JP2011082167A - 基板合着装置及び基板合着方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板合着装置は、第1基板及び第2基板の合着が行われる合着空間を含む真空チャンバー、前記合着空間の空気を第1強さで吸入する第1ポンプ、前記合着空間の空気を前記第1強さより大きい第2強さで吸入する第2ポンプ、前記合着空間へ窒素を供給する窒素供給部、前記合着空間の圧力をセンシングするセンサー部、及び前記第1ポンプ、前記第2ポンプ、及び前記窒素供給部を制御する制御部を含む。
【選択図】図1
Description
11 有機発光素子
20 第2基板
21 シーラント
22 溝
100 真空チャンバー
110 合着空間
120 第1ステージ
130 第2ステージ
200 第1ポンプ
300 第2ポンプ
400 窒素供給部
500 センサー部
600 制御部
Claims (9)
- 相互合着されて有機発光表示装置を構成する第1基板及び第2基板の合着が行われる合着空間を含む真空チャンバー;
前記真空チャンバーに連結されて前記合着空間と連通しており、前記合着空間の空気を第1強さで吸入する第1ポンプ;
前記真空チャンバーに連結されて前記合着空間と連通しており、前記合着空間の空気を前記第1強さより大きい第2強さで吸入する第2ポンプ;
前記真空チャンバーに連結されて前記合着空間と連通しており、前記合着空間へ窒素を供給する窒素供給部;
前記合着空間の圧力をセンシングするセンサー部;及び
前記第1基板及び前記第2基板の合着によって前記第1基板と前記第2基板の間に形成される空間の形態に応じて、前記合着空間の圧力が第1圧力、前記第1圧力より小さい第2圧力、及び前記第2圧力より小さい第3圧力のうちのいずれか一つを有するように、前記センサー部がセンシングした前記合着空間の圧力に基づいて、前記第1ポンプ、前記第2ポンプ、及び前記窒素供給部を制御する制御部;
を含む基板合着装置。 - 前記第1基板及び前記第2基板のうちのいずれか一つ以上には他の一つと対向する部分に溝が形成されており、前記第1基板及び前記第2基板の合着によって前記第1基板と前記第2基板の間に形成される空間の形態は凹凸形状であり、
前記制御部は、前記合着空間が1MPa乃至1,000Paである前記第1圧力を有するように前記第1ポンプ及び前記窒素供給部を制御する、請求項1に記載の基板合着装置。 - 前記第1基板及び前記第2基板の表面は各々平らになっており、前記第1基板及び前記第2基板の合着によって前記第1基板と前記第2基板の間に形成される空間は四角形形状であり、
前記制御部は、前記合着空間が1,000Pa乃至10Paである前記第2圧力を有するように、前記第1ポンプ、前記第2ポンプ、及び前記窒素供給部を制御する、請求項1に記載の基板合着装置。 - 前記第1基板及び前記第2基板の表面は各々平らになっており、前記第1基板及び前記第2基板の合着によって前記第1基板と前記第2基板の間に形成される空間には、前記第1基板及び前記第2基板と接触する充填物質が位置し、
前記制御部は、前記合着空間が10Pa乃至1Paである前記第3圧力を有するように前記第2ポンプを制御する、請求項1に記載の基板合着装置。 - 前記第1ポンプはドライポンプ(dry pump)であり、
前記第2ポンプはターボ分子ポンプ(turbo molecular pump)である、請求項1に記載の基板合着装置。 - 相互合着されて有機発光表示装置を構成する第1基板及び第2基板を真空チャンバーの合着空間にローディングする段階;
前記合着空間の圧力をセンシングする段階;
前記第1基板及び前記第2基板の合着によって前記第1基板と前記第2基板の間に形成される空間の形態に応じて、前記合着空間の圧力を第1圧力、前記第1圧力より小さい第2圧力、及び前記第2圧力より小さい第3圧力のうちのいずれか一つの圧力に制御する段階;及び
前記第1基板と前記第2基板を相互合着する段階;
を含む基板合着方法。 - 前記第1基板及び前記第2基板のうちのいずれか一つ以上には他の一つと対向する部分に溝が形成されており、前記第1基板及び前記第2基板の合着によって前記第1基板と前記第2基板の間に形成される空間の形態は凹凸形状であり、
前記合着空間の圧力は1MPa乃至1,000Paである前記第1圧力に制御される、請求項6に記載の基板合着方法。 - 前記第1基板及び前記第2基板の表面は各々平らになっており、前記第1基板及び前記第2基板の合着によって前記第1基板と前記第2基板の間に形成される空間は四角形形状であり、
前記合着空間の圧力は1,000Pa乃至10Paである前記第2圧力に制御される、請求項6に記載の基板合着方法。 - 前記第1基板及び前記第2基板の表面は各々平らになっており、前記第1基板及び前記第2基板の合着によって前記第1基板と前記第2基板の間に形成される空間には、前記第1基板及び前記第2基板と接触する充填物質が位置し、
前記合着空間の圧力は10Pa乃至1Paである前記第3圧力に制御される、請求項6に記載の基板合着方法。
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