JP2011159951A - Ledモジュール装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】LEDチップを搭載したリードフレーム本体部を、電気接続のための実装基板から離して、それぞれのコストパフォーマンスの最適化を図って、総合して安価で高効率な排熱を実現する。
【解決手段】LEDパッケージは、リードフレーム本体部のおもて面にLEDチップを搭載して、その一対の電気端子を分割したリードフレームのそれぞれに接続することにより構成する。実装基板には、LEDパッケージを装着するための開口部が開けられ、かつ配線を形成する。LEDパッケージの実装基板への装着は、リードフレームの一対の電極部の上部側を、実装基板の配線に接続することにより行い、かつ、リードフレーム本体部の裏面にヒートシンク或いは筐体を取り付ける。
【選択図】 図1
【解決手段】LEDパッケージは、リードフレーム本体部のおもて面にLEDチップを搭載して、その一対の電気端子を分割したリードフレームのそれぞれに接続することにより構成する。実装基板には、LEDパッケージを装着するための開口部が開けられ、かつ配線を形成する。LEDパッケージの実装基板への装着は、リードフレームの一対の電極部の上部側を、実装基板の配線に接続することにより行い、かつ、リードフレーム本体部の裏面にヒートシンク或いは筐体を取り付ける。
【選択図】 図1
Description
本発明は、リードフレーム上にLEDチップを搭載したLEDパッケージを、実装基板上に装着したLEDモジュール装置及びその製造方法に関する。
LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)は、消費電力が低く二酸化炭素削減、高耐久性という環境と省エネを兼ね備えた素子として普及している。このようなLEDは、実装基板上に装着してLEDパッケージにして、携帯電話やデジタルビデオカメラ、PDAなどの電子機器のバックライト、大型ディスプレイ、道路表示器などの表示用等に用いられている。LEDはそれ自体が発光素子であり、熱を放出するので、LEDパッケージは基本的に冷却のための放熱装置を含んでいる。
現行のLEDモジュールでは一次実装基板としてセラミック基板やメタルコア(銅、アルミ)基板を用い、かつ、この一次実装基板を、発光面を上にして二次実装基板に実装し、二次実装基板へ熱を伝導させ放熱している。図15は、従来技術による放熱装置を備えたLEDモジュールを示す図である(非特許文献1参照)。図示のLEDモジュールは銅板とプリント配線板からなる、専用のユニット基板に実装されるLEDパッケージを有している。LEDパッケージは、セラミック基板上にLEDチップ、光学部品および蛍光体シートを装着している。LEDチップはセラミック基板に直接金バンプでフリップチップ接合され、光学部品と蛍光体シートはシリコン樹脂で固定されている。
従来のセラミック基板を使用した方法では、セラミック基板の熱伝導が銅などの金属よりも悪いためうまく放熱できないこと、高価なこと、二次実装基板(プリント配線板)とのCTE(熱膨張係数)の差が大きいために接合不良が発生する、加工が困難などの問題がある。またメタルコア基板ではセラミック基板よりも放熱性はよいものの、ガラスエポキシなどからなる二次実装基板の熱伝導率が悪いために多層基板にして熱伝導率を上げるなどの方法を採っているが、放熱が不十分なために出力を小さくして使用しているのが現状である。
また、図16は、別の従来技術による放熱装置を備えたLEDモジュールを示す図である(特許文献1参照)。特許文献1は、プリント配線板に穴を開けて、そこにLEDパッケージを取り付ける構成を開示する。ヒートシンクを備えたLEDパッケージは、熱結合剤を介して放熱板に取り付けられている。この特許文献1は、LEDパッケージの取付けのために、LEDパッケージボディ側面から外部に伸びる金属リードを利用する。しかし、この金属リードは、LEDパッケージボディに通常用いられるセラミックと一体成形する必要があり、その構成は複雑となる。
杉本勝他「照明用高出力白色LED光源」、松下電工技法、Vol.53、No.1、 http://panasonic-denko.co.jp/corp/tech/report/531j/pdfs/531_01.pdf
従来のLEDモジュールでは、LEDチップの発光面と反対側をLEDパッケージ基板に実装し、このパッケージ基板を介して放熱しようとしているが、このパッケージ基板やそれを装着する実装基板(プリント配線板)の熱抵抗が大きいためにチップの熱が伝わりにくい。
