JP2011149746A - 電子装置の評価方法及び出荷方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子装置のはんだ濡れ性の評価の精度を高める。
【解決手段】評価用基板６の端子６ｂ上にはんだペースト１４を塗布し、さらにはんだペースト１４上に電子装置のアウタリード２ｂを搭載した状態で、ビデオカメラによってはんだペースト１４の実際のはんだ濡れ上がりを観察するとともに、はんだ濡れ時間の時間計測の開始点及び終了点を規定することで、時間計測の測定のバラツキを低減して測定の安定化を図ることができる。また、はんだ濡れ性の評価の精度を高めることができる。さらに、前記ビデオカメラによる動画撮像後にコマ送りで濡れ時間を計測することもでき、これにより、詳細な時間計測が可能になる。
【選択図】図８

Description

本発明は、電子装置の評価技術及び出荷技術に関し、特に、はんだ濡れ性の評価と電子装置の出荷に適用して有効な技術に関する。

はんだ濡れ性の評価として、試料上に置かれたはんだ粒子をそのはんだの融点以上に加熱した際の、はんだ液滴の濡れ広がり面積あるいは濡れ角の経時変化を観測する技術が、例えば、特開平５−１２６７１５号公報（特許文献１）に記載されている。

特開平５−１２６７１５号公報

はんだ実装が行われる半導体装置（電子装置）として、外部端子の種類により、主にリードタイプとボールタイプが知られている。これらの半導体装置では、はんだ実装に関してはんだ濡れ評価が行われている。

はんだ濡れ評価については、ＪＩＳ規格（日本工業規格）に、はんだ槽平衡法（メニスコグラフ）、ソルダーペースト平衡法（急加熱昇温法、プロファイル昇温法）及びはんだ小球平衡法等の評価方法が記載されているが、いずれの評価方法も、端子が濡れる際に加わる浮力変化の測定により、濡れ時間を測定するものである。

詳細には、はんだ槽平衡法は、はんだディップ実装を模擬したはんだ濡れ評価方法であり、実際の表面実装で使用するはんだペーストで濡れ試験をすることができないため、間接的な評価結果となる。特にはんだ濡れで必要な表面活性をさせるべき材料が評価と基板実装とで異なることが測定値の精度を悪化させる一因となっている。

また、ソルダーペースト平衡法では、はんだ濡れ挙動をセンサーで観測しているが、熱源を印加したポイントから測定がスタートするため、はんだ濡れ時間以外に多くの時間が加えられており、本当の濡れ時間のみを確認することができず、測定の精度を悪化させている。

以上のように、はんだ槽平衡法やソルダーペースト平衡法では、実際のはんだ実装に比較して、アウタリードの表面状態の微小な差が評価結果に出にくく、評価の感度が良くないことが課題である。さらに、ＢＧＡ（Ball Grid Array)のようなボールタイプの半導体装置では、評価が困難なことが課題である。

また、はんだ小球平衡法は、溶融はんだに対する端子の接触角度が評価結果に大きく影響し、測定結果のバラツキが大きいことが課題である。

なお、前記特許文献１（特開平５−１２６７１５号公報）には、はんだ濡れ性の挙動観測について記載されているが、前記観測に関して、その始まりと終わりの具体的なタイミングの基準については、詳細に記載がない。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、はんだ濡れ性の評価の精度を高めることができる技術を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、実際のはんだ実装に近い状態でのはんだ濡れ性の評価を行うことができる技術を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、ボールタイプの半導体装置においてもはんだ濡れ性の評価を行うことができる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

代表的な実施の形態による電子装置の評価方法は、（ａ）それぞれにアウタリードを備えた複数の電子装置を組み立てる工程と、（ｂ）前記複数の電子装置のうちの少なくとも１つを実装基板にはんだ実装し、前記はんだ実装におけるはんだペーストの状態を動画撮像装置によって撮像してはんだ濡れ性の評価を行う工程と、を有し、前記アウタリードは、前記電子装置の基板実装時に前記実装基板の端子と対向して配置される底面とその反対側の上面とを有し、前記（ｂ）工程における前記評価は、（ｂ１）前記実装基板の前記端子上に粒子状の前記はんだペーストを塗布する工程と、（ｂ２）前記はんだペースト上に前記電子装置の前記アウタリードを配置する工程と、（ｂ３）前記はんだペーストを加熱して前記はんだペーストを溶融し、前記粒子が無くなった時点から、はんだ濡れ上がりによる濡れ上がり高さが、前記アウタリードの厚さの１／２以上で、かつ前記アウタリードの前記底面より０．２５ｍｍ高さ以下の範囲に入る時点までのはんだ濡れ時間を計測する工程と、を有するものである。

また、代表的な他の実施の形態による電子装置の評価方法は、（ａ）それぞれにはんだボールを備えた複数の電子装置を組み立てる工程と、（ｂ）前記複数の電子装置のうちの少なくとも１つ、もしくは前記電子装置の組み立てに用いられたはんだボールを実装基板にはんだ実装し、前記はんだ実装におけるはんだペーストの状態を動画撮像装置によって撮像してはんだ濡れ性の評価を行う工程と、を有し、前記（ｂ）工程における前記評価は、（ｂ１）前記実装基板の端子上に粒子状の前記はんだペーストを塗布する工程と、（ｂ２）前記はんだペースト上に前記はんだボールを配置する工程と、（ｂ３）前記はんだペーストを加熱して前記はんだペーストを溶融し、前記粒子が無くなった時点から、前記はんだペーストと前記はんだボールの接合部の形状が変化する時点までのはんだ濡れ時間を計測する工程と、を有するものである。

また、代表的な他の実施の形態による電子装置の評価方法は、（ａ）それぞれにはんだボールを備えた複数の電子装置を組み立てる工程と、（ｂ）前記複数の電子装置のうちの少なくとも１つ、もしくは前記電子装置の組み立てに用いられたはんだボールを実装基板にはんだ実装し、前記はんだ実装におけるはんだ濡れ性の評価を行う工程と、を有し、前記（ｂ）工程における前記評価は、（ｂ１）前記実装基板の同一の端子上にフラックスと粒子状のはんだペーストとを、両者の間に絶縁膜を介在させて塗布する工程と、（ｂ２）前記フラックス上に前記はんだボールを配置する工程と、（ｂ３）前記フラックスと前記はんだペーストを加熱してはんだ溶融によって前記はんだペーストの前記粒子が無くなった時点から、前記フラックスと前記はんだボールの接合部の形状が変化する時点までのはんだ濡れ時間を、前記フラックスと前記はんだペーストの状態を動画撮像装置によって撮像して計測する工程と、を有するものである。

