JP2011119979A - レベルシフト回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】高速に信号伝送可能なレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】第1の電源電圧で動作する第1の回路と前記第1の電源電圧よりも高い第2の電源電圧で動作する第2の回路との間に接続され、一端に入力された信号を他端に出力する第1のスイッチ素子を有し、前記第1のスイッチ素子の他端に抵抗要素を介して前記第1または第2の電源電圧が供給される伝送回路と、前記第1のスイッチ素子がオフの状態になった場合に、前記第1のスイッチ素子の他端に前記抵抗要素を介して流れる電流と同一方向に電流を供給する制御回路と、を備えたことを特徴とするレベルシフト回路が提供される。
【選択図】図1
【解決手段】第1の電源電圧で動作する第1の回路と前記第1の電源電圧よりも高い第2の電源電圧で動作する第2の回路との間に接続され、一端に入力された信号を他端に出力する第1のスイッチ素子を有し、前記第1のスイッチ素子の他端に抵抗要素を介して前記第1または第2の電源電圧が供給される伝送回路と、前記第1のスイッチ素子がオフの状態になった場合に、前記第1のスイッチ素子の他端に前記抵抗要素を介して流れる電流と同一方向に電流を供給する制御回路と、を備えたことを特徴とするレベルシフト回路が提供される。
【選択図】図1
Description
本発明は、レベルシフト回路に関する。
機器の低消費電力化、高機能化の要求にともない、CPUなどの集積回路の低電圧化が進んでいる。一方、従来から使用されているシステムやアナログ信号などを扱うシステムにおいては、高電圧が必要とされる場合がある。
このように、異なる電源電圧で動作するシステムが混在している場合は、システム間の信号を伝送するためにレベルシフト回路が必要となる。
このように、異なる電源電圧で動作するシステムが混在している場合は、システム間の信号を伝送するためにレベルシフト回路が必要となる。
CMOSロジックで構成されたバススイッチICは、電源電圧の異なるシステムを繋ぐために信号電圧レベルの変換に使用される用途がある。例えば、低レベル電圧から高レベル電圧に信号レベルのレベルシフトを行う場合、プルアップ抵抗を用いてスイッチ素子のオフ特性を利用してレベルシフトを行う。しかし、スイッチ素子がオフしたあとの信号伝達は、プルアップ抵抗と負荷容量によるCR時定数での信号伝達となるため、信号伝達のスピードが遅くなる。
双方向の入出力端子を有するシステムにおいては、入出力端子を出力から入力に切り替えたときに入力される信号レベルで制御される場合がある。このような入出力端子、例えば、マイクロコントローラのRESET端子の信号レベルを検出して制御を高速化する提案がある(例えば、特許文献1参照)。
しかし、CR時定数で制御される回路側の信号レベルだけを検出するのでは、異なる電源電圧で動作する回路間の信号を高速に伝送するのには限界がある。
本発明は、高速に信号伝送可能なレベルシフト回路を提供する。
本発明は、高速に信号伝送可能なレベルシフト回路を提供する。
本発明の一態様によれば、第1の電源電圧で動作する第1の回路と前記第1の電源電圧よりも高い第2の電源電圧で動作する第2の回路との間に接続され、一端に入力された信号を他端に出力する第1のスイッチ素子を有し、前記第1のスイッチ素子の他端に抵抗要素を介して前記第1または第2の電源電圧が供給される伝送回路と、前記第1のスイッチ素子がオフの状態になった場合に、前記第1のスイッチ素子の他端に前記抵抗要素を介して流れる電流と同一方向に電流を供給する制御回路と、を備えたことを特徴とするレベルシフト回路が提供される。
本発明によれば、高速に信号伝送可能なレベルシフト回路が提供される。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、本発明の実施形態に係るレベルシフト回路の構成を例示する回路図である。
図1においては、第1の回路1、第2の回路2、及びレベルシフト回路3を表している。
第1の回路1は、バッファBUF1などを備え、第1の電源電圧VCCAで動作する回路である。第1の回路1は、ローレベルが接地電位、ハイレベルが第1の電源電圧VCCAの信号(入力信号)VAを出力する。なお、図1においては、第1の回路1として、信号(入力信号)VAを出力するバッファBUF1のみを表している。
図1においては、第1の回路1、第2の回路2、及びレベルシフト回路3を表している。
第1の回路1は、バッファBUF1などを備え、第1の電源電圧VCCAで動作する回路である。第1の回路1は、ローレベルが接地電位、ハイレベルが第1の電源電圧VCCAの信号(入力信号)VAを出力する。なお、図1においては、第1の回路1として、信号(入力信号)VAを出力するバッファBUF1のみを表している。
