JP2011191473A - 表示装置、入力検出方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】タッチパネル型の表示装置で、タッチセンサのための発光による黒浮きや画質低下を抑える。
【解決手段】受光部での光検出のための画素回路の発光動作として、画素アレイ上の全画素回路の内の一部の画素回路に発光動作を実行させる。そしてその発光動作の際における各受光部の受光情報に基づいて、表示画面に対するタッチ入力を検出する。タッチセンサ機能のための発光(センシング発光)を、全画素ではなく、一部の画素とすることや、さらに例えば1フレームごとにセンシング発光させる画素回路を変更していくことで、センシング発光による黒浮きや画質低下を抑える。
【選択図】図7
【解決手段】受光部での光検出のための画素回路の発光動作として、画素アレイ上の全画素回路の内の一部の画素回路に発光動作を実行させる。そしてその発光動作の際における各受光部の受光情報に基づいて、表示画面に対するタッチ入力を検出する。タッチセンサ機能のための発光(センシング発光)を、全画素ではなく、一部の画素とすることや、さらに例えば1フレームごとにセンシング発光させる画素回路を変更していくことで、センシング発光による黒浮きや画質低下を抑える。
【選択図】図7
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL:Electroluminescence)素子などの自発光素子を有する画素回路がマトリクス状に配置された表示装置であって、タッチパネル入力機能をもつ表示装置、及びその入力検出方法に関する。
例えば上記特許文献1,2に見られるように、有機EL素子を画素に用いた画像表示装置が開発されている。有機EL素子は自発光素子であることから、例えば液晶ディスプレイに比べて画像の視認性が高く、バックライトが不要であり、応答速度が速いなどの利点を有する。又、各発光素子の輝度レベル(階調)はそれに流れる電流値によって制御可能である(いわゆる電流制御型)。
有機ELディスプレイにおいては、液晶ディスプレイと同様、その駆動方式として単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は構造が単純であるものの、大型且つ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある為、現在はアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子(一般には薄膜トランジスタ:TFT)によって制御するものである。
有機ELディスプレイにおいては、液晶ディスプレイと同様、その駆動方式として単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は構造が単純であるものの、大型且つ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある為、現在はアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子(一般には薄膜トランジスタ:TFT)によって制御するものである。
ところで近年、ユーザインターフェースの一つとしてタッチパネル入力方式が広く用いられている。タッチパネル入力を実現するためのセンサを、画素回路内に取り込むことは、コスト面からも非常にメリットがある。
有機ELパネルにおいても。タッチパネル用のセンサの内蔵化が強く求められている。
しかしながら、画素回路の発光動作を利用してセンシング発光、つまり光センサで、指等の外部反射物からの反射光を検出するための発光を行う場合、そのセンシング発光により本来の映像表示において黒浮きなどの画質低下が発生するという問題がある。
有機ELパネルにおいても。タッチパネル用のセンサの内蔵化が強く求められている。
しかしながら、画素回路の発光動作を利用してセンシング発光、つまり光センサで、指等の外部反射物からの反射光を検出するための発光を行う場合、そのセンシング発光により本来の映像表示において黒浮きなどの画質低下が発生するという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みて、有機EL表示装置等において画素アレイ内に光センサを設けタッチパネル機能を実現する場合に、センシング発光による本来の映像表示の画質低下を最小限に抑えることを目的とする。
本発明の表示装置は、自発光素子を有する画素回路がマトリクス状に配置されて成る画素アレイと、それぞれが、上記画素アレイ上の1又は複数の画素回路に対応して配置され、対応する画素回路の上記自発光素子からの出力光についての外部反射物による反射光を受光する受光部と、上記受光部の受光情報から外部入力を検出する外部入力検出部と、上記各画素回路を発光駆動して映像表示を実行させるとともに、上記受光部での光検出のための上記画素回路の発光動作としては、上記画素アレイ上の全画素回路の内の一部の画素回路にのみ実行させる発光駆動部とを備える。
上記受光部での光検出のための発光動作を行う一部の画素回路は、上記受光部の配置に応じて選定する。
また上記発光駆動部は、所定フレーム期間毎に、上記光検出のための発光動作を実行させる画素回路を変更する。
また上記画素回路としては、R発光画素回路、G発光画素回路、B発光画素回路があり、上記発光駆動部は、上記B発光画素に、上記光検出のための発光動作を実行させる。
また上記発光駆動部は、画素回路に対し、画素回路の映像表示のための1発光サイクルにおける非発光期間に、上記光検出のための発光動作を実行させる。
上記受光部での光検出のための発光動作を行う一部の画素回路は、上記受光部の配置に応じて選定する。
また上記発光駆動部は、所定フレーム期間毎に、上記光検出のための発光動作を実行させる画素回路を変更する。
また上記画素回路としては、R発光画素回路、G発光画素回路、B発光画素回路があり、上記発光駆動部は、上記B発光画素に、上記光検出のための発光動作を実行させる。
また上記発光駆動部は、画素回路に対し、画素回路の映像表示のための1発光サイクルにおける非発光期間に、上記光検出のための発光動作を実行させる。
本発明の入力検出方法は、自発光素子を有する画素回路がマトリクス状に配置されて成る画素アレイと、それぞれが、上記画素アレイ上の1又は複数の画素回路に対応して配置され、対応する画素回路の上記自発光素子からの出力光についての外部反射物による反射光を受光する受光部とを備えた表示装置の入力検出方法である。そして、上記受光部での光検出のための上記画素回路の発光動作として上記画素アレイ上の全画素回路の内の一部の画素回路に発光動作を実行させ、該発光動作の際における上記各受光部の受光情報に基づいて、上記画素アレイによる表示画面に対する入力を検出する。
このような本発明では、受光部での光検出のための画素回路の発光動作(センシング発光)については全画素回路の内の一部の画素回路に発光動作を実行させる。さらに例えば1フレームごとにセンシング発光させる画素回路を変更していくことや、B画素回路を用いることなどで、センシング発光の視認性を低下させる。
本発明によれば、受光部での光検出のための画素回路のセンシング発光動作を、一部の画素回路に実行させることで、センシング発光による消費電力増加を抑制するとともに、センシング発光での視認性を抑え、表示映像の黒浮きを抑制する事ができる。
また、センシング発光箇所を所定フレーム毎にシフトさせるなど変更していくことや、B画素回路にセンシング発光を実行させることで、センシング発光による黒浮き等の画質低下を大きく抑制することができる。
また、センシング発光箇所を所定フレーム毎にシフトさせるなど変更していくことや、B画素回路にセンシング発光を実行させることで、センシング発光による黒浮き等の画質低下を大きく抑制することができる。
以下、本発明の実施の形態について次の順序で説明する。
[1.表示装置及び画素回路の構成]
[2.表示発光を行う画素回路動作]
[3.センシング発光を含めた画素回路動作]
[4.実施の形態の部分発光]
[1.表示装置及び画素回路の構成]
[2.表示発光を行う画素回路動作]
[3.センシング発光を含めた画素回路動作]
[4.実施の形態の部分発光]
[1.表示装置及び画素回路の構成]
図1に実施の形態の有機EL表示装置の構成を示す。