また、代表的な実施の形態による電子装置の出荷方法は、（ａ）それぞれにアウタリードを備えた複数の電子装置を組み立てる工程と、（ｂ）前記複数の電子装置のうちの少なくとも１つを実装基板にはんだ実装し、前記はんだ実装におけるはんだペーストの状態を動画撮像装置によって撮像してはんだ濡れ性の評価を行う工程と、（ｃ）前記複数の電子装置をケースに収容して出荷する工程と、を有し、前記アウタリードは、前記電子装置の基板実装時に前記実装基板の端子と対向して配置される底面とその反対側の上面とを有し、前記（ｂ）工程における前記評価は、（ｂ１）前記実装基板の前記端子上に粒子状のはんだペーストを塗布する工程と、（ｂ２）前記はんだペースト上に前記電子装置の前記アウタリードを配置する工程と、（ｂ３）前記はんだペーストを加熱して前記はんだペーストを溶融し、前記粒子が無くなった時点から、はんだ濡れ上がりによる濡れ上がり高さが、前記アウタリードの厚さの１／２以上で、かつ前記アウタリードの前記底面より０．２５ｍｍ高さ以下の範囲に入る時点までのはんだ濡れ時間を計測する工程と、を有するものである。

また、代表的な他の実施の形態による電子装置の出荷方法は、（ａ）それぞれにはんだボールを備えた複数の電子装置を組み立てる工程と、（ｂ）前記複数の電子装置のうちの少なくとも１つ、もしくは前記電子装置の組み立てに用いられたはんだボールを実装基板にはんだ実装し、前記はんだ実装におけるはんだペーストの状態を動画撮像装置によって撮像してはんだ濡れ性の評価を行う工程と、（ｃ）前記複数の電子装置をケースに収容して出荷する工程と、を有し、前記（ｂ）工程における前記評価は、（ｂ１）前記実装基板の端子上に粒子状のはんだペーストを塗布する工程と、（ｂ２）前記はんだペースト上に前記はんだボールを配置する工程と、（ｂ３）前記はんだペーストを加熱して前記はんだペーストを溶融し、前記粒子が無くなった時点から、前記はんだペーストと前記はんだボールの接合部の形状が変化する時点までのはんだ濡れ時間を計測する工程と、を有するものである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

はんだ濡れ性評価の測定のバラツキを低減することができ、はんだ濡れ性の評価の精度を高めることができる。

実際のはんだ実装に近い状態でのはんだ濡れ性の評価を行うことができる。

ボールタイプの半導体装置のはんだ濡れ性の評価にも非常に有効である。

本発明の実施の形態１の電子装置である半導体装置の構造の一例を示す断面図である。 図１に示す半導体装置の組み立てから出荷までの手順の一例を示すフロー図である。 図２に対応した組み立て手順の一例を示すフロー図である。 図１に示す半導体装置のはんだ濡れ性評価で用いられる濡れ性評価装置の構造の一例を示す構成ブロック図である。 図１に示す半導体装置のはんだ実装構造の一例を示す側面図である。 図１に示す半導体装置のはんだ濡れ性評価の手順の一例を示すフロー図であり、はんだペースト印刷までを示す図である。 図１に示す半導体装置のはんだ濡れ性評価の手順の一例を示すフロー図であり、リフロー加熱直後までを示す図である。 図１に示す半導体装置のはんだ濡れ性評価の手順の一例を示すフロー図であり、はんだ濡れ時間計測開始〜計測終了までを示す図である。 図１に示す半導体装置のはんだ濡れ性評価の手順の一例を示すフロー図であり、はんだ濡れ上がり完了状態を示す図である。 図１に示す半導体装置のはんだ濡れ上がり時間の計測終了点の許容範囲の一例を示す断面図である。 図１に示す半導体装置と他の電子装置の基板実装検査から出荷までの手順の一例を示すフロー図である。 図１１に対応した手順の一例を示すフロー図である。 本発明の実施の形態１の濡れ性評価と比較例の濡れ性評価とを比べて示す比較図である。 本発明の実施の形態２の電子装置である半導体装置の構造の一例を示す断面図である。 図１４に示す半導体装置のはんだ濡れ性評価で用いられる濡れ性評価装置の構造の一例を示す構成ブロック図である。 図１４に示す半導体装置のはんだ濡れ性評価の手順の一例を示すフロー図である。

以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。

さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。

また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の電子装置である半導体装置の構造の一例を示す断面図、図２は図１に示す半導体装置の組み立てから出荷までの手順の一例を示すフロー図、図３は図２に対応した組み立て手順の一例を示すフロー図、図４は図１に示す半導体装置のはんだ濡れ性評価で用いられる濡れ性評価装置の構造の一例を示す構成ブロック図、図５は図１に示す半導体装置のはんだ実装構造の一例を示す側面図である。また、図６は図１に示す半導体装置のはんだ濡れ性評価の手順の一例を示すフロー図であり、はんだペースト印刷までを示す図、図７は図１に示す半導体装置のはんだ濡れ性評価の手順の一例を示すフロー図であり、リフロー加熱直後までを示す図、図８は図１に示す半導体装置のはんだ濡れ性評価の手順の一例を示すフロー図であり、はんだ濡れ時間計測開始〜計測終了までを示す図である。さらに、図９は図１に示す半導体装置のはんだ濡れ性評価の手順の一例を示すフロー図であり、はんだ濡れ上がり完了状態を示す図、図１０は図１に示す半導体装置のはんだ濡れ上がり時間の計測終了点の許容範囲の一例を示す断面図である。

本実施の形態１の電子装置は、リードフレームを用いて組み立てられる樹脂封止型の半導体装置であり、本実施の形態１では前記半導体装置の一例として、図１に示すようなＳＯＰ（Small Outline Package)１を取り上げて説明する。

図１に示すＳＯＰ１の構成について説明すると、半導体集積回路が形成された半導体チップ４と、半導体チップ４の周囲の対向する２つの方向に配置された複数のインナリード２ａと、インナリード２ａと一体に形成された複数のアウタリード２ｂと、半導体チップ４の主面４ａに形成された表面電極である電極パッド４ｃとこれに対応するインナリード２ａとを電気的に接続する金線等の複数のワイヤ５とを有している。

