JP2011082167A - 基板合着装置及び基板合着方法 - Google Patents

Abstract

【課題】多様な空間の形態を形成する第１基板と第２基板の合着を行うことができる基板合着装置及び基板合着方法を提供する。
【解決手段】基板合着装置は、第１基板及び第２基板の合着が行われる合着空間を含む真空チャンバー、前記合着空間の空気を第１強さで吸入する第１ポンプ、前記合着空間の空気を前記第１強さより大きい第２強さで吸入する第２ポンプ、前記合着空間へ窒素を供給する窒素供給部、前記合着空間の圧力をセンシングするセンサー部、及び前記第１ポンプ、前記第２ポンプ、及び前記窒素供給部を制御する制御部を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は基板合着装置に関するものであって、より詳しくは、有機発光表示装置を製造する際に使用される基板合着装置及び基板合着方法に関するものである。

一般に、基板合着装置は両基板を合着する装置であって、両基板を合着する時に使用される装置である。

このような基板合着装置は、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ）を製造する際、有機発光表示装置を構成する第１基板及び第２基板を相互合着する時に使用される。

一方、有機発光表示装置を構成する第１基板及び第２基板の相互合着は真空状態で行われるが、第１基板及び第２基板が相互合着されることによって第１基板と第２基板の間に形成される空間の形態に応じて前記真空状態の圧力を調節しなければならない。

そのために基板合着装置は、第１基板と第２基板の間に形成される空間の形態に応じて、その空間の形態にのみ対応する真空状態の圧力を調節する。

最近、有機発光表示装置を構成する多様な形態を有する第１基板及び第２基板が開発されることに伴い、第１基板及び第２基板が相互合着されることによって第１基板と第２基板の間に形成される空間の形態が多様化している。

しかし、第１基板と第２基板が形成する一つの空間の形態にのみ対応して真空状態の圧力を調節する基板合着装置では、多様な空間の形態を形成する第１基板と第２基板の合着を行うのが難しいという問題点があった。

本発明は前述の背景技術の問題点を解決するためのものであって、多様な空間の形態を形成する第１基板と第２基板の合着を行うことができる基板合着装置及び基板合着方法を提供することにその目的がある。

本発明の第１側面は、相互合着されて有機発光表示装置を構成する第１基板及び第２基板の合着が行われる合着空間を含む真空チャンバー、前記真空チャンバーに連結されて前記合着空間と連通しており、前記合着空間の空気を第１強さで吸入する第１ポンプ、前記真空チャンバーに連結されて前記合着空間と連通しており、前記合着空間の空気を前記第１強さより大きい第２強さで吸入する第２ポンプ、前記真空チャンバーに連結されて前記合着空間と連通しており、前記合着空間へ窒素を供給する窒素供給部、前記合着空間の圧力をセンシングするセンサー部、及び前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間の形態に応じて、前記合着空間の圧力が第１圧力、前記第１圧力より小さい第２圧力、及び前記第２圧力より小さい第３圧力のうちのいずれか一つを有するように前記センサー部がセンシングした前記合着空間の圧力に基づいて、前記第１ポンプ、前記第２ポンプ、及び前記窒素供給部を制御する制御部を含む基板合着装置を提供する。

前記第１基板及び前記第２基板のうちのいずれか一つ以上には他の一つと対向する部分に溝が形成されており、前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間の形態は凹凸形状であり、前記制御部は、前記合着空間が１ＭＰａ乃至１，０００Ｐａである前記第１圧力を有するように前記第１ポンプ及び前記窒素供給部を制御することができる。

前記第１基板及び前記第２基板の表面は各々平らになっており、前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間は四角形形状であり、前記制御部は、前記合着空間が１，０００Ｐａ乃至１０Ｐａである前記第２圧力を有するように、前記第１ポンプ、前記第２ポンプ、及び前記窒素供給部を制御することができる。

前記第１基板及び前記第２基板の表面は各々平らになっており、前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間には、前記第１基板及び前記第２基板と接触する充填物質が位置し、前記制御部は、前記合着空間が１０Ｐａ乃至１Ｐａの前記第３圧力を有するように前記第２ポンプを制御することができる。

