JP2011160231A - High frequency transmission line - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、マイクロ波帯やミリ波帯などで用いる高周波伝送線路に関するものである。 The present invention relates to a high-frequency transmission line used in a microwave band, a millimeter wave band, or the like.
マイクロ波帯やミリ波帯などで用いる高周波伝送線路として、例えば特許文献1では、マイクロマシン技術を適用した半導体プロセスによって入出力ストリップ導体線路の上下を中空空洞に形成し、入出力ストリップ導体線路をサスペンデッド線路構造とすることにより、線路の低損失化を図る構造例が提案されている。
As a high-frequency transmission line used in a microwave band, a millimeter wave band, or the like, for example, in
しかし、上記従来の技術では、マイクロマシン技術を適用するための開発期間や製造期間が長くなり、開発コストが増大する。つまり、コストダウンが困難である。また、導体パターンの両端が支持されただけの線路構造では、線路が変形する可能性があり、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスが変化してしまう可能性がある。 However, in the above conventional technique, the development period and the manufacturing period for applying the micromachine technique become long, and the development cost increases. That is, cost reduction is difficult. Further, in a line structure in which both ends of the conductor pattern are supported, the line may be deformed, and the characteristic impedance of the suspended line portion may be changed.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持でき、かつ特性インピーダンス制御の容易化が図れるサスペンデッド線路構造を有する高周波伝送線路を得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to obtain a high-frequency transmission line having a suspended line structure that can stably maintain the characteristic impedance of the suspended line part and can facilitate the characteristic impedance control. To do.
上述した目的を達成するために、本発明にかかる高周波伝送線路は、金属筐体と、内層グランド導体パターンを有する多層構成の第1の誘電体基板であって、表面に、一方の入出力ポートと他方の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される2本の帯状表面グランド導体パターンとが形成され、前記金属筐体の線路配置面に接する裏面の少なくとも前記信号導体パターンに対応した領域に形成される裏面グランド導体パターンが、前記信号導体パターンの一部領域の直下に該一部領域に対応した大きさの開口を有して形成されているとともに、裏面側内部に、前記開口の周縁から前記表面に向かった所定高さ位置まで削除された空洞が形成され、前記2本の帯状表面グランド導体パターンと共にスルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される前記内層グランド導体パターンは、前記空洞の外周形状に合わせた開口を有して形成されている第1の誘電体基板と、前記第1の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上に配置される多層構成または単層構成の第2の誘電体基板であって、前記第1の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第2の誘電体基板と、前記第1の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上において、前記2本の帯状表面グランド導体パターンと前記第2の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続するバンプ導体とを備えていることを特徴とする。 In order to achieve the above-described object, a high-frequency transmission line according to the present invention is a first dielectric substrate having a multilayer structure having a metal casing and an inner layer ground conductor pattern, and one input / output port on the surface. A signal conductor pattern connecting between the first input / output port and the other input / output port, and two belt-like surface ground conductor patterns arranged along the signal conductor pattern on both sides in the width direction of the signal conductor pattern, The back surface ground conductor pattern formed in at least the region corresponding to the signal conductor pattern on the back surface in contact with the line arrangement surface of the metal housing has a size corresponding to the partial region immediately below the partial region of the signal conductor pattern. Are formed on the back surface side, and a cavity that is deleted from a peripheral edge of the opening to a predetermined height position toward the front surface is formed. An inner layer ground conductor pattern connected to the back surface ground conductor pattern by a through hole together with a surface-like ground conductor pattern, and a first dielectric substrate formed with an opening adapted to the outer peripheral shape of the cavity; A second dielectric substrate having a multi-layer structure or a single-layer structure disposed immediately above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate, the surface facing the surface of the first dielectric substrate A second dielectric substrate having a back surface ground conductor pattern formed on the entire back surface, and the two strip-shaped surface ground conductor patterns directly above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate. And a bump conductor connecting the back surface ground conductor pattern of the second dielectric substrate.
