JP2011176221A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板9と、半導体基板9の第一の面9aに形成された第一の電極1と、半導体基板9の第二の面9bに形成された半導体層2と、半導体層2の表面に形成された絶縁層12と、絶縁層の表面に形成された第二の電極3と、第二の電極3の表面に形成された金属メッキ層14と、半導体層2内部に形成され、発光部7となる活性層2bとを有する半導体レーザ装置において、半導体層には、発光部の中心位置の一方の側に溝17が形成され、かつ、当該溝は、その底部に形成される第二の電極の表面が、半導体基板と半導体層との間の界面よりも第一の電極の側に位置する深さまで、更には、その表面に形成される金属メッキ層の表面が、当該界面よりも第一の電極側に位置する深さまで形成されている。
【選択図】図4
Description
Claims (6)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の第一の面に形成された第一の電極と、
前記半導体基板の第二の面に形成された半導体層と、
前記半導体層の表面に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の表面に形成された第二の電極と、
前記絶縁層の表面に形成された金属層と、
前記半導体層内部に形成され、発光部を形成する活性層と、
を有する半導体レーザ装置において、
前記半導体層には、前記発光部の中心位置に対し、その両側の少なくとも一方の側に溝が形成されており、かつ、当該溝は、その底部に形成される前記第二の電極の表面が、前記半導体基板と前記半導体層との間の界面よりも前記第一の電極側に位置する深さまで形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記請求項1に記載した半導体レーザ装置において、前記溝は、更に、その底部に形成された前記第二の電極の表面に形成される前記金属層の表面が、前記半導体基板と前記半導体層との間の界面よりも前記第一の電極側に位置する深さまで形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
- 前記請求項1又は2に記載した半導体レーザ装置において、更に、サブマウントを有し、前記半導体レーザ素子の前記発光部と前記サブマウントとの間に空隙を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
- 前記請求項3に記載した半導体レーザ装置において、前記発光部の中心位置に対し、前記溝が形成された側に、前記半導体基板と前記サブマウントを機械的に支持するテラス構造部を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
- 前記請求項1〜4の何れか一項に記載した半導体レーザ装置において、前記半導体層内に複数の発光部が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
- 前記請求項5に記載した半導体レーザ装置において、前記複数の発光部は複数の列に沿って形成されており、かつ、前記溝が当該列に沿って形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
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