JP2011128724A - 非接触型ｉｃカードシステム - Google Patents
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Abstract
【課題】表示素子を搭載した非接触型ＩＣカードの非接触型ＩＣカードシステムに関し、特にＩＣカードリーダライタ側において、負荷変動を誤って負荷変調とみなすことによるエラー発生を無くし、通信速度を確保し、大きなアンテナ受信電力を確保する非接触型ＩＣカードシステムを提供するものである。
【解決手段】非接触型ＩＣカードと、該非接触型ＩＣカードとデータの送受信を行うＩＣカードリーダライタとを有する非接触型ＩＣカードシステムであって、上記非接触型ＩＣカードは表示素子を有し、上記ＩＣカードリーダライタは、上記非接触型ＩＣカードが前記表示素子にデータを表示する際、上記非接触型ＩＣカードからの負荷変調信号の検出を不活性状態とすることを特徴とする。
【選択図】図１
【解決手段】非接触型ＩＣカードと、該非接触型ＩＣカードとデータの送受信を行うＩＣカードリーダライタとを有する非接触型ＩＣカードシステムであって、上記非接触型ＩＣカードは表示素子を有し、上記ＩＣカードリーダライタは、上記非接触型ＩＣカードが前記表示素子にデータを表示する際、上記非接触型ＩＣカードからの負荷変調信号の検出を不活性状態とすることを特徴とする。
【選択図】図１
Description
本発明はＩＣカードシステムに関し、特に表示素子を搭載した非接触型ＩＣカードのＩＣカードシステムに関する。
今日、非接触型のＩＣカードを使用したカードシステムが広く使用されている。また、表示素子が搭載された非接触型ＩＣカードも使用され、表示素子としてコレステリック液晶を使用したＩＣカードシステムも提案されている。このような非接触型ＩＣカードシステムでは、データ通信の安定度と表示素子の駆動電力の低減を両立できる構成のシステムが要求されている。
例えば、データ通信の安定度を改善する発明として、特許文献１は非接触式ＩＣカードにおいて、受信信号のレベルを検知し、検知した受信信号のレベルに応じて共振回路のＱ値を可変制御し、データ通信の安定化を図る発明が提案されている。
しかしながら、従来の非接触型ＩＣカードシステムでは、以下の問題がある。すなわち、非接触型ＩＣカードからＩＣカードリーダライタへの信号伝送は負荷変調により行われる。しかし、ＩＣカードの全面を覆うような大面積の表示素子を搭載したＩＣカードの場合、表示素子の駆動に伴って負荷変動が生じ、ＩＣカードリーダライタ側において負荷変動が誤って負荷変調とみなされ、システムエラーの原因となる。
また、ＩＣカードの全面を覆うような大面積の表示素子では、ＩＣカードに送信する表示データ量が多く、通信速度が低下する。
さらに、上記のような大面積の表示素子を駆動する場合、大きな消費電力を必要とする。このため、アンテナ受信電力が不足する。
さらに、上記のような大面積の表示素子を駆動する場合、大きな消費電力を必要とする。このため、アンテナ受信電力が不足する。
そこで、本発明は非接触型ＩＣカードを使用したＩＣカードシステムにおいて、ＩＣカードリーダライタ側において、負荷変動を誤って負荷変調とみなすことによるシステムエラーの発生を回避し、通信速度と、大きなアンテナ受信電力を確保する非接触型ＩＣカードシステムを提供するものである。
上記課題は、非接触型ＩＣカードと、該非接触型ＩＣカードとデータの送受信を行うＩＣカードリーダライタとを有する非接触型ＩＣカードシステムであって、上記非接触型ＩＣカードは表示素子を有し、上記ＩＣカードリーダライタは、上記非接触型ＩＣカードが前記表示素子にデータを表示する際、上記非接触型ＩＣカードからの負荷変調信号の検出を不活性状態とすることによって、非接触型ＩＣカード側に負荷変動が生じた場合でもシステムエラーの発生を回避する。
上記課題は本発明によれば、負荷変動を誤って負荷変調とみなすことによるシステムエラーの発生を回避し、高速通信を可能とし、大きなアンテナ受信電力を確保して大面積の表示素子の駆動を可能とする非接触型ＩＣカードシステムを提供するものである。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
（実施形態１）
図１は本実施形態の非接触型ＩＣカードシステムに使用するＩＣカードの回路ブロック図であり、また図２はＩＣカードリーダライタの回路ブロック図である。
（実施形態１）
図１は本実施形態の非接触型ＩＣカードシステムに使用するＩＣカードの回路ブロック図であり、また図２はＩＣカードリーダライタの回路ブロック図である。
図２に示すように、ＩＣカードリーダライタ１はコントロール部２、電波インターフェース３、及びループアンテナ４で構成され、コントロール部２にはＩＣカードリーダライタ１にアプリケーションを供給するホスト機器５が接続されている。コントロール部２は信号インターフェース２ａ、マイクロプロセッサ２ｂ、ゲートＡＳＩＣ（application specific integrated circuit）２ｃ、メモリ２ｄ、電源部２ｅで構成され、ホスト機器５によって指示されるアプリケーションに従って、マイクロプロセッサ２ｂはＲＯＭ、ＲＡＭで構成されるメモリ２ｄから必要なデータを読み出し、送信データを作成し、ゲートＡＳＩＣ２ｃを介して電波インターフェース３に送る。
電波インターフェース３は変調器３ａ、水晶発振器３ｂ、増幅器３ｃ、３ｄ、フィルタ３ｅ、及び検波復調器３ｆで構成され、コントロール部２から送信されたデータを水晶発振器３ｂからの発振クロックに基づいて変調器３ａによって変調し、増幅器３ｃで増幅し、ループアンテナ４からＩＣカード側に送信する。一方、ＩＣカードから送信された負荷変調信号はループアンテナ４、フィルタ３ｅ、増幅器３ｄを介して検波復調器３ｆに入力し、データの復調が行われ、受信データとしてコントロール部２に送られる。
一方、上記構成のＩＣカードリーダライタ１との間でデータの送受信を行うＩＣカードは、図１に示す回路構成であり、表示素子制御回路６、メモリ表示素子７、電力蓄積手段８、ＩＣチップ９、及び温度計１６で構成されている。
ＩＣチップ９はアナログフロントエンド１０、コントロールマイクロプロセッサ１１、変調器１２、メモリ１３、及び暗号処理部１４で構成されている。アナログフロントエンド１０はアンテナコイル１５やキャパシタＣ１、後述する共振状態切替回路等を含む回路構成であり、コントロールマイクロプロセッサ１１から出力される共振状態切替信号によって共振状態の切り替え処理が行われる。また、図１に示すコマンド２２はコマンドデコーダであり、伝送クロック２３は伝送クロックジェネレータである。