この有機EL表示装置は、有機EL素子を発光素子とし、アクティブマトリクス方式で発光駆動を行う画素回路10を含むものである。そしてさらにこの有機EL表示装置は、タッチパネルとしての機能を備え、ユーザが画面に指で触れる等により、所定の入力操作ができるものとされている。
図1に実施の形態の有機EL表示装置の構成を示す。
この有機EL表示装置は、有機EL素子を発光素子とし、アクティブマトリクス方式で発光駆動を行う画素回路10を含むものである。そしてさらにこの有機EL表示装置は、タッチパネルとしての機能を備え、ユーザが画面に指で触れる等により、所定の入力操作ができるものとされている。
図示のように、有機EL表示装置は、多数の画素回路10が列方向と行方向(m行×n列)にマトリクス状に配列された画素アレイ20を有する。なお、画素回路10のそれぞれは、R(赤)、G(緑)、B(青)のいずれかの発光画素となり、各色の画素回路10が所定規則で配列されてカラー表示装置が構成される。
各画素回路10を発光駆動するための構成として、水平セレクタ11、ドライブスキャナ12、ライトスキャナ13を備える。
また水平セレクタ11により選択され、表示データとしての輝度信号の信号値(階調値)に応じた電圧を画素回路10に供給する信号線DTL1、DTL2・・・DTL(n)が、画素アレイ上で列方向に配されている。信号線DTL1、DTL2・・・DTL(n)は、画素アレイ20においてマトリクス配置された画素回路10の列数分(n列)だけ配される。
また水平セレクタ11により選択され、表示データとしての輝度信号の信号値(階調値)に応じた電圧を画素回路10に供給する信号線DTL1、DTL2・・・DTL(n)が、画素アレイ上で列方向に配されている。信号線DTL1、DTL2・・・DTL(n)は、画素アレイ20においてマトリクス配置された画素回路10の列数分(n列)だけ配される。
また画素アレイ20上において、行方向に書込制御線WSL1,WSL2・・・WSL(m)、電源制御線DSL1,DSL2・・・DSL(m)が配されている。これらの書込制御線WSL及び電源制御線DSLは、それぞれ、画素アレイ20においてマトリクス配置された画素回路10の行数分(m行)だけ配される。
書込制御線WSL(WSL1〜WSL(m))はライトスキャナ13により駆動される。
ライトスキャナ13は、設定された所定のタイミングで、行状に配設された各書込制御線WSL1〜WSL(m)に順次、走査パルスWS(WS1,WS2・・・WS(m))を供給して、画素回路10を行単位で線順次走査する。
ライトスキャナ13は、設定された所定のタイミングで、行状に配設された各書込制御線WSL1〜WSL(m)に順次、走査パルスWS(WS1,WS2・・・WS(m))を供給して、画素回路10を行単位で線順次走査する。
電源制御線DSL(DSL1〜DSL(m))はドライブスキャナ12により駆動される。ドライブスキャナ12は、ライトスキャナ13による線順次走査に合わせて、行状に配設された各電源制御線DSL1〜DSL(m)に電源パルスDS(DS1,DS2・・・DS(m))を供給する。電源パルスDS(DS1,DS2・・・DS(m))は駆動電圧Vccと初期電圧Viniの2値に切り替わるパルス電圧とされる。
なおドライブスキャナ12,ライトスキャナ13は、クロックck及びスタートパルスspに基づいて、走査パルスWS、電源パルスDSのタイミングを設定する。
なおドライブスキャナ12,ライトスキャナ13は、クロックck及びスタートパルスspに基づいて、走査パルスWS、電源パルスDSのタイミングを設定する。
水平セレクタ11は、ライトスキャナ13による線順次走査に合わせて、列方向に配された信号線DTL1、DTL2・・・に対して、画素回路10に対する入力信号としての信号線電圧を供給する。
水平セレクタ11は、各信号線に対し、信号線電圧として、閾値補正基準電圧Vofsと映像信号電圧Vsigを供給する。映像信号電圧Vsigは、水平セレクタ11に入力される映像データの値としての階調値に基づく電圧値となる。
水平セレクタ11は、各信号線に対し、信号線電圧として、閾値補正基準電圧Vofsと映像信号電圧Vsigを供給する。映像信号電圧Vsigは、水平セレクタ11に入力される映像データの値としての階調値に基づく電圧値となる。
画素アレイ20内には、タッチパネル機能に用いる光センサ30が配置される。光センサ30は、フォトダイオード、フォトトランジスタ等で形成されればよい。
例えばこの図1では、光センサ30を破線で示しているが、例えば画素回路10としての3×3の9画素に対して1つの割合で、光センサ30が設けられているものとしている。
光センサ30は、1つの画素回路10に対して1つ設けられてもよいが、図1の例のように複数の画素回路10に対応して1つの光センサ30が設けられても良い。もちろん2つの画素回路10に対応して1つの光センサ30、4つの画素回路10に対応して1つの光センサ30等として、光センサ30が設けられる場合もある。
光センサ30の配設位置は、対応する1又は複数の画素回路10からの光が受光できる位置であればよい。
そして、複数の光センサ30は、画面上のタッチ位置検出のため、画面平面上に万遍なく配置されることが適切である。
例えばこの図1では、光センサ30を破線で示しているが、例えば画素回路10としての3×3の9画素に対して1つの割合で、光センサ30が設けられているものとしている。
光センサ30は、1つの画素回路10に対して1つ設けられてもよいが、図1の例のように複数の画素回路10に対応して1つの光センサ30が設けられても良い。もちろん2つの画素回路10に対応して1つの光センサ30、4つの画素回路10に対応して1つの光センサ30等として、光センサ30が設けられる場合もある。
光センサ30の配設位置は、対応する1又は複数の画素回路10からの光が受光できる位置であればよい。
そして、複数の光センサ30は、画面上のタッチ位置検出のため、画面平面上に万遍なく配置されることが適切である。
各光センサ30は、画素回路10からの光が、ユーザの指等の外部反射物によって反射された反射光を受光する。各光センサは、受光有無の受光情報SSを出力する。
各光センサ30からの受光情報SSはタッチ検出部31に供給される。
タッチ検出部31は、後述するように画素回路10がセンシング発光を行うタイミングで、各光センサ30からの受光情報を検知する。そして各光センサ30からの受光情報から、タッチ入力位置(外部入力位置)を例えばx−y座標値として判別し、そのx−y座標値を検出情報として出力する。
この検出情報は、図示しない制御部に供給され、ユーザのタッチパネル入力操作の情報として認識される。
各光センサ30からの受光情報SSはタッチ検出部31に供給される。
タッチ検出部31は、後述するように画素回路10がセンシング発光を行うタイミングで、各光センサ30からの受光情報を検知する。そして各光センサ30からの受光情報から、タッチ入力位置(外部入力位置)を例えばx−y座標値として判別し、そのx−y座標値を検出情報として出力する。
この検出情報は、図示しない制御部に供給され、ユーザのタッチパネル入力操作の情報として認識される。
なお、各画素回路10は通常の表示動作のための発光動作(表示発光)を行うが、それとともに、一部の画素回路10が、所定のタイミングでタッチパネル機能のためのセンシング発光を行うものである。
図5で後述するように、光センサ30は、画素アレイ20の背面側に形成され、指等によって反射された光を検出する。
ここで表示発光による光は、外部反射物(指等)で反射されないので、光センサ30の受光情報は「光検出有り」とはならない。但し、表示発光の際の漏れ光によって光センサ30が受光してしまうことを考慮すれば、タッチパネル入力のための受光情報は画素回路10がセンシング発光を行うタイミングで取り込むことが適切となる。
そのように検出タイミングを限定する場合、タッチ検出部31は、クロックck及びスタートパルスspに基づいて、検出タイミングを設定すればよい。
図5で後述するように、光センサ30は、画素アレイ20の背面側に形成され、指等によって反射された光を検出する。
ここで表示発光による光は、外部反射物(指等)で反射されないので、光センサ30の受光情報は「光検出有り」とはならない。但し、表示発光の際の漏れ光によって光センサ30が受光してしまうことを考慮すれば、タッチパネル入力のための受光情報は画素回路10がセンシング発光を行うタイミングで取り込むことが適切となる。
そのように検出タイミングを限定する場合、タッチ検出部31は、クロックck及びスタートパルスspに基づいて、検出タイミングを設定すればよい。
