JP2011124124A - 成膜用基板、成膜用基板の作製方法、及び、発光素子の作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】反射層の端部で光が反射されず、また光吸収層で発生した熱が反射層に伝わらない構造を有する成膜用基板を用いてＥＬ層を成膜することを課題とする。
【解決手段】透光性基板の第１の面上に設けられ、光を吸収することにより発熱する発熱部を有する光吸収層と、前記透光性基板の第１の面上に設けられ、断熱効果を有する光透過層と、前記光透過層上に設けられ、前記光透過層により前記発熱部と離れた位置に配置される反射層とを有する成膜用基板、また最表面に材料層が形成された該成膜用基板を用い、前記成膜用基板の材料層と、被成膜用基板を対向させ、前記成膜用基板の第１の面の反対の面である第２の面から前記光を照射し、前記光を照射することにより、前記発熱部上の材料層が昇華して、前記被成膜用基板上にＥＬ層が形成される成膜方法、及び、このような成膜方法を用いた発光素子の作製方法に関する。
【選択図】図１

Description

本明細書に開示される発明は、成膜用基板、成膜用基板の作製方法、及び、発光素子の作製方法に関する。

薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへ応用されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。

発光素子の発光機構は、一対の電極間にＥＬ層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子及び陽極から注入された正孔がＥＬ層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に緩和する際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。

発光素子を構成するＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを有する積層構造とすることもできる。

また、ＥＬ層を形成するＥＬ材料は低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料に大別される。一般に、低分子系材料は蒸着法を用いて成膜され、高分子系材料はインクジェット法などを用いて成膜されることが多い。

蒸着法の場合に用いられる蒸着装置は、基板を設置する基板ホルダと、ＥＬ材料、つまり蒸着材料を封入したルツボ（または蒸着ボート）と、ルツボ内のＥＬ材料を加熱するヒータと、昇華するＥＬ材料の拡散を防止するシャッターとを有しており、ヒータにより加熱されたＥＬ材料が昇華し、基板に成膜される構成となっている。

しかし、実際には均一に膜を成膜するために、被成膜基板を回転させることや、基板とルツボとの間の距離を一定以上離すことが必要となる。また、複数のＥＬ材料を用いてメタルマスクなどのマスクを介した塗り分けを行う場合には、異なる画素の間隔を広く設計し、画素間に設けられる絶縁物からなる隔壁の幅を広くすることが必要となるなど発光素子を含む発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進める上で大きな課題となっている。

従って、フラットパネルディスプレイとして、より高精細化を図るために、これらの課題を解決すると共に生産性の向上や低コスト化を図ることが要求されている。

これに対して、レーザ熱転写により、発光素子のＥＬ層を形成する方法が提案されている（特許文献１及び特許文献２参照）。

特許文献１では、支持基板上に、低反射層と高反射層から構成される光熱変換層と、転写層を有する転写用基板（ドナー基板、蒸着用基板、あるいは、成膜用基板ともいう）について記載されている。このような転写用基板にレーザ光を照射することにより、レーザ光は高反射層（単に反射層ともいう）では反射され、低反射層（光吸収層、あるいは、吸収層ともいう）では吸収され熱に変換されることにより、低反射層上のＥＬ層が昇華及び転写される。

特開２００６−３０９９９５号公報 特開２００９−１２３６９３号公報

反射層に先に光が当たるドナー基板では、反射層の端部で光が反射されるため、反射層の端部の影になってしまう領域に、光吸収層が存在していると、その領域は加熱されない恐れがある。反射層の端部の影になってしまう領域の光吸収層上のＥＬ層が昇華しない恐れがある。

しかしながら光吸収層に最初に光が当たる構造、すなわち光吸収層の方が反射層よりも受光面に近い構造にすると、光吸収層が光を吸収することにより熱が発生すると、反射層まで加熱される恐れがある。反射層が加熱されると、反射層上の材料層が転写されてしまう恐れがある。

光吸収層に最初に光が当たる構造にし、反射層は光吸収層より受光面から遠くなるように配置する。さらに断熱効果を有し、反射層を光吸収層から離れた位置に配置するために、反射層の下にかさ上げのための光透過層（断熱層）を設ける。このかさ上げのための光透過層（断熱層）は、熱に対して反射層をマスクする機能を持つのでマスク層とも言える。

透光性基板の第１の面上に設けられ、光を吸収することにより発熱する発熱部を有する光吸収層と、前記透光性基板の第１の面上に設けられ、断熱効果を有する光透過層と、前記光透過層上に設けられ、前記光透過層により前記発熱部と離れた位置に配置される反射層とを有する成膜用基板に関する。

透光性基板の第１の面上に設けられ、光を吸収することにより発熱する発熱部を有する光吸収層と、前記透光性基板の第１の面上に設けられ、断熱効果を有する光透過層と、前記光透過層上に設けられ、前記光透過層により前記発熱部と離れた位置に配置される反射層と、前記透光性基板の第１の面の最表面に設けられた材料層とを有する成膜用基板に関する。

透光性基板の第１の面上に、光を吸収することにより発熱する発熱部を有する光吸収層を設け、前記透光性基板の第１の面上に、断熱効果を有する光透過層を設け、前記光透過層上に、前記光透過層により前記発熱部と離れた位置に配置される反射層を設けることを特徴とする成膜用基板の作製方法に関する。

透光性基板の第１の面上に、光を吸収することにより発熱する発熱部を有する光吸収層を設け、前記透光性基板の第１の面上に、断熱効果を有する光透過層を設け、前記光透過層上に、前記光透過層により前記発熱部と離れた位置に配置される反射層を設け、前記透光性基板の第１の面の最表面に、材料層を設けることを特徴とする成膜基板の作製方法に関する。

透光性基板の第１の面上に設けられ、光を吸収することにより発熱する発熱部を有する光吸収層と、前記透光性基板の第１の面上に設けられ、断熱効果を有する光透過層と、前記光透過層上に設けられ、前記光透過層により前記発熱部と離れた位置に配置される反射層とを有する成膜用基板の最表面に、材料層層が形成された成膜用基板を用い、前記成膜用基板の前記材料層と、被成膜用基板を対向させ、前記成膜用基板の第１の面の反対の面である第２の面から前記光を照射する。前記光を照射することにより、前記発熱部上の材料層が昇華して、前記被成膜用基板上にＥＬ層が形成されることを特徴とする成膜方法に関する。

