JP2011150282A - レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】優れた解像度を有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、
酸発生剤と、式（Ｉ’）で表される化合物とを含有するレジスト組成物。［式（Ｉ’）中、Ｒ’^１、Ｒ’^２、Ｒ’^３及びＲ’^４は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₈アルキル基を表す。Ａ’^１は、置換基を有していてもよい２価のＣ_３〜Ｃ_３６飽和環状炭化水素基又は置換基を有していてもよい２価のＣ_６〜Ｃ_２０芳香族炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。］

【選択図】なし

Description

本発明は、レジスト組成物に関する。

特許文献１には、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、塩基性化合物としてテトラブチルアンモニウムヒドロキシドとを含むレジスト組成物が記載されている。

特開平７−２８２４７号公報

従来のレジスト組成物では、得られるパターンの解像度が必ずしも満足できない場合があった。

本発明は、以下の発明を含む。
［１］ 酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、
酸発生剤と、式（Ｉ’）で表される化合物とを含有するレジスト組成物。

［式（Ｉ’）中、Ｒ’^１、Ｒ’^２、Ｒ’^３及びＲ’^４は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₈アルキル基を表す。
Ａ’^１は、置換基を有していてもよい２価のＣ_３〜Ｃ_３６飽和環状炭化水素基又は置換基を有していてもよい２価のＣ_６〜Ｃ_２０芳香族炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。］

［２］ 式（Ｉ’）で表される化合物が式（Ｉ）で表される化合物である［１］記載のレジスト組成物。

［式（Ｉ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₆アルキル基を表す。
Ａ^１は、置換基を有していてもよい２価のＣ_３〜Ｃ_３６飽和環状炭化水素基又は置換基を有していてもよい２価のＣ_６〜Ｃ_２０芳香族炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。］

［３］ 樹脂が式（ａ２−０）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂である［１］又は［２］記載のレジスト組成物。

［式（ａ２−０）中、
Ｒ^８は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよいＣ₁〜Ｃ₆アルキル基を表す。
Ｒ^９は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₆アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₆アルコキシ基、Ｃ₂〜Ｃ₄アシル基、Ｃ₂〜Ｃ₄アシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
ｍａは０〜４の整数を表す。ｍａが２以上の整数である場合、複数のＲ^９は同一であっても異なってもよい。］

［４］ 樹脂が式（ａ１−１）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂である［１］〜［３］のいずれか記載のレジスト組成物。

［式（ａ１−１）中、Ｌ^a1は、^＊−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a4は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6は、Ｃ₁〜Ｃ₈脂肪族炭化水素基、又はＣ₃〜Ｃ₁₀飽和環状炭化水素基を表し、ｍ１は０〜１４の整数を表す。］

［５］（１）［１］〜［４］のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を得る工程、
（３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、
（５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。

［６］ ［１］〜［４］のいずれか記載のレジスト組成物のＥＢ又はＥＵＶ露光機を用いてレジストパターンを製造するための使用。

［７］ 式（Ｉ−１２）で表される化合物。

［式（Ｉ−１２）中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₆アルキル基を表す。］

本発明のレジスト組成物によれば、優れた解像度を有するパターンを得ることができる。

本発明のレジスト組成物は、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、式（Ｉ’）で表される化合物とを含有する。
尚、本明細書において、「Ｃ_ａ〜Ｃ_ｂ」は、「炭素数がａ〜ｂ」を意味する。

〈樹脂（以下「樹脂（Ａ）」という場合がある。〉
樹脂（Ａ）は、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂である。酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂は、酸に不安定な基を有するモノマー（以下「モノマー（ａ１）」という場合がある）を重合することによって製造でき、酸の作用によりアルカリ可溶となる。「酸の作用によりアルカリ可溶となる」とは、「酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となる」ことを意味する。酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

〈酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）〉
「酸に不安定な基」とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基（例えばヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、式（１）で表される基（以下「酸に不安定な基（１）」という場合がある。）が挙げられる。

式（１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基又は飽和環状炭化水素基を表すか、或いはＲ^a1及びＲ^a2は互いに結合して環を形成していてもよい。＊は結合手を表す。

酸に不安定な基（１）としては、例えば式（１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3がアルキル基、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基である基、式（１）中、Ｒ^a1、Ｒ^a2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ｒ^a3がアルキル基である基、式（１）中、Ｒ^a1及びＲ^a2がアルキル基であり、Ｒ^a3がアダマンチル基である基などが挙げられる。

モノマー（ａ１）は、好ましくは、酸に不安定な基（１）と炭素−炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基（１）を有する（メタ）アクリル系モノマーである。なお本明細書において「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「ＣＨ₂＝ＣＨ−ＣＯ−」又は「ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）−ＣＯ−」の構造を有するモノマーの少なくとも１種を意味する。「（メタ）アクリレート」は「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも１種」を意味し、「（メタ）アクリル酸」は「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種」を意味する。

酸に不安定な基（１）を有する（メタ）アクリル系モノマーの中でも、Ｃ₅〜Ｃ₂₀飽和環状炭化水素基を有するものが好ましい。飽和環状炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマー（ａ１）を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。飽和環状炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよい。単環式の飽和環状炭化水素基としては、シクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基）などが挙げられる。多環式の飽和環状炭化水素基としては、縮合芳香族炭化水素基を水素化して得られる基（例えばヒドロナフチル基）、橋かけ環状炭化水素基（例えばアダマンチル基、ノルボルニル基）などが挙げられる。さらに下記のような、橋かけ環（例えばノルボルナン環）と単環（例えばシクロヘプタン環やシクロヘキサン環）又は多環（例えばデカヒドロナフタレン環）とが縮合した形状の基、或いは橋かけ環同士が縮合した形状の基も、飽和環状炭化水素基に含まれる。

酸に不安定な基（１）と飽和環状炭化水素基とを有する（メタ）アクリル系モノマーの中でも、式（ａ１−１）又は式（ａ１−２）で表される酸に不安定な基を有するモノマー（以下、「モノマー（ａ１−１）」及び「モノマー（ａ１−２）」という場合がある。）が好ましい。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、^＊−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₈脂肪族炭化水素基、又はＣ₃〜Ｃ₁₀飽和環状炭化水素基を表し、ｍ１は０〜１４の整数を表し、ｎ１は０〜１０の整数を表す。

Ｌ^a1及びＬ^a2は、好ましくは、^＊−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_f1−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４の整数である）、より好ましくは^＊−Ｏ−である。

Ｒ^a4及びＲ^a5は、好ましくはメチル基である。Ｒ^a6及びＲ^a7の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６以下であり、飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは８以下、より好ましくは６以下である。Ｒ^a6及びＲ^a7の脂肪族炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、２，２−ジメチルエチル基、プロピル基、１−メチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、１−エチルプロピル基、ブチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１−プロピルブチル基、ペンチル基、１−メチルペンチル基、ヘキシル基、１，４−ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、１−メチルヘプチル基、オクチル基などが挙げられる。Ｒ^a6及びＲ^a7の飽和環状炭化水素基としては、例えばシクロヘプチル基、メチルシクロヘプチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基などが挙げられる。

ｍ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。ｎ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。ｋ１は、好ましくは１〜４の整数、より好ましくは１である。

モノマー（ａ１−１）としては、例えば以下のものが挙げられ、これらの中でも、２−メチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、２−エチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、及び２−イソプロピル−２−アダマンチル（メタ）アクリレートが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。

モノマー（ａ１−２）としては、例えば以下のものが挙げられ、これらの中でも１−エチル−１−シクロヘキシル（メタ）アクリレートが好ましく、１−エチル−１−シクロヘキシルメタクリレートがより好ましい。