本発明によれば、信号導体パターンの一部領域は、下方に空洞が形成され、上方にバンプ導体による空洞が形成されので、サスペンデッド線路構造になる。このサスペンデッド線路部は、下方が第1の誘電体基板により支持されているので、線路に変形が生じることはなく、設定したサスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持することできる。また。サスペンデッド線路部の特性インピーダンスは、第1の誘電体基板の誘電率と、信号導体パターンの線路幅と、下部空洞の高さと、バンプ導体による上部空洞の高さとをパラメータとして定められるので、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを調節設定する制御は、下部空洞の高さ調節と、バンプ導体による上部空洞の高さ調節とにより比較的容易に行える。このように、本発明によれば、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持でき、かつ特性インピーダンス制御の容易化が図れるサスペンデッド線路構造を有する高周波伝送線路が得られるという効果を奏する。 According to the present invention, the partial region of the signal conductor pattern has a cavity formed below and a cavity formed by the bump conductor formed above, so that a suspended line structure is formed. Since the lower part of the suspended line part is supported by the first dielectric substrate, the line is not deformed, and the set characteristic impedance of the suspended line part can be stably maintained. Also. The characteristic impedance of the suspended line section is determined by the parameters of the dielectric constant of the first dielectric substrate, the line width of the signal conductor pattern, the height of the lower cavity, and the height of the upper cavity formed by the bump conductor. The control for adjusting and setting the characteristic impedance of the portion can be performed relatively easily by adjusting the height of the lower cavity and adjusting the height of the upper cavity by the bump conductor. As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a high-frequency transmission line having a suspended line structure in which the characteristic impedance of the suspended line portion can be stably maintained and the characteristic impedance can be easily controlled.
以下に本発明にかかる高周波伝送線路の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。 Embodiments of a high-frequency transmission line according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments.
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1による高周波伝送線路の外観構成を示す上面図である。図2は、図1に示すA−A線断面図である。図3は、図1に示すB−B線断面図である。図4は、図1に示す第1の誘電体基板の表面および裏面を示す平面図である。図5は、図1に示す第2の誘電体基板の表面および裏面を示す平面図である。図6は、図1に示す高周波伝送線路の電磁界分布を説明する図である。
FIG. 1 is a top view showing an external configuration of a high-frequency transmission line according to
図1〜図5において、この実施の形態1による高周波伝送線路は、金属筐体1と、この金属筐体1の線路配置面に裏面を接して配置される第1の誘電体基板2と、この第1の誘電体基板2の表面上の所定位置にバンプ導体3を介して配置される第2の誘電体基板4とで構成される。なお、第1の誘電体基板2は、内層グランド導体パターン23を有する多層構成である。一方、第2の誘電体基板4は、図示例では、単層構成のものを示してあるが、多層構成であってもよい。
1 to 5, the high-frequency transmission line according to the first embodiment includes a
第1の誘電体基板2の表面には、信号導体パターン(ストリップ導体線路)21が、一方の入出力ポートと他方の入出力ポートとの間を接続して形成され、この信号導体パターン21の幅方向両側に、所定幅の帯状表面グランド導体パターン22a,22bが信号導体パターン21に沿って形成されている。信号導体パターン21の線路幅は、図4(1)に示す例では、中央部の所定長領域が両入出力ポート側領域よりも幅広になっている。