さらに、ＳＯＰ（電子装置）１は、銀ペーストや樹脂ペースト等のダイボンド材１０を介して半導体チップ４が固定されたチップ搭載部であるダイパッド２ｃと、樹脂モールディングによって封止用樹脂等から形成され、かつ半導体チップ４とダイパッド２ｃと複数のワイヤ５と複数のインナリード２ａを封止する封止体３とを有している。つまり、封止体３は、半導体パッケージの本体部でもある。

なお、ＳＯＰ１であるため、複数のインナリード２ａそれぞれと一体に形成された複数のアウタリード２ｂは、封止体３の対向する２辺それぞれから外部に向かって突出しており、これらのアウタリード２ｂは、ガルウィング状に曲げ成形されている。

また、インナリード２ａ、アウタリード２ｂ及びダイパッド２ｃは、例えば、銅合金等の薄板状の部材によって形成され、それぞれの厚さは、例えば、０．１２５〜０．２ｍｍである。

また、パッケージの本体部である封止体３は、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂等から成り、樹脂モールディングによって形成されたものである。

次に、本実施の形態１の半導体装置（ＳＯＰ１）の組み立てから出荷までを、図２に示すフロー図に沿って説明する。

まず、図２のステップＳ１に示すパッケージ組み立てを行う。ここでは、まず、リードフレームを準備する。前記リードフレームのそれぞれのデバイス領域には複数のインナリード２ａやアウタリード２ｂが設けられている。

また、前記リードフレームは、例えば、銅合金等によって形成された短冊状の薄板材であり、ダイパッド２ｃ、複数のインナリード２ａ及びアウタリード２ｂが一体に形成されている。前記リードフレームの厚さは、例えば、０．１２５〜０．２ｍｍである。

その後、ダイボンディングを行う。ここでは、前記リードフレームの複数のデバイス領域のダイパッド２ｃに、図１に示すようにダイボンド材１０を介して半導体チップ４を搭載する。すなわち、半導体チップ４の裏面４ｂとダイパッド２ｃとをダイボンド材１０によって接合する。

その後、ワイヤボンディングを行う。すなわち、図１に示すように、半導体チップ４の主面４ａの電極パッド４ｃとこれに対応するインナリード２ａとをワイヤ５によって電気的に接続する。なお、ワイヤ５は、例えば、金線である。

ワイヤボンディング工程完了後、樹脂モールディングを行う。ここでは、図示しない樹脂成形金型を用いて前記リードフレームのデバイス領域におけるダイパッド２ｃ、半導体チップ４、複数のインナリード２ａ及びワイヤ５を封止用樹脂を用いて樹脂封止し、本体部である封止体３を形成する。なお、前記封止用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂等である。

その後、切断・成形を行う。ここでは、前記リードフレームを切断して各パッケージ単位に個片化する。その際、封止体３の対向する２つの側面からそれぞれ突出する複数のアウタリード２ｂをガルウィング状に曲げ成形して、図１に示すＳＯＰ１の組立て完了となる。なお、上述の組み立て方法により、図３のステップＳ１に示すように複数のＳＯＰ（電子装置）１を組み立てる。

次に、図２のステップＳ２に示す電気テストを行う。ここでは、ＳＯＰ１のアウタリード２ｂにテスター９のテスト端子９ａを電気的に接続して、ＳＯＰ１の電気的特性検査を行う。

その後、図２のステップＳ３に示す品質確認（はんだ濡れ性評価）を行う。すなわち、図３のステップＳ３に示すように、複数個組み立てたＳＯＰ１の中から少なくとも１つを取り出してはんだ濡れ性評価を行う。つまり、複数個組み立てたＳＯＰ１のうちの少なくとも１つを評価用基板（実装基板）６にはんだ実装し、その際、前記はんだ実装におけるはんだペースト１４の状態を動画撮像装置によって撮像してはんだ濡れ性評価を行う。なお、前記はんだ濡れ性評価は、１つのＳＯＰ１だけでなく、複数のＳＯＰ１に対して行っても良い。

また、前記動画撮像装置としてビデオカメラ１２を用い、ビデオカメラ１２によってはんだペースト１４の状態（挙動）をモニタ（観察）する。

ここで、前記はんだ濡れ性評価で用いられる評価装置について説明すると、図４に示すように、評価対象となる外部端子がはんだペースト１４を介して接続される評価用基板６と、この評価用基板６を支持するとともに加熱手段を備えたヒートステージ１３と、ビデオカメラ１２によって撮像された映像を映し出すモニタ部１５と、ヒートステージ１３の加熱温度等を制御する制御部１６とを有している。

なお、評価用基板（実装基板）６は、表面にソルダレジスト膜（絶縁膜）６ｃが形成された金属板６ａから成り、金属板６ａには、複数の端子６ｂを含む配線パターンが形成されている。はんだ濡れ性評価時には、図５に示すように評価用基板６上にＳＯＰ１等の種々の電子装置がはんだ実装され、評価用基板６上の端子６ｂに、評価対象となる電子装置の外部端子が図６に示すようなはんだペースト１４を介して電気的に接続される。金属板６ａ及び端子６ｂは、例えば、銅等からなる。

次に、はんだ濡れ性評価の具体的方法について説明する。

まず、図６の基板準備に示すように、端子（銅ランド）６ｂが露出した評価用基板６を準備し、この端子６ｂ上に粒子状のはんだペースト１４を塗布する。ここでは、はんだペースト印刷に示すように、端子６ｂ上に粒子状のはんだペースト１４を印刷によって塗布する。

その後、図７のＳＯＰ搭載に示すように、はんだペースト１４上にＳＯＰ１のアウタリード２ｂを配置する。なお、アウタリード２ｂは、ＳＯＰ１の基板実装時に評価用基板６の端子６ｂと対向して配置される底面２ｄとその反対側の上面２ｅとを有している。さらに、アウタリード２ｂの表面には、外装めっきとしてはんだめっき２ｆが形成されている。ただし、アウタリード２ｂの端面２ｇは、外装めっきを形成した後に切断して形成された面であるため、端面２ｇにははんだめっき２ｆは形成されていない。