コントロールマイクロプロセッサ１１は上記共振状態切替信号や、ＩＣカードリーダライタ１への送信データ等を作成し、またＲＯＭ、ＲＡＭ、ＥＥＰＲＯＭで構成されるメモリ１３へのデータの書き込み、メモリ１３からのデータの読み出し制御を行う。また、暗号処理部１４とデータの送受信を行い、データの暗号化処理を行う。また、上記ＥＥＰＲＯＭには温度に対応した液晶素子の駆動周期の情報を記憶するテーブル１３ａが設けられている。
電力蓄積手段８は、例えばコンデンサで構成され、後述するロジック電源が供給される。また、使用するコンデンサの容量は、例えば充電時の電圧を１０Ｖとし、放電時の電圧を７Ｖとし、負荷を５Ｖ１０ｍＷ×１．５秒とすると、１ｍＦ以上のコンデンサを使用する。この場合、例えばシート状の電気二重層コンデンサであれば、ＩＣカードへの実装も可能である。
また、メモリ表示素子７は、例えば室温でコレステリック相を示すコレステリック液晶を封入した液晶表示素子であり、表示素子制御回路６はメモリ表示素子７を駆動するためのドライバＩＣや、ドライバＩＣの駆動制御を行う制御回路等で構成されている。
図３は、上記アナログフロントエンド１０の回路ブロック図である。図３において、アナログフロントエンド１０は、共振状態切替回路１７、標準信号変復調回路１８、高速信号復調回路１９、ロジック電力受信回路２０、及び大電力受信回路２１で構成されている。
標準信号変復調回路１８には、上記変調器１２、コマンド（デコーダ）２２、伝送クロック（ジェネレータ）２３も含み、ＩＣカードリーダライタ１から供給されるコマンドのデコード処理や、受信データの復調処理、送信データの変調処理等を行う。
また、高速信号復調回路１９はＩＣカードリーダライタ１からの受信データを高速復調する回路であり、例えば後述する表示データをＩＣカードリーダライタ１から受信し、表示データを高速復調し、コントロールマイクロプロセッサ１１に送信する。
また、ロジック電力受信回路２０は、後述する通常共振時、受信信号を整流レギュレータによって整流し、ロジック電源として前述の電力蓄積手段８に供給する。
さらに、大電力受信回路２１は前述のメモリ表示素子７を駆動する際、表示素子制御回路６に高圧電源を供給する回路であり、例えばメモリ表示素子７がＩＣカードの全面を覆うような大面積の表示素子である場合でも、表示素子の駆動に充分な電力供給を行う。
さらに、大電力受信回路２１は前述のメモリ表示素子７を駆動する際、表示素子制御回路６に高圧電源を供給する回路であり、例えばメモリ表示素子７がＩＣカードの全面を覆うような大面積の表示素子である場合でも、表示素子の駆動に充分な電力供給を行う。
上記標準信号変復調回路１８、高速信号復調回路１９、ロジック電力受信回路２０、及び大電力受信回路２１の回路切り替えは共振状態切替回路１７によって行われる。
図４は、上記共振状態切替回路１７の回路図である。図４に示すように、共振状態切替回路１７はアンテナコイル１５、キャパシタＣ１、スイッチＳＷ１、ＳＷ２、抵抗Ｒ１〜Ｒ３で構成されている。尚、アンテナコイル１５については、前述の図１においてコイルのみをシンボルとして示したが、具体的には図４に示すようにコイルＬ１と内部抵抗Ｒ１で構成されている。尚、内部抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ２の抵抗値は低く、抵抗Ｒ３の抵抗値は高い。
例えば、本例では内部抵抗Ｒ１は２．５Ωの抵抗値を使用し、抵抗Ｒ２は１４．５Ωの抵抗値を使用し、抵抗Ｒ３は１ＫΩの抵抗値を使用する。
上記共振状態切替回路１７は、上記スイッチＳＷ１及びＳＷ２を以下のように切り替えることによって、アンテナコイル１５を非共振状態、又は通常共振状態、又は高Q共振状態に設定する。例えば、図４のテーブルに示すように、スイッチＳＷ１がＢ端子側に切り替えられる時、アンテナコイル１５には高抵抗Ｒ３のみが接続され、非共振状態に設定される。
上記共振状態切替回路１７は、上記スイッチＳＷ１及びＳＷ２を以下のように切り替えることによって、アンテナコイル１５を非共振状態、又は通常共振状態、又は高Q共振状態に設定する。例えば、図４のテーブルに示すように、スイッチＳＷ１がＢ端子側に切り替えられる時、アンテナコイル１５には高抵抗Ｒ３のみが接続され、非共振状態に設定される。
また、スイッチＳＷ１がＡ端子側に切り替えられている場合、更にスイッチＳＷ２がオフであれば、アンテナコイル１５には抵抗Ｒ２とキャパシタＣ１が接続され、通常共振状態に設定される。さらに、スイッチＳＷ２がオンであれば、アンテナコイル１５には、キャパシタＣ１のみが接続され、高Ｑ共振状態に設定される。
また、前述の標準信号変復調回路１８とロジック電力受信回路２０は、図４に示す共振状態切替回路１７のａ位置に接続され、高速信号復調回路１９は共振状態切替回路１７のｂ位置に接続され、大電力受信回路２１は共振状態切替回路１７のｃ位置に接続される。したがって、例えば共振状態切替回路１７が非共振状態に設定される時、高速信号復調回路１９が駆動する構成であり、共振状態切替回路１７が通常共振状態に設定される時、標準信号変復調回路１８とロジック電力受信回路２０が駆動する構成であり、共振状態切替回路１７が高Ｑ共振状態に設定される時、大電力受信回路２１が駆動する構成である。
以上の構成において、図５は本例の処理動作を説明するフローチャートであり、図６は本例の処理動作を説明するタイムチャートである。先ず、ＩＣカードがＩＣカードリーダライタ１から充分離れた位置にある場合、アンテナコイル１５はオフ状態であり、アンテナコイル１５に誘起される電圧は０Ｖである。
この状態において、ＩＣカードがＩＣカードリーダライタ１に近づくと、アンテナコイル１５は初期値の通常共振状態になり、アンテナコイル１５には数Ｖ未満の低い電圧が誘起される。
その後、ＩＣカードがＩＣカードリーダライタ１に近づくと、ＩＣカードリーダライタ１からの送信信号の受信レベルが上昇し、アンテナコイル１５に誘起される電圧も上昇する。そして、ＩＣカードがＩＣカードリーダライタ１の通信可能距離内に入ると、アンテナコイル１５は通常共振状態のままであるが、アンテナコイル１５には数Ｖ乃至十数Ｖの電圧が誘起され、ＩＣカードの初期設定処理が行われ、活性状態となる（ステップ（以下、Ｓで示す）１）。例えば、初期設定処理としてＩＣカードの認証処理や、ＩＣカードのリセット処理等が行われる。また、タイミング信号の送受信や、ロジック電力受信回路２０を駆動し、電力蓄積手段８への電力蓄積が行われる（図６に示す最初の通常共振状態）。
次に、ホスト機器５が表示処理の要求を行ったか判断する（Ｓ２）。ここで、ホスト機器５からの要求が表示処理の要求でなければ（Ｓ２がＮＯ）、対応する要求された処理を実行する（Ｓ３）。ホスト機器５は表示処理の要求以外に、データの受信要求等の他の要求も行っており、ホスト機器５からの要求が表示処理の要求でなければ、ホスト機器５によって指示された対応する処理を行う。
一方、ホスト機器５からの要求が表示処理の要求であれば（Ｓ２がＹＥＳ）、以後メモリ表示素子７にＩＣカードリーダライタ１から送信される表示データの表示を行う処理に移行する。
