JP2011181795A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a jet type tilting conveyance wet processing apparatus that uniformly performs wetting processing on the entire surface of a substrate. <P>SOLUTION: A processing liquid supply mechanism 4 is arranged above the substrate W to be horizontally conveyed in a tilted posture, and jet nozzles 41 for jetting a processing liquid toward an upper surface of the substrate W are fitted to spray pipes 42 extending in a conveyance direction (x direction) of the substrate W. The spray pipes 42 are each so arranged that an interval between the spray pipe 42 and the upper adjacent spray pipe 42 are narrower than an interval between the spray pipe 42 and the lower adjacent spray pipe 42. Further, the distance between the jet nozzle 41 to the substrate W become shorter for the nozzels 41 arranged at lower position by making lower nozzle suspensions 43 longer. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板処理装置、特に、処理液を噴射させることによって、基板表面に付着する不要物を除去する基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a substrate processing apparatus that removes unnecessary substances attached to a substrate surface by spraying a processing liquid.

液晶表示装置、プラズマ表示装置や有機EL表示装置等の画像表示装置用ガラス基板、フォトマスク用基板、光ディスク用基板、半導体ウエハ、太陽電池用基板等の基板の製造には、種々の基板処理装置が必要となる。   Various substrate processing apparatuses are used for manufacturing substrates such as glass substrates for image display devices such as liquid crystal display devices, plasma display devices and organic EL display devices, photomask substrates, optical disk substrates, semiconductor wafers, solar cell substrates, etc. Is required.

これらの基板処理装置の中には、薬液や純水等の処理液を基板に供給することによって、所要の処理を行うウエット処理がある。   Among these substrate processing apparatuses, there is a wet process for performing a required process by supplying a processing solution such as a chemical solution or pure water to a substrate.

ウエット処理には、ノズルから薬液や純水等の処理液を細かなシャワー状に噴射するように供給することにより、噴射された処理液が勢いのある飛沫となって、基板表面の不要物に衝突することで、基板から不要物を除去する噴射式のウエット処理がある。   In wet processing, by supplying a processing liquid such as chemical liquid or pure water from a nozzle so as to be sprayed in a fine shower, the sprayed processing liquid becomes vigorous droplets and becomes unnecessary on the substrate surface. There is a jet-type wet process that removes unnecessary materials from the substrate by collision.

また、ウエット処理には、基板を傾斜姿勢で搬送しつつ、基板に対して処理液を供給することにより、基板に供給された処理液が、傾斜した基板に沿って速やかに流下し、基板表面の処理効率が向上するという利点を活かした傾斜搬送型のウエット処理が知られている。   In addition, in the wet processing, by supplying the processing liquid to the substrate while transporting the substrate in an inclined posture, the processing liquid supplied to the substrate quickly flows down along the inclined substrate. Inclined transport type wet processing is known which takes advantage of the improvement of the processing efficiency.

噴射式であって、傾斜搬送型のウエット処理を行う処理装置としては、例えば特許文献1の基板処理装置が開示されている。   For example, a substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1 is disclosed as a processing apparatus that performs an inclined transport type wet process.

特開2000−188272号公報JP 2000-188272 A

従来、噴射式のウエット処理装置を、傾斜搬送型にすると、処理中に傾斜させた基板の高い部位に比べて、基板の低い部位では、ウエット処理の出来具合が弱く、基板の全面を均一にウエット処理できない不都合があった。   Conventionally, when the jet-type wet processing apparatus is an inclined conveyance type, the wet processing is weaker at the lower part of the substrate than at the higher part of the substrate inclined during processing, and the entire surface of the substrate is made uniform. There was an inconvenience that the wet treatment could not be performed.

このような不都合のため、エッチング処理では、基板の傾斜時の高い部位で所定の線幅にエッチングしようとすると、低い部位ではエッチング不足となる。他方、低い部位で所定の線幅にエッチングしようとすると、高い部位では過剰にエッチングしてしまう。基板の全面に渡って、所定の線幅となるように、均一にエッチングすることが困難であった。   Due to such inconvenience, in the etching process, if an attempt is made to etch to a predetermined line width at a high part when the substrate is inclined, the etching is insufficient at a low part. On the other hand, if an attempt is made to etch to a predetermined line width at a low part, etching is excessive at a high part. It was difficult to etch uniformly so as to have a predetermined line width over the entire surface of the substrate.

洗浄処理や剥離処理においては、基板の傾斜時の高い部位では、十分に洗浄できたが、低い部位では洗浄不足が生じ、無理矢理に低い部位まで十分に洗浄しようとすると、高い部位では、必要以上に洗浄することになり、処理液を無駄に消費する不具合が避けられなかった。   In the cleaning process and the peeling process, it was possible to sufficiently clean the high part when the substrate was tilted, but insufficient cleaning occurred in the low part. Therefore, the problem of wasteful consumption of the processing solution was unavoidable.

本発明は、上記課題を解消しようとしてなされたものであり、基板の全面に対して、ウエット処理を均一に施すことができるようにした噴射式で傾斜搬送型のウエット処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and provides a jet-type inclined conveyance type wet processing apparatus capable of uniformly performing wet processing on the entire surface of a substrate. Objective.

上記課題を解決するために、
請求項1に記載の発明は、基板に処理液を供給してウエット処理を行う基板処理装置において、基板を傾斜姿勢で搬送する傾斜搬送手段と、傾斜搬送手段により搬送される基板へ、処理液を噴射する複数の液噴射ノズルを備え、噴射ノズルから噴射された処理液の基板に対する打力が、傾斜姿勢の基板の低い部位が高い部位より強いことを特徴とする。
To solve the above problem,
According to the first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a wet process by supplying a processing liquid to a substrate, an inclined transporting means for transporting the substrate in an inclined posture, and a processing liquid to the substrate transported by the inclined transporting means. A plurality of liquid ejecting nozzles for ejecting the liquid, and the striking force of the processing liquid ejected from the ejecting nozzles on the substrate is stronger in the lower portion of the inclined substrate than in the higher portion.

また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明の基板処理装置において、前記複数の噴射ノズルは、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルの間隔を、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルの間隔より、狭くしたことを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the plurality of injection nozzles are arranged at intervals of the injection nozzles for injecting the processing liquid to a low part of the inclined substrate. It is characterized in that it is narrower than the interval between the spray nozzles for spraying the processing liquid to a high part of the substrate.

また、請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明の基板処理装置において、前記複数の噴射ノズルのうち、傾斜搬送手段の基板搬送方向と交差する方向に沿って配置された噴射ノズルは、傾斜搬送手段の基板搬送方向と交差する方向に関する噴射ノズルの間隔を、傾斜姿勢の基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルでは、狭くしたことを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention, the jets arranged along the direction intersecting the substrate transport direction of the inclined transport means among the plurality of spray nozzles. The nozzle is an injection nozzle that injects the processing liquid to a lower part of the substrate than the injection nozzle that injects the processing liquid to a higher part of the substrate in the inclined posture with respect to the direction of the injection nozzle in the direction intersecting the substrate conveying direction of the inclined conveying means Then, it is characterized by narrowing.

また、請求項4に記載の発明は、請求項2または3に記載の発明の基板処理装置において、前記複数の噴射ノズルのうち、傾斜搬送手段による基板搬送方向に沿って配置された噴射ノズルは、基板搬送方向に関する噴射ノズルの間隔を、傾斜姿勢の基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルでは、狭くしたことを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the second or third aspect, wherein among the plurality of spray nozzles, the spray nozzles arranged along the substrate transport direction by the inclined transport means are The spray nozzle interval in the substrate transport direction is narrower in the spray nozzle that sprays the processing liquid to the lower part of the substrate than the spray nozzle that sprays the processing liquid to the higher part of the inclined substrate.

また、請求項5に記載の発明は、請求項1から4のいずれかに記載の発明の基板処理装置において、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板との距離を近づけたことを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects of the present invention, the spray nozzle for injecting the processing liquid to a low part of the inclined substrate is a high part of the substrate. It is characterized in that the distance from the substrate is made closer than the spray nozzle for spraying the processing liquid.

また、請求項6に記載の発明は、請求項1から5のいずれかに記載の発明の基板処理装置において、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、噴射ノズル噴射角を、狭くしたことを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects of the present invention, the spray nozzle for injecting the processing liquid to a low portion of the inclined substrate is a high portion of the substrate. The spray nozzle spray angle is narrower than the spray nozzle for spraying the processing liquid.

また、請求項7に記載の発明は、請求項1から6のいずれかに記載の発明の基板処理装置において、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、噴射する処理液の流量を多くしたことを特徴とする。   The invention according to claim 7 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the injection nozzle for injecting the processing liquid to a low part of the inclined substrate has a high part of the substrate. The flow rate of the processing liquid to be sprayed is increased from that of the spray nozzle for spraying the processing liquid.

また、請求項8に記載の発明は、請求項1から7のいずれかに記載の発明の基板処理装置において、前記噴射ノズルは、処理液としてエッチング液を噴射し、基板をエッチング処理することを特徴とする。   The invention according to claim 8 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the spray nozzle sprays an etching solution as a processing solution to etch the substrate. Features.

上記課題を解消するために、上記課題の原因を鋭意探究した結果、噴射式のウエット処理を、傾斜型でウエット処理することより基板表面の処理液に起こる独特な挙動に原因があることを見出した。つまり、基板へ向けて噴射された処理液は、傾斜姿勢であるから基板表面では、処理液が高い部位から低い部位へ流れる。低い部位では、当該低い部位へ向けて噴射された処理液に加えて、高い部位から流下して来た処理液が合わさって、基板表面に処理液の膜が厚く存在する。   As a result of diligent investigation of the cause of the above-mentioned problem in order to eliminate the above-mentioned problem, it was found that there is a cause due to the unique behavior that occurs in the processing liquid on the substrate surface by performing the wet treatment of the jet type with an inclined type. It was. That is, since the processing liquid sprayed toward the substrate is in an inclined posture, the processing liquid flows from a high part to a low part on the substrate surface. In the low part, in addition to the processing liquid sprayed toward the low part, the processing liquid flowing down from the high part is combined, and the film of the processing liquid exists thickly on the substrate surface.

このため、低い部位では、噴射された処理液が基板表面に衝突する勢いが、処理液の厚い膜で弱められ、噴射式のウエット処理に不足が生じる不具合が生じていた。   For this reason, at the low part, the momentum that the injected processing liquid collides with the substrate surface is weakened by the thick film of the processing liquid, and there is a problem that shortage occurs in the jet type wet processing.

他方、高い部位では、より高い部位から流下して来る処理液は無い、または、あっても僅かであるから、その高い部位の基板表面に存在する処理液は膜を形成しても薄く、噴射された処理液は基板表面に、弱められることがなく勢いよく衝突し、噴射式のウエット処理が支障なく行われる。   On the other hand, at the high part, there is no processing liquid flowing down from the higher part, or even a little, so that the processing liquid present on the substrate surface at the high part is thin even if a film is formed, and jetted. The treated liquid collides with the substrate surface vigorously without being weakened, and the spray-type wet treatment is performed without any trouble.

上記したような噴射式で傾斜搬送型のウエット処理の独特の処理液の挙動を回避すれば、傾斜姿勢の基板の低い部位も、高い部位と同様に、噴射式ウエット処理が達成でき、基板全面を均一にウエット処理できることの知見に基づき、請求項1から請求項8に記載の発明は創作されたものである。   By avoiding the unique processing solution behavior of the jetting and inclined transport type wet processing as described above, the lower part of the substrate in the inclined posture can achieve the jetting wet processing as well as the higher part, and the entire surface of the substrate can be achieved. The inventions of claims 1 to 8 have been created on the basis of the knowledge that uniform wet processing can be performed.

