つまり、特許文献1に記載されたLEDランプに対し、特許文献2に記載された定電流回路を適用することにより、特許文献1に記載されたLEDランプのLED光源から照射される光の量を安定させることができると考えられる。
ところで、特許文献1に記載されたLEDランプに対し、特許文献2に記載された定電流回路を適用しようとすると、電気回路の構成部品(LED光源および定電流回路の構成部品)の総数が大幅に増加する。
仮に、LED光源および定電流回路の構成部品のすべてを1個の回路基板に実装しようとすると、回路基板の直径(LEDランプの中心軸線に直交する方向の寸法)が大型化してしまい、それに伴って、LEDランプ全体の径方向寸法が大型化してしまう。
また、仮に、LED光源および定電流回路の構成部品のすべてを1個の回路基板に実装しようとすると、発熱量が大きい部品とLED光源とを近接させて配置せざるを得ない。そのため、発熱量が大きい部品からの熱を受けてLED光源が昇温してしまい、その結果、LED光源から照射される光の量が不安定になってしまうおそれがある。
前記問題点に鑑み、本発明は、LEDランプ全体の大型化を回避しつつ、LED光源から照射される光の量を安定させることができるLEDランプを提供することを目的とする。
請求項1に記載の発明によれば、ウエッジベース部(5b)を介してLED光源(L1,L2)に直流電流が供給されるLEDランプ(100)において、
LED光源(L1,L2)に供給される電流値をほぼ一定にするための定電流回路(C)を設け、
LED光源(L1,L2)および定電流回路(C)の構成部品が実装される第1回路基板(1a)および第2回路基板(1b)を設け、
第1回路基板(1a)と第2回路基板(1b)とをLEDランプ(100)の中心軸線(CL)方向に離間させて配置し、
第1回路基板(1a)および第2回路基板(1b)のうち、LEDランプ(100)の先端側に配置された第1回路基板(1a)の先端側表面(1a1)にLED光源(L1,L2)を実装し、
ウエッジベース部側に配置された第2回路基板(1b)のウエッジベース部側表面(1b2)に、定電流回路(C)の構成部品のうち、最も発熱量が大きいスルーホール実装型のトランジスタ(Q2)を実装し、
スルーホール実装型のトランジスタ(Q2)として、放熱板(Q2a)がインサートモールドされたトランジスタを用い、
第1回路基板(1a)と、第2回路基板(1b)と、第2回路基板(1b)に実装されたスルーホール実装型のトランジスタ(Q2)とを、概略筒状のヒートシンク(3)によって包囲し、
スルーホール実装型のトランジスタ(Q2)の放熱板(Q2a)を概略筒状のヒートシンク(3)の内側表面(3a3,3b3)の当接部(3a3b,3b3b)に当接させたことを特徴とするLEDランプ(100)が提供される。
請求項2に記載の発明によれば、第1回路基板(1a)と第2回路基板(1b)とをワイヤ(W1,W3,W4)によって接続し、
ダイキャスト製の概略半筒状の第1ヒートシンク構成部(3a)と、ダイキャスト製の概略半筒状の第2ヒートシンク構成部(3b)とによって概略筒状のヒートシンク(3)を構成し、
第1回路基板(1a)および第2回路基板(1b)を概略筒状のヒートシンク(3)に対してLEDランプ(100)の中心軸線(CL)方向に位置決めするための突出部(3a3a,3b3a)を、第1ヒートシンク構成部(3a)の内側表面(3a3)および第2ヒートシンク構成部(3b)の内側表面(3b3)に設けたことを特徴とする請求項1に記載のLEDランプ(100)が提供される。
請求項3に記載の発明によれば、概略筒状のヒートシンク(3)の内側表面(3a3,3b3)と外側表面(3a4,3b4)との間に延びている4個の貫通穴(3a7,3b7,3c1,3c2)を周方向に概略90°間隔で配列したことを特徴とする請求項2に記載のLEDランプ(100)が提供される。
請求項4に記載の発明によれば、概略半筒状の第1ヒートシンク構成部(3a)の縁部(3a5)に形成された第1切り欠き部(3a5a)と、概略半筒状の第2ヒートシンク構成部(3b)の縁部(3b5)に形成された第1切り欠き部(3b5a)とによって貫通穴(3c1)を構成し、
概略半筒状の第1ヒートシンク構成部(3a)の縁部(3a6)に形成された第2切り欠き部(3a6a)と、概略半筒状の第2ヒートシンク構成部(3b)の縁部(3b6)に形成された第2切り欠き部(3b6a)とによって貫通穴(3c2)を構成したことを特徴とする請求項3に記載のLEDランプ(100)が提供される。
請求項5に記載の発明によれば、LED光源(L1,L2)からの光を配光制御するレンズ(4)を設け、
概略円形の端面部(4a)と、概略筒状の外周面部(4b)とをレンズ(4)に設け、
端面部(4a)および外周面部(4b)によって、第1回路基板(1a)の先端側表面(1a1)と、第1回路基板(1a)の先端側表面(1a1)に実装されたLED光源(L1,L2)とを覆い、
外周面部(4b)に4個の開口部(4b2a,4b2b,4b2c,4b2d)を形成し、
4個の開口部(4b2a,4b2b,4b2c,4b2d)を周方向に概略90°間隔で配列したことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のLEDランプ(100)が提供される。
請求項6に記載の発明によれば、第1回路基板(1a)のウエッジベース部側表面(1a2)と、第2回路基板(1b)の先端側表面(1b1)と、概略筒状のヒートシンク(3)の内側表面(3a3,3b3)とによって画定される空間内にゲル剤(10)を充填したことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のLEDランプ(100)が提供される。
請求項1に記載のLEDランプ(100)では、ウエッジベース部(5b)を介してLED光源(L1,L2)に直流電流が供給される。更に、LED光源(L1,L2)に供給される電流値をほぼ一定にするための定電流回路(C)が設けられている。また、LED光源(L1,L2)および定電流回路(C)の構成部品が実装される第1回路基板(1a)および第2回路基板(1b)が設けられている。
そのため、請求項1に記載のLEDランプ(100)によれば、LED光源(L1,L2)および定電流回路(C)の構成部品が実装される回路基板として1個の回路基板のみが設けられている場合よりも、第1回路基板(1a)および第2回路基板(1b)の直径を小さくすることができ、LEDランプ(100)全体の径方向寸法を小型化することができる。
更に、請求項1に記載のLEDランプ(100)では、第1回路基板(1a)と第2回路基板(1b)とが、LEDランプ(100)の中心軸線(CL)方向に離間して配置されている。また、第1回路基板(1a)および第2回路基板(1b)のうち、LEDランプ(100)の先端側に配置された第1回路基板(1a)の先端側表面(1a1)にLED光源(L1,L2)が実装されている。更に、ウエッジベース部側に配置された第2回路基板(1b)のウエッジベース部側表面(1b2)に、定電流回路(C)の構成部品のうち、最も発熱量が大きいスルーホール実装型のトランジスタ(Q2)が実装されている。
つまり、請求項1に記載のLEDランプ(100)では、LED光源(L1,L2)と最も発熱量が大きいトランジスタ(Q2)とが、最も離間して配置されている。
