JP2011129756A - マスクパターンの生成方法、マスクパターン生成プログラム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マスクパターンの生成方法は、回路パターンのレイアウトデータから芯材パターンを取得し、芯材パターンを形成するためのマスクパターンを用いて、芯材パターン、芯材パターンを転写した転写パターン及び芯材パターンまたは転写パターンの側壁に形成する側壁パターンのいずれかを求めるプロセスシミュレーションを行い、芯材パターンまたは転写パターンの側壁に形成される側壁パターンが閉ループを構成するか否かを検証し、検証の結果、側壁パターンが閉ループを構成すると判断する場合は、マスクパターンを変更し、側壁パターンが閉ループを構成しないと判断する場合は、マスクパターンを採用する、ことを含む。
【選択図】図8
Description
図1は、第1の実施の形態に係るプログラムを実行するコンピュータのブロック図である。このコンピュータ1は、例えば、図1に示すように、制御部10と、入力部12と、出力部14と、読取部16と、表示部18と、プログラム200及びレイアウトデータ201を記憶する記憶部20と、を備えて概略構成されている。
図2は、第1の実施の形態に係るプログラムの構成を示す概略図である。このプログラム200は、例えば、図2に示すように、芯材パターン取得部200aと、DRC(Design Rule Check)部200bと、シミュレーション部200cと、マスクパターン生成部200dと、OPC(Optical Proximity Correction:光学近接効果補正)部200eとを備えて概略構成されている。なお、芯材パターン取得部200a、DRC部200b、シミュレーション部200c、マスクパターン生成部200d及びOPC部200eは、例えば、全てがプログラム200に含まれなくても良く、それぞれが独立のプログラムに含まれ、独立のプログラムを纏めて提供されても良い。
シミュレーションの際は、芯材パターンを形成するためのマスクパターンを用意する必要がある。このマスクパターンは、マスクパターン生成部200dにより生成される。マスクパターン生成の際は、OPC部200eにより、OPC処理(補助パターンの生成も含む)を施す。つまり、OPC部200eは、例えば、マスクパターン同士の近接によって転写するパターン形状が所望のパターン形状からずれる光学近接効果を制御するため、微細な補正パターンを作成し、作成した補正パターンをマスクパターンデータ23に追加することで、マスクパターンデータ23を補正する。
上記のシミュレーションの結果、閉ループが切断されなかったとき、すなわち、得られる芯材パターンが所望のテーパー形状を有していないとき、あるいは得られる側壁パターンの閉ループが切断されていないとき、マスクパターンの変更、例えばOPC条件、補助パターンの配置等の条件を変更して再度芯材パターン形成或いは側壁パターン形成のシミュレーションを行う。また、シミュレーション部200cは、例えば、所定の回数のマスクパターンの変更、有効な補助パターンの配置等の全ての条件に基づいて側壁パターン形成のシミュレーションを行っても、閉ループが切断されないとき、取得条件を変更して芯材パターン取得部200aを介して設計芯材パターンを再度取得する。芯材パターン取得条件とは、たとえば、側壁パターンの設定膜厚であり、この膜厚に応じて芯材パターンの設定寸法が適宜変更される。また、DRC部200bのDRC条件を変更してもよい。
さらに、シミュレーション部200cは、例えば、所定の回数の設計芯材パターンの取得条件の変更、又は有効な全ての取得条件の変更によっても側壁パターン形成のシミュレーションによって閉ループが切断されないとき、レイアウトデータ201が変更される。ただし、必ずしも芯材パターン取得条件を変更してシミュレーションを通して再検証せずに、マスクパターン生成部200dによりレイアウトデータ201を変更してもよい。
なお、シミュレーション部200cは、例えば、閉ループが切断されないとき、芯材パターン及び側壁パターン形成の際のプロセス条件を変更しても良い。プロセス条件は、芯材パターン形成時のリソグラフィ条件(ドーズ、フォーカスなど)や側壁パターン材料の堆積膜厚や側壁パターン形成時のエッチバック量などである。
図3は、マスクパターンデータに基づいてフォトマスク製造装置によって製造されたフォトマスクの概略図である。
図4は、転写パターンの端部の断面図である。なお、図4では、転写パターン6及び側壁材膜7のハッチング処理は、説明のため省略している。この転写パターン6は、例えば、フォトマスクに形成された芯材パターンを転写して形成されたものであるが、芯材パターンであっても良い。
a×α>Y=α×cos−1θ・・・(1)
エッチバックにおいては、斜面形成部ではない転写パターンの側壁に形成された側壁パターンの高さも減少する。このため、エッチバック量が大きく側壁パターンの高さが低いと、後の工程において側壁パターンをマスクに下層膜をエッチング加工する際、側壁パターンのマスク耐性が低下してしまい、所望の加工工程を実現できない。したがって、例えば、閉ループが切断前の側壁パターンの高さを側壁材膜7の膜厚の1.4倍程度以上とする。さらに、転写パターンの傾斜角θがθ<45°(ただし0°<θとする。)となるように設定することが好ましい。本実施の形態においては、一例として、0°<θ<45°となるθになるように端部60を形成する。以下に、側壁パターンの形成方法について説明する。
図5(a)、(d)及び(g)は、転写パターンの端部の上面図である。図5(b)は、図5(a)のV(b)-V(b)線で切断した位置における断面図である。図5(c)は、図5(a)のV(c)-V(c)線で切断した位置における断面図である。図5(e)は、図5(d)のV(e)-V(e)線で切断した位置における断面図である。図5(f)は、図5(d)のV(f)-V(f)線で切断した位置における断面図である。図5(h)は、図5(g)のV(h)-V(h)線で切断した位置における断面図である。図5(i)は、図4(g)のV(i)-V(i)線で切断した位置における断面図である。以下に側壁パターンの形成方法を説明する。
図8は、第1の実施の形態に係るマスクパターンの生成方法に関するフローチャートである。図8のフローチャートに従って、マスクパターンを生成するまでの工程の一例を説明する。
X0=X+f(Slope)・・・(3)
X0は、図9(b)及び(e)に示す転写パターン6の斜面61の始まりから終わりまでの水平方向の距離である。なお、f(Slope)は、予め実験又はシミュレーション等により、所望のテーパー形状となる端部形状に基づいて算出された関数である。なお、上記の判定等は、例えば、レジスト膜に形成された芯材パターンの端部に対して行われても良い。
図10(a)〜(f)は、第1の実施の形態に係るフォトマスクを用いた半導体装置の製造工程を示す要部断面図である。
第1の実施の形態によれば、以下の効果が得られる。
(1)側壁パターンが形成されて閉ループとなる芯材パターンまたは転写パターンの端部が、閉ループを切断する形状を有しているので、フォトリソグラフィ法によって閉ループを切断する場合に比べて、側壁パターンの形成の際に閉ループが切断されることから工程数が少なくなる。工程数が少ないので、半導体装置の製造コストを下げることができる。