樹脂におけるモノマー（ａ１−１）又はモノマー（ａ１−２）に由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％である。

酸に不安定な基（１）と炭素−炭素二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、式（ａ１−３）で表されるノルボルネン環を有するモノマー（以下「モノマー（ａ１−３）」という場合がある。）が挙げられる。モノマー（ａ１−３）に由来する構造単位を有する樹脂は、嵩高い構造を有するので、レジストの解像度を向上させることができる。さらにモノマー（ａ１−３）は、樹脂の主鎖に剛直なノルボルナン環を導入してレジストのドライエッチング耐性を向上させることができる。

式（ａ１−３）中、Ｒ^a9は、水素原子、置換基（例えばヒドロキシ基）を有していてもよいＣ₁〜Ｃ₃脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基、又は−ＣＯＯＲ^a13を表し、Ｒ^a13は、Ｃ₁〜Ｃ₈脂肪族炭化水素基又はＣ₃〜Ｃ₈飽和環状炭化水素基を表し、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基の水素原子はヒドロキシ基で置換されていてもよく、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｒ^a10〜Ｒ^a12は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₁₂脂肪族炭化水素基又はＣ₃〜Ｃ₁₂飽和環状炭化水素基を表すか、或いはＲ^a10及びＲ^a11は互いに結合して環を形成していてもよく、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基の水素原子はヒドロキシ基等で置換されていてもよく、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。

Ｒ^a9の置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ｒ^a13としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、２−オキソ−オキソラン−３−イル基、又は２−オキソ−オキソラン−４−イル基などが挙げられる。

Ｒ^a10〜Ｒ^a12としては、例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。Ｒ^a10、Ｒ^a11及びこれらが結合する炭素が形成する飽和環状炭化水素基としては、シクロへキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。

モノマー（ａ１−３）としては、例えば、５−ノルボルネン−２−カルボン酸−ｔｅｒｔ−ブチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−シクロヘキシル−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチルシクロヘキシル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−メチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−エチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−メチルシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチル−１−（４−オキソシクロヘキシル）エチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチルなどが挙げられる。

樹脂におけるモノマー（ａ１−３）に由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％である。

酸に不安定な基（１）と炭素−炭素二重結合とを有するモノマーとしては、式（ａ１−４）で表されるモノマー（以下「モノマー（ａ１−４）」という場合がある。）が挙げられる。

［式（ａ１−４）中、Ｒ¹⁰は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよいＣ₁〜Ｃ₆アルキル基を表す。
Ｒ¹¹は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₆アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₆アルコキシ基、Ｃ₂〜Ｃ₄アシル基、Ｃ₂〜Ｃ₄アシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
ｌ^ａは０〜４の整数を表す。ｌ^ａが２以上の整数である場合、複数のＲ¹¹は同一であっても異なってもよい。
Ｒ¹²及びＲ¹³はそれぞれ独立に、水素原子又はＣ₁〜Ｃ₁₂炭化水素基を表す。
Ｘ^ａ２は、単結合又は置換基を有していてもよい２価のＣ₁〜Ｃ₁₇飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−又は−Ｎ（Ｒ^ｃ）−で置き換わっていてもよい。Ｒ^ｃは、水素原子又はＣ₁〜Ｃ₆アルキル基を表す。
Ｙ^ａ３は、Ｃ₁〜Ｃ₁₂脂肪族炭化水素基、Ｃ₃〜Ｃ₁₈飽和環状炭化水素基又はＣ₆〜Ｃ₁₈芳香族炭化水素基であり、該脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。］

ハロゲン原子を有してもよいＣ₁〜Ｃ₆アルキル基としては、例えばペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
Ｃ₁〜Ｃ₆アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、等が挙げられ、Ｃ₁〜Ｃ₄アルキル基が好ましく、Ｃ₁〜Ｃ₂アルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ｃ₁〜Ｃ₆アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基、等が挙げられ、Ｃ₁〜Ｃ₄アルコキシ基が好ましく、Ｃ₁〜Ｃ₂アルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
Ｃ₂〜Ｃ₄アシル基としては、例えば、アセチル、プロピオニル、ブチリル等が挙げられる。
Ｃ₂〜Ｃ₄アシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ等が挙げられる。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等のＣ₁〜Ｃ₁₂脂肪族炭化水素基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、２−アルキル−２−アダマンチル基、１−（１−アダマンチル）−１−アルキル基、イソボルニル基等が挙げられる。
２価のＣ₁〜Ｃ₁₇飽和炭化水素基としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基、ヘプタデカン−１，１７−ジイル基等のアルカンジイル基が挙げられる。
Ｃ₃〜Ｃ₁₈飽和環状炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、イソボルニル基、下記に示す基等が挙げられる。

Ｃ₆〜Ｃ₁₈芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等が挙げられる。

モノマー（ａ１−４）としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。

樹脂におけるモノマー（ａ１−４）に由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％である。

樹脂（Ａ）は、好ましくは、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）と、酸に不安定な基を有さないモノマー（以下「酸安定モノマー」という場合がある）との共重合体である。酸安定モノマーは、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
樹脂（Ａ）が酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）に由来する構造単位は、全構造単位１００モル％に対して、好ましくは１０〜８０モル％、より好ましくは２０〜６０モル％である。またアダマンチル基を有するモノマー（特に酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１−１））に由来する構造単位を、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）１００モル％に対して１５モル％以上とすることが好ましい。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。

酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するものが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（以下「モノマー（ａ２）」という場合がある。）又はラクトン環を含有する酸安定モノマー（以下「モノマー（ａ３）」という場合がある。）に由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。

〈ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）〉
レジスト組成物をＫｒＦエキシマレーザー露光（２４８ｎｍ）、電子線あるいはＥＵＶ光などの高エネルギー線露光に用いる場合、モノマー（ａ２）として、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性水酸基を有する酸安定モノマー（ａ２−０）（以下「モノマー（ａ２−０）」という場合がある。）を使用することが好ましい。短波長のＡｒＦエキシマレーザー露光（１９３ｎｍ）などを用いる場合は、モノマー（ａ２）として、式（ａ２−１）で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー（以下「モノマー（ａ２−１）」という場合がある。）を使用することが好ましい。モノマー（ａ２）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

モノマー（ａ２−０）として、式（ａ２−０）で表されるｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーが挙げられる。

［式（ａ２−０）中、
Ｒ^８は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよいＣ₁〜Ｃ₆アルキル基を表す。
Ｒ^９は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₆アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₆アルコキシ基、Ｃ₂〜Ｃ₄アシル基、Ｃ₂〜Ｃ₄アシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
ｍａは０〜４の整数を表す。ｍａが２以上の整数である場合、複数のＲ^９は同一であっても異なってもよい。］

ハロゲン原子を有してもよいＣ₁〜Ｃ₆アルキル基としては、例えばペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
Ｃ₁〜Ｃ₆アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、等が挙げられ、Ｃ₁〜Ｃ₄アルキル基が好ましく、Ｃ₁〜Ｃ₂アルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ｃ₁〜Ｃ₆アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基、等が挙げられ、Ｃ₁〜Ｃ₄アルコキシ基が好ましく、Ｃ₁〜Ｃ₂アルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
Ｃ₂〜Ｃ₄アシル基としては、例えば、アセチル、プロピオニル、ブチリル等が挙げられる。
Ｃ₂〜Ｃ₄アシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ等が挙げられる。
ｍａは０〜２が好ましく、０又は１がより好ましく、０が特に好ましい。