そのため、請求項1に記載のLEDランプ(100)によれば、LED光源(L1,L2)と最も発熱量が大きいトランジスタ(Q2)とが同一の回路基板上で近接して配置されている場合よりも、トランジスタ(Q2)からの熱を受けてLED光源(L1,L2)が昇温し、LED光源(L1,L2)から照射される光の量が不安定になってしまうおそれを低減することができる。
また、請求項1に記載のLEDランプ(100)では、スルーホール実装型のトランジスタ(Q2)として、放熱板(Q2a)がインサートモールドされたトランジスタが用いられている。更に、第1回路基板(1a)と、第2回路基板(1b)と、第2回路基板(1b)に実装されたスルーホール実装型のトランジスタ(Q2)とが、概略筒状のヒートシンク(3)によって包囲されている。また、スルーホール実装型のトランジスタ(Q2)の放熱板(Q2a)が、概略筒状のヒートシンク(3)の内側表面(3a3,3b3)の当接部(3a3b,3b3b)に当接せしめられている。
つまり、請求項1に記載のLEDランプ(100)では、トランジスタ(Q2)が発生した熱が、トランジスタ(Q2)の放熱板(Q2a)を介してヒートシンク(3)に伝熱され、ヒートシンク(3)の外側表面(3a4,3b4)から放熱される。
そのため、請求項1に記載のLEDランプ(100)によれば、最も発熱量が大きいトランジスタとして表面実装型のトランジスタが用いられ、トランジスタとヒートシンク(3)の内側表面とが当接せしめられていない場合よりも、最も発熱量が大きいトランジスタ(Q2)の冷却効率を向上させることができ、最も発熱量が大きいトランジスタ(Q2)が発生した熱がLED光源(L1,L2)に伝熱されてしまうおそれを低減することができる。
すなわち、請求項1に記載のLEDランプ(100)では、トランジスタ(Q2)が発生した熱が、LED光源(L1,L2)に伝熱されることなく、ヒートシンク(3)の外側表面(3a4,3b4)から放熱される。
更に、請求項1に記載のLEDランプ(100)では、LED光源(L1,L2)が発生した熱が、第1回路基板(1a)を介してヒートシンク(3)に伝熱され、ヒートシンク(3)の外側表面(3a4,3b4)から放熱される。
そのため、請求項1に記載のLEDランプ(100)によれば、LED光源(L1,L2)が昇温し、LED光源(L1,L2)から照射される光の量が変動してしまうおそれを低減することができる。
換言すれば、請求項1に記載のLEDランプ(100)によれば、LEDランプ(100)全体の大型化を回避しつつ、LED光源(L1,L2)から照射される光の量を安定させることができる。
請求項2に記載のLEDランプ(100)では、第1回路基板(1a)と第2回路基板(1b)とがワイヤ(W1,W3,W4)によって接続されている。詳細には、請求項2に記載のLEDランプ(100)では、第1回路基板(1a)と、第1回路基板(1a)に実装された電気部品と、第2回路基板(1b)と、第2回路基板(1b)に実装された電気部品と、ワイヤ(W1,W2,W3,W4)とによって電気部品ユニット(1)が構成されている。
更に、請求項2に記載のLEDランプ(100)では、ダイキャスト製の概略半筒状の第1ヒートシンク構成部(3a)と、ダイキャスト製の概略半筒状の第2ヒートシンク構成部(3b)とによって概略筒状のヒートシンク(3)が構成されている。詳細には、請求項2に記載のLEDランプ(100)では、概略半筒状の第1ヒートシンク構成部(3a)の成形用金型のキャビティからのイジェクト方向が概略筒状のヒートシンク(3)の半径方向に設定され、概略半筒状の第2ヒートシンク構成部(3b)の成形用金型のキャビティからのイジェクト方向が概略筒状のヒートシンク(3)の半径方向に設定されている。
そのため、請求項2に記載のLEDランプ(100)によれば、概略筒状のヒートシンク(3)がダイキャスト製の一部品によって構成され、概略筒状のヒートシンク(3)の成形用金型のキャビティからのイジェクト方向が概略筒状のヒートシンク(3)の中心軸線方向(LEDランプ(100)の中心軸線(CL)方向)に設定されている場合よりも、成形用金型を小さくすることができ、成形用金型のキャビティからのイジェクトを容易にすることができる。
また、請求項2に記載のLEDランプ(100)では、第1回路基板(1a)および第2回路基板(1b)を概略筒状のヒートシンク(3)に対してLEDランプ(100)の中心軸線(CL)方向に位置決めするための突出部(3a3a,3b3a)が、第1ヒートシンク構成部(3a)の内側表面(3a3)および第2ヒートシンク構成部(3b)の内側表面(3b3)に設けられている。
そのため、請求項2に記載のLEDランプ(100)によれば、概略筒状のヒートシンク(3)がダイキャスト製の一部品によって構成され、第1回路基板(1a)および第2回路基板(1b)を概略筒状のヒートシンク(3)に対してLEDランプ(100)の中心軸線(CL)方向に位置決めするための部品が、概略筒状のヒートシンク(3)とは別個に設けられている場合よりも、LEDランプ(100)全体の製造コストを低減することができる。
LEDランプ(100)は、LEDランプ(100)の中心軸線(CL)が水平面内に位置するようにソケットに対して取り付けられる可能性が最も高いと考えられる。
この点に鑑み、請求項3に記載のLEDランプ(100)では、概略筒状のヒートシンク(3)の内側表面(3a3,3b3)と外側表面(3a4,3b4)との間に延びている4個の貫通穴(3a7,3b7,3c1,3c2)が、周方向に概略90°間隔で配列されている。
詳細には、請求項3に記載のLEDランプ(100)では、概略筒状のヒートシンク(3)の4個の貫通穴(3a7,3b7,3c1,3c2)のうち、貫通穴(3a7)が最も低い位置に位置するように、LEDランプ(100)がソケットに対して取り付けられる場合に、貫通穴(3b7)が最も高い位置に位置する。その結果、貫通穴(3a7)を介して流入し、貫通穴(3b7)を介して流出する概略筒状のヒートシンク(3)の内部を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
また、請求項3に記載のLEDランプ(100)では、概略筒状のヒートシンク(3)の4個の貫通穴(3a7,3b7,3c1,3c2)のうち、貫通穴(3b7)が最も低い位置に位置するように、LEDランプ(100)がソケットに対して取り付けられる場合に、貫通穴(3a7)が最も高い位置に位置する。その結果、貫通穴(3b7)を介して流入し、貫通穴(3a7)を介して流出する概略筒状のヒートシンク(3)の内部を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
あるいは、請求項3に記載のLEDランプ(100)では、概略筒状のヒートシンク(3)の4個の貫通穴(3a7,3b7,3c1,3c2)のうち、貫通穴(3c1)が最も低い位置に位置するように、LEDランプ(100)がソケットに対して取り付けられる場合に、貫通穴(3c2)が最も高い位置に位置する。その結果、貫通穴(3c1)を介して流入し、貫通穴(3c2)を介して流出する概略筒状のヒートシンク(3)の内部を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
また、請求項3に記載のLEDランプ(100)では、概略筒状のヒートシンク(3)の4個の貫通穴(3a7,3b7,3c1,3c2)のうち、貫通穴(3c2)が最も低い位置に位置するように、LEDランプ(100)がソケットに対して取り付けられる場合に、貫通穴(3c1)が最も高い位置に位置する。その結果、貫通穴(3c2)を介して流入し、貫通穴(3c1)を介して流出する概略筒状のヒートシンク(3)の内部を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
