JP2011066214A - 半導体装置の製造方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】選択性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を複数ウェハの面間で均一性よく成長させることができる半導体装置の製造技術を提供する。
【解決手段】表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜若しくはシリコン窒化膜の露出面とを備えるウェハ304を処理室301内に搬入する。まず、処理ガスを第1のガス供給系306から第1のガス供給管309を介して、処理室301の上部から導入する。そして、第1のガス排気管311と第1のガス排気系308を用いてガス排気を行う。その後、処理ガスを第2のガス供給系307から第2のガス供給管310を介して、処理室301の下部から導入する。この処理室301の上部と下部からのガス供給工程を1回以上実行し、ウェハ表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。
【選択図】図2
【解決手段】表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜若しくはシリコン窒化膜の露出面とを備えるウェハ304を処理室301内に搬入する。まず、処理ガスを第1のガス供給系306から第1のガス供給管309を介して、処理室301の上部から導入する。そして、第1のガス排気管311と第1のガス排気系308を用いてガス排気を行う。その後、処理ガスを第2のガス供給系307から第2のガス供給管310を介して、処理室301の下部から導入する。この処理室301の上部と下部からのガス供給工程を1回以上実行し、ウェハ表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。
【選択図】図2
Description
本発明は半導体装置の製造技術に係り、例えはMOSFETにおけるソース/ドレイン上などへの選択シリコンエピタキシャル成長するための半導体製造技術に関する。
MOSFET(Metal−Oxide−Semiconductor Field Effect Transistor)の高集積化及び高性能化に伴い、半導体デバイス特性の向上と微細化の両立が要求されている。この両立を実現するために、MOSFETのソース/ドレインの課題として、リーク電流低減及び低抵抗化などが求められており、これらの問題を解決する方法の一つとしてトランジスタのソース/ドレイン領域にシリコン系エピタキシャル膜を選択成長させる方法がある(特許文献1参照)。
従来、デポガスやエッチングガスはボート上ウェハ保持領域に対して上方あるいは下方へ、又は、下方から上方へと一方向への流れでガスを供給している。通常、ボート上部と下部に位置しているウェハへの成膜量の均一性(面間均一性)の向上のため、温度に勾配をつけたり、デポガスやエッチングガスなどを別途途中供給する方法があったが、不純物ドープ膜など多元系の膜種の場合にはパラメータが複数あるため温度やガスの途中供給で均一な膜の成膜を確保することが難しい。
本発明の目的は、エピタキシャル膜を、複数ウェハの面間で均一性よく成長させることができる半導体製造技術を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明においては、基板を所定の間隔を設けて積み重ねた状態で基板保持体にて保持しつつ処理室内に搬入する工程と、この処理室内における基板の積み重ね方向の一端側から、デポ系の第1の処理ガスとエッチング系の第2の処理ガスとを共に供給しつつ、基板の積み重ね方向の他端側から排気する第1の工程と、処理室内における他端側から、第1の処理ガスと第2の処理ガスとを共に供給しつつ一端側から排気する第2の工程と、を少なくとも含み、第1の工程と第2の工程とを1回以上実施し、基板表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法を提供する。
また、上記の目的を達成するため、本発明においては、基板を所定の間隔を設けて積み重ねた状態で基板保持体にて保持しつつ収容する処理室と、この基板を加熱する加熱機構と、処理室内における基板の積み重ね方向の一端側から、デポ系の第1の処理ガスとエッチング系の第2の処理ガスとを共に供給する第1のガス供給部と、処理室内における基板の積み重ね方向の他端側から、第1の処理ガスと第2の処理ガスとを共に供給する第2のガス供給部と、処理室内のガスを他端側から排出する第1のガス排出部と、処理室内のガスを一端側から排出する第2のガス排出部と、加熱機構、第1のガス供給部、第2のガス供給部、第1のガス排出部及び第2のガス排出部を制御する制御部とを備え、この制御部は、第1のガス供給部から第1の処理ガスと第2の処理ガスとを処理室内に供給しつつ第1のガス排出部から排出する第1の工程と、第2のガス供給部から第1の処理ガスと第2の処理ガスとを処理室内に供給しつつ第2のガス排出部から排出する第2の工程とを少なくとも1回以上実施するよう制御する基板処理装置を提供する。