すなわち、請求項1から請求項8に記載の発明は、ノズルから噴射された処理液の基板に対する打力を、傾斜姿勢の基板の低い部位では高い部位より強くしたので、処理液の膜が厚く存在する基板の低い部位に対しても、処理液の厚い膜に抗して、処理液の下の基板表面に処理液の打力が十分に影響を及ぼすことができる。このため、基板表面が直に受ける打力は、処理液の厚い膜状に存在する基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。   That is, in the inventions according to claims 1 to 8, the striking force of the processing liquid sprayed from the nozzle on the substrate is made stronger at the lower portion of the inclined substrate than at the higher portion, so that the processing liquid film is thicker. The striking force of the processing liquid can sufficiently affect the surface of the substrate under the processing liquid even against a low portion of the existing substrate against the thick film of the processing liquid. For this reason, the striking force directly received by the substrate surface can be ensured at the same level in both the low and high portions of the substrate present in the form of a thick film of the processing solution, and the entire surface of the substrate is uniformly subjected to the jet-type wet treatment. be able to.

特に、請求項2に記載の発明によれば、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルの間隔を、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルの間隔より、狭くしたので、低い部位ほどノズルが密に配置される。このため、単位面積当たりで処理液の噴射を受ける量が多くなり、処理液の膜に抗して基板表面が直に受ける打力は、処理液の厚い膜状に存在する基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。   In particular, according to the second aspect of the invention, the interval between the injection nozzles for injecting the processing liquid to the low part of the inclined substrate is made smaller than the interval between the injection nozzles for injecting the processing liquid to the high part of the substrate. Therefore, the nozzles are densely arranged in the lower part. For this reason, the amount of injection of the processing liquid per unit area increases, and the striking force that the substrate surface directly receives against the processing liquid film is low even on the low part of the substrate that exists in the form of a thick film of the processing liquid. The same degree can be ensured even at a high part, and the entire surface of the substrate can be uniformly subjected to the spray-type wet treatment.

特に、請求項3に記載の発明によれば、前記複数の噴射ノズルのうち、傾斜搬送手段の基板搬送方向と交差する方向に沿って配置された噴射ノズルは、基板搬送方向と交差する方向での間隔を、傾斜姿勢の基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルでは、狭くしたことにより、基板搬送方向と交差する方向に関する噴射ノズルの密度は、低い部位ほど密に配置されることになる。このため、基板の低い部位は単位面積当たりに処理液の噴射を受ける量が多く、基板表面が直に受ける打力は、処理液の厚い膜状に存在する基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。   In particular, according to the third aspect of the present invention, the spray nozzles arranged along the direction intersecting the substrate transport direction of the inclined transport means among the plurality of spray nozzles are in a direction intersecting the substrate transport direction. The injection nozzle for injecting the processing liquid to a lower part of the substrate is narrower than the injection nozzle for injecting the processing liquid to a higher part of the substrate in an inclined posture. The lower the density, the denser the arrangement. For this reason, the low part of the substrate receives a large amount of processing liquid spray per unit area, and the striking force directly received by the substrate surface can be low or high on the substrate that exists in a thick film of the processing liquid. The same level can be secured, and the spray-type wet treatment can be uniformly applied to the entire surface of the substrate.

特に、請求項4に記載の発明によれば、前記複数の噴射ノズルのうち、傾斜搬送手段の基板搬送方向に沿って配置された噴射ノズルは、基板搬送方向での間隔を、傾斜姿勢の基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルでは、狭くしたことにより、基板搬送方向に関して噴射ノズルを密に配置されることになる。このため、噴射ノズルは、低い部位で密に配置されことになり、低い部位ほど基板表面の単位面積当たりに処理液の噴射を受ける量が多く、基板表面が直に受ける打力は、処理液の厚い膜状に存在する基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。   In particular, according to the invention described in claim 4, among the plurality of spray nozzles, the spray nozzles arranged along the substrate transport direction of the tilt transport means are spaced apart from each other in the substrate transport direction. The injection nozzle for injecting the processing liquid to the lower part of the substrate is narrower than the injection nozzle for injecting the processing liquid to the higher part of the substrate, so that the injection nozzles are densely arranged in the substrate transport direction. For this reason, the spray nozzles are densely arranged at a low part, and the lower part has a larger amount of jetting of the processing liquid per unit area of the substrate surface, and the striking force directly received by the substrate surface is the processing liquid. The same level can be ensured in both the low and high portions of the substrate present in a thick film, and the spray wet process can be uniformly applied to the entire surface of the substrate.

特に、請求項5に記載の発明によれば、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板との距離を近づけたので、基板の低い部位では、ノズルから噴射された処理液の勢いが、基板周囲のガスの抵抗で弱められることが少なく、基板表面が直に受ける打力は、基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。   In particular, according to the fifth aspect of the present invention, the spray nozzle that sprays the processing liquid onto the low part of the substrate in the inclined posture is closer to the substrate than the spray nozzle that sprays the processing liquid onto the high part of the substrate. Therefore, in the low part of the substrate, the momentum of the processing liquid ejected from the nozzle is less weakened by the resistance of the gas around the substrate, and the striking force directly received by the substrate surface is high even in the low part of the substrate. The same level can be secured even at the site, and the spray-type wet treatment can be uniformly applied to the entire surface of the substrate.

特に、請求項6に記載の発明によれば、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、噴射ノズル噴射角を、狭くしたので、基板の低い部位では、噴射角度の狭い噴射ノズルから処理液が噴射され、処理液の勢いが強く、基板に向かう処理液の角度も基板に対して垂直に近いことも相乗して、基板表面が直に受ける打力は、処理液が厚い膜状に存在する基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。   In particular, according to the invention described in claim 6, the injection nozzle that injects the processing liquid to the low part of the substrate in the inclined posture has an injection nozzle injection angle larger than the injection nozzle that injects the processing liquid to the high part of the substrate. Since it is narrow, the processing liquid is injected from the injection nozzle with a narrow injection angle at a low part of the substrate, the momentum of the processing liquid is strong, and the angle of the processing liquid toward the substrate is also close to perpendicular to the substrate. The striking force directly received by the substrate surface can be ensured at the same level in both the low and high portions of the substrate where the processing liquid is present in a thick film, and the entire surface of the substrate can be uniformly subjected to a jet-type wet treatment. it can.

特に、請求項7に記載の発明によれば、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、噴射する処理液の流量を多くしたので、基板表面が直に受ける打力は、処理液が厚い膜状に存在する基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。   In particular, according to the seventh aspect of the present invention, the injection nozzle that injects the processing liquid to the low part of the substrate in the inclined posture has a flow rate of the processing liquid to be injected from the injection nozzle that injects the processing liquid to the high part of the substrate. Therefore, the striking force directly applied to the substrate surface can be secured at the same level in both the low and high parts of the substrate where the processing liquid exists in the form of a thick film. Can be applied.

特に、請求項8に記載の発明によれば、処理液としてエッチング液を噴射するので、傾斜姿勢の基板の低い部位でも、高い部位と同程度にエッチングが進行し、基板全面を均一にエッチングすることができる。   In particular, according to the invention described in claim 8, since the etching liquid is sprayed as the processing liquid, the etching proceeds at the same level as the high part even in the low part of the inclined substrate, and the entire surface of the substrate is uniformly etched. be able to.

本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の概略斜視図である。1 is a schematic perspective view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る基板処理装置における基板搬送方向に垂直な縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view perpendicular | vertical to the substrate conveyance direction in the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る基板処理装置による基板への処理液の噴射状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the injection state of the process liquid to the board | substrate by the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る基板処理装置における基板搬送方向に垂直な縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view perpendicular | vertical to the substrate conveyance direction in the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る基板処理装置による基板への処理液の噴射状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the injection state of the process liquid to the board | substrate by the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 他の実施形態における基板処理装置の構成要素を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the component of the substrate processing apparatus in other embodiment. 他の実施形態における基板処理装置の構成要素を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the component of the substrate processing apparatus in other embodiment. 他の実施形態における基板処理装置の構成要素を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the component of the substrate processing apparatus in other embodiment. 他の実施形態における基板処理装置の構成要素を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the component of the substrate processing apparatus in other embodiment. 他の実施形態における基板処理装置の構成要素を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the component of the substrate processing apparatus in other embodiment.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

<1.第1実施形態>
図1は、本発明に係る基板処理装置1の概略斜視図であり、図2は、基板処理装置1を、基板搬送方向と垂直な鉛直面で破断して示す縦断面図である。基板処理装置1は、箱形のエッチングチャンバー2の内部に、処理対象物として液晶表示装置の製造に供するガラス製の基板Wを、傾斜姿勢(水平面に対して角度θ)にした状態で、水平方向に搬送する基板搬送機構3と、傾斜姿勢で水平搬送される基板Wの上面に対して、処理液としてエッチング液を噴射する処理液供給機構4を備える。
<1. First Embodiment>
FIG. 1 is a schematic perspective view of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention, and FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional view showing the substrate processing apparatus 1 cut along a vertical plane perpendicular to the substrate transport direction. The substrate processing apparatus 1 is placed horizontally inside a box-shaped etching chamber 2 in a state in which a glass substrate W used for manufacturing a liquid crystal display device as a processing object is in an inclined posture (angle θ with respect to a horizontal plane). A substrate transport mechanism 3 for transporting in the direction and a processing liquid supply mechanism 4 for injecting an etching liquid as a processing liquid to the upper surface of the substrate W transported horizontally in an inclined posture are provided.

基板処理装置1は、エッチングチャンバー2内で基板Wを、基板搬送機構3によって傾斜姿勢で移動する間に、基板Wの上面は全面がエッチング液の噴射を受けて、エッチング液の化学作用に、噴射の衝撃による物理作用が相乗して、基板Wの表面の金属膜をむら無くエッチング処理する。   While the substrate processing apparatus 1 moves the substrate W in the etching chamber 2 in an inclined posture by the substrate transport mechanism 3, the entire upper surface of the substrate W is sprayed with the etching liquid, and the chemical action of the etching liquid The physical action due to the impact of the injection is synergistic, and the metal film on the surface of the substrate W is etched uniformly.

なお、本明細書および図面では、説明の便宜のためにx,y,zの直行座標形を用い、鉛直方向をz方向として、水平方向のx方向とy方向のうち、基板Wの搬送方向と同じ方向をx方向とする。   In the present specification and drawings, for the convenience of explanation, an orthogonal coordinate form of x, y, and z is used, and the vertical direction is the z direction, and the transport direction of the substrate W among the x direction and the y direction in the horizontal direction. The same direction as x is the x direction.

エッチングチャンバー2は、x方向手前側の基板搬入側壁体21と、x方向の向こう側の基板搬出側壁体22と、y方向に沿って延在し前記両壁体21,22を連接する側壁体23と側壁体24と、底壁体25と、上蓋26からなる箱体を形成している。   The etching chamber 2 includes a substrate carry-in side wall body 21 on the near side in the x direction, a substrate carry-out side wall body 22 on the far side in the x direction, and a side wall body that extends along the y direction and connects the both wall bodies 21 and 22. 23, the side wall body 24, the bottom wall body 25, and the top cover 26 are formed.

