JP2011151063A - サイリスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 P型の矩形状の第1領域中にN型のエミッタ領域21,22が形成された半導体基板10と、第1領域上に形成されたゲート電極12と、エミッタ領域22上に形成されたカソード電極14とを有し、ゲート電極12が第1領域のコーナーに配置されたサイリスタ100であって、第1領域とエミッタ領域21とにまたがって配置された補助電極13を備え、補助電極13が、ゲート電極12に対向するゲート対向部13aと、ゲート電極12に対向することなく、カソード電極14の外縁に沿って延伸させたアーム部13bとからなる。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1によるサイリスタの一構成例を示した平面図であり、ゲート電極12が矩形領域20内のコーナーに配置されたコーナーゲート型のサイリスタ100が示されている。図2は、図1のサイリスタ100の構成例を示した断面図であり、A−A線による切断面の様子が示されている。
図3(a)及び(b)は、図1のサイリスタ100の動作の一例を模式的に示した説明図であり、雷サージなどのサージ電圧が順方向に印加された際に流れる電流の様子が示されている。図3(a)には、ゲート電流iが接合面5に沿って半導体層1中を流れる様子が示されている。
図6は、図1のサイリスタ100の動作の一例を示した図であり、サイズが10mm角のサイリスタについて、エミッタ領域22の周囲長を異ならせながら測定した雷サージ耐量の測定結果が示されている。
実施の形態1では、補助電極13のアーム部13bを半導体基板10の第1頂点に隣接する辺に沿って延伸させる場合の例について説明した。これに対し、本実施の形態では、ゲート電極12が配置された矩形領域20内の第1コーナーの隣の第2コーナーを回り込んでアーム部13bを形成する場合について説明する。
4 絶縁性の部材
5 接合面
10 半導体基板
11 メサ溝
12 ゲート電極
12a 斜辺
13 補助電極
13a ゲート対向部
13b アーム部
13c 回り込み部
14 カソード電極
20 矩形領域
21,22 エミッタ領域
23 貫通孔
31 アノード電極
100 サイリスタ
B1,B2 周縁部
Claims (5)
- 第1導電型の矩形領域が形成され、上記矩形領域内に第2導電型からなる第1領域及び第2領域が形成された主面を有する半導体基板と、
上記矩形領域内の第1導電型からなるコーナーに形成されたゲート電極と、
第1領域上に形成されたカソード電極と、
第2領域及び第2領域の上記カソード電極側に隣接する第1導電型の領域にまたがって形成された補助電極とを備え、
上記補助電極は、上記ゲート電極及び上記カソード電極に挟まれたゲート対向部と、
上記ゲート電極に対向することなく、上記カソード電極の外縁に沿って延伸しているアーム部とからなることを特徴とするサイリスタ。 - 上記ゲート電極は、直角三角形の形状からなり、
上記ゲート対向部は、上記直角三角形の斜辺に沿って延伸していることを特徴とする請求項1に記載のサイリスタ。 - 上記ゲート対向部は、上記ゲート電極側が第2領域上に形成され、上記カソード電極側が第1導電型の領域上に形成され、
上記アーム部は、第1導電型の領域上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のサイリスタ。 - 上記アーム部は、上記ゲート対向部の両端にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項1に記載のサイリスタ。
- 上記アーム部は、上記コーナーに隣接する上記矩形領域内のコーナーを回り込んで形成されていることを特徴とする請求項1に記載のサイリスタ。
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-
2010
- 2010-01-19 JP JP2010009033A patent/JP2011151063A/ja active Pending
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