JP2011068942A - 皮膜の形成方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】材料粉末の基材への付着率の向上が可能な皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】融点又は軟化点よりも低い温度に加熱した作動ガスと材料粉末とを、スプレーガンのノズルから噴出させ、基材に衝突させて前記基材上に皮膜を形成する皮膜の形成方法であって、前記作動ガスが、ヘリウム、窒素、空気から選ばれる少なくとも1種と、還元性ガスと、の混合ガスであることを特徴とする皮膜の形成方法を選択する。
【選択図】なし

Description

本発明は、皮膜の形成方法の改良に関するものであって、特にコールドスプレー装置を用いた皮膜の形成方法の改良に関する。
表面改質法の一種として、溶射が広く知られている。一般に、溶射方法では、融点又は軟化温度以上にまで加熱された皮膜材料が基材に吹き付けられるため、基材の材質や形状によっては基材の熱変質や変形が生じることがあった。そのため、溶射方法に用いることができる基材の材質及び形状が制限されるという課題があった。
そこで、溶射方法における上記課題を解決しうる新たな表面改質方法としてコールドスプレーが知られている(非特許文献1を参照)。このコールドスプレー方法は、皮膜材料の融点又は軟化温度よりも低い温度に加熱した作動ガスを超音速にまで加速し、その加速した作動ガスにより皮膜材料を固相のまま高速で基材に衝突させることにより皮膜を形成する技術である。
「コールドスプレー/キネティックスプレーの概要と最新動向」榊 和彦、機能材料術、第29巻、第7号(2009)6−15別刷
現状使用されている作動ガスは、ヘリウム、窒素、空気など単一ガスもしくはこれらの混合ガスである。しかしながら、材料粉末の作製時または保管時に、その表面には酸化膜が形成される問題がある.作動ガスを空気とした場合には、材料粉末がスプレーガンの中を飛行中に表面が酸化する可能性がある。また、成膜後の皮膜表面の温度が200℃以上になってしまう場合には、成膜された皮膜表面の酸化が避けられないという問題があった。このように、材料粉末の表面及び成膜された皮膜の薄い酸化膜が出来るため、材料粉末の基材への付着率の向上が困難となる場合があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、皮膜材料の融点又は軟化温度よりも低い温度に加熱した作動ガスを超音速にまで加速し、その加速した作動ガスにより皮膜材料を固相のまま高速で基材に衝突させることにより皮膜を形成するコールドスプレー方法において、材料粉末の基材への付着率の向上が可能な皮膜の形成方法を提供することを目的とする。
かかる課題を解決するため、
請求項1に記載の発明は、融点又は軟化点よりも低い温度に加熱した作動ガスと材料粉末とを、スプレーガンのノズルから噴出させ、基材に衝突させて前記基材上に皮膜を形成する皮膜の形成方法であって、
前記作動ガスが、ヘリウム、窒素、空気から選ばれる少なくとも1種と、還元性ガスと、の混合ガスであることを特徴とする皮膜の形成方法である。
請求項2に記載の発明は、前記還元性ガスが、水素ガスであることを特徴とする請求項1に記載の皮膜の形成方法である。
請求項3に記載の発明は、前記作動ガスにおける前記水素ガスの濃度が、0.01%以上であることを特徴とする請求項2記載の皮膜の形成方法である。
請求項4に記載の発明は、前記ノズルの入口における作動ガスの圧力が、0.5〜5MPaの範囲であることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の皮膜の形成方法である。
請求項5に記載の発明は、前記ノズルの入口における作動ガスの温度が、20〜900℃の範囲であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の皮膜の形成方法である。
本発明の皮膜の形成方法によれば、作動ガスが、ヘリウム、窒素、空気から選ばれる少なくとも1種と還元性ガスとの混合ガスであるため、皮膜形成前の皮膜材料の表面及び皮膜形成後の皮膜表面の酸化膜を取り除くことができる。これにより、成膜した皮膜中の酸素含有量を低減することができるため、材料粉末の基材への付着率を向上させることができる。また、還元性ガスとして粒子への熱伝達率が高い水素ガスを用いる場合には、材料粉末の粒子の加熱を促進して粒子温度を高めることができるため、材料粉末の粒子を軟化させて基材への付着率を高めることができる。