前記第１ポンプはドライポンプ（ｄｒｙ ｐｕｍｐ）であり、前記第２ポンプはターボ分子ポンプ（ｔｕｒｂｏ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｐｕｍｐ）であることができる。

本発明の第２の側面は、相互合着されて有機発光表示装置を構成する第１基板及び第２基板を真空チャンバーの合着空間にローディングする段階、前記合着空間の圧力をセンシングする段階、前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間の形態に応じて、前記合着空間の圧力を第１圧力、前記第１圧力より小さい第２圧力、及び前記第２圧力より小さい第３圧力のうちのいずれか一つの圧力に制御する段階、及び前記第１基板と前記第２基板を相互合着する段階を含む基板合着方法を提供する。

前記第１基板及び前記第２基板のうちのいずれか一つ以上には他の一つと対向する部分に溝が形成されており、前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間の形態は凹凸形状であり、前記合着空間の圧力は１ＭＰａ乃至１，０００Ｐａである前記第１圧力に制御されることができる。

前記第１基板及び前記第２基板の表面は各々平らになっており、前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間は四角形形状であり、前記合着空間の圧力は１，０００Ｐａ乃至１０Ｐａである前記第２圧力に制御されることができる。

前記第１基板及び前記第２基板の表面は各々平らになっており、前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間には、前記第１基板及び前記第２基板と接触する充填物質が位置し、前記合着空間の圧力は１０Ｐａ乃至１Ｐａの前記第３圧力に制御されることができる。

本発明によれば、多様な空間の形態を形成する第１基板と第２基板の合着を行うことができる基板合着装置及び基板合着方法が提供される。

本発明の第１実施例による基板合着装置を示したブロック図である。 本発明の第１実施例による基板合着装置における真空チャンバー内の合着空間の一部分を示した図である。 本発明の第２実施例による基板合着方法を示したフローチャートである。 本発明の第２実施例による基板合着方法を説明するための図である。 本発明の第２実施例による基板合着方法を説明するための図である。 本発明の第３実施例による基板合着方法を説明するための図である。 本発明の第３実施例による基板合着方法を説明するための図である。 本発明の第４実施例による基板合着方法を説明するための図である。 本発明の第４実施例による基板合着方法を説明するための図である。

以下、添付した図面を参照して、本発明の多様な実施例について本発明が属する技術分野にて通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は多様な相違した形態に具現でき、ここで説明する実施例に限られない。

本発明を明確に説明するために、説明に不要な部分は省略しており、明細書全体を通して同一または類似の構成要素については同一な参照符号を付けた。

また、図面に示された各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のために任意に示したものであり、本発明が必ずしも図示されたものに限られるわけではない。

一部分が他の部分の「上に」または「下に」あるという場合、これは各々の一部分が他の部分の下にまたは上にある場合も含み、一部分と他の部分の間にまた他の部分がある場合も含む。

以下で、図１及び図２を参照して、本発明の第１実施例による基板合着装置を説明する。

図１は、本発明の第１実施例による基板合着装置を示したブロック図である。

図１に示されているように、本発明の第１実施例による基板合着装置は、有機発光表示装置を構成する両基板の合着の際に使用される装置であり、真空チャンバー１００、第１ポンプ２００、第２ポンプ３００、窒素供給部４００、センサー部５００、及び制御部６００を含む。

図２は、本発明の第１実施例による基板合着装置における真空チャンバー内の合着空間の一部分を示した図である。

図２に示されているように、真空チャンバー１００は、有機発光表示装置を構成する第１基板１０及び第２基板２０の合着が行われる合着空間１１０、有機発光素子１１が形成された第１基板１０が支持される第１ステージ１２０、及び合着のためのシーラント（ｓｅａｌａｎｔ）２１が形成された第２基板２０が支持される第２ステージ１３０を含む。