第2の回路2は、バッファBUF2などを備え、第2の電源電圧VCCBで動作する回路である。第2の回路2は、ローレベルが接地電位、ハイレベルが第2の電源電圧VCCBの信号(出力信号)VBを入力する。なお、図1においては、第2の回路2として、信号(出力信号)VBを入力するバッファBUF2のみを表している。
第1の電源電圧VCCAは、例えば、1.5〜3.3Vであり、第2の電源電圧VCCBは、例えば、2.3〜5.5Vである。ただし、第2の電源電圧VCCBは、第1の電源電圧VCCAよりも高い。
レベルシフト回路3は、伝送回路4、制御回路5、第1の端子6、第2の端子7、電源端子8を備える。そして、これらを同じ半導体基板に形成して1チップ化した構造、または複数のチップに形成した構造を備える。
レベルシフト回路3は、第1の端子6に入力された信号をレベルシフトして第2の端子7に出力する。すなわち、第1の回路1から入力信号VAを入力して、レベルシフトした出力信号VBを第2の回路2に出力する。電源端子8には、第2の電源電圧VCCBが供給される。
レベルシフト回路3は、第1の端子6に入力された信号をレベルシフトして第2の端子7に出力する。すなわち、第1の回路1から入力信号VAを入力して、レベルシフトした出力信号VBを第2の回路2に出力する。電源端子8には、第2の電源電圧VCCBが供給される。
伝送回路4は、第1のスイッチ素子N1、第1の抵抗(抵抗要素)R1を有する。
第1のスイッチ素子N1は、第1の端子6と第2の端子7との間に接続されている。すなわち、第1のスイッチ素子N1は、第1の電源電圧VCCAで動作する第1の回路1と、第1の電源電圧VCCAよりも高い第2の電源電圧VCCBで動作する第2の回路2との間に接続される。
第1のスイッチ素子N1は、第1の端子6と第2の端子7との間に接続されている。すなわち、第1のスイッチ素子N1は、第1の電源電圧VCCAで動作する第1の回路1と、第1の電源電圧VCCAよりも高い第2の電源電圧VCCBで動作する第2の回路2との間に接続される。
第1のスイッチ素子N1の一端には、第1の回路1から入力信号VAが入力される。第1のスイッチ素子N1の他端には、レベルシフトした出力信号VBが出力される。さらに、出力信号VBは、第2の回路2に入力される。また、第1のスイッチ素子N1のゲートには、第2の電源電圧VCCBが供給される。
第1の抵抗(抵抗要素)R1は、第2の端子7と電源端子8との間に接続され、第1のスイッチ素子N1の他端、すなわち出力側に第2の電源電圧VCCBを供給する。なお、図1に表したレベルシフト回路3においては、第1の抵抗(抵抗要素)R1は伝送回路4に設けられているが、第2の回路2に設けられてもよい。また、第1の抵抗(抵抗要素)R1は、第1の回路1のバッファBUF1で駆動でき、両端の間に電圧を印加した場合に流れる電流を制限できるものであればよい。
伝送回路4は、第1の電源電圧VCCAで動作する第1の回路1から入力した入力信号VAを、レベルシフトした出力信号VBとして第2の電源電圧VCCBで動作する第2の回路2に伝送する。
伝送回路4は、第1の電源電圧VCCAで動作する第1の回路1から入力した入力信号VAを、レベルシフトした出力信号VBとして第2の電源電圧VCCBで動作する第2の回路2に伝送する。
制御回路5は、オフ検出回路9、第2のスイッチ素子P1を有する。
オフ検出回路9には、第1のスイッチ素子N1の入力信号VA及び出力信号VBが入力される。オフ検出回路9の出力は、第2のスイッチ素子P1に入力され、第2のスイッチ素子P1を制御する。
オフ検出回路9には、第1のスイッチ素子N1の入力信号VA及び出力信号VBが入力される。オフ検出回路9の出力は、第2のスイッチ素子P1に入力され、第2のスイッチ素子P1を制御する。
オフ検出回路9は、論理積の否定回路(NAND)10、否定回路(INV)11、遅延回路12、バッファBUF3を有する。
バッファBUF3の入力は、第1の端子6に接続され、バッファBUF3の出力V1は、NAND10に入力される。INV11の入力は、第2の端子7に接続され、INV11の出力は、遅延回路12に入力される。また、遅延回路12の出力V2は、NAND10に入力される。
バッファBUF3の入力は、第1の端子6に接続され、バッファBUF3の出力V1は、NAND10に入力される。INV11の入力は、第2の端子7に接続され、INV11の出力は、遅延回路12に入力される。また、遅延回路12の出力V2は、NAND10に入力される。