被成膜用基板上に、陽極または陰極のいずれか一方である第１の電極を形成し、前記被成膜用基板上に、隣り合う前記第１の電極の端部と重なるように、絶縁材料からなる隔壁を形成する。透光性基板の第１の面上に設けられ、光を吸収することにより発熱する発熱部を有する光吸収層と、前記透光性基板の第１の面上に設けられ、断熱効果を有する光透過層と、前記光透過層上に設けられ、前記光透過層により前記発熱部と離れた位置に配置される反射層とを有する成膜用基板の最表面に、材料層が形成された成膜用基板を用い、前記成膜用基板の前記材料層と、前記被成膜用基板を対向させ、前記成膜用基板の第１の面の反対の面である第２の面から前記光を照射する。前記光を照射することにより、前記発熱部上の材料層が昇華して、前記第１の電極上で前記隔壁で囲まれた領域に、ＥＬ層を形成する。前記ＥＬ層上に、前記陽極または陰極の他方である第２の電極を形成することを特徴とする発光素子の作製方法に関する。

前記反射層の材料は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または、酸化インジウム−酸化スズの少なくとも１つである。

前記光吸収層の材料は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガン、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンの少なくとも１つである。

前記光透過層の材料は、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素の少なくとも１つである。

光吸収層が反射層よりも先に光が照射されるため、光が反射層で反射されることにより生じる加熱されない領域が生じない。

反射層が光吸収層の発熱部と離れた構造をしており、光吸収層から反射層への熱伝導が少なくなるため、反射層上の材料層が加熱されにくい。

発光素子の作製工程を示す断面図。 発光素子の作製工程を示す断面図。 発光素子の作製工程を示す断面図。 発光素子の作製工程を示す断面図。 発光素子の作製工程を示す断面図。 発光素子の作製工程を示す断面図。 光が反射層の端部で反射すること、及び、光吸収層で発生した熱が反射層に伝わることを示す断面図。 発光素子の作製工程を示す断面図。 ＴＥＭ写真。 図９の構造を示す断面図。 走査型白色干渉計で測定した結果を示す図。

以下、本明細書に開示された発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但し、本明細書に開示された発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本明細書に開示された発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

なお本明細書に開示された発明において、半導体装置とは、半導体を利用することで機能する素子及び装置全般を指し、電子回路、表示装置、発光装置等を含む電気装置およびその電気装置を搭載した電子機器をその範疇とする。

［実施の形態１］
本実施の形態を、図１（Ａ）〜図１（Ｅ）、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）、図４（Ａ）〜図４（Ｃ）、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）を用いて説明する。

まず第１の基板である基板２０１上に反射層２０３、反射層２０３と基板２０１を覆って光透過層２０５、光透過層２０５上に光吸収層２０４を形成したドナー基板の例を図７（Ａ）に示す。

基板２０１は、光２０７を透過する透光性基板であり、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いればよい。

反射層２０３は、照射する光２０７に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層２０３は、照射される光２０７に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上であることが好ましい。

また、反射層２０３に用いることができる材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または酸化インジウム−酸化スズなどを用いることができる。特に、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、銀−ネオジム合金は、赤外領域の光（波長８００ｎｍ以上）に対して高い反射率を有しているため、反射層２０３として好適に用いることができる。具体的には、アルミニウムやアルミニウム−チタン合金は、膜厚４００ｎｍの場合、赤外領域の光（波長８００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下）に対して、８５％以上の反射率を有している。また、上述していないモリブデンやタングステン等の材料は、波長８００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の場合には、反射率が低いため、本実施の形態において、光吸収層２０４の材料として適するが、波長２０００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下の場合には、８５％以上の高い反射率を示すため反射層２０３の材料としても用いることができる。なお、反射層２０３は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。

このように、照射される光２０７の波長により、反射層２０３に好適な材料の種類が変化することから、適宜材料を選択する必要がある。

なお、反射層２０３は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層２０３の膜厚は、材料により異なるが、１００ｎｍ以上とすることが好ましい。１００ｎｍ以上の膜厚とすることにより、照射した光２０７が反射層を透過することを抑制することができる。

光吸収層２０４は、照射する光２０７に対して低い反射率を有し、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、光吸収層２０４は、照射される光２０７に対して、７０％以下の反射率を示すことが好ましい。

また、光吸収層２０４に用いることができる材料としては、例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガンなどの金属窒化物や、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンなどを用いることが好ましい。なお、光吸収層２０４は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。

このように、照射される光２０７の波長により、光吸収層２０４に好適な材料の種類は変化することから、適宜材料を選択する必要がある。

また、光吸収層２０４は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。

また、光吸収層２０４の膜厚は、材料によって異なるが、照射した光２０７が透過しない膜厚（好ましくは１００ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚）であることが好ましい。特に、光吸収層２０４の膜厚を１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、照射した光２０７を効率良く吸収して発熱させることができる。また、光吸収層２０４の膜厚を１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、被成膜基板上への成膜を精度良く行うことができる。

光透過層２０５は、照射された光２０７のうち、反射層２０３によって反射された光の一部が熱となって反射層２０３に残った場合に、その熱が光吸収層２０４及び光吸収層２０４上に設けられる材料層に伝わるのを防ぐための層、すなわち断熱効果を有する断熱層である。しかし、光２０７を光透過層２０５上に形成される光吸収層２０４に照射させるためには、透光性を有する必要がある。

従って、本実施の形態における光透過層２０５は、熱伝導率の低い材料であると共に光透過率の高い材料を用いる必要がある。具体的には、光透過層２０５は、熱伝導率が反射層２０３および光吸収層２０４を形成する材料よりも低い材料を用いる必要がある。また、光透過層２０５には、光に対する透過率が６０％以上となる材料を用いることが好ましい。

また、光透過層２０５に用いる材料としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素等を用いることができる。

なお、光透過層２０５は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などにより形成することができる。

図７（Ａ）において、光２０７が反射層２０３の端部で反射する様子を拡大したものを図７（Ｂ）に示す。図７（Ｂ）において、光２０７が反射層２０３の端部で反射するため、点線で示す領域２０８は反射層２０３の端部の影になってしまう。そのため領域２０８のうち光吸収層２０４と重なっている領域は加熱されない恐れがある。

