JP2011171430A - 磁気記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線に流れる電流によって発生した誘導磁界による磁気記憶素子の誤作動を低減しつつ、大容量化および高集積化を図ることができる磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】複数の磁気記憶素子3とビット線4と複数のトランジスタ2と磁気シールド用磁性膜22とを備えている。磁気記憶素子3は、磁化方向が一定である固着層19、磁化方向が可変である記憶層21、および、固着層19と記憶層21との間に配置されたトンネル絶縁膜20を有し、スピン偏極した電子により記憶層21の磁化方向を反転させる。ビット線4は、複数の磁気記憶素子3のそれぞれが互いに間隔を置いて接続され、複数の磁気記憶素子3に対向して配置されている。トランジスタ2は、複数の磁気記憶素子3の内の対応した磁気記憶素子3を経由してビット線4に電気的に接続されている。磁気シールド用磁性膜22は、ビット線4と磁気記憶素子3との間に配置されている。
【選択図】図2
【解決手段】複数の磁気記憶素子3とビット線4と複数のトランジスタ2と磁気シールド用磁性膜22とを備えている。磁気記憶素子3は、磁化方向が一定である固着層19、磁化方向が可変である記憶層21、および、固着層19と記憶層21との間に配置されたトンネル絶縁膜20を有し、スピン偏極した電子により記憶層21の磁化方向を反転させる。ビット線4は、複数の磁気記憶素子3のそれぞれが互いに間隔を置いて接続され、複数の磁気記憶素子3に対向して配置されている。トランジスタ2は、複数の磁気記憶素子3の内の対応した磁気記憶素子3を経由してビット線4に電気的に接続されている。磁気シールド用磁性膜22は、ビット線4と磁気記憶素子3との間に配置されている。
【選択図】図2
Description
本発明は、磁気記憶装置に関し、特に、トンネル磁気抵抗効果を有する磁気記憶素子を用いた磁気記憶装置に関する。
近年、新世代の不揮発性磁気記憶装置として、MRAM(Magnetic Random Access Memory)デバイスが注目されている。MRAMデバイスは、半導体集積回路に形成された複数の薄膜磁性体からなるメモリセルを用いて不揮発のデータ記憶を行ない、かつ、メモリセルの各々に対してランダムアクセスが可能な不揮発性磁気記憶装置である。
従来のMRAMデバイスを開示した先行文献として、特許文献1がある。特許文献1に記載されたMRAMデバイスにおいては、2種類の書込み線を行列状に配置し、その2種類の書込み線の各交差点と近接する位置にメモリセルがマトリクス状に配置されている。なお、各メモリセルは、2種類の書込み線に流れる電流により、それぞれの磁気容易軸方向および磁化困難軸方向に外部磁界を受けるように配置されている。
メモリセルを構成する磁気記憶素子は、磁化容易軸方向および磁化困難軸方向の外部磁界による合成磁界に応じて、記憶層の磁化方向を制御することができる。さらに、合成磁界による記憶層の磁化方向の制御性を改善するために、磁気記憶素子に対向する面以外の書き込み線の面上に高透磁率層を形成することにより、合成磁界の強度を増大させている。
MRAMデバイスとして、スピン偏極した電子を記憶層の磁性体に流すこと(スピン注入)により、磁性体の磁化方向を反転させることができるSTT−MRAM(Spin-Transfer Torque MRAM)を開示した先行文献として、非特許文献1および2がある。
非特許文献1および2に記載されたSTT−MRAMのスピン注入による磁化反転方式においては、電子の持つスピン角運動量が記憶層の磁性体の角運動量と相互作用することによって、スピンの伝達が行なわれる。スピン注入による磁化反転方式は、メモリセルのサイズが小さくなるほど磁化反転に必要な電流が小さくなる特長を有しているため、MRAMデバイスの大容量化かつ高集積化に適している。
スピン注入による磁化反転方式においては、書き込み配線からの誘導磁界を記憶層の書き換えに利用しないため、上記高透磁率層の形成が不要となる。
F.J.Albert et al., 「Spin-polarized current switching of a Co thin film nanomagnet」 APPLIED. PHYSICS. LETTERS. Vol. 77, p.3809-3811 (2000)
Y.Huai et al., 「Observation of spin-transfer switching in deep submicron-sized and low-resistance magnetic tunnel junction」 APPLIED. PHYSICS. LETTERS. Vol. 84, p.3118-3120 (2004)