すなわち、第1のスイッチ素子N1の入力信号VAがバッファBUF3を介してNAND10に入力される。また、第1のスイッチ素子N1の出力信号VBがINV11を介して反転され、さらに遅延回路12により遅延されてNAND10に入力される。
遅延回路12は、入力された信号を遅延時間Tdだけ遅延させて出力する回路である。図1に表したように、遅延回路12は、抵抗とコンデンサとで構成することができる。この場合、遅延時間Tdは、抵抗及びコンデンサの時定数で定まる。また、遅延回路12としては、例えば、偶数個のINVを縦続接続して構成してもよい。なお、遅延時間Tdについては、図2において説明する。
NAND10の出力V3は、第2のスイッチ素子P1のゲートに入力され、第2のスイッチ素子P1を制御する。すなわち、オフ検出回路9には、第1のスイッチ素子N1の入力信号VA、出力信号VBが入力され、オフ検出回路9の出力V3により、第2のスイッチ素子P1が制御される。
第2のスイッチ素子P1は、第2の端子7と電源端子8との間に接続される。
第2のスイッチ素子P1は、オフ検出回路9の出力V3により制御され、後述するように、第1のスイッチ素子N1がオフの状態のときに第1のスイッチ素子N1の他端、すなわち出力側に第2の電源電圧VCCBを供給する。
なお、制御回路5は、電源端子8から供給される第2の電源電圧VCCBで動作する。
第2のスイッチ素子P1は、オフ検出回路9の出力V3により制御され、後述するように、第1のスイッチ素子N1がオフの状態のときに第1のスイッチ素子N1の他端、すなわち出力側に第2の電源電圧VCCBを供給する。
なお、制御回路5は、電源端子8から供給される第2の電源電圧VCCBで動作する。
次にレベルシフト回路3の動作について説明する。
図2は、レベルシフト回路の制御回路の主要な信号のタイミングチャートであり(a)は、入力信号VA、(b)は、出力信号VB、(c)〜(e)は、それぞれ制御回路の信号(出力)V1〜V3である。
図2は、レベルシフト回路の制御回路の主要な信号のタイミングチャートであり(a)は、入力信号VA、(b)は、出力信号VB、(c)〜(e)は、それぞれ制御回路の信号(出力)V1〜V3である。
図2(a)に表したように、入力信号VAの電位が、ローレベルからハイレベルに立上がる。そのとき、第1のスイッチ素子N1はオンの状態であり、出力信号VBの電位は、入力信号VAに追随してローレベルからハイレベルに立上がる(図2(b))。
入力信号VAの電位がバッファBUF3の論理閾値VLを越えると、バッファBUF3の出力V1の電位は、ローレベルからハイレベルに変化する(図2(c))。出力信号VBの電位がINV11の論理閾値VLを越えると、INV11の出力は反転し、ハイレベルからローレベルになる。そして、遅延回路12の遅延時間Tdだけ遅れて、遅延回路12の出力V2の電位は、ハイレベルからローレベルに変化する(図2(d))。
NAND10の出力V3の電位は、出力V1からNAND10までの伝搬遅延時間だけ遅延して、ハイレベルからローレベルに変化する。さらに遅延回路12の遅延時間Td経過後に再度ハイレベルに戻る。すなわち、遅延時間Tdの時間幅の負パルスとなる(図2(e))。
NAND10の出力V3、すなわちオフ検出回路9の出力V3がローレベルの場合、第2のスイッチ素子P1はオンの状態となる。そのため、第2の端子7は、電源端子8と電気的に接続された状態となり、第1のスイッチ素子N1の他端(出力側)に第2の電源電圧VCCBが供給される。すなわち、第1のスイッチ素子N1がオフの状態になった場合に、第2のスイッチ素子P1を介して第1のスイッチ素子N1の他端(出力側)に第2の電源電圧VCCBを供給する。第1のスイッチ素子N1の他端(出力側)に電流が供給され、出力信号VBの電位は、高速に上昇する。
第1のスイッチ素子N1がオフの状態の場合、伝送回路4は、入力信号VAを出力信号VBとして伝送できない。そのため、第1のスイッチ素子N1の入力信号VA及び出力信号VBの電位が上昇して第1のスイッチ素子N1がオフの状態になると、第1の回路1と第2の回路2とは遮断された状態になる。
出力信号VBの電位は、第1の抵抗(抵抗要素)R1を介して供給される第2の電源電圧VCCBにより上昇する。すなわち、第1の抵抗(抵抗要素)R1を介して電流が供給され、出力信号VBの電位は上昇する。ここで第2のスイッチ素子P1がない場合、この出力信号VBの電位の変化は、第1の抵抗(抵抗要素)R1と第2の回路2の入力の静電容量との時定数で制限される。
本実施形態に係るレベルシフト回路3においては、第1のスイッチ素子N1がオフの状態になった場合、制御回路5の第2のスイッチ素子P1を介して第2の電源電圧VCCBを供給している。第1のスイッチ素子N1の他端(出力側)には、第1の抵抗(抵抗要素)R1を介して流れる電流と同一方向に、第2のスイッチ素子P1を介して電流が供給される。これにより、出力信号VBの電位の上昇は、第2のスイッチ素子P1のオン抵抗と第2の回路2の入力の静電容量との時定数による変化に加速される。