また、基板２０１上に光吸収層２０４、光吸収層２０４と基板２０１を覆って光透過層２０５、光透過層２０５上に反射層２０３を形成したドナー基板の例を図７（Ｃ）に示す。

光２０７は光吸収層２０４の中まで通り、光吸収層２０４が加熱される。光吸収層２０４と反射層２０３の間には、光透過層２０５が設けられているが、光２０７の波長や強度、光透過層２０５の材料や膜厚により、熱が反射層２０３にも伝わってしまう恐れがある。反射層２０３が加熱されてしまうと、反射層２０３上に設けられる材料層が不必要に昇華してしまう恐れがある。

以上を鑑み、反射層２０３の端部で加熱されない領域ができない、また、反射層２０３が不必要に加熱されないドナー基板について、以下に説明する。

このようなドナー基板を得るには、反射層及び発熱部（光吸収層中の光が照射することにより発熱する領域）が離れた構造になっていればよい。そのような構造を有する基板、反射層、光吸収層、光透過層（断熱層）の位置関係の例を、図１（Ａ）〜図１（Ｅ）に示す。

図１（Ａ）において、第１の基板である基板１０１上に光透過層１０２、光透過層１０２上に反射層１０３、基板１０１及び反射層１０３を覆って光吸収層１０４、光吸収層１０４を覆って保護層１０５を設けたドナー基板の例を示す。なお保護層１０５は必要に応じて設ければよい。なお、加熱のための光１５３は、基板１０１の光吸収層１０４及び反射層１０３が形成された面の裏面である受光面１６１に照射されるものとする。

受光面１６１に対して、光吸収層１０４のうちの発熱部１０８は反射層１０３よりも近い位置に配置されている。また反射層１０３は、光透過層１０２によって受光面１６１から発熱部１０８と離れた位置に配置されている。

基板１０１、光透過層１０２、反射層１０３、光吸収層１０４は、それぞれ基板２０１、光透過層２０５、反射層２０３、光吸収層２０４と同様の材料を用いてればよい。また保護層１０５についても、光透過層２０５と同様の材料を用いればよい。

光透過層１０２の膜厚は、１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは１００ｎｍから１０００ｎｍである。

図１（Ｂ）において、基板１１１上に光透過層１１２、光透過層１１２上に反射層１１３、基板１１１及び反射層１１３を覆って光透過層１１５、光透過層１１５を覆って光吸収層１１４、光吸収層１１４を覆って保護層１１７を設けたドナー基板の例を示す。なお保護層１１７は必要に応じて設ければよい。なお、加熱のための光１５３は、基板１１１の光吸収層１１４及び反射層１１３が形成された面の裏面である受光面１６２に照射されるものとする。

受光面１６２に対して、光吸収層１１４のうち発熱部１１８は反射層１１３よりも近い位置に配置されている。また反射層１１３は、光透過層１１２によって受光面１６２から発熱部１１８と離れた位置に配置されている。

基板１１１、反射層１１３、光吸収層１１４は、それぞれ基板２０１、反射層２０３、光吸収層２０４と同様の材料を用いてればよい。光透過層１１２及び光透過層１１５は、光透過層２０５と同様の材料を用いればよい。また保護層１１７についても、光透過層２０５と同様の材料を用いればよい。

また光透過層１１２の膜厚と光吸収層１１４の膜厚の関係は、光透過層１０２と光吸収層１０４と同様である。

図１（Ｃ）に示す構造は、図１（Ａ）に示す構造の反射層１０３上にさらに光透過層を形成した例である。

図１（Ｃ）において、基板１２１上に光透過層１２２、光透過層１２２上に反射層１２３、反射層１２３上に光透過層１２４、基板１２１及び光透過層１２４を覆って光吸収層１２５、光吸収層１２５を覆って保護層１２６を設けたドナー基板の例を示す。なお保護層１２６は必要に応じて設ければよい。なお、加熱のための光１５３は、基板１２１の光吸収層１２５及び反射層１２３が形成された面の裏面である受光面１６３に照射されるものとする。

受光面１６３に対して、光吸収層１２５のうち発熱部１１８は反射層１２３よりも近い位置に配置されている。また反射層１２３は、光透過層１２２によって受光面１６３に対して発熱部１１８と離れた位置に配置されている。

基板１２１、反射層１２３、光吸収層１２５は、それぞれ基板２０１、反射層２０３、光吸収層２０４と同様の材料を用いてればよい。光透過層１２２及び光透過層１２４は、光透過層２０５と同様の材料を用いればよい。また保護層１２６についても、光透過層２０５と同様の材料を用いればよい。

また光透過層１２２の膜厚と光吸収層１２５の膜厚の関係は、光透過層１０２と光吸収層１０４と同様である。

図１（Ｄ）に示す構造は、図１（Ａ）に示す構造の、隣り合う光透過層１０２間の領域以外の光吸収層１０４を除去した例である。

図１（Ｄ）において、基板１３１上に光透過層１３２、光透過層１３２上に反射層１３３、基板１３１上の隣り合う光透過層１３２間に設けられた光吸収層１３４、基板１３１、反射層１３３及び光吸収層１３４を覆って保護層１３５を設けたドナー基板の例を示す。なお保護層１３５は必要に応じて設ければよい。なお、加熱のための光１５３は、基板１３１の光吸収層１３４及び反射層１３３が形成された面の裏面である受光面１６４に照射されるものとする。図１（Ｄ）に示すドナー基板において、光吸収層１３４全体が発熱部１３８となる。

受光面１６４に対して、光吸収層１３４は反射層１３３よりも近い位置に配置されている。また反射層１３３は、光透過層１３２によって受光面１６４よりも光吸収層１３４と離れた位置に配置されている。

基板１３１、反射層１３３、光吸収層１３４は、それぞれ基板２０１、反射層２０３、光吸収層２０４と同様の材料を用いてればよい。光透過層１３２は、光透過層２０５と同様の材料を用いればよい。また保護層１３５についても、光透過層２０５と同様の材料を用いればよい。

また光透過層１３２の膜厚と光吸収層１３４の膜厚の関係は、光透過層１０２と光吸収層１０４と同様である。

図１（Ｅ）に示す構造は、図１（Ｄ）に示す構造の、光吸収層１３４上にも反射層を設けた例である。

図１（Ｅ）において、基板１４１上に光透過層１４２、基板１４１上の隣り合う光透過層１４２間に設けられた光吸収層１４３、光透過層１４２及び光吸収層１４３上に設けられた反射層１４４、基板１４１及び反射層１４４を覆って保護層１４５を設けたドナー基板の例を示す。なお保護層１４５は必要に応じて設ければよい。なお、加熱のための光１５３は、基板１４１の光吸収層１４３及び反射層１４４が形成された面の裏面である受光面１６５に照射されるものとする。なお図１（Ｅ）に示すドナー基板において、光吸収層１４３全体が発熱部１４８となる。