その後、図７のリフロー加熱開始に示すように、はんだペースト１４を加熱してはんだペースト１４の溶融を開始する。その際、図４に示すビデオカメラ１２によってはんだペースト１４の状態（挙動）を常時モニタ（観察）する。

その後、図７のリフロー加熱中に示すように、はんだペースト１４にははんだ未溶融部分がまだ残っている。すなわち、溶けたはんだ１４ａの部分と、未溶融で残っている粒子１４ｂの部分とが混在している。この時、アウタリード２ｂの表面のはんだめっき２ｆは、未溶融である。

さらに加熱を続けると、図８のリフロー加熱中（Ａ）に示すように、はんだ未溶融部が完全に無くなり、図７の粒子１４ｂが全て溶けてはんだ１４ａのみの状態となる。ビデオカメラ１２の映像をモニタ部１５で観察しながら、この時点をはんだ濡れ性評価のはんだ濡れ時間の計測開始とする（スタート）。なお、この時点においても、アウタリード２ｂの表面のはんだめっき２ｆは、未溶融である。

さらに加熱を続けると、図８のリフロー加熱中（Ｂ）及び図１０に示すように、はんだ１４ａが濡れ上がり始め、はんだ濡れ上がりの初期状態となる。ここでは、はんだ１４ａが濡れ上がった部分のみにおいて、アウタリード２ｂの表面のはんだめっき２ｆとはんだ１４ａとが接合している。

さらに加熱を続けると、図８のリフロー加熱中（Ｃ）に示すように、はんだ濡れ上がりが中期状態となる。この時、図８と図１０に示すように、はんだ濡れ上がりによって形成されるはんだフィレットのうち、アウタリード２ｂのＳＯＰ１の封止体（本体部）３側に形成されるバックフィレット１４ｃの高さが、アウタリード２ｂの上面２ｅと同じ高さになった時点ではんだ濡れ時間の計測終了（エンド）とする。この場合のはんだ濡れ時間は、図８に示すようにＤとなる。

すなわち、本実施の形態１のはんだ濡れ性評価では、粒子１４ｂ状のはんだペースト１４を加熱して溶融した際に、粒子１４ｂが無くなった時点から、はんだ濡れ上がりによって形成されるはんだフィレットのうち、アウタリード２ｂの封止体３側に形成されるはんだフィレット（バックフィレット１４ｃ）の高さが、アウタリード２ｂの上面２ｅと同じ高さになるまでの時間を計測し、この時間をはんだ濡れ時間Ｄとする。

なお、この時点で、アウタリード２ｂの端面２ｇ側に形成されるはんだフィレットであるフロントフィレット１４ｄは、アウタリード２ｂの上面２ｅまで達することはなく、その時点でのフロントフィレット１４ｄの高さは、アウタリード２ｂの厚さの１／２程度の高さである。

さらに加熱を続けると、図９のリフロー加熱完了に示すように、はんだ濡れ上がりの高さがアウタリード２ｂの上面２ｅより十分に高い位置（Ｕ）まで到達しており、はんだ濡れ上がり完了となる。

ここで、図１０を用いて、本実施の形態１のはんだ濡れ時間Ｄの計測における計測終了（エンド）時点の許容範囲について説明する。

ＳＯＰ１等の電子装置のはんだ実装において、実装後のはんだ接続強度を含む品質を確保するためには、以下の２項目がポイントとなる。

１つめは、アウタリード２ｂの全周がはんだ１４ａで濡れていること。２つめは、はんだ接続強度を確保するために、アウタリード２ｂの封止体３側に形成されるはんだフィレットであるバックフィレット１４ｃが形成されていることである。アウタリード２ｂの厚さは、一般的に、０．１２５〜０．２ｍｍであり、バックフィレット１４ｃの高さは、図１０に示す端子（ランド）６ｂのＰ寸法で設定されている。前記Ｐ寸法は、０．２５ｍｍ設定が一般的であり、したがって、０．２５ｍｍに対する４５度方向の高さとなる０．２５ｍｍをはんだ濡れ時間の計測時の濡れ上がり高さの上限と設定する。

すなわち、はんだ濡れ時間Ｄの計測についての計測終了（エンド）時点の許容範囲の上限（図１０に示すＴ２）は、はんだ濡れ上がりによる濡れ上がり高さ（Ｒ）がアウタリード２ｂの底面２ｄより０．２５ｍｍ高さの位置と設定する。

一方、はんだ濡れ時間の計測時の濡れ上がり高さの許容範囲の下限については、はんだ実装における品質を確保するための前記２項目のポイントを考慮してアウタリード２ｂの厚さの１／２の位置（Ｔ１）とする。ここでは、特に、アウタリード２ｂの端面２ｇ側に形成されるフロントフィレット１４ｄがアウタリード２ｂの厚さの約１／２の高さに形成されることに着目し、前記２項目のポイントを満足する下限位置の設定としている。なお、図１０に示すＱ寸法は、フロントフィレット１４ｄを設定する距離を示している。

以上により、はんだ濡れ時間Ｄの計測における計測終了（エンド）時点の許容範囲（Ｓ）は、はんだ濡れ上がりによる濡れ上がり高さ（Ｒ）が、アウタリード２ｂの厚さの１／２（Ｔ１）以上で、かつアウタリード２ｂの底面２ｄより０．２５ｍｍ高さ（Ｔ２）以下となることである。

さらに、前記許容範囲（Ｓ）の上限（Ｔ２）は、好ましくは、バックフィレット１４ｃの高さが、アウタリード２ｂの上面２ｅと同じ高さになった時点と設定することである。これにより、モニタ部１５においてはんだ濡れ上がり（Ｒ）を観察する上で、はんだ濡れ時間Ｄの計測終了時点を容易に、かつ高精度に見極めることができる。

したがって、本実施の形態１のはんだ濡れ性評価では、ビデオカメラ１２に接続されたモニタ部１５において実際のはんだ濡れ上がり（Ｒ）を観察し、はんだペースト１４の粒子１４ｂが無くなった時点を計測開始時点とし、この時点から、はんだ濡れ上がりによるバックフィレット１４ｃの高さが、アウタリード２ｂの上面２ｅと同じ高さになる時点までの時間を計測し、この時間をはんだ濡れ時間Ｄとしている。