なお、この実施の形態の表示装置においては、本発明請求項でいう発光駆動部が、水平セレクタ11、ドライブスキャナ12、及びライトスキャナ13で構成される例となる。
また、本発明請求項でいう画素アレイの例が画素アレイ20、受光部の例が光センサ30、外部入力検出部の例が、タッチ検出部31となる。
また、本発明請求項でいう画素アレイの例が画素アレイ20、受光部の例が光センサ30、外部入力検出部の例が、タッチ検出部31となる。
図2に画素回路10の構成例を示している。この画素回路10が、図1の構成における画素回路10のようにマトリクス配置される。
なお、図2では簡略化のため、信号線DTLと、書込制御線WSL及び電源制御線DSLが交差する部分に配される1つの画素回路10のみを示している。
なお、図2では簡略化のため、信号線DTLと、書込制御線WSL及び電源制御線DSLが交差する部分に配される1つの画素回路10のみを示している。
この画素回路10は、自発光素子である有機EL素子1と、保持容量Csと、サンプリングトランジスタTs、駆動トランジスタTdとしてのnチャネルの薄膜トランジスタ(TFT)、補助容量Csubとで構成されている。なお容量Coledは有機EL素子1の寄生容量である。
保持容量Csは、一方の端子が駆動トランジスタTdのソース(ノードND2)に接続され、他方の端子が同じく駆動トランジスタTdのゲート(ノードND1)に接続されている。
画素回路10の発光素子は例えばダイオード構造の有機EL素子1とされ、アノードとカソードを備えている。有機EL素子1のアノードは駆動トランジスタTdのソースに接続され、カソードは所定の配線(カソード電位Vcat)に接続されている。
また、有機EL素子1と並列に補助容量Csubが接続されている。
画素回路10の発光素子は例えばダイオード構造の有機EL素子1とされ、アノードとカソードを備えている。有機EL素子1のアノードは駆動トランジスタTdのソースに接続され、カソードは所定の配線(カソード電位Vcat)に接続されている。
また、有機EL素子1と並列に補助容量Csubが接続されている。
サンプリングトランジスタTsは、そのドレインとソースの一端が信号線DTLに接続され、他端が駆動トランジスタTdのゲートに接続される。
またサンプリングトランジスタTsのゲートは書込制御線WSLに接続されている。
駆動トランジスタTdのドレインは電源制御線DSLに接続されている。
またサンプリングトランジスタTsのゲートは書込制御線WSLに接続されている。
駆動トランジスタTdのドレインは電源制御線DSLに接続されている。
有機EL素子1の発光駆動は、基本的には次のようになる。
信号線DTLに映像信号電圧Vsigが印加されたタイミングで、サンプリングトランジスタTsが、書込制御線WSLによってライトスキャナ13から与えられる走査パルスWSによって導通される。これにより信号線DTLからの映像信号電圧Vsigが保持容量Csに書き込まれる。
信号線DTLに映像信号電圧Vsigが印加されたタイミングで、サンプリングトランジスタTsが、書込制御線WSLによってライトスキャナ13から与えられる走査パルスWSによって導通される。これにより信号線DTLからの映像信号電圧Vsigが保持容量Csに書き込まれる。
駆動トランジスタTdは、ドライブスキャナ12によって駆動電位Vccが与えられている電源制御線DSLからの電流供給により電流Idsを有機EL素子1に流し、有機EL素子1を発光させる。
このとき電流Idsは、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgsに応じた値(保持容量Csに保持された電圧に応じた値)となり、有機EL素子1はその電流値に応じた輝度で発光する。
つまりこの画素回路10の場合、保持容量Csに信号線DTLからの映像信号電圧Vsigを書き込むことによって、駆動トランジスタTdのゲート印加電圧を変化させ、これにより有機EL素子1に流れる電流値をコントロールして発光の階調を得る。
このとき電流Idsは、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgsに応じた値(保持容量Csに保持された電圧に応じた値)となり、有機EL素子1はその電流値に応じた輝度で発光する。
つまりこの画素回路10の場合、保持容量Csに信号線DTLからの映像信号電圧Vsigを書き込むことによって、駆動トランジスタTdのゲート印加電圧を変化させ、これにより有機EL素子1に流れる電流値をコントロールして発光の階調を得る。
駆動トランジスタTdは、常に飽和領域で動作するように設計されているので、駆動トランジスタTdは次の式1に示した値を持つ定電流源となる。
Ids=(1/2)・μ・(W/L)・Cox・(Vgs−Vth)2・・・(式1)
但し、Idsは飽和領域で動作するトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流、μは移動度、Wはチャネル幅、Lはチャネル長、Coxはゲート容量、Vthは駆動トランジスタTdの閾値電圧を表している。
この式1から明らかな様に、飽和領域ではドレイン電流Idsはゲート・ソース間電圧Vgsによって制御される。駆動トランジスタTdは、ゲート・ソース間電圧Vgsが一定に保持される為、定電流源として動作し、有機EL素子1を一定の輝度で発光させることができる。
Ids=(1/2)・μ・(W/L)・Cox・(Vgs−Vth)2・・・(式1)
但し、Idsは飽和領域で動作するトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流、μは移動度、Wはチャネル幅、Lはチャネル長、Coxはゲート容量、Vthは駆動トランジスタTdの閾値電圧を表している。
この式1から明らかな様に、飽和領域ではドレイン電流Idsはゲート・ソース間電圧Vgsによって制御される。駆動トランジスタTdは、ゲート・ソース間電圧Vgsが一定に保持される為、定電流源として動作し、有機EL素子1を一定の輝度で発光させることができる。
このように基本的には、各フレーム期間において、画素回路10に映像信号値(階調値)Vsigが保持容量Csに書き込まれる動作が行われ、これにより表示すべき階調に応じて駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgsが決まる。
そして駆動トランジスタTdは飽和領域で動作することで有機EL素子1に対して定電流源として機能し、ゲート・ソース間電圧Vgsに応じた電流を有機EL素子1に流すことで、各フレーム期間に有機EL素子1では映像信号の階調値に応じた輝度の発光が行われる。
そして駆動トランジスタTdは飽和領域で動作することで有機EL素子1に対して定電流源として機能し、ゲート・ソース間電圧Vgsに応じた電流を有機EL素子1に流すことで、各フレーム期間に有機EL素子1では映像信号の階調値に応じた輝度の発光が行われる。
[2.表示発光を行う画素回路動作]
画素回路10の動作として、まずここでは表示発光のための画素回路動作について図3で説明する。この図3は、センシング発光を行わないフレーム期間の動作としている。
そして、この表示発光動作は、各画素回路10の駆動トランジスタTdの閾値、移動度のばらつきによるユニフォミティ劣化を補償するための閾値補正動作、移動度補正動作を含む回路動作である。
画素回路10の動作として、まずここでは表示発光のための画素回路動作について図3で説明する。この図3は、センシング発光を行わないフレーム期間の動作としている。
そして、この表示発光動作は、各画素回路10の駆動トランジスタTdの閾値、移動度のばらつきによるユニフォミティ劣化を補償するための閾値補正動作、移動度補正動作を含む回路動作である。
なお画素回路動作においては、閾値補正動作、移動度補正動作自体は、従来より行われているが、この必要性について簡単に説明しておく。
例えばポリシリコンTFT等を用いた画素回路では、駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthや、駆動トランジスタTdのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度μが経時的に変化することがある。また製造プロセスのバラツキによって閾値電圧Vthや移動度μのトランジスタ特性が画素毎に異なったりする。