すなわち、請求項3に記載のLEDランプ(100)によれば、LEDランプ(100)がソケットに対してどのような姿勢で取り付けられても、下側の貫通穴(3a7,3b7,3c1,3c2)を介して流入し、上側の貫通穴(3b7,3a7,3c2,3c1)を介して流出する概略筒状のヒートシンク(3)の内部を冷却する冷却空気の流れを形成することができる。
請求項4に記載のLEDランプ(100)では、概略半筒状の第1ヒートシンク構成部(3a)の縁部(3a5)に形成された第1切り欠き部(3a5a)と、概略半筒状の第2ヒートシンク構成部(3b)の縁部(3b5)に形成された第1切り欠き部(3b5a)とによって貫通穴(3c1)が構成されている。更に、概略半筒状の第1ヒートシンク構成部(3a)の縁部(3a6)に形成された第2切り欠き部(3a6a)と、概略半筒状の第2ヒートシンク構成部(3b)の縁部(3b6)に形成された第2切り欠き部(3b6a)とによって貫通穴(3c2)が構成されている。
そのため、請求項4に記載のLEDランプ(100)によれば、アンダーカットを回避しつつ、概略筒状のヒートシンク(3)の概略半径方向に延びている4個の貫通穴(3a7,3b7,3c1,3c2)を形成することができる。
請求項5に記載のLEDランプ(100)では、LED光源(L1,L2)からの光を配光制御するレンズ(4)が設けられている。また、概略円形の端面部(4a)と概略筒状の外周面部(4b)とがレンズ(4)に設けられている。更に、端面部(4a)および外周面部(4b)によって、第1回路基板(1a)の先端側表面(1a1)と、第1回路基板(1a)の先端側表面(1a1)に実装されたLED光源(L1,L2)とが覆われている。
また、請求項5に記載のLEDランプ(100)では、外周面部(4b)に4個の開口部(4b2a,4b2b,4b2c,4b2d)が形成されている。更に、4個の開口部(4b2a,4b2b,4b2c,4b2d)が周方向に概略90°間隔で配列されている。
詳細には、請求項5に記載のLEDランプ(100)では、レンズ(4)の外周面部(4b)の4個の開口部(4b2a,4b2b,4b2c,4b2d)のうち、開口部(4b2a)が最も低い位置に位置するように、LEDランプ(100)がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部(4b2c)が最も高い位置に位置する。その結果、開口部(4b2a)を介して流入し、開口部(4b2c)を介して流出する第1回路基板(1a)およびLED光源(L1,L2)を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
また、請求項5に記載のLEDランプ(100)では、レンズ(4)の外周面部(4b)の4個の開口部(4b2a,4b2b,4b2c,4b2d)のうち、開口部(4b2c)が最も低い位置に位置するように、LEDランプ(100)がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部(4b2a)が最も高い位置に位置する。その結果、開口部(4b2c)を介して流入し、開口部(4b2a)を介して流出する第1回路基板(1a)およびLED光源(L1,L2)を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
あるいは、請求項5に記載のLEDランプ(100)では、レンズ(4)の外周面部(4b)の4個の開口部(4b2a,4b2b,4b2c,4b2d)のうち、開口部(4b2b)が最も低い位置に位置するように、LEDランプ(100)がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部(4b2d)が最も高い位置に位置する。その結果、開口部(4b2b)を介して流入し、開口部(4b2d)を介して流出する第1回路基板(1a)およびLED光源(L1,L2)を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
また、請求項5に記載のLEDランプ(100)では、レンズ(4)の外周面部(4b)の4個の開口部(4b2a,4b2b,4b2c,4b2d)のうち、開口部(4b2d)が最も低い位置に位置するように、LEDランプ(100)がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部(4b2b)が最も高い位置に位置する。その結果、開口部(4b2d)を介して流入し、開口部(4b2b)を介して流出する第1回路基板(1a)およびLED光源(L1,L2)を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
すなわち、請求項5に記載のLEDランプ(100)によれば、LEDランプ(100)がソケットに対してどのような姿勢で取り付けられても、下側の開口部(4b2a,4b2b,4b2c,4b2d)を介して流入し、上側の開口部(4b2c,4b2d,4b2a,4b2b)を介して流出する第1回路基板(1a)およびLED光源(L1,L2)を冷却する冷却空気の流れを形成することができる。
請求項6に記載のLEDランプ(100)では、第1回路基板(1a)のウエッジベース部側表面(1a2)と、第2回路基板(1b)の先端側表面(1b1)と、概略筒状のヒートシンク(3)の内側表面(3a3,3b3)とによって画定される空間内にゲル剤(10)が充填されている。
そのため、請求項6に記載のLEDランプ(100)によれば、第1回路基板(1a)のウエッジベース部側表面(1a2)と第2回路基板(1b)の先端側表面(1b1)と概略筒状のヒートシンク(3)の内側表面(3a3,3b3)とによって画定される空間内にゲル剤(10)が充填されていない場合よりも、LED光源(L1,L2)から照射される光の量を安定させることができる。
以下、本発明のLEDランプの第1の実施形態について説明する。図1〜図4は第1の実施形態のLEDランプ100を示した図である。詳細には、図1(A)は第1の実施形態のLEDランプ100の完成品の斜視図、図1(B)はLEDランプ100の中心軸線CLを中心に図1(A)に示すLEDランプ100を反時計回りに90°回転させた状態における第1の実施形態のLEDランプ100の分解斜視図である。図2(A)は第1の実施形態のLEDランプ100の平面図、図2(B)は第1の実施形態のLEDランプ100の正面図(図1(A)の左手前側から第1の実施形態のLEDランプ100を見た図)である。図2(C)は第1の実施形態のLEDランプ100の右側面図(図1(A)の右手前側から第1の実施形態のLEDランプ100を見た図)、図2(D)は第1の実施形態のLEDランプ100の底面図である。図3(A)は図2(C)のA−A線に沿った断面図、図3(B)は図2(C)のB−B線に沿った断面図、図3(C)は図2(C)のC−C線に沿った断面図である。図4(A)は第1の実施形態のLEDランプ100の左側面図(図1(A)の左奥側から第1の実施形態のLEDランプ100を見た図)、図4(B)は第1の実施形態のLEDランプ100の電気回路図である。