先ず、ＩＣカードはメモリ表示素子７の駆動周期をＩＣカードリーダライタ１に通知する（Ｓ４）。この処理は、メモリ表示素子７が前述のようにコレステリック液晶で構成され、温度によって液晶素子の駆動周期が変化することから、ＩＣカード側からＩＣカードリーダライタ１に対して温度に対応した表示素子の駆動周期を通知する。例えば、ＩＣカードの環境温度が高ければメモリ表示素子７の駆動周期は短く、ＩＣカードの環境温度が低ければメモリ表示素子７の駆動周期は長い。
具体的には、前述の温度計１６がＩＣカードの環境温度を検出し、この検出温度の情報をコントロールマイクロプロセッサ１１に通知する。コントロールマイクロプロセッサ１１は、メモリ１３のＥＥＰＲＯＭに設定されたテーブル１３ａを参照し、検出温度に対応する駆動周期の情報を取得し、取得した駆動周期の情報をＩＣカードリーダライタ１に通知する。
尚、ＩＣカードリーダライタ１側で温度を検出し、メモリ表示素子７の駆動周期を算出することも可能であるが、ＩＣカード側において温度検出を行い、表示素子の駆動周期をＩＣカードリーダライタ１に通知する方が精度のよい制御が期待できる。
次に、ＩＣカードリーダライタ１は、以後送信する表示データの通信タイミング、及び表示素子の駆動タイミングをＩＣカードに通知する（Ｓ５）。表示データの通信タイミングの設定は、前述のマイクロプロセッサ２ｂが行い、通信開始時刻とＩＣカードに送信する表示データのバイト数から通信終了時刻を計算する。例えば、通信開始時刻が決まると、ＩＣカードリーダライタ１からＩＣカードへの転送速度とバイト数の情報から通信終了時刻を計算し、通信開始時刻と通信終了時刻の情報をＲＡＭ（メモリ２ｄ）に記憶すると共にＩＣカードに通知する。尚、上記表示データの通信開始時刻は、ホスト機器５からの表示データの送信要求があった後、マイクロプロセッサ２ｂが行う送信準備処理の時間を確保した時刻である。
また、表示素子の駆動タイミングは、表示素子の駆動開始時刻とＩＣカードからの上記駆動周期の情報によって計算する。例えば、表示素子の駆動開始時刻をＩＣカードからの表示データの受信完了時とし、この駆動開始時刻と表示素子の駆動周期に基づいて表示素子の駆動終了時刻を計算する。この駆動開始時刻と駆動終了時刻の情報もＲＡＭ（メモリ２ｄ）に記憶すると共にＩＣカードに通知する。
次に、ＩＣカードリーダライタ１は表示素子の駆動終了時刻まで前述の検波復調器３ｆにおける負荷変調信号の復調処理を不活性化する（Ｓ６）。この処理は、マイクロプロセッサ２ｂがＲＡＭ（メモリ２ｄ）に記憶した表示素子の駆動終了時刻の情報を読み出し、検波復調器３ｆの負荷変調信号の復調処理を不活性化させるものである。
この処理によって、以後ＩＣカードリーダライタ１ではＩＣカードからの負荷変調信号を復調することがなく、例えばメモリ表示素子７の表示処理の際、ＩＣカードに負荷変動が生じ、負荷変動が負荷変調信号として誤って検出されることを回避する。
この処理によって、以後ＩＣカードリーダライタ１ではＩＣカードからの負荷変調信号を復調することがなく、例えばメモリ表示素子７の表示処理の際、ＩＣカードに負荷変動が生じ、負荷変動が負荷変調信号として誤って検出されることを回避する。
次に、ＩＣカードリーダライタ１はアンテナコイル１５を非共振状態に切り替えるよう指示する（Ｓ７）。この指示は前述のアナログフロントエンド１０に介してコントロールマイクロプロセッサ１１に入力し、コントロールマイクロプロセッサ１１はこの指示に従って共振状態切替信号を出力する。共振状態切替回路１７は、この共振状態切替信号に従って図４に示すスイッチＳＷ１をＢ端子側に切り替え、アンテナコイルを非共振状態に設定する。
この処理によって、ＩＣカードは図６に示す非共振状態に設定され、図３に示す高速信号復調回路１９が駆動し、表示データの通信開始を待つ（Ｓ８がＮＯ）。この表示データの通信開始は前述の処理（Ｓ５）によって設定されており、予め設定された通信開始時刻になると（Ｓ８がＹＥＳ）、ＩＣカードリーダライタ１は表示データをＩＣカードに送信する（Ｓ９）。この時、アンテナは非共振状態に設定されており、表示データは高速にＩＣカードに送信される。尚、アンテナの非共振状態においては、例えば共振時の１／１０ほどの受信電圧となるが、搬送波に含まれる受信可能な信号の周波数幅が広がり、表示データの高速受信が可能となる。
次に、ＩＣカードリーダライタ１はアンテナを高Ｑ送信状態に切り替えるように指示する（Ｓ１０）。この指示も、前述と同様、アナログフロントエンド１０に入力し、コマンド解析が行われた後、コントロールマイクロプロセッサ１１に入力する。この指示に従ってコントロールマイクロプロセッサ１１は共振状態切替信号を出力し、図４に示すスイッチＳＷ１をＡ端子側に切り替え、更にスイッチＳＷ２をオン側に切り替えてアンテナを高Ｑ共振状態に設定する。
上記処理によって、ＩＣカードは高Ｑ共振状態に設定され（図６に示す高Ｑ共振状態）、図３に示す大電力受信回路２１が駆動し、表示素子の駆動開始時刻になるのを待つ（Ｓ１１がＮＯ）。
この表示素子の駆動開始時刻も前述の処理（Ｓ５）によって設定されており、予め設定された駆動開始時刻になると（Ｓ１１がＹＥＳ）、ＩＣカードリーダライタ１は無変換搬送波をＩＣカードに送信する（Ｓ１２）。この時、上記のようにＩＣカード側のアンテナは高Ｑ共振状態に設定されており、効率よく無変換搬送波を受信し、例えば３０Ｖ程度の高電圧を表示素子制御回路６に供給する。
表示素子制御回路６は供給された電源によって、メモリ表示素子７を駆動し、コントロールマイクロプロセッサ１１から送信された表示データをメモリ表示素子７に表示する。この時、メモリ表示素子７が大画面の表示素子であって、負荷変動が生じたとしても、前述のように検波復調器３ｆは負荷変調信号の復調処理を不活性化しており、メモリ表示素子７の表示処理によるＩＣカード側の負荷変動がＩＣカードリーダライタ１に悪影響を及ぼすことはない。
次に、メモリ表示素子７の駆動終了時刻に達したか判断し（Ｓ１３）、駆動終了時刻に達すると（Ｓ１３がＹＥＳ）、ＩＣカードリーダライタ１はアンテナを通常共振状態に切り替える指示を行う（Ｓ１４）。ＩＣカードリーダライタ１は前述のように、メモリ表示素子７の駆動終了時刻を設定しており、予め設定した時刻に達すると上記通常共振状態への切り替え指示を行う。
したがって、以後ＩＣカードは通常共振状態に設定され（図６に示す後の通常共振状態）、新たなホスト機器５からの要求を待つ（Ｓ２）。
以上のように処理することによって、ＩＣカードリーダライタ１から送信された表示データをメモリ表示素子７に表示することができる。特に、本実施形態によれば、メモリ表示素子７への表示処理を行う際、検波復調器３ｆは負荷変調信号の復調処理を不活性化しており、ＩＣカードに負荷変動が発生したとしてもＩＣカードリーダライタ１に悪影響を及ぼすことはない。