A signal conductor pattern (strip conductor line) 21 is formed on the surface of the first
信号導体パターン21の一部領域(図4(1)に示す中央部の幅広所定長領域)の直下には、第1の誘電体基板2の表面側層を残して裏面までの間に空洞5が形成されている。この空洞5は、第1の誘電体基板2の裏面から表面に向かって所定高さ位置まで掘り込んで形成されている。具体的には、図4(2)に示すように、第1の誘電体基板2の裏面に形成される裏面グランド導体パターン24は、信号導体パターン21の図4(1)に示す中央部の幅広所定長領域の直下位置が、その幅広所定長領域に対応した長四角形状領域が開口6になっていて、空洞5は、この開口6の周縁形状に沿って表面に向かって所定高さ位置まで掘り込んで形成されている。内層グランド導体パターン23は、この空洞5の形成領域では、空洞5の外周形状(長四角形状)に合わせた開口を有している。なお、裏面グランド導体パターン24は、本実施の形態では、第1の誘電体基板2の裏面全面に形成される場合を示すが、これに限定されるものではなく、少なくと信号導体パターン21に対応した領域に形成されていればよい。
Immediately below a partial region of the signal conductor pattern 21 (a wide predetermined length region at the center shown in FIG. 4A), the
したがって、信号導体パターン21の地導体は、線路幅の狭い両入出力ポート側領域では、内層グランド導体パターン23になっているが、線路幅の広い中央部所定長領域(つまり空洞5の形成領域)では、金属筐体1になっている。
Therefore, the ground conductor of the
第1の誘電体基板2では、帯状表面グランド導体パターン22a,22bと内層グランド導体パターン23とが、共にスルーホール25により、裏面グランド導体パターン24および金属筐体1に接続されている。ここで、信号導体パターン21の線路幅の狭い両入出力ポート側領域から線路幅の広い中央部所定領域への動作モード変換部における反射を低減するため、グランド電流が内層グランド導体パターン23の開口端部から裏面グランド導体パターン24へ流れるよう、スルーホール25のうち空洞5付近のスルーホールは内層グランド導体パターン23の開口端近傍に配置されている。
In the first
次に、第2の誘電体基板4は、図5に示すように、第1の誘電体基板2の表面と対面する裏面全面に、裏面グランド導体パターン26が形成された片面基板であるが、信号導体パターン21の一部領域(図4(1)に示す中央部の幅広所定長領域)を覆う程度の大きさをしたものである。
Next, as shown in FIG. 5, the second
この第2の誘電体基板4の裏面グランド導体パターン26が、信号導体パターン21の図4(1)に示す中央部の幅広所定長領域の上部を覆うように、バンプ導体3により第1の誘電体基板2の帯状表面グランド導体パターン22a,22bと接続され、この実施の形態1による高周波伝送線路が形成される。なお、バンプ導体3としては、この実施の形態では、半田バンプを用いているが、金属バンプでもよい。
The back surface
この高周波伝送線路では、第1の誘電体基板2の表面に形成される信号導体パターン21は、中央部の所定長領域が、下方に空洞5が形成され、上方にバンプ導体3による空洞が形成されるので、サスペンデッド線路構造になっている。そして、信号導体パターン21の中央部所定長領域の両端から両入出力ポート側領域は、マイクロストリップ線路構造になっている。
In this high-frequency transmission line, the
すなわち、図6に示すように、信号導体パターン21の図4(1)に示す中央部の幅広所定長領域では、グランド電流は、第1の誘電体基板2の裏面グランド導体パターン24と、第2の誘電体基板4の裏面グランド導体パターン26とに流れるので、マイクロストリップ線路からサスペンデッド線路に変換される構造になっている。
That is, as shown in FIG. 6, in the wide predetermined length region in the central portion shown in FIG. 4A of the
このように、この実施の形態1によれば、ストリップ導体線路である信号導体パターンの一部領域をサスペンデッド線路構造としたので、信号導体パターンが形成される第1の誘電体基板内を貫く電気力線を低減でき、誘電体損を低減できる。また、実効誘電率を低減できるので、図4(1)に示す中央部の幅広所定長領域のように、線路幅を広くすることができ、導体損を低減できる。加えて、外部への電磁波放射を抑圧することができる。 As described above, according to the first embodiment, since the partial region of the signal conductor pattern which is the strip conductor line has the suspended line structure, the electricity penetrating the first dielectric substrate on which the signal conductor pattern is formed is formed. Force lines can be reduced, and dielectric loss can be reduced. Further, since the effective dielectric constant can be reduced, the line width can be increased and the conductor loss can be reduced as in the wide predetermined length region in the central portion shown in FIG. In addition, electromagnetic radiation to the outside can be suppressed.