本発明の一実施形態である皮膜の形成方法に用いる皮膜形成装置を示す模式図である。 本発明の一実施形態である皮膜の形成方法に用いるスプレーガンのノズルを示す断面模式図である。 本発明の他の実施の形態を示す模式図である。 本発明の他の実施の形態を示す模式図である。 本発明の他の実施の形態を示す模式図である。 本発明の他の実施の形態を示す模式図である。
以下、本発明を適用した一実施形態であるコールドスプレー方法(皮膜の形成方法)について、これに用いるコールドスプレー装置とともに、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
本実施形態のコールドスプレー方法とは、材料粉末と、この材料粉末の融点又は軟化点よりも低い温度に加熱した作動ガスとを、スプレーガンのノズルから噴出させ、アルミニウム合金や鋼等の基材に衝突させて皮膜を形成する方法である。
図1に示すように、コールドスプレー装置1は、材料粉末を作動ガスによりガスの音速から超音速で基材2の表面に固体状態で衝突させて皮膜3を成膜する装置である。
材料粉末は、特に限定されるものではないが、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、スズ、チタン、亜鉛、モリブデン、マグネシウム、鉄、タンタル、ニオブ、珪素、クロム、これらの合金、ステンレス、はんだ等を挙げることができる。
作動ガスは、キャリアガスと還元性ガスとの混合ガスである。
キャリアガスは、特に限定されるものではないが、例えば、ヘリウム、窒素、空気のうち1種または2種以上のガスを挙げることができる。また、キャリアガスとしては、材料粉末の表面及び皮膜の表面の酸化を抑制するという観点から、不活性ガスであるヘリウムや窒素が特に好ましい。さらに、コスト面では窒素が、ガス速度高速化の面ではヘリウムが好ましい。
還元性ガスは、コールドスプレープロセス中の、材料粉末及び成膜された皮膜表面の酸化を防止する、又は、表面に形成された酸化膜を取り除くことができる(すなわち還元作用のある)ガスであれば、特に限定されるものではない。上記還元作用のあるガスとしては、例えば、水素ガス、一酸化炭素(CO)ガスが挙げられる。材料粉末の粒子加熱のための、ガスの温度伝達率の点からは、水素を用いることが好ましい。
ここで、還元性ガスに水素ガスを用いた場合には、ガス速度を増加させて衝突速度を向上させるとともに材料粉末の粒子温度も高めることができる。したがって、材料粉末の基材への付着率の向上と皮膜特性とを向上させることができる。
なお、作動ガスにおける水素ガスの濃度は、0.01%以上であることが好ましく、1.0%以上であることがより好ましい。ここで、作動ガスにおける水素ガスの濃度が0.01%未満であると、皮膜や材料の酸化防止効果や還元効果が得られにくくなるために好ましくない。これに対して、作動ガスにおける水素ガスの濃度は、4%以下であることが好ましい。水素ガスの濃度が4%を上回ると爆発範囲に入るために好ましくない。ただし、コールドスプレー装置1が、防爆構造を有しており、作動ガスの取り扱いにおける安全が確保されている場合には、作動ガスにおける水素ガスの濃度が100%であってもよい。
図1に示すように、作動ガスは、還元性ガスと不活性ガスとの混合ガスが充填された高圧ガスボンベ4,4,4(例えば1MPa以上)から圧力調整器5を介して供給することができる。供給された作動ガスは2回路に分岐される。ここで、一方の回路は、圧力調整器6により例えば0.5〜5MPaに減圧され、公知のヒーター7により、室温以上であって材料粉末の融点又は軟化点よりも低い温度に加熱された後、スプレーガンのノズル(以下、単に「ノズル」と記載する)8に供給される。
また、他方の回路は、圧力調整器9により例えば0.5〜5MPaに減圧され、公知の粉末供給装置10に供給される。そして、所定量の粉末材料と共にノズル8に供給される。ここで、ノズル8の入口における作動ガスの圧力が、0.5〜5MPaの範囲であることが好ましい。作動ガスの圧力を0.5MPa〜5MPaとする理由は、0.5MPa未満では皮膜堆積に必要なガス速度及び粉末速度が得られない可能性があるためである。また、5MPaを上回ると作動ガス消費量が増大する一方でガス速度及び粉末速度はさほど向上しないためである。