以上のように処理することによって、ＩＣカードリーダライタ１から送信された表示データをメモリ表示素子７に表示することができる。特に、本実施形態によれば、メモリ表示素子７への表示処理を行う際、検波復調器３ｆは負荷変調信号の復調処理を不活性化しており、ＩＣカードに負荷変動が発生したとしてもＩＣカードリーダライタ１に悪影響を及ぼすことはない。
また、前述のように表示データの送信は非共振状態で行うため、高速に通信処理を行うことができ、ＩＣカード全面を覆うような大面積の表示素子に対するデータ量の多い表示データであっても充分高速に送信することができる。
さらに、メモリ表示素子７に表示データを表示する際、高Ｑ共振状態で非変調搬送波を送信するため、ＩＣカード側で充分な電力を確保することができ、例えＩＣカード全面を覆うような大面積の表示素子の表示であっても、受信電力が不足することはない。
尚、上記実施形態１の説明では、図４に示す構成の共振状態切替回路１７を使用したが、上記回路に限るわけではなく、例えば図７に示す共振状態切替回路３０を使用する構成としてもよい。図７に示す回路は、アンテナコイル１５に対してキャパシタＣ１が並列に接続されており、アンテナコイル１５とキャパシタＣ１間に抵抗Ｒ２とスイッチＳＷ１、抵抗Ｒ３とスイッチＳＷ２の並列回路が直列に接続されている構成である。また、上記抵抗Ｒ２は低抵抗であり、抵抗Ｒ３は高抵抗であり、抵抗Ｒ１〜Ｒ３の抵抗値の大小関係は前述と同様である。
上記構成の共振状態切替回路によっても、図４に示すように、スイッチＳＷ１、ＳＷ２を共にオフに設定することによって非共振状態に設定でき、スイッチＳＷ１をオフ、スイッチＳＷ２をオンに設定することによって通常共振状態に設定でき、スイッチＳＷ１、ＳＷ２を共にオンに設定することによって高Ｑ共振状態に設定できる。
尚、図７に示す共振状態切替回路３０の場合、前述の標準信号変復調回路１８は、図７に示す共振状態切替回路３０のｄ位置に接続され、高速信号復調回路１９は共振状態切替回路３０のｅ位置に接続され、大電力受信回路２１は共振状態切替回路１７のｆ位置に接続される。
また、上記実施形態で説明したアンテナコイル１５のコイルＬ１のインダクタンスを２μＨ、キャパシタＣ１の容量を６８．８８ｐＦとした場合、非共振周波数（ｆo）はｆo＝1/｛2*π*√(L1*C1)｝=１３．５６ＭＨz となる。
また、前述のように内部抵抗Ｒ１の抵抗値は２．５Ωであり、高Ｑ共振状態時のＱは、高Ｑ＝2*π*f0*L1/R1 = ６８．２ となる。
また、抵抗Ｒ２の抵抗値は１４．５Ωであり、通常共振状態の時のＱは、
Ｑ ＝ 2*π*f0*L1/(R1+R2) = １０．０ となる。
また、抵抗Ｒ２の抵抗値は１４．５Ωであり、通常共振状態の時のＱは、
Ｑ ＝ 2*π*f0*L1/(R1+R2) = １０．０ となる。
さらに、抵抗Ｒ３の抵抗値は１kΩであり、非共振状態でのアンテナコイル端子電圧（無負荷時）を典型値の１Ｖとすると、通常共振状態での電圧（無負荷時）は１０．０Ｖ、高Ｑ共振状態での電圧（無負荷時）は６８．２Ｖとなる。
（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２について説明する。
図８は、本発明の実施形態２を説明するアナログフロントエンドの回路図である。尚、本実施形態２においても、図１に示す構成のＩＣカードを使用し、図２に示す構成のＩＣカードリーダライタを使用する。以下、具体的に説明する。
次に、本発明の実施形態２について説明する。
図８は、本発明の実施形態２を説明するアナログフロントエンドの回路図である。尚、本実施形態２においても、図１に示す構成のＩＣカードを使用し、図２に示す構成のＩＣカードリーダライタを使用する。以下、具体的に説明する。
本例で使用するアナログフロントエンド２５の回路構成は、前述のアナログフロントエンド１０の回路構成と基本的に同様であるが、高電圧発生回路２１´が使用される。また、図９は共振状態切替回路２６の構成であり、前述の図４の共振状態切替回路１７と比較してスイッチＳＷ２が削除された回路構成である。
したがって、スイッチＳＷ１のみの切り替え制御であり、スイッチＳＷ１を切り替えることによって、アンテナコイル１５を非共振状態、又は通常共振状態の何れかの状態に設定することができる。すなわち、図９に示すように、スイッチＳＷ１をＢ端子側に切り替えることによってアンテナコイル１５を非共振状態に設定し、スイッチＳＷ１をＡ端子側に切り替えることによって、通常共振状態に設定する。
また、前述の標準信号変復調回路１８とロジック電力受信回路２０は、図９に示す共振状態切替回路２６のｇ位置に接続され、高速信号復調回路１９は共振状態切替回路２６のｈ位置に接続される。したがって、共振状態切替回路２６が非共振状態に設定される時、高速信号復調回路１９は駆動する構成であり、共振状態切替回路２６が通常共振状態に設定される時、標準信号変復調回路１８とロジック電力受信回路２０が駆動する構成である。
以上の構成において、図１０は本例の処理動作を説明するフローチャートであり、図１１は本例の処理動作を説明するタイムチャートである。先ず、ＩＣカードがＩＣカードリーダライタ１から離れた位置にある時ＩＣカードの電源はオフ状態であり、ＩＣカードをＩＣカードリーダライタ１に近づけると、前述と同様ＩＣカードは活性化され、通常共振状態となり、認証処理等の初期設定処理が行われる（（ステップ（以下、ＳＴで示す）１）、図１１に示す最初の通常共振状態）。
次に、ホスト機器４が表示処理の要求を行ったか判断し（ＳＴ２）、ホスト機器４からの要求が表示処理の要求でなければ（ＳＴ２がＮＯ）、要求された処理を実行する（ＳＴ３）。
一方、ホスト機器４からの要求が表示処理の要求であれば（ＳＴ２がＹＥＳ）、以後メモリ表示素子７にＩＣカードリーダライタ１から送信される表示データの表示を行う処理に移行する。
先ず、前述と同様、ＩＣカードはメモリ表示素子７の駆動周期をＩＣカードリーダライタ１に通知し（ＳＴ４）、次にＩＣカードリーダライタ１は、以後送信する表示データの通信タイミング、及び表示素子の駆動タイミングをＩＣカードに通知する（ＳＴ５）。尚、表示データの通信タイミング及び表示素子の駆動タイミングの計算方法は前述の通りであり、表示データの通信開始時刻と通信終了時刻の情報、及び表示素子の駆動開始時刻と駆動終了時刻の情報はＲＡＭ（メモリ２ｄ）に記憶される。
次に、ＩＣカードリーダライタ１は表示素子の駆動終了時刻まで前述の検波復調器３ｆにおける負荷変調信号の復調処理を不活性化し（ＳＴ６）、前述と同様、メモリ表示素子７の表示処理によるＩＣカード側の負荷変動の影響を回避する。
次に、ＩＣカードリーダライタ１はアンテナを非共振状態に切り替えるように指示し（ＳＴ７）、コントロールマイクロプロセッサ１１は共振状態切替信号をアナログフロントエンド１０に出力し、図９に示すスイッチＳＷ１をＢ端子側に切り替える。
この処理によって、ＩＣカードは非共振状態に設定され（図１１に示す非共振状態）、図８に示す高速信号復調回路１９を駆動し、表示データの通信開始を待つ（ＳＴ８がＮＯ）。