(2)コンピュータ1が、芯材パターンまたは転写パターンの端部の形状をテーパー形状とするためのプログラム200を実行するので、芯材パターンまたは転写パターンの端部の形状をテーパー形状とするプログラムを実行しないでマスクパターンデータを生成する場合と比べて、芯材パターンまたは転写パターンの端部の形状がテーパー形状となるフォトマスクのマスクパターンデータ23を、容易に生成することができる。
(3)プログラム200は、閉ループを切断する必要のある芯材パターンまたは転写パターンの端部のテーパー形状の判定と、テーパー形状とする必要のない端部の非テーパー形状の判定を行うので、非テーパー形状の判定を行わない場合に比べて、閉ループの切断が必要ない端部がテーパー形状となることを防ぐことができ、半導体装置の歩留まりが向上する。
以下に、第2の実施の形態について説明する。この第2の実施の形態は、デザインルールの判定を行なった次の工程で、光学近接効果補正を行う点において第1の実施の形態と異なっている。なお、第2の実施の形態において、第1の実施の形態と同様の構成及び機能を有する部分は、同じ符号を付し、その説明は省略するものとする。
図11は、第2の実施の形態に係るマスクパターンの生成方法に関するフローチャートである。
第2の実施の形態によれば、光学近接効果補正に基づく補正パターンを用いて補正した設計芯材パターンに基づいて芯材パターンまたは転写パターンの端部が閉ループを切断する形状となる条件を求めるので、フォトマスクのマスクパターンが決定した後に光学近接効果補正を行う場合と比べて、光学近接効果補正にともなう芯材パターンまたは転写パターンの端部のテーパー形状の変化を防ぐことができる。端部のテーパー形状の変化を防ぐことから、精度良く、閉ループを切断することでき、半導体装置の歩留まりが向上する。
Claims (5)
- 回路パターンのレイアウトデータから芯材パターンを取得し、
前記芯材パターンを形成するためのマスクパターンを用いて、前記芯材パターン、前記芯材パターンを転写した転写パターン及び前記芯材パターンまたは前記転写パターンの側壁に形成する側壁パターンのいずれかを求めるプロセスシミュレーションを行い、前記芯材パターンまたは前記転写パターンの側壁に形成される側壁パターンが閉ループを構成するか否かを検証し、
前記検証の結果、前記側壁パターンが閉ループを構成すると判断する場合は前記マスクパターンを変更し、前記側壁パターンが閉ループを構成しないと判断する場合は、前記マスクパターンを採用することを特徴とするマスクパターン生成方法。 - 前記検証では、前記芯材パターンまたは前記転写パターンの形状が所望のテーパー形状か否かを判断することにより検証することを特徴とする請求項1に記載のマスクパターンの生成方法。
- 前記マスクパターンを変更では、前記マスクパターンの補助パターンの形状または配置を変更することを特徴とする請求項1記載のマスクパターンの生成方法。
- 回路パターンのレイアウトデータから芯材パターンを取得する手順と、
前記芯材パターンを形成するためのマスクパターンを用いたプロセスシミュレーションにより求められた、前記芯材パターンまたは前記芯材パターンを転写した転写パターンの側壁に形成される側壁パターンが閉ループを構成するか否かを検証する手順と、
前記検証の結果、前記側壁パターンが閉ループを構成すると判断する場合は前記マスクパターンを変更し、前記側壁パターンが閉ループを構成しないと判断する場合は、前記マスクパターンを採用する手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするマスクパターン生成プログラム。 - 請求項1乃至3記載のいずれかのマスクパターンの生成方法によって生成された前記マスクパターンを有するフォトマスクを用いて行われる半導体装置の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014093450A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-19 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン構造体の形成方法 |
JP2014194960A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用テンプレート、ナノインプリント用テンプレートを用いたパターン形成方法、およびナノインプリント用テンプレートの製造方法 |
JP2020047634A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | キオクシア株式会社 | パターン形成方法、マスタテンプレートおよびテンプレートの製造方法 |
JP7494104B2 (ja) | 2020-12-24 | 2024-06-03 | キオクシア株式会社 | パターン形成方法およびテンプレートの製造方法 |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8624398B2 (en) * | 2009-08-26 | 2014-01-07 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor circuit structure |
US11269977B2 (en) | 2010-11-29 | 2022-03-08 | Biocatch Ltd. | System, apparatus, and method of collecting and processing data in electronic devices |
US10621585B2 (en) | 2010-11-29 | 2020-04-14 | Biocatch Ltd. | Contextual mapping of web-pages, and generation of fraud-relatedness score-values |
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US10476873B2 (en) | 2010-11-29 | 2019-11-12 | Biocatch Ltd. | Device, system, and method of password-less user authentication and password-less detection of user identity |
US11223619B2 (en) | 2010-11-29 | 2022-01-11 | Biocatch Ltd. | Device, system, and method of user authentication based on user-specific characteristics of task performance |
US10069837B2 (en) * | 2015-07-09 | 2018-09-04 | Biocatch Ltd. | Detection of proxy server |
US10474815B2 (en) | 2010-11-29 | 2019-11-12 | Biocatch Ltd. | System, device, and method of detecting malicious automatic script and code injection |