スピン注入による磁化反転方式の磁気記憶装置において、大容量化のためにメモリアレイを高集積化すると、配線と磁気記憶素子との距離が短くなり、その距離の2乗に反比例する誘導磁界の強度が大きくなる。そのため、書き込みまたは読み出し時にビット線に流れる電流によって発生する誘導磁界により記憶層が誤った方向に磁化されることがある。
本発明は上記の問題点に鑑みなされたものであって、配線に流れる電流によって発生した誘導磁界による磁気記憶素子の誤作動を低減しつつ、大容量化および高集積化を図ることができる磁気記憶装置を提供することを目的とする。
本発明に係る磁気記憶装置は、複数の磁気記憶素子と配線と複数のトランジスタと磁気シールド用磁性膜とを備えている。磁気記憶素子は、磁化方向が一定である固着層、磁化方向が可変である記憶層、および、固着層と記憶層との間に配置されたトンネル絶縁膜を有し、スピン偏極した電子により記憶層の磁化方向を反転させる。配線は、複数の磁気記憶素子のそれぞれが互いに間隔を置いて接続され、複数の磁気記憶素子に対向して配置されている。トランジスタは、複数の磁気記憶素子の内の対応した磁気記憶素子を経由して配線に電気的に接続されている。磁気シールド用磁性膜は、配線と磁気記憶素子との間に配置されている。
本発明によれば、配線と磁気記憶素子との間に磁気シールド用磁性膜を設けることにより、配線を流れる電流によって発生した誘導磁界による磁気記憶素子の誤作動を低減しつつ、磁気記憶装置の大容量化および高集積化を図ることができる。
以下、本発明の実施形態1に係る磁気記憶装置について図面を参照して説明する。なお、以下の説明では、「上」、「下」、「左」、「右」およびこれらの用語を含む名称を適宜使用するが、これらの方向は図面を参照した発明の理解を容易にするために用いるものであり、実施形態を上下反転、あるいは任意の方向に回転した形態も、当然に本願発明の技術的範囲に含まれる。
実施形態1
図1は、本発明の実施形態1に係る磁気記憶装置のメモリセルの回路を模式的に示す図である。図1に示すように、実施形態1に係る磁気記憶装置に含まれる1つのメモリセル1は、アクセストランジスタ2と磁気記憶素子3(磁気抵抗効果素子)とから構成されれている。メモリセル1は、マトリクス状に複数形成されている。
実施形態1
図1は、本発明の実施形態1に係る磁気記憶装置のメモリセルの回路を模式的に示す図である。図1に示すように、実施形態1に係る磁気記憶装置に含まれる1つのメモリセル1は、アクセストランジスタ2と磁気記憶素子3(磁気抵抗効果素子)とから構成されれている。メモリセル1は、マトリクス状に複数形成されている。
複数のメモリセル1の内、一方向に沿って位置するメモリセル1においては、各磁気記憶素子3の一端側は、一方向に延在する配線であるビット線4に接続され、他端側はアクセストランジスタ2のドレインに接続されている。そのアクセストランジスタ2のソース側は、ビット線4と平行に延在するソース線5に接続されている。一方向と直交する他の方向に沿って位置するメモリセル1においては、各アクセストランジスタ2のゲート電極7が、他の方向に延在するワード線6に接続されている。
図2は、本実施形態に係る磁気記憶装置のメモリセルの構造を模式的に示す断面図である。図3は、図2のメモリセルのビット線部分を矢印III方向から見た図である。図4は、図2のメモリセルを矢印IV方向から見た図である。なお、図2においては、簡単のため、層間絶縁膜および後述するコンタクトプラグ29aなどは図示されていない。
図2に示すように、シリコン基板などの半導体基板10には、酸化シリコンなどからなる素子分離絶縁膜11が設けられている。素子分離絶縁膜11によって区切られた素子形成領域に、駆動素子選択用のアクセストランジスタ2が形成されている。
半導体基板10の表面上にゲート絶縁膜13を介在させてゲート電極7が形成されている。そのゲート電極7を挟んで半導体基板10の一方の側の領域にドレイン領域12が形成され、他方の側の領域にソース領域9が形成されている。ゲート電極7、ソース領域9およびドレイン領域12によりアクセストランジスタ2が構成される。ゲート電極7の両側には、酸化シリコンなどからなるサイドウォール14が設けられている。
半導体基板10上には、たとえば酸化シリコンからなる層間絶縁層が設けられている。層間絶縁層には、たとえばタングステンからなるコンタクトプラグ15が埋め込まれている。コンタクトプラグ15は、ドレイン領域12に電気的に接続されている。コンタクトプラグ15上には、たとえば銅からなるコンタクトプラグ16が埋め込まれ、さらに、コンタクトプラグ16上には、たとえば銅からなるコンタクトプラグ17が埋め込まれている。
コンタクトプラグ17上には、たとえばTaからなる引き出し配線18が設けられ、その上に磁気記憶素子(TMR(Tunneling Magneto Resistance)素子)3が設けられている。磁気記憶素子3上には、たとえばTaからなる上部電極25が設けられている。上部電極25上に、後述する磁気シールド用磁性膜22を介して、たとえば銅からなるビット線4が設けられている。ビット線4は、複数の磁気記憶素子のそれぞれが互いに間隔を置いて接続され、複数の磁気記憶素子3に対向して配置されている。