本発明によれば、選択性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を、複数ウェハの面間で均一性よく成長させることができる半導体製造方法、基板処理装置を提供できる。
以下、図面に従い、本発明の実施例を説明するが、その説明に先立ち、本発明が適用される基板処理装置の概略構成を説明する。図1は半導体製造装置である基板処理装置の処理炉を説明するための概略縦断面図を示している。
図1に示すように、処理炉202は加熱機構としてのヒータ206を有する。このヒータ206の内側には、アウターチューブ205が配設されている。本構成において、アウターチューブ205は耐熱材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ205の内側には、処理室201が形成されており、基板としてのウェハ200をボート217によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。アウターチューブ205の下方には、アウターチューブ205と同心円状にマニホールド209が配設されている。マニホールド209は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。このアウターチューブ205とマニホールド209により反応容器(反応管)が形成される。
マニホールド209には、ガス排気管231が設けられると共に、ガス供給管232が貫通するよう設けられている。ガス供給管232は、バルブ177、178、179とガス流量制御装置としてのMFC(マスフローコントローラ)183、184、185を介して第1のガス供給源180、第2のガス供給源181、第3のガス供給源182にそれぞれ接続されている。尚、本明細書において、バルブ177、178、179、MFC183、184、185、第1のガス供給源180、第2のガス供給源181、第3のガス供給源182とを併せてガス供給系と呼ぶ場合がある。MFC183、184、185及びバルブ177、178、179には、ガス流量制御部235が電気的に接続されている。ガス排気管231の下流側には、圧力センサ、圧力調整器としてのAPC(オートプレッシャーコントローラー)バルブ242を介して真空排気装置246が接続されている。尚、本明細書において、圧力センサ、APCバルブ242、真空排気装置246とを併せて、ガス排気系と呼ぶ場合がある。圧力センサ及びAPCバルブ242には、圧力制御部236が電気的に接続されており、圧力制御部236は、APCバルブ242の開度を調節することにより、処理室201内の圧力を制御するよう構成されている。
マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞するための炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219には、回転機構254が設けられている。回転機構254の回転軸255はシールキャップ219を貫通してボート217に接続されており、ボート217を回転させることでウェハ200を回転させるように構成されている。シールキャップ219は、昇降モータ248によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート217を処理室201に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構254及び昇降モータ248には、駆動制御部237が電気的に接続されている。
基板保持体としてのボート217は、複数枚のウェハ200を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。尚ボート217の下部には、断熱板216が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ206からの熱がマニホールド209側に伝わりにくくなるよう構成されている。ヒータ206及びその近傍に設置された温度センサ(図示せず)には、電気的に温度制御部238が接続されている。
ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部239に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238、主制御部239は、コントローラ240として構成されている。
次に、上記構成に係る処理炉202を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウェハ200などの基板上に、エピタキシャルシリコン(Epi−Si)膜を形成する方法について説明する。