このようなフェノール性水酸基を有するモノマーに由来する構造単位を有する共重合樹脂を得る場合は、酸に不安定な基を有する（メタ）アクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレンをラジカル重合した後、塩基によって脱アセチルすることによって得ることができる。もしくは、該当するモノマーを重合することで得ることができる。
フェノール性水酸基を有するモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。

以上のモノマーのうち、４−ヒドロキシスチレン又は４−ヒドロキシ−α−メチルスチレンが特に好ましい。

樹脂におけるモノマー（ａ２−０）に由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常５〜９０モル％であり、好ましくは１０〜８５モル％であり、より好ましくは１５〜８０モル％である。

モノマー（ａ２−１）として、式（ａ２−１）で表されるモノマーが挙げられる。

式（ａ２−１）中、Ｌ^a3は、^＊−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ２は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ^a15及びＲ^a16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。ｏ１は、０〜１０の整数を表す。

Ｌ^a3は、好ましくは、^＊−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_f1−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４の整数である）、より好ましくは^＊−Ｏ−である。Ｒ^a14は、好ましくはメチル基である。Ｒ^a15は、好ましくは水素原子である。Ｒ^a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。ｏ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。

モノマー（ａ２−１）としては、例えば以下のものが挙げられ、これらの中でも、３−ヒドロキシ−１−アダマンチル（メタ）アクリレート、３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチル（メタ）アクリレート及び（メタ）アクリル酸１−（３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチルオキシカルボニル）メチルが好ましく、３−ヒドロキシ−１−アダマンチル（メタ）アクリレート及び３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチル（メタ）アクリレートがより好ましく、３−ヒドロキシ−１−アダマンチルメタクリレート及び３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチルメタクリレートがさらに好ましい。

樹脂におけるモノマー（ａ２−１）に由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常３〜４０モル％であり、好ましくは５〜３５モル％であり、より好ましくは５〜３０モル％である。

〈ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）〉
モノマー（ａ３）が有するラクトン環は、例えばβ−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、或いは単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ−ブチロラクトン環、及びγ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。

モノマー（ａ３）は、好ましくは式（ａ３−１）、式（ａ３−２）又は式（ａ３−３）で表される（以下、「モノマー（ａ３−１）」、「モノマー（ａ３−２）」又は「モノマー（ａ３−３）」という場合がある。）。これらの１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）中、Ｌ^a4〜Ｌ^a6は、それぞれ独立に、^＊−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ３は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。Ｒ^a18〜Ｒ^a20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ^a21は、Ｃ₁〜Ｃ₄脂肪族炭化水素基を表し、ｐ１は０〜５の整数を表す。Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立にカルボキシ基、シアノ基又はＣ₁〜Ｃ₄脂肪族炭化水素基を表し、ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｐ１、ｑ１又はｒ１が２以上のとき、それぞれ、複数のＲ^a21、Ｒ^a22又はＲ^a23は、互いに同一でも異なってもよい。

Ｌ^a4〜Ｌ^a6としては、Ｌ^a3で説明したものが挙げられる。Ｌ^a4〜Ｌ^a6は、それぞれ独立に、^＊−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_d1−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましく（前記ｄ１は、１〜４の整数である）、より好ましくは^＊−Ｏ−である。Ｒ^a18〜Ｒ^a20は、好ましくはメチル基である。Ｒ^a21は、好ましくはメチル基である。Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。ｐ１〜ｒ１は、それぞれ独立に、好ましくは０〜２、より好ましくは０又は１である。

モノマー（ａ３−１）としては、例えば以下のものが挙げられる。

モノマー（ａ３−２）としては、例えば以下のものが挙げられる。

モノマー（ａ３−３）としては、例えば以下のものが挙げられる。

ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）の中でも、（メタ）アクリル酸（５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロ−２−オキソ−３−フリル、（メタ）アクリル酸２−（５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イルオキシ）−２−オキソエチルが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。

樹脂におけるモノマー（ａ３−１）、モノマー（ａ３−２）又はモノマー（ａ３−３）に由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常５〜５０モル％であり、好ましくは１０〜４５モル％であり、より好ましくは１５〜４０モル％である。

〈その他の酸安定モノマー（ａ４）〉
その他の酸安定モノマー（ａ４）としては、例えば、式（ａ４−１）で表される無水マレイン酸、式（ａ４−２）で表される無水イタコン酸、又は式（ａ４−３）で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー（以下「モノマー（ａ４−１）」、「モノマー（ａ４−２）」又は「モノマー（ａ４−３）」という場合がある。）などが挙げられる。

式（ａ４−３）中、Ｒ^a25及びＲ^a26は、それぞれ独立に、水素原子、置換基（例えばヒドロキシ基）を有していてもよいＣ₁〜Ｃ₃脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基、又はアルコキシカルボニル基（−ＣＯＯＲ^a27）を表すか、或いはＲ^a25及びＲ^a26は互いに結合して−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−を形成し、Ｒ^a27は、Ｃ₁〜Ｃ₃₆脂肪族炭化水素基又はＣ₃〜Ｃ₃₆飽和環状炭化水素基を表し、脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。但し−ＣＯＯＲ^a27が酸不安定基となるものは除く（即ちＲ^a27は、３級炭素原子が−Ｏ−と結合するものを含まない）。

Ｒ^a25及びＲ^a26の置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、などが挙げられる。Ｒ^a27の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜８より好ましくは１〜６であり、飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは４〜３６、より好ましくは４〜１２である。Ｒ^a27としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、２−オキソ−オキソラン−３−イル基、２−オキソ−オキソラン−４−イル基などが挙げられる。

モノマー（ａ４−３）としては、例えば２−ノルボルネン、２−ヒドロキシ−５−ノルボルネン、５−ノルボルネン−２−カルボン酸、５−ノルボルネン−２−カルボン酸メチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ヒドロキシ−１−エチル、５−ノルボルネン−２−メタノール、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物などが挙げられる。

樹脂におけるモノマー（ａ４−１）、モノマー（ａ４−２）又はモノマー（ａ４−３）に由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常２〜４０モル％であり、好ましくは３〜３０モル％であり、より好ましくは５〜２０モル％である。

好ましい樹脂（Ａ）は、少なくとも、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）及び／又はラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）を重合させた共重合体である。この好ましい共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマー（ａ１−１）及びシクロへキシル基を有するモノマー（ａ１−２）の少なくとも１種（さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマー（ａ１−１））であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）は、好ましくはフェノール性水酸基を有する酸安定モノマー（ａ２−１）であり、ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３−１）及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー（ａ３−２）の少なくとも１種である。樹脂（Ａ）は、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造できる。

樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、例えば２０００以上、好ましくは２，５００以上、より好ましくは３，０００以上であり、例えば３０，０００以下、好ましくは１５，０００以下、より好ましくは９，０００以下、特に好ましくは６,０００以下である。

樹脂（Ａ）の含有量は、組成物の固形分中８０質量％以上であることが好ましい。なお本明細書において「組成物中の固形分」とは、溶剤（Ｅ）を除いた組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分、及びこれに対する樹脂（Ａ）の含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。

〈酸発生剤（以下「酸発生剤（Ｂ）」という場合がある）〉
酸発生剤（Ｂ）は、非イオン系とイオン系とに分類される。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類（例えば２−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、Ｎ−スルホニルオキシイミド、Ｎ−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ＤＮＱ ４−スルホネート）、スルホン類（例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン）等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩（例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩）が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等がある。

