JP2011153044A - Method for manufacturing high purity silica - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、シリカ鉱物含有岩石を原料とする高純度シリカの製造方法、特に半導体デバイスやシリカガラスの原料等として好適に用いうる高純度シリカの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing high-purity silica using a silica mineral-containing rock as a raw material, and particularly to a method for producing high-purity silica that can be suitably used as a raw material for semiconductor devices, silica glass, and the like.
高純度シリコンは、半導体デバイス、シリカガラス等に用いられている。
高純度シリコンの製造方法として、例えば、金属シリコンから製造された高純度のシリコン塩化物(トリクロロシラン)を原料として用いる方法が提案されている(特許文献1)。
特許文献1に記載の方法によると、非常に高純度のシリコンを得ることができる。しかし、この方法は、工程が煩雑でかつ高コストであるという問題がある。このような事情下において、高純度のシリコンを、低コストかつ大量に製造することのできる技術が望まれている。
これを解決すべく、二酸化ケイ素を含有しかつ多孔質で微細構造を有する原料を精製して高純度シリカを製造し、次いで、この高純度シリカを原料としてシリコンを生成し、得られたシリコンにレーザを照射することなどによって、高純度シリコンを製造する方法が提案されている(特許文献2)。
High purity silicon is used in semiconductor devices, silica glass, and the like.
As a method for producing high-purity silicon, for example, a method using high-purity silicon chloride (trichlorosilane) produced from metal silicon as a raw material has been proposed (Patent Document 1).
According to the method described in
In order to solve this, a raw material containing silicon dioxide and having a porous and fine structure is purified to produce high-purity silica, and then silicon is produced using this high-purity silica as a raw material. A method for producing high-purity silicon by irradiating a laser has been proposed (Patent Document 2).
特許文献2に記載の方法によると、従来技術に比して、低コストでかつ簡易に、半導体デバイス等の材料として好適な純度を有するシリコンを得ることができる。シリコンの原料となる高純度のシリカを、より低コストでかつ簡易に得ることができれば、半導体デバイスの低コスト化等に貢献することができ、好都合である。
そこで、本発明は、高純度のシリカを、簡易にかつ低コストで製造することのできる方法を提供することを目的とする。
According to the method described in Patent Document 2, silicon having a purity suitable as a material for a semiconductor device or the like can be obtained at a lower cost and more easily than in the prior art. If high-purity silica used as a raw material for silicon can be easily obtained at a lower cost, it is possible to contribute to a reduction in the cost of semiconductor devices and the like, which is advantageous.
Then, an object of this invention is to provide the method which can manufacture highly purified silica easily and at low cost.
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、シリカ鉱物含有岩石に対して、特定のpH域におけるpH調整と、イオン交換処理及び活性炭処理を行うことにより、本発明の目的を達成することができることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、以下の[1]〜[8]を提供するものである。
[1] (A)シリカ鉱物含有岩石とアルカリ水溶液を混合して、pHが11.5以上のアルカリ性スラリーを調製し、上記シリカ鉱物含有岩石中のSi、Al、Feを液分中に溶解させた後、上記アルカリ性スラリーを固液分離して、Si、Al、Feを含む液分と、固形分を得るアルカリ溶解工程と、(B)工程(A)で得られた液分と酸を混合して、pHを7.0以上、10.3以下に調整し、液分中のSiを析出させた後、固液分離を行ない、高純度シリカとして回収しうるSiO2を含む固形分と、液分を得るシリカ回収工程と、を含み、かつ、(C)工程(A)と工程(B)の間に設けられる工程であって、前工程で得られた液分に対してイオン交換処理及び活性炭処理を行ない、不純物を回収する不純物回収工程、を含むことを特徴とする高純度シリカの製造方法。
[2] 工程(C)において、上記イオン交換処理が、キレート樹脂またはイオン交換樹脂を用いて行なわれ、かつ、上記イオン交換処理で回収される不純物が、ホウ素、リン、アルミニウム、及び鉄からなる群より選ばれる一種以上であり、上記活性炭処理で回収される不純物が、有機物である、前記[1]に記載の高純度シリカの製造方法。
[3] さらに、(D)工程(B)で得られたSiO2を含む固形分と酸溶液を混合して、pHが1.5以下の酸性スラリーを調製し、上記固形分中に残存する不純物を溶解させた後、上記酸性スラリーを固液分離して、SiO2を含む固形分と、不純物を含む液分を得る酸洗浄工程、を含む、前記[1]又は[2]に記載の高純度シリカの製造方法。
[4] 工程(D)で得られたSiO2を含む固形分に対し、さらに、工程(A)〜工程(D)と同じ一連の操作を1回以上繰り返して行なう、前記[3]に記載の高純度シリカの製造方法。
[5] さらに、(B1)工程(A)と工程(B)の間に、工程(A)で得られた液分と酸を混合して、pHを10.3を超え、11.5未満に調整し、液分中の不純物を析出させた後、固液分離を行ない、Siを含む液分と、固形分を得る不純物回収工程、を含む、前記[1]〜[4]のいずれかに記載の高純度シリカの製造方法。
[6] さらに、(A1)工程(A)の前に、シリカ鉱物含有岩石を水洗して、粘土分及び有機物を除去する原料水洗工程、を含む、前記[1]〜[5]のいずれかに記載の高純度シリカの製造方法。
[7] さらに、(A2)工程(A)の前に、シリカ鉱物含有岩石を500〜1100℃で焼成して、有機物を除去する原料焼成工程、を含む、上記[1]〜[6]のいずれかに記載の高純度シリカの製造方法。
[8] さらに、(E)工程(D)で得られたSiO2を含む固形分を、100〜1500℃で乾燥または焼成して、非晶質の高純度シリカ、またはクリストバライト化した高純度シリカを得る乾燥/焼成工程、を含む、上記[1]〜[7]のいずれかに記載の高純度シリカの製造方法。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventor achieved the object of the present invention by performing pH adjustment in a specific pH range, ion exchange treatment and activated carbon treatment on silica mineral-containing rocks. We have found that this can be achieved and completed the present invention.
That is, the present invention provides the following [1] to [8].