アクセストランジスタ2の上方には、ソース線5が形成されている。半導体基板10上の層間絶縁層には、たとえばタングステンからなるコンタクトプラグ45が埋め込まれている。コンタクトプラグ45は、ソース領域9に電気的に接続されている。コンタクトプラグ45上に、たとえば銅からなるコンタクトプラグ46が埋め込まれ、コンタクトプラグ46はソース線5に電気的に接続されている。このように、ソース領域9とソース線5とが電気的に接続されている。複数のアクセストランジスタ2はそれぞれ、複数の磁気記憶素子3の内の対応した磁気記憶素子を経由してビット線4に電気的に接続されている。
図3に示すように、ビット線4と磁気記憶素子3との間に、磁気シールド用磁性膜22が配置されている。本実施形態においては、磁気シールド用磁性膜22は、高透磁率の磁性層を含んでいる。高透磁率の磁性層としては、たとえば、Co、Fe、Ni、Al、B、Si、Zr、Nb、Cr、Taからなる群から選択される1種以上から構成される金属単体または合金の層である。
図4に示すように、ビット線4には所定の間隔を置いてマトリクス状に磁気記憶素子3が接続されている。ビット線4と磁気記憶素子3上に設けられた上部電極25との間に、コンタクトプラグ29aが設けられている。
磁気記憶素子3は、引き出し配線18上に形成されているが、メモリセル1の積層方向に直交する方向を含む平面の平面視において、コンタクトプラグ15,16,17が形成されている領域とは重ならない領域に磁気記憶素子3が形成されている。なお、メモリセル1の積層方向に直交する方向を含む平面の平面視において、磁気記憶素子3がコンタクトプラグ15,16,17の形成されている領域と重なる領域に形成されていても本発明の効果を得ることができる。
図5は、本実施形態に係る磁気記憶素子の構成を模式的に示す図である。図5に示すように、磁気記憶素子3は、反強磁性層24、固着層19(ピン層)、トンネル絶縁膜20および記憶層21(フリー層)を含む。反強磁性層24は引き出し配線18に接続され、記憶層21は上部電極25に接続されている。
本実施形態においては、固着層19として、たとえば、PtMn、IrMn、FeMn、PtCrMn、NiMn、NiO、Fe2O3からなる群から選択される1種以上から構成される反強磁性体と、Co、Fe、Ni、Al、B、Si、Zr、Nb、Cr、Taからなる群から選択される1種以上から構成される強磁性体とを交換結合させた構造を有する層を反強磁性層24上に積層した。なお、固着層19として、薄い非磁性層を介して強磁性体と強磁性体とを結合させたSAF(Synthetic AntiFerromagnet)構造を有する層を用いてもよい。固着層19においては、磁化方向(電子のスピンの向き)が固定されている。
トンネル絶縁膜20は、非磁性体(誘電体)の材料から形成され、たとえば、Mg、Al、Siなどを含む酸化物もしくは窒化物またはこれらを混合した材料から形成されている。
記憶層21は、Co、Fe、Ni、Al、B、Si、Zr、Nb、Cr、Taからなる群から選択される1種以上から構成される強磁性体の材料で形成されている。固着層19に含まれる強磁性体の材料と同じ材料により記憶層21が形成されていることが好ましいが、必ずしも同一の材料で形成されていなくてもよい。記憶層21の磁化方向は可変であり、スピン偏極した電子の注入により記憶層21の磁化方向が反転させられる。
以下、磁気シールド用磁性膜22の形成方法について説明する。上部電極25までは、従来の製造方法により作製することができるため、上部電極25が形成された状態から説明する。
図6は、本実施形態において、コンタクトプラグ29aを形成する工程を模式的に示す断面図である。図6(A)に示すように、コンタクトプラグ29aが形成される前の状態における磁気記憶装置においては、磁気記憶素子3の上面に上部電極25が設けられ、磁気記憶素子3の周囲には層間絶縁膜23が設けられている。
次に、図6(B)に示すように、上部電極25および層間絶縁膜23の上面に、シリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜26を形成する。この層間絶縁膜26にCMP(Chemical Mechanical Polishing)法を施し、層間絶縁膜26の膜厚を調整する。層間絶縁膜26上にレジストを形成した後、エッチングすることにより、図6(C)に示すように、層間絶縁膜26にコンタクトホール27を形成する。
図6(D)に示すように、スパッタリング法を用いて、層間絶縁膜26の上面およびコンタクトホール27の内壁にバリアメタル28を形成する。このバリアメタル28は、高透磁率の強磁性材料から構成されていることが好ましい。さらに、図6(E)に示すように、バリアメタル28が形成されたコンタクトホール27内に導電膜29を充填する。本実施形態においては、コンタクトホール27内以外のバリアメタル28上にも導電膜29を形成している。図6(F)に示すように、充填された導電膜29およびバリアメタル28をCMP法を用いて平坦化する。