酸発生剤（Ｂ）としては、例えば特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号や、米国特許第３，７７９，７７８号、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、欧州特許第１２６，７１２号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。

酸発生剤（Ｂ）は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式（Ｂ１）で表されるスルホン酸塩である。

式（Ｂ１）中、Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又はＣ₁〜Ｃ₆ペルフルオロアルキル基を表す。ペルフルオロアルキル基としては、例えばペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。

式（Ｂ１）中、Ｙは、Ｃ₁〜Ｃ_１８脂肪族炭化水素基又はＣ₃〜Ｃ_１８飽和環状炭化水素基を表す。Ｙは、−ＣＨ_２−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった飽和環状炭化水素基でもよい。即ちＹは、例えば環状エーテルの基（−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換わった基）、オキソ基を有する飽和環状炭化水素基（−ＣＨ_２−が−ＣＯ−で置き換わった基）、スルトン環の基（隣り合う２つの−ＣＨ_２−が、それぞれ、−Ｏ−又は−ＳＯ_２−で置き換わった基）又はラクトン環の基（隣り合う２つの−ＣＨ_２−が、それぞれ、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基）であってもよい。

Ｙの脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ−ペンチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−エチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、ｎ−ヘプチル基等のＣ₁〜Ｃ₆アルキル基が挙げられる。

Ｙの飽和環状炭化水素基としては、例えば式（Ｙ１）〜式（Ｙ２６）で表される基が挙げられる。

飽和環状炭化水素基は、好ましくは式（Ｙ１）〜式（Ｙ１９）のいずれかで表される基であり、より好ましくは式（Ｙ１１）、式（Ｙ１４）、式（Ｙ１５）又は式（Ｙ１９）で表される基であり、さらに好ましくは式（Ｙ１１）又は式（Ｙ１４）で表される基である。

Ｙは、置換基を有していてもよい。Ｙの置換基としては、例えばハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基含有Ｃ₁〜Ｃ₁₂脂肪族炭化水素基、Ｃ₃〜Ｃ₁₆飽和環状炭化水素基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₆〜Ｃ₁₈芳香族炭化水素基、Ｃ₇〜Ｃ₂₁アラルキル基、Ｃ₂〜Ｃ₄アシル基、グリシジルオキシ基、或いは−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^b1基（式中、Ｒ^b1は、Ｃ₁〜Ｃ₁₆脂肪族炭化水素基、Ｃ₃〜Ｃ₁₆飽和環状炭化水素基或いはＣ₆〜Ｃ₁₈芳香族炭化水素基を表す。ｊ２は、０〜４の整数を表す。）などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、樹脂（Ａ）で説明したものなどが例示できる。ヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基としては、例えばヒドロキシメチル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基などが挙げられる。アラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基などが挙げられる。アシル基としては、例えばアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基などが挙げられる。複数の置換基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｙの置換基である脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。

以下、置換基を有するＹを例示する。

Ｙは、好ましくは置換基を有していてもよいアダマンチル基であり、より好ましくはアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。

式（Ｂ１）中、Ｌ^b1は、単結合、或いは２価のＣ₁〜Ｃ₁₇飽和炭化水素基を表す。２価の飽和炭化水素基としては、まず直鎖状アルカンジイル基、例えばメチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基、ヘプタデカン−１，１７−ジイル基が挙げられる。Ｌ^b1は、分枝鎖状アルカンジイル基でもよい。分枝鎖状アルカンジイル基としては、例えば、前記直鎖状アルカンジイル基に、Ｃ₁〜Ｃ₄アルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等）の側鎖を付け加えたものが挙げられる。環式の２価の飽和炭化水素基としては、シクロアルカンジイル基（例えばシクロヘキサンジイル基）、２価の橋かけ環状炭化水素基（例えばアダマンタンジイル基）が挙げられる。Ｌ^b1はこれらの基のうち２種以上を組み合わせたものでもよい。

Ｌ^b1の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｌ^b1は、好ましくは式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）のいずれか、より好ましくは式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−４）のいずれか、さらに好ましくは式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−２）で表される。なお式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）は、その左右を式（Ｂ１）に合わせて記載しており、左側でＣ（Ｑ¹）（Ｑ²）−と結合し、右側で−Ｙと結合する。以下の式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）の具体例も同様である。

式（ｂ１−１）、Ｌ^b2は、単結合、又はＣ₁〜Ｃ₁₅アルカンジイル基を表す。
式（ｂ１−２）中、Ｌ^b3は、単結合、又はＣ₁〜Ｃ₁₂アルカンジイル基を表し、Ｌ^b4は、Ｃ₁〜Ｃ₁₃アルカンジイル基を表す。但しＬ^b3及びＬ^b4の炭素数上限は１３以下である。
式（ｂ１−３）中、Ｌ^b5は、Ｃ₁〜Ｃ₁₅アルカンジイル基を表す。
式（ｂ１−４）中、Ｌ^b6及びＬ^b7は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₁₅アルカンジイル基を表す。但しＬ^b6及びＬ^b7の炭素数上限は１６以下である。
式（ｂ１−５）中、Ｌ^b8は、Ｃ₁〜Ｃ₁₄アルカンジイル基を表す。
式（ｂ１−６）中、Ｌ^b9及びＬ^b10は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₁₁アルカンジイル基を表す。但しＬ^b6及びＬ^b7の炭素数上限は１２以下である。
これらの中でも式（ｂ１−１）で表される２価の基が好ましく、Ｌ^b2が単結合又は−ＣＨ_２−である式（ｂ１−１）で表される２価の基がより好ましい。

式（ｂ１−１）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−２）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−４）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−５）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−６）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

スルホン酸アニオンは、式（ｂ１−１）で表される２価の基を有するものが好ましく、式（ｂ１−１−１）〜式（ｂ１−１−９）で表されるものがより好ましい。

式（ｂ１−１−１）〜式（ｂ１−１−９）中、Ｑ¹、Ｑ²及びＬ^b2は、前記と同じである。Ｒ^b2及びＲ^b3は、それぞれ独立にＣ₁〜Ｃ₄脂肪族炭化水素基（好ましくはメチル基）を表す。

次に具体的なスルホン酸アニオンを例示する。

上述のもののなかでも、式（ｂ１−１）で表される２価の基を有する以下のスルホン酸アニオンが好ましい。

次に酸発生剤（Ｂ）に含まれるカチオンについて説明する。酸発生剤のカチオンとしては、オニウムカチオン、例えばスルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。

式（Ｂ１）中のＺ⁺は、好ましくは式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）のいずれかで表されることが好ましい。

式（ｂ２−１）中、Ｒ^b4〜Ｒ^b6は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₃₀脂肪族炭化水素基、Ｃ₃〜Ｃ₃₆飽和環状炭化水素基又はＣ₆〜Ｃ₁₈芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基又はＣ₆〜Ｃ₁₈芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、Ｃ₂〜Ｃ₄アシル基、又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₃₆脂肪族炭化水素基、Ｃ₃〜Ｃ₃₆飽和環状炭化水素基又はＣ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基で置換されていてもよい。

式（ｂ２−２）中、Ｒ^b7及びＲ^b8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂脂肪族炭化水素基又はＣ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基を表し、ｍ２及びｎ２は、それぞれ独立に０〜５の整数を表す。

