JP2011086723A - 化合物半導体のエッチング液、化合物半導体のエッチング方法及び化合物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】GaxIn1-xP半導体(0.9≦x≦1.0)をエッチングするために用いられる化合物半導体のエッチング液であって、ヨウ素、ヨウ化カリウム及びアンモニアを含む水溶液からなること。
【選択図】図1
Description
11 n型GaAs基板
12 n型クラッド層
13 アンドープ活性層
14 アンドープ活性層
15 p型電流拡散層
16 絶縁層
17 反射電極層
20 半導体発光部
21 導電性基板
22a、22b オーミック金属層
23 共晶接合層
30 支持体部
Claims (6)
- GaxIn1-xP半導体(0.9≦x≦1.0)をエッチングするために用いられる化合物半導体のエッチング液であって、
ヨウ素、ヨウ化カリウム及びアンモニアを含む水溶液からなることを特徴とするエッチング液。 - 前記ヨウ素に対する前記ヨウ化カリウムのモル比は、3.0以上5.0以下であることを特徴とする請求項1に記載のエッチング液。
- 前記ヨウ化カリウムに対する前記アンモニアのモル比は、0.1以上0.8以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のエッチング液。
- ヨウ素、ヨウ化カリウム及びアンモニアを含む水溶液からなるエッチング液を用いて、GaxIn1-xP半導体(0.9≦x≦1.0)をエッチングすることを特徴とする化合物半導体のエッチング方法。
- 前記エッチング液を用いて、前記GaxIn1-xP半導体(0.9≦x≦1.0)を(AlzGa1-z)yIn1-yP半導体(0<y<0.8、0≦z≦1.0)の上に積層した積層半導体の前記GaxIn1-xP半導体(0.9≦x≦1.0)を選択的にエッチングすることを特徴とする請求項4に記載のエッチング方法。
- GaAs基板の上に、前記GaAs基板と格子整合する(AlzGa1-z)yIn1-yP層(0.48≦y≦0.52、0≦z≦1.0)を形成する工程と、
前記(AlzGa1-z)yIn1-yP層(0.48≦y≦0.52、0≦z≦1.0)の上に、GaxIn1-xP層(0.9≦x≦1.0)を形成する工程と、
ヨウ素、ヨウ化カリウム及びアンモニアを含む水溶液からなるエッチング液を用いて、前記(AlzGa1-z)yIn1-yP層(0.48≦y≦0.52、0≦z≦1.0)に対して前記GaxIn1-xP層(0.9≦x≦1.0)を選択的にエッチングする工程と、を有することを特徴とする化合物半導体発光素子の製造方法。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2016171189A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | 特定非営利活動法人ナノフォトニクス工学推進機構 | 表面平坦化方法 |
JP2020194947A (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2024024243A1 (ja) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法と基板処理装置と基板処理液 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07183286A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Sharp Corp | AlGaAs半導体層のエッチング方法 |
JP2003023004A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体のエッチング液及びそれを用いた化合物半導体のエッチング方法 |
JP2005123331A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | GaInP系化合物半導体用エッチング液およびエッチング方法 |
JP2006291341A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Kanto Chem Co Inc | 金属選択性エッチング液 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07183286A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Sharp Corp | AlGaAs半導体層のエッチング方法 |
JP2003023004A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体のエッチング液及びそれを用いた化合物半導体のエッチング方法 |
JP2005123331A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | GaInP系化合物半導体用エッチング液およびエッチング方法 |
JP2006291341A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Kanto Chem Co Inc | 金属選択性エッチング液 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016171189A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | 特定非営利活動法人ナノフォトニクス工学推進機構 | 表面平坦化方法 |
JP2020194947A (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP7004918B2 (ja) | 2019-05-30 | 2022-01-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2024024243A1 (ja) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法と基板処理装置と基板処理液 |
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