合着空間１１０は選択的に、１ＭＰａ乃至１，０００Ｐａの第１圧力、１０００Ｐａ乃至１０Ｐａの第２圧力または１０Ｐａ乃至１Ｐａの第３圧力を有する真空状態を成し、合着空間１１０では第１基板１０及び第２基板２０の間の合着が行われる。

第１ステージ１２０は合着空間１１０の上側空間に位置し、第２ステージ１３０は合着空間１１０の下側空間に位置し、第１ステージ１２０及び第２ステージ１３０は相互対向している。第１ステージ１２０及び第２ステージ１３０の各々は、合着空間１１０にローディングされた各第１基板１０及び第２基板２０を支持し、静電力または空気圧を利用して各第１基板１０及び第２基板２０を支持する。第１ステージ１２０及び第２ステージ１３０は上、下、左、及び右方向に移動可能であり、第１基板１０及び第２基板２０の圧着工程の時に第１ステージ１２０及び第２ステージ１３０が移動して、第１基板１０及び第２基板２０の圧着を行う。

図示してはいないが、真空チャンバー１００は単一の本体に形成されることができ、本体の一部分には第１基板１０及び第２基板２０の輸入または輸出が行われる通路を形成することができる。また、真空チャンバー１００の本体の他部分には、合着空間１１０に存在する空気が排出される一つ以上の排出管が位置することができる。

真空チャンバー１００は、スモールバキュームバルブ（Ｓｍａｌｌ Ｖａｃｕｕｍ Ｖａｌｖｅ）またはスモールベントバルブ（Ｓｍａｌｌ Ｖｅｎｔ Ｖａｌｖｅ）などのバルブを通して、第１ポンプ２００、第２ポンプ３００、及び窒素供給部４００に連結される。このようなバルブは制御部６００の制御によって選択的に開閉が決定される。

再び図１を参照すれば、第１ポンプ２００は真空チャンバー１００に連結されて合着空間１１０と連通しており、合着空間１１０の空気を第１強さで吸入する。第１ポンプ２００はドライポンプ（ｄｒｙ ｐｕｍｐ）であることができ、合着空間１１０の圧力が第１圧力または第２圧力になるように合着空間１１０の空気を第１強さで吸入する。

第２ポンプ３００は真空チャンバー１００に連結されて合着空間１１０と連通しており、合着空間１１０の空気を第１強さより大きい第２強さで吸引する。第２ポンプ３００はターボ分子ポンプ（ｔｕｒｂｏ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｐｕｍｐ）であることができ、合着空間１１０の圧力が第２圧力または第３圧力になるように合着空間１１０の空気を第２強さで吸入する。

窒素供給部４００は真空チャンバー１００に連結されて合着空間１１０と連通しており、合着空間１１０へ窒素（Ｎ）を供給する。窒素供給部４００は、合着空間１１０へ窒素を供給して、合着空間１１０が設定された圧力を維持するように補助する役割を果たす。

センサー部５００は合着空間１１０に連結されており、合着空間１１０の圧力をセンシングする。また、センサー部５００は、センシングした合着空間１１０の圧力値を制御部６００に伝達する。このようなセンサー部５００は真空チャンバー１００内部に位置することができる。

制御部６００は、真空チャンバー１００、第１ポンプ２００、第２ポンプ３００、窒素供給部４００、及びセンサー部５００に連結されており、第１基板１０及び第２基板２０の合着によって第１基板１０と第２基板の間に形成される空間の形態に応じて、合着空間１１０の圧力が第１圧力、第２圧力、及び第３圧力のうちのいずれか一つを有するようにセンサー部５００がセンシングした合着空間１１０の圧力に基づいて、第１ポンプ２００、第２ポンプ３００、及び窒素制御部６００を制御する。制御部６００は、真空チャンバー１００の開閉を制御し、また、真空チャンバー１００内部に位置する第１ステージ１２０及び第２ステージ１３０の駆動も制御することができる。第１基板１０及び第２基板２０の形態に応じて制御部６００によって制御される合着空間１１０の圧力の変化は、以下で詳しく説明する。