駆動トランジスタTdの閾値電圧や移動度が画素毎に異なると、画素毎に駆動トランジスタTdに流れる電流値にばらつきが生じる。このため仮に全画素回路10に同一の映像信号値(映像信号電圧Vsig)を与えたとしても、有機EL素子1の発光輝度に画素毎のバラツキが生じ、その結果、画面のユニフォミティ(一様性)が損なわれる。
このことから、画素回路動作においては、閾値電圧Vthや移動度μの変動に対する補正機能を持たせるようにしている。
例えばポリシリコンTFT等を用いた画素回路では、駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthや、駆動トランジスタTdのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度μが経時的に変化することがある。また製造プロセスのバラツキによって閾値電圧Vthや移動度μのトランジスタ特性が画素毎に異なったりする。
駆動トランジスタTdの閾値電圧や移動度が画素毎に異なると、画素毎に駆動トランジスタTdに流れる電流値にばらつきが生じる。このため仮に全画素回路10に同一の映像信号値(映像信号電圧Vsig)を与えたとしても、有機EL素子1の発光輝度に画素毎のバラツキが生じ、その結果、画面のユニフォミティ(一様性)が損なわれる。
このことから、画素回路動作においては、閾値電圧Vthや移動度μの変動に対する補正機能を持たせるようにしている。
図3は画素回路10の発光サイクル(各フレーム期間)の動作のタイミングチャートである。
この図3では、水平セレクタ11が信号線DTLに与える信号線電圧を示している。この動作例の場合、水平セレクタ11は信号線電圧として、1水平期間(1H)に、所定の電圧値としての閾値補正基準電圧Vofsと、映像信号電圧Vsigとしてのパルス電圧を信号線DTLに与える。
また図3には、書込制御線WSLを介してライトスキャナ13によってサンプリングトランジスタTsのゲートに与えられる走査パルスWSを示している。nチャネルのサンプリングトランジスタTsは、走査パルスWSがHレベルとされることで導通され、走査パルスWSがLレベルとされることで非導通となる。
また図3には、電源制御線DSLを介してドライブスキャナ12から供給される電源パルスDSを示している。電源パルスDSとしては駆動電圧Vcc又は初期電圧Viniが与えられる。
また図3には、図2に示したノードND1、ND2の電圧として、駆動トランジスタTdのゲート電圧Vgとソース電圧Vsの変化を示している。
この図3では、水平セレクタ11が信号線DTLに与える信号線電圧を示している。この動作例の場合、水平セレクタ11は信号線電圧として、1水平期間(1H)に、所定の電圧値としての閾値補正基準電圧Vofsと、映像信号電圧Vsigとしてのパルス電圧を信号線DTLに与える。
また図3には、書込制御線WSLを介してライトスキャナ13によってサンプリングトランジスタTsのゲートに与えられる走査パルスWSを示している。nチャネルのサンプリングトランジスタTsは、走査パルスWSがHレベルとされることで導通され、走査パルスWSがLレベルとされることで非導通となる。
また図3には、電源制御線DSLを介してドライブスキャナ12から供給される電源パルスDSを示している。電源パルスDSとしては駆動電圧Vcc又は初期電圧Viniが与えられる。
また図3には、図2に示したノードND1、ND2の電圧として、駆動トランジスタTdのゲート電圧Vgとソース電圧Vsの変化を示している。
図3のタイミングチャートにおける時点tsは、発光素子である有機EL素子1が発光駆動される1サイクル、例えば画像表示の1フレーム期間の開始タイミングとなる。
この時点tsに至る前は、前フレームの発光が行われている。
即ち、有機EL素子1の発光状態は、電源パルスDSが駆動電圧Vccであり、サンプリングトランジスタTsがオフした状態である。この時、駆動トランジスタTdは飽和領域で動作するように設定されているため、有機EL素子1に流れる電流Idsは駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgsに応じて、上述した式1に示される値となる。
この時点tsに至る前は、前フレームの発光が行われている。
即ち、有機EL素子1の発光状態は、電源パルスDSが駆動電圧Vccであり、サンプリングトランジスタTsがオフした状態である。この時、駆動トランジスタTdは飽和領域で動作するように設定されているため、有機EL素子1に流れる電流Idsは駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgsに応じて、上述した式1に示される値となる。
時点tsで今回のフレームの発光のための動作が開始される。
期間LT1として、消光及び閾値補正のための準備が行われる。
まず電源パルスDS=初期電位Viniとされる。
このとき、初期電位Viniが有機EL素子1の閾値電圧Vthelとカソード電圧Vcatの和よりも小さい、つまりVini ≦Vthel+Vcatであることで、有機EL素子1は消光し、非発光期間が開始される。このとき電源制御線DSLが駆動トランジスタTdのソースとなる。また有機EL素子1のアノード(ノードND2)は初期電位Viniに充電される。
また駆動トランジスタTdのゲート電位(ノードND1)は、ソース電位の低下に応じて、或る電位Vg’まで低下する。
期間LT1として、消光及び閾値補正のための準備が行われる。
まず電源パルスDS=初期電位Viniとされる。
このとき、初期電位Viniが有機EL素子1の閾値電圧Vthelとカソード電圧Vcatの和よりも小さい、つまりVini ≦Vthel+Vcatであることで、有機EL素子1は消光し、非発光期間が開始される。このとき電源制御線DSLが駆動トランジスタTdのソースとなる。また有機EL素子1のアノード(ノードND2)は初期電位Viniに充電される。
また駆動トランジスタTdのゲート電位(ノードND1)は、ソース電位の低下に応じて、或る電位Vg’まで低下する。
一定時間後、閾値補正のための準備が行われる。
即ち、信号線DTLの電位が閾値補正基準電圧Vofsである時に、走査パルスWSがHレベルとされ、サンプリングトランジスタTsがオンとされる。このため駆動トランジスタTdのゲート(ノードND1)は閾値補正基準電圧Vofsとなる。
駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgs=Vofs−Viniとなる。
このVofs−Viniが駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthよりも大きくないと閾値補正動作を行うことができないために、Vofs−Vini>Vthとなるように、初期電位Vini、基準電圧Vofsが設定されている。
即ち閾値補正の準備として、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧が、その閾値電圧Vthよりも十分広げられることになる。
即ち、信号線DTLの電位が閾値補正基準電圧Vofsである時に、走査パルスWSがHレベルとされ、サンプリングトランジスタTsがオンとされる。このため駆動トランジスタTdのゲート(ノードND1)は閾値補正基準電圧Vofsとなる。
駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgs=Vofs−Viniとなる。
このVofs−Viniが駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthよりも大きくないと閾値補正動作を行うことができないために、Vofs−Vini>Vthとなるように、初期電位Vini、基準電圧Vofsが設定されている。
即ち閾値補正の準備として、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧が、その閾値電圧Vthよりも十分広げられることになる。
続いて期間LT2として閾値補正(Vth補正)が行われる。
即ち、信号線電圧が閾値補正基準電圧Vofsとなっている間、ライトスキャナ13は走査パルスWSのHレベルを維持する。そしてドライブスキャナ12が電源パルスDSを駆動電圧Vccとする。
この場合、有機EL素子1のアノード(ノードND2)が駆動トランジスタTdのソースとなり電流が流れる。このため、駆動トランジスタTdのゲート(ノードND1)は閾値補正基準電圧Vofsに固定されたまま、ソースノード(ノードND2)が上昇する。