なお、図1は、基板処理装置1の内部が見えるように上蓋を取り外した状態で図示しているが、基板Wをエッチング処理する稼働時には、エッチング液が周囲へ飛散しないように上蓋は装填される。   1 shows the state in which the upper lid is removed so that the inside of the substrate processing apparatus 1 can be seen, but the upper lid is loaded so that the etching solution does not scatter to the surroundings during the operation of etching the substrate W. The

また、エッチングチャンバー2の基板搬入側壁体21には、基板Wを基板処理装置1の内部へ入れるための基板搬入口26を開口し、基板搬出側壁体22には、基板Wを基板処理装置1の外へ出すための搬出口27を開口している。   Further, the substrate carrying-in side wall body 21 of the etching chamber 2 is opened with a substrate carry-in port 26 for putting the substrate W into the substrate processing apparatus 1, and the substrate carrying-out side wall body 22 is filled with the substrate W. A carry-out port 27 is provided for exiting the vehicle.

基板搬送機構3は、図2に示すように、側壁体23の下部に設けた下位軸受け部材31と、側壁体24の中程に設けた上位軸受け32によって、水平面に対して角度θに軸を傾けた姿勢で、両端を回転可能に支持されたローラ軸33を備える。ローラ軸33は、複数の搬送ローラ34を環装している。それら複数の搬送ローラ34を環装したローラ軸33は、基板Wの搬送方向に沿って、所定の間隔を置いて複数配備されている。したがって、基板搬送方向(x方向)に沿って、かつ、y方向から角度θ傾斜した方向に沿って、水平面に対して角度θ傾けた搬送面を形成するようにして、多数の搬送ローラ34が配置されることとなる。   As shown in FIG. 2, the substrate transport mechanism 3 has an axis at an angle θ with respect to a horizontal plane by a lower bearing member 31 provided in the lower portion of the side wall body 23 and an upper bearing 32 provided in the middle of the side wall body 24. A roller shaft 33 is provided that is rotatably supported at both ends in an inclined posture. The roller shaft 33 is provided with a plurality of conveying rollers 34. A plurality of roller shafts 33 around which the plurality of transport rollers 34 are mounted are arranged at predetermined intervals along the transport direction of the substrate W. Therefore, a large number of transport rollers 34 are formed so as to form a transport surface inclined at an angle θ with respect to a horizontal plane along the substrate transport direction (x direction) and along a direction inclined at an angle θ from the y direction. Will be placed.

これら搬送ローラ34は、図示しない搬送駆動機構でローラ軸33が回転駆動されるにともない、ローラ軸33と一体に搬送ローラ34が回転し、その外周上端に載せた基板Wを搬送する。この際に、基板Wは、ローラ軸33の傾き角度θの傾斜姿勢でx方向に搬送される。   As the roller shaft 33 is rotationally driven by a transport drive mechanism (not shown), the transport rollers 34 rotate integrally with the roller shaft 33 to transport the substrate W placed on the upper end of the outer periphery thereof. At this time, the substrate W is transported in the x direction with an inclination posture of the roller shaft 33 at an inclination angle θ.

なお、搬送機構3には、搬送ローラ34に載せられた基板Wが、傾斜姿勢で搬送されることにともない、下方へずれ落ちないように、基板Wの下方への移動を規制する補助ローラ35を備える。補助ローラ35は、その回転軸36が、ローラ軸33の軸線と直角な向きになるように、下位軸受け部材31に付設された補助軸受け部材37に軸支される。補助ローラ35は、外周面が傾斜姿勢の基板Wの下方端面と回転しながら接触することで、基板Wの搬送を妨げずに支える。   It should be noted that an auxiliary roller 35 that regulates the downward movement of the substrate W so that the substrate W placed on the conveyance roller 34 is not tilted downward as the substrate W is conveyed in an inclined posture. Is provided. The auxiliary roller 35 is pivotally supported by an auxiliary bearing member 37 attached to the lower bearing member 31 so that the rotation shaft 36 is oriented at right angles to the axis of the roller shaft 33. The auxiliary roller 35 supports the conveyance of the substrate W without obstructing it by rotating and contacting the lower end surface of the inclined substrate W.

処理液供給機構4は、搬送機構3によって傾斜姿勢で水平搬送される基板Wの上方に配置され、多数の噴射ノズル41からエッチングを基板Wの上面へ向けて噴射する。   The processing liquid supply mechanism 4 is disposed above the substrate W that is horizontally transported in an inclined posture by the transport mechanism 3, and sprays etching toward the upper surface of the substrate W from a large number of spray nozzles 41.

噴射ノズル41は、基板Wの搬送方向(x方向)に延在するスプレーパイプ42に取り付けられている。スプレーパイプ42は、一端が基板搬出側壁体22に付設された基板搬出側パイプ支持部材44に支持され、他端は基板搬入側壁体21に付設された基板搬入側パイプ支持部材(図示せず)に支持されている。   The spray nozzle 41 is attached to a spray pipe 42 extending in the transport direction (x direction) of the substrate W. One end of the spray pipe 42 is supported by a substrate carry-out side pipe support member 44 attached to the substrate carry-out side wall body 22, and the other end is a substrate carry-in side pipe support member (not shown) attached to the substrate carry-in side wall body 21. It is supported by.

なお、噴射ノズル41をスプレーパイプ42に取り付けるに際しては、スプレーパイプ42と噴射ノズル41との途中にノズル吊下具43を介在させている。これは、ノズル吊下具43の長さを違えることにより、噴射ノズル41と基板Wとの距離を後で説明するようにするためである。   In addition, when attaching the spray nozzle 41 to the spray pipe 42, a nozzle suspension 43 is interposed between the spray pipe 42 and the spray nozzle 41. This is because the distance between the spray nozzle 41 and the substrate W will be described later by changing the length of the nozzle suspension 43.

スプレーパイプ42とノズル吊下具43および噴射ノズル41は、内部で連通し、スプレーパイプ42の管内のエッチング液は、ノズル吊下具43を経由して、噴射ノズル41から噴射される。   The spray pipe 42, the nozzle suspending tool 43, and the spray nozzle 41 communicate with each other inside, and the etching solution in the pipe of the spray pipe 42 is sprayed from the spray nozzle 41 via the nozzle suspending tool 43.

なお、スプレーパイプ42は、Y方向に複数本並列配置しているが、各スプレーパイプ42は共通配管45が連通している。この共通配管45は、エッチング供給機構(図示せず)から提供されるエッチングを各スプレーパイプ42へ分配供給する。   Although a plurality of spray pipes 42 are arranged in parallel in the Y direction, a common pipe 45 communicates with each spray pipe 42. The common pipe 45 distributes and supplies the etching provided from an etching supply mechanism (not shown) to each spray pipe 42.

スプレーパイプ42は11本あり、各スプレーパイプ42は、一つ上方へ隣のスプレーパイプ42との間隔が、下方のスプレーパイプ42ほど狭い間隔に配置している。つまり、一番下方のスプレーパイプ42から1番、2番、3番…11番(最も上方のスプレーパイプ42)と称すと、1番と2番のスプレーパイプ42の間隔をD1、2番と3番の間隔をD2,3番と4番の間隔をD3,…10番と11番の間隔をD10と準々に表記すると、D1<D2<D3<…<D10のように、下方のスプレーパイプ42どうしの間隔を狭く配置している。   There are eleven spray pipes 42, and each spray pipe 42 is arranged so that the distance between the spray pipe 42 and the adjacent spray pipe 42 is narrower as the lower spray pipe 42. That is, from the lowermost spray pipe 42, the first, second, third,..., Eleventh (uppermost spray pipe 42), the distance between the first and second spray pipes 42 is D1,2. When the interval of No. 3 is D2, the interval of No. 3 and No. 4 is D3,... And the interval of No. 10 and No. 11 is expressed as D10 in a quarterly manner, D1 <D2 <D3 <. The intervals between 42 are arranged narrowly.

上記したような間隔でスプレーパイプ42が配置されることに従い、スプレーパイプ42に取り付けられる噴射ノズル41どうしの間隔も、同様に、基板Wの搬送方向に垂直な方向(y方向)に関して、より厳密にはy方向から角度θだけ傾けた方向に関して、低い位置の噴射ノズル41ほど、隣の噴射ノズル41との間隔を狭く配置することになる。なお、噴射ノズル41は、いわゆる千鳥配置にしているので基板搬送方向に若干前後するものの、低い位置の噴射ノズル41ほど、隣の噴射ノズル41との間隔を狭く配置することには変わりはない。   As the spray pipes 42 are arranged at the intervals as described above, the intervals between the spray nozzles 41 attached to the spray pipe 42 are similarly stricter with respect to the direction (y direction) perpendicular to the transport direction of the substrate W. In the direction inclined by the angle θ from the y direction, the lower the injection nozzle 41, the narrower the gap between the adjacent injection nozzles 41. Since the injection nozzles 41 are arranged in a so-called staggered manner, the injection nozzles 41 slightly move back and forth in the substrate transport direction. However, the lower the injection nozzles 41 are, the smaller the intervals between the adjacent injection nozzles 41 are.

また、噴射ノズル41は、下方の噴射ノズル41ほど、ノズル吊下具43を長寸にすることにより、噴射ノズル41と基板Wとの距離を、下方の噴射ノズル41ほど小さくしている。つまり、下方の噴射ノズル41から上方の噴射ノズル41へ向けて準々に、噴射ノズル41から基板Wへの距離をH1,H2、H3…H11と表記すると、H1<H2<H3…H11となる。   In addition, the spray nozzle 41 has a longer nozzle suspension 43 as the lower spray nozzle 41, thereby reducing the distance between the spray nozzle 41 and the substrate W as the lower spray nozzle 41. That is, when the distance from the injection nozzle 41 to the substrate W is expressed as H1, H2, H3... H11 in a quarterly manner from the lower injection nozzle 41 to the upper injection nozzle 41, H1 <H2 <H3.

また、一本のスプレーパイプ42に取り付ける噴射ノズル41の数は、下方のスプレーパイプ42ほど多い。噴射ノズル41は、基板Wの搬送方向(x方向)に隣の噴射ノズル41との間隔を、1番のスプレーパイプ42に取り付けられた噴射ノズル41どうしの間隔をS1、2番のスプレーパイプ42に取り付けられた噴射ノズル41どうしの間隔をS2、3番のスプレーパイプ42取り付けられた噴射ノズル41どうしの間隔をS3、最も上方の11番のスプレーパイプ42に取り付けられた噴射ノズル41どうしの間隔をS11と、準々に表記すると、S1<S2<S3…<S10となる。   Further, the number of spray nozzles 41 attached to one spray pipe 42 is as large as the lower spray pipe 42. The spray nozzle 41 is spaced from the next spray nozzle 41 in the transport direction (x direction) of the substrate W, and the distance between the spray nozzles 41 attached to the first spray pipe 42 is S1, the second spray pipe 42. The interval between the spray nozzles 41 attached to the nozzle is S2, the interval between the spray nozzles 41 attached to the third spray pipe 42 is S3, and the interval between the spray nozzles 41 attached to the uppermost eleventh spray pipe 42. Is expressed as S11 in a quarterly manner, S1 <S2 <S3.