ここで、サスペンデッド線路部(図4(1)に示す中央部の幅広所定長領域)は、下方が第1の誘電体基板2により支持されているので、線路に変形が生じることはなく、設定したサスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持することできる。また。サスペンデッド線路部の特性インピーダンスは、第1の誘電体基板2の誘電率と、信号導体パターン21の線路幅と、空洞5の高さと、バンプ導体3による上部空洞の高さとをパラメータとして定められるので、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを50Ωに調節設定する制御は、下方の空洞5の高さ調節と、バンプ導体3による上部空洞の高さ調節とにより比較的容易に行える。
Here, since the suspended line part (the wide predetermined length region in the central part shown in FIG. 4 (1)) is supported by the first
また、第1および第2の誘電体基板とバンプ導体3とによるサスペンデッド線路構造としたので、第2の誘電体基板とバンプ導体3とに代えて金属筐体等で遮蔽して信号導体パターンの上部に空洞を形成する場合と比較して、伝送線路の高さの低減が図れる。特に、ミリ波帯で用いる場合に効果的である。 In addition, since the suspended line structure is constituted by the first and second dielectric substrates and the bump conductor 3, the signal conductor pattern is shielded by a metal casing or the like instead of the second dielectric substrate and the bump conductor 3. The height of the transmission line can be reduced as compared with the case where a cavity is formed in the upper part. This is particularly effective when used in the millimeter wave band.
なお、本実施の形態では、第1の誘電体基板2内に内層グランド導体パターン23を付加した場合を示してあるが、内層グランド導体パターンを無くし地導体を全て裏面グランド導体パターン24および金属筐体1とする構成でもよい。そして、本実施の形態では、第1の誘電体基板2は、多層構成のものを使用しているが、単層構成であってもよい。
In this embodiment, the case where the inner layer
また、第1の誘電体基板2と第2の誘電体基板4は、同一材質であることが望ましい。そうすれば、熱膨張係数が同じであるので、環境温度の変化などによりバンプ導体3に作用する熱応力の低減が図れる。
Further, it is desirable that the first
実施の形態2.
図7は、本発明の実施の形態2による高周波伝送線路の外観構成を示す上面図である。図8は、図7に示すA−A線断面図である。図9は、図7に示すB−B線断面図である。なお、図7〜図9では、図1〜図3(実施の形態1)に示した構成要素と同一ないしは同等である要素には、同一の符号を付してある。ここでは、この実施の形態2に関わる部分を中心に説明する。
FIG. 7 is a top view showing an external configuration of a high-frequency transmission line according to
図7〜図9において、この実施の形態2による高周波伝送線路は、金属筐体10と、この金属筐体10の線路配置面に裏面を接して配置される第1の誘電体基板11と、この第1の誘電体基板11の表面上の所定位置にバンプ導体3を介して配置される第2の誘電体基板4とで構成される。なお、第1の誘電体基板11は、単層構成であるとしているが、実施の形態1と同様に、多層構成でもよい。
7 to 9, the high-frequency transmission line according to the second embodiment includes a
第1の誘電体基板11の表面には、実施の形態1と同様に、図4(1)に示した信号導体パターン(ストリップ導体線路)21と帯状表面グランド導体パターン22a,22bとが同様に形成されている。第1の誘電体基板11の裏面には、図4(2)に示した開口6を有する裏面グランド導体パターン24が形成されている。帯状表面グランド導体パターン22a,22bは、スルーホール25により裏面グランド導体パターン24に接続されている。
Similarly to the first embodiment, the signal conductor pattern (strip conductor line) 21 and the strip-shaped surface
金属筐体10の線路配置面には、信号導体パターン21の図4(1)に示す中央部の幅広所定長領域の直下の領域に、金属筐体10の肉厚内所定深さの長四角形状をした凹部14が形成され、裏面グランド導体パターン24が有する開口6の直下は、凹部14による空洞15になっている。
