JP2011071024A - 有機el素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 補助電極が形成されてもショート不良を起こすことがない有機EL素子を提供する。
【解決手段】 表面に溝2aが形成された基板と、溝2a内に設けられた補助電極3と、基板2および補助電極3の表面に形成された第1の電極5と、補助電極5の上に形成された絶縁被膜6と、絶縁被膜6および第1の電極5の上に形成された有機層7と、有機層7の上に形成された第2の電極8と、を具備する。
【選択図】 図2
【解決手段】 表面に溝2aが形成された基板と、溝2a内に設けられた補助電極3と、基板2および補助電極3の表面に形成された第1の電極5と、補助電極5の上に形成された絶縁被膜6と、絶縁被膜6および第1の電極5の上に形成された有機層7と、有機層7の上に形成された第2の電極8と、を具備する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、一般照明に用いられる有機EL素子およびその製造方法に関する。
従来より、一般照明として、有機EL(Organic Light Emitting Diode、OLED)素子が注目されている。当該有機EL素子に透明電極として用いられているITO膜は、導体である金属膜よりも抵抗値が高いため、有機EL素子とした際に輝度ムラが生じることがある。そこで、上記不具合を解消するため、透明電極の抵抗値を下げる方法が用いられている。特開2001−76676公報(以下、特許文献1)には、表面に形成された溝に補助電極を埋め込んだ基板を用いることで、透明電極の抵抗値を下げ、補助電極および基板の表面に第1の電極、有機層および第2の電極が積層形成された有機EL素子が記載されている。
上記従来の有機EL素子を図8ないし図9に示す。有機EL素子100は、ガラスからなる基板101および基板101の表面に形成された溝101aに設けられ、銀で構成される補助電極102を有する。溝101aが形成された基板101に補助電極102を形成する際、補助電極102に陥没(ディッシング)102aが発生する。この陥没102aは、補助電極102が形成された基板101表面を機械研磨することで発生する。基板101表面を機械研磨すると、基板101および補助電極102の硬度が異なることと、機械研磨で用いるパッドにたわみが発生してしまうため、基板101よりも硬度が低い補助電極102の方が先に研磨されてしまい、溝101aの底面101bに向かって形成された陥没102aが発生する。また、基板101表面を機械研磨する際に用いる研磨材が補助電極102を押し出してしまうという、いわゆるえぐり出し効果によって、補助電極102の表面に陥没102aが発生する。
この陥没102a上に第1の電極103、有機層104および第2の電極105を形成すると、陥没102aの上に形成された第1の電極103、有機層104および第2の電極105にも陥没102aの形状がそのまま継承される。第1の電極103および第2の電極105が陥没することで、平坦な表面に形成された第1の電極103および陥没102aの上に形成された第2の電極105の距離D2が、陥没102aの上に形成されていない箇所の第1の電極103および第2の電極105の距離D1よりも近接することとなり、ショート不良が起こりやすいという新たな課題が発生することが判明した。
本発明の目的は、補助電極が形成されてもショート不良を起こすことがない有機EL素子を提供することにある。また、本発明によれば、補助電極が形成されてもショート不良を起こすことがない有機EL素子の製造方法を提供することにある。
本発明に係る有機EL素子は、表面に溝が形成された基板と、前記溝内に設けられた補助電極と、前記基板および前記補助電極の表面に形成された第1の電極と、前記補助電極の上に形成された絶縁被膜と、前記絶縁被膜および前記第1の電極の上に形成された有機層と、前記有機層の上に形成された第2の電極と、を具備することを特徴とする。
また、本発明に係る有機EL素子の製造方法は、基板の表面に溝を形成する溝形成工程と、前記基板の前記溝に、前記溝内に補助電極を設ける補助電極形成工程と、前記基板の表面および前記補助電極を研磨する研磨工程と、前記基板および前記補助電極の表面に第1の電極を形成する第1の電極形成工程と、前記補助電極の上に絶縁被膜を形成する絶縁被膜形成工程と、前記絶縁被膜および前記第1の電極の上に有機層を形成する有機層形成工程と、前記有機層の上に第2の電極を形成する第2の電極形成工程と、を具備することを特徴とする。
本発明によれば、補助電極が形成されてもショート不良を起こすことがない有機EL素子を提供することができる。また、本発明によれば、補助電極が形成されてもショート不良を起こすことがない有機EL素子の製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態を説明する。