このように、レベルシフト回路3によれば、高速に信号伝送が可能である。
このように、レベルシフト回路3によれば、高速に信号伝送が可能である。
なお、図1に表したレベルシフト回路3においては、第2のスイッチ素子P1を介して第2の電源電圧VCCBを供給することにより、第1のスイッチ素子N1の他端(出力側)に電流を供給している。しかし、オフ検出回路9の出力V3の電位がローレベルのときに、第1のスイッチ素子N1の他端(出力側)に電流を供給する電流生成回路を用いてもよい。
また、入力信号VAの電位が低下する場合(図2(a))、第1のスイッチ素子N1がオフの状態の間は、出力信号VBの電位はハイレベルのままである(図2(b))。
入力信号VAの電位が低下して第1のスイッチ素子N1がオンの状態になると、出力信号VBの電位は、高速に低下し、入力信号VAの電位に追随する。
入力信号VAの電位が低下して第1のスイッチ素子N1がオンの状態になると、出力信号VBの電位は、高速に低下し、入力信号VAの電位に追随する。
入力信号VAの電位が論理閾値VLよりも低下すると、バッファBUF3の出力V1の電位は、ローレベルに変化する(図2(c))。また、出力信号VBの電位が論理閾値VLよりも低下すると、遅延時間Td後に遅延回路12の出力V2の電位は、ハイレベルに変化する(図2(d))。NAND10の出力V3の電位は、ハイレベルのままである(図2(e))。
このように、入力信号VA、出力信号VBの電位が、ハイレベルからローレベルに立ち下がるときは、NAND10の出力V3の電位は、ハイレベルのままである。
しかし、この遅延回路12の出力V2の電位がハイレベルのときに、入力信号VAの電位がハイレベルになると、オフ検出回路9の出力V3がローレベルになり、誤動作する。遅延回路12の遅延時間Tdを、入力信号VA、出力信号VBの電位の立ち下がりの時間よりも長くすることにより、この誤動作を回避できる。
しかし、この遅延回路12の出力V2の電位がハイレベルのときに、入力信号VAの電位がハイレベルになると、オフ検出回路9の出力V3がローレベルになり、誤動作する。遅延回路12の遅延時間Tdを、入力信号VA、出力信号VBの電位の立ち下がりの時間よりも長くすることにより、この誤動作を回避できる。
このように、オフ検出回路9は、入力信号VA、出力信号VBの電位の立上がりを検出するエッジ検出回路として動作する。入力信号VA、出力信号VBの電位が立上がるエッジを検出することにより、第1のスイッチ素子N1がオンの状態からオフの状態になる場合を検出している。
そして、上記のとおり、制御回路5は、第1のスイッチ素子N1がオフの状態になった場合に、第1のスイッチ素子N1の他端(出力側)に第2の電源電圧VCCBを供給することにより、電流を供給している。すなわち、オフ検出回路9により第1のスイッチ素子N1がオンの状態からオフの状態になったことを検出して、第2のスイッチ素子P1をオンの状態にして第1のスイッチ素子N1の他端(出力側)に、第2の電源電圧VCCBを供給する。第1のスイッチ素子N1の他端(出力側)に、第1の抵抗(抵抗要素)R1を介して流れる電流と同一方向に電流が供給される。
上記のレベルシフト回路3の動作に基づき、入力信号VA、出力信号VBの電位の時間変化について説明する。
図3は、入力信号VA及び出力信号VBの電位の時間変化を表す模式図である。
図3においては、横軸に時間をとって、縦軸に入力信号VAの電位、及び出力信号VBの電位を模式的に表している。入力信号VAの電位がローレベルからハイレベルに変化し、再度ローレベルに戻る場合の、出力信号VBの電位の時間変化を表している。
図3は、入力信号VA及び出力信号VBの電位の時間変化を表す模式図である。
図3においては、横軸に時間をとって、縦軸に入力信号VAの電位、及び出力信号VBの電位を模式的に表している。入力信号VAの電位がローレベルからハイレベルに変化し、再度ローレベルに戻る場合の、出力信号VBの電位の時間変化を表している。
図3に表したように、入力信号VA、出力信号VBの電位の時間変化は、レベルシフト回路3の動作に基づき、期間T1〜期間T5の5期間に分けられる。
期間T1は、入力信号VAの電位が低く、伝送回路4がオンの状態、すなわち、第1のスイッチ素子N1がオンの状態の場合である。
期間T1は、入力信号VAの電位が低く、伝送回路4がオンの状態、すなわち、第1のスイッチ素子N1がオンの状態の場合である。
第1のスイッチ素子N1のゲートには、第2の電源電圧VCCBが供給されている。そのため、第1のスイッチ素子N1の閾値電圧をVthとして、入力信号VAの電位が、VCCB−Vth以下の場合は、第1のスイッチ素子N1はオンの状態になる。出力信号VBの電位は、入力信号VAの電位に追随して上昇する。