以下、図３乃至図５を参照して、本発明の第１実施例による基板合着装置を利用した本発明の第２実施例による基板合着方法を説明する。

図３は、本発明の第２実施例による基板合着方法を示したフローチャートである。図４及び図５は、本発明の第２実施例による基板合着方法を説明するための図である。

まず、図３及び図４に示されているように、第１基板１０及び第２基板２０を合着空間１１０にローディングする（Ｓ１００）。

具体的には、第１基板１０及び第２基板２０の各々を第１ステージ１２０及び第２ステージ１３０に支持して、第１基板１０及び第２基板２０を合着空間１１０にローディングする。ここで、第１基板１０は第２基板２０と対向して、第１基板１０の板面に形成された有機発光素子１１を含み、第２基板２０は、第１基板１０と対向する部分に形成された溝２２、及び第１基板１０の外周に形成されたシーラント２１を含む。第２基板２０が溝２２を含むので、第１基板１０及び第２基板２０の合着が行われれば、第１基板１０と第２基板２０の間に形成される空間の形態は凹凸形状を有するようになり、第１基板１０と第２基板２０の間は第１間隔（Ｇ１）を形成する。

第１基板１０及び第２基板２０が合着空間１１０にローディングされれば、真空チャンバー１００内の合着空間１１０は密閉状態になる。

次に、図５に示されているように、合着空間１１０の圧力をセンシングする（Ｓ２００）。

具体的に、センサー部５００を利用して合着空間１１０の圧力をセンシングする。センサー部５００は合着空間１１０の圧力を持続的にセンシングして、センシングされた合着空間１１０の圧力値を制御部６００に伝送する。

次に、合着空間１１０の圧力を制御する（Ｓ３００）。

具体的には、第１ポンプ２００が合着空間１１０の空気を第１強さで吸入して、合着空間１１０が１ＭＰａ乃至１，０００Ｐａの第１圧力を有するようにする。この時、合着空間１１０には窒素供給部４００によって窒素が供給され、この供給された窒素によって合着空間１１０の圧力が維持される。このような第１ポンプ２００及び窒素供給部４００の動作は制御部６００によって制御される。

ここで、合着空間１１０の圧力を第１圧力に設定する理由は、第２基板２０に溝２２が形成されていて、第１基板１０と第２基板２０が合着された場合、第１基板１０と第２基板２０の間に形成される空間が凹凸形状を有し、第１基板１０と第２基板２０の間の第１間隔（Ｇ１）が各々の表面が平らになった両基板が合着された場合に形成される両基板の間の間隔より大きいためである。

次に、第１基板１０及び第２基板２０を相互合着する（Ｓ４００）。

具体的に、合着空間１１０の圧力が第１圧力を維持する状態で、第１基板１０及び第２基板２０が相互整列されて加圧されるように第１ステージ１２０及び第２ステージ１３０が移動して、第１基板１０及び第２基板２０を相互合着する。

その後、真空チャンバー１００の合着空間１１０を外部と連通させて、合着空間１１０の圧力を徐々に大気圧１０１（３１５Ｐａ）状態に形成する。この時、合着空間１１０の圧力が第１圧力から徐々に大気圧状態に変更されつつ、合着空間１１０に合着されて位置する第１基板１０と第２基板２０の間に形成された凹凸形状の空間の圧力は第１圧力を維持した状態で、第１基板１０及び第２基板２０を囲む外部空間は大気圧状態に変更される。これにより、第１基板１０及び第２基板２０の間の凹凸形状の空間と合着空間１１０の間には圧力差が発生し、第１基板１０と第２基板２０の間にはこの圧力差によって圧力が加えられるようになる。ここで、前述のように、合着空間１１０の圧力を第１圧力に設定したが、合着空間１１０の圧力が第１圧力の範囲より大きい場合には、第１基板１０と第２基板２０の間の第１間隔（Ｇ１）が、各々の表面が平らになった両基板が合着された場合に形成される両基板の間の間隔より大きいため、前述の圧力差によって第１基板１０と第２基板２０の間に形成された凹凸形状の空間に対応する第１基板１０または第２基板２０の一部分が曲がって変形される問題が発生する。その結果、合着工程中に第１基板１０と第２基板２０の間に形成されるニュートン・リング（Ｎｅｗｔｏｎ ｒｉｎｇ）の大きさが大きくなって前記合着工程が不良になる。合着空間１１０の圧力が第１圧力の範囲より小さい場合には、第１基板１０が前記凹凸形状の空間に対応する第２基板２０の空洞（ｃａｖｉｔｙ）に付着して、これにより合着工程が不良になる。