受光面１６５に対して、光吸収層１４３は反射層１４４よりも近い位置に配置されている。また反射層１４４は、光透過層１４２によって受光面１６５よりも光吸収層１４３と離れた位置に配置されている。

基板１４１、反射層１４４、光吸収層１４３は、それぞれ基板２０１、反射層２０３、光吸収層２０４と同様の材料を用いてればよい。光透過層１４２は、光透過層２０５と同様の材料を用いればよい。また保護層１４５についても、光透過層２０５と同様の材料を用いればよい。

また光透過層１４２の膜厚と光吸収層１４３の膜厚の関係は、光透過層１０２と光吸収層１０４と同様である。

なおドナー基板の構造は、図１（Ａ）〜図１（Ｅ）に示す構造に限定されるものではなく、光吸収層及び反射層が、反射層の下に光透過層（断熱層）を形成することにより離され、光吸収層で発生した熱が反射層に伝わらない構造であればよい。

図１（Ａ）に示す構造を有するドナー基板を用いて、有機層を被成膜基板上に形成する方法を、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示す。

まず、基板１０１上に光透過層１０２、光透過層１０２上に反射層１０３、基板１０１及び反射層１０３を覆って光吸収層１０４、光吸収層１０４を覆って保護層１０５を設けたドナー基板を用意し、最上層である保護層１０５、あるいは保護層１０５を形成しない場合は光吸収層１０４上、すなわち、ドナー基板の最表面に、材料層１５１を形成する（図２（Ａ）参照）。

材料層１５１は、被成膜基板上に蒸着させる蒸着材料を含んで形成される層である。そして、光吸収層１０４に光が照射されることにより、材料層１５１に含まれる蒸着材料が加熱され、昇華するとともに被成膜基板上に蒸着される。

なお、材料層１５１に含まれる蒸着材料としては、蒸着可能な材料であれば、有機化合物、無機化合物にかかわらず、種々の材料を用いることができるが、本実施の形態で示すように発光素子のＥＬ層を形成する場合には、ＥＬ層を形成する蒸着可能な材料を用いることとする。例えば、ＥＬ層を形成する発光性材料、キャリア輸送性材料などの有機化合物の他、発光素子の電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体といった無機化合物を用いることもできる。

なお、ＥＬ層を形成する蒸着可能な材料の詳細については後述するので、ここでの説明は省略する。

また、材料層１５１は、複数の材料を含んでいてもよい。また、材料層１５１は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよい。従って、蒸着材料を含む層を複数積層することにより、共蒸着することも可能である。なお、材料層１５１が積層構造を有する場合には、基板１０１側に昇華温度（または、蒸着可能な温度）の低い蒸着材料を含むように積層することが好ましい。このような構成とすることにより、積層構造を有する材料層１５１による蒸着を効率良く行うことができる。

また、材料層１５１は、種々の方法により形成される。例えば、湿式法であるスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、又は印刷法等を用いることができる。また、乾式法である真空蒸着法、スパッタリング法等を用いることができる。

湿式法を用いて材料層１５１を形成する場合には、所望の蒸着材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、蒸着材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ蒸着材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減させることができる。

次いで、被成膜基板である第２の基板１５２の一方の面を、第１の基板である基板１０１の材料層１５１を形成した面と対向させる。そして第１の基板１０１の他方の面である受光面１６１に、光１５３の照射を行う（図２（Ｂ）参照）。

光１５３は、光吸収層１０４に吸収される。光吸収層１０４に吸収された光から熱が発生し、この熱により材料層１５１の蒸着材料が昇華する。

ただし、光吸収層１０４の発熱部１０８と反射層１０３が、光透過層１０２上に反射層１０３が形成されていることによって離されているので、発熱部１０８の熱が反射層１０３には伝わらず、材料層１５１の反射層１０３上の領域が昇華することを防ぐことができる。

なお、照射する光１５３としては、赤外光（波長８００ｎｍ以上）であることが好ましい。赤外光を用いることにより、光吸収層１０４における熱変換が効率よく行われ、蒸着材料を効率よく昇華させることができる。

なお、照射する光１５３の光源としては、種々の光源を用いることができる。例えば、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を光源として用いることができる。また、これらを光源とするフラッシュランプ（キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）を用いることもできる。フラッシュランプは短時間（０．１ミリ秒乃至１０ミリ秒）で非常に強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、第１の基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、発光させる時間の間隔を変えることによって第１の基板の加熱の制御もできる。また、フラッシュランプは寿命が長く、発光待機時の消費電力が低いため、ランニングコストを低く抑えることができる。

また、ランプ以外の光源としては、レーザ光を光源として用いることができる。レーザ光としては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ_４、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＶＯ_４、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。

光１５３の照射により、光吸収層１０４の発熱部１０８が加熱され、発熱部１０８上の材料層１５１も加熱され、昇華する。これにより被成膜基板である基板１５２上に材料層１５１の一部であるＥＬ層１５４が形成される（図２（Ｃ）参照）。

図１（Ｂ）に示す構造を有するドナー基板を用いて、有機層を被成膜基板上に形成する方法を、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示す。

まず、基板１１１上に光透過層１１２、光透過層１１２上に反射層１１３、基板１１１及び反射層１１３を覆って光透過層１１５、光透過層１１５を覆って光吸収層１１４、光吸収層１１４を覆って保護層１１７を設けたドナー基板を用意し、最上層である保護層１１７、あるいは保護層１１７を設けない場合は光吸収層１１４上、すなわち、ドナー基板の最表面に、材料層１５１を形成する（図３（Ａ）参照）。

次いで、被成膜基板である第２の基板１５２の一方の面を、第１の基板である基板１１１の材料層１５１を形成した面と対向させる。そして第１の基板１１１の他方の面である受光面１６２に、光１５３の照射を行う（図３（Ｂ）参照）。

光１５３は、光吸収層１１４に吸収される。光吸収層１１４に吸収された光から熱が発生し、この熱により材料層１５１の蒸着材料が昇華する。

ただし、光吸収層１１４の発熱部１１８と反射層１１３が、光透過層１１２上に反射層１１３が形成されていることによって離されているので、発熱部１１８の熱が反射層１１３には伝わらず、材料層１５１の反射層１１３上の領域が昇華することを防ぐことができる。