上記の方法により、コンタクトホール27内に充填されたバリアメタル28と導電膜29とからなるコンタクトプラグ29aを形成することができる。導電膜29としては、銅を用いたがタングステンを用いてもよい。導電膜29として銅を用いた場合は、バリアメタル28としてTaまたはTaNを用いることが好ましい。一方、導電膜29としてタングステンを用いた場合には、バリアメタル28としてTiまたはTiNを用いることが好ましい。
その後、図6(G)に示すように、コンタクトプラグ29aの上面を覆うように、シリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜30を形成する。この層間絶縁膜30にCMP法を施し、層間絶縁膜30の膜厚を調整する。層間絶縁膜30上にレジストを形成した後、エッチングすることにより、層間絶縁膜30に開口部31を形成する。
図7は、本実施形態において、磁気シールド用磁性膜を形成する工程を模式的に示す断面図である。なお、図7(A)は、図6(G)の磁気記憶装置をVII(A)方向から見た図である。図7(B)に示すように、層間絶縁膜30の上面および開口部31の内壁に磁気シールド用磁性膜32を形成する。本実施形態においては、磁気シールド用磁性膜32は、高透磁率の強磁性材料から構成したが、高透磁率の磁性材料であればよい。
図7(C)に示すように、磁気シールド用磁性膜32が形成された開口部31内に、銅からなる導電膜33を充填する。本実施形態においては、開口部31内以外の磁気シールド用磁性膜32上にも導電膜33を形成している。図7(D)に示すように、充填された導電膜33および磁気シールド用磁性膜32をCMP法を用いて平坦化する。導電膜33は、ビット線4となるものである。
上記の方法により、下面および両側面が磁気シールド用磁性膜32に覆われた導電膜33からなるビット線4を形成することができる。
以下、本実施形態に係る磁気記憶装置の磁気シールド用磁性膜32の作用および効果について説明する。図8(A)は、比較例として磁気シールド用磁性膜を設けていない磁気記憶装置に現れる誘導磁界を模式的に示す図であり、(B)は、本実施形態に係る磁気記憶装置に現れる誘導磁界を模式的に示す図である。図8(A),(B)においては、ビット線4および磁気記憶素子3以外の構成については、記載を省略している。
図8(A)に示すように、磁気記憶素子3の書き込みまたは読み出しを行なう場合にはビット線4に電流が流される。電流は、図の紙面の手前から奥に向かって流れている。磁気記憶素子3の記憶層21の磁化方向は矢印42で示す向きになっている。電流が流されることによって、ビット線4の周囲には誘導磁界41aが発生する。この誘導磁界41aがそのまま磁気記憶素子3に作用する。このように、磁気記憶素子3の記憶層21の磁化方向と逆方向の磁界がかかった場合に、磁気記憶素子3の誤作動が発生する可能性がある。
図8(B)に示すように、ビット線4は、磁気記憶素子3に対向する面であるビット線4の底面に磁気シールド用磁性膜22が設けられている。さらに、ビット線4の両側面にも磁気シールド用磁性膜22が設けられている。磁気記憶素子3の記憶層21の磁化方向は矢印42で示す向きになっている。ビット線4と磁気記憶素子3との間に磁気シールド用磁性膜22が設けられているため、ビット線4を流れる電流により発生した誘導磁界は、矢印43に示すように磁気シールド用磁性膜22内に閉じ込められ、磁気記憶素子3に作用する誘導磁界41bの強度は上記の誘導磁界41aの強度に比較して小さくなる。
このように、ビット線4を流れる電流によって発生して磁気記憶素子3に作用する誘導磁界の強度を、磁気シールド用磁性膜22を設けることにより低減することができる。その結果、磁気記憶素子3の記憶層21が誘導磁界の影響を受けて誤作動することを低減することができる。特に、磁気記憶装置の大容量化および高集積化に伴ってビット線4と磁気記憶素子3との距離が近くなった際に、上記の誤作動を低減することにより、大容量化および高集積化した磁気記憶装置の性能を安定化させることができる。
なお、本実施形態においては、磁気シールド用磁性膜22をビット線4の外表面上に設けたが、磁気シールド用磁性膜22は、ビット線4と磁気記憶素子3との間に設けられていればよく、必ずしも磁気シールド用磁性膜22がビット線と接触している必要はない。ただし、ビット線4の外表面上に磁気シールド用磁性膜22を設けた場合には、ビット線4を流れる電流によって発生する誘導磁界の拡散を効果的に抑制することができる。
また、コンタクトプラグ29aの周囲を囲んでいるバリアメタル28を高透磁率の磁性体で形成した場合には、コンタクトプラグ29aを流れる電流によって発生する誘導磁界が磁気記憶素子3に作用することを抑制することができるため、さらに磁気記憶装置の性能を安定化させることができる。