[1] (A) A silica mineral-containing rock and an alkaline aqueous solution are mixed to prepare an alkaline slurry having a pH of 11.5 or more, and Si, Al, and Fe in the silica mineral-containing rock are dissolved in the liquid. Then, the alkaline slurry is subjected to solid-liquid separation, and the liquid component containing Si, Al, and Fe, the alkali dissolution step for obtaining the solid content, and the liquid component obtained in step (A) and the acid are mixed. Then, after adjusting the pH to 7.0 or more and 10.3 or less to precipitate Si in the liquid component, solid-liquid separation is performed, and a solid content containing SiO 2 that can be recovered as high-purity silica; A silica recovery step for obtaining a liquid component, and (C) a step provided between step (A) and step (B), wherein the liquid component obtained in the previous step is subjected to an ion exchange treatment. And an impurity recovery step of performing an activated carbon treatment and recovering impurities. Method for producing a high-purity silica, characterized.
[2] In the step (C), the ion exchange treatment is performed using a chelate resin or an ion exchange resin, and the impurities recovered by the ion exchange treatment include boron, phosphorus, aluminum, and iron. The method for producing high-purity silica according to [1] above, wherein the impurity that is one or more selected from the group and is recovered by the activated carbon treatment is an organic substance.
[3] Further, (D) the solid content containing SiO 2 obtained in step (B) and the acid solution are mixed to prepare an acidic slurry having a pH of 1.5 or less, and remains in the solid content. After the impurities are dissolved, the acidic slurry is subjected to solid-liquid separation to obtain a solid content containing SiO 2 and an acid cleaning step for obtaining a liquid content containing the impurities, according to the above [1] or [2] A method for producing high-purity silica.
[4] The above-mentioned [3], wherein the same series of operations as in the steps (A) to (D) are further repeated once or more for the solids containing SiO 2 obtained in the step (D). A method for producing high-purity silica.
[5] Further, (B1) Between step (A) and step (B), the liquid obtained in step (A) and the acid are mixed, so that the pH exceeds 10.3 and less than 11.5. Any one of the above-mentioned [1] to [4], wherein after the impurities in the liquid are precipitated and solid-liquid separation is performed, a liquid containing Si and an impurity recovery step for obtaining a solid content are included. A method for producing high-purity silica as described in 1.
[6] Any of the above [1] to [5], further comprising (A1) a raw material water washing step of washing the silica-mineral-containing rock before the step (A) to remove clay and organic matter. A method for producing high-purity silica as described in 1.
[7] Furthermore, (A2) Before the step (A), the raw material firing step of firing the silica mineral-containing rock at 500 to 1100 ° C. to remove the organic matter is included. The manufacturing method of the high purity silica in any one.
[8] Furthermore, (E) the solid content containing SiO 2 obtained in step (D) is dried or calcined at 100 to 1500 ° C. to produce amorphous high-purity silica or cristobalite-converted high-purity silica. The method for producing high-purity silica according to any one of the above [1] to [7], comprising a drying / firing step of obtaining
本発明の高純度シリカの製造方法によると、シリカ鉱物含有岩石を原料として用い、特定のpH域におけるpH調整(具体的には、アルカリ溶解工程、シリカ回収工程)と、イオン交換処理及び活性炭処理を組み合わせるという、簡易でかつ低コストの操作によって、高い純度を有するシリカを得ることができる。
また、上述のとおり操作が簡易であり、処理効率が高いことなどに起因して、従来技術に比して低い製造コストで高純度シリカを得ることができる。
さらに、本発明の製造方法により得られる高純度シリカは、シリカの含有率が高く、また鉄(Fe)、アルミニウム(Al)、ホウ素(B)、リン(P)、ニッケル(Ni)、炭素分(C)などの不純物の含有率が低いという特長がある。
According to the method for producing high purity silica of the present invention, silica mineral-containing rock is used as a raw material, pH adjustment in a specific pH range (specifically, alkali dissolution step, silica recovery step), ion exchange treatment and activated carbon treatment. Silica having high purity can be obtained by a simple and low-cost operation of combining the two.
Further, as described above, high-purity silica can be obtained at a lower production cost than in the prior art due to the simple operation and high processing efficiency.
Furthermore, the high-purity silica obtained by the production method of the present invention has a high silica content, and iron (Fe), aluminum (Al), boron (B), phosphorus (P), nickel (Ni), carbon content. There is a feature that the content of impurities such as (C) is low.
以下、本発明の高純度シリカの製造方法を詳しく説明する。
[工程(A1);原料水洗工程]
工程(A1)は、シリカ鉱物含有岩石を水洗して、粘土分及び有機物を除去する工程である。水洗後のシリカ鉱物含有岩石は、通常、フィルタープレス等を用いて、さらに乾燥させる。
[工程(A2);原料焼成工程]
工程(A2)は、シリカ鉱物含有岩石を500〜1100℃で焼成して、有機物を除去する工程である。焼成温度は好ましくは600〜1100℃、より好ましくは800〜1100℃である。焼成時間は、特に限定されないが、例えば0.5〜10時間である。
シリカ鉱物含有岩石としては、珪藻土、珪質頁岩等が挙げられる。シリカ鉱物含有岩石は、アルカリに対する溶解性が高いことが望ましい。
ここで、珪藻土とは、珪藻が海底や湖底に沈積し、長い年月の間に体内の原形質その他の有機物が分解し、非晶質シリカを主体とした珪藻殻が集積して堆積したものである。
珪質頁岩とは、珪藻土などの泥質堆積岩中の珪質の生物遺骸等が、時間の経過や温度・圧力の変化などに伴い、続成作用により変質して、硬岩化したものである。なお、珪質堆積物中のシリカは、続成作用によって、非晶質シリカから、結晶化してクリストバライト、トリデイマイトへ、さらに石英へと変化する。
Hereinafter, the manufacturing method of the high purity silica of this invention is demonstrated in detail.
[Step (A1); Raw material washing step]
Step (A1) is a step of washing the silica mineral-containing rock with water to remove clay and organic matter. The silica mineral-containing rock after washing is usually further dried using a filter press or the like.
[Step (A2); raw material firing step]
The step (A2) is a step of removing organic substances by firing the silica mineral-containing rock at 500 to 1100 ° C. The firing temperature is preferably 600 to 1100 ° C, more preferably 800 to 1100 ° C. Although baking time is not specifically limited, For example, it is 0.5 to 10 hours.