図2に示すように、ノズル8は、先細末広型であって、入口先細部Lcが延長されており、上記一方の回路を経由した材料粉末をノズル入口後方の粉末投入孔8aより投入させる構造となっている。ここで、ノズル8の入口先細部8cは、作動ガスが比較的高温かつ亜音速からの、粒子の加熱区間であり、反応区間である。この入口先細部8cの長さLcは、50〜500mmの範囲とすることが好ましく、200〜400mmの範囲とすることがより好ましい。入口先細部8cの長さLcを上記範囲とすることにより、作動ガスと材料粉末との滞留時間を増加させることができる。このため、皮膜形成前であってノズル8からの噴射前において、材料粉末の酸化防止効果および還元効果をより高めることができる。また、粉末投入孔8aの外周であって、粉末投入孔8aよりも入口側には、上記他方の回路を経由した作動ガスが供給される作動ガス供給孔8bが設けられている。なお、上記作動ガスの圧力は、ノズル8内の作動ガス供給孔8bの近傍での圧力を示す。
さらに、ノズル8の内径が最も細い部分からノズル8の先端には、先端末広円筒部8dが設けられている。ここで、先端末広円筒部8dの長さLdは、50〜300mmの範囲とすることが好ましく、150〜250mmの範囲とすることがより好ましい。先端末広円筒部8dの長さLdを上記範囲とすることにより、作動ガスによって材料粉末を加速させることができ、粒子の速度を増加させることができる。これに対して、長さLdが長すぎると、ガス速度が管摩擦により低下するため、必要なガス速度および粒子速度が得られないために好ましくない。
図1及び図2に示すように、ノズル8に供給された作動ガスと材料粉末とは、ノズル8内で音速から超音速に加速され、ノズル出口から噴出され、基材2の表面に固体状態で衝突し皮膜3を成膜する。なお、ノズル8内での作動ガス及び材料粉末の速度は、例えば、300〜2700m/s程度となる。
また、ノズルの入口における作動ガスの温度は、材料粉末の種類等によって変わるが、例えば20〜900℃の範囲とすることが好ましく、100〜900℃の範囲とすることがより好ましい。ノズルの入口における作動ガスの温度が20℃未満では皮膜の形成が困難となる場合があり、900℃を上回ると基材にダメージを与えるおそれがある。また、ガスを加熱するヒーターも大型化し、ヒーター部材も制限を受けて高価となる。
本実施形態のコールドスプレー方法によれば、作動ガスが、ヘリウム、窒素、空気から選ばれる少なくとも1種と水素ガスとの混合ガスであるため、皮膜形成前のスプレーガンのノズル8内において、皮膜材料の表面の酸化を抑制し、又は酸化膜を取り除くことができる。さらに、皮膜形成後においては皮膜表面の酸化を抑制し、又は酸化膜を取り除くことができる。これにより、成膜した皮膜中の酸素含有量を低減することができるため、材料粉末の基材2への皮膜3の付着率を向上させることができる。さらに、水素のような温度伝達率の高いガスを添加することにより、粒子温度を高めて付着率を高めることができる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、本実施形態のコールドスプレー装置1では、作動ガス中の水素濃度が4%以下であって、大気中でコールドスプレー方法による皮膜の形成を行う場合を説明したが、作動ガス中の水素濃度が4%を超える場合には、図3に示すように、基材2及びスプレーガンのノズル8を水素の爆発に耐えうる構造のチャンバー11内に配置することが望ましい。このチャンバー11には排気口11aを設け、内部の水素含有ガスを強制的にチャンバー11の外に排気するようにしても良い。
また、本実施形態のコールドスプレー装置1では、図1に示すように、作動ガスを、還元性ガスと不活性ガスとの混合ガスが充填された高圧ガスボンベ4,4,4(例えば1MPa以上)から圧力調整器5を介して供給する場合を説明したが、図4に示すように、還元性ガスが充填された高圧ガスボンベ12と不活性ガスが充填された高圧ガスボンベ13とをそれぞれ高圧対応流量計14にて高圧のまま(例えば1MPa以上)所定の割合で蓄圧器15において混合して供給しても良い。
また、図5に示すように、図示しない供給源から供給された還元性ガスと不活性ガスとをそれぞれ流量計16,16にて所定の割合で混合し、昇圧ポンプ17にて所定の圧力(例えば1MPa以上)まで昇圧して蓄圧器15に貯留し、供給しても良い。
また、図6に示すように、低圧(例えば1MPa以下)の還元性ガスと不活性ガスとを流量計16,16にて所定の割合で混合し、その圧力のまま供給しても良い。
以下、具体例を示す。
(例1)
材料粉末には、平均粒径20μmの銅粉末を準備し、基材としてアルミニウム合金板にコールドスプレー法により皮膜を形成した。銅粉末の酸素含有量を測定したところ0.047%であった。