図5および図6は第1の実施形態のLEDランプ100の一部を構成する概略半筒状のヒートシンク構成部3aを示した図である。詳細には、図5(A)はヒートシンク構成部3aの平面図、図5(B)はヒートシンク構成部3aの正面図(図1(B)の左手前側からヒートシンク構成部3aを見た図)である。図5(C)はヒートシンク構成部3aの右側面図(図1(B)の右手前側からヒートシンク構成部3aを見た図)、図5(D)はヒートシンク構成部3aの底面図である。図6(A)はヒートシンク構成部3aの後側面図(図1(B)の右奥側からヒートシンク構成部3aを見た図)、図6(B)はヒートシンク構成部3aの左側面図(図1(B)の左奥側からヒートシンク構成部3aを見た図)、図6(C)は図5(B)のD−D線に沿った断面図である。
図7および図8は第1の実施形態のLEDランプ100の一部を構成する概略半筒状のヒートシンク構成部3bを示した図である。詳細には、図7(A)はヒートシンク構成部3bの平面図、図7(B)はヒートシンク構成部3bの正面図(図1(B)の左手前側からヒートシンク構成部3bを見た図)である。図7(C)はヒートシンク構成部3bの右側面図(図1(B)の右手前側からヒートシンク構成部3bを見た図)、図7(D)はヒートシンク構成部3bの底面図である。図8(A)はヒートシンク構成部3bの後側面図(図1(B)の右奥側からヒートシンク構成部3bを見た図)、図8(B)はヒートシンク構成部3bの左側面図(図1(B)の左奥側からヒートシンク構成部3bを見た図)、図8(C)は図8(A)のE−E線に沿った断面図である。図9は図5および図6に示すヒートシンク構成部3aと図7および図8に示すヒートシンク構成部3bとによって構成されるヒートシンク3の内部を冷却する冷却空気の流れを示した図である。
第1の実施形態のLEDランプ100では、例えば2個のLED光源L1,L2(図1(B)および図4(B)参照)が、概略円板状の回路基板1a(図1(B)および図3(A)参照)の先端側(図1(B)の上側)表面1a1(図1(B)参照)に実装されている。第1の実施形態のLEDランプ100では、例えば2個のLED光源L1,L2が設けられているが、第2の実施形態のLEDランプ100では、代わりに、2個以外の任意の数のLED光源を設けることも可能である。
更に、第1の実施形態のLEDランプ100では、例えば2個の整流用のダイオードD(図4(B)参照)が概略円板状の回路基板1a(図1(B)および図3(A)参照)のウエッジベース部側(図1(B)の下側)表面1a2(図1(B)および図3(A)参照)に実装されている。また、抵抗R1(図4(B)参照)が回路基板1aのウエッジベース部側表面1a2に実装されている。
また、第1の実施形態のLEDランプ100では、抵抗内蔵型のトランジスタQ1(図4(B)参照)が概略円板状の回路基板1b(図1(B)および図3(A)参照)の先端側(図1(B)の上側)表面1b1(図1(B)および図3(A)参照)に実装されている。更に、抵抗R2,R3(図4参照)が回路基板1bのウエッジベース部側(図1(B)の下側)表面1b2(図1(B)参照)に実装されている。また、トランジスタQ2(図1(B)、図3(B)、図3(C)および図4(B)参照)が回路基板1bのウエッジベース部側表面1b2に実装されている。
更に、第1の実施形態のLEDランプ100では、ワイヤW1(図1(A)、図1(B)、図2(B)、図2(D)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図4(A)および図4(B)参照)と、ワイヤW3(図4(B)参照)と、ワイヤW4(図4(B)参照)とによって、回路基板1a(図1(B)および図3(A)参照)と、回路基板1b(図1(B)および図3(A)参照)とが接続されている。また、ワイヤW1と、ワイヤW2(図1(A)、図1(B)、図2(B)、図2(C)、図2(D)、図3(A)、図3(B)、図3(C)および図4(B)参照)とが、回路基板1bからウエッジベース部5b(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図2(D)、図3(A)および図4(A)参照)に延ばされている。その結果、第1の実施形態のLEDランプ100では、図1(B)に示すような電気部品ユニット1が構成され、図4(B)に示すような電気回路が構成される。つまり、絶縁チューブ2a(図1(B)、図3(B)および図3(C)参照)が被せられたワイヤW1が直流電源のプラス端子に電気的に接続され、絶縁チューブ2b(図1(B)、図3(B)および図3(C)参照)が被せられたワイヤW2が直流電源のマイナス(グランド)端子に電気的に接続され、ウエッジベース部5bを介してLED光源L1,L2(図1(B)および図4(B)参照)に直流電流が供給される。
詳細には、第1の実施形態のLEDランプ100では、LED光源L1,L2(図1(B)および図4(B)参照)に供給される電流値をほぼ一定にするための定電流回路C(図4(B)参照)が設けられている。図4(B)に示す例では、抵抗R1,R2,R3およびトランジスタQ1,Q2によって定電流回路Cが構成されている。具体的には、例えば、直流電源電圧の変動に伴ってLED光源L1,L2に供給される電流値が増加すると、抵抗R2,R3の両端にかかる電圧が増加し、トランジスタQ1のベース電圧が上昇し、トランジスタQ1がターンオンする。その結果、トランジスタQ2のベース電流が低下し、トランジスタQ2がターンオフし、LED光源L1,L2に供給される電流値が低下する。次いで、LED光源L1,L2に供給される電流値が低下し、抵抗R2,R3の両端にかかる電圧が低下し、トランジスタQ1のベース電圧が低下すると、トランジスタQ1がターンオフする。このようにして、第1の実施形態のLEDランプ100では、LED光源L1,L2に供給される電流値をほぼ一定に維持することができ、その結果、直流電源電圧の変動に伴うLED光源L1,L2の発光量の変動を抑制することができる。
また、第1の実施形態のLEDランプ100では、図4(B)に示す電気回路の構成部品が、回路基板1a(図1(B)および図3(A)参照)および回路基板1b(図1(B)および図3(A)参照)に振り分けられて実装されている。そのため、第1の実施形態のLEDランプ100によれば、図4(B)に示す電気回路の複数の構成部品が実装される回路基板として1個の回路基板のみが設けられている場合よりも、概略円板状の回路基板1a,1bの直径を小さくすることができ、LEDランプ100全体の径方向寸法を小型化することができる。
更に、第1の実施形態のLEDランプ100では、回路基板1a(図1(B)および図3(A)参照)と回路基板1b(図1(B)および図3(A)参照)とが、LEDランプ100の中心軸線CL方向(図1(B)および図3(A)の上下方向)に離間して配置されている。また、回路基板1a,1bのうち、LEDランプ100の先端側に配置された回路基板1aの先端側表面1a1(図1(B)参照)にLED光源L1,L2(図1(B)および図4(B)参照)が実装されている。更に、ウエッジベース部側(図1(B)および図3(A)の下側)に配置された回路基板1bのウエッジベース部側表面1b2(図1(B)参照)に、定電流回路C(図4(B)参照)の構成部品のうち、最も発熱量が大きいスルーホール実装型のトランジスタQ2(図1(B)、図3(B)、図3(C)および図4参照)が実装されている。
つまり、第1の実施形態のLEDランプ100では、LED光源L1,L2(図1(B)および図4(B)参照)と、最も発熱量が大きいトランジスタQ2(図1(B)、図3(B)、図3(C)および図4(B)参照)とが、最も離間して配置されている。