前述と同様、この表示データの通信開始時刻は前述の処理（ＳＴ５）によって設定されており、表示データの通信開始時刻になると（ＳＴ８がＹＥＳ）、ＩＣカードリーダライタ１は表示データをＩＣカードに送信し（ＳＴ９）、送信データを高速でＩＣカードに送信する。
次に、ＩＣカードリーダライタ１はアンテナコイル１５を通常共振状態に切り替えるように指示し（ＳＴ１０）。この指示に従って、コントロールマイクロプロセッサ１１から共振状態切替信号が出力され、スイッチＳＷ１をＡ端子側に切り替え、ＩＣカードを通常共振状態とする。
上記処理によって、ＩＣカードは通常共振状態に設定され（図１１に示す通常共振状態）、図８に示すロジック電力受信回路２０が駆動し、表示素子の駆動開始時刻を待つ（ＳＴ１１がＮＯ）。
この表示素子の駆動開始時刻も前述の処理（ＳＴ５）によって設定されており、予め設定された駆動開始時刻になると（ＳＴ１１がＹＥＳ）、ＩＣカードリーダライタ１は無変換搬送波をＩＣカードに送信し（Ｓ１２）、メモリ表示素子７を駆動するための高圧電源を生成させる。
表示素子制御回路６はメモリ表示素子７を駆動し、コントロールマイクロプロセッサ１１から送信された表示データをメモリ表示素子７に表示する。この時、負荷変動が生じたとしても、前述のように検波復調器３ｆは負荷変調信号の復調処理を不活性化しており、ＩＣカード側の負荷変動がＩＣカードリーダライタ１に悪影響を及ぼすことはない。
その後、メモリ表示素子７の駆動終了時刻に達したか判断し（ＳＴ１３）、駆動終了時刻に達すると（ＳＴ１３がＹＥＳ）、上記表示処理を終了し、新たなホスト機器５からの要求を待つ（ＳＴ２）。
以上のように処理することによって、本実施形態によっても、メモリ表示素子７への表示処理を行う際、検波復調器３ｆは負荷変調信号の復調処理を不活性化しており、ＩＣカードに負荷変動が発生したとしてもＩＣカードリーダライタ１にシステムエラーを生じさせることはない。
また、前述のように表示データの送信は非共振状態で行うため、高速に通信処理を行うことができ、データ量の多い表示データであっても充分に送信することができる。したがって、本例の非接触型ＩＣカードシステムは表示データの通信時間を短くしたい場合有効である。
尚、上記実施形態２の説明では、図９に示す構成の共振状態切替回路２６を使用したが、上記回路に限るわけではなく、例えば図１２に示す回路を使用する構成としてもよい。図１２に示す共振状態切替回路２４は、アンテナコイル１５に対してキャパシタＣ１が並列に接続されており、アンテナコイル１５とキャパシタＣ１間に抵抗Ｒ３とスイッチＳＷ２の並列回路が直列に接続される構成である。また、内部抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、抵抗Ｒ３の抵抗値の大小関係は前述と同様である。
尚、図１２に示す共振状態切替回路２４の場合、前述の標準信号変復調回路１８とロジック電力受信回路２０は、図１２に示す共振状態切替回路２４のｉ位置に接続され、高速信号復調回路１９は共振状態切替回路２４のｊ位置に接続される。
（実施形態３）
次に、本発明の実施形態３について説明する。
図１３は、本発明の実施形態３を説明するアナログフロントエンドの回路図である。尚、本実施形態３においても、図１に示す構成のＩＣカードを使用し、図２に示す構成のＩＣカードリーダライタ１を使用する。以下、具体的に説明する。
次に、本発明の実施形態３について説明する。
図１３は、本発明の実施形態３を説明するアナログフロントエンドの回路図である。尚、本実施形態３においても、図１に示す構成のＩＣカードを使用し、図２に示す構成のＩＣカードリーダライタ１を使用する。以下、具体的に説明する。
本例で使用するアナログフロントエンド２８の回路構成は、前述のアナログフロントエンド１０の回路構成と異なり、高速信号復調回路１９を使用しない構成である。また、図１４は共振状態切替回路２９の構成であり、前述の図４の共振状態切替回路１７と比較してスイッチＳＷ１と抵抗Ｒ３が削除された構成である。
したがって、スイッチＳＷ２のみの切り替え制御であり、スイッチＳＷ２を切り替えることによって、アンテナコイル１５を通常共振状態、又は高Ｑ共振状態の何れかの状態に設定する。すなわち、図１４に示すように、スイッチＳＷ２をオフに切り替えることによってアンテナコイル１５を通常共振状態に設定し、スイッチＳＷ２をオンに切り替えられることによって、高Ｑ共振状態に設定する。
以上の構成において、図１５は本例の処理動作を説明するフローチャートであり、図１６は本例の処理動作を説明するタイムチャートである。先ず、ＩＣカードがＩＣカードリーダライタ１から離れた位置にある時ＩＣカードの電源はオフ状態であり、ＩＣカードをＩＣカードリーダライタ１に近づけると、前述と同様ＩＣカードリーダライタ１からの信号によってＩＣカードは活性化され、通常共振状態となり、認証処理等の初期設定処理が行われる（（ステップ（以下、ＳＴＥＰで示す）１）、図１６に示す最初の通常共振状態）。
次に、ホスト機器４が表示処理の要求を行ったか判断し（ＳＴＥＰ２）、ホスト機器４からの要求が表示処理の要求でなければ（ＳＴＥＰ２がＮＯ）、要求された処理を実行する（ＳＴＥＰ３）。
一方、ホスト機器４からの要求が表示処理の要求であれば（ＳＴＥＰ２がＹＥＳ）、以後メモリ表示素子７にＩＣカードリーダライタ１から送信される表示データの表示を行う処理に移行する。
先ず、ＩＣカードリーダライタ１は表示データをＩＣカードに送信する（ＳＴＥＰ４）。一方、ＩＣカード側では、メモリ表示素子７の駆動周期をＩＣカードリーダライタ１に通知する（ＳＴＥＰ５）。
次に、ＩＣカードリーダライタ１は表示素子の駆動タイミングをＩＣカードに通知する（ＳＴＥＰ６）。この表示素子の駆動タイミングの計算は前述の通りである。また、表示素子の駆動開始時刻と駆動終了時刻の情報はＲＡＭ（メモリ２ｄ）に記憶されると共に、ＩＣカードに通知される。
次に、ＩＣカードリーダライタ１は表示素子の駆動終了時刻まで前述の検波復調器３ｆにおける負荷変調信号の復調処理を不活性化し（ＳＴＥＰ７）、前述と同様、メモリ表示素子７の表示処理によるＩＣカード側の負荷変動の影響を回避する。その後、ＩＣカードリーダライタ１は表示データをＩＣカード側に送信する。
次に、ＩＣカードリーダライタ１はアンテナを高Ｑ共振状態に切り替えるように指示し（ＳＴＥＰ８）、この指示に従ってＩＣカードは高Ｑ共振状態に設定され（図１６に示す高Ｑ共振状態）、表示素子の駆動開始時刻を待つ（ＳＴＥＰ９がＮＯ）。
この表示素子の駆動開始時刻は前述の処理（ＳＴＥＰ５）によって設定されており、予め設定された駆動開始時刻になると（ＳＴＥＰ９がＹＥＳ）、ＩＣカードリーダライタ１は無変換搬送波をＩＣカードに送信する（ＳＴＥＰ１０）。この時、上記のようにＩＣカード側のアンテナは高Ｑ共振状態に設定されており、効率よく無変調搬送波を受信し、例えば３０Ｖ程度の高電圧を表示素子制御回路６に供給する。