US11210674B2 (en) | 2010-11-29 | 2021-12-28 | Biocatch Ltd. | Method, device, and system of detecting mule accounts and accounts used for money laundering |
US10897482B2 (en) | 2010-11-29 | 2021-01-19 | Biocatch Ltd. | Method, device, and system of back-coloring, forward-coloring, and fraud detection |
US10404729B2 (en) | 2010-11-29 | 2019-09-03 | Biocatch Ltd. | Device, method, and system of generating fraud-alerts for cyber-attacks |
US10728761B2 (en) | 2010-11-29 | 2020-07-28 | Biocatch Ltd. | Method, device, and system of detecting a lie of a user who inputs data |
US10055560B2 (en) | 2010-11-29 | 2018-08-21 | Biocatch Ltd. | Device, method, and system of detecting multiple users accessing the same account |
US10069852B2 (en) | 2010-11-29 | 2018-09-04 | Biocatch Ltd. | Detection of computerized bots and automated cyber-attack modules |
US10083439B2 (en) | 2010-11-29 | 2018-09-25 | Biocatch Ltd. | Device, system, and method of differentiating over multiple accounts between legitimate user and cyber-attacker |
US10747305B2 (en) | 2010-11-29 | 2020-08-18 | Biocatch Ltd. | Method, system, and device of authenticating identity of a user of an electronic device |
US10776476B2 (en) | 2010-11-29 | 2020-09-15 | Biocatch Ltd. | System, device, and method of visual login |
US10949514B2 (en) | 2010-11-29 | 2021-03-16 | Biocatch Ltd. | Device, system, and method of differentiating among users based on detection of hardware components |
US10262324B2 (en) | 2010-11-29 | 2019-04-16 | Biocatch Ltd. | System, device, and method of differentiating among users based on user-specific page navigation sequence |
US10685355B2 (en) * | 2016-12-04 | 2020-06-16 | Biocatch Ltd. | Method, device, and system of detecting mule accounts and accounts used for money laundering |
US10164985B2 (en) | 2010-11-29 | 2018-12-25 | Biocatch Ltd. | Device, system, and method of recovery and resetting of user authentication factor |
US10949757B2 (en) | 2010-11-29 | 2021-03-16 | Biocatch Ltd. | System, device, and method of detecting user identity based on motor-control loop model |
US10917431B2 (en) | 2010-11-29 | 2021-02-09 | Biocatch Ltd. | System, method, and device of authenticating a user based on selfie image or selfie video |
US10298614B2 (en) * | 2010-11-29 | 2019-05-21 | Biocatch Ltd. | System, device, and method of generating and managing behavioral biometric cookies |
US10834590B2 (en) | 2010-11-29 | 2020-11-10 | Biocatch Ltd. | Method, device, and system of differentiating between a cyber-attacker and a legitimate user |
US10970394B2 (en) | 2017-11-21 | 2021-04-06 | Biocatch Ltd. | System, device, and method of detecting vishing attacks |
US8938787B2 (en) * | 2010-11-29 | 2015-01-20 | Biocatch Ltd. | System, device, and method of detecting identity of a user of a mobile electronic device |
US20190158535A1 (en) * | 2017-11-21 | 2019-05-23 | Biocatch Ltd. | Device, System, and Method of Detecting Vishing Attacks |
US9483292B2 (en) | 2010-11-29 | 2016-11-01 | Biocatch Ltd. | Method, device, and system of differentiating between virtual machine and non-virtualized device |
US20240080339A1 (en) * | 2010-11-29 | 2024-03-07 | Biocatch Ltd. | Device, System, and Method of Detecting Vishing Attacks |