その後、第１基板１０と第２基板２０の間の加圧が十分に行われたと判断されれば、シーラント２１を硬化した後、相互合着された第１基板１０及び第２基板２０を次の工程に移す。ここで、次の工程とは、有機発光素子１１が間に介されて、相互合着された第１基板１０及び第２基板２０を有機発光表示装置に製造するための一連の工程をいう。

以下、図６及び図７を参照して、本発明の第１実施例による基板合着装置を利用した本発明の第３実施例による基板合着方法を説明する。

図６及び図７は、本発明の第３実施例による基板合着方法を説明するための図である。

以下で、第２実施例と区別される特徴的な部分のみを抜粋して説明し、説明が省略された部分は第２実施例に従う。

まず、図６及び図７に示されているように、第１基板１０及び第２基板２０を合着空間１１０にローディングする。

具体的に、第１基板１０及び第２基板２０の表面は各々平らになっており、第１基板１０及び第２基板２０の合着が行われれば、第１基板１０と第２基板２０の間に形成される空間は四角形形状を有するようになり、第１基板１０と第２基板２０の間は第２間隔（Ｇ２）が形成される。

次に、合着空間１１０の圧力をセンシングする。

その後、合着空間１１０の圧力を制御する。

具体的に、第１ポンプ２００が合着空間１１０の空気を第１強さで吸入する状態で、第２ポンプ３００が合着空間１１０の空気を第１強さより大きい第２強さで吸入して、合着空間１１０が１０００Ｐａ乃至１０Ｐａの第２圧力を有するようにする。この時、合着空間１１０には、窒素供給部４００によって窒素が供給され、この供給された窒素により合着空間１１０の圧力が維持される。このような第１ポンプ２００、第２ポンプ３００、及び窒素供給部４００の動作は制御部６００によって制御される。

ここで、合着空間１１０の圧力を第２圧力に設定する理由は、第１基板１０及び第２基板２０の表面が各々平らになっていて、第１基板１０と第２基板２０が合着された場合、第１基板１０と第２基板２０の間に形成される空間が四角形形態を有し、第１基板１０と第２基板２０の間の第２間隔（Ｇ２）が本発明の第２実施例による基板合着方法で前述した第１基板１０と第２基板２０の間の第１間隔（Ｇ１）より小さいためである。

次に、第１基板１０及び第２基板２０を相互合着する。

具体的に、合着空間１１０の圧力が第２圧力を維持する状態で、第１基板１０及び第２基板２０が相互整列されて加圧されるように第１ステージ１２０及び第２ステージ１３０が移動して、第１基板１０及び第２基板２０を相互合着する。

その後、真空チャンバー１００の合着空間１１０を外部と連通させ、合着空間１１０の圧力を徐々に大気圧１０１（３１５Ｐａ）状態に形成する。この時、合着空間１１０の圧力が第２圧力から徐々に大気圧状態に変更されつつ、合着空間１１０に合着されて位置する第１基板１０と第２基板２０の間に形成された四角形形態の空間の圧力は第２圧力を維持した状態で、第１基板１０及び第２基板２０を囲む外部空間は大気圧状態に変更される。これにより、第１基板１０及び第２基板２０の間の四角形形態の空間と合着空間１１０の間には圧力差が発生し、第１基板１０と第２基板２０の間には、この圧力差によって圧力が加えられるようになる。ここでは、前述のように合着空間１１０の圧力を第２圧力に設定したが、合着空間１１０の圧力が第２圧力の範囲より小さい又は大きい場合、圧力差により、第１基板１０と第２基板２０の間に形成された四角形形態の空間に対応する第１基板１０または第２基板２０の一部分が四角形形態の空間の方向に曲がるという問題が発生する。