有機EL素子1のアノード電位(ノードND2の電位)が、Vcat+Vthel(有機EL素子1の閾値電圧)以下である限り、駆動トランジスタTdの電流は保持容量Csと寄生容量Coled及び補助容量Csubを充電するために使われる。有機EL素子1のアノード電位がVcat+Vthel以下である限りとは、有機EL素子1のリーク電流が駆動トランジスタTdに流れる電流よりもかなり小さいという意味である。
このためノードND2の電位(駆動トランジスタTdのソース電位)は、時間と共に上昇してゆく。
即ち、信号線電圧が閾値補正基準電圧Vofsとなっている間、ライトスキャナ13は走査パルスWSのHレベルを維持する。そしてドライブスキャナ12が電源パルスDSを駆動電圧Vccとする。
この場合、有機EL素子1のアノード(ノードND2)が駆動トランジスタTdのソースとなり電流が流れる。このため、駆動トランジスタTdのゲート(ノードND1)は閾値補正基準電圧Vofsに固定されたまま、ソースノード(ノードND2)が上昇する。
有機EL素子1のアノード電位(ノードND2の電位)が、Vcat+Vthel(有機EL素子1の閾値電圧)以下である限り、駆動トランジスタTdの電流は保持容量Csと寄生容量Coled及び補助容量Csubを充電するために使われる。有機EL素子1のアノード電位がVcat+Vthel以下である限りとは、有機EL素子1のリーク電流が駆動トランジスタTdに流れる電流よりもかなり小さいという意味である。
このためノードND2の電位(駆動トランジスタTdのソース電位)は、時間と共に上昇してゆく。
この閾値補正は、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧を閾値電圧Vthとする動作である。従って駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Vthとなるまで、駆動トランジスタTdのソース電位が上昇される。
一定時間経過すると、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Vthとなる。
なお、この例では閾値補正動作を1回行うものとしているが、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Vthとなる時間を確保するため、閾値補正動作が分割して複数回行われることもある。
一定時間経過すると、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Vthとなる。
なお、この例では閾値補正動作を1回行うものとしているが、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Vthとなる時間を確保するため、閾値補正動作が分割して複数回行われることもある。
期間LT2の終了時点で、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Vthとなった時、ソース電位(ノードND2:有機EL素子1のアノード電位)=Vofs−Vth≦Vcat+Vthelとなっている。(Vcatはカソード電位、Vthelは有機EL素子1の閾値電圧)
このとき、ライトスキャナ13は走査パルスWSをLレベルとし、サンプリングトランジスタTsがオフとなって閾値補正動作が完了する。
このとき、ライトスキャナ13は走査パルスWSをLレベルとし、サンプリングトランジスタTsがオフとなって閾値補正動作が完了する。
その後、信号線電圧が映像信号電圧Vsigとなっている期間LT3に、ライトスキャナ13が走査パルスWSがHレベルとし、映像信号電圧Vsigの書込及び移動度補正が行われる。即ち駆動トランジスタTdのゲートに映像信号電圧Vsigが入力される。
駆動トランジスタTdのゲート電位は映像信号電圧Vsigの電位となるが、電源制御線DSLが駆動電圧Vccとなっていることで電流が流れ、ソース電位は時間とともに上昇してゆく。
このとき、駆動トランジスタTdのソース電圧が有機EL素子1の閾値電圧Vthelとカソード電圧Vcatの和を越えなければ、駆動トランジスタTdの電流は保持容量Csと寄生容量Coled及び補助容量Csubを充電するのに使用される。つまり有機EL素子1のリーク電流が駆動トランジスタTdに流れる電流よりもかなり小さければという条件である。
そしてこのときは、駆動トランジスタTdの閾値補正動作は完了しているため、駆動トランジスタTdが流す電流は移動度μを反映したものとなる。
具体的にいうと、移動度が大きいものはこの時の電流量が大きく、ソースの上昇も早い。逆に移動度が小さいものは電流量が小さく、ソースの上昇は遅くなる。
これによって、走査パルスWSがHレベルとなる期間LT4として、サンプリングトランジスタTsがオンしてから、駆動トランジスタTdのソース電圧Vsは上昇し、サンプリングトランジスタTsがオフしたときには、ソース電圧Vsは移動度μを反映した電圧となる。駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgsは移動度を反映して小さくなり、一定時間経過後に完全に移動度を補正する電圧となる。
このとき、駆動トランジスタTdのソース電圧が有機EL素子1の閾値電圧Vthelとカソード電圧Vcatの和を越えなければ、駆動トランジスタTdの電流は保持容量Csと寄生容量Coled及び補助容量Csubを充電するのに使用される。つまり有機EL素子1のリーク電流が駆動トランジスタTdに流れる電流よりもかなり小さければという条件である。
そしてこのときは、駆動トランジスタTdの閾値補正動作は完了しているため、駆動トランジスタTdが流す電流は移動度μを反映したものとなる。
具体的にいうと、移動度が大きいものはこの時の電流量が大きく、ソースの上昇も早い。逆に移動度が小さいものは電流量が小さく、ソースの上昇は遅くなる。
これによって、走査パルスWSがHレベルとなる期間LT4として、サンプリングトランジスタTsがオンしてから、駆動トランジスタTdのソース電圧Vsは上昇し、サンプリングトランジスタTsがオフしたときには、ソース電圧Vsは移動度μを反映した電圧となる。駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgsは移動度を反映して小さくなり、一定時間経過後に完全に移動度を補正する電圧となる。
このように映像信号電圧Vsig書込及び移動度補正を行った後、ゲート・ソース間電圧Vgsを確定させ、ブートストラップ、発光状態へと移行する。
即ち走査パルスWSをLレベルとしてサンプリングトランジスタTsをオフして書き込みが終了し、有機EL素子1を発光させる。
この場合、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgsに応じた電流Idsが流れ、ノードND2の電位は、有機EL素子1にその電流が流れる電圧まで上昇し、有機EL素子1は発光する。このときサンプリングトランジスタTsがオフであり、ノードND2の電位の上昇と同時に駆動トランジスタTdのゲート(ノードND1)も同様に上昇するため、ゲート・ソース間電圧Vgsは一定に保たれたままである。(ブートストラップ動作)
即ち走査パルスWSをLレベルとしてサンプリングトランジスタTsをオフして書き込みが終了し、有機EL素子1を発光させる。
この場合、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgsに応じた電流Idsが流れ、ノードND2の電位は、有機EL素子1にその電流が流れる電圧まで上昇し、有機EL素子1は発光する。このときサンプリングトランジスタTsがオフであり、ノードND2の電位の上昇と同時に駆動トランジスタTdのゲート(ノードND1)も同様に上昇するため、ゲート・ソース間電圧Vgsは一定に保たれたままである。(ブートストラップ動作)
このように画素回路10は1フレーム期間における1サイクルの発光駆動動作として、閾値補正動作及び移動度補正動作を含んで、有機EL素子1の発光のための動作が行われる。
閾値補正動作によって各画素回路10での駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthのバラツキや、経時変動による閾値電圧Vth変動などに関わらず、信号電位Vsigに応じた電流を有機EL素子1に与えることができる。つまり製造上或いは経時変化による閾値電圧Vthのバラツキをキャンセルして、画面上に輝度ムラ等を発生させずに高画質を維持できる。