本発明は、係る問題点を解決して、LEDチップを搭載したリードフレーム本体部を、電気接続のための実装基板(プリント配線板)から離して、それぞれのコストパフォーマンスの最適化を図って、総合して安価で高効率な排熱を実現することを目的としている。
本発明のLEDモジュール装置及びその製造方法は、LEDチップを搭載して該LEDチップからの発光を利用すると共に、該LEDチップから放出される熱を放熱するための構成を備える。LEDモジュール装置は、金属板状部材を加工することにより形成した平板状の本体部と、この本体部の相対する少なくとも2辺端に位置して本体部から折曲して立ち上がる方向に伸び、かつ本体部に設けた開口により互いに電気的に分離された一対の電極部を有するリードフレームと、該リードフレームの本体部のおもて面にLEDチップを搭載し、かつ、LEDチップの一対の電気端子をそれぞれ一対の電極部に電気的に接続することにより構成したLEDパッケージと、LEDパッケージを装着するための開口部が開けられ、かつ配線を形成した実装基板とを備える。外部電極として機能するリードフレームの一対の電極部の上部側を、実装基板の配線に接続することにより、LEDパッケージを実装基板の開口部に装着し、かつ、リードフレーム本体部の裏面にヒートシンク或いは筐体を取り付ける。
LEDパッケージは、透明樹脂により樹脂封止する。リードフレームの本体部は2分割されて、本体部の一方に、LEDチップが搭載され、かつ一対の電極部の内の一方が一体に形成される。或いは、リードフレームの本体部は3分割されて、中央の本体部にはLEDチップが搭載され、左右両側の本体部は一対の電極部のそれぞれと一体に形成される。一対の電極部の少なくとも一方の裏面が、ハーフエッチングにより所定厚さに薄化することにより、本体部に取り付けられるヒートシンク或いは筐体との間を絶縁する。実装基板に開けられた開口部には、LEDチップの発光面に対抗するようにレンズを配置することができる。
本発明によれば、LEDチップを搭載したリードフレーム本体部を、電気接続のための実装基板(プリント配線板)から離して、それぞれがコストパフォーマンスの最適化を図れ、総合で安価で高効率な排熱を実現することができる。リードフレーム本体部の裏面にヒートシンクを備えることもできるが、本体部裏面に直接筐体を接触させれば、筐体をヒートシンクとすることもできるので、安価な構成とすることができる。
本発明は、放熱性が促進されるために、従来よりも高出力とすることができる(明るくすることができる)。または従来と同出力で長寿命化を図ることができる。さらには一般的な金属材料を使用するために安価に作製することができる。
以下、例示に基づき本発明を説明する。図1は、本発明を具体化するLEDモジュール装置の断面図である。例示のLEDモジュール装置は、実装基板(プリント配線板)下面の配線に、組み立てたLEDパッケージのリードフレームの外部電極(図6参照)を接続すると共に、レンズ及びヒートシンク(或いは筐体)を取り付けて構成する。図示の例のLEDパッケージ(第1の例)は、電気的には左右に2分割したリードフレームの本体部の一方の上に、LEDチップを搭載して、その一対の電気端子をそれぞれ2分割したリードフレームのそれぞれに接続し、さらに樹脂封止することにより構成される。2分割したリードフレームのそれぞれの上端側が一対の外部電極となる。実装基板上へのLEDパッケージの実装は、実装基板に設けた開口部にLEDパッケージを装着して、リードフレームの一対の外部電極を、実装基板下面の配線に半田付け等により接続することにより行う。この開口部を通して、LEDチップから発光した光が通過する。LEDチップは、その発光面がレンズに対抗するように配置されている。なお、レンズは、集光のために装着することが望ましいが、レンズは必ずしも必要ではない。
次に、図2〜図5を参照して、リードフレームの製造について説明する。図2は、リードフレーム加工前の板状部材を示しており、(A)はリードフレームの断面図を、(B)はその上面図を示している。LEDパッケージ1個当たりのサイズは、例えば3.2x2.8x0.5mm程度であり、以下、3×9個のリードフレームを、図2に示す板状部材の上に同時作成するものとして説明する。リードフレーム材質としては、従来より通常に用いられている材質、例えば、銅又は銅合金あるいは鉄合金を用いる。
