JP2011151111A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

Abstract

【目的】異なる基板を用いた場合でも、加速中、或いは減速中の描画位置の誤差を補正可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビームを放出する電子銃２０１と、基板重量を入力し、基板重量を用いてかかる基板重量の基板にパターンを描画した際の位置ずれを補正する補正係数を演算する補正係数演算部１２と、補正係数を用いて電子ビームの第１の偏向量を補正する補正部２４と、補正された第２の偏向量で荷電粒子ビームを偏向し、基板上に荷電粒子ビームを照射する偏向器２０８と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、電子ビームを用いて加減速するステージ上に配置された基板にパターンを描画する描画装置および方法に関する。

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。

図７は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という（例えば、特許文献１参照）。

ここで、電子ビーム描画装置では、ステージ位置を測定しながら移動するステージ上の基板にパターンを描画する。その際、ステージに加速度がかかるとステージ位置の測定位置の歪み量と基板を載置する位置での歪み量に差が生じるため、正確なステージ位置を測定することが困難となる。そのため、加速中、或いは減速中にパターンを描画すると描画位置に誤差が生じてしまうといった問題があった。さらに、描画する基板の種類によってもかかる誤差量に違いが生じてしまうことがわかった。そのため、単に加速度に基づいて位置を補正しても描画位置の誤差を解消することは困難であるといった問題があった。

特開２００９−０１００７６号公報

上述したように、加速中、或いは減速中にパターンを描画すると描画位置に誤差が生じてしまうといった問題があった。さらに、描画する基板の種類によってもかかる誤差量に違いが生じてしまうといった問題があった。しかしながら、かかる問題を十分に解決する手法は従来確立されていなかった。

そこで、本発明は、かかる問題を克服し、異なる基板を用いた場合でも、加速中、或いは減速中の描画位置の誤差を補正可能な描画装置およびその方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
基板重量を入力し、基板重量を用いてかかる基板重量の基板にパターンを描画した際の位置ずれを補正する補正係数を演算する補正係数演算部と、
補正係数を用いて荷電粒子ビームの第１の偏向量を補正する補正部と、
補正された第２の偏向量で荷電粒子ビームを偏向し、基板上に荷電粒子ビームを照射する偏向器と、
を備えたことを特徴とする。

発明者は、基板の重量を用いることで加速中、或いは減速中の描画位置の誤差を補正することが可能であることを見出した。そして、基板重量を用いて位置ずれを補正する補正係数を演算し、補正前の第１の偏向量を補正する。かかる補正により基板の重量の変化に対応した加減速中の位置ずれを補正できる。

また、基板重量を測定する重量センサをさらに備え、
補正係数演算部は、測定された基板重量を入力すると好適である。

また、基板を載置し、移動可能なステージと、
ステージの位置を測定する測定部と、
測定されたステージの位置に基づいてステージを移動する際の加速度を演算する加速度演算部と、
をさらに備えると好適である。

また、第１の偏向量を演算する偏向量演算部をさらに備え、
補正部は、第１の偏向量に、加速度と補正係数とを用いた補正量を加算すると好適である。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
荷電粒子ビームを放出する工程と、
基板重量を入力し、基板重量を用いてかかる基板重量の基板にパターンを描画した際の位置ずれを補正する補正係数を演算する工程と、
補正係数を用いて荷電粒子ビームの第１の偏向量を補正する工程と、
偏向器を用いて、補正された第２の偏向量で荷電粒子ビームを偏向し、基板上に荷電粒子ビームを照射する工程と、
を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、異なる基板を用いた場合でも、加速中、或いは減速中の描画位置の誤差を補正できる。その結果、高精度な位置にパターンを描画できる。

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１における基板の搬送経路を示す概念図である。 実施の形態１における加速中のステージの状態の一例を示す概念図である。 実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態１における補正有無による描画位置の誤差の様子を測定した測定結果の一例を示す図である。 重量センサを備えたロボットハンドの一例を示す概念図である。 従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画装置１００は、描画部１５０、制御部１６０、搬出入口（Ｉ／Ｆ）１２０、ロードロック（Ｌ／Ｌ）チャンバ１３０、ロボット（Ｒ）チャンバ１４０、アライメント（ＡＬＮ）チャンバ１４６、及び真空ポンプ１７０を備えている。そして、描画装置１００は、電子ビーム２００を用いて、基板１０１に所望するパターンを描画する。描画対象となる基板１０１として、例えば、半導体装置を製造するための露光用のマスク基板やシリコンウェハ等が含まれる。