また、駆動トランジスタTdの移動度によってもドレイン電流は変動するため、画素回路10毎の駆動トランジスタTdの移動度のバラツキにより画質が低下するが、移動度補正により、駆動トランジスタTdの移動度の大小に応じてソース電位Vsが得られる。結果として各画素回路10の駆動トランジスタTdの移動度のバラツキを吸収するようなゲート・ソース間電圧Vgsに調整されるため、移動度のバラツキによる画質低下も解消される。
閾値補正動作によって各画素回路10での駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthのバラツキや、経時変動による閾値電圧Vth変動などに関わらず、信号電位Vsigに応じた電流を有機EL素子1に与えることができる。つまり製造上或いは経時変化による閾値電圧Vthのバラツキをキャンセルして、画面上に輝度ムラ等を発生させずに高画質を維持できる。
また、駆動トランジスタTdの移動度によってもドレイン電流は変動するため、画素回路10毎の駆動トランジスタTdの移動度のバラツキにより画質が低下するが、移動度補正により、駆動トランジスタTdの移動度の大小に応じてソース電位Vsが得られる。結果として各画素回路10の駆動トランジスタTdの移動度のバラツキを吸収するようなゲート・ソース間電圧Vgsに調整されるため、移動度のバラツキによる画質低下も解消される。
[3.センシング発光を含めた画素回路動作]
本実施の形態では、上述のようにタッチパネル機能を有するものとしており、このため上記の表示発光のための動作とともに、画素回路10はセンシング発光を行う場合がある。センシング発光とは、表示画面上に触れられた指等の外部反射物による反射光を光検出部31で検出させるための発光である。
本実施の形態では、上述のようにタッチパネル機能を有するものとしており、このため上記の表示発光のための動作とともに、画素回路10はセンシング発光を行う場合がある。センシング発光とは、表示画面上に触れられた指等の外部反射物による反射光を光検出部31で検出させるための発光である。
図4は、上記図3と同様に画素回路10の1発光サイクル(1フレーム期間)の動作のタイミングチャートを示している。図3と同様、信号線電圧、走査パルスWS、電源パルスDS、ノードND1(駆動トランジスタTdのゲート電圧Vg)、ND2(駆動トランジスタTdのソース電圧Vs)を示している。
この図4では、或る画素回路10が、フレーム#1としての期間には、表示発光のみを行い、次のフレーム#2としての期間に、表示発光とともにセンシング発光を行う例としている。
フレーム#1の発光サイクルとして、期間LT1,LT2,LT3の表示発光のための動作は上記図3と同様であるため重複説明は避ける。
この場合、フレーム#2の期間であって、表示発光を開始する前の非発光期間に、センシング発光を行う。
即ちフレーム#2の発光サイクルにおける期間LT1において、時点t2〜t3にセンシング発光を行う。
この図4では、或る画素回路10が、フレーム#1としての期間には、表示発光のみを行い、次のフレーム#2としての期間に、表示発光とともにセンシング発光を行う例としている。
フレーム#1の発光サイクルとして、期間LT1,LT2,LT3の表示発光のための動作は上記図3と同様であるため重複説明は避ける。
この場合、フレーム#2の期間であって、表示発光を開始する前の非発光期間に、センシング発光を行う。
即ちフレーム#2の発光サイクルにおける期間LT1において、時点t2〜t3にセンシング発光を行う。
フレーム#2の期間LT1では、まず電源パルスDS=初期電位Viniとされ、それまでのフレーム#1での表示発光が終了される。
その後、期間LT2に至る直前に閾値補正のための準備が行われるわけであるが、その前の時点でセンシング発光を行う。
まず時点t1でセンシング発光のための映像信号電圧Vsigの書込が行われる。時点t1とは、信号線DTLの電圧が、他の或る画素に対する映像信号電圧Vsigとされている期間内であるが、このときに、走査パルスWSがHレベルとされ、サンプリングトランジスタTsがオンとされる。従って、他の画素回路10に対する映像信号電圧Vsigが、この画素回路10の駆動トランジスタTdのゲート(保持容量Cs)にも入力され、駆動トランジスタTdのゲート電圧Vgが上昇する。
そして、時点t2〜t3の期間、電源パルスDS=駆動電圧Vccとされる。これによって駆動トランジスタTdのソース電圧Vs、ゲート電圧Vgは上昇し(ブートストラップ)、有機EL素子1に電流が流れ、発光に至る。
その後、期間LT2に至る直前に閾値補正のための準備が行われるわけであるが、その前の時点でセンシング発光を行う。
まず時点t1でセンシング発光のための映像信号電圧Vsigの書込が行われる。時点t1とは、信号線DTLの電圧が、他の或る画素に対する映像信号電圧Vsigとされている期間内であるが、このときに、走査パルスWSがHレベルとされ、サンプリングトランジスタTsがオンとされる。従って、他の画素回路10に対する映像信号電圧Vsigが、この画素回路10の駆動トランジスタTdのゲート(保持容量Cs)にも入力され、駆動トランジスタTdのゲート電圧Vgが上昇する。
そして、時点t2〜t3の期間、電源パルスDS=駆動電圧Vccとされる。これによって駆動トランジスタTdのソース電圧Vs、ゲート電圧Vgは上昇し(ブートストラップ)、有機EL素子1に電流が流れ、発光に至る。
その後、時点t3で電源パルスDS=初期電位Viniに戻されると、ソース電圧Vs、ゲート電圧Vgは下降し、センシング発光は終了される。
そして期間LT2の直前で、通常の表示発光のための閾値補正準備が行われ、期間LT2で閾値補正、期間LT3で映像信号電圧Vsigの書込及び移動度補正が行われて、その後、表示発光としての発光動作に至る。
そして期間LT2の直前で、通常の表示発光のための閾値補正準備が行われ、期間LT2で閾値補正、期間LT3で映像信号電圧Vsigの書込及び移動度補正が行われて、その後、表示発光としての発光動作に至る。
[4.実施の形態の部分発光]
以上のように本例の画素回路10は、画面上での映像表示のための表示発光と、タッチパネル機能を実現するため、つまり光センサ30での検出のためのセンシング発光とが行われる。
ここで本実施の形態では、全画素回路10で常に各フレーム期間にセンシング発光が行われるのではなく、各フレーム期間では、一部の画素回路10のみで、図4に示すようにセンシング発光が行われるものとしている。以下、この部分発光について説明する。
以上のように本例の画素回路10は、画面上での映像表示のための表示発光と、タッチパネル機能を実現するため、つまり光センサ30での検出のためのセンシング発光とが行われる。
ここで本実施の形態では、全画素回路10で常に各フレーム期間にセンシング発光が行われるのではなく、各フレーム期間では、一部の画素回路10のみで、図4に示すようにセンシング発光が行われるものとしている。以下、この部分発光について説明する。
まず、参考として図5(a)に、液晶ディスプレイにタッチパネル機能を備えた場合を示す。液晶ディスプレイパネルの場合、例えばバックライト光の反射光を検出することで、タッチ検出を行う。図5(a)では非常に単純化し、かつ液晶素子部も省略して示しているが、バックライト100の光は、図示しない液晶素子部を通過したうえで、発光画素の光がパネル表面のガラス102から出力される。ここで、指による反射があった場合に、その指の位置に対応する受光素子101で、反射光が検出され、タッチ位置が検出されるようになされている。
指先やスタイラスなど、タッチパネル入力で用いる外部反射物の接触面積は画素ピッチに対して大きい為、受光素子101は、複数画素に一つずつのレイアウトで構わない。
しかしながら、液晶ディスプレイはバックライト駆動であるので、結果的にバックライトは全面発光状態になり消費電力が増加してしまうという欠点がある。
この図5において、斜線部は発光状態の部分を示すこととしているが、バックライト100は当然全面発光である。
しかしながら、液晶ディスプレイはバックライト駆動であるので、結果的にバックライトは全面発光状態になり消費電力が増加してしまうという欠点がある。
この図5において、斜線部は発光状態の部分を示すこととしているが、バックライト100は当然全面発光である。