図3は、キャビティ及びダイシングライン形成後の板状部材を示しており、(A)は、(B)に示す左1ブロックのみを示すX−X’ラインで切断した断面図を、(B)は上面図を示している。リードフレームは、周知のように、プレス加工とかエッチング加工により製造されるが、以下、エッチング加工による場合を例として説明する。図示のキャビティ(凹所)及びダイシングラインの形成を、エッチングにより行う。キャビティは、LEDチップを搭載するための凹所である。ダイシングラインは、後の工程で個々のパッケージに切り分ける個片化のために、予め形成するハーフカットである。
図4は、開口形成後の板状部材を示しており、(A)は、(B)に示す左1ブロックのみを示すX−X’ラインで切断した断面図を、(B)は上面図を示している。開口の形成は、左右一対の外部電極を電気的に分離するためのものであり、例えば、エッチングにより行う。あるいはこの開口は図3のキャビティ形成前に行っても良い。この場合開口部はリードフレームの裏面から途中まで穴を形成し、その後の表面からのキャビティ形成で貫通させ開口を完成させても良い。
図5は、裏面ハーフエッチ形成後の板状部材を示しており、(A)は、(B)に示す左1ブロックのみを示すX−X’ラインで切断した断面図を、(B)は上面図を示している。裏面ハーフエッチの形成は、裏面に取り付けられることになるヒートシンク(図1参照)との間に絶縁層を確保するためのものであり、エッチングにより行う。このハーフエッチは、開口によって両側に分けられたリードフレーム部分の内の一方の裏面を所定厚さ切除するものである。以上の工程によって、3×9個の連結したリードフレームが形成される。
次に、図1に示す第1の例のLEDパッケージの製造工程を、図6〜図9を参照しつつ説明する。図6は、一個のLEDパッケージのための1個のリードフレームを示す断面図(A)及び上面図(B)である。ここでは、1個のみのリードフレームを示しているが、実際の製造においては、図5に例示したように複数個連結した状態にある。個々のモジュール装置に分離する個片化は、後の工程で行われる。図示のように、リードフレームは、LEDチップが搭載されることになる平板状の本体部と、この本体部の両側に、即ち相対する少なくとも2辺端に位置して本体部から折曲してLEDチップの発光方向と同じ側に立ち上がる方向に伸びる一対の電極部を備えている。この一対の電極部の先端面が、実装基板の配線に接続されることになる外部電極として機能する。また、外部電極として機能するのは、必ずしも電極部の先端面に限定されず、電極部の上部側であれば良い。リードフレーム本体部から離して配置される実装基板の配線に対して、例えば、電極部の先端側外面から半田接続することもできる。図示の例では、平板部から電極部が直交する方向に立ち上がるものとして例示しているが、必ずしも直交する必要はなく、外部電極が平板状の本体部より上方に位置するように、例えば、斜め上方に直線的に、或いは湾曲させて立ち上がらせても良い。少なくとも一対の外部電極は、開口により、互いに分離される。図示の例では、平板状の本体部を開口により2分割することにより、一対の外部電極を互いに分離している。後述するように(図8参照)、2分割した本体部の一方の上にLEDチップを装着して一方のワイヤボンド接続をする一方、本体部の他方には他方のワイヤボンド接続をする。
図7は、LEDチップを搭載した状態で示す断面図である。リードフレームの本体部の一方のおもて面に、LEDチップが接着剤を用いて固定される。このLEDチップは、LED発光面を上面に有し、かつ、その周辺に、ボンディングワイヤ接続電極が形成されている。なお、図中に、1個のみのLEDチップを図示しているが、複数チップを搭載することができる(図9(C)参照)。
図8は、LEDチップをリードフレームに接続した状態で示す断面図である。LEDチップをリードフレームの本体部の一方の上に固着した後、2分割リードフレームのそれぞれと、LEDチップの接続電極間を、ボンディングワイヤによりワイヤボンド接続する。
図9は、樹脂封止した状態で示す図であり、(A)は側面断面図を示し、(B)は1チップ/パッケージの場合の上面図を、(C)は複数チップ/パッケージの場合の上面図を示している。LEDチップを搭載して電気的接続をした後、この状態で、LEDチップを搭載したリードフレームの上面は、外部電極として機能するリードフレーム先端面と同平面まで透明液状樹脂(材質は、例えばエポキシ系)を用いて樹脂封止(トランスファーモールドあるいはポッティング)される。この後、個々のパッケージに個片化することによって、第1の例のLEDパッケージが完成する。