入力信号VAの電位がVCCB−Vthを越えると、第1のスイッチ素子N1は、オフの状態になる。第1の回路1から入力した入力信号VAを第2の回路2に出力信号VBとして伝送できない状態になる。
期間T2は、第1のスイッチ素子N1がオフの状態になった後の、オフ検出回路9の出力V3がハイレベルのままの期間である。第1のスイッチ素子N1の他端(出力側)には、第1の抵抗(抵抗要素)R1を介して第2の電源電圧VCCBが供給される。出力信号VBの電位は、第1の抵抗(抵抗要素)R1と第2の端子7の接地間の静電容量との時定数で上昇する。この出力信号VBの電位は、第2の端子7の負荷容量、すなわち第2の回路2の入力の静電容量が大きい場合、第1の抵抗(抵抗要素)R1と第2の回路2の入力の静電容量との時定数により制限され遅くなる。
期間T3は、オフ検出回路9の出力V3の電位がローレベルの場合、すなわち第2のスイッチ素子P1がオンの状態の場合である。第1のスイッチ素子N1の他端(出力側)には、第2のスイッチ素子P1を介して第2の電源電圧VCCBが供給される。出力信号VBの電位は、第2のスイッチ素子P1のオン抵抗と第2の回路2の入力の静電容量との時定数により加速されて上昇する。第2のスイッチ素子P1のオン抵抗は、第1の抵抗(抵抗要素)R1の抵抗値よりも小さいため、出力信号VBの電位は高速に上昇する。そのため、負荷容量が大きい場合や入力信号VAが高速に変化する場合にも対応できる。
期間T4は、オフ検出回路9の出力V3の電位がハイレベルに戻る期間である。オフ検出回路9の出力V3の電位V3は、ローレベルになってから遅延回路12の遅延時間Tdの経過後、ハイレベルに戻る。第2のスイッチ素子P1は、オフの状態にもどる。
期間T4において、出力信号VBの電位がハイレベルに保持されている場合、第1及び第2のスイッチ素子N1、P1はオフの状態であり、消費電流の少ない状態である。
期間T4において、出力信号VBの電位がハイレベルに保持されている場合、第1及び第2のスイッチ素子N1、P1はオフの状態であり、消費電流の少ない状態である。
入力信号VAの電位が、ハイレベルからローレベルに変化する場合、入力信号VAの電位がVCCB−Vthよりも低下するまで、第1のスイッチ素子N1はオフの状態である。出力信号VBの電位は、ハイレベルのままである。
期間T5は、入力信号VAの電位が低下し、第1のスイッチ素子N1がオンの状態に戻り、遅延回路12の出力V2の電位が、ハイレベルに戻るまでの期間である。
入力信号VAの電位が、VCCB−Vthよりも低下したとき、第1のスイッチ素子N1はオンの状態に戻る。出力信号VBの電位は、入力信号VAに追随して低下する。
入力信号VAの電位が、VCCB−Vthよりも低下したとき、第1のスイッチ素子N1はオンの状態に戻る。出力信号VBの電位は、入力信号VAに追随して低下する。
出力信号VBの電位がローレベルに低下すると、遅延時間Td経過後に遅延回路12の出力V2の電位は、ハイレベルになる。上記のとおり、この遅延時間Td内で、入力信号VAの電位がハイレベルになると、オフ検出回路9の出力V3の電位がローレベルになり、誤動作する。そのため、この遅延時間Tdは、誤動作を回避するための時間として、入力信号VA、出力信号VBの電位の立ち下がり時間よりも長く設定される。
期間T5の経過後は、期間T1に戻る。第1のスイッチ素子N1はオンの状態で、第2のスイッチ素子P1はオフの状態である。
出力信号VBの電位は、入力信号VAの電位に追随し、ローレベルである。
出力信号VBの電位は、入力信号VAの電位に追随し、ローレベルである。
このように、レベルシフト回路3の制御回路5においては、入力信号VA、出力信号VBをオフ検出回路9に入力して、第1のスイッチ素子N1のオフの状態を検出する。そして、オフ検出回路9の出力V3で第2のスイッチ素子P1をオンの状態に制御し、第1のスイッチ素子N1の他端(出力側)に第2の電源電圧VCCBを供給する。すなわち、制御回路5は、第1のスイッチ素子N1の他端(出力側)に、第1の抵抗(抵抗要素)R1を介して流れる電流と同一方向に電流を供給する。
上記のとおり、第1のスイッチ素子N1がオフの状態の場合は、第1の回路1から入力した入力信号VAは、第2の回路2に出力信号VBとして伝送されない。出力信号VBの電位の上昇は、第1の抵抗(抵抗要素)R1と第2の回路2の入力の静電容量との時定数で制限される。そのため、出力信号VBの電位は、入力信号VAの電位と比較して変化が遅い。従って、第1のスイッチ素子N1のオンの状態からオフの状態への変化を、出力信号VBの電位のみで検出すると、第1のスイッチ素子N1のオフの状態の検出が遅れる。そして、第2のスイッチ素子P1のオンの状態への制御も遅れることになる。