スプレーガンとしては、図2に示す構造のものを用いた。その寸法は、ノズルの入口部の径20mm、長さ205mm、入口部から最も細い箇所までの長さ(入口先細部8cの長さLc)220(=70+147)mm、最も細い箇所の径2mm、先端末広円筒部(8dの長さLd)220mmであった。
作動ガスは、図1に示すようなシステムで供給した。すなわち、Nを充填したボンベ(充填圧力20.0MPa)、または、N+4%H混合ガスを充填したボンベ(充填圧力14.7MPa)を用意し、圧力調整器によりスプレーガン入口圧力が3MPaになるように調整した。また、粉末供給装置に供給される作動ガスの圧力も圧力調整器にて3.5MPaになるように調整した。ヒーターは550℃に設定し、スプレーガン入口の作動ガス温度が350℃になるように調整した。
ヒーターにより加熱された作動ガスと粉末供給装置からの粉末を含む作動ガスとをスプレーガンに供給し、スプレーガンを通して材料粉末を超音速まで加速し、基材に噴射した。結果を下記表に示す。
Figure 2011068942
Figure 2011068942
表1に示すように、作動ガスにNを使用した時の付着率は65.2%であった。一方、作動ガスにN+4%Hを使用した時の付着率は67.9%であり、付着率が向上することを確認した。
表2に示すように、作動ガスにNを使用した時の皮膜中の酸素含有量は0.076%と、コールドスプレー前の酸素含有量より増加した。一方、作動ガスにN+4%Hを使用した時の皮膜中の酸素含有量は0.044%となり、コールドスプレー前の酸素含有量より減少することを確認した。
1…コールドスプレー装置
2…基材
3…皮膜
4,12,13…高圧ガスボンベ
5,6,9…圧力調整器
7…ヒーター
8…スプレーガンのノズル(ノズル)
8a…粉末投入孔
8b…作動ガス供給孔
8c…入口先細部
8d…先端末広円筒部
10…粉末供給装置
11…チャンバー
11a…排気口
14…高圧対応流量計
15…蓄圧器
16…流量計
17…昇圧ポンプ

Claims (5)

  1. 融点又は軟化点よりも低い温度に加熱した作動ガスと材料粉末とを、スプレーガンのノズルから噴出させ、基材に衝突させて前記基材上に皮膜を形成する皮膜の形成方法であって、
    前記作動ガスが、ヘリウム、窒素、空気から選ばれる少なくとも1種と、還元性ガスと、の混合ガスであることを特徴とする皮膜の形成方法。
  2. 前記還元性ガスが、水素ガスであることを特徴とする請求項1に記載の皮膜の形成方法。
  3. 前記作動ガスにおける前記水素ガスの濃度が、0.01%以上であることを特徴とする請求項2記載の皮膜の形成方法。
  4. 前記ノズルの入口における作動ガスの圧力が、0.5〜5MPaの範囲であることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の皮膜の形成方法。
  5. 前記ノズルの入口における作動ガスの温度が、20〜900℃の範囲であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の皮膜の形成方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016194106A (ja) * 2015-03-31 2016-11-17 日本発條株式会社 成形加工用マグネシウム系部材
WO2016208598A1 (ja) * 2015-06-24 2016-12-29 日本発條株式会社 成膜方法及び成膜装置
WO2017082368A1 (ja) * 2015-11-11 2017-05-18 日本発條株式会社 積層体および積層体の製造方法
JP2019073777A (ja) * 2017-10-17 2019-05-16 岩谷産業株式会社 混合ガスおよびそれを用いた溶射皮膜の形成方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8575779B2 (en) 2010-02-18 2013-11-05 Alpha Technologies Inc. Ferroresonant transformer for use in uninterruptible power supplies
CA2825483C (en) 2011-01-23 2019-11-12 Alpha Technologies Inc. Switching systems and methods for use in uninterruptible power supplies