以下、本発明の実施形態2に係る磁気記憶装置について説明する。
実施形態2
図9は、本発明の実施形態2に係る磁気記憶装置のメモリセルの構造を模式的に示す断面図である。図10は、図9のメモリセルのビット線部分を矢印X方向から見た図である。なお、図9においては、簡単のため、層間絶縁膜および上述したコンタクトプラグ29aなどは図示されていない。
実施形態2
図9は、本発明の実施形態2に係る磁気記憶装置のメモリセルの構造を模式的に示す断面図である。図10は、図9のメモリセルのビット線部分を矢印X方向から見た図である。なお、図9においては、簡単のため、層間絶縁膜および上述したコンタクトプラグ29aなどは図示されていない。
図9および図10に示すように、本実施形態に係るビット線4は、複数の磁気記憶素子3に対向する底面のみ磁気シールド用磁性膜22に覆われている。その他の構成については、実施形態1と同様であるため説明を繰り返さない。
以下、磁気シールド用磁性膜34の形成方法について説明する。図11は、本実施形態に係る磁気シールド用磁性膜を形成する工程を模式的に示す断面図である。図11(A)は、図6(F)の磁気記憶装置をXI(A)方向から見た図である。図11(A)に示すように、層間絶縁膜23の上面にシリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜26が設けられている。
図11(B)に示すように、層間絶縁膜26の上面にスパッタリング法などにより磁気シールド用磁性膜34を形成する。磁気シールド用磁性膜34は、高透磁率の磁性体から構成されていればよい。
図11(C)に示すように、磁気シールド用磁性膜34の上面にレジストパターン35を形成する。このレジストパターン35をマスクにしてエッチングすることにより、図11(D)に示すように、磁気シールド用磁性膜34をパターニングする。図11(E)に示すように、磁気シールド用磁性膜34を覆うように層間絶縁膜36を形成する。
層間絶縁膜36の上面にレジストパターンを形成してエッチングすることにより、図11(F)に示すように、層間絶縁膜36に開口部37を形成する。図11(G)に示すように、開口部37の内部に銅からなる導電膜38を充填する。CMP法により、絶縁膜36上の導電膜38を取り除くことにより、図11(H)に示すように、導電膜38の下面を磁気シールド用磁性膜34で覆った磁気記憶装置を形成することができる。本実施形態においては、導電膜38がビット線4となる。
本実施形態のように、磁気記憶素子3に対向するビット線4の底面の下方に磁気シールド用磁性膜34を形成することにより、ビット線4を流れる電流によって発生して磁気記憶素子3に作用する誘導磁界を低減することができる。実施形態1に比較して、磁気シールド用磁性膜34として使用する高透磁率の磁生体材料を削減することができるため、磁気記憶装置のコストの低減を図ることができる。
なお、本実施形態においては、磁気シールド用磁性膜34をビット線4の底面近傍に設けたが、磁気シールド用磁性膜34は、ビット線4と磁気記憶素子3との間に設けられていればよく、必ずしも磁気シールド用磁性膜34がビット線4と接触している必要はない。ただし、ビット線4の外表面上に磁気シールド用磁性膜34を設けた場合には、ビット線4を流れる電流によって発生する誘導磁界の拡散を効果的に抑制することができる。
本発明の実施形態1,2に係る磁気記憶装置について、電磁界シュミレーションによって磁気シールド用磁性膜22の磁気シールド効果の検証を行なった。図12は、ビット線からの距離と誘導磁界の強度の関係を示すグラフである。図12においては、縦軸に誘導磁界の強度[Oe]、横軸にビット線からの距離[nm]を示している。磁気シールド用磁性膜22を設けていない磁気記憶装置のデータを一点鎖線、実施形態1に係る磁気記憶装置のデータを実線、実施形態2に係る磁気記憶装置のデータを点線で示している。
図12に示すように、磁気シールド用磁性膜22を設けていない磁気記憶装置においては、ビット線4に近くなるほど誘導磁界の強度が強くなっている。一方、実施形態1,2に係る磁気記憶装置においては、磁気シールド用磁性膜22の効果によって誘導磁界の強度が低減され、また、ビット線4に近くなるほど誘導磁界の強度は弱くなっている。
図13は、磁気シールド用磁性膜22を設けていない磁気記憶装置における誘導磁界の強度を100%として、実施形態1,2に係る磁気記憶装置における誘導磁界の強度を示したグラフである。図13においては、縦軸に磁界減衰率[%]、横軸にビット線からの距離[nm]を示している。磁気記憶装置の高密度化によって、ビット線4と磁気記憶素子3との距離は100nm程度まで縮小される可能性がある。図13に示すように、ビット線4から100nmの位置では、実施形態1の磁気記憶装置では約7%、実施形態2の磁気記憶装置では約14%の磁界減衰率が認められ、高い磁気シールド効果が確認された。