これに対して、オフ検出回路9においては、出力信号VBとともに、入力信号VAも入力しているため、第1のスイッチ素子N1のオフの状態を、より高速に検出することができる。
本実施形態に係るレベルシフト回路3によれば、入力信号VA、出力信号VBが上昇し伝送回路4がオフの状態になった場合、制御回路5により、第1のスイッチ素子N1の他端(出力側)に第1の抵抗(抵抗要素)R1を介して流れる電流と同一方向に電流を供給する。これにより、出力信号VBの電位の上昇が加速され、入出力間、すなわち第1の回路1から第2の回路2への信号の伝送を高速化することができる。
本実施形態に係るレベルシフト回路3によれば、入力信号VA、出力信号VBが上昇し伝送回路4がオフの状態になった場合、制御回路5により、第1のスイッチ素子N1の他端(出力側)に第1の抵抗(抵抗要素)R1を介して流れる電流と同一方向に電流を供給する。これにより、出力信号VBの電位の上昇が加速され、入出力間、すなわち第1の回路1から第2の回路2への信号の伝送を高速化することができる。
なお、図1に表したオフ検出回路9は、入力信号VA、出力信号VBの電位の立上がりを検出して、第1のスイッチ素子N1のオフを検出している。しかし、第1のスイッチ素子N1のオフ検出回路は、入力信号VA、出力信号VBの電位を比較回路などで検出する構成とすることもできる。
また、上記のとおり、期間T2においては、第1及び第2のスイッチ素子N1、P1がオフの状態であり、出力信号VBの電位の変化は、第1の抵抗(抵抗要素)R1で制御される遅い状態である。
この期間T2は、オフ検出回路9を構成するバッファBUF3の論理閾値VL、バッファBUF3、NAND10などの伝搬遅延時間により変化する。
この期間T2は、オフ検出回路9を構成するバッファBUF3の論理閾値VL、バッファBUF3、NAND10などの伝搬遅延時間により変化する。
そのため、オフ検出回路9に供給する電源電圧により変化する。例えば、電源電圧を低下すると、論理閾値VLが低下し、第1のスイッチ素子N1のオフの状態の検出を速くすることができる。
図4は、本発明の実施形態に係るレベルシフト回路の他の構成を例示する回路図である。
図4に表したように、レベルシフト回路3Aは、伝送回路4、制御回路5A、第1及び第2の端子6、7、電源端子8及び低電位電源端子8Aを備える。
図4に表したように、レベルシフト回路3Aは、伝送回路4、制御回路5A、第1及び第2の端子6、7、電源端子8及び低電位電源端子8Aを備える。
制御回路5Aは、第2のスイッチ素子P1、オフ検出回路9、レベルシフタ13を有する。すなわち、レベルシフト回路3Aは、図1に表したレベルシフト回路3の制御回路5を、制御回路5Aに置き換え、低電位電源端子8Aを追加した構成である。低電位電源端子8Aには、第1の電源電圧VCCAが供給される。
また、制御回路5Aにおいては、オフ検出回路9に低電位電源端子8Aを介して第1の電源電圧VCCAが供給され、レベルシフタ13が追加されている点が図1に表した制御回路5と異なる。伝送回路4、第2のスイッチ素子P1、第1及び第2の端子6、7、電源端子8、オフ検出回路9の構成については、図1と同様である。
図4に表したように、制御回路5Aにおいては、オフ検出回路9に第1の電源電圧VCCAを供給することにより、バッファBUF3の論理閾値VLを低下させることができる。これにより、図3において説明したように、バッファBUF3の出力V1の電位が速くハイレベルに変化し、期間T2を短縮することができる。そして、第1の回路1から入力した入力信号VAを第2の回路2に出力信号VBとして高速に伝送することができる。
ただし、オフ検出回路9の出力V3の電位は、ハイレベルが第1の電源電圧VCCAのため、レベルシフタ13により、ハイレベルの電位を第2の電源電圧VCCBに変換する。
図5は、図4に表したレベルシフタの構成を例示する回路図である。
図5に表したように、レベルシフタ13は、Nチャンネル型MOSFET(以下、NMOS)N11、N12、Pチャンネル型MOSFET(以下、PMOS)P11、P12、INV14を有する。
図5は、図4に表したレベルシフタの構成を例示する回路図である。
図5に表したように、レベルシフタ13は、Nチャンネル型MOSFET(以下、NMOS)N11、N12、Pチャンネル型MOSFET(以下、PMOS)P11、P12、INV14を有する。
NMOS N11及びN12のそれぞれのソースは接地に接続されている。NMOS N11のゲートにはオフ検出回路9の出力V3が入力される。また、NMOS N12のゲートには、INV14を介してオフ検出回路9の出力V3が入力される。