個別パッケージに分割したLEDパッケージは、前述した図1に示すように、実装基板に取り付けられて、LEDモジュール装置が構成される。この実装基板として、あらかじめレンズ取付部を穿孔したプリント配線板(printed circuit board)を作製する。この実装基板には、1個(図1参照)或いは複数個(後述の図11参照)のLEDパッケージが取り付けられて、LEDモジュール装置が構成される。プリント配線板の穿孔位置にレンズを接着剤を用いて装着する。LEDチップの発光面は、レンズ方向に向いている。
LEDパッケージの装着は、リードフレーム外部電極(図6参照)を、実装基板(プリント配線板)上に設けた配線(その電極接続パッド部)に、半田付けなどにより接続することにより行う。また、この段階で、プリント配線板上に設けた配線には、LEDパッケージだけでなく、制御IC、受動部品などの電気回路素子を搭載して、接続する(後述の図11参照)。
実装基板に装着したLEDパッケージのリードフレーム裏面には、板状のヒートシンクを取り付ける。これによって、LEDモジュール装置が完成する。リードフレーム裏面に形成されたハーフエッチ(及びそこに注入された封止樹脂)により、分割リードフレームの一方と、ヒートシンクの間の絶縁が確保される。ヒートシンクとしては、例えば、銅板、アルミ板、あるいはアルミと炭素の混合材などの放熱板を接着する。或いは、ヒートシンクを取り付けること無く、直接筐体に取り付けることもできる。これによって、LEDチップから発生した熱は、リードフレームを介し、さらに、ヒートシンクを介して放熱される。ヒートシンクとプリント配線板との間には、空間も形成されるので、ヒートシンクの図中の下面からだけでなく、その上面からも放熱することができる。但し、ヒートシンクに代えて、LEDモジュール装置を装着する筐体を、放熱板として利用することができる。
図10は、第2の例のLEDパッケージを示す図であり、(A)は側面断面図を示し、(B)は1チップ/パッケージの場合の上面図を、(C)は複数チップ/パッケージの場合の上面図を示している。この第2の例のLEDパッケージは、1個のリードフレームの本体部が2つの開口により、3分割されている点でのみ、図9に示した第1の例のLEDパッケージとは相違している。3分割されたリードフレームの中央の本体部にLEDチップが搭載され、かつ、相対する少なくとも2辺端に位置する左右両側の平板状の本体部端から折曲して立ち上がる電極部の先端面が外部電極として機能する。また、左右両側の平板状の本体部及び電極部の裏面には、それぞれ絶縁層確保のためのハーフエッチが形成されている。LEDチップから発生した熱は、リードフレーム本体部を介し、さらに、ヒートシンクを介して放熱される。一方、左右両側の電極部は相互に、かつヒートシンクから完全に絶縁することが可能になる。
図11は、第2の例のLEDパッケージを複数個(2個として例示)搭載した場合のLEDモジュール装置の断面図、(B)は、LEDモジュール装置を下面から見た概略の下面図、(C)は、ヒートシンク未実装状態のLEDモジュール装置を上面から見た概略の上面図である。図示のように、LEDチップを搭載したリードフレームの裏面には、ヒートシンクを接着する。これによって、LEDモジュール装置が完成する。これによって、LEDチップから発生した熱は、リードフレームを介し、さらに、ヒートシンクを介して放熱される。ヒートシンクとプリント配線板との間には、空間も形成されるので、ヒートシンクの図中の上面だけからでなく、その下面からも放熱することができる。
実装基板として、あらかじめレンズ取付部を穿孔したプリント配線板(printed circuit board)を作製する。この実装基板には、図示のように、複数個のLEDパッケージが取り付けられて、LEDモジュール装置が構成される。プリント配線板は片面1層配線で、穿孔はプリプレグ(樹脂含浸基材)の状態で金型等の打抜き、あるいはドリルで形成する。この実装基板は、絶縁体製基板上に、銅箔など導電体で回路パターンのプリント配線を構成する。プリント配線は、部品間を接続するために導体パターンを絶縁基板の表面又は表面とその内部に、プリントによって形成する。