そのため、第1の実施形態のLEDランプ100によれば、LED光源L1,L2(図1(B)および図4(B)参照)と、最も発熱量が大きいトランジスタQ2(図1(B)、図3(B)、図3(C)および図4(B)参照)とが同一の回路基板上で近接して配置されている場合よりも、トランジスタQ2からの熱を受けてLED光源L1,L2が昇温し、LED光源L1,L2から照射される光の量が不安定になってしまうおそれを低減することができる。
また、第1の実施形態のLEDランプ100では、スルーホール実装型のトランジスタQ2(図1(B)、図3(B)、図3(C)および図4(B)参照)として、放熱板Q2a(図1(B)、図3(B)および図3(C)参照)がインサートモールドされたトランジスタが用いられている。更に、回路基板1a(図1(B)および図3(A)参照)と、回路基板1b(図1(B)および図3(A)参照)と、回路基板1bに実装されたスルーホール実装型のトランジスタQ2(図1(B)、図3(B)、図3(C)および図4(B)参照)とが、概略筒状のヒートシンク3(図1(A)および図9参照)によって包囲されている。また、スルーホール実装型のトランジスタQ2の放熱板Q2aが、概略筒状のヒートシンク3の内側表面3a3,3b3(図1(B)、図3(B)、図5、図6、図7および図8参照)の当接部3a3b,3b3b(図1(B)、図3(B)、図3(C)、図5、図6、図7および図8参照)に当接せしめられている。
つまり、第1の実施形態のLEDランプ100では、トランジスタQ2(図1(B)、図3(B)、図3(C)および図4(B)参照)が発生した熱が、トランジスタQ2の放熱板Q2a(図1(B)、図3(B)および図3(C)参照)を介してヒートシンク3(図1(A)および図9参照)に伝熱され、ヒートシンク3の外側表面3a4,3b4(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図4(A)、図5、図6、図7および図8参照)から放熱される。
そのため、第1の実施形態のLEDランプ100によれば、最も発熱量が大きいトランジスタとして表面実装型のトランジスタが用いられ、トランジスタとヒートシンク3(図1(A)および図9参照)の内側表面とが当接せしめられていない場合よりも、最も発熱量が大きいトランジスタQ2(図1(B)、図3(B)、図3(C)および図4(B)参照)の冷却効率を向上させることができ、最も発熱量が大きいトランジスタQ2が発生した熱がLED光源L1,L2(図1(B)および図4(B)参照)に伝熱されてしまうおそれを低減することができる。
すなわち、第1の実施形態のLEDランプ100では、トランジスタQ2(図1(B)、図3(B)、図3(C)および図4(B)参照)が発生した熱が、LED光源L1,L2(図1(B)および図4(B)参照)に伝熱されることなく、ヒートシンク3(図1(A)および図9参照)の外側表面3a4,3b4(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図4(A)、図5、図6、図7および図8参照)から放熱される。
更に、第1の実施形態のLEDランプ100では、LED光源L1,L2(図1(B)および図4(B)参照)が発生した熱が、回路基板1a(図1(B)および図3(A)参照)の外周面1c(図1(B)参照)を介してヒートシンク3(図1(A)および図9参照)に伝熱され、ヒートシンク3の外側表面3a4,3b4(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図4(A)、図5、図6、図7および図8参照)から放熱される。
そのため、第1の実施形態のLEDランプ100によれば、LED光源L1,L2(図1(B)および図4(B)参照)が昇温し、LED光源L1,L2から照射される光の量が変動してしまうおそれを低減することができる。
換言すれば、第1の実施形態のLEDランプ100によれば、LEDランプ100全体の大型化を回避しつつ、LED光源L1,L2(図1(B)および図4(B)参照)から照射される光の量を安定させることができる。
更に、第2の実施形態のLEDランプ100では、ダイキャスト製の概略半筒状のヒートシンク構成部3a(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図5、図6および図9参照)と、ダイキャスト製の概略半筒状のヒートシンク構成部3b(図1(B)、図2(B)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図4(A)、図7、図8および図9参照)とによって概略筒状のヒートシンク3(図1(A)および図9参照)が構成されている。
詳細には、第1の実施形態のLEDランプ100では、概略半筒状のヒートシンク構成部3a(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図5、図6および図9参照)の成形用金型のキャビティからのイジェクト方向が概略筒状のヒートシンク3(図1(A)および図9参照)の半径方向(詳細には、図1(B)の左手前側−右奥側方向)に設定されている。また、概略半筒状のヒートシンク構成部3b(図1(B)、図2(B)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図4(A)、図7、図8および図9参照)の成形用金型のキャビティからのイジェクト方向が概略筒状のヒートシンク3の半径方向(詳細には、図1(B)の左手前側−右奥側方向)に設定されている。
そのため、第1の実施形態のLEDランプ100によれば、概略筒状のヒートシンク3がダイキャスト製の一部品によって構成され、概略筒状のヒートシンク3の成形用金型のキャビティからのイジェクト方向が概略筒状のヒートシンク3の中心軸線方向(LEDランプ100の中心軸線CL方向)に設定されている場合よりも、成形用金型を小さくすることができ、成形用金型のキャビティからのイジェクトを容易にすることができる。更に、第1の実施形態のLEDランプ100によれば、概略筒状のヒートシンク3がダイキャスト製の一部品によって構成されている場合よりも、設計上、回路基板1a,1b(図1(B)および図3(A)参照)の外周面1a3,1b3(図1(B)参照)と、ヒートシンク3(図1(A)および図9参照)の内側表面3a3,3b3(図1(B)、図3(B)、図5、図6、図7および図8参照)との隙間を小さく設定することができ、回路基板1a,1bからヒートシンク3への熱伝達率を向上させ、LED光源L1,L2(図1(B)参照)の冷却効率を向上させることができる。
また、第1の実施形態のLEDランプ100では、回路基板1a,1b(図1(B)および図3(B)参照)を概略筒状のヒートシンク3(図1(A)および図9参照)に対してLEDランプ100の中心軸線CL方向に位置決めするための突出部3a3a,3b3a(図1(B)、図5、図7および図8参照)が、ヒートシンク構成部3a(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図5、図6および図9参照)の内側表面3a3(図1(B)、図3(A)、図3(B)、図5および図6参照)およびヒートシンク構成部3b(図1(B)、図2(B)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図4(A)、図7、図8および図9参照)の内側表面3b3(図3(A)、図3(B)、図7および図8参照)に設けられている。