Examples of silica mineral-containing rocks include diatomaceous earth and siliceous shale. It is desirable that the silica mineral-containing rock is highly soluble in alkali.
Here, diatomaceous earth is a deposit of diatom shells mainly composed of amorphous silica, where diatoms are deposited on the sea floor and lake bottom, and protoplasms and other organic substances in the body decompose over a long period of time. It is.
Siliceous shale is made of siliceous biological remains in pelitic sedimentary rocks such as diatomaceous earth that have been altered by diagenesis and hardened with the passage of time, temperature and pressure. . Silica in the siliceous deposit is crystallized from crystallization to cristobalite, tridayite, and further to quartz by diagenesis.
珪藻土は、主に非晶質シリカであるオパールAからなる。珪質頁岩は、オパールAより結晶化が進んだオパールCTまたはオパールCを主に含む。オパールCTとは、クリストバライト構造とトリディマイト構造からなるシリカ鉱物である。オパールCとは、クリストバライト構造からなるシリカ鉱物である。このうち、本発明では、オパールCTを主とする珪質頁岩が好ましく用いられる。
さらに、Cu−Kα線による粉末X線回折において、石英の2θ=26.6degのピーク頂部の回折強度に対するオパールCTの2θ=21.5〜21.9degの回折強度は、石英を1とした場合の比率で0.2〜2.0の範囲が好ましく、0.4〜1.8の範囲がより好ましく、0.5〜1.5の範囲が更に好ましい。該値が0.2に満たない場合には、反応性に富むオパールCTの量が少ないため、シリカの収量が低下する。一方、該値が2.0を超える場合には、オパールCTの量が石英よりはるかに多くなり、このような珪質頁岩は資源的に少なく、経済性に劣る。
なお、石英に対するオパールCTの回折強度の比率は、以下の式で求める。
石英に対するオパールCTの回折強度の比率=(26.6degのピーク頂部の回折強度)/(21.5〜21.9degのピーク頂部の回折強度)
また、珪質頁岩のCu−Kα線による粉末X線回折において、オパールCTの2θ=21.5〜21.9degのピークの半値幅は0.5°以上が好ましく、0.75°以上がより好ましく、1.0°以上がさらに好ましい。該値が0.5°未満では、オパールCTの結晶の結合力が増大し、アルカリとの反応性が低下して、シリカの収量が減少する。ここで、半値幅とは、ピーク頂部の回折強度の1/2に位置する回折線の幅をいう。
本発明で用いる珪質頁岩は、シリカ含有率が70質量%以上であることが好ましく、75質量%以上であることがより好ましい。このような珪質頁岩を用いることにより、より高純度のシリカを低コストで製造することができる。
シリカ鉱物含有岩石は、例えば、珪質頁岩等のシリカ含有鉱物を粉砕装置(例えば、ジョークラッシャー、トップグラインダーミル、クロスビーターミル、ボールミル等)で粉砕することによって得ることができる。
シリカ鉱物含有岩石の粉砕後の粒径は、アルカリとの反応性の観点から、好ましくは4mm以下、より好ましくは2mm以下である。なお、粒度とは、最大寸法(例えば、断面が楕円の場合、長径)をいう。
なお、工程(A1)及び工程(A2)は、不純物が多い場合に前処理工程として付加されるものであって、本発明において必須の構成ではない。
Diatomaceous earth is mainly composed of opal A, which is amorphous silica. The siliceous shale mainly contains opal CT or opal C which has been crystallized more than opal A. Opal CT is a silica mineral having a cristobalite structure and a tridymite structure. Opal C is a silica mineral having a cristobalite structure. Of these, siliceous shale mainly composed of opal CT is preferably used in the present invention.
Further, in the powder X-ray diffraction by Cu-Kα ray, the diffraction intensity of 2θ = 21.5 to 21.9 deg of opal CT with respect to the diffraction intensity of 2θ = 26.6 deg peak of quartz is 1 when quartz is 1. The ratio of 0.2 to 2.0 is preferable, the range of 0.4 to 1.8 is more preferable, and the range of 0.5 to 1.5 is still more preferable. When the value is less than 0.2, the amount of opal CT rich in reactivity is small, and the yield of silica is reduced. On the other hand, when the value exceeds 2.0, the amount of opal CT is much larger than that of quartz, and such siliceous shale is less resource and less economical.
In addition, the ratio of the diffraction intensity of opal CT with respect to quartz is calculated | required with the following formula | equation.
Ratio of diffraction intensity of opal CT to quartz = (diffraction intensity at peak top of 26.6 deg) / (diffraction intensity at peak top of 21.5 to 21.9 deg)
Moreover, in the powder X-ray diffraction of the siliceous shale by Cu-Kα ray, the half width of the peak of 2θ = 21.5 to 21.9 deg of opal CT is preferably 0.5 ° or more, more preferably 0.75 ° or more. Preferably, it is 1.0 ° or more. If the value is less than 0.5 °, the bonding strength of the opal CT crystals increases, the reactivity with alkali decreases, and the yield of silica decreases. Here, the half-value width means the width of a diffraction line located at half the diffraction intensity at the peak top.
The siliceous shale used in the present invention preferably has a silica content of 70% by mass or more, and more preferably 75% by mass or more. By using such siliceous shale, higher purity silica can be produced at low cost.
Silica mineral-containing rocks can be obtained, for example, by pulverizing silica-containing minerals such as siliceous shale with a pulverizer (eg, jaw crusher, top grinder mill, cross beater mill, ball mill, etc.).
The particle diameter of the silica mineral-containing rock after pulverization is preferably 4 mm or less, more preferably 2 mm or less, from the viewpoint of reactivity with alkali. In addition, a particle size means the largest dimension (For example, when a cross section is an ellipse, it is a long diameter).
In addition, a process (A1) and a process (A2) are added as a pre-processing process when there are many impurities, Comprising: It is not an essential structure in this invention.