On the line arrangement surface of the
したがって、この実施の形態2では、信号導体パターン21の地導体は、線路幅の狭い両入出力ポート側領域では、裏面グランド導体パターン24になっているが、線路幅の広い中央部所定長領域(つまり空洞15の形成領域)では、金属筐体10になっている。
Therefore, in the second embodiment, the ground conductor of the
この構成によっても、実施の形態1と同様の作用・効果が得られる。加えて、この実施の形態2では、金属筐体に凹部を形成するという比較的安価なプレス加工によって空洞を形成できるので、低コスト化が図れる。また、第1の誘電体基板は、単層構成を用いるので、実施の形態1よりも低コスト化が図れる。なお、第1の誘電体基板を多層構成とする場合は、内層グランド導体パターンに、裏面グランド導体パターンと同様の開口を形成すればよい。内層グランド導体パターンをスルーホールにより、裏面グランド導体パターンに接続することは言うまでもない。 Also with this configuration, the same operations and effects as in the first embodiment can be obtained. In addition, in the second embodiment, since the cavity can be formed by a relatively inexpensive press process of forming a recess in the metal casing, the cost can be reduced. In addition, since the first dielectric substrate uses a single-layer structure, the cost can be reduced as compared with the first embodiment. When the first dielectric substrate has a multilayer structure, the inner layer ground conductor pattern may be formed with an opening similar to that of the back surface ground conductor pattern. Needless to say, the inner layer ground conductor pattern is connected to the back surface ground conductor pattern by a through hole.
次に、実施の形態1,2に示したサスペンデッド線路構造において、信号導体パターン21の上部に形成する空洞の高さは、バンプ導体3の高さで定められるが、バンプ導体3が半田バンプである場合、リフロー時に拡散するので、該上部空洞の高さを、予め定めた所望値に設定するのが困難になる場合がある。そこで、実施の形態3,4として、バンプ導体3が半田バンプである場合の、上部空洞の高さを制御する方法について説明する。
Next, in the suspended line structure shown in the first and second embodiments, the height of the cavity formed above the
実施の形態3.
図10は、本発明の実施の形態3として、バンプ導体による接続構造の一例を説明する図であり、(1)は第1の誘電体基板の表面図、(2)は第2の誘電体基板の裏面図である。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 10 is a diagram for explaining an example of a connection structure using bump conductors as Embodiment 3 of the present invention, where (1) is a surface view of a first dielectric substrate, and (2) is a second dielectric. It is a reverse view of a board | substrate.
バンプ導体3が半田バンプである場合、第1の誘電体基板2,11では、図10(1)に示すように、帯状表面グランド導体パターン22a,22bの、信号導体パターン21の線路幅の広い中央部所定長領域に対応する領域長範囲に在る各スルーホール25の周囲をレジスト28aで囲み、互いを分離しておく。同様に、第2の誘電体基板4では、図10(2)に示すように、裏面グランド導体パターン26において、帯状表面グランド導体パターン22a,22bに対応する領域において、レジスト28bを対応する形状に塗布しておく。
When the bump conductor 3 is a solder bump, the first
このようにレジスト28a,28b塗布による分離枠を形成した帯状表面グランド導体パターン22a,22bと裏面グランド導体パターン26とを半田バンプ3で接続する。そうすると、リフロー時に半田バンプ3の拡散を防止できるので、バンプの高さ制御を容易に行うことができる。
In this way, the strip-shaped surface
実施の形態4.