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態を図1ないし図5を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態に係る有機EL素子1を示す斜視図である。
本発明の第1の実施の形態を図1ないし図5を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態に係る有機EL素子1を示す斜視図である。
有機EL素子1は、例えば無アルカリガラスのような透光性を有するガラスからなる基板2および基板2の表面に形成された有機EL素子部分4を主要部として有する。
基板2は、例えば略平板であり、その表面には、図2および図3に示すように、略格子状に形成された溝2aが形成されている。溝2aには補助電極3が形成されている。
補助電極3は、後述する第1の電極5の抵抗値を下げる。補助電極3は、導電性の物質であり、例えば銀である。補助電極3は、略格子状に形成された溝2aに合わせて、例えばスパッタリング法により形成される。また、補助電極3の溝2aの底面2bに対向して、凹部3aが生じる。
有機EL素子部分4は、図1に示すように、例えば薄い略立方体形状であり、複数の部材を積層形成することで得られる。有機EL素子部分4は、有機層7に対して、第1の電極5から正孔を、第2の電極8から電子を有機層7に供給することで、有機層7内で正孔と電子とが再結合する際に生じるエネルギーから有機層7を発光させる。
第1の電極5は、有機層7に正孔を供給する。第1の電極5は、透光性を有する導電体であり、例えばITOが用いられる。第1の電極5は、例えばスパッタリング法により、図3に示すように、基板2の補助電極3が形成された側の表面に形成される。
絶縁被膜6は、図2および図3に示すように、補助電極3の上部の第1の電極5上に形成される。すなわち、絶縁被膜6は、図2に示すように、第1の電極5に形成された凹部3aに沿って第1の電極5の略全面に格子状に形成される。絶縁被膜6は、例えばポリイミドなどの絶縁体により構成される。絶縁被膜6は、例えばフォトリソグラフィにより形成される。絶縁被膜6は、第1の電極5および後述する第2の電極8が近接しても、第1の電極5および第2の電極8の間のショートを抑制する。
なおここでいう「補助電極3の上部」とは、補助電極3の直上、すなわち溝の開口部のみに限定されず、開口縁Pから20μm、望ましくは10μmまで溝2aの両側の領域Dまで許容される。
有機層7は、第1の電極5および後述する第2の電極8より正孔や電子が供給され、発光する。有機層7は、例えばαNPDやAlq3などで構成される。有機層7は、例えば真空蒸着法により、図3に示すように、絶縁被膜6の上および絶縁被膜6が形成されていない領域の第1の電極5の上に絶縁被膜6に形成された陥没に沿って、絶縁被膜6の側面も含めた全表面を覆うように形成される。
第2の電極8は、有機層7に電子を供給する。第2の電極8は、導電性の物質であればよく、例えばアルミニウムで構成される。第2の電極8は、例えば真空蒸着法により、図3に示すように、有機層7の上に形成される。
ここで、絶縁被膜6について、更に詳しく説明する。
絶縁被膜6は、図3に示すように、第1の電極5上に形成される。これは、絶縁被膜6が第2の電極8と接触すると、第1の電極5および第2の電極8が絶縁被膜6を介して電気的に接触していることと同様となり、絶縁被膜6を設けることによる第1の電極5および第2の電極8の絶縁の効果が低下するためである。(この文章の意味が理解できません。再検討してください。)また、絶縁被膜6に第1の電極5が接触して形成されることで、有機層7全体、すなわち、有機EL素子部分4全体に第2の電極8を形成することができる。第2の電極8が有機EL素子部分4全体に形成されることで、絶縁被膜6、6に囲まれた領域の有機層7にも第2の電極8が形成されるため、第1の電極5および第2の電極8に正孔や電子を供給したときにも、側面が絶縁被膜6、6で囲われた領域も発光することが可能である。(この部分も意味がわかりません。)
ここで、有機EL素子1の製造方法について、図4、図5を用いて更に詳しく説明する。なお、図4(a)〜同図(e)は溝形成工程、図5(a)〜同図(c)は絶縁被膜形成工程である。
ここで、有機EL素子1の製造方法について、図4、図5を用いて更に詳しく説明する。なお、図4(a)〜同図(e)は溝形成工程、図5(a)〜同図(c)は絶縁被膜形成工程である。
レジスト塗布工程は、図4(a)に示す基板2の表面に、図4(b)に示すように、レジスト9を印刷法により塗布する。次いで、露光工程では、図4(c)に示すように、所望の位置に例えば紫外線を照射して露光箇所9´を形成し、エッチング工程では、図4(d)に示すように、露光箇所9´および基板2が反応するフッ酸溶液に基板2のレジスト9が塗布された側のみを投入して、露光箇所9´および基板2を構成するガラスを溶解させ、所望の溝2aを形成する。また、レジスト除去工程は、図4(e)に示すように、所望の溝2aおよびレジスト9が形成された基板2のレジスト9が塗布された側のみを、例えば剥離液に浸し、基板2表面のレジスト9を剥離することで、所望の溝2aを有する基板2を得ることができる。