上記のように噴射ノズル41を配置したことにより、基板Wにエッチング液が噴射される様子を図3に模式的に示す。図3は、この第1実施形態に係る基板処理装置1による基板Wへのエッチング液の噴射状態を説明するための図であり、傾斜姿勢の基板Wを傾斜姿勢のままで上方から観察して、傾斜姿勢の基板Wの低い部位を紙面手前側として、噴射ノズル41から噴射されたエッチング液の飛沫が基板Wに衝突する範囲の輪郭を円で、各噴射ノズル41に対応させて模式的に示している。   FIG. 3 schematically shows how the etching liquid is sprayed onto the substrate W by arranging the spray nozzle 41 as described above. FIG. 3 is a view for explaining the spraying state of the etching liquid onto the substrate W by the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, and the substrate W in the inclined posture is observed from the upper side in the inclined posture. The outline of the range in which the droplets of the etching solution sprayed from the spray nozzle 41 collide with the substrate W is a circle corresponding to each of the spray nozzles 41 with the low portion of the inclined substrate W as the front side of the drawing. Show.

図3から明らかなように、基板Wの低い部位では、噴射ノズル41から噴射されたエッチング液の飛沫が基板Wに衝突する範囲が狭く、噴射ノズル41から噴射されたエッチング液が狭く集中している。また、基板Wの低い部位では、噴射されたエッチング液の飛沫が基板Wに衝突する範囲の重なりが多い。   As is clear from FIG. 3, in a region where the substrate W is low, the range in which the droplets of the etchant sprayed from the spray nozzle 41 collide with the substrate W is narrow, and the etchant sprayed from the spray nozzle 41 is narrowly concentrated. Yes. Moreover, in the low part of the substrate W, there is much overlap in the range where the sprayed droplets of the etching solution collide with the substrate W.

他方、基板Wの高い部位では、低い部位と比較してのことであるが、噴射ノズル41から噴射されたエッチング液の飛沫が基板Wに衝突する範囲が広い。また、噴射されたエッチング液の飛沫が基板Wに衝突する範囲の重なりが少ない。   On the other hand, in the high part of the substrate W, as compared with the low part, the range in which the droplets of the etching solution sprayed from the spray nozzle 41 collide with the substrate W is wide. Further, there is little overlap in the range in which the sprayed droplets of the etching solution collide with the substrate W.

上記したように噴射ノズル41を配置することにより、傾斜搬送される基板Wにおいて、基板Wの低い部位ほど、噴射ノズル41から基板Wまでの距離を近づけたことにより、基板の低い部位ほど、噴射ノズル41から噴射された勢いが削がれることが少ない状態でエッチング液が基板に衝突するので、エッチング液の打力が強くなる。   By disposing the injection nozzle 41 as described above, the lower the substrate W, the lower the substrate W, the closer the distance from the injection nozzle 41 to the substrate W, the lower the substrate. Since the etching solution collides with the substrate in a state in which the momentum ejected from the nozzle 41 is hardly scraped off, the hitting force of the etching solution is increased.

噴射ノズル41から出たエッチング等の処理液は、基板Wに到達するまでに、基板Wの周囲の空気(空気以外の所要のガスを雰囲気とする処理では、そのガス)によって、噴射された処理液の飛沫が運動エネルギーを奪われ、噴射ノズル41から離れるほど強く運動エネルギーを奪われる。これは、処理液が基板に及ぼす打力が、噴射ノズル41に近いほど強く、遠いほど弱いからである。   The processing liquid such as etching that has exited from the spray nozzle 41 is sprayed by the air around the substrate W (in the case of a process using a required gas other than air as the atmosphere) before reaching the substrate W. The splash of liquid is deprived of kinetic energy, and the kinetic energy is deprived more strongly as the distance from the injection nozzle 41 increases. This is because the striking force exerted on the substrate by the processing liquid is stronger as it is closer to the injection nozzle 41 and weaker as it is farther away.

また、下方のスプレーパイプ42ほど、隣のスプレーパイプ42との間隔を狭くしているので、基板Wの低い部位ほど、基板Wの搬送方向に垂直な方向(y方向)に関して、より厳密にはy方向から角度θだけ傾けた方向に関して、隣の噴射ノズル41との間隔が狭く、噴射ノズル41が密に配置されるので、基板Wへ噴射される単位面積当たりのエッチング液の流量が多く、基板Wが受けるエッチング液の打力が強くなる。   In addition, since the lower spray pipe 42 has a narrower gap with the adjacent spray pipe 42, the lower the substrate W, the more precisely the direction perpendicular to the transport direction of the substrate W (y direction). With respect to the direction inclined by the angle θ from the y direction, the gap between the adjacent injection nozzles 41 is narrow, and the injection nozzles 41 are arranged densely, so that the flow rate of the etching solution injected per unit area onto the substrate W is large, The striking force of the etching solution received on the substrate W is increased.

更に、各スプレーパイプ42に取り付ける噴射ノズル41の数を、下方のスプレーパイプ42ほど多くしたことにより、基板Wの低い部位ほど、基板Wの搬送方向(x方向)へ隣の噴射ノズル41との間隔が狭く、噴射ノズル41が密に配置されるので、基板Wへ噴射される単位面積当たりのエッチング液の流量が多く、基板Wが受けるエッチング液の打力が強くなる。   Furthermore, since the number of spray nozzles 41 attached to each spray pipe 42 is increased as the lower spray pipe 42, the lower the portion of the substrate W, the closer to the spray nozzle 41 adjacent to the transport direction (x direction) of the substrate W. Since the intervals are narrow and the injection nozzles 41 are densely arranged, the flow rate of the etching solution per unit area injected onto the substrate W is large, and the striking force of the etching solution received by the substrate W becomes strong.

第1実施形態は、最適の実施形態であって、上記した3つの作用が相乗的に奏功するので、噴射式であって、かつ、傾斜搬送型のウエット処理を、基板全面に対して均一に施すことができる。つまり、噴射ノズル41から噴射されたエッチング液の基板Wへ向かう打力を、傾斜姿勢の基板Wの高い部位より低い部位が強くなるようにしたので、基板Wの上にエッチング液の膜が厚く存在する基板Wの低い部位に対しても、エッチング液の厚い膜に抗して、エッチング液の下の基板表面にエッチング液の打力が十分に影響を及ぼすことができる。このため、処理液の下で基板表面が直に受ける打力は、基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。   The first embodiment is an optimum embodiment, and the above-described three actions are synergistically effective. Therefore, the wet process of the injection type and the inclined conveyance type is uniformly applied to the entire surface of the substrate. Can be applied. That is, the etching solution sprayed from the spray nozzle 41 has a stronger striking force toward the substrate W at a portion lower than a high portion of the inclined substrate W, so that the etching solution film is thick on the substrate W. The striking force of the etching solution can sufficiently influence the surface of the substrate under the etching solution against the thick portion of the etching solution even for the low portion of the substrate W that exists. For this reason, the striking force that the substrate surface directly receives under the processing liquid can be ensured at the same level in both the low part and the high part of the substrate, and the entire surface of the substrate can be uniformly sprayed.

前記した基板処理装置では、共通配管45が各スプレーパイプ42へ処理液すなわちエッチング液を供給するようにしたが、個々のスプレーパイプ42ごとに独立した配管としてもよい。それにより、エッチング液を所望の圧力で各スプレーパイプ42へ供給できる。   In the substrate processing apparatus described above, the common pipe 45 supplies the processing liquid, that is, the etching liquid, to each spray pipe 42. However, the individual pipes 42 may be independent pipes. Thereby, the etching solution can be supplied to each spray pipe 42 at a desired pressure.

また、噴射ノズル41へ処理液を供給するには、スプレーパイプ42の内部を通さず、スプレーパイプ42は噴射ノズル41を支持させることだけに使用し、噴射ノズル41ごとに独立した配管、例えば樹脂製ホースなどを使用して、処理液を供給するようにすてもよい。   Further, in order to supply the processing liquid to the spray nozzle 41, the spray pipe 42 is used only for supporting the spray nozzle 41 without passing through the inside of the spray pipe 42, and an independent pipe for each spray nozzle 41, for example, resin A processing solution may be supplied using a hose or the like.

また、スプレーパイプ42は、基板搬送方向に沿って長く配置したが、基板搬送方向と交差する方向に沿って、長く配してもよい。
また、噴射ノズル41は、鉛直下方向きに設置したが、所要の方向に傾けて設置してもよい。
Moreover, although the spray pipe 42 is disposed long along the substrate transport direction, it may be disposed long along the direction intersecting the substrate transport direction.
Moreover, although the injection nozzle 41 was installed in the vertically downward direction, it may be installed in an inclined direction.

また、噴射ノズル41は、静止させずに、基板Wの搬送方向、および/または基板の搬送方向に揺動させて、いわゆる首振り噴射させてもよい。   Further, the injection nozzle 41 may be swung in a so-called swinging manner by swinging in the transport direction of the substrate W and / or the transport direction of the substrate without being stationary.

<2.第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態が第1実施形態と相違するのは、スプレーパイプ242とスプレーパイプ242との間隔、噴射ノズル241と噴射ノズル241との間隔、ノズル吊下具243の長さ、および、噴射ノズル241の数である。
図4は、第2実施形態に係る基板処理装置における基板搬送方向に垂直な縦断面図である。処理液供給機構204は、搬送機構3によって傾斜姿勢で水平搬送される基板Wの上方に配置され、多数の噴射ノズル241からエッチング液を基板Wの上面へ向けて噴射する。
<2. Second Embodiment>
Next, a second embodiment will be described. The second embodiment differs from the first embodiment in that the distance between the spray pipe 242 and the spray pipe 242, the distance between the injection nozzle 241 and the injection nozzle 241, the length of the nozzle suspension 243, and the injection nozzle 241 number.
FIG. 4 is a longitudinal sectional view perpendicular to the substrate transport direction in the substrate processing apparatus according to the second embodiment. The processing liquid supply mechanism 204 is disposed above the substrate W that is horizontally transported in an inclined posture by the transport mechanism 3, and sprays the etching liquid from the numerous spray nozzles 241 toward the upper surface of the substrate W.

噴射ノズル241は、基板Wの搬送方向(x方向)に延在するスプレーパイプ242に取り付けられ、スプレーパイプ242は、一端が基板搬出側壁体22に付設された基板搬出側パイプ支持部材244に支持され、他端は基板搬入側壁体21に付設された基板搬入側パイプ支持部材(図示せず)に支持されている。   The spray nozzle 241 is attached to a spray pipe 242 extending in the transport direction (x direction) of the substrate W, and the spray pipe 242 is supported by a substrate carry-out side pipe support member 244 having one end attached to the substrate carry-out side wall body 22. The other end is supported by a substrate carry-in side pipe support member (not shown) attached to the substrate carry-in side wall 21.

第2実施形態では、スプレーパイプ242は23本あり、一番下方のスプレーパイプ242から1番、2番、3番…23番(最も上方のスプレーパイプ242)と称すと、1番と2番のスプレーパイプ242の間隔をD1、2番と3番の間隔をD2,3番と4番の間隔をD3,…22番と23番の間隔をD22と準々に表記すると、(D1=D2=D3=D4=D5=D6=D7=D8)<(D9=D10=D11=D12=D13=D14=D15=D16)<(D17=D18=D19=D20=D21=D22)となる。   In the second embodiment, there are 23 spray pipes 242. From the lowermost spray pipe 242 to the first, second, third,... 23 (uppermost spray pipe 242), the first and second. When the intervals between the spray pipes 242 are expressed in a quarterly manner as the intervals D1, 2 and 3, the intervals D2, 3 and 4 are D3,... And the intervals 22 and 23 are D22, (D1 = D2 = D3 = D4 = D5 = D6 = D7 = D8) <(D9 = D10 = D11 = D12 = D13 = D14 = D15 = D16) <(D17 = D18 = D19 = D20 = D21 = D22).