一方、有機EL表示装置においてタッチパネル機能を備える場合、図5(b)のように、パネル表面を構成するガラス40の内部で、画素アレイ20の下方に光センサ30を配置する。そして画素アレイ20内の画素回路10からの光であって、指等で反射された反射光が光センサ30で検出される構造となる。
ここで、タッチ検出の際には、図5(b)のように画素アレイ20内の全画素回路10を発光させることが考えられる。画面上は図5(b)右側に示すように全面発光状態となる。
しかし、センシング発光を全面発光として行うと、消費電力の点で不利である。さらに1フレーム期間中の短期間に行うセンシング発光であっても、画面上で発光するため、視認されてしまう。そして全面発光動作では、画面が全体的に光ってしまう。その為、黒表示画面では黒浮きが問題になってしまう。つまりセンシング発光の影響で黒表示でも多少輝度が高く視認されてしまう。これは画面表示の階調性を低下させることとなる。
ここで、タッチ検出の際には、図5(b)のように画素アレイ20内の全画素回路10を発光させることが考えられる。画面上は図5(b)右側に示すように全面発光状態となる。
しかし、センシング発光を全面発光として行うと、消費電力の点で不利である。さらに1フレーム期間中の短期間に行うセンシング発光であっても、画面上で発光するため、視認されてしまう。そして全面発光動作では、画面が全体的に光ってしまう。その為、黒表示画面では黒浮きが問題になってしまう。つまりセンシング発光の影響で黒表示でも多少輝度が高く視認されてしまう。これは画面表示の階調性を低下させることとなる。
そこで本実施の形態では、有機EL素子1を用いることを利用し、センシング発光を一部の画素回路10による部分発光とする。有機EL素子1は自発光駆動であるため、発光箇所の制御が可能であるからである。
図5(c)のように、画素アレイ20のうちで、一部の画素回路10にセンシング発光を実行させ、その指等による反射光を、光センサ30で受光する。図5(c)の右側に、画面上で一部の画素のみが発光している状態を模式的に示している。
パネル面内での光散乱距離は短いため、センシング発光させる画素の選定は光センサ30に合わせればよい。つまり、光センサ30での光検出のための発光動作を行う一部の画素回路10としては、光センサ30の配置に応じて選定する。
部分発光とすることで、センシング時の画素発光は全面発光に比べて少なくできる。例えば、光センサ30を、図1のように3×3画素に対して一つ持つとすれば、センシング発光画素は全面発光の1/9にする事ができる。
図5(c)のように、画素アレイ20のうちで、一部の画素回路10にセンシング発光を実行させ、その指等による反射光を、光センサ30で受光する。図5(c)の右側に、画面上で一部の画素のみが発光している状態を模式的に示している。
パネル面内での光散乱距離は短いため、センシング発光させる画素の選定は光センサ30に合わせればよい。つまり、光センサ30での光検出のための発光動作を行う一部の画素回路10としては、光センサ30の配置に応じて選定する。
部分発光とすることで、センシング時の画素発光は全面発光に比べて少なくできる。例えば、光センサ30を、図1のように3×3画素に対して一つ持つとすれば、センシング発光画素は全面発光の1/9にする事ができる。
部分発光とする事で、センシング発光動作における消費電力を大きく低減する事ができる。
また、上述のようにセンシング発光も発光動作であるので視認されてしまうが、部分発光では発光面積も小さくなり、センシング発光の視認性も低下するので、黒浮きによる画質低下の影響を下げることができる。
また、上述のようにセンシング発光も発光動作であるので視認されてしまうが、部分発光では発光面積も小さくなり、センシング発光の視認性も低下するので、黒浮きによる画質低下の影響を下げることができる。
このような部分発光としてのセンシング発光を実行させる画素は、固定であっても良いし、変化させてもよい。
例えば図5(c)右側のような部分発光させる画素を固定とする場合は、当該画素に対して、毎フレーム、図4のフレーム#2の期間の動作を実行させればよい。具体的には、ドライブスキャナ12,ライトスキャナ13が、それぞれ図4のフレーム#2の期間に示したように電源パルスDS、走査パルスWSを、毎フレーム出力すればよい。或いは、毎フレームではなく、間欠的なフレームで、センシング発光をおこなわせてもよい。
例えば図5(c)右側のような部分発光させる画素を固定とする場合は、当該画素に対して、毎フレーム、図4のフレーム#2の期間の動作を実行させればよい。具体的には、ドライブスキャナ12,ライトスキャナ13が、それぞれ図4のフレーム#2の期間に示したように電源パルスDS、走査パルスWSを、毎フレーム出力すればよい。或いは、毎フレームではなく、間欠的なフレームで、センシング発光をおこなわせてもよい。
部分発光として選択する画素は、光センサ30の近辺の画素であることが好ましい。効率的に受光できるようにするためである。
従って、光センサ30の配置位置に応じてセンシング発光させる画素を決めることが考えられる。
従って、光センサ30の配置位置に応じてセンシング発光させる画素を決めることが考えられる。
また、センシング用の部分発光に関しては、B光が望ましい。B光は強度が強いために、受光センサに対する感度が高い一方で、視認性は低いので、消費電力や黒浮きの観点からも、部分発光駆動は適している。
図6にB光による部分発光の例を示す。
図6では、マトリクス配置された各画素回路10を、R(赤)、G(緑)、B(青)の画素に区別して示している。この中で、B画素回路10のなかから、部分発光させる画素を選択する。例えば斜線を付した画素が、センシング発光させるB画素としている。
図6にB光による部分発光の例を示す。
図6では、マトリクス配置された各画素回路10を、R(赤)、G(緑)、B(青)の画素に区別して示している。この中で、B画素回路10のなかから、部分発光させる画素を選択する。例えば斜線を付した画素が、センシング発光させるB画素としている。
さらに、センシング発光させる画素回路10を、フレーム期間毎などで切り換えていっても良い。
図7,図8に例を示す。
例えば縦横3×3画素の画素ブロック、即ち9個の画素回路10に対して、1個の光センサ30が配置されているとする。
このときに、各画素ブロック内で、センシング発光させる画素回路10を1フレームごとにシフトさせていく。
図7,図8に例を示す。
例えば縦横3×3画素の画素ブロック、即ち9個の画素回路10に対して、1個の光センサ30が配置されているとする。
このときに、各画素ブロック内で、センシング発光させる画素回路10を1フレームごとにシフトさせていく。
図7、図8ではセンシング発光を行う画素に斜線を付している。
第1フレームの期間は、画素ブロック内の第1行第1列の画素回路10に発光させる。
第2フレームの期間は、画素ブロック内の第1行第2列の画素回路10に発光させる。
第3フレームの期間は、画素ブロック内の第1行第3列の画素回路10に発光させる。
第4フレームの期間は、画素ブロック内の第2行第1列の画素回路10に発光させる。
第5フレームの期間は、画素ブロック内の第2行第2列の画素回路10に発光させる。
そして同様に第6フレームから第8フレームも発光させる画素回路10をシフトさせていき、第9フレームの期間は、画素ブロック内の第3行第3列の画素回路10に発光させる。
このように部分発光させる画素を変更させていく場合は、各フレームで、図4のフレーム#2の期間の動作を実行させる画素回路を変更すればよい。具体的には、ドライブスキャナ12,ライトスキャナ13が、それぞれのフレームで発光させる画素回路10に対して図4のフレーム#2の期間に示した電源パルスDS、走査パルスWSを出力すればよい。
第1フレームの期間は、画素ブロック内の第1行第1列の画素回路10に発光させる。
第2フレームの期間は、画素ブロック内の第1行第2列の画素回路10に発光させる。
第3フレームの期間は、画素ブロック内の第1行第3列の画素回路10に発光させる。
第4フレームの期間は、画素ブロック内の第2行第1列の画素回路10に発光させる。
第5フレームの期間は、画素ブロック内の第2行第2列の画素回路10に発光させる。
そして同様に第6フレームから第8フレームも発光させる画素回路10をシフトさせていき、第9フレームの期間は、画素ブロック内の第3行第3列の画素回路10に発光させる。