光１５３の照射により、光吸収層１１４の発熱部１１８が加熱され、発熱部１１８上の材料層１５１も加熱され、昇華する。これにより被成膜基板である基板１５２上に材料層１５１の一部であるＥＬ層１５４が形成される（図３（Ｃ）参照）。

図１（Ｃ）に示す構造を有するドナー基板を用いて、有機層を被成膜基板上に形成する方法を、図４（Ａ）〜図４（Ｃ）に示す。

まず、基板１２１上に光透過層１２２、光透過層１２２上に反射層１２３、反射層１２３上に光透過層１２４、基板１２１及び光透過層１２４を覆って光吸収層１２５、光吸収層１２５を覆って保護層１２６を設けたドナー基板を用意し、最上層である保護層１２６、あるいは保護層１２６を設けない場合は光吸収層１２５上、すなわち、ドナー基板の最表面に、材料層１５１を形成する（図４（Ａ）参照）。

次いで、被成膜基板である第２の基板１５２の一方の面を、第１の基板である基板１２１の材料層１５１を形成した面と対向させる。そして第１の基板１２２の他方の面である受光面１６３に、光１５３の照射を行う（図４（Ｂ）参照）。

光１５３は、光吸収層１２５に吸収される。光吸収層１２５に吸収された光から熱が発生し、この熱により材料層１５１の蒸着材料が昇華する。

ただし、光吸収層１２５の発熱部１２８と反射層１２３が、光透過層１２２上に反射層１２３が形成されていることによって離されているので、発熱部１２８の熱が反射層１２３には伝わらず、材料層１５１の反射層１２３上の領域が昇華することを防ぐことができる。

光１５３の照射により、光吸収層１２５の発熱部１２８が加熱され、発熱部１２８上の材料層１５１も加熱され、昇華する。これにより被成膜基板である基板１５２上に材料層１５１の一部であるＥＬ層１５４が形成される（図４（Ｃ）参照）。

図１（Ｄ）に示す構造を有するドナー基板を用いて、有機層を被成膜基板上に形成する方法を、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）に示す。

まず、基板１３１上に光透過層１３２、光透過層１３２上に反射層１３３、基板１３１上の隣り合う光透過層１３２間に設けられた光吸収層１３４、基板１３１、反射層１３３及び光吸収層１３４を覆って保護層１３５を設けたドナー基板を用意し、最上層である保護層１３５、あるいは保護層１３５を設けない場合は、基板１３１、反射層１３３及び光吸収層１３４上、すなわち、ドナー基板の最表面に、材料層１５１を形成する（図５（Ａ）参照）。

次いで、被成膜基板である第２の基板１５２の一方の面を、第１の基板である基板１３１の材料層１５１を形成した面と対向させる。そして第１の基板１３１の他方の面である受光面１６４に、光１５３の照射を行う（図５（Ｂ）参照）。

光１５３は、光吸収層１３４に吸収される。光吸収層１３４に吸収された光から熱が発生し、この熱により材料層１５１の蒸着材料が昇華する。

ただし、発熱部１３８でもある光吸収層１３４と反射層１３３が、光透過層１３２上に反射層１３３が形成されていることによって離されているので、発熱部１３８の熱が反射層１３３には伝わらず、材料層１５１の反射層１３３上の領域が昇華することを防ぐことができる。

光１５３の照射により、光吸収層１３４の発熱部１３８が加熱され、発熱部１３８上の材料層１５１も加熱され、昇華する。これにより被成膜基板である基板１５２上に材料層１５１の一部であるＥＬ層１５４が形成される（図５（Ｃ）参照）。

図１（Ｅ）に示す構造を有するドナー基板を用いて、有機層を被成膜基板上に形成する方法を、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）に示す。

まず、基板１４１上に光透過層１４２、基板１４１上の隣り合う光透過層１４２間に設けられた光吸収層１４３、光透過層１４２及び光吸収層１４３上に設けられた反射層１４４、基板１４１及び反射層１４４を覆って保護層１４５を設けたドナー基板を用意し、最上層である保護層１４５、あるいは保護層１４５を設けない場合は、基板１４１及び反射層１４４上、すなわち、ドナー基板の最表面に、材料層１５１を形成する（図６（Ａ）参照）。

次いで、被成膜基板である第２の基板１５２の一方の面を、第１の基板である基板１４１の材料層１５１を形成した面と対向させる。そして第１の基板１４１の他方の面である受光面１６５に、光１５３の照射を行う（図６（Ｂ）参照）。

光１５３は、光吸収層１４３に吸収される。光吸収層１４３に吸収された光から熱が発生し、この熱により材料層１５１の蒸着材料が昇華する。

ただし、発熱部１４８でもある光吸収層１４３と反射層１４４が、光透過層１４２上に反射層１４４が形成されていることによって離されているので、発熱部１４８の熱が反射層１４４には伝わらず、材料層１５１の光透過層１４２上の領域が昇華することを防ぐことができる。

光１５３の照射により、発熱部１４８でもある光吸収層１４３が加熱され、発熱部１４８上の材料層１５１も加熱され、昇華する。これにより被成膜基板である基板１５２上に材料層１５１の一部であるＥＬ層１５４が形成される（図６（Ｃ）参照）。

以上の記載に基づいて、発光素子を作製する方法について、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）を用いて説明する。

まずドナー基板として、図１（Ａ）及び図２（Ａ）に示す構造を有するドナー基板を用いる。ただし上述した他の構造を有するドナー基板を用いてもよいし、さらに光吸収層と反射層が光透過層（断熱層）によって離されている構造を有するドナー基板であれば、それを用いてもよい。

図２（Ａ）及び図２（Ｂ）と同様に、ドナー基板の最表面に材料層１５１を形成する。

材料層１５１は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層のいずれか、あるいは、２つ以上の複数の層であればよい。

また、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含むＥＬ層を有する発光素子を形成する場合、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層のそれぞれの層を材料層１５１として、図１（Ａ）〜図１（Ｅ）、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）、図４（Ａ）〜図４（Ｃ）、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）に基づいて形成してもよい。その場合、必要な層の数だけドナー基板を用意し、各層の成膜毎に異なるドナー基板を用いて、ＥＬ層を形成すればよい。

発光層としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。

発光層に用いることのできる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）_２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。

発光層に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

また、発光層として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いることもできる。発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いることにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、発光性の高い物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。

発光性の高い物質を分散させる物質としては、発光性の高い物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光性の高い物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。

発光層に用いるホスト材料としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）などの他、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）などが挙げられる。