[工程(A);アルカリ溶解工程]
工程(A)は、シリカ鉱物含有岩石とアルカリ水溶液を混合して、pHが11.5以上のアルカリ性スラリーを調製し、上記シリカ鉱物含有岩石中のSi、Al、Feを液分中に溶解させた後、上記アルカリ性スラリーを固液分離して、Si、Al、Feを含む液分と、固形分を得る工程である。
シリカ鉱物含有岩石とアルカリ水溶液を混合してなるアルカリ性スラリーのpHは、11.5以上、好ましくは12.5以上、より好ましくは13.0以上となるように調整される。該pHが11.5未満であると、シリカを十分に溶解させることができず、シリカが固形分中に残存してしまうため、得られるシリカの収量が減少する。
pHを上記数値範囲内に調整するためのアルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等が用いられる。
スラリーの固液比(溶液1リットル中のシリカ鉱物含有岩石の質量)は、好ましくは150〜350g/リットル、より好ましくは200〜300g/リットルである。該固液比が150g/リットル未満では、スラリーの固液分離に要する時間が増大するなど、処理効率が低下する。該固液比が350g/リットルを超えると、シリカ等を十分に溶出させることができないことがある。
スラリーは、通常、所定時間(例えば、30〜90分間)攪拌される。
攪拌後のスラリーは、フィルタープレス等の固液分離手段を用いて、固形分と液分に分離される。液分は、Si、Al、Feを含むものであり、後工程で処理される。
なお、本工程においてアルカリ性スラリーを得る際の液温は、35〜100℃に保持されることが好ましく、35〜80℃に保持されることが、エネルギーコストの観点から、より好ましい。液温を上記範囲内とすることにより、処理効率を高めることができる。
[Step (A); alkali dissolution step]
In the step (A), the silica mineral-containing rock and the alkaline aqueous solution are mixed to prepare an alkaline slurry having a pH of 11.5 or more, and Si, Al, and Fe in the silica mineral-containing rock are dissolved in the liquid. Thereafter, the alkaline slurry is subjected to solid-liquid separation to obtain a liquid component containing Si, Al, and Fe and a solid component.
The pH of the alkaline slurry obtained by mixing the silica mineral-containing rock and the alkaline aqueous solution is adjusted to be 11.5 or higher, preferably 12.5 or higher, more preferably 13.0 or higher. When the pH is less than 11.5, the silica cannot be sufficiently dissolved, and the silica remains in the solid content, so that the yield of the resulting silica is reduced.
Examples of the alkaline aqueous solution for adjusting the pH within the above numerical range include a sodium hydroxide aqueous solution and a potassium hydroxide aqueous solution.
The solid-liquid ratio (mass of silica mineral-containing rock in 1 liter of solution) of the slurry is preferably 150 to 350 g / liter, more preferably 200 to 300 g / liter. When the solid-liquid ratio is less than 150 g / liter, the processing efficiency decreases, for example, the time required for solid-liquid separation of the slurry increases. If the solid-liquid ratio exceeds 350 g / liter, silica or the like may not be sufficiently eluted.
The slurry is usually stirred for a predetermined time (for example, 30 to 90 minutes).
The slurry after stirring is separated into a solid content and a liquid content using a solid-liquid separation means such as a filter press. The liquid component contains Si, Al, and Fe, and is processed in a subsequent process.
In addition, it is preferable that the liquid temperature at the time of obtaining alkaline slurry in this process is hold | maintained at 35-100 degreeC, and it is more preferable from a viewpoint of energy cost that it is hold | maintained at 35-80 degreeC. By setting the liquid temperature within the above range, the processing efficiency can be increased.
[工程(B1);不純物回収工程]
本工程は、工程(A)で得られた液分と酸を混合して、pHを10.3を超え、11.5未満に調整し、液分中のSi以外の不純物(例えば、Al及びFe)を析出させた後、固液分離を行ない、Siを含む液分と、固形分を得る工程である。
なお、本工程で回収されずに液分中に残存する不純物は、工程(B)以降の工程で回収される。
本工程において、酸との混合後の液分のpHは、10.3を超え、11.5未満、好ましくは10.4以上、11.0以下、特に好ましくは10.5以上、10.8以下である。該pHが10.3以下であると、不純物(例えば、Al及びFe)と共にSiも析出してしまう。一方、該pHが11.5以上では、十分に析出せずに液分中に残存する不純物(例えば、Al及びFe)の量が多くなる。
pHを上記数値範囲内に調整するための酸としては、硫酸、塩酸、シュウ酸等が用いられる。
pH調整後、フィルタープレス等の固液分離手段を用いて、固形分と液分に分離する。
このうち、固形分(ケーキ)は、不純物(例えば、Al及びFe)を含むものである。
液分は、Siを含むものであり、次の工程(B)で処理される。
なお、本工程においてpH調整を行う際の液温は、35〜100℃に保持されることが好ましく、35〜85℃に保持されることが、エネルギーコストの観点から、より好ましい。液温を上記範囲内とすることにより、処理効率を高めることができる。
[Step (B1); impurity recovery step]
In this step, the liquid obtained in step (A) and an acid are mixed to adjust the pH to more than 10.3 and less than 11.5, and impurities other than Si in the liquid (for example, Al and This is a step of performing solid-liquid separation after depositing Fe) to obtain a liquid component containing Si and a solid component.
Impurities remaining in the liquid without being recovered in this step are recovered in the steps after the step (B).
In this step, the pH of the liquid after mixing with the acid is more than 10.3 and less than 11.5, preferably 10.4 or more, 11.0 or less, particularly preferably 10.5 or more, 10.8. It is as follows. When the pH is 10.3 or less, Si is also precipitated together with impurities (for example, Al and Fe). On the other hand, when the pH is 11.5 or more, the amount of impurities (for example, Al and Fe) remaining in the liquid without being sufficiently precipitated increases.
As the acid for adjusting the pH within the above numerical range, sulfuric acid, hydrochloric acid, oxalic acid and the like are used.
After the pH adjustment, the solid and liquid components are separated using a solid-liquid separation means such as a filter press.
Among these, solid content (cake) contains impurities (for example, Al and Fe).
The liquid component contains Si and is processed in the next step (B).
In addition, it is preferable that the liquid temperature at the time of pH adjustment in this process is hold | maintained at 35-100 degreeC, and it is more preferable from a viewpoint of energy cost that it is hold | maintained at 35-85 degreeC. By setting the liquid temperature within the above range, the processing efficiency can be increased.