式（ｂ２−３）中、Ｒ^b9及びＲ^b10は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₃₆脂肪族炭化水素基又はＣ₃〜Ｃ₃₆飽和環状炭化水素基を表す。Ｒ^b11は、水素原子、Ｃ₁〜Ｃ₃₆脂肪族炭化水素基、Ｃ₃〜Ｃ₃₆飽和環状炭化水素基或いはＣ₆〜Ｃ₁₈芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^b9〜Ｒ^b11の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜１２であり、飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜３６、より好ましくは４〜１２である。Ｒ^b12は、Ｃ₁〜Ｃ₁₂脂肪族炭化水素基、Ｃ₃〜Ｃ₁₈飽和環状炭化水素基或いはＣ₆〜Ｃ₁₈芳香族炭化水素基を表す。前記芳香族炭化水素基は、Ｃ₁〜Ｃ₁₂脂肪族炭化水素基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₃〜Ｃ₁₈飽和環状炭化水素基又はアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Ｒ^b9とＲ^b10と、及びＲ^b11とＲ^b12とは、それぞれ独立に、互いに結合して３員環〜１２員環（好ましくは３員環〜７員環）を形成していてもよく、これらの環の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。

式（ｂ２−４）中、Ｒ^b13〜Ｒ^b18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂脂肪族炭化水素基又はＣ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基を表す。Ｌ^b11は、−Ｓ−又は−Ｏ−を表す。ｏ２、ｐ２、ｓ２、及びｔ２は、それぞれ独立に、０〜５の整数を表し、ｑ２及びｒ２は、それぞれ独立に、０〜４の整数を表し、ｕ２は０又は１を表す。ｏ２〜ｔ２のいずれかが２であるとき、それぞれ、複数のＲ^b13〜Ｒ^b18のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。

次に式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）に含まれる置換基を説明する。脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基としては、上述したものを例示できる。好ましい脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、及び２−エチルヘキシル基である。好ましい飽和環状炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、２−アルキル−２−アダマンチル基、１−（１−アダマンチル）−１−アルキル基、及びイソボルニル基である。好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−シクロへキシルフェニル基、４−メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。置換基が芳香族炭化水素基である脂肪族炭化水素基（アラルキル基）としては、ベンジル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブチトキシ基、ｔｅｒｔ−ブチトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基などが挙げられる。Ｒ^b9及びＲ^b10が形成する環としては、例えばチオラン−１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環、１，４−オキサチアン−４−イウム環などが挙げられる。Ｒ^b11及びＲ^b12が形成する環としては、例えばオキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。

カチオン（ｂ２−１）〜カチオン（ｂ２−４）の中でも、カチオン（ｂ２−１）が好ましく、式（ｂ２−１−１）で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝ｘ２＝０）がさらに好ましい。

式（ｂ２−１−１）中、Ｒ^b19〜Ｒ^b21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₃₆脂肪族炭化水素基、Ｃ₃〜Ｃ₃₆飽和環状炭化水素基又はＣ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基を表す。前記脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜１２であり、飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは４〜３６である。前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基或いはＣ₆〜Ｃ₁₈芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、Ｃ₂〜Ｃ₄アシル基、又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。ｖ２〜ｘ２は、それぞれ独立に０〜５の整数（好ましくは０又は１）を表す。ｖ２〜ｘ２のいずれかが２以上のとき、それぞれ、複数のＲ^b19〜Ｒ^b21のいずれかは、互いに同一でも異なってもよい。

式（ｂ２−１−１）中のＲ^b19〜Ｒ^b21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、又はＣ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基を表し、ｖ２〜ｘ２は、それぞれ独立に０〜５の整数（好ましくは０又は１）を表す。

次に酸発生剤（Ｂ）に含まれる具体的なカチオンを例示する。

酸発生剤（Ｂ１）は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができるが、アニオン（ｂ１−１−１）〜アニオン（ｂ１−１−９）のいずれかとカチオン（ｂ２−１−１）との組合せ、並びにアニオン（ｂ１−１−３）〜（ｂ１−１−５）のいずれかとカチオン（ｂ２−３）との組合せが好ましい。

好ましい酸発生剤（Ｂ１）は、式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−１７）で表されるものであり、これらの中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤（Ｂ１−１）、（Ｂ１−２）、（Ｂ１−６）、（Ｂ１−１１）、（Ｂ１−１２）、（Ｂ１−１３）及び（Ｂ１−１４）がより好ましい。

酸発生剤（Ｂ）の含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上（より好ましくは３質量部以上）、好ましくは３０質量部以下（より好ましくは２５質量部以下）である。

<式（Ｉ’）で表される化合物>
本発明のレジスト組成物は、式（Ｉ’）で表される化合物を含有する。

［式（Ｉ’）中、Ｒ’^１、Ｒ’^２、Ｒ’^３及びＲ’^４は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₈アルキル基を表す。
Ａ’^１は、置換基を有していてもよい２価のＣ_３〜Ｃ_３６飽和環状炭化水素基又は置換基を有していてもよい２価のＣ_６〜Ｃ_２０芳香族炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。］

式（Ｉ’）で表される化合物が式（Ｉ）で表される化合物であることが好ましい。

［式（Ｉ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₆アルキル基を表す。
Ａ^１は、置換基を有していてもよい２価のＣ_３〜Ｃ_３６飽和環状炭化水素基又は置換基を有していてもよい２価のＣ_６〜Ｃ_２０芳香族炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。］

Ｃ₁〜Ｃ_８アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ−ペンチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−エチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−オクチル基が挙げられる。

２価のＣ_３〜Ｃ_３６飽和環状炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、２−メチルシクロヘキシル基、３−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のＣ_３〜Ｃ_８シクロアルキル基；
シクロブチルメチル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘプチルメチル基、シクロオクチルメチル基等のＣ_５〜Ｃ_１２シクロアルキルメチル基；
１−アダマンチル基、１−アダマンチルメチル基等のＣ_５〜Ｃ_１２他の飽和環状炭化水素基；
等の１価の基の水素原子を１つ結合手に置き換えた２価の基が挙げられる。

２価のＣ_６〜Ｃ_２０芳香族炭化水素基としては、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基等のＣ_６〜Ｃ_１２（アルキル置換）フェニル基；
１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチル−１−ナフチル基、３−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、５−メチル−１−ナフチル基、６−メチル−１−ナフチル基、７−メチル−１−ナフチル基、８−メチル−１−ナフチル基、１−メチル−２−ナフチル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−２−ナフチル基、５−メチル−２−ナフチル基、６−メチル−２−ナフチル基、７−メチル−２−ナフチル基、８−メチル−２−ナフチル基等のＣ_１０〜Ｃ_１２（アルキル置換）ナフチル基；
等の１価の基の水素原子を１つ結合手に置き換えた２価の基が挙げられる。

ヘテロ原子を含む２価のＣ_３〜Ｃ_３６飽和環状炭化水素基としては、ピロリジン、ピラゾリジン、イミダゾリジン、イソオキサゾリジン、イソチアゾリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルフォリン、チオモルフォリン、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾール等の化合物の水素原子を２つ結合手に置き換えた２価の基が挙げられる。
ヘテロ原子を含む２価のＣ_６〜Ｃ_２０芳香族炭化水素基としては、ピリジン、ジピリジン等の化合物の水素原子を２つ結合手に置き換えた２価の基が挙げられる。
該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、チオール基、さらに置換基を有していてもよい総炭素数３０以下の炭化水素基若しくはＯ、Ｎ、Ｓ等のヘテロ原子を含む複素環基、又は、二価の置換基としてオキソ基（＝Ｏ）等が挙げられる。

