剤であるSiH基含有ポリジメチルシロキサンと、硬化反応促進剤である白金族金属系触媒とからなるもの〕を使用した。   Next, the sealing resin composition 8 was filled in the sealing portion 4a, and the LED element 5 was sealed. As the resin composition 8 for sealing, the thing containing fluorescent substance powder and uncured transparent resin was used. As the transparent resin, a curable silicone resin (consisting of a vinyl group-containing polydimethylsiloxane as a main agent, a SiH group-containing polydimethylsiloxane as a curing agent, and a platinum group metal catalyst as a curing reaction accelerator) used.

なお、実施例1では、図1に示すランプ1とは異なり、封止用樹脂組成物8の上面を封止部4aの底部に向かって、パッケージ4の上面41よりも20μm〜100μm凹ませた。以上の工程により、実施例1のランプ1を100個製造した。   In Example 1, unlike the lamp 1 shown in FIG. 1, the upper surface of the sealing resin composition 8 was recessed 20 μm to 100 μm from the upper surface 41 of the package 4 toward the bottom of the sealing portion 4a. . Through the above steps, 100 lamps 1 of Example 1 were manufactured.

得られた実施例1の100個のランプ1に対し、それぞれ順方向電流60mAを流した。その結果、表1に示すように、発光出力の初期光度は平均0.27cdを示した。
また、実施例1の100個のランプ1に対し、85℃の環境下で順方向駆動電流60mAを2,000時間通電した後、発光出力の光度を測定し、初期光度に対する光度維持率((2,000時間通電した後の光度/初期光度)×100(%))を測定した。その結果、表1に示すように、光度維持率(%)は平均73%であった。
A forward current of 60 mA was applied to the 100 lamps 1 of Example 1 obtained. As a result, as shown in Table 1, the initial luminous intensity of the light emission output averaged 0.27 cd.
In addition, the 100 lamps 1 of Example 1 were energized with a forward drive current of 60 mA in an environment of 85 ° C. for 2,000 hours, and then the luminous intensity of the light emission output was measured, and the luminous intensity maintenance rate (( (Luminous intensity / initial luminous intensity) after energization for 2,000 hours) × 100 (%)) was measured. As a result, as shown in Table 1, the luminous intensity maintenance rate (%) averaged 73%.

「実施例2」
保護膜10の厚みを100nmにしたこと以外は、実施例1と同様にしてランプ1を100個製造した。
"Example 2"
100 lamps 1 were manufactured in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the protective film 10 was 100 nm.

「実施例3」
以下に示す方法により、図2に示すランプ11を製造した。
まず、実施例1と同様にして、パッケージ4の封止部4a内にLED素子5を収容し、LED素子5とリード電極3とを接続する工程までを行った。
その後、実施例1と同様にして、封止部4aの内部に封止用樹脂組成物8を充填して、LED素子5を封止した。
"Example 3"
The lamp 11 shown in FIG. 2 was manufactured by the following method.
First, in the same manner as in Example 1, the LED element 5 was accommodated in the sealing portion 4 a of the package 4 and the process of connecting the LED element 5 and the lead electrode 3 was performed.
Thereafter, in the same manner as in Example 1, the sealing resin composition 8 was filled in the sealing portion 4 a to seal the LED element 5.

その後、封止用樹脂組成物8の上面とパッケージ4の外面全面とパッケージ4の外部に露出されたリード電極3の引き出し配線32の一部とを覆うように、実施例1と同様にして、実施例1と同様の組成を有する厚み40nmの表1に示す保護膜10を形成した。以上の工程により、実施例3のランプ1を100個製造した。   Thereafter, in the same manner as in Example 1 so as to cover the upper surface of the sealing resin composition 8, the entire outer surface of the package 4, and a part of the lead wiring 32 of the lead electrode 3 exposed to the outside of the package 4, A protective film 10 having the same composition as in Example 1 and having a thickness of 40 nm shown in Table 1 was formed. Through the above steps, 100 lamps 1 of Example 3 were manufactured.

「実施例4」
保護膜10の膜厚を100nmにしたこと以外は、実施例3と同様にしてランプ11を100個製造した。
Example 4
100 lamps 11 were manufactured in the same manner as in Example 3 except that the thickness of the protective film 10 was 100 nm.

「比較例1」
保護膜10を形成しないこと以外は、実施例1と同様にしてランプを100個製造した。
「比較例2」
保護膜10としてスパッタ法で形成したSiO2厚み40nmの薄膜を用いたこと以外は、実施例1と同様にしてランプを100個製造した。
"Comparative Example 1"
100 lamps were manufactured in the same manner as in Example 1 except that the protective film 10 was not formed.
"Comparative Example 2"
100 lamps were manufactured in the same manner as in Example 1 except that a thin film having a SiO 2 thickness of 40 nm formed by sputtering was used as the protective film 10.