以下、図８及び図９を参照して、本発明の第１実施例による基板合着装置を利用した本発明の第４実施例による基板合着方法を説明する。

図８及び図９は、本発明の第４実施例による基板合着方法を説明するための図である。

まず、図８及び図９に示されているように、第１基板１０及び第２基板２０を合着空間１１０にローディングする。

具体的に、第１基板１０及び第２基板２０の表面は各々平らになっており、第１基板１０及び第２基板２０の合着が行われれば、第１基板１０と第２基板２０の間に形成される空間には、第１基板１０及び第２基板２０と接触する充填物質３０が位置する。つまり、第１基板１０と第２基板２０の間には空き空間なく充填物質３０が満たされる。

次に、合着空間１１０の圧力をセンシングする。

その後、合着空間１１０の圧力を制御する。

具体的に、第１ポンプ２００が合着空間１１０の空気を第１強さで吸入した後、次いで第２ポンプ３００が合着空間１１０の空気を第１強さより大きい第２強さで吸入して、合着空間１１０が１０Ｐａ乃至１Ｐａの第３圧力を有するようにする。この時の合着空間１１０には、窒素供給部４００による窒素供給は行われない。

ここで、合着空間１１０の圧力を第３圧力に設定する理由は、第１基板１０と第２基板２０の間に充填物質３０が位置していて第１基板１０と第２基板２０の間に空き空間が形成されないためであり、そのために、後で行われる第１基板１０と第２基板２０が相互合着される工程で、第１基板１０または第２基板２０が曲がる現象はない。

次に、第１基板１０及び第２基板２０を相互合着する。

具体的に、合着空間１１０の圧力が第３圧力を維持する状態で、第１基板１０及び第２基板２０が相互整列され加圧されるように第１ステージ１２０及び第２ステージ１３０が移動して、第１基板１０及び第２基板２０を相互合着する。

その後、真空チャンバー１００の合着空間１１０を外部と連通させて、合着空間１１０の圧力を徐々に大気圧１０１（３１５Ｐａ）状態に形成する。この時、合着空間１１０の圧力が第３圧力から徐々に大気圧状態に変更されつつ、合着空間１１０に合着されて位置する第１基板１０と第２基板２０の間に形成されて充填物質３０で満たされている空間の圧力は第３圧力を維持した状態で、第１基板１０及び第２基板２０を囲む外部空間は大気圧状態に変更される。これにより、第１基板１０及び第２基板２０の間の空間と合着空間１１０の間には圧力差が発生し、第１基板１０と第２基板２０の間にはこの圧力差によって圧力が加えられる。ここで、前述のように合着空間１１０の圧力を第３圧力に設定したが、大気圧と多くの差がある第３圧力であっても、第１基板１０と第２基板２０の間の空間に位置する充填物質３０が緩衝役割を果たして、第１基板１０または第２基板２０が圧力差によって曲がることが抑制される。

以上で、本発明の第１実施例による基板合着装置を利用した本発明の第２実施例、第３実施例、及び第４実施例による基板合着方法は、相互合着される第１基板１０及び第２基板２０の形態に応じて、選択的に真空チャンバー１００の合着空間１１０の圧力を第１圧力、第２圧力、及び第３圧力のうちのいずれか一つの圧力に制御することができる。つまり、一つの基板合着装置でも多様な空間の形態を形成する第１基板と第２基板の合着を行うことができる。

本発明を前述の望ましい実施例を通して説明したが、本発明はこれに限定されず、特許請求の範囲の概念と範囲を超えない限り、多様な修正及び変形が可能であるということを本発明が属する技術分野に務める者であれば容易に理解できるのであろう。

１０ 第１基板
１１ 有機発光素子
２０ 第２基板
２１ シーラント
２２ 溝
１００ 真空チャンバー
１１０ 合着空間
１２０ 第１ステージ
１３０ 第２ステージ
２００ 第１ポンプ
３００ 第２ポンプ
４００ 窒素供給部
５００ センサー部
６００ 制御部