NMOS N11、N12のドレインは、それぞれPMOS P11、P12のドレインと接続されている。PMOS P11、P12のそれぞれのソースには、第2の電源電圧VCCBが供給される。PMOS P11のゲートは、PMOS P12のドレインと接続され、これらはレベルシフタ13の出力V4となる。PMOS P12のゲートは、PMOS P11のドレインと接続されている。
レベルシフタ13にオフ検出回路9の出力V3が、ハイレベルが第1の電源電圧VCCA、ローレベルが0Vで入力される。
例えば、出力V3にハイレベル(VCCA)が入力されると、NMOS N11のドレインの電位はローレベル(0V)になり、NMOS N12のドレイン、すなわち出力V4の電位は、ハイレベル(VCCB)になる。すなわち、レベルシフタ13における出力振幅は0〜VCCBとなる。
例えば、出力V3にハイレベル(VCCA)が入力されると、NMOS N11のドレインの電位はローレベル(0V)になり、NMOS N12のドレイン、すなわち出力V4の電位は、ハイレベル(VCCB)になる。すなわち、レベルシフタ13における出力振幅は0〜VCCBとなる。
レベルシフタ13は、入力のハイレベルが第1の電源電圧VCCA、ローレベルが0Vであるオフ検出回路9の出力V3を、ハイレベルが第2の電源電圧VCCB、ローレベルが0Vの出力V4に電圧変換する。
この出力V4により、第2のスイッチ素子P1のゲートを制御する。
この出力V4により、第2のスイッチ素子P1のゲートを制御する。
図4に表したオフ検出回路9の動作は、論理閾値VLが低下していること以外は、図2のタイミングチャートと同様である。また、図4に表したレベルシフト回路3Aの入力信号VA及び出力信号VBの電位の時間変化は、図3の模式図と同様である。
従って、レベルシフト回路3Aによれば、高速に信号伝送可能なレベルシフト回路を提供することがきる。
従って、レベルシフト回路3Aによれば、高速に信号伝送可能なレベルシフト回路を提供することがきる。
ところで、図1及び図4に表したように、第1のスイッチ素子N1のゲートには、第2の電源電圧VCCBが供給されている。この場合、第1のスイッチ素子N1がオフの状態になる入力信号VAの電位は、VCCB−Vthである。
第1のスイッチ素子N1のゲートには、第1の電源電圧VCCAを供給することもできる。この場合、第1のスイッチ素子N1がオフの状態になる入力信号VAの電位は、VCCA−Vthである。
第1のスイッチ素子N1のゲートには、第1の電源電圧VCCAを供給することもできる。この場合、第1のスイッチ素子N1がオフの状態になる入力信号VAの電位は、VCCA−Vthである。
第1のスイッチ素子N1がオフの状態になる入力信号VAの電位は、この第1のスイッチ素子N1のゲート電位により変化する。
図6は、本発明の実施形態に係るレベルシフト回路の他の構成を例示する回路図である。
図6に表したように、レベルシフト回路3Bは、伝送回路4A、制御回路5A、第1及び第2の端子6、7、電源端子8及び低電位電源端子8Aを備える。
図6は、本発明の実施形態に係るレベルシフト回路の他の構成を例示する回路図である。
図6に表したように、レベルシフト回路3Bは、伝送回路4A、制御回路5A、第1及び第2の端子6、7、電源端子8及び低電位電源端子8Aを備える。
伝送回路4Aは、第1のスイッチ素子N1、第1の抵抗(抵抗要素)R1、バイアス回路15を有する。すなわち、伝送回路4Aは、図1に表した伝送回路4にバイアス回路15を追加した構成である。
第1のスイッチ素子N1、第1の抵抗(抵抗要素)R1、制御回路5A、第1及び第2の端子6、7、電源端子8及び低電位電源端子8Aについては、図4に表したレベルシフト回路3Aと同様である。
第1のスイッチ素子N1、第1の抵抗(抵抗要素)R1、制御回路5A、第1及び第2の端子6、7、電源端子8及び低電位電源端子8Aについては、図4に表したレベルシフト回路3Aと同様である。
バイアス回路15は、NMOS N2、第2の抵抗R2を有する。NMOS N2のソースは、低電位電源端子8Aに接続され、第1の電源電圧VCCAが供給される。NMO N2のゲートとドレインとは、第2の抵抗R2を介して電源端子8に接続され、第2の電源電圧VCCBが供給される。
第1のスイッチ素子N1のゲートは、NMOS N2のゲートに接続されている。
従って、第1のスイッチ素子N1のゲートには、バイアス回路15により、VCCA+Vthのバイアス電圧が供給される。第1のスイッチ素子N1がオフの状態になる入力信号VAの電位は、ほぼ第1の電源電圧VCCAとなる。
従って、第1のスイッチ素子N1のゲートには、バイアス回路15により、VCCA+Vthのバイアス電圧が供給される。第1のスイッチ素子N1がオフの状態になる入力信号VAの電位は、ほぼ第1の電源電圧VCCAとなる。