[工程(B);シリカ回収工程]
工程(B)は、前工程で得られた液分と酸を混合して、pHを7.0以上、10.3以下に調整し、液分中のSiを析出させた後、固液分離を行ない、Si(具体的にはSiO2)を含む固形分と、液分を得る工程である。
工程(B)において、液分のpHは、7.0以上、10.3以下、好ましくは9.0以上、10.3以下である。該pHが7.0未満では、シリカの収量は増大せずに、酸の使用量が多くなるため、薬剤コストの観点から好ましくない。一方、該pHが10.3を超えると、十分にシリカが析出せずに液分中に残存するため、得られるシリカの収量が減少する。
pHを上記数値範囲内に調整するための酸としては、硫酸、塩酸等が用いられる。
pH調整後、フィルタープレス等の固液分離手段を用いて、固形分と液分とに分離する。
固形分は、Si(具体的には、SiO2)を含むものである。
なお、工程(B)においてpH調整を行う際の液温は、35〜100℃に保持されることが好ましく、35〜80℃に保持されることが、エネルギーコストの観点から、より好ましい。液温を上記範囲内とすることにより、良好な固液分離性を有する固形分が得られ、処理効率を高めることができる。
[Step (B); silica recovery step]
In the step (B), the liquid obtained in the previous step and the acid are mixed, the pH is adjusted to 7.0 or more and 10.3 or less, and Si in the liquid is precipitated, followed by solid-liquid separation. Is a step of obtaining a solid component containing Si (specifically SiO 2 ) and a liquid component.
In the step (B), the pH of the liquid is 7.0 or more and 10.3 or less, preferably 9.0 or more and 10.3 or less. If the pH is less than 7.0, the yield of silica does not increase and the amount of acid used increases, which is not preferable from the viewpoint of drug cost. On the other hand, when the pH exceeds 10.3, the silica is not sufficiently precipitated and remains in the liquid, so that the yield of silica obtained is reduced.
As the acid for adjusting the pH within the above numerical range, sulfuric acid, hydrochloric acid or the like is used.
After pH adjustment, the solid and liquid components are separated using solid-liquid separation means such as a filter press.
The solid content includes Si (specifically, SiO 2 ).
In addition, it is preferable to hold | maintain the liquid temperature at the time of adjusting pH in a process (B) at 35-100 degreeC, and it is more preferable from a viewpoint of energy cost that it is hold | maintained at 35-80 degreeC. By setting the liquid temperature within the above range, a solid content having good solid-liquid separation can be obtained, and the processing efficiency can be increased.
[工程(C);不純物回収工程]
工程(C)は、工程(A)と工程(B)の間に設けられる工程であって、前工程で得られた液分に対してイオン交換処理及び活性炭処理を行ない、不純物を回収する工程である。
工程(C)で回収される不純物は、ホウ素(B)、リン(P)、アルミニウム(Al)、鉄(Fe)、及び炭素(C)からなる群より選ばれる一種以上である。
イオン交換処理は、キレート樹脂、イオン交換樹脂等のイオン交換媒体を用いて行なうことができる。
イオン交換媒体の種類は、除去対象元素に対する選択性を考慮して、適宜定めればよい。例えば、ホウ素を除去する場合、グルカミン基を有するキレート樹脂や、N−メチルグルカミン基を有するイオン交換樹脂等を用いることができる。
イオン交換媒体の形態は、特に限定されるものではなく、ビーズ状、繊維状、クロス状等が挙げられる。イオン交換媒体への液分の通液方法もなんら限定されるものではなく、例えばカラムにキレート樹脂またはイオン交換樹脂を充填して連続的に通液する方法などを用いることができる。
イオン交換処理及び活性炭処理を行う際の液温は、処理に用いる材料の耐用温度以下であれば、特に限定されない。
[Step (C); impurity recovery step]
A process (C) is a process provided between a process (A) and a process (B), Comprising: The process of performing an ion exchange process and activated carbon treatment with respect to the liquid component obtained at the previous process, and collect | recovering impurities It is.
The impurities recovered in the step (C) are at least one selected from the group consisting of boron (B), phosphorus (P), aluminum (Al), iron (Fe), and carbon (C).
The ion exchange treatment can be performed using an ion exchange medium such as a chelate resin or an ion exchange resin.
The type of ion exchange medium may be appropriately determined in consideration of the selectivity with respect to the element to be removed. For example, when removing boron, a chelate resin having a glucamine group, an ion exchange resin having an N-methylglucamine group, or the like can be used.
The form of the ion exchange medium is not particularly limited, and examples thereof include beads, fibers, and cloths. The method for passing the liquid through the ion exchange medium is not limited at all, and for example, a method in which a column is filled with a chelate resin or an ion exchange resin and continuously passed can be used.
The liquid temperature at the time of performing an ion exchange process and activated carbon process will not be specifically limited if it is below the durable temperature of the material used for a process.
[工程(D);酸洗浄工程]
工程(B)で得られたシリカ(SiO2)を含む固形分は、Al、Fe、B、P、Ni等の不純物が低減された高純度のシリカである。
この固形分に対して、適宜、以下の(D)酸洗浄工程、を行なうことができる。酸洗浄工程を行うことにより、より高純度のシリカを得ることができる。
工程(D)は、工程(B)で得られたSiO2を含む固形分と酸溶液を混合して、pHが1.5以下の酸性スラリーを調製し、上記固形分中に残存する不純物を溶解させた後、上記酸性スラリーを固液分離して、SiO2を含む固形分と、不純物を含む液分を得る工程である。
工程(D)における酸性スラリーのpHは、1.5以下、好ましくは1.2以下である。酸性スラリーのpHを上記範囲内に調整して酸洗浄を行うことにより、工程(B)で得られた固形分中にわずかに残存するアルミニウム分、鉄分等の不純物を溶解して液分中へ移行させることができ、固形分中のシリカ含有率を上昇させることができるため、さらに高純度のシリカを得ることができる。
pHを上記数値範囲内に調整するための酸としては、硫酸、塩酸等が用いられる。
pH調整後、フィルタープレス等の固液分離手段を用いて、固形分と液分に分離する。
なお、本工程においてpH調整を行う際の液温は、35〜100℃に保持されることが好ましく、35〜80℃に保持されることが、エネルギーコストの観点から、より好ましい。液温を上記範囲内とすることにより、処理効率を高めることができる。
[Step (D); acid washing step]
The solid content containing silica (SiO 2 ) obtained in the step (B) is high-purity silica in which impurities such as Al, Fe, B, P, and Ni are reduced.