表示素子制御回路６は供給された電源によって、メモリ表示素子７を駆動し、コントロールマイクロプロセッサ１１から送信された表示データをメモリ表示素子７に表示する。この時、メモリ表示素子７が大画面の表示素子であって、負荷変動が生じたとしても、前述のように検波復調器３ｆは負荷変調信号の復調処理を不活性化しており、ＩＣカードリーダライタ１に悪影響を及ぼすことはない。
次に、メモリ表示素子７の駆動終了時刻に達したか判断し（ＳＴＥＰ１１）、駆動終了時刻に達すると（ＳＴＥＰ１１がＹＥＳ）、ＩＣカードリーダライタ１はアンテナを通常共振状態に切り替える指示を行う（ＳＴＥＰ１２）。この指示に従って、以後ＩＣカードは通常共振状態に設定され（図１６に示す後の通常共振状態）、新たなホスト機器５からの要求を待つ（ＳＴＥＰ２）。
以上のように処理することによって、本実施形態によっても、メモリ表示素子７への表示処理を行う際、検波復調器３ｆは負荷変調信号の復調処理を不活性化しており、ＩＣカードに負荷変動が発生したとしてもＩＣカードリーダライタ１にシステムエラーを生じさせることはない。
また、メモリ表示素子７に表示データを表示する際、高Ｑ共振状態で非変調搬送波を送信するため、ＩＣカード側で充分な電力を確保することができ、例えＩＣカード全面を覆うような大面積の表示素子の表示であっても、受信電力が不足することはない。
（実施形態４）
次に、本発明の実施形態４について説明する。尚、本実施形態４においても、図１に示す構成のＩＣカードを使用し、図２に示す構成のＩＣカードリーダライタ１を使用する。以下、具体的に説明する。
次に、本発明の実施形態４について説明する。尚、本実施形態４においても、図１に示す構成のＩＣカードを使用し、図２に示す構成のＩＣカードリーダライタ１を使用する。以下、具体的に説明する。
図１７は本例の処理動作を説明するフローチャートであり、図１８は本例の処理動作を説明するタイムチャートである。
先ず、ＩＣカードがＩＣカードリーダライタ１から離れた位置にある時ＩＣカードの電源はオフ状態であり、ＩＣカードをＩＣカードリーダライタ１に近づけると、前述と同様ＩＣカードリーダライタ１からの信号によってＩＣカードは活性化され、通常共振状態となり、認証処理等の初期設定処理が行われる（ステップ（以下、Ｗで示す）１）。尚、本例の処理は、全て通常共振状態で行われる。
先ず、ＩＣカードがＩＣカードリーダライタ１から離れた位置にある時ＩＣカードの電源はオフ状態であり、ＩＣカードをＩＣカードリーダライタ１に近づけると、前述と同様ＩＣカードリーダライタ１からの信号によってＩＣカードは活性化され、通常共振状態となり、認証処理等の初期設定処理が行われる（ステップ（以下、Ｗで示す）１）。尚、本例の処理は、全て通常共振状態で行われる。
次に、ホスト機器４が表示処理の要求を行ったか判断し（Ｗ２）、ホスト機器４からの要求が表示処理の要求でなければ（Ｗ２がＮＯ）、要求された処理を実行する（Ｗ３）。
一方、ホスト機器４からの要求が表示処理の要求であれば（Ｗ２がＹＥＳ）、以後メモリ表示素子７にＩＣカードリーダライタ１から送信される表示データの表示を行う処理に移行する。
一方、ホスト機器４からの要求が表示処理の要求であれば（Ｗ２がＹＥＳ）、以後メモリ表示素子７にＩＣカードリーダライタ１から送信される表示データの表示を行う処理に移行する。
先ず、ＩＣカードリーダライタ１は表示データをＩＣカードに送信する（Ｗ４）。また、ＩＣカードはメモリ表示素子７の駆動周期をＩＣカードリーダライタ１に通知する（Ｗ５）。
次に、ＩＣカードリーダライタ１は表示素子の駆動タイミングをＩＣカードに通知する（Ｗ６）。この表示素子の駆動タイミングの通知は、前述のように駆動開始時刻と駆動終了時刻を通知するものである。
次に、ＩＣカードリーダライタ１は表示素子の駆動終了時刻まで前述の検波復調器３ｆにおける負荷変調信号の復調処理を不活性化し（Ｗ７）、前述と同様、メモリ表示素子７の表示処理によるＩＣカード側の負荷変動の影響を回避する。そして、ＩＣカードリーダライタ１は表示データをＩＣカードに送信する。
次に、表示素子の駆動開始時刻を待ち（Ｗ８がＮＯ）、この表示素子の駆動開始時刻は前述の処理（Ｗ６）によって設定されており、予め設定された駆動開始時刻になると（Ｗ８がＹＥＳ）、ＩＣカードリーダライタ１は無変換搬送波をＩＣカードに送信し（Ｗ９）、メモリ表示素子７を駆動するための高圧電源を生成させる。
表示素子制御回路６は供給された電源によって、メモリ表示素子７を駆動し、コントロールマイクロプロセッサ１１から送信された表示データをメモリ表示素子７に表示する。そして、メモリ表示素子７の駆動終了時刻に達したか判断し（Ｗ１０）、駆動終了時刻に達すると（Ｗ１０がＹＥＳ）、上記表示処理を終了し、新たなホスト機器５からの要求を待つ（Ｗ２）。
以上のように処理することによって、本実施形態によっても、メモリ表示素子７への表示処理を行う際、検波復調器３ｆは負荷変調信号の復調処理を不活性化しており、ＩＣカード側に例え負荷変動が発生してもＩＣカードリーダライタ１にシステムエラーを生じさせることはない。
以上の各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
非接触型ＩＣカードと、該非接触型ＩＣカードとデータの送受信を行うＩＣカードリーダライタとを有する非接触型ＩＣカードシステムであって、
前記非接触型ＩＣカードは表示素子を有し、
前記ＩＣカードリーダライタは、前記非接触型ＩＣカードが前記表示素子にデータを表示する際、前記非接触型ＩＣカードからの負荷変調信号の検出を不活性状態とする
ことを特徴とする非接触型ＩＣカードシステム。
（付記２）
前記ＩＣカードは、前記ＩＣカードのアンテナコイルの共振状態を切り替える切替手段を有し、該切替手段は前記アンテナコイルを通常共振状態に切り替えることを特徴とする付記１記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記３）
前記切替手段は、前記通常共振状態に加え、非共振状態に切り替え、該非共振状態において前記ＩＣカードリーダライタとの間で高速通信を行うことを特徴とする付記２記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記４）
前記切替手段は、前記通常共振状態に加え、通常共振状態よりＱの高い共振状態に切り替え、該共振状態において前記ＩＣカードリーダライタから大電力を受信し、該大電力を使用して前記表示素子を駆動することを特徴とする付記２記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記５）
前記ＩＣカードリーダライタに設けられた検波復調器が、前記負荷変調信号の検出を不活性状態にすることを特徴とする付記１記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記６）