図14(A)は、磁気シールド用磁性膜22を設けていない磁気記憶装置における誘導磁界の2次元的分布を示す図であり、(B)は、実施形態1に係る磁気記憶装置における誘導磁界の2次元的分布を示す図であり、(C)は、実施形態2に係る磁気記憶装置における誘導磁界の2次元的分布を示す図である。図14(A),(B),(C)においては、磁界強度が高くなるにつれてハッチングが荒くなるように示している。なお、ビット線4近傍における磁界強度の等高線が密な箇所には、ハッチングを入れていない。
図14(A)に示すように、ビット線4の近傍で最も誘導磁界の強度が高く、ビット線4から離れるにつれて誘導磁界の強度が弱くなっている。図14(B)に示すように、実施形態1に係る磁気記憶装置においては、ビット線4の近傍において磁気シールド用磁性膜22を設けていない部分で最も誘導磁界の強度が高くなっている。しかし、ビット線4の近傍において磁気シールド用磁性膜22を設けた部分、特に、ビット線4の底面側には誘導磁界の強度が低い領域が現れている。
図14(C)に示すように、実施形態2に係る磁気記憶装置においても、ビット線4の近傍において磁気シールド用磁性膜22を設けていない部分で最も誘導磁界の強度が高くなっている。また、磁気シールド用磁性膜22を設けたビット線4の底面側には誘導磁界の強度が低い領域が現れている。
上記のシュミレーション結果から、ビット線4と磁気記憶素子3との間に磁気シールド用磁性膜22を設けることにより、ビット線4を流れる電流によって発生して磁気記憶素子3に作用する誘導磁界の強度を効果的に低減できることが認められた。
以下、本発明の実施形態3に係る磁気記憶装置について説明する。
実施形態3
図15は、本発明の実施形態3に係る磁気記憶装置のメモリセルの構造を模式的に示す断面図である。図16は、図15のメモリセルのビット線部分を矢印XVI方向から見た図である。なお、図15においては、簡単のため、層間絶縁膜および上述したコンタクトプラグ29aなどは図示されていない。
実施形態3
図15は、本発明の実施形態3に係る磁気記憶装置のメモリセルの構造を模式的に示す断面図である。図16は、図15のメモリセルのビット線部分を矢印XVI方向から見た図である。なお、図15においては、簡単のため、層間絶縁膜および上述したコンタクトプラグ29aなどは図示されていない。
図15および図16に示すように、本実施形態に係るビット線4は、底面のみ磁気シールド用磁性膜48に覆われている。また、磁気シールド用磁性膜48は、高透磁率の強磁性層44および反強磁性層47を少なくとも含んでいる。その他の構成については、実施形態1と同様であるため説明を繰り返さない。
磁気シールド用磁性膜48は、高透磁率の強磁性体から構成されている強磁性層44、および、反強磁性体から構成される反強磁性層47を含んでいればよく、その他の層を含んでいてもよい。たとえば、磁気シールド用磁性膜48は、磁気記憶素子3の側から順に、非磁性誘電体層、強磁性層、非磁性層、反強磁性層、金属というようないくつかの層からなる積層構造を有していてもよい。
強磁性層44と反強磁性層47とは磁性結合するように設けられている。また、強磁性層44の磁化方向は、磁気記憶素子3の固着層19の磁化方向とは逆方向に固定されている。このようにすることにより、磁気記憶素子3へのスピンの注入効率を向上させるとともに、記憶層21の磁化方向を反転させるための必要電流量を低減することができる。
以下、本実施形態に係る磁気記憶装置の書き込み動作について説明する。磁気記憶装置においては、情報として“0”を書き込む動作は、固着層19の電子のスピンの向きと記憶層21の電子のスピンの向きとを同じ向きにする平行化書き込みと称される。一方、情報として、“1”を書き込む動作は、固着層19のスピンの向きと記憶層21の電子のスピンの向きとを互いに反対向きにする反平行化書き込みと称される。
はじめに、平行化書き込みについて説明する。まず、特定のメモリセル1に対応するビット線4に所定の電流を流す。対応するアクセストランジスタ2をオンにすることによって、電流はビット線4から対応する磁気記憶素子3、アクセストランジスタ2のドレイン領域12およびソース領域9を経てソース線5に流れる。
図17は、本実施形態において、メモリセルの平行化書き込み動作を説明するための、注入される電子のスピンおよび磁気記憶素子の電子のスピンの第1の状態を模式的に示す断面図である。
図17に示すように、本実施形態においては、磁気記憶素子3の上方に、非磁性体からなるトンネル絶縁膜52、高透磁率の強磁性体からなる強磁性体層53および反強磁性体からなる反強磁性層54を含む磁気シールド用磁性膜48が設けられている。
固着層19の磁化方向は矢印55に示す向きに固定されている。記憶層21の磁化方向は、固着層19の磁化方向とは逆方向である矢印50で示す向きになっている。強磁性体層53の磁化方向は、固着層19とは逆方向である矢印56で示す向きに固定されている。