これにより、はんだ濡れ時間Ｄを容易に、かつ高精度に計測することができる。

なお、この場合のはんだ濡れ上がりの計測終了時点では、バックフィレット１４ｃがアウタリード２ｂの上面２ｅと同じ高さまで形成されているため、アウタリード２ｂの上面２ｅ部分までのはんだめっき２ｆがはんだ１４ａと接合している。

はんだ濡れ性評価完了により、図２のステップＳ３−１に示すように、ＮＧの判定となった場合には、ＳＯＰ１の梱包を停止する。

一方、ＯＫの判定となった場合には、図２のステップＳ４に示すように梱包を行う。ここでは、図３のステップＳ４に示すように、複数のＳＯＰ１をトレイ（ケース）１７等に収容して、このトレイ１７ごと外装箱１８に入れて梱包を行う。

その後、図２のステップＳ５に示すように、外装箱１８に梱包した複数のＳＯＰ１を出荷する。

次に、複数の電子装置が実装された基板へのはんだ実装の検査とその出荷について説明する。

図１１は図１に示す半導体装置と他の電子装置の基板実装検査から出荷までの手順の一例を示すフロー図、図１２は図１１に対応した手順の一例を示すフロー図、図１３は本発明の実施の形態１の濡れ性評価と比較例の濡れ性評価とを比べて示す比較図である。

図１１及び図１２は、複数の電子装置の基板への実装および実装検査フローを示すものである。まず、図１１のステップＳ１１に示すように、はんだペースト印刷＋電子装置搭載を行う。ここでは、図１２のステップＳ１１に示すように、モジュール基板（実装基板）１９上にＳＯＰ１やチップ部品２０等の電子装置をはんだ実装する。

その後、図１１のステップＳ１２に示す品質確認（はんだ濡れ性評価）を行う。すなわち、図１２のステップＳ１２に示すように、モジュール基板１９上に搭載されたＳＯＰ１やチップ部品２０等の電子装置のはんだ実装におけるはんだペースト１４の状態をビデオカメラ１２によって撮像してはんだ濡れ性評価を行う。

なお、前記はんだ濡れ性評価の方法は、図２のステップＳ３の品質確認と同様である。つまり、モジュール基板１９上の電子装置を加熱し、はんだ実装におけるはんだペースト１４の状態（挙動）をビデオカメラ１２で撮像してモニタ部１５で観察しながらはんだ濡れ性評価を行う。前記はんだ濡れ性評価では、図２のステップＳ３の品質確認と同様に、例えば、ＳＯＰ１の場合、図７及び図８に示すように、粒子１４ｂ状のはんだペースト１４を加熱して溶融した際に、粒子１４ｂが無くなった時点から、バックフィレット１４ｃの高さが、アウタリード２ｂの上面２ｅと同じ高さになる時点までの時間を計測し、この時間をはんだ濡れ時間Ｄとする。

このようにはんだ濡れ性評価を行うことでモジュール基板１９上の各電子装置のはんだ濡れ時間Ｄを容易に、かつ高精度に計測することができるとともに、部品実装検査を容易に、かつ高精度に行うことができる。

なお、図１１のステップＳ１２−１に示すように、はんだ濡れ性評価にて、ＮＧの判定となった場合には、プロセス、材料を見直し、再度はんだ濡れ性評価を実施する。

一方、ＯＫの判定となった場合には、図１１のステップＳ１３に示すように加熱リフローを行って、図１２のステップＳ１３に示すようにモジュール基板１９上のＳＯＰ１やチップ部品２０等の電子装置の本実装を終える。

その後、図１１のステップＳ１４に示すように、梱包を行う。ここでは、図１２のステップＳ１４に示すように、ＳＯＰ１やチップ部品２０等が実装されたモジュール（電子装置）２１を外装箱１８に入れて梱包を行う。

その後、図１１のステップＳ１５に示すように、外装箱１８に梱包した複数のモジュール２１を出荷する。

次に、本実施の形態１の電子装置の評価方法及び出荷方法によって得られる効果について説明する。

すなわち、本実施の形態１の電子装置の評価方法によれば、ビデオカメラ１２によってはんだペースト１４の実際のはんだ濡れ上がりを観察するとともに、はんだ濡れ時間の時間計測の開始点及び終了点を規定することで、測定のバラツキを低減して測定の安定化を図ることができる。さらに、はんだ濡れ性の評価の精度を高めることができる。

また、ビデオカメラ１２による動画撮像後にコマ送りで濡れ時間を計測することもでき、実際の端子表面の状態を可視化することができる。これにより、はんだ濡れ性を可視的に評価できるとともに、詳細な時間計測が可能になり、より詳細なデータを得ることが可能になる。

また、実装基板の端子上にはんだペースト１４を塗布してはんだ濡れ性の評価を行うとともに、パターンを配置した金属板６ａを含む実装基板に、はんだペースト１４を介してアウタリード２ｂを搭載することで、現実のはんだ実装に近い状態ではんだ濡れ性の評価を行うことができる。パターンを配置した金属板６ａを含む実装基板を採用した場合、樹脂系の基板に比べて熱伝導率が高いため、より精度の高いデータを得ることができる。

また、評価に使用するはんだペースト１４や端子のめっき仕様等を変えても、同じ指標での評価が可能であり、今後発生する様々な組み合わせに対して、同一指標での濡れ性の比較を容易に行うことができる。

また、本実施の形態１の電子装置のはんだ濡れ性評価によってはんだ実装が良品（ＯＫ）と判断されたＳＯＰ１等の電子装置を出荷することで、出荷先（客先）でのはんだ実装における実装不良を低減することができる。

これにより、電子装置の信頼性を向上させることができる。

ここで、図１３を用いて、本実施の形態１の電子装置のはんだ濡れ性評価方法と、ＪＩＳ規格に基づくはんだ濡れ性評価方法（比較例）との比較を行う。

図１３の本実施の形態１のはんだ濡れ性評価方法（ビデオ観察法）以外の評価方法は、全てＪＩＳ規格に基づく評価方法である。例えば、はんだ槽平衡法は、はんだ槽５０内の溶融はんだ５１に測定子５８を浸けて評価を行うものであり、急加熱昇温法は、はんだペースト５３が塗布された評価治具板５２をはんだ槽５０内の溶融はんだ５１に浸け、この状態のはんだペースト５３に測定子５８を浸けて評価を行うものである。さらに、プロファイル昇温法は、加熱板５４上に設けられた評価治具板５２上に塗布されたはんだペースト５３に測定子５８を浸けて評価を行うものであり、はんだ小球平衡法は、ブロック５７に組み込まれた加熱鉄芯５６上に配置されたはんだボール５５に測定子５８を接触させて評価を行うものである。ＪＩＳ規格に基づく評価方法は、いずれも測定子５８が濡れる際に加わる浮力変化の測定により、濡れ時間を測定する方法である。