The following (D) acid cleaning step can be appropriately performed on the solid content. By performing the acid washing step, higher purity silica can be obtained.
In the step (D), the solid content containing SiO 2 obtained in the step (B) and an acid solution are mixed to prepare an acidic slurry having a pH of 1.5 or less, and impurities remaining in the solid content are removed. After dissolving, the acidic slurry is subjected to solid-liquid separation to obtain a solid content containing SiO 2 and a liquid content containing impurities.
The pH of the acidic slurry in the step (D) is 1.5 or less, preferably 1.2 or less. By adjusting the pH of the acidic slurry within the above range and performing acid washing, impurities such as aluminum and iron remaining slightly in the solid content obtained in step (B) are dissolved into the liquid. Since it can transfer and the silica content rate in solid content can be raised, the silica of higher purity can be obtained.
As the acid for adjusting the pH within the above numerical range, sulfuric acid, hydrochloric acid or the like is used.
After the pH adjustment, the solid and liquid components are separated using a solid-liquid separation means such as a filter press.
In addition, it is preferable to hold | maintain the liquid temperature at the time of adjusting pH in this process at 35-100 degreeC, and it is more preferable from a viewpoint of energy cost that it is hold | maintained at 35-80 degreeC. By setting the liquid temperature within the above range, the processing efficiency can be increased.
[工程(E);乾燥/焼成工程]
工程(E)は、工程(D)で得られたSiO2を含む固形分を、100〜1500℃で乾燥または焼成して、非晶質の高純度シリカ、またはクリストバライト化した高純度シリカを得る工程である。非晶質の高純度シリカを得る場合には、100℃以上、1200℃未満で乾燥または焼成し、クリストバライト化した高純度シリカを得る場合には、1200℃以上、1500℃以下で焼成すれば良い。また、SiO2を含む固形分中に、僅かに有機物が残存した場合でも、600℃以上で焼成することにより、有機物の残存量を低減させることができる。
100〜1500℃での乾燥または焼成の時間は、特に限定されないが、例えば1時間〜1日間である。
図2は、高純度シリカを400℃、1000℃、1100℃、1200℃、1300℃の各温度で5時間焼成した場合における、横軸を2θ、縦軸を回折強度としたグラフである。図2から、1200℃以上で焼成すると、クリストバライト化が生じることがわかる。
[Step (E); drying / firing step]
In the step (E), the solid content containing SiO 2 obtained in the step (D) is dried or fired at 100 to 1500 ° C. to obtain amorphous high-purity silica or cristobaliteized high-purity silica. It is a process. When amorphous high-purity silica is obtained, it is dried or fired at 100 ° C. or more and less than 1200 ° C., and when cristobalite-formed high-purity silica is obtained, it may be fired at 1200 ° C. or more and 1500 ° C. or less. . In addition, even when a slight amount of organic matter remains in the solid content containing SiO 2 , the residual amount of organic matter can be reduced by baking at 600 ° C. or higher.
Although the time of drying or baking at 100-1500 degreeC is not specifically limited, For example, it is 1 hour-1 day.
FIG. 2 is a graph in which the horizontal axis is 2θ and the vertical axis is diffraction intensity when high-purity silica is baked at 400 ° C., 1000 ° C., 1100 ° C., 1200 ° C., and 1300 ° C. for 5 hours. FIG. 2 shows that cristobalite formation occurs when firing at 1200 ° C. or higher.
[その他の工程]
工程(D)で得られたシリカ(SiO2)を含む固形分に対して、工程(A)〜工程(D)と同じ一連の操作を1回以上(通常は1回)、繰り返し行うことができる。工程(A)〜工程(D)と同じ一連の操作を繰り返すことによって、シリカの純度をより高めることができる。
なお、工程(A)〜工程(D)と同じ一連の操作を繰り返し行う場合、(E)酸洗浄工程は、1回目の処理工程の終了時と2回目の処理工程の終了時の両方あるいはいずれか一方のみに行うことができる。
すなわち、次の(1)〜(3)のいずれのパターンでも行うことができる。
(1) 工程(A)→工程(C)→工程(B)→工程(D)→工程(E)→工程(A)→工程(C)→工程(B)→工程(D)→工程(E)
(2) 工程(A)→工程(C)→工程(B)→工程(D)→工程(A)→工程(C)→工程(B)→工程(D)→工程(E)
(3) 工程(A)→工程(C)→工程(B)→工程(D)→工程(E)→工程(A)→工程(C)→工程(B)→工程(D)
中でも、シリカの純度を高める観点から、上記(1)が好ましい。
[Other processes]
The same series of operations as steps (A) to (D) can be repeated one or more times (usually once) on the solids containing silica (SiO 2 ) obtained in step (D). it can. By repeating the same series of operations as in steps (A) to (D), the purity of silica can be further increased.
In addition, when performing the same series of operation as process (A)-process (D) repeatedly, (E) acid washing process is both at the time of the completion | finish of the 1st process process, and the completion | finish of the 2nd process process. This can be done only on one side.
That is, any of the following patterns (1) to (3) can be performed.
(1) Step (A) → Step (C) → Step (B) → Step (D) → Step (E) → Step (A) → Step (C) → Step (B) → Step (D) → Step ( E)
(2) Step (A) → Step (C) → Step (B) → Step (D) → Step (A) → Step (C) → Step (B) → Step (D) → Step (E)
(3) Step (A) → Step (C) → Step (B) → Step (D) → Step (E) → Step (A) → Step (C) → Step (B) → Step (D)
Among these, (1) is preferable from the viewpoint of increasing the purity of silica.