式（Ｉ’）で表される化合物に含まれるカチオンとしては、式（ＩＡ−１）〜式（ＩＡ−７）で表されるカチオンが挙げられる。

式（Ｉ’）で表される化合物に含まれるアニオンとしては、式（ＩＢ−１）〜式（ＩＢ−１０）で表されるカチオンが挙げられる。

式（Ｉ’）で表される化合物としては、式（Ｉ−１）〜式（Ｉ−３１）で表される化合物が挙げられ、式（Ｉ−１）〜式（Ｉ−５）で表される化合物及び式（Ｉ−１２）〜式（Ｉ−３１）で表される化合物が好ましく、式（Ｉ−１２）〜式（Ｉ−２１）で表される化合物がより好ましい。

式（Ｉ’）で表される化合物の含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、０．００１〜１０質量％、好ましくは０．０５〜８質量％、より好ましくは０．０１〜５質量％である。
式（Ｉ’）で表される化合物は、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドライドとヒドロキシアダマンタンカルボン酸との中和反応によって製造することができる。

〈塩基性化合物（以下「塩基性化合物（Ｃ）」という場合がある）〉
本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物（Ｃ）を含有していてもよい。塩基性化合物（Ｃ）の含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、０．０１〜１質量％程度であることが好ましい。

塩基性化合物（Ｃ）は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物（例えばアミンやアンモニウム塩）である。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、１級アミン、２級アミン及び３級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香族環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物（Ｃ）として、式（Ｃ２）で表される芳香族アミンが挙げられ、式（Ｃ２）で表されるアミンとしては、特に式（Ｃ２−１）で表されるアニリンが挙げられる。さらに、式（Ｃ２−２）で表されるアンモニウム塩等が挙げられる。

式（Ｃ２）中、Ａｒ^c1は、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^c5及びＲ^c6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基（好ましくはアルキル基、或いはシクロアルキル基）、飽和環状炭化水素基或いは芳香族炭化水素基を表す。但し前記脂肪族炭化水素基、前記飽和環状炭化水素基又は前記芳香族炭化水素基の水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又はＣ₁〜Ｃ₆アルコキシ基で置換されていてもよく、前記アミノ基は、Ｃ₁〜Ｃ₄アルキル基で置換されていてもよい。前記脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜６程度であり、前記飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは５〜１０程度であり、前記芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６〜１０程度である。

式（Ｃ２−１）中、Ｒ^c5及びＲ^c6は、前記と同じである。Ｒ^c7は、脂肪族炭化水素基（好ましくはアルキル基、或いはシクロアルキル基）、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基或いは芳香族炭化水素基を表す。但し脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の水素原子は、式（Ｃ２）で説明した置換基を有していてもよい。ｍ３は０〜３の整数を表す。ｍ３が２以上のとき、複数のＲ^c7は、互いに同一でも異なってもよい。Ｒ^c7の脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の好ましい炭素数は、式（Ｃ２）のものと同じであり、Ｒ^c7のアルコキシ基の炭素数は、好ましくは１〜６程度である。

式（Ｃ２−２）中、Ｒ^c８’、Ｒ^c９’、Ｒ^c１０’及びＲ^c１１’はそれぞれ独立に脂肪族炭化水素基（好ましくはアルキル基）、飽和環状炭化水素基（好ましくはシクロアルキル基）又は芳香族炭化水素基を表す。但し前記脂肪族炭化水素基、前記飽和環状炭化水素基又は前記芳香族炭化水素基の水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよく、前記アミノ基は、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。
前記脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜８程度であり、前記飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数５〜１０程度であり、前記芳香族炭化水素基は、好ましくは炭素数６〜１０程度である。
Ａｎ⁻はＯＨ⁻を表す。

芳香族アミン（Ｃ２）としては、例えば１−ナフチルアミン及び２−ナフチルアミンなどが挙げられる。アニリン（Ｃ２−１）としては、例えばアニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。これらの中でもジイソプロピルアニリン（特に２，６−ジイソプロピルアニリン）が好ましい。アンモニウム塩（Ｃ２−２）としては、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドライド、テトラブチルアンモニウムハイドライドなどが挙げられる。

また塩基性化合物（Ｃ）としては、式（Ｃ３）〜式（Ｃ１１）で表される化合物が挙げられる。

式（Ｃ３）中のＲ^c8は、式（Ｃ２）のＲ^c7で説明したいずれかの基を表す。式（Ｃ３）〜式（Ｃ８）中の窒素原子と結合するＲ^c9、Ｒ^c10、Ｒ^c11〜Ｒ^c14、Ｒ^c16〜Ｒ^c19及びＲ^c22は、それぞれ独立に、式（Ｃ２）のＲ^c5及びＲ^c6で説明したいずれかの基を表す。式（Ｃ７）〜式（Ｃ１１）中の芳香族炭素と結合するＲ^c20、Ｒ^c21、Ｒ^c23〜Ｒ^c28は、それぞれ独立に、式（Ｃ２−１）のＲ^c7で説明したいずれかの基を表す。式（Ｃ７）、式（Ｃ９）〜式（Ｃ１１）中のｏ３〜ｕ３は、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏ３〜ｕ３のいずれかが２以上であるとき、それぞれ、複数のＲ^c20〜Ｒ^c28のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。

式（Ｃ６）中のＲ^c15は、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基又はアルカノイル基を表し、ｎ３は０〜８の整数を表す。ｎ３が２以上のとき、複数のＲ^c15は、互いに同一でも異なってもよい。Ｒ^c15の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜６程度であり、Ｒ^c15の飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜６程度であり、Ｒ^c15のアルカノイル基の炭素数は、好ましくは２〜６程度である。

式（Ｃ７）及び式（Ｃ１０）のＬ^c1及びＬ^c2は、それぞれ独立に、２価の脂肪族炭化水素基（好ましくはアルキレン基）、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｃ（＝ＮＲ^c3）−、−Ｓ−、−Ｓ−Ｓ−、又はこれらの組合せを表す。前記２価の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜６程度である。Ｒ^c3は、Ｃ₁〜Ｃ₄アルキル基を表す。

化合物（Ｃ３）としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。

化合物（Ｃ４）としては、例えばピペラジンなどが挙げられる。化合物（Ｃ５）としては、例えばモルホリンなどが挙げられる。化合物（Ｃ６）としては、例えばピペリジン、及び特開平１１−５２５７５号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。化合物（Ｃ７）としては、例えば２，２’−メチレンビスアニリンなどが挙げられる。

化合物（Ｃ８）としては、例えば、イミダゾール、４−メチルイミダゾールなどが挙げられる。化合物（Ｃ９）としては、例えば、ピリジン、４−メチルピリジンなどが挙げられる。化合物（Ｃ１０）としては、例えば、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミンなどが挙げられる。化合物（Ｃ１１）としては、例えばビピリジンなどが挙げられる。

〈溶剤（以下「溶剤（Ｅ）」という場合がある〉
本発明のレジスト組成物は、溶剤（Ｅ）を、組成物中９０質量％以上の量で含有していてもよい。溶剤（Ｅ）を含有する本発明のレジスト組成物は、薄膜レジストを製造するために適している。溶剤（Ｅ）の含有量は、組成物中９０質量％以上（好ましくは９２質量％以上、より好ましくは９４質量％以上）、９９．９質量％以下（好ましくは９９質量％以下）である。溶剤（Ｅ）の含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。

溶剤（Ｅ）としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類；γ−ブチロラクトンのような環状エステル類；などを挙げることができる。溶剤（Ｅ）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

〈その他の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある）〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分（Ｆ）を含有していてもよい。成分（Ｆ）に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料などを利用できる。

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）上述した本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を得る工程、
（３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、
（５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。

レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーターなど、通常、用いられる装置によって行うことができる。

溶剤の除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させることにより行われるか、あるいは減圧装置を用いて行われ、溶剤が除去された組成物層が形成される。この場合の温度は、例えば、５０〜２００℃程度が例示される。また、圧力は、１〜１．０×１０^５Ｐａ程度が例示される。

得られた組成物層は、露光機を用いて露光する。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂レーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域又は真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。

露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理が行われる。加熱温度としては、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃程度である。
加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。
ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。
現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザー露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザー露光用のレジスト組成物、ＥＢ用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光機用のレジスト組成物として好適であり、特にＥＢ用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光機用のレジスト組成物として好適である。

以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す％及び部は、特記ないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、以下の条件でポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー（東ソー株式会社製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型）により求めた値である。
カラム：ＴＳＫｇｅｌ Ｇ４０００Ｈ_ＸＬ ＋ ＴＳＫｇｅｌ Ｇ２０００Ｈ_ＸＬ ＋ ｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ検出器
カラム温度：４０℃
注入量：１００μＬ
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）
また、化合物の構造はＮＭＲ（ＥＣＡ−５００型；日本電子製）、質量分析（ＬＣ；Ａｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳ；Ａｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型又はＬＣ／ＭＳＤ ＴＯＦ型）で確認した。

樹脂Ａ１の合成
メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル１１．１８部、ｐ−アセトキシスチレン１５．０９部、メタクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル３．５５部に１，４−ジオキサン２８．８２部を加えて溶液とし、８２℃まで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル０．８６部を添加し、８２℃で６時間保温した。冷却後反応液をメタノール２９１．４１部とイオン交換水１２４．８９部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び４−ジメチルアミノピリジン２．９３部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて１５時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸２．１６部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が約８．５×１０^３の共重合体２２．４２部を得た。この共重合体を樹脂Ａ１とする。

樹脂Ａ２の合成
メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル１１．１８部、ｐ−アセトキシスチレン１４．６０部、メタクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル３．５５部に１，４−ジオキサン２８．８２部を加えて溶液とし、８７℃まで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル２．９６部を添加し、８７℃で６時間保温した。冷却後反応液をメタノール２９１．４１部とイオン交換水１２４．８９部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び４−ジメチルアミノピリジン２．９３部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて１５時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸２．１６部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が約３．４×１０^３の共重合体２７．７１部を得た。この共重合体を樹脂Ａ２とする。

樹脂Ａ３の合成
フラスコに１，４−ジオキサン１９．５９部を加え、窒素置換し８７℃まで昇温した。メタクリル酸１−アダマンチル−１−メチルエチル１１．１８部、ｐ−アセトキシスチレン１４．６０部、メタクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル３．５４部、アゾビスイソブチロニトリル２．９６部に１，４−ジオキサン２９．３９部を加えて溶液とし、１時間掛けて滴下した。滴下終了後８７℃で６時間保温した。冷却後反応液をメタノール２９７．１６部とイオン交換水１２７．３５部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び４−ジメチルアミノピリジン２．９３部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて１５時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸２．１６部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が約４．３×１０^３の共重合体２８．０１部を得た。この共重合体を樹脂Ａ３とする。

樹脂Ａ４の合成
メタクリル酸２−メチル−２−アダマンチル１０．５４部、ｐ−アセトキシスチレン１４．６０部、メタクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル３．５５部に１，４−ジオキサン４７．０９部を加えて溶液とし、８７℃まで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル２．９６部を添加し、８７℃で６時間保温した。冷却後反応液をメタノール２８５．６７部とイオン交換水１２２．４３部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び４−ジメチルアミノピリジン２．９３部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて１５時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸２．１６部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が約３．７×１０^３の共重合体２８．１５部を得た。この共重合体を樹脂Ａ４とする。

樹脂Ａ５の合成
メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル８．９４部、ｐ−アセトキシスチレン９．７３部、メタクリル酸γ−ブチルラクテート２．０４部に１，４−ジオキサン３８．０３部を加えて溶液とし、８７℃まで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル０．６９部を添加し、８７℃で６時間保温した。冷却後反応液をメタノール２８５．６７部とイオン交換水１２２．４３部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び４−ジメチルアミノピリジン２．０７部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて１５時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸１．０２部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が約８．９×１０^３の共重合体１８．０８部を得た。この共重合体を樹脂Ａ５とする。

樹脂Ａ６の合成
フラスコに１，４−ジオキサン４０．８０部を加え、窒素置換し８０℃まで昇温した。メタクリル酸［（２−メチルアダマンチル−２−イル）オキシ］−２−オキソエチル１７．５４部、ｐ−アセトキシスチレン１９．４６部、メタクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル４．７３部、アゾビスイソブチロニトリル４．６０部に１，４−ジオキサン４７．６１部を加えて溶液とし、１時間掛けて滴下した。滴下終了後８０℃で６時間保温した。冷却後反応液をメタノール３５３．６４部とイオン交換水２３５．７６部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び４−ジメチルアミノピリジン４．１７部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて１５時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸２．０５部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が約４．９×１０^３の共重合体３９．４０部を得た。この共重合体を樹脂Ａ６とする。

樹脂Ａ７の合成
メタクリル酸２−メチル−２−アダマンチル１０．５４部、ｐ−アセトキシスチレン１４．６０部、スチレン１．５６部に１，４−ジオキサン４４．１２部を加えて溶液とし、８７℃まで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル０．６９部を添加し、８７℃で６時間保温した。冷却後反応液をメタノール２６７．６３部とイオン交換水１１４．７０部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び４−ジメチルアミノピリジン２．６７部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて１５時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸１．３１部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が約３．３×１０^３の共重合体２５．１６部を得た。この共重合体を樹脂Ａ７とする。

化合物Ｉ２の合成
３−ヒドロキシアダマンタンカルボン酸７．５６部、酢酸エチル３０２．５２部を混ぜた中に、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドの４０％水溶液２５．０部を加えた。室温で１時間撹拌後メタノール５０部を加え更に１６時間撹拌した。この溶液を濃縮し１６．８７部のオイル状の化合物Ｉ２を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００．１６ＭＨｚ， ＤＭＳＯ−ｄ_６）δ ｐｐｍ：０．９４（ｔ，Ｊ＝７．６５Ｈｚ， １２Ｈ）， １．２８−１．３５（ｍ， ８Ｈ）， １．４３（ｂｒ， ２Ｈ）， １．４８（ｂｒ， ４Ｈ）， １．５３−１．６１（ｍ， １４Ｈ）， ２．０２（ｂｒ， ２Ｈ）， ３．１７−３．２１（ｍ， ８Ｈ）．
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１２５．７７ＭＨｚ， ＤＭＳＯ−ｄ_６） δ ｐｐｍ：１３．４５， １９．１８， ２３．０８， ３０．４６， ３５．７５， ３９．２０， ４３．９９， ４５．００， ４８．３１， ５７．５２， ６７．０９， １７８．８２．
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ １９５．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ２４２．３