つまり、下方の1番から9番のスプレーパイプ242までを第1群と称すると、第1群内のスプレーパイプ242どうしの間隔は等しい。9番から17番のスプレーパイプ242までを第2群と称すると、第2群内のスプレーパイプ242どうしの間隔は等しい。17番から23番のスプレーパイプ242までを第3群と称すると、第3群内のスプレーパイプ242どうしの間隔は等しい。これらのように、本発明では、高さが違うスプレーパイプ242の一部において、スプレーパイプ242どうしが同じ間隔であることを排除しない。   That is, when the lower first through ninth spray pipes 242 are referred to as the first group, the intervals between the spray pipes 242 in the first group are equal. If the 9th to 17th spray pipes 242 are referred to as the second group, the intervals between the spray pipes 242 in the second group are equal. When the 17th to 23rd spray pipes 242 are referred to as the third group, the intervals between the spray pipes 242 in the third group are equal. As described above, in the present invention, it is not excluded that the spray pipes 242 have the same interval in a part of the spray pipes 242 having different heights.

第1群内のスプレーパイプ242どうしの間隔は、第2群内のスプレーパイプ242どうしの間隔よりも狭い。第2群内のスプレーパイプ42どうしの間隔は、第3群内のスプレーパイプ242どうしの間隔よりも狭い。   The interval between the spray pipes 242 in the first group is narrower than the interval between the spray pipes 242 in the second group. The interval between the spray pipes 42 in the second group is narrower than the interval between the spray pipes 242 in the third group.

上記したような間隔でスプレーパイプ242が配置されることに従い、スプレーパイプ242に取り付けられる噴射ノズル241の間隔も、同様に、基板Wの搬送方向に垂直な方向(y方向)に関して、より厳密にはy方向から角度θだけ傾けた方向に関して、1番から9番のスプレーパイプ242に取り付けられた噴射ノズル241までを第1群と称すると、第1群内の噴射ノズル241どうしの間隔は等しい。9番から17番のスプレーパイプ242に取り付けられた噴射ノズル241を第2群と称すると、第2群内の噴射ノズル241どうしの間隔は等しい。17番から23番のスプレーパイプ242に取り付けられた噴射ノズル241を第3群と称すると、第3群内の噴射ノズル241どうしの間隔は等しい。これらのように、本発明では、高さが違う噴射ノズル241の一部において、噴射ノズル241どうしが同じ間隔であることを排除しない。   As the spray pipes 242 are arranged at the intervals as described above, the intervals between the spray nozzles 241 attached to the spray pipes 242 are similarly more strictly related to the direction (y direction) perpendicular to the transport direction of the substrate W. If the nozzles 241 attached to the first to ninth spray pipes 242 are referred to as the first group in the direction inclined by the angle θ from the y direction, the intervals between the injection nozzles 241 in the first group are equal. . When the spray nozzles 241 attached to the 9th to 17th spray pipes 242 are referred to as the second group, the intervals between the spray nozzles 241 in the second group are equal. When the spray nozzles 241 attached to the 17th to 23rd spray pipes 242 are referred to as a third group, the intervals between the spray nozzles 241 in the third group are equal. As described above, in the present invention, it is not excluded that the injection nozzles 241 have the same interval in a part of the injection nozzles 241 having different heights.

第1群内の噴射ノズル241どうしの間隔は、第2群内の噴射ノズル241どうしの間隔よりも狭い。第2群内の噴射ノズル241どうしの間隔は、第3群内の噴射ノズル241どうしの間隔よりも狭い。   The interval between the injection nozzles 241 in the first group is narrower than the interval between the injection nozzles 241 in the second group. The interval between the injection nozzles 241 in the second group is narrower than the interval between the injection nozzles 241 in the third group.

以上説明したように第2実施形態では、基板Wの搬送方向に垂直な方向(y方向)に関して、より厳密にはy方向から角度θだけ傾けた方向に関して、噴射ノズル241どうしの間隔は、配置される高さに応じて、第1群、第2群、第3群の3種に区分けし、群単位で、前記方向に関する噴射ノズル241の間隔を、下方の噴射ノズル241群は上方の噴射ノズル241群よりも、狭くなるように配置している。   As described above, in the second embodiment, the interval between the injection nozzles 241 is arranged in the direction perpendicular to the transport direction of the substrate W (y direction), more strictly in the direction inclined by the angle θ from the y direction. According to the height, the first group, the second group, and the third group are divided into three groups, and the interval between the spray nozzles 241 in the direction is divided into groups, and the lower spray nozzle 241 group is the upper spray. It arrange | positions so that it may become narrower than the nozzle 241 group.

したがって、第1群の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される基板の部位は、第2群の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される部位よりも、打力が強い。第2群の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される基板の部位は、第3群の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される部位よりも、打力が強い。   Accordingly, the portion of the substrate where the etching liquid is sprayed by the first group of spray nozzles 241 has a stronger striking force than the portion of the substrate where the etching liquid is sprayed by the second group of spray nozzles 241. The portion of the substrate on which the etching solution is sprayed by the second group of spray nozzles 241 has a stronger striking force than the portion of the third group of spray nozzles 241 on which the etching solution is sprayed.

ただし、第1群の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される基板の部位では、第1群内の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される打力が等しい。第2群の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される基板の部位では、第2群の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される打力が等しい。第3群の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される基板の部位では、第3群の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される打力が等しい。これらのように、本発明では、高さが違う噴射ノズル241がエッチング液を噴射する部位で、一部の噴射ノズル241からエッチングが噴射される打力が同じであることを排除しない。   However, the striking force at which the etching solution is injected by the injection nozzle 241 in the first group is equal at the portion of the substrate where the etching solution is injected by the injection nozzle 241 of the first group. At the portion of the substrate where the etchant is sprayed by the second group of spray nozzles 241, the striking force by which the etchant is sprayed by the second group of spray nozzles 241 is equal. At the portion of the substrate where the etching liquid is sprayed by the third group spray nozzle 241, the striking force by which the etching liquid is sprayed by the third group spray nozzle 241 is equal. As described above, in the present invention, it is not excluded that the hitting force at which etching is jetted from a part of the jet nozzles 241 is the same at the part where the jet nozzles 241 having different heights jet the etching liquid.

また、第2実施形態でも、噴射ノズル241は、下方の噴射ノズル241ほど、ノズル吊下具243を長寸にすることにより、噴射ノズル241と基板Wとの距離を、下方の噴射ノズル241ほど小さくしているが、23本あるスプレーパイプ242の一つ一つ準々と、下方の噴射ノズル241から上方の噴射ノズル241へ向けて準々に、噴射ノズル241から基板Wへの距離は、H1<H2<H3…H23となるようにしている。   Also in the second embodiment, the spray nozzle 241 has the length of the lower nozzle 241 and the longer the nozzle suspension 243 so that the distance between the spray nozzle 241 and the substrate W is about the lower nozzle 241. Although the distance is small, the distance from the spray nozzle 241 to the substrate W in each quarter of the 23 spray pipes 242 and from the bottom spray nozzle 241 to the top spray nozzle 241 is H1 < H2 <H3... H23.

また、一本のスプレーパイプ242に取り付ける噴射ノズル41の数は、下方のスプレーパイプ242ほど多いが、郡単位で多くしている。基板Wの搬送方向(x方向)へ隣の噴射ノズル241との間隔を、下方から1番のスプレーパイプ242に取り付けられた噴射ノズル241どうしの間隔をS1、2番のスプレーパイプ242に取り付けられた噴射ノズル241どうしの間隔をS2、3番のスプレーパイプ242取り付けられた噴射ノズル241どうしの間隔をS3、最も上方の11番のスプレーパイプ242に取り付けられた噴射ノズル241どうしの間隔をS11と、準々に表記すると、S1=S2=S3=S4=S5=S6=S7=S8=S9<S10=S11=S12=S13=S14=S15=S16=S17<S18=S19=S20=S21=S22=S23となる。   In addition, the number of spray nozzles 41 attached to one spray pipe 242 is as large as the lower spray pipe 242 but is increased in units of counties. The distance between the spray nozzle 241 adjacent to the next spray nozzle 241 in the transport direction (x direction) of the substrate W and the distance between the spray nozzles 241 attached to the first spray pipe 242 from below are attached to the S1 and No. 2 spray pipes 242. The interval between the injection nozzles 241 is S2, the interval between the injection nozzles 241 attached to the third spray pipe 242 is S3, and the interval between the injection nozzles 241 attached to the uppermost eleventh spray pipe 242 is S11. S1 = S2 = S3 = S4 = S5 = S6 = S7 = S8 = S9 <S10 = S11 = S12 = S13 = S14 = S15 = S16 = S17 <S18 = S19 = S20 = S21 = S22 = S23.

つまり、下方の1番から9番のスプレーパイプ242を第1群とすると、第1群内では、スプレーパイプ242に取り付ける噴射ノズル241どうしの間隔は等しい。10番から17番のスプレーパイプ242を第2群とすると、第1群内では、スプレーパイプ242に取り付ける噴射ノズル241どうしの間隔は等しい。18番から23番のスプレーパイプ242を第3群とすると、第3群内では、スプレーパイプ242に取り付ける噴射ノズル241どうしの間隔は等しい。これらのように、本発明では、高さが違う噴射ノズル241の一部において、基板Wの搬送方向(x方向)に関する噴射ノズル241どうしが同じ間隔であることを排除しない。   That is, if the first to ninth spray pipes 242 below are the first group, the intervals between the spray nozzles 241 attached to the spray pipe 242 are equal in the first group. If the 10th to 17th spray pipes 242 are the second group, the intervals between the spray nozzles 241 attached to the spray pipe 242 are equal in the first group. When the 18th to 23rd spray pipes 242 are the third group, the intervals between the spray nozzles 241 attached to the spray pipe 242 are equal in the third group. As described above, in the present invention, it is not excluded that the ejection nozzles 241 in the transport direction (x direction) of the substrate W are at the same interval in a part of the ejection nozzles 241 having different heights.

第1群内にてスプレーパイプ242に取り付けられた噴射ノズル241の基板Wの搬送方向(x方向)に関する間隔は、第2群内のスプレーパイプ242に取り付けられた噴射ノズル241どうしの間隔よりも狭い。第2群内にてスプレーパイプ242に取り付けられた噴射ノズル241どうしの間隔は、第3群内のスプレーパイプ242に取り付けられた噴射ノズル241どうしの間隔よりも狭い。   In the first group, the interval between the spray nozzles 241 attached to the spray pipe 242 in the transport direction (x direction) of the substrate W is larger than the interval between the spray nozzles 241 attached to the spray pipe 242 in the second group. narrow. The interval between the injection nozzles 241 attached to the spray pipe 242 in the second group is narrower than the interval between the injection nozzles 241 attached to the spray pipe 242 in the third group.

したがって、第1群の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される基板の部位は、第2群の噴射ノズル41によってエッチング液が噴射される部位よりも、打力が強い。第2群の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される基板の部位は、第3群の噴射ノズル41によってエッチング液が噴射される部位よりも、打力が強い。   Therefore, the portion of the substrate where the etching liquid is sprayed by the first group of spray nozzles 241 has a stronger striking force than the portion of the substrate where the etching liquid is sprayed by the second group of spray nozzles 41. The portion of the substrate where the etching solution is sprayed by the second group of spray nozzles 241 has a stronger striking force than the portion of the substrate where the etching solution is sprayed by the third group of spray nozzles 41.