「比較例3」
保護膜10としてスパッタ法で形成したSiO2厚み40nmの薄膜を用いたこと以外は、実施例3と同様にしてランプを100個製造した。
「比較例4」
保護膜10としてスパッタ法で形成したSi厚み10nmの薄膜を用いたこと以外は、比較例3と同様に実施してランプを100個製造した。
“Comparative Example 3”
100 lamps were manufactured in the same manner as in Example 3 except that a thin film having a SiO 2 thickness of 40 nm formed by sputtering was used as the protective film 10.
“Comparative Example 4”
100 lamps were manufactured in the same manner as in Comparative Example 3 except that a thin film of Si 3 N 4 having a thickness of 10 nm formed by sputtering was used as the protective film 10.

このようにして得られた実施例2〜実施例4および比較例1〜比較例4のランプについて、実施例1と同様にして初期光度および光度維持率(%)を調べた。
その結果、表1に示すように、実施例1〜実施例4では、初期光度が0.27以上であり、保護膜を形成していない比較例1よりも高かった。また、実施例2〜実施例4では、SiO2またはSiのみからなる保護膜を形成した比較例1〜比較例4と比較しても初期光度が高かった。
The lamps of Examples 2 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 thus obtained were examined for the initial luminous intensity and luminous intensity maintenance rate (%) in the same manner as in Example 1.
As a result, as shown in Table 1, in Examples 1 to 4, the initial luminous intensity was 0.27 or higher, which was higher than Comparative Example 1 in which no protective film was formed. Moreover, in Examples 2 to 4, the initial luminous intensity was high even when compared with Comparative Examples 1 to 4 in which a protective film made of only SiO 2 or Si 3 N 4 was formed.

また、表1に示すように、実施例1〜実施例4では、光度維持率(%)が70%以上であるのに対し、比較例1〜比較例4では、61%以下と低かった。また、SiO2またはSiのみからなる保護膜を形成した比較例2〜比較例4では、保護膜を形成していない比較例1よりも光度維持率(%)は高いものの不十分であった。
以上のことより、実施例1〜実施例4のランプは、信頼性に優れ、なおかつ輝度が高いことが確認できた。
Moreover, as shown in Table 1, in Examples 1 to 4, the luminous intensity maintenance rate (%) was 70% or higher, whereas in Comparative Examples 1 to 4, it was 61% or lower. In Comparative Examples 2 to 4 in which a protective film made of only SiO 2 or Si 3 N 4 was formed, although the luminous intensity maintenance rate (%) was higher than that of Comparative Example 1 in which no protective film was formed, it was insufficient. there were.
From the above, it was confirmed that the lamps of Examples 1 to 4 were excellent in reliability and high in luminance.

1、11…ランプ、2…基板、3…リード電極、3a…第1電極、3b…第2電極、4…パッケージ、4a…封止部、5…LED素子、6…樹脂組成物、7…ワイヤー、8…封止用樹脂組成物、10…保護膜、31…パッド電極、32…引き出し配線。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,11 ... Lamp, 2 ... Board | substrate, 3 ... Lead electrode, 3a ... 1st electrode, 3b ... 2nd electrode, 4 ... Package, 4a ... Sealing part, 5 ... LED element, 6 ... Resin composition, 7 ... Wire, 8 ... Resin composition for sealing, 10 ... Protective film, 31 ... Pad electrode, 32 ... Lead-out wiring.

Claims (11)