図17に示すように、磁気記憶素子3においては、磁気シールド用磁性膜48から固着層19へ向かって電流(矢印51)が流れることで、固着層19の側には、電子57が注入される。この電子57のスピンには2つの向き(矢印58,59)が存在する。その固着層19に注入された電子57のほとんどは、固着層19を通過する際に、固着層19の電子のスピンの向き(矢印55)と同じ向きを有するように電子のスピンが偏極されることになる。
図18は、本実施形態において、図17に示す状態の後の、注入された電子のスピンおよび磁気記憶素子の電子のスピンの第2の状態を模式的に示す断面図である。図19は、本実施形態において、図18に示す状態の後の、注入された電子のスピンおよび磁気記憶素子の電子のスピンの第3の状態を模式的に示す断面図である。図20は、本実施形態において、図19に示す状態の後の、注入された電子のスピンおよび磁気記憶素子の電子のスピンの第4の状態を模式的に示す断面図である。
図18に示すように、固着層19でスピン偏極した電子57は、トンネル絶縁膜20を通過して記憶層21に達する。図19に示すように、記憶層21に達した電子57は、記憶層21の電子57にスピントルク60を及ぼす。このとき、図18に示すように、記憶層21を通過した一部の電子57は、トンネル絶縁膜52を通過して強磁性層53に進入する。強磁性層53の電子のスピンの向きと反対向きのスピンの電子57は、強磁性層53で反射される。そのため、電子57は、トンネル絶縁膜52を通過して、再度、記憶層21に達して記憶層21の電子57にスピントルク60を及ぼす。
上記のように、記憶層21の電子57にスピントルク60が効率よく及ぼされるため、少ない電流量で、図20に示すように、記憶層21の電子57のスピンが反平行から平行に反転することになる。こうして、記憶層21の電子のスピンが反平行から平行(矢印61)へ反転し、平行化書き込みが完了する。
次に、反平行化書き込みについて説明する。まず、特定のメモリセル1に対応するソース線5に所定の電流を流し、対応するアクセストランジスタ2をオンにする。電流は、ソース線5から対応するアクセストランジスタ2のソース領域9、ドレイン領域12および磁気記憶素子3を経てビット線4に流れる。
図21は、本実施形態において、メモリセルの反平行化書き込み動作を説明するための、注入される電子のスピンおよび磁気記憶素子の電子のスピンの第1の状態を模式的に示す断面図である。図21に示すように、磁気記憶素子3においては、固着層19から記憶層21へ向かって電流(矢印62)が流れることで、磁気シールド用磁性膜48の側に電子57が注入される。
図22は、本実施形態において、図21に示す状態の後の、注入された電子のスピンおよび磁気記憶素子の電子のスピンの第2の状態を模式的に示す断面図である。図23は、本実施形態において、図22に示す状態の後の、注入された電子のスピンおよび磁気記憶素子の電子のスピンの第3の状態を模式的に示す断面図である。図24は、本実施形態において、図23に示す状態の後の、注入された電子のスピンおよび磁気記憶素子の電子のスピンの第4の状態を模式的に示す断面図である。
図22に示すように、強磁性層53でスピン偏極した電子57は、トンネル絶縁膜52を通過して記憶層21に達する。図23に示すように、記憶層21に達した電子57は、記憶層21の電子57にスピントルク60を及ぼす。このとき、図22に示すように、記憶層21を通過した一部の電子57は、トンネル絶縁膜20を通過して固着層19に進入する。固着層19の電子のスピンの向きと反対向きのスピンの電子57は、固着層19で反射される。そのため、電子57は、トンネル絶縁膜20を通過して、再度、記憶層21に達して記憶層21の電子57にスピントルク60を及ぼす。
上記のように、記憶層21の電子57にスピントルク60が効率よく及ぼされるため、少ない電流量で、図24に示すように、記憶層21の電子57のスピンが平行から反平行に反転することになる。こうして、記憶層21の電子のスピンが平行から反平行(矢印50)へ反転し、反平行化書き込みが完了する。
次に、磁気記憶装置の読み出し動作について説明する。読み出し動作は、アクセストランジスタ2をオンにし、ビット線4から磁気記憶素子3を流れアクセストランジスタ2のソース領域9を経てソース線5に流れる電流を測定することによって行なわれる。
平行化書き込みが行なわれた磁気記憶素子3においては、磁気記憶素子3の抵抗値は相対的に低くなる。そのため、磁気記憶素子3を経てソース線5を流れる電流の電流値は基準電流値よりも高くなる。一方、反平行化書き込みが行なわれた磁気記憶素子3においては、磁気記憶素子3の抵抗値は相対的に高くなる。そのため、磁気記憶素子3を経てソース線5を流れる電流値は基準電流値よりも低くなる。