なお、はんだ槽平衡法やはんだ小球平衡法では、実際の表面実装で使用するはんだペースト１４で濡れ評価を行うことができないため、間接的な評価結果となり、測定値の精度を悪化させている。また、ソルダーペースト平衡法（急加熱昇温法やプロファイル昇温法）では、はんだ濡れ挙動をセンサーで観測するためには、熱源が印加された時点からスタートをするために、はんだ濡れ時間以外に多くの時間が加わっており、本来の濡れ時間のみを測定することができなく測定の精度を悪化させている。

図１３の比較図に示すように、比較項目のうち、リフロー実装との類似性の有無、ペースト評価の有無、評価時間の内容の３項目全て○となったのは、本実施の形態１のはんだ濡れ性評価方法（ビデオ観察法）のみであり、加えて、計測バラツキが小であるため、本実施の形態１のはんだ濡れ性評価方法は、ＪＩＳ規格に基づくはんだ濡れ性評価方法が有する種々の課題（前記測定精度が悪いこと等）を解決することが可能である。

（実施の形態２）
図１４は本発明の実施の形態２の電子装置である半導体装置の構造の一例を示す断面図、図１５は図１４に示す半導体装置のはんだ濡れ性評価で用いられる濡れ性評価装置の構造の一例を示す構成ブロック図、図１６は図１４に示す半導体装置のはんだ濡れ性評価の手順の一例を示すフロー図である。

本実施の形態２は、外部端子がボール端子の電子装置、すなわちボールタイプの電子装置に対するはんだ濡れ性評価について説明するものである。

図１４に示す半導体装置（電子装置）は、外部端子がボール端子であるはんだボール１１を複数有するＢＧＡ７である。

ＢＧＡ７の構成について説明すると、半導体チップ４と、主面８ａ上に樹脂ペースト材等のダイボンド材１０を介して半導体チップ４が搭載されたＢＧＡ基板８と、ＢＧＡ基板８の裏面８ｂ側にグリッド状（格子状）に並んで設けられた外部端子である複数のはんだボール１１と、半導体チップ４を樹脂封止する封止体３とを有している。

さらに、半導体チップ４の表面電極とＢＧＡ基板８の主面８ａのボンディングリード８ｃとが複数のワイヤ５によって電気的に接続されている。したがって、複数のワイヤ５は、半導体チップ４とともに、ＢＧＡ基板８の主面８ａ上において封止用樹脂から成る封止体３によって樹脂封止されている。

次に、ＢＧＡ７の評価方法であるはんだ濡れ性評価について説明する。

まず、それぞれに複数のはんだボール１１を備えた複数のＢＧＡ（半導体装置、電子装置）７を組み立てる。

ここでは、ＢＧＡ基板８にダイボンド材１０を介して半導体チップ４を搭載し、その後、ワイヤボンディングを行って半導体チップ４の電極パッド４ｃとＢＧＡ基板８のボンディングリード８ｃとを金線等のワイヤ５で電気的に接続する。さらに、ワイヤボンディング後、樹脂モールディングを行って封止体３を形成し、これによって半導体チップ４や複数のワイヤ５が封止体３によって樹脂封止される。

樹脂封止後、ＢＧＡ基板８の裏面８ｂ側に外部端子である複数のはんだボール１１をグリッド状に配置して接続し、さらに個片化を行ってＢＧＡ７の組み立て完了となる。

その後、複数のＢＧＡ７のうちの少なくとも１つを取り出して評価用基板６にはんだ実装し、前記はんだ実装におけるはんだ濡れ性の評価を行う。その際、実施の形態１と同様に、本実施の形態２においても、前記はんだ実装におけるはんだペースト１４の状態を動画撮像装置によって撮像してはんだ濡れ性評価を行う。なお、前記はんだ濡れ性評価は、１つのＢＧＡ７だけでなく、複数のＢＧＡ７に対して行っても良い。

ただし、本実施の形態２では、ＢＧＡ７の組み立てに用いられたはんだボール１１を用いて、はんだボール１１単体を評価する場合について説明するが、はんだ濡れ性評価としては、評価用基板６上にＢＧＡ７を配置して、ＢＧＡ７に取り付けられているはんだボール１１の評価を行っても良い。

はんだボール１１単体を評価することにより、ＢＧＡ７に設けられたはんだボール１１を評価する場合に比較して、はんだ濡れ性評価を高精度に行うことができる。

また、前記動画撮像装置として、実施の形態１と同様に、ビデオカメラ１２を用い、ビデオカメラ１２によってはんだペースト１４の状態（挙動）をモニタ（観察）する。前記はんだ濡れ性評価で用いられる評価装置について説明すると、図１５に示すように、評価対象となる外部端子がはんだペースト１４を介して接続される評価用基板６と、この評価用基板６を支持するとともに加熱手段を備えたヒートステージ１３と、ビデオカメラ１２によって撮像された映像を映し出すモニタ部１５と、ヒートステージ１３の加熱温度等を制御する制御部１６とを有している。なお、はんだペースト１４の代わりとして、フラックス（図１６参照）２２を用いてもよい。

また、評価用基板（実装基板）６は、実施の形態１で説明したものと同様の構造のものである。

次に、図１６に示す本実施の形態２のはんだ濡れ性評価方法について説明する。

まず、図１６のボール搭載に示すように、評価用基板６の同一の端子６ｂ（図５参照）上にフラックス２２と粒子状のはんだペースト１４とを、両者の間にソルダレジスト膜（絶縁膜）６ｃを介在させて塗布し、その後、フラックス２２上にはんだボール１１を搭載（配置）する。

その後、フラックス２２とはんだペースト１４を加熱してはんだ溶融によってはんだペースト１４の粒子１４ｂが無くなった時点（計時開始：ペースト溶融時）をスタートとして時間計測を開始する。すなわち、フラックス２２の横にはんだペースト１４を配置し、このはんだペースト１４の状態（挙動）を計時開始のタイマー用として使用する。なお、はんだペースト１４以外にサーモラベルや熱感知インク等を使用してもよい。

