JP2011181580A - 気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に成長用基板を担持して成長用基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの少なくても材料ガス供給側の半分を矩形に囲む、サセプタと同じ熱伝導率を有する素材からなる不動の受熱板と、周囲から受熱板を固定し、成長用基板に水平に材料ガスを誘導する不動のフロー補助板と、その開口する先端がフロー補助板上に位置し受熱板の端部と略平行にかつ成長用基板の直径よりも幅広に形成され、成長用基板の全面に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、その材料ガスノズル側の縁部が受熱板の端部に略平行に形成され、その全面が直上のサセプタと受熱板の全面に対向してサセプタと受熱板を均一に加熱する矩形の加熱器と、成長用基板とサセプタと受熱板の全面に向けて材料ガスノズルよりも幅広の領域に押さえガスを供給する押さえガス噴出器と、を備える。
【選択図】図6
Description
所定のスピンドルモータによりサセプタ14は回転し、受熱板181は固定とし非回転式とした。サセプタ外径はφ60mmとし、受熱板181は70mm角とした。また基板および前方プレートを載せる窪みを含む厚みは3mmとした。サセプタ14は担持する基板15の厚さに一致する深さの凹部を有し、その材質はSiC(炭化珪素)を用いた。SiCの熱伝導率は(200W/mK〜)300W/mKと高く、加熱器の発熱パターンムラを均熱化できる。また、カーボン基材(熱伝導率は100W/mK〜140W/mK)にSiCコートした構造も有効である。
前方プレート191は、使用する基板15と同様な素材、厚みを用いる。例えば、サファイア基板を用いる場合はサファイアを用い、SiC基板を用いる場合にはSiCを用い、GaN(ガリウムナイトライド)基板を用いる場合にはGaNを用いる。熱伝導率は、サファイアで42W/mK、SiCで(200W/mK〜)300W/mK、GaNで130W/mKである。前方プレートの配置により材料ガスの加熱プロファイルを等価にできる。要点は、等温度線を直線にすることにあるので基板15と近い熱伝導率の材料ならば、基板と同じ材質でなくても良い。また、サセプタおよび受熱板と基板が全てサファイア、GaN、SiCなどの同じ素材、或いはその熱伝導率が同じならば、前方プレートは必要ない。その場合、図7に示すように、受熱板181のみをサセプタ14周りに配置して装置が構成できる。交換自在とするために前方プレート191は受熱板181から脱着可能である。
受熱板の矩形形状とほぼ合わせた矩形加熱器171はガス材料分解等温度線の直線化の要である。矩形加熱器パターンは図8(a)に示すように前縁部172が材料ガスフローに直角な直線になるパターンを用いた。抵抗加熱器は、パターン隙間で温度が変動する。特に等温度線を直線にするには、この温度変動を抑えることが肝要であり、この形状は前方の発熱帯を直線状にでき有効である。
加熱器側方の遮熱板16は、加熱器直近にPBN(パイロリッティック・ボロンナイトライド)を配置し、その外側に4枚のMo(モリブデン)板を配置した。加熱器下方も同様な構成だがMo板は10枚に増加した。また側方の遮熱板16の外側には水冷ジャケット20を配置し、特に熱が材料ガス上流に伝播(放射)しない構造とした。また水冷ジャケット20は矩形フロー補助板131を固定する支柱とした。
矩形フロー補助板131は、石英製とし水冷ジャケット20上に配置した。矩形フロー補助板131は、材料ガスノズル11から噴出した材料ガスが層流を保ち水平に基板へ到達できるようにする機能を有する。また、フロー補助板131は受熱板を周囲で固定する役割も担っている。然るに、材料ガスノズル11の噴出し口端の下面まで延長した構造としている。また石英の熱伝導率は1.38W/mK(20℃)、2.68W/mK(950℃)と非常に低く、また加熱器、受熱板からの赤外放射を透過するので、ノズル内部での材料ガスの早期分解を防止できる。矩形フロー補助板を構造上固定化したので、これにより、従来のフロー補助板による下流部の汚れが上流部に移動しなくなり、結晶品質が向上した。