[高純度シリカの純度]
本発明で得られる高純度シリカは、シリカの含有率が高く、またアルミニウム、鉄、ホウ素、リン、ニッケル等の不純物の含有量が低いものである。
本発明の高純度シリカ中のSiO2の含有率は、好ましくは99.0質量%以上である。また、本発明の高純度シリカ中のAl2O3、Fe2O3、B、P、及びNiの含有率は、各々、好ましくは3000ppm以下、500ppm以下、0.1ppm以下、0.4ppm以下、及び0.3ppm以下である。
[Purity of high purity silica]
The high purity silica obtained by the present invention has a high silica content and a low content of impurities such as aluminum, iron, boron, phosphorus and nickel.
The content of SiO 2 in the high-purity silica of the present invention is preferably 99.0% by mass or more. In addition, the content of Al 2 O 3 , Fe 2 O 3 , B, P, and Ni in the high-purity silica of the present invention is preferably 3000 ppm or less, 500 ppm or less, 0.1 ppm or less, 0.4 ppm or less, respectively. And 0.3 ppm or less.
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
[実施例1]
珪質頁岩(成分組成;SiO2:80質量%、Al2O3:10質量%、Fe2O3:5質量%、B:1000ppm、P:330ppm、Ni:10ppm)を、ボールミルを用いて粉砕し、珪質頁岩粉末(最大粒径:0.5mm)を得た。
原料として使用した珪質頁岩について、Cu−Kα線による粉末X線の回折強度、オパールCTの半値幅を、粉末X線回折装置(株式会社リガク製、RINT2000)を用いて測定した。回折強度を図3に、半値幅を図4にそれぞれ示す。使用した珪質頁岩は、石英の2θ=26.6degのピーク頂部の回折強度に対するオパールCTの2θ=21.5〜21.9degのピーク頂部の回折強度の比率が、0.68であった。また、オパールCTの半値幅は、1.4°であった。
次いで、得られた珪質頁岩粉末250gと、2.5Nの水酸化ナトリウム水溶液1000gを混合して、60分間混合撹拌し、pHが13.5であるスラリーを得た。
このスラリーを減圧下でブフナー漏斗で固液分離し、液分700gを得た。
得られたシリカゾル溶液に対して、キレート樹脂(ピュロライト社製;PUROLITE S−108)を用いてホウ素の除去を行った。
次いで、キレート処理後のシリカゾル溶液に対して、活性炭(関東化学社製、商品名:活性炭素(粉末))を用いて、有機物の除去を行なった。
有機物の除去後の液中のホウ素の濃度をICP発光分析装置を用いて測定した。その結果を表1に示す。
次いで、得られた液分に対して98%硫酸を添加して、pHを10.5に調整した後、減圧下でブフナー漏斗で固液分離し、鉄、アルミニウム等を含む含水固形分10gと、Siを含む液分700gを得た。
次に、得られた液分に対して98%硫酸を添加して、pHを10.3に調整し、ゲルを析出させた。
得られた粗製シリカに対して、98%硫酸溶液を添加し、pHが0.5のスラリーとした。このスラリーを固液分離した後に、蒸留水を用いて水洗した。その後、105℃で1日乾燥させ、精製シリカ70gを得た。
なお、各反応中の液温は、70℃に保持した。
得られた精製シリカは、乾燥後に、SiO2:99.9質量%、Al2O3:800ppm、Fe2O3:5ppm、B:0.05ppm未満、P:0.5ppm未満、Ni:0.2ppmの成分組成を有していた。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
[Example 1]
Using a ball mill, siliceous shale (component composition; SiO 2 : 80% by mass, Al 2 O 3 : 10% by mass, Fe 2 O 3 : 5% by mass, B: 1000ppm, P: 330ppm, Ni: 10ppm) By grinding, a siliceous shale powder (maximum particle size: 0.5 mm) was obtained.
About the siliceous shale used as a raw material, the diffraction intensity of powder X-rays by Cu-Kα ray and the half width of opal CT were measured using a powder X-ray diffractometer (RINT2000, manufactured by Rigaku Corporation). The diffraction intensity is shown in FIG. 3, and the half width is shown in FIG. The siliceous shale used had a ratio of the diffraction intensity at the peak top of 2θ = 21.5 to 21.9 deg of opal CT to the diffraction intensity at the peak top of 2θ = 26.6 deg of quartz of 0.68. The half width of the opal CT was 1.4 °.
Next, 250 g of the obtained siliceous shale powder and 1000 g of a 2.5N aqueous sodium hydroxide solution were mixed and stirred for 60 minutes to obtain a slurry having a pH of 13.5.
This slurry was subjected to solid-liquid separation with a Buchner funnel under reduced pressure to obtain 700 g of a liquid content.
Boron was removed from the resulting silica sol solution using a chelate resin (Purolite S-108, manufactured by Purolite).
Next, the organic substance was removed from the silica sol solution after the chelation treatment using activated carbon (trade name: activated carbon (powder) manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.).
The concentration of boron in the liquid after removing the organic matter was measured using an ICP emission spectrometer. The results are shown in Table 1.
Next, 98% sulfuric acid was added to the obtained liquid to adjust the pH to 10.5, followed by solid-liquid separation with a Buchner funnel under reduced pressure, and 10 g of a hydrous solid containing iron, aluminum, etc. , 700 g of a liquid containing Si was obtained.
Next, 98% sulfuric acid was added to the obtained liquid to adjust the pH to 10.3 to precipitate a gel.
A 98% sulfuric acid solution was added to the obtained crude silica to obtain a slurry having a pH of 0.5. The slurry was subjected to solid-liquid separation and then washed with distilled water. Then, it was dried at 105 ° C. for 1 day to obtain 70 g of purified silica.
The liquid temperature during each reaction was kept at 70 ° C.
The obtained purified silica is, after drying, SiO 2 : 99.9% by mass, Al 2 O 3 : 800 ppm, Fe 2 O 3 : 5 ppm, B: less than 0.05 ppm, P: less than 0.5 ppm, Ni: 0 It had a component composition of 2 ppm.