さらに加熱して、フラックス２２とはんだボール１１の接合部の形状が変化する時点（計時終了）までの時間を計測し、この時間をはんだ濡れ時間（実施の形態１におけるはんだ濡れ時間Ｄに相当）とする。なお、はんだ濡れ時間の計測においては、フラックス２２とはんだペースト１４の状態を、図１５に示すビデオカメラ１２によって撮像してモニタ部１５で観察しながら時間を計測する。

また、フラックス２２とはんだボール１１の接合部の形状変化の判断については、両者の接触角度、接触高さ、接合部面積等によって判断することが好ましい。

なお、フラックス２２の代わりにはんだペースト１４を用いて、はんだペースト１４上にはんだボール１１を搭載してはんだ濡れ時間の計測を行ってもよい。その場合には、タイマー用のはんだペースト１４は不要になることは言うまでもない。

はんだ濡れ性評価終了後、ＯＫの判定となった電子装置である複数のＢＧＡ７を、例えば、図３に示すようにトレイ１７に収容し、さらに外装箱１８に梱包して出荷する。

本実施の形態２のＢＧＡ７の評価方法によれば、実施の形態１のＳＯＰ１の場合と同様に、ビデオカメラ１２によって実際のフラックス２２とはんだペースト１４の状態を観察するとともに、はんだ濡れ時間の時間計測の開始点及び終了点を規定することで、測定のバラツキを低減して測定の安定化を図ることができる。さらに、はんだ濡れ性の評価の精度を高めることができる。

また、ビデオカメラ１２による動画撮像後にコマ送りで濡れ時間を計測することもでき、実際の端子表面の状態を可視化することができる。これにより、はんだ濡れ性を可視的に評価できるとともに、詳細な時間計測が可能になり、より詳細なデータを得ることが可能になる。

また、本実施の形態２の電子装置のはんだ濡れ性評価によってはんだ実装が良品（ＯＫ）と判断されたＢＧＡ７等の電子装置を出荷することで、出荷先（客先）でのはんだ実装における実装不良を低減することができる。

これにより、電子装置の信頼性を向上させることができる。

また、ＢＧＡ７等のボール端子に対してもはんだ濡れ性の評価を行うことが可能なため、ボールタイプの半導体装置のはんだ濡れ性の評価や、ボール端子単体のはんだ濡れ性の評価にも非常に有効である。

なお、本実施の形態２の電子装置の評価方法及び出荷方法によって得られるその他の効果については、実施の形態１の電子装置の評価方法及び出荷方法によって得られるその他の効果と同様であるため、その重複説明は省略する。

以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、前記実施の形態１においては、電子装置の一例として、ＳＯＰ１を取り上げて説明したが、前記電子装置は、ＳＯＰ１以外のＱＦＰ（Quad Flat Package)やＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) 等のリードを有した半導体装置であってもよい。

また、前記電子装置は、リードを有するものであれば、タンタルコンデンサ、電解コンデンサ、サーキュレータ、コネクタ、コイルまたはトランス等であってもよい。

また、前記実施の形態１，２においては、動画撮像装置がビデオカメラ１２の場合を説明したが、前記動画撮像装置は、動画を撮影及び再生することが可能なカメラであれば、ビデオカメラ以外のいずれのカメラであってもよい。

本発明は、はんだ実装が行われる電子装置のはんだ濡れ性の評価に好適である。

１ ＳＯＰ（半導体装置、電子装置）
２ａ インナリード
２ｂ アウタリード
２ｃ ダイパッド
２ｄ 底面
２ｅ 上面
２ｆ はんだめっき
２ｇ 端面
３ 封止体（本体部）
４ 半導体チップ
４ａ 主面
４ｂ 裏面
４ｃ 電極パッド
５ ワイヤ
６ 評価用基板（実装基板）
６ａ 金属板
６ｂ 端子
６ｃ ソルダレジスト膜（絶縁膜）
７ ＢＧＡ（半導体装置、電子装置）
８ ＢＧＡ基板
８ａ 主面
８ｂ 裏面
８ｃ ボンディングリード
９ テスター
９ａ テスト端子
１０ ダイボンド材
１１ はんだボール
１２ ビデオカメラ（動画撮像装置）
１３ ヒートステージ
１４ はんだペースト
１４ａ はんだ
１４ｂ 粒子
１４ｃ バックフィレット
１４ｄ フロントフィレット
１５ モニタ部
１６ 制御部
１７ トレイ（ケース）
１８ 外装箱
１９ モジュール基板（実装基板）
２０ チップ部品（電子装置）
２１ モジュール（電子装置）
２２ フラックス
５０ はんだ槽
５１ 溶融はんだ
５２ 評価治具板
５３ はんだペースト
５４ 加熱板
５５ はんだボール
５６ 加熱鉄芯
５７ ブロック
５８ 測定子

Claims (16)