そのため、第1の実施形態のLEDランプ100によれば、概略筒状のヒートシンク3がダイキャスト製の一部品によって構成され、回路基板1aおよび回路基板1bを概略筒状のヒートシンク3に対してLEDランプ100の中心軸線CL方向に位置決めするための部品が、概略筒状のヒートシンク3とは別個に設けられている場合よりも、LEDランプ100全体の製造コストを低減することができる。
詳細には、第1の実施形態のLEDランプ100では、ヒートシンク構成部3a(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図5、図6および図9参照)の縁部3a5(図1(B)、図5および図6参照)の位置決め突起3a5b(図1(B)、図3(B)、図5および図6参照)と、ヒートシンク構成部3b(図1(B)、図2(B)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図4(A)、図7、図8および図9参照)の縁部3b5(図7および図8参照)の位置決め穴3b5b(図8(A)参照)とを嵌合させると共に、ヒートシンク構成部3aの縁部3a6(図1(B)、図5および図6参照)の位置決め突起3a6b(図1(B)、図5および図6参照)と、ヒートシンク構成部3bの縁部3b6(図7および図8参照)の位置決め穴3b6b(図8(A)参照)とを嵌合させることにより、ヒートシンク構成部3aとヒートシンク構成部3bとが相対的に位置決めされている。
第1の実施形態のLEDランプ100が適用される場合には、LEDランプ100の中心軸線CLが水平面内に位置するように、LEDランプ100がソケットに対して取り付けられる可能性が最も高いと考えられる。
この点に鑑み、第1の実施形態のLEDランプ100では、概略筒状のヒートシンク3(図1(A)および図9参照)の内側表面3a3,3b3(図1(B)、図3(B)、図5、図6、図7および図8参照)と外側表面3a4,3b4(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図4(A)、図5、図6、図7および図8参照)との間に延びている4個の貫通穴3a7,3b7,3c1,3c2(図1(A)、図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(B)、図4(A)、図5、図6、図7、図8および図9参照)が、周方向に概略90°間隔で配列されている。
詳細には、第1の実施形態のLEDランプ100では、概略筒状のヒートシンク3(図1(A)および図9参照)の4個の貫通穴3a7,3b7,3c1,3c2(図9参照)のうち、貫通穴3b7が最も低い位置に位置するように、LEDランプ100がソケットに対して取り付けられる場合(図9(A)参照)に、貫通穴3a7が最も高い位置に位置する。その結果、図9(A)に矢印で示すように、貫通穴3b7を介して流入し、貫通穴3a7を介して流出する概略筒状のヒートシンク3の内部を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
また、第1の実施形態のLEDランプ100では、概略筒状のヒートシンク3(図1(A)および図9参照)の4個の貫通穴3a7,3b7,3c1,3c2(図9参照)のうち、貫通穴3c1が最も低い位置に位置するように、LEDランプ100がソケットに対して取り付けられる場合(図9(B)参照)に、貫通穴3c2が最も高い位置に位置する。その結果、図9(B)に矢印で示すように、貫通穴3c1を介して流入し、貫通穴3c2を介して流出する概略筒状のヒートシンク3の内部を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
あるいは、第1の実施形態のLEDランプ100では、概略筒状のヒートシンク3(図1(A)および図9参照)の4個の貫通穴3a7,3b7,3c1,3c2(図9参照)のうち、貫通穴3a7が最も低い位置に位置するように、LEDランプ100がソケットに対して取り付けられる場合(図9(C)参照)に、貫通穴3b7が最も高い位置に位置する。その結果、図9(C)に矢印で示すように、貫通穴3a7を介して流入し、貫通穴3b7を介して流出する概略筒状のヒートシンク3の内部を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
また、第1の実施形態のLEDランプ100では、概略筒状のヒートシンク3(図1(A)および図9参照)の4個の貫通穴3a7,3b7,3c1,3c2(図9参照)のうち、貫通穴3c2が最も低い位置に位置するように、LEDランプ100がソケットに対して取り付けられる場合(図9(D)参照)に、貫通穴3c1が最も高い位置に位置する。その結果、図9(D)に矢印で示すように、貫通穴3c2を介して流入し、貫通穴3c1を介して流出する概略筒状のヒートシンク3の内部を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
すなわち、第1の実施形態のLEDランプ100によれば、LEDランプ100がソケットに対してどのような姿勢で取り付けられても、下側の貫通穴3a7,3b7,3c1,3c2を介して流入し、上側の貫通穴3b7,3a7,3c2,3c1を介して流出する概略筒状のヒートシンク3の内部を冷却する冷却空気の流れを形成することができる。
更に、第1の実施形態のLEDランプ100では、概略半筒状のヒートシンク構成部3a(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図5、図6および図9参照)の縁部3a5(図1(B)、図5および図6参照)に形成された切り欠き部3a5a(図1(B)、図5(B)、図5(C)および図6(C)参照)と、概略半筒状のヒートシンク構成部3b(図1(B)、図2(B)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図4(A)、図7、図8および図9参照)の縁部3b5(図7および図8参照)に形成された切り欠き部3b5a(図1(B)、図7(C)、図8(A)および図8(C)参照)とによって貫通穴3c1(図1(A)、図2(B)、図3(B)および図9参照)が構成されている。
また、第1の実施形態のLEDランプ100では、概略半筒状のヒートシンク構成部3a(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図5、図6および図9参照)の縁部3a6(図1(B)、図5および図6参照)に形成された切り欠き部3a6a(図1(B)、図5(B)、図6(B)および図6(C)参照)と、概略半筒状のヒートシンク構成部3b(図1(B)、図2(B)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図4(A)、図7、図8および図9参照)の縁部3b6(図7および図8参照)に形成された切り欠き部3b6a(図8参照)とによって貫通穴3c2(図3(B)および図9参照)が構成されている。
そのため、第1の実施形態のLEDランプ100によれば、アンダーカットを回避しつつ、概略筒状のヒートシンク3(図1(A)および図9参照)の概略半径方向に延びている4個の貫通穴3a7,3b7,3c1,3c2(図9参照)を形成することができる。