図11は、本発明の実施の形態4として、バンプ導体による接続構造の他の一例を説明する図であり、(1)は第1の誘電体基板の表面図、(2)(3)は第2の誘電体基板の表裏面図である。
FIG. 11 is a diagram for explaining another example of a connection structure using bump conductors as
用いる誘電体基板が、レジスト塗布による分離枠形成が困難なセラミック基板等である場合は、第1の誘電体基板2,11では、図11(1)に示すように、帯状表面グランド導体パターン22a,22bの、信号導体パターン21の線路幅の広い中央部所定長領域に対応する領域長範囲を、半田バンプ3が接触するスルーホール25毎に分離して形成しておく。同様に、第2の誘電体基板4の裏面では、図11(3)に示すように、裏面グランド導体パターン26を、全面パターンとするのではなく、帯状表面グランド導体パターン22a,22bに対応する裏面領域において、分離して形成しておく。この場合は、第2の誘電体基板4の表面全面を、表面グランド導体パターン27で被覆し、分離形成した裏面グランド導体パターン26をスルーホール28により表面グランド導体パターン27に接続して、分離形成した裏面グランド導体パターン26が同電位となるようにする。
When the dielectric substrate to be used is a ceramic substrate or the like for which it is difficult to form a separation frame by applying a resist, the first
このように分離形成した帯状表面グランド導体パターン22a,22bと裏面グランド導体パターン26とを半田バンプ3で接続する。そうすると、リフロー時に半田バンプ3の拡散を防止できるので、バンプの高さ制御を容易に行うことができる。
The strip-shaped front surface
以上のように、本発明にかかる高周波伝送線路は、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持でき、特性インピーダンス制御の容易化が図れるサスペンデッド線路構造を有する高周波伝送線路として有用であり、特に、伝送路損失が問題となるマイクロ波帯やミリ波帯で用いるのに適している。 As described above, the high-frequency transmission line according to the present invention is useful as a high-frequency transmission line having a suspended line structure that can stably maintain the characteristic impedance of the suspended line part and facilitate the characteristic impedance control. It is suitable for use in the microwave band and millimeter wave band where transmission line loss is a problem.
1,10 金属筐体
2,11 第1の誘電体基板
3 バンプ導体
4 第2の誘電体基板
5,15 空洞
6 開口
14 凹部
21 信号導体パターン
22a,22b 帯状表面グランド導体パターン
23 内層グランド導体パターン
24,26 裏面グランド導体パターン
25,28 スルーホール
27 表面グランド導体パターン
DESCRIPTION OF
Claims (10)
内層グランド導体パターンを有する多層構成の第1の誘電体基板であって、表面に、一方の入出力ポートと他方の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される2本の帯状表面グランド導体パターンとが形成され、前記金属筐体の線路配置面に接する裏面の少なくとも前記信号導体パターンに対応した領域に形成される裏面グランド導体パターンが、前記信号導体パターンの一部領域の直下に該一部領域に対応した大きさの開口を有して形成されているとともに、裏面側内部に、前記開口の周縁から前記表面に向かった所定高さ位置まで削除された空洞が形成され、前記2本の帯状表面グランド導体パターンと共にスルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される前記内層グランド導体パターンは、前記空洞の外周形状に合わせた開口を有して形成されている第1の誘電体基板と、
前記第1の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上に配置される多層構成または単層構成の第2の誘電体基板であって、前記第1の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第2の誘電体基板と、
前記第1の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上において、前記2本の帯状表面グランド導体パターンと前記第2の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続するバンプ導体と
を備えていることを特徴とする高周波伝送線路。 A metal housing;
A first dielectric substrate having a multilayer structure having an inner ground conductor pattern, the signal conductor pattern connecting between one input / output port and the other input / output port on the surface, and the width of the signal conductor pattern Two strip-shaped surface ground conductor patterns arranged along the signal conductor pattern on both sides in the direction are formed, and are formed in a region corresponding to at least the signal conductor pattern on the back surface in contact with the line arrangement surface of the metal casing. The back surface ground conductor pattern is formed with an opening having a size corresponding to the partial region immediately below the partial region of the signal conductor pattern, and from the periphery of the opening to the inside of the back surface side. A cavity that has been deleted up to a predetermined height toward the surface is formed, and the back surface ground conductor pattern is formed by a through hole together with the two strip surface ground conductor patterns. The inner layer ground conductor pattern connected to the over down includes: a first dielectric substrate being formed with an opening matching the outer peripheral shape of said cavity,
A second dielectric substrate having a multi-layer structure or a single-layer structure disposed immediately above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate, the surface facing the surface of the first dielectric substrate A second dielectric substrate having a back surface ground conductor pattern formed on the entire back surface;
A bump conductor connecting the two strip-shaped surface ground conductor patterns and the back surface ground conductor pattern of the second dielectric substrate directly above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate; A high frequency transmission line comprising:
単層構成の第1の誘電体基板であって、表面に、一方の入出力ポートと他方の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される2本の帯状表面グランド導体パターンとが形成され、前記金属筐体の線路配置面に接する裏面の少なくとも前記信号導体パターンに対応した領域に形成される裏面グランド導体パターンが、前記信号導体パターンの一部領域の直下に該一部領域に対応した大きさの開口を有して形成されているとともに、裏面側内部に、前記開口の周縁から前記表面に向かった所定高さ位置まで削除された空洞が形成され、前記2本の帯状表面グランド導体パターンは、スルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される第1の誘電体基板と、