描画部１５０は、電子鏡筒１０２及び描画室１０３を有している。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、及び偏向器２０８が配置されている。また、描画室１０３内には、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５が配置されている。パターンを描画する際には、ＸＹステージ１０５上に複数の支持ピン１０６（保持部の一例）が昇降可能に配置され、支持ピン１０６上に基板１０１が載置される。また、ＸＹステージ１０５上には、レーザを用いて位置測定を行うためのミラー１０７が配置される。

また、制御部１６０は、磁気ディスク装置等の記憶装置１０９、制御計算機ユニット１１０、偏向制御回路１１２、デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）１１４、レーザ測長装置１１６、及び制御回路１１８を有している。磁気ディスク装置等の記憶装置１０９、制御計算機ユニット１１０、偏向制御回路１１２、デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）１１４、レーザ測長装置１１６、及び制御回路１１８は、図示しないバスにより互いに接続されている。

制御計算機ユニット１１０内には、描画処理部１０、補正係数演算部１２、及び記憶装置の一例となるメモリ１４が配置される。描画処理部１０、及び補正係数演算部１２は、コンピュータを実行させるプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、電気機器若しくは電子機器等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、ソフトウェアとハードウェアの組み合わせで構成されてもよい。或いは、ファームウェアとハードウェアの組み合わせで構成されてもよい。描画処理部１０、及び補正係数演算部１２に入力される情報及び演算される情報はその都度メモリ１４に格納される。

偏向制御回路１１２内には、偏向量演算部２０、加速度演算部２２、及び補正部２４が配置される。偏向量演算部２０、加速度演算部２２、及び補正部２４は、コンピュータを実行させるプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、電気機器若しくは電子機器等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、ソフトウェアとハードウェアの組み合わせで構成されてもよい。或いは、ファームウェアとハードウェアの組み合わせで構成されてもよい。

レーザ測長装置１１６は、レーザをミラー１０７に照射し、その反射光を受光して、ＸＹステージ１０５の位置を測長し、偏向制御回路１１２にステージ位置を出力する。

また、搬出入口１２０内には、基板１０１を搬送する搬送ロボット１２２が配置されている。ロボットチャンバ１４０内には、かかる基板１０１を搬送する搬送ロボット１４２が配置されている。

真空ポンプ１７０は、バルブ１７２を介してロボットチャンバ１４０、及びアライメントチャンバ１４６内の気体を排気する。これにより、ロボットチャンバ１４０、及びアライメントチャンバ１４６内は真空雰囲気に維持される。また、真空ポンプ１７０は、バルブ１７４を介して電子鏡筒１０２内及び描画室１０３内の気体を排気する。これにより、電子鏡筒１０２内及び描画室１０３内は真空雰囲気に維持される。また、真空ポンプ１７０は、バルブ１７６を介してロードロックチャンバ１３０内の気体を排気する。これにより、ロードロックチャンバ１３０内は必要に応じて真空雰囲気に制御される。また、搬出入口１２０とロードロックチャンバ１３０とロボットチャンバ１４０と描画室１０３とのそれぞれの境界には、ゲートバルブ１３２，１３４，１３６が配置される。

制御回路１１８は、描画処理部１０によって制御され、制御回路１１８は、描画部１５０、搬出入口１２０、Ｌ／Ｌチャンバ１３０、ロボットチャンバ１４０、アライメントチャンバ１４６内の各機器を制御および駆動させる。

ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わない。また、搬送ロボット１２２，１４２は、例えば、多軸型のロボットが用いられる。また、搬送ロボット１２２，１４２は、エレベータ機構や回転機構など機械的な機構であれば構わない。また、例えば、搬送ロボット１４２には、基板１０１を載置するロボットハンド１４３が駆動アームに取り付けられている。Ｌ／Ｌチャンバ１３０の支持台には基板１０１を載置する複数のピン１３３が配置される。