材料ガスノズル11は、その開口先端が受熱板の前方直線縁部と平行となるような形状で矩形フロー補助板の上方で、遮熱板16の外側の延長線より外側に位置するように配置した。材質は石英製とし、幅は受熱板よりも広く押さえガスの有効幅より若干狭い80mmとした。この配置と材質に石英を用いることで、矩形加熱器171および受熱板181からの赤外放射によるノズル加熱を押さえることができる。即ち、材料ガスノズル内の材料ガスの加熱分解を抑えることができる。
矩形押さえガス噴出器121は、基板15上方10mm〜30mmの間隔で配置する。またガス噴出角は、基板面の法線に対して0°〜40°の角度で傾斜できる。本実施形態では、間隔15mm、噴出角を20°とした。押さえガスは材料ガスノズルよりも幅広の領域に噴出される。押さえガスは20L/min〜40L/minでH2およびまたはN2を材料ガスを押さえつけるように噴出するので材料ガスの温度を低下させ、結果、基板表面温度を低下させる。即ち、等温度線を直線化するには押さえガス噴出口形状も矩形化する必要がある。押さえガス噴出器121は受熱板の前方直線縁部182に平行な直線前縁部を有する矩形の噴出口を有する。
本実施形態の構成により、サセプタおよび受熱板の均熱性は、有効エリアにおいて低温500℃〜高温1100℃の間で±10℃以内となった。詳細には、サセプタの基板搭載面は±2℃以内であり、受熱板の前方プレート搭載面では±10℃以内であった。有効エリアとは、サセプタ基板搭載面と受熱板の前方プレート搭載面のことである。
矩形加熱器171、受熱板181等の効果により、図10(A)に示すように、材料ガスフロー(材料ガス流路F1、F2、F3)に直交する材料ガス分解等温度線は直線化する。これにより材料ガスノズルから供給された材料ガスは、受熱板先端部より加熱され、基板の材料ガスフロー中心線部分と端の熱プロファイルが等価になる。その結果、成長膜厚は均一化する。ところで、材料ガス分解等温度線は、受熱板およびサセプタが高温であるため受熱板の上流側の縁の位置に左右される。等温度線を基板端から上流側5mm〜15mmの距離にするには、基板端から受熱板の上流側端、もしくは受熱板=0mmの場合はサセプタ端までの距離が15mm以下が良く、好ましくは10mm以下、更に好ましくは5mm以下が良い。
成長用の基板には、2インチφのc面サファイア単結晶基板、厚みt=0.43mm、面方位が<10−10>方向から0.05°傾いた0.05°オフ基板、いわゆる(0001)0.05°offto<10−10>基板を用いた。
押さえガス噴出器を矩形にした関係上、押さえガスの流量をガスの噴出面積が増加したので面積増加に見合ったぶんだけ増量した。この操作により押さえガスの効果を同じにした。具体的には、円形基板(半径r)の場合面積はπr2であり、矩形(正方形:一辺2r)の場合は(2r)2となるので、矩形断面押さえガス流は、円形断面押さえガス流に対して1.3倍(≒(2r)2/πr2)増量した。
基板熱処理として、材料ガスノズルからH2(水素)を10L/min流し、押さえガスとしてH2(水素)+N2(窒素)を1:1の混合比で39L/min流し、1000℃で10分熱処理した。
基板は実施例1と同じものを用い、上記実施形態の2フローリアクタで受熱板などを用いない従来の2フローリアクタでGaN結晶を成長させた。
基板熱処理として、材料ガスノズルからH2(水素)を10L/min流し、押さえガスとしてH2(水素)+N2(窒素)を1:1の混合比で30L/min流し、1000℃で10分熱処理した。
(実施結果:膜厚分布比較)
比較例1と実施例1で得たGaN層の膜厚分布の比較を表1に示す。
膜厚は中央部と周囲部(端1.5mmを除く:測定不可)で比較した。差異は(式1)に基づき%で記載した。なお、膜厚は一点差線に示す直径で測定した。
(膜厚分布比較)