1. （ａ）それぞれにアウタリードを備えた複数の電子装置を組み立てる工程と、
   （ｂ）前記複数の電子装置のうちの少なくとも１つを実装基板にはんだ実装し、前記はんだ実装におけるはんだペーストの状態を動画撮像装置によって撮像してはんだ濡れ性の評価を行う工程と、
   を有し、
   前記アウタリードは、前記電子装置の基板実装時に前記実装基板の端子と対向して配置される底面とその反対側の上面とを有し、
   前記（ｂ）工程における前記評価は、
   （ｂ１）前記実装基板の前記端子上に粒子状の前記はんだペーストを塗布する工程と、
   （ｂ２）前記はんだペースト上に前記電子装置の前記アウタリードを配置する工程と、
   （ｂ３）前記はんだペーストを加熱して前記はんだペーストを溶融し、前記粒子が無くなった時点から、はんだ濡れ上がりによる濡れ上がり高さが、前記アウタリードの厚さの１／２以上で、かつ前記アウタリードの前記底面より０．２５ｍｍ高さ以下の範囲に入る時点までのはんだ濡れ時間を計測する工程と、
   を有することを特徴とする電子装置の評価方法。
2. 請求項１記載の電子装置の評価方法において、前記評価では、前記はんだペーストを溶融した際に、前記粒子が無くなった時点から、はんだ濡れ上がりによって形成されるはんだフィレットのうち、前記アウタリードの前記電子装置の本体部側に形成される前記はんだフィレットの高さが、前記アウタリードの前記上面と同じ高さになるまでの時間を計測することを特徴とする電子装置の評価方法。
3. 請求項２記載の電子装置の評価方法において、前記アウタリードの厚さは、０．１２５〜０．２ｍｍであることを特徴とする電子装置の評価方法。
4. 請求項３記載の電子装置の評価方法において、前記実装基板は、表面に絶縁膜が形成された金属板から成ることを特徴とする電子装置の評価方法。
5. 請求項４記載の電子装置の評価方法において、前記電子装置は、半導体チップが搭載された半導体装置であることを特徴とする電子装置の評価方法。
6. （ａ）それぞれにはんだボールを備えた複数の電子装置を組み立てる工程と、
   （ｂ）前記複数の電子装置のうちの少なくとも１つ、もしくは前記電子装置の組み立てに用いられたはんだボールを実装基板にはんだ実装し、前記はんだ実装におけるはんだペーストの状態を動画撮像装置によって撮像してはんだ濡れ性の評価を行う工程と、
   を有し、
   前記（ｂ）工程における前記評価は、
   （ｂ１）前記実装基板の端子上に粒子状の前記はんだペーストを塗布する工程と、
   （ｂ２）前記はんだペースト上に前記はんだボールを配置する工程と、
   （ｂ３）前記はんだペーストを加熱して前記はんだペーストを溶融し、前記粒子が無くなった時点から、前記はんだペーストと前記はんだボールの接合部の形状が変化する時点までのはんだ濡れ時間を計測する工程と、
   を有することを特徴とする電子装置の評価方法。
7. 請求項６記載の電子装置の評価方法において、前記はんだボールは、前記電子装置の組み立てに用いられたはんだボール単体であることを特徴とする電子装置の評価方法。
8. 請求項７記載の電子装置の評価方法において、前記実装基板は、表面に絶縁膜が形成された金属板から成ることを特徴とする電子装置の評価方法。
9. 請求項８記載の電子装置の評価方法において、前記電子装置は、半導体チップが搭載された半導体装置であることを特徴とする電子装置の評価方法。
10. （ａ）それぞれにはんだボールを備えた複数の電子装置を組み立てる工程と、
    （ｂ）前記複数の電子装置のうちの少なくとも１つ、もしくは前記電子装置の組み立てに用いられたはんだボールを実装基板にはんだ実装し、前記はんだ実装におけるはんだ濡れ性の評価を行う工程と、
    を有し、
    前記（ｂ）工程における前記評価は、
    （ｂ１）前記実装基板の同一の端子上にフラックスと粒子状のはんだペーストとを、両者の間に絶縁膜を介在させて塗布する工程と、
    （ｂ２）前記フラックス上に前記はんだボールを配置する工程と、
    （ｂ３）前記フラックスと前記はんだペーストを加熱してはんだ溶融によって前記はんだペーストの前記粒子が無くなった時点から、前記フラックスと前記はんだボールの接合部の形状が変化する時点までのはんだ濡れ時間を、前記フラックスと前記はんだペーストの状態を動画撮像装置によって撮像して計測する工程と、
    を有することを特徴とする電子装置の評価方法。
11. （ａ）それぞれにアウタリードを備えた複数の電子装置を組み立てる工程と、
    （ｂ）前記複数の電子装置のうちの少なくとも１つを実装基板にはんだ実装し、前記はんだ実装におけるはんだペーストの状態を動画撮像装置によって撮像してはんだ濡れ性の評価を行う工程と、
    （ｃ）前記複数の電子装置をケースに収容して出荷する工程と、
    を有し、
    前記アウタリードは、前記電子装置の基板実装時に前記実装基板の端子と対向して配置される底面とその反対側の上面とを有し、
    前記（ｂ）工程における前記評価は、
    （ｂ１）前記実装基板の前記端子上に粒子状のはんだペーストを塗布する工程と、
    （ｂ２）前記はんだペースト上に前記電子装置の前記アウタリードを配置する工程と、
    （ｂ３）前記はんだペーストを加熱して前記はんだペーストを溶融し、前記粒子が無くなった時点から、はんだ濡れ上がりによる濡れ上がり高さが、前記アウタリードの厚さの１／２以上で、かつ前記アウタリードの前記底面より０．２５ｍｍ高さ以下の範囲に入る時点までのはんだ濡れ時間を計測する工程と、
    を有することを特徴とする電子装置の出荷方法。
12. 請求項１１記載の電子装置の出荷方法において、前記評価では、前記はんだペーストを溶融した際に、前記粒子が無くなった時点から、はんだ濡れ上がりによって形成されるはんだフィレットのうち、前記アウタリードの前記電子装置の本体部側に形成される前記はんだフィレットの高さが、前記アウタリードの前記上面と同じ高さになるまでの時間を計測することを特徴とする電子装置の出荷方法。
13. 請求項１２記載の電子装置の出荷方法において、前記電子装置は、半導体チップが搭載された半導体装置であることを特徴とする電子装置の出荷方法。
14. （ａ）それぞれにはんだボールを備えた複数の電子装置を組み立てる工程と、
    （ｂ）前記複数の電子装置のうちの少なくとも１つ、もしくは前記電子装置の組み立てに用いられたはんだボールを実装基板にはんだ実装し、前記はんだ実装におけるはんだペーストの状態を動画撮像装置によって撮像してはんだ濡れ性の評価を行う工程と、
    （ｃ）前記複数の電子装置をケースに収容して出荷する工程と、
    を有し、
    前記（ｂ）工程における前記評価は、
    （ｂ１）前記実装基板の端子上に粒子状のはんだペーストを塗布する工程と、
    （ｂ２）前記はんだペースト上に前記はんだボールを配置する工程と、
    （ｂ３）前記はんだペーストを加熱して前記はんだペーストを溶融し、前記粒子が無くなった時点から、前記はんだペーストと前記はんだボールの接合部の形状が変化する時点までのはんだ濡れ時間を計測する工程と、
    を有することを特徴とする電子装置の出荷方法。
15. 請求項１４記載の電子装置の出荷方法において、前記はんだボールは、前記電子装置の組み立てに用いられたはんだボール単体であることを特徴とする電子装置の出荷方法。
16. 請求項１５記載の電子装置の出荷方法において、前記電子装置は、半導体チップが搭載された半導体装置であることを特徴とする電子装置の出荷方法。

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