図２は、実施の形態１における基板の搬送経路を示す概念図である。搬出入口１２０に基板１０１を配置する。搬出入口１２０に配置された基板１０１は、ゲートバルブ１３２を開けた後、搬送ロボット１２２によりＬ／Ｌチャンバ１３０内の支持部材上の支持ピン１３３上に搬送される。そして、ゲートバルブ１３２を閉めた後、Ｌ／Ｌチャンバ１３０内は真空ポンプ１７０で真空雰囲気にされる。次に、Ｌ／Ｌチャンバ１３０内の支持部材上に配置された基板１０１は、ゲートバルブ１３４を開けた後、搬送ロボット１４２によりロボットチャンバ１４０を介してアライメントチャンバ１４６内のステージに搬送される。そして、基板１０１は、アライメントされる。次に、アライメントチャンバ１４６内のステージ上に配置された基板１０１は、ゲートバルブ１３６を開けた後、搬送ロボット１４２によりロボットチャンバ１４０を介して描画室１０３内に搬入される。このようにして、基板１０１は描画室１０３に搬入される。そして、描画室１０３内で基板１０１にパターンが描画される。描画終了後、基板１０１は、ゲートバルブ１３４，１３６を開けた後、搬送ロボット１４２によりロボットチャンバ１４０を介してＬ／Ｌチャンバ１３０内の支持部材上に搬送される。ゲートバルブ１３４を閉めた後、Ｌ／Ｌチャンバ１３０内は大気圧の雰囲気に戻される。そして、基板１０１は、ゲートバルブ１３２を開けた後、搬送ロボット１２２により搬出入口１２０に配置される。

基板１０１が描画室１０３に搬入され、支持ピン１０６上に載置された後、以下のように描画部１５０は動作する。描画部１５０は、描画室１０３内で支持ピン１０６に載置された基板１０１に、電子ビーム２００を用いてパターンを描画する。具体的には、以下の動作を行なう。放出部の一例となる電子銃２０１から放出された電子ビーム２００は、偏向器２０８により偏向され、例えば可変速移動するＸＹステージ１０５上の基板１０１の所望する位置に照射される。図示していないが、例えば、可変成形型の電子ビーム描画装置では、以下のように動作する。照射部の一例となる電子銃２０１から放出された電子ビーム２００は、照明レンズにより矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャを通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズにより第２のアパーチャ上に投影される。かかる第２のアパーチャ上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。その結果、電子ビーム２００は成形される。このように、電子ビーム２００は可変成形される。そして、第２のアパーチャを通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズにより焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向される。その結果、例えば連続移動するＸＹステージ１０５上の基板１０１の所望する位置に所望の形状及び寸法のビームが照射される。

図３は、実施の形態１における加速中のステージの状態の一例を示す概念図である。加速中あるいは減速中のＸＹステージ１０５は図３に示すように歪みが生じる。その際、ステージ位置を測定するためのミラー１０７の歪み量ｘ１と基板１０１を載置する支持ピン１０６の歪み量ｘ２は一致しない。そのため、ミラー１０７で測長されたステージ位置をそのまま用いて描画しても描画位置に誤差が生じてしまう。また、加速中の歪み量ｘ２は支持ピン１０６の弾性力とダンパ効果によってその値が異なる。弾性力とダンパ効果は基板１０１の重量によって変化する。そのため、種類の異なる基板を用いるとその重量が異なるため歪み量ｘ２が異なってくる。そこで、実施の形態１では、かかる基板１０１の重量を用いて加速中あるいは減速中の電子ビーム２００の偏向量を補正する。

図４は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図４において、実施の形態１における描画方法は、重量測定工程（Ｓ１０２）と、重量入力工程（Ｓ１０４）と、補正係数演算工程（Ｓ１０６）と、偏向量演算工程（Ｓ１１０）と、加速度演算工程（Ｓ１２０）と、補正工程（Ｓ１３０）と、描画工程（Ｓ１４０）という一連の工程を実施する。

重量測定工程（Ｓ１０２）として、予め、描画対象となる基板１０１の重量を測定しておく。そして、例えば、基板保管用の保管ケース等に重量情報をバーコード等で記録しておく。そして、重量が測定済みの基板１０１を描画装置１００に配置して、描画室１０３まで搬送する。

重量入力工程（Ｓ１０４）として、制御計算機ユニット１１０は、基板重量ｗを入力する。基板重量ｗは、描画処理の際に、上述した例ではバーコードから読み出せばよい。

補正係数演算工程（Ｓ１０６）として、補正係数演算部１２は、基板重量ｗを入力し、基板重量ｗを用いて基板重量の基板１０１にパターンを描画した際の位置ずれを補正する補正係数Ｃｏｅｆｆ（ｗ）を演算する。加速度に依存した位置補正係数となる補正係数Ｃｏｅｆｆ（ｗ）は、以下の式（１）で求めることができる。
（１） Ｃｏｅｆｆ（ｗ）＝Ａ・ｗ＋Ｂ