発明の方法を用いた実施例1は、膜厚中心値7.0μmにおいて周囲値7.13μm、差異1.86%であり均一性は非常に高い。面積換算ならば更に分布は狭くなる。
緩衝層の熱処理まで、比較例1に同じ故に、説明を省略する。
(実施結果:発光波長分布比較)
比較例2の2フローリアクタと実施例2の2フローリアクタの発光素子の発光波長分布比較を表2に示す。波長バラツキは、全体の70%を占める素子数における中心値からの値を示す。
発明の方法を用いた実施例2の素子の発光波長バラツキは±1nmと非常に良好な値を示した。なお、範囲を全体の80%と広げても±2nmとなり、バラツキは狭いと言える。
比較例2の2フローリアクタと実施例2の2フローリアクタの発光素子のVf出力分布の比較を表3に示す。波長バラツキは、全体の70%を占める素子数における中心値からの値を示す。Vfのバラツキはp層、n層よりも発光層の膜厚に大きく左右される。よって、実施例2は発光層の膜厚分布が均一化したといえる。
発明の方法を用いた実施例2の素子のVfバラツキは0.04Vと非常に良好な値を示した。なお、範囲を全体の80%とすれば0.08Vとなり、バラツキは非常に狭い値と言える。
14 サセプタ
15 基板
16 遮熱板
20 水冷ジャケット
121 矩形押さえガス噴出器
131 矩形フロー補助板
171 矩形加熱器
181 受熱板
182 前方直線縁部
183 円弧部
191 前方プレート
Claims (7)
- その中心に成長用基板を担持して前記成長用基板を加熱および回転するサセプタと、
前記サセプタの少なくても材料ガス供給側の半分を矩形に囲む、前記サセプタと同じ熱伝導率を有する素材からなる不動の受熱板と、
周囲から前記受熱板を固定し、前記成長用基板に水平に材料ガスを誘導する不動のフロー補助板と、
その開口する先端が前記フロー補助板上に位置し前記受熱板の端部と略平行にかつ前記成長用基板の直径よりも幅広に形成され、前記成長用基板の全面に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、
その前記材料ガスノズル側の縁部が前記受熱板の端部に略平行に形成され、その全面が直上の前記サセプタと前記受熱板の全面に対向して前記サセプタと前記受熱板を均一に加熱する矩形の加熱器と、
前記成長用基板と前記サセプタと前記受熱板の全面に向けて前記材料ガスノズルよりも幅広の領域に押さえガスを供給する押さえガス噴出器と、
を備える気相成長装置。 - 前記成長用基板として用いられる材料と同じ熱伝導率の材料からなり、前記受熱板の端部に沿って前記受熱板上に設置される前方プレートを有することを特徴とする請求項1に記載の気相成長装置。
- 前記サセプタ直下2mm以下の間隔で設置され、その一部が前記受熱板の端部に沿った直線状を有する加熱体パターンを含み、前記受熱板より材料ガス供給方向側の幅が0mm〜5mmだけ大きい連続パターンの加熱器を有することを特徴とする請求項1または2に記載の気相成長装置。
- 前記連続パターンの加熱器の電極部は材料ガス供給側から前記サセプタの半分より後方で前記サセプタと重ならない領域の直下に設置されているこことを特徴とする請求項3に記載の気相成長装置。
- 前記押さえガス噴出器は、材料ガス供給方向に直交するように並設され直線状スリット形状の噴出口の複数を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1に記載の気相成長装置。
- 前記押さえガス噴出器は、前記受熱板の端部に平行な直線部を有する矩形の噴出口を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1に記載の気相成長装置。
- 前記受熱板または前記サセプタのいずれか前記材料ガスノズル側に近い方の端部は、前記成長用基板の前記材料ガスノズルに最も近い端から15mm以内に存在することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1に記載の気相成長装置。
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