Claims (9)

1. 相互合着されて有機発光表示装置を構成する第１基板及び第２基板の合着が行われる合着空間を含む真空チャンバー；
   前記真空チャンバーに連結されて前記合着空間と連通しており、前記合着空間の空気を第１強さで吸入する第１ポンプ；
   前記真空チャンバーに連結されて前記合着空間と連通しており、前記合着空間の空気を前記第１強さより大きい第２強さで吸入する第２ポンプ；
   前記真空チャンバーに連結されて前記合着空間と連通しており、前記合着空間へ窒素を供給する窒素供給部；
   前記合着空間の圧力をセンシングするセンサー部；及び
   前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間の形態に応じて、前記合着空間の圧力が第１圧力、前記第１圧力より小さい第２圧力、及び前記第２圧力より小さい第３圧力のうちのいずれか一つを有するように、前記センサー部がセンシングした前記合着空間の圧力に基づいて、前記第１ポンプ、前記第２ポンプ、及び前記窒素供給部を制御する制御部；
   を含む基板合着装置。
2. 前記第１基板及び前記第２基板のうちのいずれか一つ以上には他の一つと対向する部分に溝が形成されており、前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間の形態は凹凸形状であり、
   前記制御部は、前記合着空間が１ＭＰａ乃至１，０００Ｐａである前記第１圧力を有するように前記第１ポンプ及び前記窒素供給部を制御する、請求項１に記載の基板合着装置。
3. 前記第１基板及び前記第２基板の表面は各々平らになっており、前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間は四角形形状であり、
   前記制御部は、前記合着空間が１，０００Ｐａ乃至１０Ｐａである前記第２圧力を有するように、前記第１ポンプ、前記第２ポンプ、及び前記窒素供給部を制御する、請求項１に記載の基板合着装置。
4. 前記第１基板及び前記第２基板の表面は各々平らになっており、前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間には、前記第１基板及び前記第２基板と接触する充填物質が位置し、
   前記制御部は、前記合着空間が１０Ｐａ乃至１Ｐａである前記第３圧力を有するように前記第２ポンプを制御する、請求項１に記載の基板合着装置。
5. 前記第１ポンプはドライポンプ（ｄｒｙ ｐｕｍｐ）であり、
   前記第２ポンプはターボ分子ポンプ（ｔｕｒｂｏ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｐｕｍｐ）である、請求項１に記載の基板合着装置。
6. 相互合着されて有機発光表示装置を構成する第１基板及び第２基板を真空チャンバーの合着空間にローディングする段階；
   前記合着空間の圧力をセンシングする段階；
   前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間の形態に応じて、前記合着空間の圧力を第１圧力、前記第１圧力より小さい第２圧力、及び前記第２圧力より小さい第３圧力のうちのいずれか一つの圧力に制御する段階；及び
   前記第１基板と前記第２基板を相互合着する段階；
   を含む基板合着方法。
7. 前記第１基板及び前記第２基板のうちのいずれか一つ以上には他の一つと対向する部分に溝が形成されており、前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間の形態は凹凸形状であり、
   前記合着空間の圧力は１ＭＰａ乃至１，０００Ｐａである前記第１圧力に制御される、請求項６に記載の基板合着方法。
8. 前記第１基板及び前記第２基板の表面は各々平らになっており、前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間は四角形形状であり、
   前記合着空間の圧力は１，０００Ｐａ乃至１０Ｐａである前記第２圧力に制御される、請求項６に記載の基板合着方法。
9. 前記第１基板及び前記第２基板の表面は各々平らになっており、前記第１基板及び前記第２基板の合着によって前記第１基板と前記第２基板の間に形成される空間には、前記第１基板及び前記第２基板と接触する充填物質が位置し、
   前記合着空間の圧力は１０Ｐａ乃至１Ｐａである前記第３圧力に制御される、請求項６に記載の基板合着方法。