このプリント配線板に、LEDパッケージを装着する。LEDパッケージの装着は、一対の外部電極を、実装基板(プリント配線板)上に設けた配線(その電極接続パッド部)に、半田付けなどにより接続することにより行う。また、この段階で、プリント配線板上に設けた配線には、LEDパッケージだけでなく、制御IC、受動部品などの電気回路素子を搭載して、接続する。さらに、プリント配線板の穿孔位置にレンズを接着剤を用いて装着する。LEDチップの発光面は、レンズ方向に向いている。あるいはパッケージにあらかじめレンズを装着した状態でプリント配線板に取り付けても良い。
図12は、第3の例のLEDパッケージを示す図であり、(A)は側面断面図を示し、(B)は1チップ/パッケージの場合の上面図を、(C)は複数チップ/パッケージの場合の上面図を示している。この第3の例のLEDパッケージは、1つの開口により2分割されたリードフレーム部分の裏面のいずれにも、絶縁層確保のためのハーフエッチが形成されていない点でのみ、図9に示した第1の例のLEDパッケージとは相違している。リードフレーム裏面に配置されるヒートシンク側で絶縁を確保できる場合は、図12に例示のように、LEDパッケージ側に絶縁層確保のためのハーフエッチを備える必要は無い。例えば、開口により分割されたリードフレーム部分のLEDチップ搭載側のみにヒートシンクを装着する際には、絶縁層確保のためのハーフエッチは必ずしも必要としない。
図13は、第4の例のLEDパッケージを示す図であり、(A)は上面図を示し、(B)はX−X’ラインで切断した断面図を、(C)はY−Y’ラインで切断した断面図をそれぞれ示している。図示のように、一対の外部電極とは直交する方向の一対のアンカーを、搭載されるLEDチップの両側に設ける。これによって、樹脂への食いつきを強め信頼性を高めることが可能になる。また、パッケージ底面側への樹脂漏れ防止を図ることができる。例えば、樹脂封止時に、金型の上型でアンカーを通してリードフレームを金型底面に押さえつけて密着させ、パッケージ底面側への樹脂漏れを防止する。
次に、図14を参照しつつ、本発明の放熱作用について説明する。図14(A)は、本発明に基づき構成したLEDモジュールを示す図であり(上述の図11と同じ)、(B)は、従来構造を示す図である。図14(B)に示す従来構造において、LEDチップから発生した熱は、LED実装基板を通り、かつプリント配線板を通ってヒートシンクに排熱される。このように、従来構造は、LED実装基板とプリント配線板が一緒或いは複合的に一体となっているため排熱が限られる、あるいは複合のためコストの高い基板となっている。
これに対して、図14(A)に示すように、本発明に基づき構成したLEDモジュール装置は、LEDチップを搭載したリードフレーム本体部を、電気接続のための基板(プリント配線板)から離したために、排熱は一番コストパフォーマンスの良い手段を選べる。例えば、ヒートシンクとして、安いアルミあるいは銅の単板を使用することもできるし、筐体をヒートシンクとしても使うことができる。またリードフレーム本体部を、プリント配線板から離すことによりヒートシンクの表面積が従来構造に比べ2倍近く増加することにより、排熱(放熱)効果が増大する。
以上、本開示にて幾つかの実施の形態を単に例示として詳細に説明したが、本発明の新規な教示及び有利な効果から実質的に逸脱せずに、その実施の形態には多くの改変例が可能である。
Claims (13)
- LEDチップを搭載して該LEDチップからの発光を利用すると共に、該LEDチップから放出される熱を放熱するための構成を備えたLEDモジュール装置において、
金属板状部材を加工することにより形成した平板状の本体部と、この本体部の相対する少なくとも2辺端に位置して本体部から折曲して立ち上がる方向に伸び、かつ本体部に設けた開口により互いに電気的に分離された一対の電極部を有するリードフレームと、
該リードフレームの本体部のおもて面にLEDチップを搭載し、かつ、前記LEDチップの一対の電気端子をそれぞれ前記一対の電極部に電気的に接続することにより構成したLEDパッケージと、
前記LEDパッケージを装着するための開口部が開けられ、かつ配線を形成した実装基板とを備え、
外部電極として機能する前記リードフレームの前記一対の電極部の上部側を、前記実装基板の配線に接続することにより、前記LEDパッケージを前記実装基板の開口部に装着し、かつ、前記リードフレーム本体部の裏面にヒートシンク或いは筐体を取り付けたことから成るLEDモジュール装置。 - 前記LEDパッケージは、透明樹脂により樹脂封止されている請求項1に記載のLEDモジュール装置。