発光素子と、
前記発光素子を収容するための凹部上の封止部を有するパッケージと、
前記発光素子と前期パッケージの外部とを電気的に接続するリード電極と、
前記リード電極の表面の少なくとも一部を覆うように設けられ、二種以上の混合金属酸化物を含む薄膜からなる保護膜とを備えることを特徴とするランプ。
A light emitting element;
A package having a sealing portion on a recess for accommodating the light emitting element;
A lead electrode for electrically connecting the light emitting element and the outside of the previous package;
A lamp comprising: a protective film which is provided so as to cover at least a part of the surface of the lead electrode, and is formed of a thin film containing two or more mixed metal oxides.
発光素子と、
前記発光素子を収容するための凹部状の封止部を有するパッケージと、
前記発光素子と前記パッケージの外部とを電気的に接続するリード電極と、
前記リード電極の表面の少なくとも一部を覆うように設けられ、酸化ケイ素と酸化アルミニウムとを含む薄膜からなる保護膜とを備えることを特徴とするランプ。
A light emitting element;
A package having a recessed sealing portion for accommodating the light emitting element;
A lead electrode that electrically connects the light emitting element and the outside of the package;
A lamp comprising: a protective film which is provided so as to cover at least a part of the surface of the lead electrode and is formed of a thin film containing silicon oxide and aluminum oxide.
前記リード電極が、前記封止部内に露出されたパッド電極と、前記パッド電極と前記パッケージの外部とを接続するための引き出し配線とを有し、
前記パッド電極が、前記保護膜に覆われていることを特徴とする請求項1または2に記載のランプ。
The lead electrode has a pad electrode exposed in the sealing portion, and a lead-out wiring for connecting the pad electrode and the outside of the package;
The lamp according to claim 1, wherein the pad electrode is covered with the protective film.
前記発光素子の上面と前記封止部の内壁と前記パッケージの上面とが、前記保護膜に覆われていることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載のランプ。   The lamp according to claim 1, wherein an upper surface of the light emitting element, an inner wall of the sealing portion, and an upper surface of the package are covered with the protective film. 前記封止部の内部に封止用樹脂組成物が充填されており、前記リード電極が、前記封止部内に露出されたパッド電極と、前記パッド電極と前記パッケージの外部とを接続するための引き出し配線とを有し、
前記封止用樹脂組成物の上面と前記パッケージの外面と前記パッケージの外部に露出された前記引き出し配線の一部とが、前記保護膜に覆われていることを特徴とする請求項1または2に記載のランプ。
The sealing resin composition is filled inside the sealing portion, and the lead electrode connects the pad electrode exposed in the sealing portion with the pad electrode and the outside of the package. With lead-out wiring,
The upper surface of the sealing resin composition, the outer surface of the package, and a part of the lead-out wiring exposed to the outside of the package are covered with the protective film. Lamp described in.
基板上に、リード電極と、凹部状の封止部を有するパッケージとを形成する工程と、
前記封止部内に発光素子を収容し、前記発光素子と前記リード電極とを接続する工程と、
前記リード電極の表面の少なくとも一部を覆うように、二種以上の混合金属酸化物を含む薄膜からなる保護膜を形成する工程とを有することを特徴とするランプの製造方法。
Forming a lead electrode and a package having a recessed sealing portion on a substrate;
Housing the light emitting element in the sealing portion, and connecting the light emitting element and the lead electrode;
Forming a protective film made of a thin film containing two or more mixed metal oxides so as to cover at least a part of the surface of the lead electrode.
前記保護膜を、前記封止部の底部に露出された前記リード電極の表面と、前記発光素子の上面と、前記封止部の内壁と、前記パッケージの上面とを連続して覆うように形成することを特徴とする請求項6に記載のランプの製造方法。   The protective film is formed so as to continuously cover the surface of the lead electrode exposed at the bottom of the sealing portion, the upper surface of the light emitting element, the inner wall of the sealing portion, and the upper surface of the package. The method of manufacturing a lamp according to claim 6. 基板上に、リード電極と、凹部状の封止部を有するパッケージとを形成する工程と、
前記封止部内に発光素子を収容し、前記発光素子と前記リード電極とを接続する工程と、
前記封止部の内部に封止用樹脂組成物を充填して、前記発光素子を封止する工程と、
前記リード電極の表面の少なくとも一部を覆うように、二種以上の混合金属酸化物を含む薄膜からなる保護膜を形成する工程とを有することを特徴とするランプの製造方法。
Forming a lead electrode and a package having a recessed sealing portion on a substrate;
Housing the light emitting element in the sealing portion, and connecting the light emitting element and the lead electrode;
Filling the sealing resin composition inside the sealing portion and sealing the light emitting element;
Forming a protective film made of a thin film containing two or more mixed metal oxides so as to cover at least a part of the surface of the lead electrode.
前記保護膜を、前記封止用樹脂組成物の上面と、前記パッケージの外面と、前記パッケージの外部に露出された前記リード電極の一部とを覆うように形成することを特徴とする請求項8に記載のランプの製造方法。   The said protective film is formed so that the upper surface of the said resin composition for sealing, the outer surface of the said package, and a part of said lead electrode exposed to the exterior of the said package may be covered. A method for manufacturing the lamp according to claim 8. 前記保護層として、酸化ケイ素と酸化アルミニウムとを含む薄膜を形成することを特徴とする請求項6〜請求項9のいずれかに記載のランプの製造方法。   The method for manufacturing a lamp according to any one of claims 6 to 9, wherein a thin film containing silicon oxide and aluminum oxide is formed as the protective layer. 前記保護層を、物理気相蒸着法または化学気相蒸着法を用いて形成することを特徴とする請求項6〜請求項10のいずれかに記載のランプの製造方法。
The method for manufacturing a lamp according to any one of claims 6 to 10, wherein the protective layer is formed using a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method.
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