JP2011084436A - カーボンナノチューブ生成用基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板本体2の表面にカーボンナノチューブを生成するための触媒金属層4が設けられてなるカーボンナノチューブ生成用基板1であって、基板本体2と触媒金属層4との間に二酸化ケイ素(SiO2)と酸化アルミニウム(Al2O3)との混合物を含む中間層3を配置するとともに、この混合物の割合を原料モル比(Si/Al)で0.2〜5の範囲内となし、且つ中間層3の厚さを、10〜500nmの範囲内としたものである。
【選択図】図1
Description
現在では、電子放出素子、ガス吸蔵材料、放熱シートなどの様々な分野への適用が試されている。
中でも、大量のカーボンナノチューブを生成する場合、スケールアップが最も容易な熱化学気相成長法(以下、熱CVD法という)が注目を浴びている。
基板に生成した状態で利用する場合には、カーボンナノチューブが基板から剥離しないように強固な密着性つまり密着力(密着強度ともいえる)が要求されるが、転写する場合には、比較的密着力が弱いほうが好ましい。
ところで、この密着力についてはCVD条件によって変化する。
しかし、通常、CVD温度は触媒金属が最も活性化する温度に維持されるため、温度を変更することはカーボンナノチューブの生成という点では好ましくない。また、反応ガスの濃度に応じて、密着力を制御し得るが、反応ガスの濃度でカーボンナノチューブの長さがほぼ決定するため、長さを固定する必要がある場合には、反応ガスの濃度変更による密着力の制御を行うことができない。
この密着力については、基板上のカーボンナノチューブに電子線照射装置で10〜20keV程度のエネルギーを有する電子線を照射することでカーボンナノチューブ同士、または基板と固着する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
基板本体と触媒金属層との間に二酸化ケイ素(SiO2)と酸化アルミニウム(Al2O3)との混合物を含む中間層を配置するとともに、この混合物の割合を原料モル比(Si/Al)で0.2〜5の範囲内にしたものである。
また、請求項3に係るカーボンナノチューブ生成用基板は、請求項1または2に記載の基板における基板本体の材料として、ケイ素、石英、耐熱ガラス、ステンレス鋼およびセラミックスのうち、いずれかを用いたものである。
図1に示すように、このカーボンナノチューブ生成用基板1は、基板本体2と、この基板本体2の上面(表面)に配置される中間層3と、この中間層3の上面(表面)に配置される触媒金属層4とから構成されている。
このときの中間層3の原料溶液としては、オルガノシランなどのSi原料、酸化アルミナなどのAl原料をそれぞれ5質量%(重量%)以上含み、その他の成分はメタノールなどのアルコールが40質量%(重量%)、水が50質量%(重量%)、触媒として酸を微量混入したゾル溶液を用いた。
その後、電子ビーム法でカーボンナノチューブの触媒金属である鉄(Fe)を5nmの厚さでもって蒸着し、カーボンナノチューブ生成用基板を作製した。
なお、密着力(表1では、密着性と表示しており、実施例2〜4についても同様)については下記のように評価した。
[表1]よりCVDガス濃度を変化させると、カーボンナノチューブの生成長さが変化することが分かるとともに、モル比(Si/Al)を変化させると密着力が変化することが分かる。なお、モル比(Si/Al)を5から6へ変化した場合、または0.2から0.15へと変化した場合には、密着力については大きく変化しないことも分かった。
実施例2の熱CVD法による結果を下記の[表2]に示す。
実験結果から、膜厚が5nm程度まで薄くなると、密着力をうまく制御することができず、600nmの場合はクラックが部分的に生じ、その部分で密着力が大きく変化してしまい不具合が生じた。
実施例3の熱CVD法による結果を下記の[表3]に示す。
膜厚は100nmで固定とし、加熱条件は200〜600℃、20〜90minの範囲で変更することで、層の表面粗さRaを0.1〜1.5μmの範囲で作成した。
なお、表面粗さRaが0.1μmでは、層を厚目に形成した後、研磨処理を行ったが、加熱処理時にクラックが生じたことにより、密着力の制御が困難となった。また、表面粗さRaが1.5μmである場合は、カーボンナノチューブ同士が絡み合う箇所が増え、どのモル比の場合でも密着力は強固であった(密着性が良好であった)。
すなわち、厚さ100μmのSUS箔(フェライト系ステンレス箔)、厚さ3μmの耐熱グラス(ネオセラム:登録商標)、厚さ5mmの石器質タイル、厚さ21nmの合金板[インコネル(登録商標)600]および厚さ3mmのセラミックスである。
セラミックスに関しては、表面に塗られている釉薬のモル比が0.2<Si/Al<5になるよう製作した。
また、その表面粗さRaが0.5μmになるようにした。
その実験結果を下記の[表4]に示す。
上記各実施例から、基板本体2と触媒金属層4との間に配置される中間層3として、二酸化ケイ素(SiO2)と酸化アルミニウム(Al2O3)との混合物を用いるとともに、これらケイ素(Si)とアルミニウム(Al)の混合比率を、原材料のモル比(Si/Al)が0.2〜5の範囲内となるように、しかも中間層3の厚さが10〜500nmの範囲内で変化するようにしたので、従来のように、大掛かりな装置を必要としないとともにカーボンナノチューブ生成後に基板との密着力を変更させるための処理工程なども必要とせずに、つまり安価に且つ容易に、カーボンナノチューブの基板に対する密着力を制御することができ、しかもカーボンナノチューブの長さ、重量についても任意に制御することができる。
2 基板本体
3 中間層
4 触媒金属層
Claims (4)
- 基板本体の表面にカーボンナノチューブを生成するための触媒金属層が設けられてなるカーボンナノチューブ生成用基板であって、
基板本体と触媒金属層との間に二酸化ケイ素(SiO2)と酸化アルミニウム(Al2O3)との混合物を含む中間層を配置するとともに、この混合物の割合を原料モル比(Si/Al)で0.2〜5の範囲内にしたことを特徴とするカーボンナノチューブ生成用基板。 - 中間層の厚さを、10〜500nmの範囲内にしたことを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブ生成用基板。
- 基板本体の材料として、ケイ素、石英、耐熱ガラス、ステンレス鋼およびセラミックスのうち、いずれかを用いたことを特徴とする請求項1または2に記載のカーボンナノチューブ生成用基板。
- 基板本体が金属箔であることを特徴とする請求項1または2に記載のカーボンナノチューブ生成用基板。
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