式（１）においてＡ，Ｂは係数である。なお、係数Ａ，Ｂは、実施の形態１における補正をしない場合の描画位置の誤差データを用いて見積もればよい。

一方で、偏向量演算工程（Ｓ１１０）として、まず、描画処理部１０は、記憶装置１０９から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って装置固有のショットデータで生成する。そして、ショットデータは偏向制御回路１１２に出力され、偏向量演算部２０は、ショットデータを用いて偏向器２０８を偏向させる偏向量Ｌ（第１の偏向量）を演算する。

また、加速度演算工程（Ｓ１２０）として、加速度演算部２２は、レーザ測長装置１１６からステージ位置情報を入力し、測定されたステージの位置情報に基づいてＸＹステージ１０５を移動する際のＸＹステージ１０５の加速度を演算する。加速度Ａｃｃ（ｔ）は、以下の式（２）で求めることができる。
（２） Ａｃｃ（ｔ）＝｛ｖ（ｔ）−ｖ（ｔ−Δｔ）｝／Δｔ
＝｛ｘ（ｔ）−２ｘ（ｔ−Δｔ）＋ｘ（ｔ−２Δｔ）｝／Δｔ^２

ｖ（ｔ）は時刻ｔにおける速度、ｘ（ｔ）時刻ｔにおけるステージ位置を示す。

そして、補正工程（Ｓ１３０）として、補正部２４は、補正係数Ｃｏｅｆｆ（ｗ）を用いて電子ビームの偏向量Ｌ（第１の偏向量）を補正する。補正部２４は、偏向量演算部２０で演算された偏向量Ｌ（第１の偏向量）に、求めた加速度Ａｃｃ（ｔ）と補正係数Ｃｏｅｆｆ（ｗ）とを用いた補正量Ｐを加算する。例えば、補正後の偏向量Ｌ’（第２の偏向量）は、以下の式（３）で求めることができる。
（３） Ｌ’＝Ｌ＋Ｐ＝Ｌ＋Ａｃｃ（ｔ）・Ｃｏｅｆｆ（ｗ）

描画工程（Ｓ１４０）として、偏向器２０８は、補正された偏向量Ｌ’（第２の偏向量）で電子ビーム２００を偏向し、基板１０１上に電子ビーム２００を照射する。偏向制御回路１１２から出力された偏向量Ｌ’の制御信号はＤＡＣ１１４でデジタル信号からアナログ信号に変換の上、増幅されて偏向電圧として偏向器２０８に印加される。そして、かかる偏向量Ｌ’の偏向電圧で電子ビーム２００は偏向され、基板１０１上の補正された位置にビームが照射されることでパターンが描画される。

図５は、実施の形態１における補正有無による描画位置の誤差の様子を測定した測定結果の一例を示す図である。図５において、記号「×」は補正なしでの誤差量、記号「○」は実施の形態１における加速度依存の位置補正をおこなった場合の誤差量を示す。縦軸は誤差量を示す。横軸は基板の位置を示す。また、加速度が生じた位置がわかるように加速度も同時に示している。図５に示すように、加速度０、すなわち等速移動ではミラー１０７と支持ピン１０６に歪みが生じていないので描画位置に誤差は実質的に生じていない。これに対して、実施の形態１における加速度依存の位置補正を行なわない場合、加速度が生じているときには、大きく誤差が発生する。一方、実施の形態１における加速度依存の位置補正を行なった場合、加速度が生じていても誤差は実質的に生じていない。

以上のように、予め測定された基板重量を入力して基板重量を用いた加速度依存の位置補正を行なうことで加速中、或いは減速中の描画位置の誤差を補正できる。よって、加速中、或いは減速中でもパターンを描画できる。さらに、実施の形態１では、基板重量に応じて補正量が異なるため、異なる種類の基板を用いた場合でも、加速中、或いは減速中の描画位置の誤差を補正できる。その結果、高精度な位置にパターンを描画できる。

ここで、上述した例では、予め基板重量を測定した後に、基板１０１を描画装置１００にセットしているが、描画装置１００内で基板１０１の重量を測定してもよい。例えば、搬送ロボット１４２のロボットハンド１４３に重量センサを取り付ける。