複数枚のウェハ200を保持したボート217は、処理室201内に搬入(ボートローディング)され、処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように真空排気される。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ206により加熱される。続いて、回転機構254、回転軸255により、ボート217が回転されることでウェハ200が回転される。
第1のガス供給源180、第2のガス供給源181、第3のガス供給源182には、処理ガスとして、それぞれモノシランガス(SiH4)、塩素ガス(若しくは塩化水素ガス)、水素ガス(H2)が封入されており、次いで、これら処理ガス供給源からそれぞれの処理ガスが供給される。MFC183、184、185の開度が調節された後、バルブ176、177、178が開かれ、それぞれの処理ガスがガス供給管232を流通して、処理室201の上部から処理室201内に導入される。導入されたガスは、処理室201内を通り、ガス排気管231から排気される。処理ガスは、処理室201内を通過する際にウェハ200と接触し、ウェハ200の表面上にEpi−Si膜が選択エピタキシャル成長される。予め設定された時間が経過すると、図示しない不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室201内が不活性ガスで置換されると共に、処理室201内の圧力が常圧に復帰される。
その後、処理済のウェハ200は、ボート217より取出される(ウェハディスチャージ)。
以上が、本発明が適用される基板処理装置の動作概要である。この装置構成を前提として、以下本発明の好適な実施例を説明する。なお、明細書において、処理ガスとして、デポジション用のガス(デポ系のガス)である第1の処理ガスとして、モノシランガス(SiH4)などのシラン系ガスやゲルマン系ガスを、エッチング用のガス(エッチング系のガス)である第2の処理ガスとして、塩素ガスおよび水素ガス(H2)、塩化水素ガス、フッ素ガス等を例示するがそれに限定されるものでないことは言うまでもない。
図2に第1の実施例である基板処理装置の処理炉(処理室)部分の一構成例を示す。なお、図1に示した基板処理装置と共通する部分については、説明を省略する。図2に示すように、処理室301は、上部に第2のガス排気管312としての排気ポートを有するアウターチューブとしての反応管305と、第1のガス排気管311および第1、第2のガス供給管309、310が設けられたマニホールド315と、処理室301の下方側に設けられる予備室の上端プレート313を介してマニホールド315の下端部(炉口)を蓋し、処理室を密閉するシールキャップ315aと、処理基板であるウェハ304を多段に保持するウェハ保持体としてのボート303と、ボート303の回転機構314と、ヒータ素線と断熱部材とで構成される、ウェハを加熱する加熱機構としてのヒータ316、一端がマニホールド315に設置され、他端がボート303に戴置される複数枚のウェハ304の内、最上段のウェハ304よりも上方位置まで延在する第1のガス供給管309と、第1のガス供給管309に接続される、図1に示したガス供給系と同様の構成を備える第1のガス供給系306と、一端がマニホールド315に設置され、他端がボート303に戴置される複数枚のウェハ304の内、最下段のウェハ304よりも下方位置まで延在する第2のガス供給管310と、第2のガス供給管310に接続される、図1に示したガス供給系と同様の構成を備える第2のガス供給系307と、第2のガス排気管312に接続される、図1に示したガス排気系と同様な構成を備える第2のガス排気系302と、第1のガス排気管311に接続される、図1に示したガス排気系と同様な構成を備える第1ガス排気系308とから構成される。
なお、第1排気系308と第2排気系302のそれぞれにある真空排気装置の一つを削除すべく、真空排気装置とAPCバルブとの間でそれぞれのガス排気管を合流させて、一つの真空排気装置に接続するよう構成しても良く、この場合、本明細書において、一つの真空排気装置をそれぞれに含めた構成として、第1排気系、第2排気系と呼ぶ場合がある。
続いて、本実施例の基板処理装置によるウェハ処理動作の一例を説明する。
未処理のウェハ304を保持したボート303は、上述したように昇降モータを駆動することにより、処理室301に挿入される。次に、上述の制御装置からの命令によりAPCバルブを開けて、真空排気装置の排気により、処理室301内の雰囲気を排気し、処理室301の圧力を減圧する。そして、制御装置によりヒータを制御し、処理室301内の温度、ひいてはウェハ304の温度を所望の温度に維持する。その後、制御装置からの命令により、回転機構314が駆動され、ボート303を所定の回転数で回転する。
本実施例においては、モノシランやモノゲルマンなどのデポガスである第1の処理ガスや塩化水素や塩素などのエッチングガスである第2の処理ガスは、MFCなどでその流量が調整された後、処理室301に供給される。最初に第1のガス供給系306から供給されるこれらの処理ガスを、第1のガス供給管309により、処理室301の一端側である上部から導入し、処理室301の雰囲気は処理室の他端側である下部の第1のガス排気管311と第1の排気系308より排気される(実線の矢印参照)。なお、本明細書において、ガス供給管とガス供給系を併せてガス供給部と、ガス排気管とガス排気系を併せてガス排出部と呼ぶ場合がある。例えば、第1のガス供給系306と第1のガス供給管309を第1のガス供給部と、第2のガス排気管311と第2のガス排気系308を第2のガス排出部と呼ぶなどである。