[実施例2]
実施例1と同様にして得られた珪質頁岩の粉状物250gと、2.5N水酸化ナトリウム水溶液1000gを混合して、60分間混合撹拌し、pHが13.5であるスラリーを得た。
このスラリーを減圧下でブフナー漏斗で固液分離し、液分700gを得た。
次いで、得られた液分に対して98%硫酸を添加して、pHを10.5に調整した後、減圧下でブフナー漏斗で固液分離し、鉄、アルミニウム等を含む含水固形分10gと、Siを含む液分700gを得た。
得られたシリカゾル溶液に対して、キレート樹脂(ピュロライト社製 PUROLITE S−108)を用いてホウ素の除去を行った。
次いで、キレート処理後のシリカゾル溶液に対して、活性炭(関東化学社製、商品名:活性炭素(粉末))を用いて、有機物の除去を行なった。
有機物の除去後のシリカゾル液のホウ素の濃度をICP発光分析装置を用いて測定した。その結果を表1に示す。
なお、各反応中の液温は、70℃に保持した。
[Example 2]
250 g of siliceous shale powder obtained in the same manner as in Example 1 and 1000 g of a 2.5N aqueous sodium hydroxide solution were mixed and stirred for 60 minutes to obtain a slurry having a pH of 13.5. .
This slurry was subjected to solid-liquid separation with a Buchner funnel under reduced pressure to obtain 700 g of a liquid content.
Next, 98% sulfuric acid was added to the obtained liquid to adjust the pH to 10.5, followed by solid-liquid separation with a Buchner funnel under reduced pressure, and 10 g of a hydrous solid containing iron, aluminum, etc. , 700 g of a liquid containing Si was obtained.
Boron was removed from the resulting silica sol solution using a chelating resin (Purolite S-108 manufactured by Purolite).
Next, the organic substance was removed from the silica sol solution after the chelation treatment using activated carbon (trade name: activated carbon (powder) manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.).
The boron concentration in the silica sol solution after removal of the organic matter was measured using an ICP emission spectrometer. The results are shown in Table 1.
The liquid temperature during each reaction was kept at 70 ° C.
[実施例3]
実施例2と同様にして得られた有機物の除去後のシリカゾル液に対して、98%硫酸を添加して、pHを10.3に調整し、ゲルを析出させた。
得られた粗製シリカに対して、98%硫酸溶液を添加し、pHが0.5のスラリーとした。このスラリーをブフナー漏斗で固液分離した後に、蒸留水を用いて水洗した。その後、105℃で1日乾燥させ、精製シリカ70gを得た。
なお、各反応中の液温は、70℃に保持した。
得られた精製シリカは、乾燥後に、SiO2:99.9質量%、Al2O3:800ppm、Fe2O3:5ppm、B:0.5ppm未満、P:0.5ppm未満、Ni:0.2ppmの成分組成を有していた。この精製シリカ及び前記の粗製シリカ中のホウ素の濃度の測定を、ICP発光分析装置を用いて行った。結果を表2に示す。
[Example 3]
98% sulfuric acid was added to the silica sol solution after removal of the organic matter obtained in the same manner as in Example 2 to adjust the pH to 10.3, thereby precipitating the gel.
A 98% sulfuric acid solution was added to the obtained crude silica to obtain a slurry having a pH of 0.5. This slurry was subjected to solid-liquid separation with a Buchner funnel and then washed with distilled water. Then, it was dried at 105 ° C. for 1 day to obtain 70 g of purified silica.
The liquid temperature during each reaction was kept at 70 ° C.
The obtained purified silica is, after drying, SiO 2 : 99.9% by mass, Al 2 O 3 : 800 ppm, Fe 2 O 3 : 5 ppm, B: less than 0.5 ppm, P: less than 0.5 ppm, Ni: 0 It had a component composition of 2 ppm. The concentration of boron in the purified silica and the crude silica was measured using an ICP emission analyzer. The results are shown in Table 2.
[比較例1]
キレート処理及び活性炭処理を行なわない以外は実施例3と同様にして作製した粗製シリカ及び精製シリカについて、実施例3と同様にして、ホウ素の濃度の測定を行った。結果を表2に示す。
[Comparative Example 1]
The crude silica and purified silica produced in the same manner as in Example 3 except that the chelate treatment and the activated carbon treatment were not performed, and the concentration of boron was measured in the same manner as in Example 3. The results are shown in Table 2.
表1及び表2から、本発明の製造方法(実施例1〜3)によると、シリカの非常に高い含有率、及び、不純物(特に、半導体デバイスに用いた場合に忌避成分となるホウ素)の非常に低い含有率が得られることがわかる。一方、比較例1では、実施例1〜3に比して、ホウ素が高濃度で含まれていることがわかる。 From Table 1 and Table 2, according to the production method of the present invention (Examples 1 to 3), a very high content of silica and impurities (especially boron which is a repellent component when used in semiconductor devices). It can be seen that a very low content is obtained. On the other hand, in the comparative example 1, it turns out that the boron is contained with high concentration compared with Examples 1-3.
Claims (8)
(B)工程(A)で得られた液分と酸を混合して、pHを7.0以上、10.3以下に調整し、液分中のSiを析出させた後、固液分離を行ない、高純度シリカとして回収しうるSiO2を含む固形分と、液分を得るシリカ回収工程と、を含み、かつ、
(C)工程(A)と工程(B)の間に設けられる工程であって、前工程で得られた液分に対してイオン交換処理及び活性炭処理を行ない、不純物を回収する不純物回収工程、を含むことを特徴とする高純度シリカの製造方法。 (A) After mixing silica mineral-containing rocks and an alkaline aqueous solution to prepare an alkaline slurry having a pH of 11.5 or more, after dissolving Si, Al, Fe in the silica mineral-containing rocks in the liquid, The alkaline slurry is subjected to solid-liquid separation, and a liquid component containing Si, Al, Fe, and an alkali dissolution step for obtaining a solid content,
(B) The liquid obtained in step (A) is mixed with an acid, the pH is adjusted to 7.0 or higher and 10.3 or lower, Si in the liquid is precipitated, and solid-liquid separation is performed. A solid content containing SiO 2 that can be recovered as high-purity silica, and a silica recovery step for obtaining a liquid component, and
(C) Impurity recovery step that is provided between step (A) and step (B), performs ion exchange treatment and activated carbon treatment on the liquid obtained in the previous step, and collects impurities. The manufacturing method of the high purity silica characterized by including.
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