US9526006B2 (en) * | 2010-11-29 | 2016-12-20 | Biocatch Ltd. | System, method, and device of detecting identity of a user of an electronic device |
US10395018B2 (en) | 2010-11-29 | 2019-08-27 | Biocatch Ltd. | System, method, and device of detecting identity of a user and authenticating a user |
US10586036B2 (en) | 2010-11-29 | 2020-03-10 | Biocatch Ltd. | System, device, and method of recovery and resetting of user authentication factor |
US10037421B2 (en) | 2010-11-29 | 2018-07-31 | Biocatch Ltd. | Device, system, and method of three-dimensional spatial user authentication |
KR20150109088A (ko) * | 2014-03-19 | 2015-10-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치의 미세패턴 형성방법 |
GB2539705B (en) | 2015-06-25 | 2017-10-25 | Aimbrain Solutions Ltd | Conditional behavioural biometrics |
GB2552032B (en) | 2016-07-08 | 2019-05-22 | Aimbrain Solutions Ltd | Step-up authentication |
US10198122B2 (en) | 2016-09-30 | 2019-02-05 | Biocatch Ltd. | System, device, and method of estimating force applied to a touch surface |
US10579784B2 (en) | 2016-11-02 | 2020-03-03 | Biocatch Ltd. | System, device, and method of secure utilization of fingerprints for user authentication |
US10397262B2 (en) | 2017-07-20 | 2019-08-27 | Biocatch Ltd. | Device, system, and method of detecting overlay malware |
US11606353B2 (en) | 2021-07-22 | 2023-03-14 | Biocatch Ltd. | System, device, and method of generating and utilizing one-time passwords |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100354440B1 (ko) * | 2000-12-04 | 2002-09-28 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치의 패턴 형성 방법 |
US6383952B1 (en) * | 2001-02-28 | 2002-05-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | RELACS process to double the frequency or pitch of small feature formation |
US7587704B2 (en) * | 2005-09-09 | 2009-09-08 | Brion Technologies, Inc. | System and method for mask verification using an individual mask error model |
JP2008233383A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Toshiba Corp | パターン作成方法、パターン作成プログラム、マスクの製造方法、および半導体装置の製造方法 |
JP4896898B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2012-03-14 | 株式会社東芝 | パターン作成方法および半導体装置の製造方法 |
JP5536985B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置製造方法およびパターン寸法設定プログラム |
US8329385B2 (en) * | 2008-06-10 | 2012-12-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device |
-
2009
- 2009-12-18 JP JP2009287716A patent/JP2011129756A/ja not_active Abandoned
-
2010
- 2010-12-09 US US12/964,185 patent/US20110154273A1/en not_active Abandoned
- 2010-12-17 KR KR1020100129867A patent/KR20110070822A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014093450A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-19 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン構造体の形成方法 |
JP2014194960A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用テンプレート、ナノインプリント用テンプレートを用いたパターン形成方法、およびナノインプリント用テンプレートの製造方法 |
JP2020047634A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | キオクシア株式会社 | パターン形成方法、マスタテンプレートおよびテンプレートの製造方法 |
JP7494104B2 (ja) | 2020-12-24 | 2024-06-03 | キオクシア株式会社 | パターン形成方法およびテンプレートの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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