前記第1の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上に配置される多層構成または単層構成の第2の誘電体基板であって、前記第1の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第2の誘電体基板と、
前記第1の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上において、前記2本の帯状表面グランド導体パターンと前記第2の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続するバンプ導体と
を備えていることを特徴とする高周波伝送線路。 A metal housing;
A first dielectric substrate having a single-layer structure, the signal conductor pattern connecting between one input / output port and the other input / output port on the surface, and the signal conductor on both sides in the width direction of the signal conductor pattern A back surface ground conductor pattern formed on at least a region corresponding to the signal conductor pattern on the back surface in contact with the line layout surface of the metal casing. Is formed with an opening having a size corresponding to the partial region directly below the partial region of the signal conductor pattern, and is provided on the back side from the periphery of the opening toward the surface. A first dielectric substrate in which a cavity deleted to a height position is formed, and the two strip-shaped front surface ground conductor patterns are connected to the back surface ground conductor pattern by through holes. ,
A second dielectric substrate having a multi-layer structure or a single-layer structure disposed immediately above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate, the surface facing the surface of the first dielectric substrate A second dielectric substrate having a back surface ground conductor pattern formed on the entire back surface;
A bump conductor connecting the two strip-shaped surface ground conductor patterns and the back surface ground conductor pattern of the second dielectric substrate directly above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate; A high frequency transmission line comprising:
内層グランド導体パターンを有する多層構成の第1の誘電体基板であって、表面に、一方の入出力ポートと他方の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される2本の帯状表面グランド導体パターンとが形成され、前記金属筐体の線路配置面に接する裏面の少なくとも前記信号導体パターンに対応した領域に形成される裏面グランド導体パターンと前記内層グランド導体パターンとが、前記信号導体パターンの一部領域の直下に該一部領域に対応した大きさの開口を有して形成され、前記内層グランド導体パターンは、前記2本の帯状表面グランド導体パターンと共にスルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される第1の誘電体基板と、
前記第1の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上に配置される多層構成または単層構成の第2の誘電体基板であって、前記第1の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第2の誘電体基板と、
前記第1の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上において、前記2本の帯状表面グランド導体パターンと前記第2の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続するバンプ導体と
を備え、
前記金属筐体の線路配置面に、前記開口の形成領域に対応する位置において前記開口の周縁から前記金属筐体内部に向かった所定深さ位置まで空洞となる凹部が形成されている
ことを特徴とする高周波伝送線路。 A metal housing;
A first dielectric substrate having a multilayer structure having an inner ground conductor pattern, the signal conductor pattern connecting between one input / output port and the other input / output port on the surface, and the width of the signal conductor pattern Two strip-shaped surface ground conductor patterns arranged along the signal conductor pattern on both sides in the direction are formed, and are formed in a region corresponding to at least the signal conductor pattern on the back surface in contact with the line arrangement surface of the metal casing. The back surface ground conductor pattern and the inner layer ground conductor pattern are formed with an opening having a size corresponding to the partial region immediately below the partial region of the signal conductor pattern. A first dielectric substrate connected to the back surface ground conductor pattern by a through hole together with the two strip surface ground conductor patterns;
A second dielectric substrate having a multi-layer structure or a single-layer structure disposed immediately above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate, the surface facing the surface of the first dielectric substrate A second dielectric substrate having a back surface ground conductor pattern formed on the entire back surface;
A bump conductor connecting the two strip-shaped surface ground conductor patterns and the back surface ground conductor pattern of the second dielectric substrate directly above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate; With
A concave portion is formed in the line arrangement surface of the metal casing so as to be a cavity from a peripheral edge of the opening to a predetermined depth position toward the inside of the metal casing at a position corresponding to the formation region of the opening. A high-frequency transmission line.