このように、第1のスイッチ素子N1のゲートにバイアス電圧を供給することにより、第1のスイッチ素子N1がオフの状態になる入力信号VAの電位を変化させることができる。
従って、第1のスイッチ素子N1がオフの状態になってから、オフ検出回路9の出力V3の電位がローレベルになり第2のスイッチ素子P1がオンの状態なるまでの、期間T2が短縮するように調整することができる。
従って、レベルシフト回路3Bによれば、高速に信号伝送可能なレベルシフト回路を提供することがきる。
従って、レベルシフト回路3Bによれば、高速に信号伝送可能なレベルシフト回路を提供することがきる。
なお、第1のスイッチ素子N1のゲートにバイアス電圧を供給することにより、第1のスイッチ素子N1がオフの状態になる入力信号VAの電位が変化する。そのため、入出力間でレベルシフト可能な電圧の範囲を変化させることもできる。すなわち、電圧自由度を大きくすることができる。
以上、レベルシフト回路3、3A、3Bについて、第1の回路1から入力される入力信号VAを、第2の回路2に出力信号VBとして出力する場合について説明した。しかし、本実施形態に係るレベルシフト回路は、第2の回路2から入力した入力信号を、第1の回路1に出力信号として出力することも可能である。すなわち、双方向に信号を伝送することができる。
また、第2の回路2から第1の回路1の方向に信号を伝送する場合、第1の抵抗(抵抗要素)R1及び第2のスイッチ素子P1を出力側、すなわち第1の回路1側に設けることにより、高速に信号伝送が可能である。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、それらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
1 第1の回路
2 第2の回路
3、3A、3B レベルシフト回路
4、4A 伝送回路
5、5A 制御回路
6 第1の端子
7 第2の端子
8 電源端子
8A 低電位電源端子
9 オフ検出回路
10 論理積の否定回路(NAND)
11、14 否定回路(INV)
12 遅延回路
13 レベルシフタ
15 バイアス回路
BUF1〜BUF3 バッファ
N1 第1のスイッチ素子
N11〜N12 Nチャンネル型MOSFET(NMOS)
P1 第2のスイッチ素子
P11〜P12 Pチャンネル型MOSFET(PMOS)
R1 第1の抵抗(抵抗要素)
R2 第2の抵抗
2 第2の回路
3、3A、3B レベルシフト回路
4、4A 伝送回路
5、5A 制御回路
6 第1の端子
7 第2の端子
8 電源端子
8A 低電位電源端子
9 オフ検出回路
10 論理積の否定回路(NAND)
11、14 否定回路(INV)
12 遅延回路
13 レベルシフタ
15 バイアス回路
BUF1〜BUF3 バッファ
N1 第1のスイッチ素子
N11〜N12 Nチャンネル型MOSFET(NMOS)
P1 第2のスイッチ素子
P11〜P12 Pチャンネル型MOSFET(PMOS)
R1 第1の抵抗(抵抗要素)
R2 第2の抵抗
Claims (5)
- 第1の電源電圧で動作する第1の回路と前記第1の電源電圧よりも高い第2の電源電圧で動作する第2の回路との間に接続され、一端に入力された信号を他端に出力する第1のスイッチ素子を有し、前記第1のスイッチ素子の他端に抵抗要素を介して前記第1または第2の電源電圧が供給される伝送回路と、
前記第1のスイッチ素子がオフの状態になった場合に、前記第1のスイッチ素子の他端に前記抵抗要素を介して流れる電流と同一方向に電流を供給する制御回路と、
を備えたことを特徴とするレベルシフト回路。 - 前記制御回路は、
前記第1のスイッチ素子の入力信号及び出力信号を入力して、前記第1のスイッチ素子のオフの状態を検出するオフ検出回路と、
前記オフ検出回路の出力により制御され、前記第1のスイッチ素子の他端に前記第1または第2の電源電圧を供給する第2のスイッチ素子と、
を有することを特徴とする請求項1記載のレベルシフト回路。 - 前記オフ検出回路は、前記第1のスイッチ素子の入力信号及び出力信号の立上がりを検出するエッジ検出回路を有することを特徴とする請求項2記載のレベルシフト回路。
- 前記制御回路は、前記第1の電源電圧で動作することを特徴とする請求項2または3に記載のレベルシフト回路。
- 前記伝送回路は、前記第1のスイッチ素子の制御端子にバイアス電圧を供給するバイアス回路をさらに有することを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載のレベルシフト回路。
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