その結果、供給されたガスはウェハ304表面への成膜およびエッチング等により、下部に行くにつれ消費される。そのため、上部に配置されるウェハ304表面へ形成される膜の成長量が多く、下部に行くにつれてウェハ304の表面へ形成される膜の成長量が減少する。
一定の処理時間の後、次に第1ガス供給系306からのガス供給を停止するとともに、第1ガス排気系302からの排気を停止する。その後、第2のガス供給系307から供給されるガスが、第2のガス供給管310により処理室301の下部から導入され、処理室301の雰囲気は上部の第2のガス排気管312と第2の排気系302で構成される第2のガス排出部より排気される(点線矢印参照)。その結果、供給されたガスはウェハ304表面への成膜およびエッチングにより、上部に行くにつれて消費される。そのため、下部に配置されるウェハ304表面へ形成される膜の成長量が多く、上部に行くにつれてウェハ304表面へ形成される膜の成長量が減る。
本実施例によれば、第1のガス供給系306と第1のガス供給管309とで構成される第1のガス供給部、第1のガス排気管311と第1のガス排気系308とで構成される第1のガス排出部を用いて基板へ成膜する工程と、第2のガス供給系307と第2のガス供給管310とで構成される第2のガス供給部、第2のガス排気管312と第2のガス排気系302とで構成される第2のガス排出部を用いて基板に成膜する工程とを少なくとも1回以上実施、又は複数回交互に実施し、ガスの流れ方の上流、下流を逆にすることで、ボート303上の複数の処理基板であるウェハ304の面間の膜厚均一性を容易に確保することができる。
本実施例の効果を説明するため、参考例として、図3Aに第1のガス供給部、第1のガス排気部を用い、第2のガス供給部、第2のガス排気部を用いずにウェハに成膜した場合、図3Bに本実施例にかかる、第1のガス供給部、第1のガス排気部を用いてウェハに成膜した後に、第2のガス供給部、第2のガス排気部を用いてウェハに成膜した場合についてのデータを示す。図3Aでは、下部に行くにつれて膜厚は減少し、面間の成膜量の均一性は±2.65%となる。しかし、図3Bの本実施例の場合では、面間の均一性は±0.94%と改善される。好適には、本実施例の装置においては、これらの処理をウェハ上に所望の膜厚が得られるまで繰り返す。
上述のように、デポ系のガスやエッチング系のガスを上下から繰り返し供給することで、パラメータが複数ある多元系の膜種においても、容易にウェハの面間均一性を確保することが可能になる。
さらに、面間均一性確保が処理枚数の半分の場合、好ましくは、100バッチにおいて、50枚まで面間均一性確保が必要な場合、例えば、第1、第2のガス供給管309、310の中間の長さを有するようにポートの中央部にまで延在するミドルサイズのノズル(ガス供給管)をさらに設けて、このノズルを用いてガスを供給し、排気を第1の排出部からとした後に、第2の排出部からとすることを交互に繰り返す、あるいは第1、第2の排出部から同時に排気することによって、面間均一性の確保することが可能になる。
以下に、本実施例の基板処理装置を用いてウェハを処理する処理条件の一例について説明する。本実施例において、好ましい条件は成長温度500〜700°C、圧力300Pa以下で、デポガスとしてはモノシランガス流量1〜300sccm、モノゲルマンガス流量1〜500sccm、エッチングガスとしては、塩素ガス、もしくは塩化水素ガス流量1〜500sccm、窒素ガス流量0〜30000sccm、水素ガス流量10〜50000sccmが挙げられる。
なお、本実施例は、以下の実施の態様も含む。
本発明においては、より好適な形態として、表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の露出面とを備える基板を所定の間隔を設けて積み重ねた状態で基板保持体にて保持しつつ処理室内に搬入する工程と、この処理室内における基板の積み重ね方向の一端側から、少なくともシリコンを含む第1の処理ガスとエッチング系の第2の処理ガスとを共に供給しつつ、基板の積み重ね方向の他端側から排気する第1の工程と、処理室内における他端側から、少なくともシリコンを含む第1の処理ガスとエッチング系の第2の処理ガスとを共に供給しつつ、一端側から排気する第2の工程とを少なくとも含み、第1の工程と第2の工程とを1回以上実施し、基板表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法を提供する。