更に、第1の実施形態のLEDランプ100では、概略半筒状のヒートシンク構成部3a(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図5、図6および図9参照)のウエッジベース側(図1(B)の下側)端面3a2(図1(B)、図5および図6参照)および概略半筒状のヒートシンク構成部3b(図1(B)、図2(B)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図4(A)、図7、図8および図9参照)のウエッジベース側(図1(B)の下側)端面3b2(図7および図8参照)と、ハウジング5(図1(A)、図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(C)および図4(A)参照)の筒状部5a(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(C)および図4(A)参照)の先端側(図1(B)の上側)端面5a1(図1(B)参照)とが対向するように、ハウジング5が概略筒状のヒートシンク3(図1(A)および図9参照)に取り付けられている。
詳細には、第1の実施形態のLEDランプ100では、ハウジング5(図1(A)、図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(C)および図4(A)参照)が、可撓性を有する電気絶縁性材料によって形成されている。また、ハウジング5の筒状部5a(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(C)および図4(A)参照)のフック端5a2a(図1(A)、図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図3(B)参照)と、概略半筒状のヒートシンク構成部3a(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図5、図6および図9参照)の外側表面3a4(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図5および図6参照)の突起3a4b(図1(A)、図2(C)、図3(A)、図5および図6参照)とがスナップフィットによって係合せしめられている。更に、ハウジング5の筒状部5aのフック端5a2b(図1(B)、図2(B)、図3(A)、図3(B)および図4参照)と、概略半筒状のヒートシンク構成部3b(図1(B)、図2(B)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図4(A)、図7、図8および図9参照)の外側表面3b4(図1(B)、図2(B)、図4(A)、図7および図8参照)の突起3b4b(図1(B)、図3(A)、図4(A)、図7および図8参照)とがスナップフィットによって係合せしめられている。
また、第1の実施形態のLEDランプ100では、ワイヤW1(図1(B)参照)が、ハウジング5(図1(A)、図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(C)および図4(A)参照)の筒状部5a(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(C)および図4(A)参照)の穴5a3b(図2(D)参照)を通され、図4(A)に示すように、ウエッジベース部5bに巻かれると共に、ワイヤW2(図1(B)参照)が、ハウジング5の筒状部5aの穴5a3a(図2(D)参照)を通され、図2(C)に示すように、ウエッジベース部5bに巻かれている。更に、ハウジング5の筒状部5aのウエッジベース側(図1(B)の下側)端面5a3(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図2(D)および図4(A)参照)に開口5a3c,5a3d(図1(A)、図1(B)、図2(B)および図2(D)参照)が形成されている。
更に、第1の実施形態のLEDランプ100では、LED光源L1,L2(図1(B)参照)からの光を配光制御するレンズ4(図1(A)、図1(B)、図2(A)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)が設けられている。また、例えばレンズカットが形成された概略円形の端面部4a(図1(B)、図2(A)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)と、例えばローレット部4b1(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)が形成された概略筒状の外周面部4b(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)とが、レンズ4に設けられている。更に、端面部4aおよび外周面部4bによって、回路基板1a(図1(B)および図3(A)参照)の先端側(図1(B)の上側)表面1a1(図1(B)参照)と、回路基板1aの先端側表面1a1に実装されたLED光源L1,L2とが覆われている。
また、第1の実施形態のLEDランプ100では、外周面部4b(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)に4個の開口部4b2a,4b2b,4b2c,4b2d(図1(A)、図1(B)、図2(B)、図2(C)および図4(A)参照)が形成されている。更に、4個の開口部4b2a,4b2b,4b2c,4b2dが周方向に概略90°間隔で配列されている。
詳細には、第1の実施形態のLEDランプ100では、レンズ4(図1(A)、図1(B)、図2(A)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)の外周面部4b(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)の4個の開口部4b2a,4b2b,4b2c,4b2d(図1(A)、図1(B)、図2(B)、図2(C)および図4(A)参照)のうち、開口部4b2a(図1(A)、図2(B)および図2(C)参照)が最も低い位置に位置するように、LEDランプ100がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部4b2c(図4(A)参照)が最も高い位置に位置する。その結果、開口部4b2aを介して流入し、開口部4b2cを介して流出する回路基板1a(図1(B)および図3(A)参照)およびLED光源L1,L2(図1(B)参照)を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
また、第1の実施形態のLEDランプ100では、レンズ4(図1(A)、図1(B)、図2(A)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)の外周面部4b(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)の4個の開口部4b2a,4b2b,4b2c,4b2d(図1(A)、図1(B)、図2(B)、図2(C)および図4(A)参照)のうち、開口部4b2c(図4(A)参照)が最も低い位置に位置するように、LEDランプ100がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部4b2a(図1(A)、図2(B)および図2(C)参照)が最も高い位置に位置する。その結果、開口部4b2cを介して流入し、開口部4b2aを介して流出する回路基板1a(図1(B)および図3(A)参照)およびLED光源L1,L2(図1(B)参照)を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