補助電極形成工程は、図4(f)に示すように、基板2の溝2aが形成された側の表面に銀を例えばスパッタリング法により形成する。次いで、研磨工程は、図4(g)に示すように、基板2の溝2a以外の部分に形成された銀を例えば機械研磨法により除去することで、溝2aに補助電極3が形成された基板2を得ることができる。なおこのとき、補助電極3の溝2aの底面2bに対向する部分に凹部3aが生じる。
第1の電極形成工程は、図4(h)に示すように、溝2aに補助電極3が形成された基板2の表面に第1の電極5をスパッタリング法により形成する。このとき、補助電極3の表面に形成された凹部3aは、第1の電極5の表面にも陥没として形成される。
絶縁被膜形成工程は、図5(a)に示すように、第1の電極5の表面全体に、絶縁被膜樹脂6´を例えばスピンコートにより形成する。このとき、第1の電極5の表面に形成された陥没は、絶縁被膜6の表面にも形成される。次に、絶縁被膜露光工程は、図5(b)に示すように、溝2aの上部の位置に形成された絶縁被膜樹脂6´に例えば紫外線を照射する。次いで、絶縁被膜除去工程は、図5(c)に示すように、絶縁被膜6が形成された基板2を、紫外線が照射されない部分の絶縁被膜6´を溶解する現像液に浸漬し、紫外線が照射された絶縁被膜6を残して除去する。これにより、第1の電極5の表面であって、溝2aの上部の位置に絶縁被膜6が形成された基板2を得ることができる。
有機層形成工程は、図5(d)に示すように、第1の電極5および絶縁被膜6の表面に有機層7を真空蒸着法により形成する。このとき、絶縁被膜6の表面に形成された陥没は、有機層7の表面にも形成される。また、有機層7は、絶縁被膜6の側面も含めた全表面を覆うように形成される。次いで、第2の電極形成工程は、図5(e)に示すように、有機層7の上に第2の電極を真空蒸着法により形成する。第2の電極も絶縁被膜6の側面に形成された有機層7の表面も含めて形成する。これにより、第1の電極5の上に絶縁被膜6が形成された有機EL素子1を得ることができる。
以上のことから、本実施の形態によれば、第1の電極5の上に絶縁被膜6が形成されている。つまり、補助電極3に陥没が発生したとしても、第1の電極5および第2の電極8の距離は、第1の電極5および第2の電極8の間に絶縁被膜6があるために近接することがなくなる。このため、陥没が生じてもショートが起こりにくくなり、結果ショート不良が軽減できる。
また、本実施の形態では、フォトリソグラフィ法を用いて絶縁被膜6を形成しているため、絶縁被膜6の形状や寸法、絶縁被膜6を形成する位置を詳細に制御することができる。つまり、絶縁被膜6が必要以上に形成されることによって通電可能な面積が小さくなる現象を抑制することが可能であるため、絶縁被膜6が形成されることで生じる非発光部分の面積を最小限とすることができる。
また、本実施の形態では、絶縁被膜6の上に有機層7および第2の電極8が形成されている。絶縁被膜6の上に有機層7および第2の電極8が形成されることで、絶縁被膜6の上に有機層7および第2の電極8が形成されないときに比べて、絶縁被膜6を透過した光が第2の電極8で反射する確率が向上する。このため、有機EL素子1では光取り出し効率が向上することから、絶縁被膜6の上には有機層7および第2の電極8が形成される方がよい。
したがって、本実施の形態によれば、補助電極が形成されてもショート不良を起こすことがない有機EL素子を提供することができる。
(第2の実施の形態)
図6は、本発明の第2の実施の形態を示す図である。この第2の実施の形態の有機EL素子1の製造方法は、第1の実施の形態の有機EL素子1の製造方法において、絶縁被膜6の形成方法のみが異なり、他は同一であるため、同一部分には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図6は、本発明の第2の実施の形態を示す図である。この第2の実施の形態の有機EL素子1の製造方法は、第1の実施の形態の有機EL素子1の製造方法において、絶縁被膜6の形成方法のみが異なり、他は同一であるため、同一部分には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。
絶縁被膜形成工程は、図6(a)に示すように、補助電極3が形成された近傍の第1の電極5の上に、例えば印刷法により絶縁被膜6を形成する。このとき、絶縁被膜6の表面を例えば機械研磨により平滑としてもよい。
以降は第1の実施の形態と同様に、有機層形成工程で、図6(b)に示すように、有機層7を絶縁被膜6の上に形成し、次いで第2の電極形成工程で、図6(c)に示すように、第2の電極8を有機層7の上に形成することで、第1の電極5の上に絶縁被膜6を形成した有機EL素子1を得ることができる。