また、ドーパント材料としては、上述した燐光性化合物や蛍光性化合物を用いることができる。

発光層として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いる場合には、蒸着用基板上の材料層として、ホスト材料とゲスト材料とを混合した層を形成すればよい。または、蒸着用基板上の材料層として、ホスト材料を含む層とドーパント材料を含む層とが積層した構成としてもよい。このような構成の材料層を有する蒸着用基板を用いて発光層を形成することにより、発光層は発光材料を分散させる物質（ホスト材料）と発光性の高い物質（ドーパント材料）とを含み、発光材料を分散させる物質（ホスト材料）に発光性の高い物質（ドーパント材料）が分散された構成となる。なお、発光層として、２種類以上のホスト材料とドーパント材料を用いてもよいし、２種類以上のドーパント材料とホスト材料を用いてもよい。また、２種類以上のホスト材料及び２種類以上のドーパント材料を用いてもよい。

また、例えば、正孔注入層としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。

また、正孔注入層として、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層を用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、キャリア密度が高く、正孔注入性に優れている。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層を、陽極として機能する電極に接する正孔注入層として用いることにより、陽極として機能する電極材料の仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。

正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層は、例えば、正孔輸送性の高い物質を含む層と電子受容性を示す物質を含む層とが積層された材料層を有する蒸着用基板を用いることにより形成することができる。

正孔注入層に用いる電子受容性を示す物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族から第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入層に用いることのできる正孔の輸送性の高い物質を具体的に列挙する。

例えば、正孔注入層に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等を用いることができる。また、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。

正孔注入層に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。

また、正孔注入層に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。

また、正孔注入層に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチル−アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。

なお、正孔注入層に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

これら正孔輸送性の高い物質を含む層と、電子受容性を示す物質を含む層とが積層された材料層を有する蒸着用基板を用いることで、正孔注入層を形成することができる。電子受容性を示す物質として金属酸化物を用いた場合には、正孔輸送性の高い物質を含む層を形成した後、金属酸化物を含む層を形成することが好ましい。金属酸化物は、正孔輸送性の高い物質よりも分解温度または蒸着温度が高い場合が多いためである。このような構成の蒸着源とすることにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とを効率良く昇華させることができる。また、蒸着して形成した膜において局所的な濃度の偏りを抑制することができる。また、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物の両方を溶解させるまたは分散させる溶媒は種類が少なく、混合溶液を形成しにくい。よって、湿式法を用いて混合層を直接形成することは困難である。しかし、本発明の成膜方法を用いることにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とを含む混合層を容易に形成することができる。

また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、正孔注入性だけでなく、正孔輸送性も優れているため、上述した正孔注入層９１１を正孔輸送層として用いてもよい。

また、正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ０１）バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

また、電子注入層としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、陰極からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。

なお、材料層１５１は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層と、発光層とを適宜組み合わせて構成すればよい。

一方、被成膜基板である基板１５２上に、第１の電極である電極１５５を形成する。電極１５５は、発光素子の陽極あるいは陰極の一方となる。

発光素子は、陽極または陰極の一方、あるいは両方を透光性を有する導電膜で形成する必要がある。陽極または陰極のうち、発光層を含む有機物層の下に透光性を有する導電膜、有機物層の上に遮光性を有する導電膜を形成する場合は、発光素子は下面射出の発光素子となる。逆に、陽極または陰極のうち、発光層を含む有機物層の下に遮光性を有する導電膜、有機物層の上に透光性を有する導電膜を形成する場合は、発光素子は上面射出の発光素子となる。陽極及び陰極の両方を透光性を有する導電膜で形成する場合は、発光素子両面射出の発光素子となる。

透光性を有する陽極の材料として、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）や酸化インジウム−酸化スズ合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＳｎＯ_２；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））、ケイ素もしくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、さらに可視光の透過率や導電率を高めるためにガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｇａ）、などの導電性金属酸化物膜を用いることができる。

これらの材料をスパッタ法、真空蒸着法、ゾル−ゲル法などを用いて形成すればよい。

例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。

透光性を有する陰極を形成する場合には、アルミニウムなど仕事関数の低い材料の極薄膜を用いるか、そのような物質の薄膜と上述のような透光性を有する導電膜との積層構造を用いることによって作製することができる。

また、陰極と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、ＩＴＯ、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な透光性を有する導電性材料を陰極として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。

また遮光性を有する導電膜を陰極として用いる場合には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、及びマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属及びこれらを含む合金等が挙げられる。

また、遮光性を有する導電膜を陽極として用いる場合には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。

例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。また、上述の複合材料を陽極に接して設けることによって、仕事関数の高低にかかわらず電極の材料を選択することができる。

また、基板１５２としては、ガラス基板、石英基板、半導体基板、セラミック基板等を用いればよい。ただし、下方射出の発光素子及び両面射出の発光素子の作製する場合は、基板１５２も透光性の基板である必要がある。このような透光性の基板として、ガラス基板や石英基板を用いればよい。

基板１５２上に、隣り合う電極１５５の端部と重なるように、隔壁１５６を形成する。隔壁１５６は、画素ごとにＥＬ層１５４を分離するために形成され、無機絶縁材料や有機絶縁材料といった絶縁材料を用いることができる。

無機材料として、例えば、酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、ダイヤモンド状炭素（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ（ＤＬＣ））のいずれか１つ、あるいは、２つ以上の積層構造を用いることができる。また、有機材料として、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン、シロキサンのうちいずれか１つ、あるいは、２つ以上の積層構造を用いればよい。

シロキサンとは、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む、あるいは、置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有するポリマー材料を出発原料として形成される。また、置換基としてフルオロ基を用いてもよく、さらに置換基として、少なくとも水素を含む有機基及びフルオロ基とを用いてもよい。

次いで、被成膜基板である第２の基板１５２の一方の面を、第１の基板である基板１０１の材料層１５１を形成した面と対向させる。そして第１の基板１０１の他方の面である受光面１６１に、光１５３の照射を行う（図８（Ａ）参照）。

光１５３の照射により、光吸収層１０４が加熱され、これにより材料層１５１が加熱され、材料層１５１が昇華する。これにより電極１５５上で、隔壁１５６で囲まれた領域に、材料層１５１の一部であるＥＬ層１５４が形成される（図８（Ｂ）参照）。