あるいは、第1の実施形態のLEDランプ100では、レンズ4(図1(A)、図1(B)、図2(A)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)の外周面部4b(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)の4個の開口部4b2a,4b2b,4b2c,4b2d(図1(A)、図1(B)、図2(B)、図2(C)および図4(A)参照)のうち、開口部4b2b(図2(C)参照)が最も低い位置に位置するように、LEDランプ100がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部4b2d(図1(B)、図2(B)および図4(A)参照)が最も高い位置に位置する。その結果、開口部4b2bを介して流入し、開口部4b2dを介して流出する回路基板1a(図1(B)および図3(A)参照)およびLED光源L1,L2(図1(B)参照)を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
また、第1の実施形態のLEDランプ100では、レンズ4(図1(A)、図1(B)、図2(A)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)の外周面部4b(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)の4個の開口部4b2a,4b2b,4b2c,4b2d(図1(A)、図1(B)、図2(B)、図2(C)および図4(A)参照)のうち、開口部4b2d(図1(B)、図2(B)および図4(A)参照)が最も低い位置に位置するように、LEDランプ100がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部4b2b(図2(C)参照)が最も高い位置に位置する。その結果、開口部4b2dを介して流入し、開口部4b2bを介して流出する回路基板1a(図1(B)および図3(A)参照)およびLED光源L1,L2(図1(B)参照)を冷却する冷却空気の流れ(上昇気流)が形成される。
すなわち、第1の実施形態のLEDランプ100によれば、LEDランプ100がソケットに対してどのような姿勢で取り付けられても、下側の開口部4b2a,4b2b,4b2c,4b2d(図1(A)、図1(B)、図2(B)、図2(C)および図4(A)参照)を介して流入し、上側の開口部4b2c,4b2d,4b2a,4b2bを介して流出する回路基板1a(図1(B)および図3(A)参照)およびLED光源L1,L2(図1(B)参照)を冷却する冷却空気の流れを形成することができる。
更に、第1の実施形態のLEDランプ100では、概略半筒状のヒートシンク構成部3a(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図5、図6および図9参照)の先端側(図1(B)の上側)端面3a1(図1(B)、図5および図6参照)および概略半筒状のヒートシンク構成部3b(図1(B)、図2(B)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図4(A)、図7、図8および図9参照)の先端側(図1(B)の上側)端面3b1(図1(B)、図7および図8参照)と、レンズ4(図1(A)、図1(B)、図2(A)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)の外周面部4b(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)のウエッジベース側(図1(B)の下側)端面とが対向するように、レンズ4が概略筒状のヒートシンク3(図1(A)および図9参照)に取り付けられている。
詳細には、第1の実施形態のLEDランプ100では、レンズ4(図1(A)、図1(B)、図2(A)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)が、可撓性を有する透光性材料によって形成されている。また、レンズ4の外周面部4b(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)および図4(A)参照)のフック端4b3a(図1(A)、図1(B)、図2(B)、図2(C)および図3(A)参照)と、概略半筒状のヒートシンク構成部3a(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図5、図6および図9参照)の外側表面3a4(図1(B)、図2(B)、図2(C)、図5および図6参照)の突起3a4a(図1(A)、図2(C)、図3(A)、図5および図6参照)とがスナップフィットによって係合せしめられている。更に、レンズ4の外周面部4bのフック端4b3b(図1(B)、図2(B)、図3(A)および図4参照)と、概略半筒状のヒートシンク構成部3b(図1(B)、図2(B)、図3(A)、図3(B)、図3(C)、図4(A)、図7、図8および図9参照)の外側表面3b4(図1(B)、図2(B)、図4(A)、図7および図8参照)の突起3b4a(図1(B)、図3(A)、図4(A)、図7および図8参照)とがスナップフィットによって係合せしめられている。
更に、本発明者等による鋭意研究により、図3(A)に示すように、回路基板1aのウエッジベース部側(図3(A)の下側)表面1a2と、回路基板1bの先端側(図3(A)の上側)表面1b1と、概略筒状のヒートシンク3(図1参照)の内側表面3a3,3b3とによって画定される空間内にゲル剤10を充填した場合に、ゲル剤10が充填されない場合よりも、LED光源L1,L2(図1(B)参照)から照射される光の量が安定する点が見い出された。このような結果が得られる理由としては、例えば、ゲル剤10が充填された場合に、ゲル剤10が充填されない場合よりも、回路基板1a,1bの外周面1a3,1b3(図1(B)参照)からヒートシンク3への熱伝達率が向上し、LED光源L1,L2の冷却効率が向上するためのであると考えられる。
上述した研究結果に鑑み、第1の実施形態のLEDランプ100では、図3(A)に示すように、回路基板1aのウエッジベース部側(図3(A)の下側)表面1a2と、回路基板1bの先端側(図3(A)の上側)表面1b1と、概略筒状のヒートシンク3(図1参照)の内側表面3a3,3b3とによって画定される空間内に、例えばシリコン樹脂などのようなゲル剤10が、例えば貫通穴3a7,3b7,3c1,3c2(図1(A)、図1(B)、図2(B)、図2(C)、図3(A)、図3(B)、図4(A)、図5、図6、図7、図8および図9参照)のいずれかを介して充填されている。そのため、第1の実施形態のLEDランプ100によれば、回路基板1aのウエッジベース部側表面1a2と回路基板1bの先端側表面1b1と概略筒状のヒートシンク3の内側表面3a3,3b3とによって画定される空間内にゲル剤10が充填されていない場合よりも、LED光源L1,L2(図1(B)参照)から照射される光の量を安定させることができる。