単層構成の第1の誘電体基板であって、表面に、一方の入出力ポートと他方の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される2本の帯状表面グランド導体パターンとが形成され、前記金属筐体の線路配置面に接する裏面の少なくとも前記信号導体パターンに対応した領域に形成される裏面グランド導体パターンが、前記信号導体パターンの一部領域の直下に該一部領域に対応した大きさの開口を有して形成され、前記2本の帯状表面グランド導体パターンは、スルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される第1の誘電体基板と、
前記第1の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上に配置される多層構成または単層構成の第2の誘電体基板であって、前記第1の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第2の誘電体基板と、
前記第1の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上において、前記2本の帯状表面グランド導体パターンと前記第2の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続するバンプ導体と
を備え、
前記金属筐体の線路配置面に、前記開口の形成領域に対応する位置において前記開口の周縁から前記金属筐体内部に向かった所定深さ位置まで空洞となる凹部が形成されている
ことを特徴とする高周波伝送線路。 A metal housing;
A first dielectric substrate having a single-layer structure, the signal conductor pattern connecting between one input / output port and the other input / output port on the surface, and the signal conductor on both sides in the width direction of the signal conductor pattern A back surface ground conductor pattern formed on at least a region corresponding to the signal conductor pattern on the back surface in contact with the line layout surface of the metal casing. Is formed with an opening having a size corresponding to the partial region immediately below the partial region of the signal conductor pattern, and the two strip-shaped surface ground conductor patterns are formed through the through holes. A first dielectric substrate connected to
A second dielectric substrate having a multi-layer structure or a single-layer structure disposed immediately above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate, the surface facing the surface of the first dielectric substrate A second dielectric substrate having a back surface ground conductor pattern formed on the entire back surface;
A bump conductor connecting the two strip-shaped surface ground conductor patterns and the back surface ground conductor pattern of the second dielectric substrate directly above a partial region of the signal conductor pattern on the first dielectric substrate; With
A concave portion is formed in the line arrangement surface of the metal casing so as to be a cavity from a peripheral edge of the opening to a predetermined depth position toward the inside of the metal casing at a position corresponding to the formation region of the opening. A high-frequency transmission line.
前記第2の誘電体基板は、前記裏面グランド導体パターンに、前記バンプ導体の接続箇所毎に該接続箇所を囲んでレジストを塗布した分離枠が形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の高周波伝送線路。 The first dielectric substrate is coated with a resist in a region corresponding to a partial region of the signal conductor pattern of the two strip-shaped surface ground conductor patterns for each connection portion of the bump conductor. Separated frame is formed,
2. The second dielectric substrate is characterized in that a separation frame is formed on the back surface ground conductor pattern by applying a resist around each connection portion of the bump conductor so as to surround the connection portion. The high frequency transmission line according to any one of 4.
前記第2の誘電体基板は、表面に、全面を被覆する表面グランド導体パターンが形成され、前記裏面グランド導体パターンが、裏面全面ではなく、前記バンプ導体の接続箇所毎に分離して形成され、それぞれがスルーホールにより前記表面グランド導体パターンに接続されている
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の高周波伝送線路。 The first dielectric substrate is formed by separating the two band-shaped surface ground conductor patterns for each connection portion of the bump conductor in a region corresponding to a partial region of the signal conductor pattern,
The second dielectric substrate is formed with a surface ground conductor pattern covering the entire surface on the surface, and the back surface ground conductor pattern is formed separately for each connection portion of the bump conductor, not the entire back surface, Each is connected to the said surface ground conductor pattern by the through hole. The high frequency transmission line as described in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned.
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