図６は、重量センサを備えたロボットハンドの一例を示す概念図である。例えば、搬送ロボット１４２のロボットハンド１４３に重量センサ１４４を設置することで、搬送する際に基板１０１の重量を測定できる。そして、補正係数演算部１２は、測定された重量を入力して、補正係数Ｃｏｅｆｆ（ｗ）を演算すればよい。

或いは、基板１０１の搬送途中のいずれかのチャンバ内で基板１０１の重量を測定してもよい。例えば、図１に示すように、Ｌ／Ｌチャンバ１３０の支持ピン１３３の下に重量センサ１３１を設置しても好適である。これにより、Ｌ／Ｌチャンバ１３０の支持ピン１３３に基板１０１を搬送した際に基板１０１の重量を測定できる。そして、補正係数演算部１２は、測定された重量を入力して、補正係数Ｃｏｅｆｆ（ｗ）を演算すればよい。また、Ｌ／Ｌチャンバ１３０内に限らず、描画室１０３、搬出入口１２０、或いはアライメントチャンバ１４６内で同様に測定しても好適である。

以上のように、装置内で測定された基板重量をフィードバックして基板重量を用いた加速度依存の位置補正を行なうことで加速中、或いは減速中の描画位置の誤差を補正しても好適である。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、重量測定工程（Ｓ１０２）から補正係数演算工程（Ｓ１０６）までの工程と、偏向量演算工程（Ｓ１１０）と、加速度演算工程（Ｓ１２０）とは、並列で行ってもシリーズで実施しても構わない。なお、並列で実施することで描画しながらリアルタイムで処理し易いのでより好適である。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画方法は、本発明の範囲に包含される。

１０ 描画処理部
１２ 補正係数演算部
１４ メモリ
２０ 偏向量演算部
２２ 加速度演算部
２４ 補正部
１００ 描画装置
１０１ 基板
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１０６，１３３ 支持ピン
１０７ ミラー
１０９ 記憶装置
１１０ 制御計算機ユニット
１１２ 偏向制御回路
１１４ ＤＡＣ
１１６ レーザ測長装置
１１８ 制御回路
１２０ 搬出入口
１２２，１４２ 搬送ロボット
１３０ ロードロックチャンバ
１３１，１４４ 重量センサ
１３２，１３４，１３６ ゲートバルブ
１４０ ロボットチャンバ
１４３ ロボットハンド
１４６ アライメントチャンバ
１５０ 描画部
１６０ 制御部
１７０ 真空ポンプ
１７２，１７４，１７６ バルブ
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０８ 偏向器
３３０ 電子線
３４０ 試料
４１０ 第１のアパーチャ
４１１ 開口
４２０ 第２のアパーチャ
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース

Claims (5)

1. 荷電粒子ビームを放出する放出部と、
   基板重量を入力し、前記基板重量を用いて前記基板重量の基板にパターンを描画した際の位置ずれを補正する補正係数を演算する補正係数演算部と、
   前記補正係数を用いて前記荷電粒子ビームの第１の偏向量を補正する補正部と、
   補正された第２の偏向量で前記荷電粒子ビームを偏向し、前記基板上に前記荷電粒子ビームを照射する偏向器と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 前記基板重量を測定する重量センサをさらに備え、
   前記補正係数演算部は、測定された前記基板重量を入力することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 前記基板を載置し、移動可能なステージと、
   前記ステージの位置を測定する測定部と、
   測定された前記ステージの位置に基づいて前記ステージを移動する際の加速度を演算する加速度演算部と、
   をさらに備えたことを特徴とする請求項１又は２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
4. 前記第１の偏向量を演算する偏向量演算部をさらに備え、
   前記補正部は、前記第１の偏向量に、前記加速度と前記補正係数とを用いた補正量を加算することを特徴とする請求項３記載の荷電粒子ビーム描画装置。
5. 荷電粒子ビームを放出する工程と、
   基板重量を入力し、前記基板重量を用いて前記基板重量の基板にパターンを描画した際の位置ずれを補正する補正係数を演算する工程と、
   前記補正係数を用いて前記荷電粒子ビームの第１の偏向量を補正する工程と、
   偏向器を用いて、補正された第２の偏向量で前記荷電粒子ビームを偏向し、前記基板上に前記荷電粒子ビームを照射する工程と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。