ただし、第1群の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される基板の部位では、第1群内の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される打力が等しい。第2群の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される基板の部位では、第2群の噴射ノズル41によってエッチング液が噴射される打力が等しい。第3群の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される基板の部位では、第3群の噴射ノズル241によってエッチング液が噴射される打力が等しい。これらのように、本発明では、高さが違う噴射ノズル241がエッチング液を噴射する部位で、噴射ノズル241からエッチングが噴射される打力が同じであることを排除しない。   However, the striking force at which the etching solution is injected by the injection nozzle 241 in the first group is equal at the portion of the substrate where the etching solution is injected by the injection nozzle 241 of the first group. At the portion of the substrate where the etching liquid is sprayed by the second group of spray nozzles 241, the striking force by which the etching liquid is sprayed by the second group of spray nozzles 41 is equal. At the portion of the substrate where the etching liquid is sprayed by the third group spray nozzle 241, the striking force by which the etching liquid is sprayed by the third group spray nozzle 241 is equal. As described above, in the present invention, it is not excluded that the hitting force at which etching is jetted from the jet nozzle 241 is the same at the portion where the jet nozzle 241 having a different height jets the etching liquid.

ここで、第2実施形態における噴射ノズル241の配置により、基板Wにエッチング液が噴射される様子を図5に模式的に示す。図5は、第2実施形態におけるエッチング液の噴射状態を説明するための図であり、傾斜姿勢の基板Wを傾斜姿勢のままで上方から観察して、傾斜姿勢の基板W低い部位を紙面手前側として、噴射ノズル241から噴射されたエッチング液の飛沫が基板Wに衝突する範囲の輪郭を円で、各噴射ノズル241に対応させて模式的に示している。   Here, FIG. 5 schematically shows the state in which the etching liquid is sprayed onto the substrate W by the arrangement of the spray nozzles 241 in the second embodiment. FIG. 5 is a view for explaining the spraying state of the etching liquid in the second embodiment, and the substrate W in the inclined posture is observed from above with the inclined posture, and a portion where the substrate W in the inclined posture is lower is closer to the drawing. As a side, the outline of the range in which the splash of the etching solution sprayed from the spray nozzle 241 collides with the substrate W is schematically shown in a circle corresponding to each spray nozzle 241.

図5から明らかなように、第1群の噴射ノズル241から噴射されたエッチング液が基板Wに到達することになる基板Wの比較的低い部位では、各噴射ノズル241から噴射されたエッチング液の飛沫が基板に衝突する範囲が狭く、集中している。また、噴射されたエッチング液の飛沫が基板Wに衝突する範囲の重なりが多い。   As is clear from FIG. 5, the etching solution sprayed from each of the spray nozzles 241 is relatively low in the substrate W where the etchant sprayed from the first group of spray nozzles 241 reaches the substrate W. The range where the splash collides with the substrate is narrow and concentrated. In addition, there are many overlapping areas in which the sprayed droplets of the etching solution collide with the substrate W.

第3群の噴射ノズル241から噴射されたエッチング液が基板Wに到達することになる基板Wの比較的高い部位では、各噴射ノズル241から噴射されたエッチング液の飛沫が基板Wに衝突する範囲が広く、拡散している。また、噴射されたエッチング液の飛沫が基板Wに衝突する範囲の重なりも少ない。   In a relatively high part of the substrate W where the etching solution sprayed from the third group of spray nozzles 241 reaches the substrate W, a range in which the droplets of the etching solution sprayed from the spray nozzles 241 collide with the substrate W. Is widely spread. Further, there is little overlap in the range in which the sprayed droplets of the etching solution collide with the substrate W.

第2群の噴射ノズル241から噴射されたエッチング液が基板Wに到達することになる基板Wの中間部位では、各噴射ノズル241から噴射されたエッチング液の飛沫が基板Wに衝突する範囲は、前記低い部位より広いが、前記高い部位よりは狭く、中間である。また、噴射されたエッチング液の飛沫が基板Wに衝突する範囲の重なりは、前記低い部位より少ないが、前記高い部位よりは多く、中ぐらいである。   In the intermediate portion of the substrate W where the etching liquid sprayed from the second group of spray nozzles 241 reaches the substrate W, the range in which the droplets of the etching liquid sprayed from each spray nozzle 241 collide with the substrate W is as follows. It is wider than the low part, but narrower and intermediate than the high part. Further, the overlapping of the range in which the sprayed droplets of the etching solution collide with the substrate W is smaller than the low part, but more than the high part and is medium.

上記したように噴射ノズル241を配置することにより、傾斜搬送される基板Wにおいて、基板Wの低い部位ほど、噴射ノズル241から基板Wまでの距離を近づけたことにより、基板の低い部位ほど、噴射ノズル241から噴射された勢いが削がれることが少ない状態でエッチング液が基板に衝突するので、エッチング液の打力が強くなる。   By disposing the injection nozzle 241 as described above, in the substrate W that is inclined and conveyed, the lower the portion of the substrate W, the closer the distance from the injection nozzle 241 to the substrate W, the lower the portion of the substrate that is injected. Since the etching solution collides with the substrate in a state in which the momentum ejected from the nozzle 241 is less likely to be scraped off, the striking force of the etching solution becomes stronger.

また、郡単位ではあるが、下方のスプレーパイプ242の群ほど、上方のスプレーパイプ42の群と比較して、スプレーパイプ242どうしの間隔を狭くしている。したがって、基板Wの搬送方向に垂直な方向(y方向)に関して、より厳密にはy方向から角度θだけ傾けた方向に関して、下方のスプレーパイプ242の群は、それより上方のスプレーパイプ242の群よりも、噴射ノズル241どうしの間隔が狭く、噴射ノズル241が密に配置されるので、基板Wへ噴射される単位面積当たりのエッチング液の流量が多く、基板Wが受けるエッチング液の打力が強くなる。   Moreover, although it is a group unit, the space | interval of the spray pipes 242 is made narrower as compared with the group of the upper spray pipe 42 in the group of the lower spray pipe 242. Therefore, with respect to the direction perpendicular to the transfer direction of the substrate W (y direction), more strictly, with respect to the direction inclined by the angle θ from the y direction, the lower spray pipe 242 group is the upper spray pipe 242 group. Since the intervals between the injection nozzles 241 are narrower and the injection nozzles 241 are densely arranged, the flow rate of the etching solution per unit area injected onto the substrate W is large, and the striking force of the etching solution received on the substrate W is high. Become stronger.

更に、各スプレーパイプ242に取り付ける噴射ノズル241の数は、郡単位ではあるが、下方のスプレーパイプ242の群は、それより上方のスプレーパイプ242の群よりも多くしたので、基板Wの搬送方向(x方向)に関して、一つのスプレーパイプ242に取り付ける噴射ノズル241同士の間隔が狭く、噴射ノズル241が密に配置されるので、基板Wへ噴射される単位面積当たりのエッチング液の流量が多く、基板Wが受けるエッチング液の打力が強くなる。   Furthermore, although the number of spray nozzles 241 attached to each spray pipe 242 is a group unit, the number of the lower spray pipes 242 is larger than the number of the upper spray pipes 242, and therefore the transport direction of the substrate W is increased. Regarding the (x direction), since the intervals between the injection nozzles 241 attached to one spray pipe 242 are narrow and the injection nozzles 241 are arranged densely, the flow rate of the etching solution per unit area injected onto the substrate W is large. The striking force of the etching solution received on the substrate W is increased.

第2実施形態は、噴射ノズル241から噴射されたエッチング液の基板Wへ向かう打力を、傾斜姿勢の基板Wの高い部位より低い部位が強くなるようにしたので、基板Wの上にエッチング液の膜が厚く存在する基板Wの低い部位に対しても、エッチング液の厚い膜に抗して、エッチング液の下の基板表面にエッチング液の打力が十分に影響を及ぼすことができ、このため、処理液の下で基板表面が直に受ける打力は、基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。   In the second embodiment, the striking force of the etching solution sprayed from the spray nozzle 241 toward the substrate W is made stronger at the lower portion than the higher portion of the inclined substrate W, so that the etching liquid is formed on the substrate W. The striking force of the etching solution can sufficiently affect the surface of the substrate under the etching solution against the thick portion of the etching solution, even for a low portion of the substrate W where the film is thick. Therefore, the striking force directly received by the substrate surface under the processing liquid can be ensured at the same level at low and high portions of the substrate, and the entire surface of the substrate can be uniformly sprayed.

<3.変形例>
噴射ノズルから噴射されたエッチング液が基板Wへ向かう打力を、傾斜姿勢の基板Wの高い部位より低い部位を強くするには、基板処理装置を様々に構成することで行うことができる。次に、前記した第1実施形態や第2実施形態にて採用した構成要素および、採用していない構成要素も含めて、基板の低い部位で高い部位よりも処理液の打力を強くすることを可能にする構成要素を、図6、図7、図8、図9、図10を参照して説明する。
<3. Modification>
In order to increase the striking force of the etching solution sprayed from the spray nozzle toward the substrate W in a region lower than a region where the inclined substrate W is high, the substrate processing apparatus can be variously configured. Next, including the components adopted in the first embodiment and the second embodiment described above and the components not adopted, the striking force of the treatment liquid is made stronger at the lower part of the substrate than at the higher part. The components that enable this will be described with reference to FIGS. 6, 7, 8, 9, and 10.

図6に示す構成要素は、噴射ノズル341を、基板Wの搬送方向(x方向)と交差する方向に複数配置し、基板搬送方向と交差する方向における噴射ノズルの間隔Dを、傾斜姿勢の基板Wの低い部位では高い部位より、狭くしている。なお、この構成要素は、第1実施形態および第2実施形態で採用されている。   6 includes a plurality of injection nozzles 341 arranged in a direction intersecting the transport direction (x direction) of the substrate W, and the spray nozzle interval D in the direction intersecting the substrate transport direction is set to an inclined substrate. The portion with low W is narrower than the portion with high W. This component is adopted in the first embodiment and the second embodiment.

基板搬送方向と交差する方向における噴射ノズル341の間隔Dを、傾斜姿勢の基板Wの低い部位では高い部位より、狭くすることにより、基板Wの低い部位では高い部位より噴射ノズル341が密に配置されるので、基板Wへ噴射される単位面積当たりの処理液の流量が多く、基板Wが受ける処理液の打力が強くなる。   By narrowing the interval D of the injection nozzles 341 in the direction intersecting the substrate transport direction from the high part at the low part of the inclined substrate W, the injection nozzles 341 are densely arranged at the low part of the substrate W from the high part. Therefore, the flow rate of the processing liquid per unit area sprayed onto the substrate W is large, and the striking force of the processing liquid received by the substrate W is increased.

なお、基板Wの搬送方向と交差する方向は、第1実施形態および第2実施形態では、基板Wの搬送方向と平面視で、直角に交差する方向であるが、直交に限定する必要はなく、所望の角度で交差させればよい。   In the first and second embodiments, the direction intersecting the transport direction of the substrate W is a direction perpendicular to the transport direction of the substrate W in a plan view. The crossing may be performed at a desired angle.

また、複数在る噴射ノズル341のうち、基板搬送方向と交差する方向で隣り合う噴射ノズル341の間隔は、必ずしも全ての噴射ノズル341において、下方隣の噴射ノズル341との間隔が、上方隣の噴射ノズル341との間隔よりも、狭くすることが求められるわけではない。少なくとも、基板搬送方向と交差する方向に複数在る噴射ノズル341のうち、少なくとも一つの噴射ノズル341が、下方隣の噴射ノズル341との間隔が、上方隣の噴射ノズル341との間隔よりも、狭くしてあればよい。なお、その他の噴射ノズル341においては、隣の噴射ノズル341との間隔が同じでもよい。   Further, among the plurality of injection nozzles 341, the interval between the adjacent injection nozzles 341 in the direction intersecting the substrate transport direction is not necessarily the same as the interval between the lower adjacent injection nozzles 341 in all the injection nozzles 341. It is not necessarily required to be narrower than the interval with the injection nozzle 341. At least one of the plurality of spray nozzles 341 in a direction crossing the substrate transport direction has an interval between the lower adjacent spray nozzle 341 and an interval between the upper adjacent spray nozzle 341, It only has to be narrow. In addition, in the other injection nozzle 341, the space | interval with the adjacent injection nozzle 341 may be the same.