したがって、本実施の形態でも、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態では、絶縁被膜6を直接印刷法により第1の電極5の上に形成するため、第1の実施の形態のように絶縁被膜樹脂6´の塗布、露光、現像の3段階を経なくても絶縁被膜6を得ることができるため、工程数を削減することができる。
なお、本発明は上記構成に限定されるものではなく、例えば以下の通りにしてもよい。
補助電極3の材料は限定されない。要は、第1の電極5よりも抵抗値が低い材料であればよく、例えばアルミニウムや銅などの導電体で構成されてもよく、また合金であってもよい。
また、補助電極3の製造方法は限定されない。例えば溝2aに銀ペーストを直接滴下して補助電極3を形成してもよい。
また、溝2aおよび補助電極3の密着性を高めるため、溝2aにPdなどの金属をスパッタ法で成膜してもよい。
また、第1の電極5の材料は限定されない。要は有機層7から発せされる光を透過すればよく、例えば酸化亜鉛やIZOなどの透明な導電体で構成されてもよい。
また、第1の電極5を形成した後に、第1の電極5の平滑化のために研磨を行ってもよい。
また、絶縁被膜6の材料は限定されない。要は有機層7よりも抵抗値が高く、透光性を有していればよく、例えばノボラック樹脂で構成されてもよい。
また、有機層7の構成や材料は限定されない。例えば有機層7は正孔供給層、正孔輸送層、発光層、電子供給層、電子輸送層で構成されてもよい。
また、有機層7の上に、電子注入層として、リチウムを真空蒸着法にて積層してもよい。
また、第2の電極8の材料は限定されない。要は導電性の物質で有機層7から発せられる光を反射する物質であればよい。
また、有機EL素子部分4の側面も含めた全表面を覆うように、ガラスやステンレスで構成される封止缶を設けてもよい。有機EL素子部分4の側面も含めた全表面を覆う封止缶を設けるときには、有機EL素子部分4に水分が進入しないように例えば乾燥剤を封入してもよい。
また、絶縁被膜6の構造は限定されない。要は補助電極3の陥没によって第1の電極5および第2の電極8が近接しないようにすればよい。例えば図7に示すように絶縁被膜6が有機層7に埋設されて形成されてもよい。
1 有機EL素子
2 基板
3 補助電極
4 有機EL素子部分
5 第1の電極
6 絶縁被膜
7 有機層
8 第2の電極
9 レジスト
2 基板
3 補助電極
4 有機EL素子部分
5 第1の電極
6 絶縁被膜
7 有機層
8 第2の電極
9 レジスト
Claims (6)
- 表面に溝が形成された基板と、
前記溝内に設けられた補助電極と、
前記基板および前記補助電極の表面に形成された第1の電極と、
前記補助電極の上部に位置する前記第1の電極上に形成された絶縁被膜と、
前記絶縁被膜および前記第1の電極の上に形成された有機層と、
前記有機層の上に形成された第2の電極と、
を具備することを特徴とする有機EL素子。 - 前記絶縁被膜は、前記第1の電極に接触して形成されることを特徴とする請求項1記載の有機EL素子。
- 基板の表面に溝を形成する溝形成工程と、
前記基板の前記溝に、前記溝内に補助電極を設ける補助電極形成工程と、
前記基板の表面および前記補助電極を研磨する研磨工程と、
前記基板および前記補助電極の表面に第1の電極を形成する第1の電極形成工程と、
前記補助電極の上部に位置する前記第1の電極上に絶縁被膜を形成する絶縁被膜形成工程と、
前記絶縁被膜および前記第1の電極の上に有機層を形成する有機層形成工程と、
前記有機層の上に第2の電極を形成する第2の電極形成工程と、
を具備することを特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 前記絶縁被膜は、前記第1の電極に接触して形成されることを特徴とする請求項3記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記絶縁被膜形成工程は、前記第1の電極を含む前記第1の基板の全面に絶縁被膜を形成する絶縁被膜形成工程と、
前記補助電極の上部に位置する前記絶縁被膜をフォトリソグラフィ法により除去する絶縁被膜除去工程と、を具備することを特徴とする請求項3または4記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記絶縁被膜形成工程は、前記第1の電極の上部に位置する前記第1の電極上に印刷法により前記絶縁被膜を形成する工程を具備することを特徴とする請求項3または4記載の有機EL素子の製造方法。
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-
2009
- 2009-09-28 JP JP2009222547A patent/JP2011071024A/ja active Pending
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