さらに、ＥＬ層１５４上に、陽極あるいは陰極の他方である第２の電極１５７を形成する（図８（Ｃ）参照）。

以上により、陽極あるいは陰極の一方である電極１５５、ＥＬ層１５４、陽極あるいは陰極の他方である電極１５７を有する発光素子を得ることが可能である。

本実施例では、図９（Ａ）〜図９（Ｂ）、図１０（Ａ）〜図１０（Ｄ）、図１１（Ａ）〜図１１（Ｄ）を用いて、断熱層である光透過層の効果について説明する。

図９（Ａ）では反射層が光透過層上に配置されていないドナー基板において、材料層を昇華した後の一部を拡大したＴＥＭ写真、図９（Ｂ）は反射層が光透過層上に配置されているドナー基板において、材料層を昇華した後の一部を拡大したＴＥＭ写真である。また材料層が昇華する前の図９（Ａ）の構造を図１０（Ａ）に、図９（Ｂ）の構造を図１０（Ｂ）に示す。

図１０（Ａ）において、反射層１７３上に光透過層１７２が形成され、光透過層１７２上及び反射層１７３が形成されている面１７１上に光吸収層１７４が形成されている。また光吸収層１７４を覆って保護層１７５が形成されている。

一方、図１０（Ｂ）に示す構造では、断熱層である光透過層１８２上に、反射層１８３が形成されており、反射層１８３上及び光透過層１８２が形成されている面１８１上に光吸収層１８４が形成されている。また光吸収層１８４を覆って保護層１８５が形成されている。

すなわち、図１０（Ａ）では反射層１７３は断熱層でもある光透過層１７２上に形成されていない、一方、図１０（Ｂ）では反射層１８３は断熱層である光透過層１８２上に形成されている。

本実施例においては、反射層１７３及び反射層１８３の材料はアルミニウム、光透過層１７２及び光透過層１８２の材料は酸化珪素、光吸収層１７４及び光吸収層１８４の材料はチタン、保護層１７５及び保護層１８５の材料は窒化珪素を用いた。

図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示す構造を有するドナー基板上に、材料層を形成し、光照射することにより、材料層が昇華される。

本実施例では光の光源としてフラッシュランプを用い、材料層としてＣｚＰＡ及び２ＰＡＣＡＰＡを膜厚５０ｎｍで成膜した。

光照射することにより材料層の大部分は昇華されるが、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示されるように、材料層の一部は昇華せずにドナー基板上に残ってしまう。

図９（Ａ）の構造を図１０（Ｃ）に、図９（Ｂ）の構造を図１０（Ｄ）に示す。材料層の一部である材料層１９１（図１０（Ｃ）参照）及び材料層１９２（図１０（Ｄ）参照）が残っている。しかし材料層１９２の量は材料層１９１の量よりも少ない。すなわち、光照射によって昇華した材料層の量は、図１０（Ｃ）に示す構造よりも図１０（Ｄ）に示す構造の方が多い。

ＴＥＭ写真である図９（Ａ）及び図９（Ｂ）から、残存している材料層１９１及び材料層１９２の量を面積から比較したところ、材料層１９１及び材料層１９２の量の差は、９００００ｎｍ^２であった。すなわち図９（Ｂ）及び図１０（Ｄ）の構造の方が材料層が約９００００ｎｍ^２多く昇華している。

よって、９００００ｎｍ^２（面積）÷５０ｎｍ（膜厚（縦方向の長さ））＝１８００ｎｍ＝１．８μｍ（横方向の長さ）となり、１つの光透過層１８２につき、１．８μｍ×２＝約３．６μｍの長さ分、材料層１９２が材料層１９１よりも多く昇華していることとなる。すなわち、図９（Ｂ）、図１０（Ｂ）及び図１０（Ｄ）に示す構造の方が、図９（Ａ）、図１０（Ａ）及び図１０（Ｃ）に示す構造よりも、３．６μｍ分精度良く成膜できると言える。

また、図１０（Ｃ）に示す、面１７１、光透過層１７２、反射層１７３、光吸収層１７４、保護層１７５、材料層１９１の最表面を、走査型白色干渉計（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｗｈｉｔｅ Ｌｉｇｈｔ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒ（ＳＷＬＩ））で測定した結果を、図１１（Ａ）〜図１１（Ｂ）に示す。すなわち図１１（Ａ）〜図１１（Ｂ）は、反射層１７３が光透過層１７２上に形成されていない構造を用いて、材料層を昇華させた後の最表面を測定したものを示す。

また、図１０（Ｄ）に示す、面１８１、光透過層１８２、反射層１８３、光吸収層１８４、保護層１８５、材料層１９２の最表面を、走査型白色干渉計で測定した結果を、図１１（Ｃ）〜図１１（Ｄ）に示す。すなわち図１１（Ｃ）〜図１１（Ｄ）は、本実施例に示す、反射層１８３が光透過層１８２上に形成されている構造を用いて、材料層を昇華させた後の最表面を測定したものを示す。

なお、走査型白色干渉計とは、可干渉性の少ない白色光を光源として、ミラウ型やマイケルソン型などの等光路干渉計を利用し、測定面に対応するＣＣＤ各画素の等光路位置（干渉強度が最大となる位置）を、干渉計対物レンズを垂直走査（スキャン）して見つける測定方法を利用した測定計である。走査型白色干渉計により、任意の領域の断面プロファイルを得ることができ、任意の領域の距離（横軸）に対する高さ（縦軸）を得ることが可能である。

図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）の実線で囲んだ、立ち上がっている領域の拡大図、図１１（Ｄ）は図１１（Ｃ）の実線で囲んだ、立ち上がっている領域の拡大図である。図１１（Ａ）〜図１１（Ｄ）において、高さが高い平坦な領域を有効領域と呼ぶ。有効領域とは、すなわち材料層が全て昇華されて残っていない領域である。

図１１（Ａ）と図１１（Ｃ）を比較すると、本実施例に基づいて材料層を昇華させた図１１（Ｃ）の方が、有効領域が３．７μｍ広がっているという結果が得られた。また図１１（Ｂ）と図１１（Ｄ）を比較すると、本実施例に基づいて材料層を昇華させた図１１（Ｄ）の方が、立ち上がりが鋭いことが分かる。

以上から、本実施例に示す、反射層１８３が光透過層１８２上に形成されている構造を用いて材料層を昇華させると、従来の、反射層１７３が光透過層１７２上に形成されていない構造を用いて材料層を昇華させたときよりも、横方向の長さ３．６〜３．７μｍ分だけ材料層が多く昇華していることが分かった。すなわち、本実施例に基づく構造は、従来のものよりも、より精度良く材料層を成膜することができる。