ただし、基板搬送方向と交差する方向に複数在る噴射ノズル341のうち、下方に隣の噴射ノズル341との間隔が、上方に隣の噴射ノズル341との間隔よりも狭い噴射ノズル341は、なるべく多い方が好ましい。傾斜姿勢の基板の低い部位から、高い部位へ向けて、打力を高めることの変化を滑らかにできるからである。   However, among the plurality of injection nozzles 341 in the direction intersecting with the substrate transport direction, the injection nozzle 341 whose distance from the adjacent injection nozzle 341 is lower than the distance from the adjacent injection nozzle 341 upward is as much as possible. More is preferable. This is because the change in increasing the striking force can be smoothed from the low part of the inclined substrate toward the high part.

図7に示す構成要素では、噴射ノズル341を、基板Wの搬送方向(x方向)に複数配置し、基板搬送方向と交差する方向における噴射ノズル341の間隔Sを、傾斜姿勢の基板Wの低い部位では高い部位より、狭くしている。なお、図7において、噴射ノズル3の基板搬送方向の並びいついては、その一部を波線で描き、その他は図示を省略している。この構成要素は、第1実施形態および第2実施形態で採用されている。   In the component shown in FIG. 7, a plurality of injection nozzles 341 are arranged in the transport direction (x direction) of the substrate W, and the interval S between the spray nozzles 341 in the direction intersecting the substrate transport direction is low for the inclined substrate W. The part is narrower than the high part. In FIG. 7, when the injection nozzles 3 are arranged in the substrate transport direction, a part thereof is drawn with a wavy line, and the other parts are not shown. This component is adopted in the first embodiment and the second embodiment.

基板搬送方向と交差する方向における噴射ノズル341の間隔Sを、傾斜姿勢の基板Wの低い部位では高い部位より、狭くすることにより、基板Wの低い部位では高い部位より噴射ノズル341が密に配置されるので、基板Wへ噴射される単位面積当たりの処理液の流量が多く、基板Wが受ける処理液の打力が強くなる。   By narrowing the spacing S of the ejection nozzles 341 in the direction intersecting the substrate transport direction with a lower portion of the inclined substrate W than at a higher portion, the ejection nozzles 341 are arranged more densely at a lower portion of the substrate W than at a higher portion. Therefore, the flow rate of the processing liquid per unit area sprayed onto the substrate W is large, and the striking force of the processing liquid received by the substrate W is increased.

なお、複数在る噴射ノズル341のうち、基板搬送方向で隣り合う噴射ノズル341の間隔は、必ずしも全ての噴射ノズル341について、下方の噴射ノズル341の並びにおける噴射ノズル341どうしの間隔が、上方の噴射ノズル341の並びにおける噴射ノズル341どうしの間隔よりも、狭くすることが求められるわけではない。基板搬送方向に複数在る噴射ノズル341のうち、少なくとも一つの噴射ノズル341について、当該噴射ノズル341より上方の噴射ノズル341と比較して、基板搬送方向に隣の噴射ノズル341との間隔が、狭くなっていればよい。なお、その他の噴射ノズル341においては、隣の噴射ノズル341との間隔が同じでもよい。   Among the plurality of injection nozzles 341, the interval between the adjacent injection nozzles 341 in the substrate transport direction is not necessarily the same as the interval between the injection nozzles 341 in the arrangement of the lower injection nozzles 341. It is not required that the interval between the injection nozzles 341 in the arrangement of the injection nozzles 341 be narrower. Among at least one spray nozzle 341 among a plurality of spray nozzles 341 in the substrate transport direction, the distance between the next spray nozzle 341 in the substrate transport direction is larger than the spray nozzle 341 above the spray nozzle 341. It only has to be narrow. In addition, in the other injection nozzle 341, the space | interval with the adjacent injection nozzle 341 may be the same.

ただし、基板搬送方向に複数在る噴射ノズル341のうち、上方の噴射ノズル341と比較して、基板搬送方向に隣の噴射ノズル341との間隔が、狭くした噴射ノズル341は、なるべく多い方が好ましい。傾斜姿勢の基板の低い部位から、高い部位へ向けて、打力を高めることの変化を滑らかにできるからである。   However, among the plurality of spray nozzles 341 in the substrate transport direction, the number of spray nozzles 341 in which the distance from the next spray nozzle 341 in the substrate transport direction is narrower than the upper spray nozzle 341 is as many as possible. preferable. This is because the change in increasing the striking force can be smoothed from the low part of the inclined substrate toward the high part.

図8に示す構成要素では、噴射ノズル341の基板Wとの距離Hを、下方の噴射ノズル341ほど上方の噴射ノズル341より、小さく、すなわち近づけている。なお、この構成要素は、第1実施形態および第2実施形態で採用されている。   In the component shown in FIG. 8, the distance H between the spray nozzle 341 and the substrate W is smaller, that is, closer to the lower spray nozzle 341 than the upper spray nozzle 341. This component is adopted in the first embodiment and the second embodiment.

下方の噴射ノズル341を上方の噴射ノズル341より、基板Wとの距離Hを小さくしたことにより、基板Wの低い部位は、高い部位と比較して、噴射ノズル341から出た処理液が基板周囲のガスによって、噴射されたことによる運動エネルギーが削がれることが少なく、基板Wが受ける処理液の打力が強くなる。   By lowering the distance H between the lower injection nozzle 341 and the upper injection nozzle 341 from the upper injection nozzle 341, the lower portion of the substrate W has a lower processing liquid discharged from the injection nozzle 341 than the higher portion. The kinetic energy due to the injection is less scraped off by the gas, and the striking force of the processing liquid received by the substrate W becomes stronger.

なお、複数在る噴射ノズル341のうち、必ずしも全ての噴射ノズル341が、当該噴射ノズル341より上方の噴射ノズル341と比較して、基板Wとの距離を小さくすることが求められるわけではない。少なくとも一つの噴射ノズル341が、上方の噴射ノズル341より、基板Wとの距離が小さくなっていればよい。なお、その他の噴射ノズル341においては、隣の噴射ノズル341との間隔が同じでもよい。   Note that it is not always necessary for all of the injection nozzles 341 among the plurality of injection nozzles 341 to have a smaller distance from the substrate W than the injection nozzles 341 above the injection nozzle 341. It is sufficient that at least one spray nozzle 341 has a smaller distance from the substrate W than the upper spray nozzle 341. In addition, in the other injection nozzle 341, the space | interval with the adjacent injection nozzle 341 may be the same.

ただし、複数在る噴射ノズル341のうち、上方の噴射ノズル341と比較して、基板Wとの距離を小さくした噴射ノズル341は、なるべく多い方が好ましい。傾斜姿勢の基板の低い部位から、高い部位へ向けて、打力を高めることの変化を滑らかにできるからである。   However, among the plurality of injection nozzles 341, it is preferable that the number of injection nozzles 341 having a smaller distance from the substrate W than the upper injection nozzle 341 is as large as possible. This is because the change in increasing the striking force can be smoothed from the low part of the inclined substrate toward the high part.

図9に示す構成要素では、噴射ノズル341の噴射角度(処理液を噴射する広がりの角度)αを、下方の噴射ノズル341を上方の噴射ノズル341より、狭めている。なお、この構成要素は、第1実施形態や第2実施形態には採用していない、他の構成要素である。   In the components shown in FIG. 9, the spray angle (spreading angle at which the processing liquid is sprayed) α of the spray nozzle 341 is narrower than that of the upper spray nozzle 341. This constituent element is another constituent element that is not employed in the first embodiment or the second embodiment.

下方の噴射ノズル341を上方の噴射ノズル341より、噴射角度αを狭めたことにより、基板Wの低い部位は、高い部位と比較して、噴射ノズル341から出た処理液の飛沫が狭い範囲に集中的に衝突し、基板Wが受ける処理液の打力が強くなる。   By narrowing the lower injection nozzle 341 from the upper injection nozzle 341 and lowering the injection angle α, the lower portion of the substrate W has a narrower range of treatment liquid splashes from the injection nozzle 341 than the higher portion. Collision occurs intensively, and the striking force of the processing liquid received by the substrate W increases.

なお、複数在る噴射ノズル341のうち、必ずしも全ての噴射ノズル341が、当該噴射ノズル341より上方の噴射ノズル341と比較して、噴射角度αを狭めることが求められるわけではない。少なくとも一つの噴射ノズル341が、上方の噴射ノズル341より、噴射角度αが狭ければよい。その他の噴射ノズル341においては、隣の噴射ノズル341と噴射角度αが同じでもよい。   Note that, among the plurality of injection nozzles 341, not all of the injection nozzles 341 are necessarily required to have the injection angle α narrower than the injection nozzles 341 above the injection nozzle 341. It is sufficient that at least one injection nozzle 341 has an injection angle α narrower than that of the upper injection nozzle 341. In other injection nozzles 341, the injection angle α may be the same as that of the adjacent injection nozzle 341.

ただし、複数在る噴射ノズル341のうち、上方の噴射ノズル341と比較して、噴射角度αを狭めた噴射ノズル341は、なるべく多い方が好ましい。傾斜姿勢の基板の低い部位から、高い部位へ向けて、打力を高めることの変化を滑らかにできるから。   However, among the plurality of injection nozzles 341, it is preferable that the number of injection nozzles 341 having a narrower injection angle α than the upper injection nozzle 341 is as large as possible. This is because the change in increasing the striking force can be smoothed from the low part of the inclined substrate to the high part.

図10に示す構成要素では、噴射ノズル341が噴射する処理液の流量を、下方の噴射ノズル341を上方の噴射ノズル341より、多くしている。なお、この構成要素は、第1実施形態や第2実施形態には採用していない、他の構成要素である。   In the components shown in FIG. 10, the flow rate of the processing liquid ejected by the ejection nozzle 341 is greater in the lower ejection nozzle 341 than in the upper ejection nozzle 341. This constituent element is another constituent element that is not employed in the first embodiment or the second embodiment.

下方の噴射ノズル341を上方の噴射ノズル341より、噴射する処理液の流量を多くしたことにより、基板Wの低い部位は、高い部位と比較して、噴射ノズル341から出た処理液の単位面積当たりの量が多いので、基板Wが受ける処理液の打力が強くなる。   By increasing the flow rate of the processing liquid sprayed from the lower spray nozzle 341 to the upper spray nozzle 341, the lower part of the substrate W has a unit area of the processing liquid discharged from the jet nozzle 341 compared to the higher part. Since the hit amount is large, the striking force of the processing liquid received by the substrate W becomes strong.

なお、複数在る噴射ノズル341のうち、必ずしも全ての噴射ノズル341が、当該噴射ノズル341より上方の噴射ノズル341と比較して、流量を多くすることが求められるわけではない。少なくとも一つの噴射ノズル341が、上方の噴射ノズル341より、流量が多ければよい。その他の噴射ノズル341においては、隣の噴射ノズル341と流量が同じでもよい。   Note that, among the plurality of injection nozzles 341, not all of the injection nozzles 341 are necessarily required to have a higher flow rate than the injection nozzles 341 above the injection nozzle 341. It is sufficient that at least one injection nozzle 341 has a higher flow rate than the upper injection nozzle 341. In the other injection nozzles 341, the flow rate may be the same as that of the adjacent injection nozzle 341.

