JP2011171653A - 化合物半導体バッファ層の製造方法及び化合物半導体薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 カドミウム塩水溶液と、カドミウム塩と共通のアニオンを有するアンモニウム塩水溶液とを含む混合液を高吸水性高分子シートに含浸させてゲルシートAを得る工程と、チオ尿素水溶液とアンモニア水とを含む混合液を高吸水性高分子シートに含浸させてゲルシートBを得る工程と、Ib、IIIb及びVIb族元素を含む化合物半導体又はCu2ZnSnS4からなる化合物半導体光吸収層を30℃以上に加熱し、該光吸収層上にゲルシートAを密着させた後、ゲルシートBを重ねる工程と、ゲルシートA及びBを剥離する工程と、光吸収層を洗浄及び乾燥して該光吸収層上に硫化カドミウムからなる化合物半導体バッファ層を形成する工程と、を有する化合物半導体バッファ層の製造方法。
【選択図】 なし
Description
<CdSバッファ層の作製>
蒸留水72.5質量部、0.4M塩化カドミウム(CdCl2)水溶液6.5質量部、及び、0.4M塩化アンモニウム(NH4Cl)水溶液21.0質量部を混合した混合液を調製した。この混合液を、ポリビニルアルコール製の高吸水性高分子シートに含浸させ、厚さ3mmのゲルシートAを作製した。また、0.8Mチオ尿素(CH4N2S)水溶液80質量部、及び、13.8Mアンモニア水20質量部を混合した混合液を調製した。この混合液を、ポリビニルアルコール製の高吸水性高分子シートに含浸させ、厚さ3mmのゲルシートBを作製した。
上記CdSバッファ層上に、スパッタリングにより半絶縁層であるi−ZnO層と、窓層であるZnO:Al層とを形成し、蒸着法によりAl上部電極を形成して太陽電池を得た。
ゲルシートA、Bの代わりに同組成の溶液を用いてCdSバッファ層の形成を行った以外は実施例1と同様にして太陽電池を作製し、同様のI−V測定を行った。その結果、11.3%の変換効率となった。
Claims (2)
- カドミウム塩水溶液と、カドミウム塩と共通のアニオンを有するアンモニウム塩水溶液とを含む混合液を高吸水性高分子シートに含浸させてゲルシートAを得る工程と、
チオ尿素水溶液とアンモニア水とを含む混合液を高吸水性高分子シートに含浸させてゲルシートBを得る工程と、
Ib族元素、IIIb族元素及びVIb族元素を含む化合物半導体又はCu2ZnSnS4からなる化合物半導体光吸収層を30℃以上に加熱し、該化合物半導体光吸収層上に前記ゲルシートAを密着させた後、該ゲルシートA上に前記ゲルシートBを重ねる工程と、
前記ゲルシートA及びBを前記化合物半導体光吸収層から剥離する工程と、
前記化合物半導体光吸収層を洗浄及び乾燥することにより、該化合物半導体光吸収層上に硫化カドミウムからなる化合物半導体バッファ層を形成する工程と、
を有する化合物半導体バッファ層の製造方法。 - 請求項1記載の化合物半導体バッファ層の製造方法により、前記化合物半導体光吸収層上に前記化合物半導体バッファ層を形成する工程を有する、化合物半導体薄膜太陽電池の製造方法。
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