- 前記リードフレームの前記本体部は2分割されて、本体部の一方には、LEDチップが搭載され、かつ前記一対の電極部の内の一方が一体に形成された請求項1に記載のLEDモジュール装置。
- 前記リードフレームの前記本体部は3分割されて、中央の本体部には、LEDチップが搭載され、かつ左右両側の本体部は、前記一対の電極部のそれぞれが一体に形成された請求項1に記載のLEDモジュール装置。
- 前記一対の電極部の少なくとも一方の裏面が、ハーフエッチングにより所定厚さに切除されて、そこに取り付けられる前記ヒートシンク或いは筐体との間を絶縁した請求項1に記載のLEDモジュール装置。
- 前記実装基板に開けられた前記開口部には、前記LEDチップの発光面に対抗するようにレンズが配置されている請求項1に記載のLEDモジュール装置。
- LEDチップを搭載して該LEDチップからの発光を利用すると共に、該LEDチップから放出される熱を放熱するための構成を備えたLEDモジュール装置の製造方法において、
平板状の本体部と、この本体部の相対する少なくとも2辺端に位置して本体部から折曲して立ち上がる方向に伸び、かつ本体部に設けた開口により互いに電気的に分離された一対の電極部を有するリードフレームを、金属板状部材をプレス加工又はエッチング加工することにより形成し、
該リードフレームの本体部のおもて面にLEDチップを搭載し、かつ、前記LEDチップの一対の電気端子をそれぞれ前記一対の電極部に電気的に接続して、該一対の電極部の上部側を外部電極として構成したLEDパッケージを構成し、
前記リードフレーム本体部の裏面にヒートシンク或いは筐体を取り付けたことから成るLEDモジュール装置の製造方法。 - 前記LEDパッケージを装着するための開口部が開けられ、かつ配線を形成した実装基板を備え、前記一対の電極部の上部側を前記実装基板の配線に接続することにより、前記LEDパッケージを前記実装基板の開口部に装着した請求項7に記載のLEDモジュール装置の製造方法。
- 前記LEDパッケージは、透明樹脂により樹脂封止する請求項7に記載のLEDモジュール装置の製造方法。
- 前記リードフレームの前記本体部は2分割して、本体部の一方には、LEDチップを搭載し、かつ前記一対の電極部の内の一方を一体に形成した請求項7に記載のLEDモジュール装置の製造方法。
- 前記リードフレームの前記本体部は3分割して、中央の本体部には、LEDチップを搭載し、かつ左右両側の本体部は、前記一対の電極部のそれぞれと一体に形成した請求項7に記載のLEDモジュール装置の製造方法。
- 前記一対の電極部の少なくとも一方の裏面を、ハーフエッチングにより所定厚さに切除して、そこに取り付けられる前記ヒートシンク或いは筐体との間を絶縁した請求項7に記載のLEDモジュール装置の製造方法。
- 前記実装基板に開けられた前記開口部には、前記LEDチップの発光面に対抗するようにレンズを配置した請求項8に記載のLEDモジュール装置の製造方法。
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JP2008034622A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Sharp Corp | 半導体発光素子アセンブリ |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012049527A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 電子部品、および電子部品の製造方法 |
US9419192B2 (en) | 2013-10-03 | 2016-08-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Composite resin and electronic device |
US10355183B2 (en) | 2015-09-18 | 2019-07-16 | Rohm Co., Ltd. | LED package |
WO2017209143A1 (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | シチズン電子株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
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