ただし、複数在る噴射ノズル341のうち、上方の噴射ノズル341と比較して、流量を多くした噴射ノズル341は、なるべく多い方が好ましい。傾斜姿勢の基板の低い部位から、高い部位へ向けて、打力を高めることの変化を滑らかにできるからである。   However, among the plurality of injection nozzles 341, it is preferable that the number of injection nozzles 341 having a larger flow rate than the upper injection nozzle 341 is as large as possible. This is because the change in increasing the striking force can be smoothed from the low part of the inclined substrate toward the high part.

ここまで、図6、図7、図8、図9、図10を参照して、基板の低い部位で高い部位よりも処理液の打力を強くすることを可能にする幾つもの構成要素を例示列挙したが、そのことを可能にするのは、上記構成要素だけに限定されることはない。   Up to now, with reference to FIGS. 6, 7, 8, 9, and 10, a number of components that make it possible to increase the striking force of the processing liquid at the lower part of the substrate than at the higher part are illustrated. Although listed, this is not limited to the above components.

以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述のもの以外に種々の変更を行うことが可能である。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be modified in various ways other than those described above without departing from the spirit of the present invention.

本発明は、上記した各種の構成要素を、いずれか一つ、または、幾つかの構成要素を組み合わせて採用してもよい。また、基板の低い部位で高い部位よりも処理液の打力を強くすることを可能できれば上記構成要素とは別の構成要素を、採用してもよい。   The present invention may employ any one of the various components described above or a combination of several components. In addition, a component other than the above-described components may be employed as long as the striking force of the treatment liquid can be made stronger at a lower portion of the substrate than at a higher portion.

また、エッチング処理に本発明を適用した実施形態を説明したが、本発明は、エッチング処理に限らず、処理液を基板へ向けて噴射することにより、処理液の化学作用と、噴射による物理作用の双方を活用して基板表面に対して処理を施す処理に適用することができる。   Moreover, although embodiment which applied this invention to the etching process was described, this invention is not restricted to an etching process, By spraying a process liquid toward a board | substrate, the chemical action of a process liquid, and the physical effect | action by injection | spray It is possible to apply both to the processing for processing the substrate surface.

そのような処理の好適例としては、基板表面の不要物を除去する洗浄処理、現像処理、剥離処理などが挙げられる。なお、不要物とは、例えば、洗浄処理におけるパーティクルや自然酸化膜、カラーフィルタの現像処理におけるカラーレジスト、感光性ポリイミド樹脂、剥離処理におけるパーティクルやレジスト等である。   Preferable examples of such treatment include cleaning treatment for removing unnecessary materials on the substrate surface, development treatment, peeling treatment, and the like. The unnecessary materials are, for example, particles and natural oxide films in the cleaning process, color resists in the development process of color filters, photosensitive polyimide resins, particles and resists in the stripping process, and the like.

また、処理液も、処理の種類に応じて、洗浄液、現像液、剥離液、エッチング液などを使用することができ、どのような機能の液を用いるか限定されない。処理液の種類は、純水、酸、アルカリ、有機の薬液など、細かな氷の粒子を含む液など限定されない。   Further, as the processing solution, a cleaning solution, a developing solution, a stripping solution, an etching solution, or the like can be used depending on the type of processing, and there is no limitation on the function of the liquid used. The type of the treatment liquid is not limited to a liquid containing fine ice particles such as pure water, acid, alkali, or organic chemical liquid.

なお、本発明をエッチング処理に適用した場合には、エッチング処理に独特の優れた効果が期待できる。   When the present invention is applied to the etching process, an excellent effect unique to the etching process can be expected.

本発明では、傾斜姿勢の基板の高い部位に対しては、変更を加える必要はなく、低い部位に対して基板に噴射するエッチングの打力を強くすればよいから、基板の高い部位でのエッチング処理の仕上がりに悪影響を与えることなく、低い部位でのエッチング不足を解消できる。   In the present invention, it is not necessary to change the high portion of the inclined substrate, and it is only necessary to increase the etching force sprayed onto the substrate to the low portion. Insufficient etching at low sites can be resolved without adversely affecting the finish of the treatment.

すなわち、エッチング処理は、エッチング不足を解消せねばならないが、その影響で、エッチングを必要以上に進行させることを招いては成らない。例えば、フォトレジスト膜に対する剥離処理の場合、フォトレジスト膜を漏れなく除去するように、処理の不足を生じないことだけを目指せばよく、基板のどこかの部位で、フォトレジストの除去が十分進行した後に、まだ剥離処理を強く行っても、そのことで基板を損ねることはない。   That is, the etching process must eliminate the etching deficiency, but the influence should not cause the etching to proceed more than necessary. For example, in the case of a stripping process on a photoresist film, it is only necessary to aim at not causing a shortage of the process so that the photoresist film is removed without omission, and the removal of the photoresist is sufficiently advanced at some part of the substrate. After that, even if the peeling treatment is performed strongly, the substrate is not damaged by that.

エッチング処理の場合は、適正なエッチングの度合いを超えて、エッチング処理を進行させるような事態が、基板のどこかで生じると、過剰エッチングとなり、エッチングパターンの線幅がやせ細るなどの新たな不具合が生じてしまう。本発明をエッチング処理に適用した場合には、そのような不具合を来すことがなく、高品質で均一にエッチングをすることができる。   In the case of an etching process, if a situation that causes the etching process to proceed beyond the appropriate level of etching occurs somewhere on the substrate, overetching occurs and new defects such as thinning of the line width of the etching pattern occur. It will occur. When the present invention is applied to the etching process, it is possible to etch uniformly with high quality without causing such a problem.

また、本発明によって処理する基板は、液晶表示装置、プラズマ表示装置や有機EL表示装置等の画像表示装置用ガラス基板、フォトマスク用基板、光ディスク用基板、半導体ウエハ、太陽電池用基板等など、各種基板に対する処理に本発明は用いることができる。   The substrate to be processed according to the present invention is a glass substrate for an image display device such as a liquid crystal display device, a plasma display device or an organic EL display device, a substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, a semiconductor wafer, a substrate for a solar cell, etc. The present invention can be used for processing various substrates.

1 基板処理装置
2 エッチングチャンバー
3 基板搬送機構
4 処理液供給機構
21 基板搬入側壁体
22 基板搬出側壁体
23,24 側壁体
25 底壁体
26 基板搬入口
27 基板搬出口
31 下位軸受け部材
32 上位軸受け部材
33 ローラ軸
34 搬送ローラ
35 補助ローラ
36 回転軸
37 補助軸受け部材
41、241、341 噴射ノズル
42、242 スプレーパイプ
43、243 ノズル吊下具
44、244 基板搬出側パイプ支持部材
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 2 Etching chamber 3 Substrate conveyance mechanism 4 Processing liquid supply mechanism 21 Substrate carry-in side wall body 22 Substrate carry-out side wall body 23, 24 Side wall body 25 Bottom wall body 26 Substrate carry-in port 27 Substrate carry-out port 31 Lower bearing member 32 Upper bearing Member 33 Roller shaft 34 Conveying roller 35 Auxiliary roller 36 Rotating shaft 37 Auxiliary bearing members 41, 241, 341 Spray nozzle 42, 242 Spray pipe 43, 243 Nozzle suspension tool 44, 244 Substrate unloading side pipe support member W Substrate

Claims (8)

基板に処理液を供給してウエット処理を行う基板処理装置において、
基板を傾斜姿勢で搬送する傾斜搬送手段と、
傾斜搬送手段により搬送される基板へ、処理液を噴射する複数の液噴射ノズルを備え、
噴射ノズルから噴射された処理液の基板に対する打力が、傾斜姿勢の基板の低い部位が高い部位より強いことを特徴とする基板処理装置。
In a substrate processing apparatus that performs a wet process by supplying a processing liquid to a substrate,
An inclined conveying means for conveying the substrate in an inclined posture;
Provided with a plurality of liquid injection nozzles for injecting the processing liquid onto the substrate conveyed by the inclined conveyance means,
A substrate processing apparatus, wherein a striking force of a processing liquid sprayed from a spray nozzle on a substrate is stronger at a lower portion of a tilted substrate than at a higher portion.
請求項1に記載の基板処理装置において、
前記複数の噴射ノズルは、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルの間隔を、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルの間隔より、狭くしたことを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate is characterized in that the plurality of spray nozzles are configured such that an interval between the spray nozzles for spraying the processing liquid to a low part of the substrate in an inclined posture is narrower than a distance between the spray nozzles for spraying the processing liquid to a high part of the substrate. Processing equipment.
請求項2に記載の基板処理装置において、
前記複数の噴射ノズルのうち、傾斜搬送手段の基板搬送方向と交差する方向に沿って配置された噴射ノズルは、傾斜搬送手段の基板搬送方向と交差する方向に関する噴射ノズルの間隔を、傾斜姿勢の基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルでは、狭くしたことを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 2,
Among the plurality of spray nozzles, the spray nozzles arranged along the direction intersecting the substrate transport direction of the inclined transport unit are configured so that the interval between the spray nozzles in the direction intersecting the substrate transport direction of the tilt transport unit is A substrate processing apparatus characterized in that an injection nozzle for injecting a processing liquid to a lower part of the substrate is narrower than an injection nozzle for injecting a processing liquid to a higher part of the substrate.
請求項2または3に記載の基板処理装置において、
前記複数の噴射ノズルのうち、傾斜搬送手段による基板搬送方向に沿って配置された噴射ノズルは、基板搬送方向に関する噴射ノズルの間隔を、傾斜姿勢の基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルでは、狭くしたことを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus of Claim 2 or 3,
Among the plurality of spray nozzles, the spray nozzle arranged along the substrate transport direction by the tilt transport means sprays the processing liquid to a high part of the substrate in the tilt posture with the spray nozzle interval in the substrate transport direction. Further, the substrate processing apparatus is characterized in that the spray nozzle for spraying the processing liquid to a lower part of the substrate is narrowed.
請求項1から4のいずれかに記載の基板処理装置において、
傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板との距離を近づけたことを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus according to claim 1,
A substrate processing apparatus, wherein an injection nozzle that injects a processing liquid to a low part of an inclined substrate is closer to a substrate than an injection nozzle that injects a processing liquid to a high part of the substrate.
請求項1から5のいずれかに記載の基板処理装置において、
傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、噴射ノズル噴射角を、狭くしたことを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claim 1 to 5,
A substrate processing apparatus, wherein an injection nozzle for injecting a processing liquid to a low part of a substrate in an inclined posture has an injection nozzle injection angle narrower than an injection nozzle for injecting a processing liquid to a high part of the substrate.
請求項1から6のいずれかに記載の基板処理装置において、
傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、噴射する処理液の流量を多くしたことを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6,
The substrate processing apparatus, wherein the injection nozzle for injecting the processing liquid to a low part of the inclined substrate has a higher flow rate of the injecting processing liquid than the injection nozzle for injecting the processing liquid to a high part of the substrate.
請求項1から7のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記噴射ノズルは、処理液としてエッチング液を噴射し、基板をエッチング処理することを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus according to claim 1,
The said injection | spray nozzle injects etching liquid as a processing liquid, and etches a board | substrate, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
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