US9234916B2 (en) 2012-05-11 2016-01-12 Alpha Technologies Inc. Status monitoring cables for generators

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6354075B2 (ja) * 1983-11-12 1988-10-26 Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan
JPH01263281A (ja) * 1988-04-15 1989-10-19 Sumitomo Metal Ind Ltd 超塑性合金の被覆膜形成方法
JP2004306120A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Nippon Steel Corp 連続鋳造用鋳型、その製造方法及び補修方法
JP2005095886A (ja) * 2003-09-02 2005-04-14 Nippon Steel Corp コールドスプレー用ノズル並びにコールドスプレー被膜及び製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6354075B2 (ja) * 1983-11-12 1988-10-26 Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan
JPH01263281A (ja) * 1988-04-15 1989-10-19 Sumitomo Metal Ind Ltd 超塑性合金の被覆膜形成方法
JP2004306120A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Nippon Steel Corp 連続鋳造用鋳型、その製造方法及び補修方法
JP2005095886A (ja) * 2003-09-02 2005-04-14 Nippon Steel Corp コールドスプレー用ノズル並びにコールドスプレー被膜及び製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016194106A (ja) * 2015-03-31 2016-11-17 日本発條株式会社 成形加工用マグネシウム系部材
US20180154382A1 (en) * 2015-06-24 2018-06-07 Nhk Spring Co., Ltd. Film forming method and film forming apparatus
WO2016208598A1 (ja) * 2015-06-24 2016-12-29 日本発條株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP2017006873A (ja) * 2015-06-24 2017-01-12 日本発條株式会社 成膜方法及び成膜装置
CN107708877A (zh) * 2015-06-24 2018-02-16 日本发条株式会社 成膜方法以及成膜装置
CN107708877B (zh) * 2015-06-24 2021-08-10 日本发条株式会社 成膜方法以及成膜装置
WO2017082368A1 (ja) * 2015-11-11 2017-05-18 日本発條株式会社 積層体および積層体の製造方法
CN108290380A (zh) * 2015-11-11 2018-07-17 日本发条株式会社 层叠体及层叠体的制造方法
EP3375606A4 (en) * 2015-11-11 2019-07-03 NHK Spring Co., Ltd. LAMINATE AND METHOD FOR MANUFACTURING LAMINATE
KR102084339B1 (ko) * 2015-11-11 2020-03-03 닛폰 하츠죠 가부시키가이샤 적층체 및 적층체의 제조 방법
CN108290380B (zh) * 2015-11-11 2020-06-30 日本发条株式会社 层叠体及层叠体的制造方法
KR20180057662A (ko) * 2015-11-11 2018-05-30 닛폰 하츠죠 가부시키가이샤 적층체 및 적층체의 제조 방법
JP2019073777A (ja) * 2017-10-17 2019-05-16 岩谷産業株式会社 混合ガスおよびそれを用いた溶射皮膜の形成方法

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