これにより、基準電流値よりも高い電流値が検知された磁気記憶素子3には、情報として“0”が書き込まれていると判断される。一方、基準電流値よりも低い電流値が検知された磁気記憶素子3には、情報として“1”が書き込まれていると判断される。こうして、メモリセル1の磁気記憶素子3から、“0”あるいは“1”が読み出されることになる。
本実施形態に係る磁気記憶装置においては、磁気シールド用磁性膜48に磁化方向を固定した強磁性層53を設け、その強磁性層53の磁化方向を磁気記憶素子3の固着層19の磁化方向と逆方向にすることにより、磁気シールド用磁性膜48を備えない磁気記憶素子と比べて、より少ない電流によって書き込み動作を行なうことができる。
また、磁気記憶素子に対向するビット線4の底面の下方に磁気シールド用磁性膜48を形成することにより、ビット線4を流れる電流によって発生して磁気記憶素子3に作用する誘導磁界を低減することができる。
なお、本実施形態においては、磁気シールド用磁性膜48をビット線4の底面近傍に設けたが、磁気シールド用磁性膜48は、ビット線4と磁気記憶素子3との間に設けられていればよく、必ずしも磁気シールド用磁性膜48がビット線4と接触している必要はない。また、本実施形態においては、ビット線4の近傍に磁気シールド用磁性膜48を設けたが、磁気記憶素子の近傍に他の配線が配置されている場合には、その配線の近傍に磁気シールド用磁性膜48を設けてもよい。
なお、今回開示した上記実施形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
1 メモリセル、2 アクセストランジスタ、3 磁気記憶素子、4 ビット線、5 ソース線、6 ワード線、7 ゲート電極、9 ソース領域、10 半導体基板、11 素子分離絶縁膜、12 ドレイン領域、13 ゲート絶縁膜、14 サイドウォール、15,16,17,29a,45,46 コンタクトプラグ、18 引き出し配線、19 固着層、20,52 トンネル絶縁膜、21 記憶層、22,32,34,39,48 磁気シールド用磁性膜、23,26,30,36 層間絶縁膜、24,44,53 強磁性層、25 上部電極、27 コンタクトホール、28 バリアメタル、29,33,38 導電膜、31,37 開口部、35 レジストパターン、40 レジスト、41a,41b 誘導磁界、47,54 反強磁性層、57 電子、60 スピントルク。
Claims (4)
- 磁化方向が一定である固着層、磁化方向が可変である記憶層、および、前記固着層と前記記憶層との間に配置されたトンネル絶縁膜を有し、スピン偏極した電子により前記記憶層の磁化方向を反転させる複数の磁気記憶素子と、
前記複数の磁気記憶素子のそれぞれが互いに間隔を置いて接続され、前記複数の磁気記憶素子に対向して配置されている配線と、
前記複数の磁気記憶素子の内の対応した磁気記憶素子を経由して前記配線に電気的に接続されている複数のトランジスタと、
前記配線と前記磁気記憶素子との間に配置されている磁気シールド用磁性膜と
を備えた、磁気記憶装置。 - 前記磁気シールド用磁性膜は、高透磁率の磁性層を含む、請求項1に記載の磁気記憶装置。
- 前記磁気シールド用磁性膜は、前記複数の磁気記憶素子に対向する前記配線の外表面上に配置されている、請求項1または2に記載の磁気記憶装置。
- 前記磁気シールド用磁性膜は、高透磁率の強磁性層および反強磁性層を含み、前記強磁性層と前記反強磁性層とが磁性結合していることにより、前記強磁性層の磁化方向が前記固着層の磁化方向とは逆方向に固定されている、請求項2に記載の磁気記憶装置。
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JP2010032372A JP2011171430A (ja) | 2010-02-17 | 2010-02-17 | 磁気記憶装置 |
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JP2010032372A JP2011171430A (ja) | 2010-02-17 | 2010-02-17 | 磁気記憶装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9595561B2 (en) | 2012-08-13 | 2017-03-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory devices |
US10164170B2 (en) | 2016-12-06 | 2018-12-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
2010
- 2010-02-17 JP JP2010032372A patent/JP2011171430A/ja not_active Withdrawn
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