また、本発明においては、より好適な形態として、表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の露出面とを備える基板を所定の間隔を設けて積み重ねた状態で基板保持体にて保持しつつ収容する処理室と、基板を加熱する加熱機構と、処理室内における基積み重ね方向の一端側から、少なくともシリコンを含む第1の処理ガスとエッチング系の第2の処理ガスとを共に供給する第1のガス供給部と、処理室内における基板の積み重ね方向の他端側から、少なくともシリコンを含む第1の処理ガスとエッチング系の第2の処理ガスとを共に供給する第2のガス供給部と、処理室内のガスを前記他端側から排出する第1のガス排出部と、処理室内のガスを前記一端側から排出する第2のガス排出部と、少なくとも第1のガス供給部から少なくともシリコンを含む第1の処理ガスとエッチング系の第2の処理ガスとを処理室内に供給しつつ第1のガス排出部から排出する第1の工程と、第2のガス供給部から少なくともシリコンを含む第1の処理ガスとエッチング系の第2の処理ガスとを処理室内に供給しつつ第2のガス排出部から排出する第2の工程とを、少なくとも1回以上実施するように加熱機構、第1のガス供給部、第2のガス供給部、第1のガス排出部及び第2のガス排出部を制御する制御部を備える基板処理装置を提供する。
本発明は半導体製造技術、例えば、MOSFETにおけるソース/ドレイン上への選択シリコンエピタキシャル成長するための製造技術として有用である。
301…処理室
302…第2のガス排気系
303…ボート
304…ウェハ
305…反応管
306、307…第1、第2のガス供給系
308…第1のガス排気系
309、310…第1、第2のガス供給管
311、312…第1、第2のガス排気管
313…上端プレート
314…回転機構
315…マニホールド
315a…シールキャップ
316…ヒータ。
302…第2のガス排気系
303…ボート
304…ウェハ
305…反応管
306、307…第1、第2のガス供給系
308…第1のガス排気系
309、310…第1、第2のガス供給管
311、312…第1、第2のガス排気管
313…上端プレート
314…回転機構
315…マニホールド
315a…シールキャップ
316…ヒータ。
Claims (2)
- 半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
基板を所定の間隔を設けて積み重ねた状態で基板保持体にて保持しつつ処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内における前記基板の積み重ね方向の一端側から、デポ系の第1の処理ガスとエッチング系の第2の処理ガスとを共に供給しつつ、前記基板の積み重ね方向の他端側から排気する第1の工程と、
前記処理室内における前記他端側から、前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスとを共に供給しつつ前記一端側から排気する第2の工程と、
を少なくとも含み、前記第1の工程と前記第2の工程とを1回以上実施し、前記基板表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板を所定の間隔を設けて積み重ねた状態で基板保持体にて保持しつつ収容する処理室と、
前記基板を加熱する加熱機構と、
前記処理室内における前記基板の積み重ね方向の一端側から、デポ系の第1の処理ガスとエッチング系の第2の処理ガスとを共に供給する第1のガス供給部と、
前記処理室内における前記基板の積み重ね方向の他端側から、前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスとを共に供給する第2のガス供給部と、
前記処理室内のガスを前記他端側から排出する第1のガス排出部と、
前記処理室内のガスを前記一端側から排出する第2のガス排出部と、
前記加熱機構、前記第1のガス供給部、前記第2のガス供給部、第1のガス排出部及び第2のガス排出部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記第1のガス供給部から前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスとを前記処理室内に供給しつつ前記第1のガス排出部から排出する第1の工程と、前記第2のガス供給部から前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスとを前記処理室内に供給しつつ前記第2のガス排出部から排出する第2の工程とを、少なくとも1回以上実施するよう制御することを特徴とする基板処理装置。
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WO2017037937A1 (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 株式会社日立国際電気 | 反応管、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
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