前記ＩＣカードリーダライタは前記負荷変調信号を非動作状態に制御する前、前記ＩＣカードから前記表示素子の駆動周期情報を収集し、前記ＩＣカードリーダライタから前記ＩＣカードに送信する表示データの送信タイミング、及び前記表示素子の駆動タイミングを前記ＩＣカードに通知することを特徴とする付記１、又は２記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記７）
前記非接触型ＩＣカードが前記Ｑの高い共振状態に設定された場合、前記ＩＣカードは無変調搬送波を前記ＩＣカードに送信することを特徴とする付記４記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記８）
前記非接触型ＩＣカードは前記通常共振状態において、電力を蓄積する電力蓄積手段を有することを特徴とする付記２記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記９）
前記電力蓄積手段は、コンデンサであることを特徴とする付記８記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記１０）
前記切替手段は、
前記アンテナコイルに並列に接続された共振用コンデンサと、
該共振用コンデンサと前記アンテナコイルとの接続、非接続を切り替える第１の切替手段と、
前記アンテナコイルと直列に接続される第２の抵抗と、
前記アンテナコイルと並列に接続される第３の抵抗と、
前記第２の抵抗に並列に接続された第２の切替手段と、を有し、
前記アンテナコイルの内部抵抗である第１の抵抗と前記第２、第３の抵抗との抵抗値の関係は、第１の抵抗の抵抗値<第２の抵抗の抵抗値<<第３の抵抗の抵抗値であり、
前記非共振状態では、前記アンテナコイルは前記第１の切替手段を介して前記第３の抵抗にのみ接続され、
前記通常共振状態では、前記アンテナコイルは前記第１の切替手段を介して前記第２の抵抗に接続され、
前記Ｑの高い共振状態では、前記アンテナコイルは前記第１の切替手段を介して前記共振用コンデンサに直結される
ことを特徴とする付記２記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記１１）
前記切替手段は、
前記アンテナコイルに並列に接続された共振用コンデンサと、
前記アンテナコイルと前記共振用コンデンサ間に直列に接続された第２、第３の抵抗と、
前記第２の抵抗を短絡又は開放状態に切り替える第１の切替手段と、
前記第３の抵抗を短絡又は開放状態に切り替える第２の切替手段と、
前記アンテナコイルの内部抵抗である第１の抵抗と前記第２、第３の抵抗との抵抗値の関係は、第１の抵抗の抵抗値<第２の抵抗の抵抗値<<第３の抵抗の抵抗値であり、
前記非共振状態では、前記第１、第２の切替手段は共に開放状態に設定され、
前記通常共振状態では、前記第１の切替手段は開放状態に設定され、前記第２の切替手段は短絡状態に設定され、
前記Ｑの高い共振状態では、前記第１、第２の切替手段は共に短絡状態に設定される
ことを特徴とする付記２記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記１２）
表示素子を有する非接触型ＩＣカードとデータの送受信を行うＩＣカードリーダライタであって、
前記非接触型ＩＣカードが前記表示素子にデータを表示する際、前記非接触型ＩＣカードからの負荷変調信号の検出を不活性状態とする
ことを特徴とするＩＣカードリーダライタ。
（付記１３）
非接触型ＩＣカードと、該非接触型ＩＣカードとデータの送受信を行うＩＣカードリーダライタとを有する非接触型ＩＣカードシステムの制御方法において、
前記非接触型ＩＣカードは表示素子を有し、前記ＩＣカードリーダライタは、前記非接触型ＩＣカードが前記表示素子にデータを表示する際、前記非接触型ＩＣカードからの負荷変調信号の検出を不活性状態とする
ことを特徴とする制御方法。
（付記１）
非接触型ＩＣカードと、該非接触型ＩＣカードとデータの送受信を行うＩＣカードリーダライタとを有する非接触型ＩＣカードシステムであって、
前記非接触型ＩＣカードは表示素子を有し、
前記ＩＣカードリーダライタは、前記非接触型ＩＣカードが前記表示素子にデータを表示する際、前記非接触型ＩＣカードからの負荷変調信号の検出を不活性状態とする
ことを特徴とする非接触型ＩＣカードシステム。
（付記２）
前記ＩＣカードは、前記ＩＣカードのアンテナコイルの共振状態を切り替える切替手段を有し、該切替手段は前記アンテナコイルを通常共振状態に切り替えることを特徴とする付記１記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記３）
前記切替手段は、前記通常共振状態に加え、非共振状態に切り替え、該非共振状態において前記ＩＣカードリーダライタとの間で高速通信を行うことを特徴とする付記２記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記４）
前記切替手段は、前記通常共振状態に加え、通常共振状態よりＱの高い共振状態に切り替え、該共振状態において前記ＩＣカードリーダライタから大電力を受信し、該大電力を使用して前記表示素子を駆動することを特徴とする付記２記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記５）
前記ＩＣカードリーダライタに設けられた検波復調器が、前記負荷変調信号の検出を不活性状態にすることを特徴とする付記１記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記６）
前記ＩＣカードリーダライタは前記負荷変調信号を非動作状態に制御する前、前記ＩＣカードから前記表示素子の駆動周期情報を収集し、前記ＩＣカードリーダライタから前記ＩＣカードに送信する表示データの送信タイミング、及び前記表示素子の駆動タイミングを前記ＩＣカードに通知することを特徴とする付記１、又は２記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記７）
前記非接触型ＩＣカードが前記Ｑの高い共振状態に設定された場合、前記ＩＣカードは無変調搬送波を前記ＩＣカードに送信することを特徴とする付記４記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記８）
前記非接触型ＩＣカードは前記通常共振状態において、電力を蓄積する電力蓄積手段を有することを特徴とする付記２記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記９）