１０１ 基板
１０２ 光透過層
１０３ 反射層
１０４ 光吸収層
１０５ 保護層
１０８ 発熱部
１１１ 基板
１１２ 光透過層
１１３ 反射層
１１４ 光吸収層
１１５ 光透過層
１１７ 保護層
１１８ 発熱部
１２１ 基板
１２２ 光透過層
１２３ 反射層
１２４ 光透過層
１２５ 光吸収層
１２６ 保護層
１２８ 発熱部
１３１ 基板
１３２ 光透過層
１３３ 反射層
１３４ 光吸収層
１３５ 保護層
１３８ 発熱部
１４１ 基板
１４２ 光透過層
１４３ 光吸収層
１４４ 反射層
１４５ 保護層
１４８ 発熱部
１５１ 材料層
１５２ 基板
１５３ 光
１５４ ＥＬ層
１５５ 電極
１５６ 隔壁
１５７ 電極
１６１ 受光面
１６２ 受光面
１６３ 受光面
１６４ 受光面
１６５ 受光面
１７１ 面
１７２ 光透過層
１７３ 反射層
１７４ 光吸収層
１７５ 保護層
１８１ 面
１８２ 光透過層
１８３ 反射層
１８４ 光吸収層
１８５ 保護層
１９１ 材料層
１９２ 材料層
２０１ 基板
２０３ 反射層
２０４ 光吸収層
２０５ 光透過層
２０７ 光
２０８ 領域

Claims (18)

1. 透光性基板の第１の面上に設けられ、光を吸収することにより発熱する発熱部を有する光吸収層と、
   前記透光性基板の第１の面上に設けられ、断熱効果を有する光透過層と、
   前記光透過層上に設けられ、前記光透過層により前記発熱部と離れた位置に配置される反射層と、
   を有する成膜用基板。
2. 透光性基板の第１の面上に設けられ、光を吸収することにより発熱する発熱部を有する光吸収層と、
   前記透光性基板の第１の面上に設けられ、断熱効果を有する光透過層と、
   前記光透過層上に設けられ、前記光透過層により前記発熱部と離れた位置に配置される反射層と、
   前記透光性基板の第１の面の最表面に設けられた材料層と、
   を有する成膜用基板。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記反射層の材料は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または、酸化インジウム−酸化スズの少なくとも１つであることを特徴とする成膜用基板。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
   前記光吸収層の材料は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガン、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンの少なくとも１つであることを特徴とする成膜用基板。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
   前記光透過層の材料は、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素の少なくとも１つであることを特徴とする成膜用基板。
6. 透光性基板の第１の面上に、光を吸収することにより発熱する発熱部を有する光吸収層を設け、
   前記透光性基板の第１の面上に、断熱効果を有する光透過層を設け、
   前記光透過層上に、前記光透過層により前記発熱部と離れた位置に配置される反射層を設けることを特徴とする成膜用基板の作製方法。
7. 透光性基板の第１の面上に、光を吸収することにより発熱する発熱部を有する光吸収層を設け、
   前記透光性基板の第１の面上に、断熱効果を有する光透過層を設け、
   前記光透過層上に、前記光透過層により前記発熱部と離れた位置に配置される反射層を設け、
   前記透光性基板の第１の面の最表面に、材料層を設けることを特徴とする成膜基板の作製方法。
8. 請求項６または請求項７において、
   前記反射層の材料は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または、酸化インジウム−酸化スズの少なくとも１つであることを特徴とする成膜用基板の作製方法。
9. 請求項６乃至請求項８のいずれか１項において、
   前記光吸収層の材料は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガン、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンの少なくとも１つであることを特徴とする成膜用基板の作製方法。
10. 請求項６乃至請求項９のいずれか１項において、
    前記光透過層の材料は、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素の少なくとも１つであることを特徴とする成膜用基板の作製方法。
11. 透光性基板の第１の面上に設けられ、光を吸収することにより発熱する発熱部を有する光吸収層と、前記透光性基板の第１の面上に設けられ、断熱効果を有する光透過層と、前記光透過層上に設けられ、前記光透過層により前記発熱部と離れた位置に配置される反射層とを有する成膜用基板の最表面に、材料層が形成された成膜用基板を用い、
    前記成膜用基板の前記材料層と、被成膜用基板を対向させ、
    前記成膜用基板の第１の面の反対の面である第２の面から前記光を照射し、
    前記光を照射することにより、前記発熱部上の材料層が昇華して、前記被成膜用基板上にＥＬ層が形成されることを特徴とする成膜方法。
12. 請求項１１において、
    前記反射層の材料は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または、酸化インジウム−酸化スズの少なくとも１つであることを特徴とする成膜方法。
13. 請求項１１または請求項１２において、
    前記光吸収層の材料は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガン、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンの少なくとも１つであることを特徴とする成膜方法。
14. 請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項において、
    前記光透過層の材料は、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素の少なくとも１つであることを特徴とする成膜方法。
15. 被成膜用基板上に、陽極または陰極のいずれか一方である第１の電極を形成し、
    前記被成膜用基板上に、隣り合う前記第１の電極の端部と重なるように、絶縁材料からなる隔壁を形成し、
    透光性基板の第１の面上に設けられ、光を吸収することにより発熱する発熱部を有する光吸収層と、前記透光性基板の第１の面上に設けられ、断熱効果を有する光透過層と、前記光透過層上に設けられ、前記光透過層により前記発熱部と離れた位置に配置される反射層とを有する成膜用基板の最表面に、材料層が形成された成膜用基板を用い、
    前記成膜用基板の前記材料層と、前記被成膜用基板を対向させ、
    前記成膜用基板の第１の面の反対の面である第２の面から前記光を照射し、
    前記光を照射することにより、前記発熱部上の材料層が昇華して、前記第１の電極上で前記隔壁で囲まれた領域に、ＥＬ層を形成し、
    前記ＥＬ層上に、前記陽極または陰極の他方である第２の電極を形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
16. 請求項１５において、
    前記反射層の材料は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または、酸化インジウム−酸化スズの少なくとも１つであることを特徴とする発光素子の作製方法。
17. 請求項１５または請求項１６において、
    前記光吸収層の材料は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガン、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンの少なくとも１つであることを特徴とする発光素子の作製方法。
18. 請求項１５乃至請求項１７のいずれか１項において、
    前記光透過層の材料は、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素の少なくとも１つであることを特徴とする発光素子の作製方法。