化合物Ｉ３の合成
２−ヒドロキシナフトエ酸５．８５部、メタノール２３３．９９部を混ぜた中に、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドの３７％メタノール溶液２１．８０部を加えた。室温で１６時間撹拌した。濃縮後酢酸エチル６００部を加え、イオン交換水１１０部で３度水洗した。この溶液を濃縮し１２．３６部の化合物Ｉ３を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００．１６ＭＨｚ， ＤＭＳＯ−ｄ_６）δ ｐｐｍ：０．９０（ｔ，Ｊ＝７．９５Ｈｚ， １２Ｈ）， １．２４−１．３２（ｍ， ８Ｈ）， １．５０−１．５６（ｍ， ８Ｈ）， ３．１１−３．１５（ｍ， ８Ｈ）， ６．８９（ｄ，Ｊ＝８．９５Ｈｚ， １Ｈ）， ７．０７−７．１０（ｍ， １Ｈ）， ７．２９−７．３２（ｍ， １Ｈ）， ７．５９−７．６３（ｍ， ２Ｈ）， ９．６２（ｄ，Ｊ＝８．９５Ｈｚ， １Ｈ）．
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１２５．７７ＭＨｚ， ＤＭＳＯ−ｄ_６） δ ｐｐｍ：１３．４６， １９．１７， ２３．０２， ５７．４９， １０８．７２， １２０．３９， １２１．３１， １２５．５２， １２５．９１， １２６．５６， １２７．７４， １３１．８６， １３４．６６， １６６．７１， １７２．４５．
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２４２．３
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ １８７．０

化合物Ｉ４の合成
テトラオクチルアンモニウムブロミド２０．００部、メタノール２７５．３２部を混ぜた中に、２−ヒドロキシナフトエ酸６．８８部を加え、室温で１６時間撹拌した。濃縮後酢酸エチル３００部を加え、５重量％炭酸水素ナトリウム水溶液１００部で洗浄後、イオン交換水１００部２度水洗した。この溶液を濃縮し２３．６２部の化合物Ｉ４を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００．１６ＭＨｚ， ＤＭＳＯ−ｄ_６）δ ｐｐｍ：１．１０（ｔ， Ｊ＝６．９５Ｈｚ， １２Ｈ）， １．２４−１．２８（ｍ， ４０Ｈ）， １．５２（ｂｒ， ８Ｈ）， ３．１２（ｂｒ， ８Ｈ）， ６．８９（ｄ，Ｊ＝８．９５Ｈｚ， １Ｈ）， ７．０６−７．０９（ｍ， １Ｈ）， ７．２７−７．３０（ｍ， １Ｈ）， ７．５７−７．６２（ｍ， ２Ｈ）， ９．６４（ｄ，Ｊ＝８．９０Ｈｚ， １Ｈ）．
^１３Ｃ−ＮＭＲ（１２５．７７ＭＨｚ， ＤＭＳＯ−ｄ_６） δ ｐｐｍ：１３．８３， ２０．９０， ２２．０１， ２５．６４， ２８．２７， ２８．３７， ３１．１１， ５７．５５， １０８．７５， １２０．２４， １２１．２４， １２５．５４， １２５．７３， １２６．５４， １２７．６１， １３１．７０， １３４．６９， １６６．６６， １７２．４６．
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ４６６．５
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ １８７．０

実施例及び比較例
以下の表２及び表４の各成分を混合して溶解し、さらに孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。

＜酸発生剤＞
酸発生剤Ｂ１

酸発生剤Ｂ２

酸発生剤Ｂ３

＜樹脂＞
樹脂Ａ１〜Ａ７

＜式（Ｉ’）で表される化合物＞
化合物Ｉ１：（東京化成工業製）

化合物Ｉ２：

化合物Ｉ３：

化合物Ｉ４：

＜塩基性化合物＞
塩基性化合物Ｃ１：テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
＜溶剤＞
溶剤Ｅ１：
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ４４０．０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ４０．０部
γ−ブチロラクトン ５．０部
溶剤Ｅ２：
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ４００．０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル １５０．０部
γ−ブチロラクトン ５．０部

電子線用レジスト組成物としての評価
シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理した上で、表２記載のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が０．０４μｍとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表２記載の温度で６０秒間プリベーク（ＰＢ）した。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに、電子線描画機〔（株）日立製作所製の「ＨＬ−８００Ｄ ５０ｋｅＶ」を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表２記載の温度で６０秒間ポストエキスポジャーベーク（ＰＥＢ）を行い、さらに２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。

解像度評価：各レジスト膜において、ラインアンドスペースパターンが１：１となる露光量となる露光量を実効感度とした時、実効感度において、レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、５０ｎｍ以下の線幅を解像しているものを○、５０ｎｍを超え５５ｎｍ以下の線幅を解像しているものを△、５５ｎｍを超える線幅を解像しているものを×とした。
これらの結果を表３に示す。

ＥＵＶ用レジスト組成物としての評価
シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理した上で、表４記載のレジスト液を乾燥後の膜厚が０．０４μｍとなるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表４記載の温度で６０秒間プリベーク（ＰＢ）した。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに、ＥＵＶ露光機を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表４記載の温度で６０秒間ポストエキスポジャーベーク（ＰＥＢ）を行い、さらに２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。

解像度評価：各レジスト膜において、ラインアンドスペースパターンが１：１となる露光量となる露光量を実効感度とした時、実効感度において、レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、２４ｎｍ以下の線幅を解像しているものを○、２４ｎｍを超え２８ｎｍ以下の線幅を解像しているものを△、２８ｎｍを解像していないもの×とした。
これらの結果を表５に示す。

本発明のレジスト組成物によれば、優れた解像度を有するパターンを得ることができる。

Claims (7)

1. 酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、
   酸発生剤と、式（Ｉ’）で表される化合物とを含有するレジスト組成物。
   

   

   ［式（Ｉ’）中、Ｒ’^１、Ｒ’^２、Ｒ’^３及びＲ’^４は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₈アルキル基を表す。
   Ａ’^１は、置換基を有していてもよい２価のＣ_３〜Ｃ_３６飽和環状炭化水素基又は置換基を有していてもよい２価のＣ_６〜Ｃ_２０芳香族炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。］
2. 式（Ｉ’）で表される化合物が式（Ｉ）で表される化合物である請求項１記載のレジスト組成物。
   

   

   ［式（Ｉ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₆アルキル基を表す。
   Ａ^１は、置換基を有していてもよい２価のＣ_３〜Ｃ_３６飽和環状炭化水素基又は置換基を有していてもよい２価のＣ_６〜Ｃ_２０芳香族炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。］
3. 樹脂が式（ａ２−０）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂である請求項１又は２記載のレジスト組成物。
   

   

   ［式（ａ２−０）中、
   Ｒ^８は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよいＣ₁〜Ｃ₆アルキル基を表す。
   Ｒ^９は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₆アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₆アルコキシ基、Ｃ₂〜Ｃ₄アシル基、Ｃ₂〜Ｃ₄アシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
   ｍａは０〜４の整数を表す。ｍａが２以上の整数である場合、複数のＲ^９は同一であっても異なってもよい。］
4. 樹脂が式（ａ１−１）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂である請求項１〜３のいずれか記載のレジスト組成物。
   

   

   ［式（ａ１−１）中、Ｌ^a1は、^＊−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
   Ｒ^a4は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a6は、Ｃ₁〜Ｃ₈脂肪族炭化水素基、又はＣ₃〜Ｃ₁₀飽和環状炭化水素基を表し、ｍ１は０〜１４の整数を表す。］
5. （１）請求項１〜４のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
   （２）塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を得る工程、
   （３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
   （４）露光後の組成物層を加熱する工程、
   （５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、
   を含むレジストパターンの製造方法。
6. 請求項１〜４のいずれか記載のレジスト組成物のＥＢ又はＥＵＶ露光機を用いてレジストパターンを製造するための使用。
7. 式（Ｉ−１２）で表される化合物。
   

   

   ［式（Ｉ−１２）中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₆アルキル基を表す。］