前記電力蓄積手段は、コンデンサであることを特徴とする付記８記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記１０）
前記切替手段は、
前記アンテナコイルに並列に接続された共振用コンデンサと、
該共振用コンデンサと前記アンテナコイルとの接続、非接続を切り替える第１の切替手段と、
前記アンテナコイルと直列に接続される第２の抵抗と、
前記アンテナコイルと並列に接続される第３の抵抗と、
前記第２の抵抗に並列に接続された第２の切替手段と、を有し、
前記アンテナコイルの内部抵抗である第１の抵抗と前記第２、第３の抵抗との抵抗値の関係は、第１の抵抗の抵抗値<第２の抵抗の抵抗値<<第３の抵抗の抵抗値であり、
前記非共振状態では、前記アンテナコイルは前記第１の切替手段を介して前記第３の抵抗にのみ接続され、
前記通常共振状態では、前記アンテナコイルは前記第１の切替手段を介して前記第２の抵抗に接続され、
前記Ｑの高い共振状態では、前記アンテナコイルは前記第１の切替手段を介して前記共振用コンデンサに直結される
ことを特徴とする付記２記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記１１）
前記切替手段は、
前記アンテナコイルに並列に接続された共振用コンデンサと、
前記アンテナコイルと前記共振用コンデンサ間に直列に接続された第２、第３の抵抗と、
前記第２の抵抗を短絡又は開放状態に切り替える第１の切替手段と、
前記第３の抵抗を短絡又は開放状態に切り替える第２の切替手段と、
前記アンテナコイルの内部抵抗である第１の抵抗と前記第２、第３の抵抗との抵抗値の関係は、第１の抵抗の抵抗値<第２の抵抗の抵抗値<<第３の抵抗の抵抗値であり、
前記非共振状態では、前記第１、第２の切替手段は共に開放状態に設定され、
前記通常共振状態では、前記第１の切替手段は開放状態に設定され、前記第２の切替手段は短絡状態に設定され、
前記Ｑの高い共振状態では、前記第１、第２の切替手段は共に短絡状態に設定される
ことを特徴とする付記２記載の非接触型ＩＣカードシステム。
（付記１２）
表示素子を有する非接触型ＩＣカードとデータの送受信を行うＩＣカードリーダライタであって、
前記非接触型ＩＣカードが前記表示素子にデータを表示する際、前記非接触型ＩＣカードからの負荷変調信号の検出を不活性状態とする
ことを特徴とするＩＣカードリーダライタ。
（付記１３）
非接触型ＩＣカードと、該非接触型ＩＣカードとデータの送受信を行うＩＣカードリーダライタとを有する非接触型ＩＣカードシステムの制御方法において、
前記非接触型ＩＣカードは表示素子を有し、前記ＩＣカードリーダライタは、前記非接触型ＩＣカードが前記表示素子にデータを表示する際、前記非接触型ＩＣカードからの負荷変調信号の検出を不活性状態とする
ことを特徴とする制御方法。
１ ＩＣカードリーダライタ
２ コントロール部
２ａ 信号インターフェース
２ｂ マイクロプロセッサ
２ｃ ゲートＡＳＩＣ
２ｄ メモリ
２ｅ 電源部
３ 電波インターフェース
３ａ 変調器
３ｂ 水晶発振器
３ｃ、３ｄ 増幅器
３ｅ フィルタ
３ｆ 検波復調器
４ アンテナ
５ ホスト機器
６ 表示素子制御回路
７ メモリ表示素子
８ 電力蓄積手段
９ ＩＣチップ
１０ アナログフロントエンド
１１ コントロールマイクロプロセッサ
１２ 変調器
１３ メモリ
１３ａ テーブル
１４ 暗号処理部
１５ アンテナコイル
１６ 温度計
１７ 共振状態切替回路
１８ 標準信号変調回路
１９ 高速信号復調回路
２０ ロジック電力受信回路
２１ 大電力受信回路
２４ 共振状態切替回路
２５ アナログフロントエンド
２６ 共振状態切替回路
２８ アナログフロントエンド
２９ 共振状態切替回路
３０ 共振状態切替回路
２ コントロール部
２ａ 信号インターフェース
２ｂ マイクロプロセッサ
２ｃ ゲートＡＳＩＣ
２ｄ メモリ
２ｅ 電源部
３ 電波インターフェース
３ａ 変調器
３ｂ 水晶発振器
３ｃ、３ｄ 増幅器
３ｅ フィルタ
３ｆ 検波復調器
４ アンテナ
５ ホスト機器
６ 表示素子制御回路
７ メモリ表示素子
８ 電力蓄積手段
９ ＩＣチップ
１０ アナログフロントエンド
１１ コントロールマイクロプロセッサ
１２ 変調器
１３ メモリ
１３ａ テーブル
１４ 暗号処理部
１５ アンテナコイル
１６ 温度計
１７ 共振状態切替回路
１８ 標準信号変調回路
１９ 高速信号復調回路
２０ ロジック電力受信回路
２１ 大電力受信回路
２４ 共振状態切替回路
２５ アナログフロントエンド
２６ 共振状態切替回路
２８ アナログフロントエンド
２９ 共振状態切替回路
３０ 共振状態切替回路
Claims (7)
- 非接触型ＩＣカードと、該非接触型ＩＣカードとデータの送受信を行うＩＣカードリーダライタとを有する非接触型ＩＣカードシステムであって、
前記非接触型ＩＣカードは表示素子を有し、
前記ＩＣカードリーダライタは、前記非接触型ＩＣカードが前記表示素子にデータを表示する際、前記非接触型ＩＣカードからの負荷変調信号の検出を不活性状態とする
ことを特徴とする非接触型ＩＣカードシステム。 - 前記非接触型ＩＣカードは、該非接触型ＩＣカードのアンテナコイルの共振状態を切り替える切替手段を有し、前記切替手段は前記アンテナコイルを通常共振状態に切り替えることを特徴とする請求項１記載の非接触型ＩＣカードシステム。
- 前記切替手段は、前記共振状態を通常共振状態に加え、非共振状態に切り替え、該非共振状態において前記ＩＣカードリーダライタとの間で高速通信を行うことを特徴とする請求項２記載の非接触型ＩＣカードシステム。
- 前記切替手段は、前記共振状態を通常共振状態に加え、通常共振状態よりＱの高い共振状態に切り替え、該共振状態において前記ＩＣカードリーダライタから大電力を受信し、該大電力を使用して前記表示素子を駆動することを特徴とする請求項２記載の非接触型ＩＣカードシステム。
- 前記ＩＣカードリーダライタに設けられた検波復調器が、前記負荷変調信号の検出を不活性状態にすることを特徴とする請求項１記載の非接触型ＩＣカードシステム。
- 表示素子を有する非接触型ＩＣカードとデータの送受信を行うＩＣカードリーダライタであって、
前記非接触型ＩＣカードが前記表示素子にデータを表示する際、前記非接触型ＩＣカードからの負荷変調信号の検出を不活性状態とする
ことを特徴とするＩＣカードリーダライタ。 - 非接触型ＩＣカードと、該非接触型ＩＣカードとデータの送受信を行うＩＣカードリーダライタとを有する非接触型ＩＣカードシステムの制御方法において、
前記非接触型ＩＣカードは表示素子を有し、前記ＩＣカードリーダライタは、前記非接触型ＩＣカードが前記表示素子にデータを表示する際、前記非接触型ＩＣカードからの負荷変調信号の検出を不活性状態とする
ことを特徴とする制御方法。
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