このように部分発光させる画素を変更させていく場合は、各フレームで、図4のフレーム#2の期間の動作を実行させる画素回路を変更すればよい。具体的には、ドライブスキャナ12,ライトスキャナ13が、それぞれのフレームで発光させる画素回路10に対して図4のフレーム#2の期間に示した電源パルスDS、走査パルスWSを出力すればよい。
図7,図8の例のように例えば9フレーム周期でセンシング発光させる画素回路10をシフトすると、黒浮きの輝度も1/9に低下させる事ができる。これにより、センシング駆動による黒浮きの影響を大きく低下させる事ができる。
もちろん3×3画素のブロックとするのは一例にすぎない。画素ブロックを構成する画素数を増やして、周期フレーム数を増加させれば、その分、黒浮き低減という意味で、より大きな効果が得られる。画素ブロックを構成する画素数は、1つの光センサ30が受光できる範囲で決めることが適切である。例えば1つの光センサ30が、最大4×4個の画素についての反射光を受光できるように配置されているのであれば、センシング発光をシフトさせる画素ブロックは、4×4画素以内で、画素ブロックを形成すればよい。
また、発光画素をシフトさせるのは1フレームに限らず、例えば2フレーム毎などとしてもよい。
また画素ブロック内でのシフトさせる順序も、どのような順序であってもよい。
もちろん3×3画素のブロックとするのは一例にすぎない。画素ブロックを構成する画素数を増やして、周期フレーム数を増加させれば、その分、黒浮き低減という意味で、より大きな効果が得られる。画素ブロックを構成する画素数は、1つの光センサ30が受光できる範囲で決めることが適切である。例えば1つの光センサ30が、最大4×4個の画素についての反射光を受光できるように配置されているのであれば、センシング発光をシフトさせる画素ブロックは、4×4画素以内で、画素ブロックを形成すればよい。
また、発光画素をシフトさせるのは1フレームに限らず、例えば2フレーム毎などとしてもよい。
また画素ブロック内でのシフトさせる順序も、どのような順序であってもよい。
また上述のようにセンシング発光に関しては、B光が望ましい。B画素回路10のみを用いることと、発光画素のシフトとを組み合わせることも好適である。
図9に例を示す。
図9では、6×5画素を1ブロックとしているが、この画素ブロックには、B画素回路10のみを考えれば、10個のB画素回路が含まれていることになる。
このような画素ブロックにおいて、例えば1フレームごとに発光させるB画素回路をシフトさせていく。
第1フレームの期間は、画素ブロック内の第1行第3列のB画素回路10に発光させる。
第2フレームの期間は、画素ブロック内の第1行第6列のB画素回路10に発光させる。
第3フレームの期間は、画素ブロック内の第2行第3列のB画素回路10に発光させる。
以降、図示は省略するが、同様にB画素回路10のみで発光画素をシフトさせていく。即ち、10フレーム周期でセンシング発光させるB画素回路10をシフトさせる。これにより、全画面で見た場合のセンシング発光による画面輝度をより効果的に低下させ、センシング駆動による黒浮きの影響をさらに大きく低下させる事ができる。
図9に例を示す。
図9では、6×5画素を1ブロックとしているが、この画素ブロックには、B画素回路10のみを考えれば、10個のB画素回路が含まれていることになる。
このような画素ブロックにおいて、例えば1フレームごとに発光させるB画素回路をシフトさせていく。
第1フレームの期間は、画素ブロック内の第1行第3列のB画素回路10に発光させる。
第2フレームの期間は、画素ブロック内の第1行第6列のB画素回路10に発光させる。
第3フレームの期間は、画素ブロック内の第2行第3列のB画素回路10に発光させる。
以降、図示は省略するが、同様にB画素回路10のみで発光画素をシフトさせていく。即ち、10フレーム周期でセンシング発光させるB画素回路10をシフトさせる。これにより、全画面で見た場合のセンシング発光による画面輝度をより効果的に低下させ、センシング駆動による黒浮きの影響をさらに大きく低下させる事ができる。
以上の本実施の形態の部分発光の各例によれば、センシング発光による消費電力増加を抑制するとともに、センシング発光での視認性を抑え、表示映像の黒浮きを抑制する事ができる。
特に、センシング発光箇所を所定フレーム毎にシフトさせるなど変更していくことや、B画素回路にセンシング発光を実行させることで、センシング発光による黒浮き等の画質低下を大きく抑制することができる。
特に、センシング発光箇所を所定フレーム毎にシフトさせるなど変更していくことや、B画素回路にセンシング発光を実行させることで、センシング発光による黒浮き等の画質低下を大きく抑制することができる。
以上、実施の形態について説明したが、本発明は上記例に限定されるものではない。例えば画素回路10の構成は、図2のものに限定されず、多様な例が考えられる。特に本発明は、自発光素子を用いる表示装置であり、タッチパネル機能を備える用にする場合に適用できる。
1 有機EL素子、10 画素回路、11 水平セレクタ、12 ドライブスキャナ、13 ライトスキャナ、20 画素アレイ部、30 光センサ、31 タッチ検出部、Cs 保持容量、Ts サンプリングトランジスタ、Td 駆動トランジスタ
Claims (6)
- 自発光素子を有する画素回路がマトリクス状に配置されて成る画素アレイと、
それぞれが、上記画素アレイ上の1又は複数の画素回路に対応して配置され、対応する画素回路の上記自発光素子からの出力光についての外部反射物による反射光を受光する受光部と、
上記受光部の受光情報から外部入力を検出する外部入力検出部と、
上記各画素回路を発光駆動して映像表示を実行させるとともに、上記受光部での光検出のための上記画素回路の発光動作としては、上記画素アレイ上の全画素回路の内の一部の画素回路にのみ実行させる発光駆動部と、
を備えた表示装置。 - 上記受光部での光検出のための発光動作を行う一部の画素回路は、上記受光部の配置に応じて選定する請求項1に記載の表示装置。
- 上記発光駆動部は、所定フレーム期間毎に、上記光検出のための発光動作を実行させる画素回路を変更する請求項2に記載の表示装置。
- 上記画素回路としては、R発光画素回路、G発光画素回路、B発光画素回路があり、
上記発光駆動部は、上記B発光画素に、上記光検出のための発光動作を実行させる請求項2に記載の表示装置。 - 上記発光駆動部は、画素回路に対し、画素回路の映像表示のための1発光サイクルにおける非発光期間に、上記光検出のための発光動作を実行させる請求項2に記載の表示装置。
- 自発光素子を有する画素回路がマトリクス状に配置されて成る画素アレイと、
それぞれが、上記画素アレイ上の1又は複数の画素回路に対応して配置され、対応する画素回路の上記自発光素子からの出力光についての外部反射物による反射光を受光する受光部と、
を備えた表示装置の入力検出方法として、
上記受光部での光検出のための上記画素回路の発光動作として上記画素アレイ上の全画素回路の内の一部の画素回路に発光動作を実行させ、該発光動作の際における上記各受光部の受光情報に基づいて、上記画素アレイによる表示画面に対する入力を検出する入力検出方法。
Priority Applications (1)
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JP2010057115A JP2011191473A (ja) | 2010-03-15 | 2010-03-15 | 表示装置、入力検出方法 |
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KR20160027524A (ko) * | 2014-09-01 | 2016-03-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
WO2021044253A1 (ja) * | 2019-09-06 | 2021-03-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
WO2022227260A1 (zh) * | 2021-04-27 | 2022-11-03 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
2010
- 2010-03-15 JP JP2010057115A patent/JP2011191473A/ja active Pending
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