JP2011059279A - 空間光変調器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気光学効果により光の変調を制御する磁気光学型の空間光変調器10であって、空間光変調器10を構成する画素20が、光変調素子13を備え、光変調素子13は、画素20のサイズよりも小さく、かつ、光変調素子13の上面および下面が、それぞれ直径100nmの円の面積以上の面積を有し、光変調素子13は、光変調素子13に流れる電流の大きさにより、磁区の状態を単磁区状態または多磁区状態として、当該単磁区状態および多磁区状態を光の階調に割り当てることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
なお、単磁区状態とは、光変調素子に形成される磁区が1つのみ状態をいい、多磁区状態とは、光変調素子に形成される磁区が複数ある状態をいう。
このような空間光変調器の構成によれば、光変調素子が多磁区状態となりやすくなる。すなわち、光変調素子の磁区状態を、単磁区状態から多磁区状態へと、変移させやすくなる。
このような空間光変調器の構成によれば、開口率が向上し、また、割り当て可能な階調数が増加する。
このような空間光変調器の構成によれば、スピン注入磁化反転素子を用いることにより、高精細でしかも高速駆動が可能になる。
さらに、1画素に複数の光変調素子を用いることで、開口率を向上させることができ、また、割り当て可能な階調数の増加を図ることができる。
そして、画素が具備する光変調素子としてスピン注入磁化反転素子を用いることで、高速変調が可能となり、また、画素の微細化により高精細な映像や画像を表現することができるようになる。そして、これらにより、映像等の精密な階調表現が可能となる。
図1に本発明の一実施形態に係る空間光変調器を用いて構成された映像表示装置の概略構成図を示し、図2に図1に示した空間光変調器の構造を模式的に表した平面図を示す。映像表示装置1は、レーザ光源2と、スクリーン3と、偏光フィルタ4a,4bと、空間光変調器10とを備えている。空間光変調器10は、その駆動制御を行うための制御部18を備えている。
図1に示すように、空間光変調器10は、図示しない基板上に設けられた下部電極12と、下部電極12上に一定の間隔で設けられた光変調素子13と、光変調素子13上に設けられた上部電極11とを備えている。
下部電極12は、光変調素子13を駆動するための一対の電極のうちの一方であり、図2に示すように、短冊状の形状を有し、その幅方向に一定間隔で平行に配置されている。下部電極12は、例えば、Ta,Cr,Au,Pt,Al,Cu等の一般的な電極用金属材料で構成することができる。
上部電極11は、光変調素子13を駆動するための一対の電極のうちの他方であり、図2に示すように、短冊状の形状を有し、その幅方向に一定間隔で平行に、かつ、その長手方向が下部電極12の長手方向と直交するように、配設されている。上部電極11には、入射光が光変調素子13に効率よく到達できるように、酸化インジウム錫(Indium Tin Oxide;ITO)、酸化インジウム亜鉛(Indium Zinc Oxide;IZO)等の透明電極材料が用いられる。なお、空間光変調器を透過型とする場合には、下部電極12としても、透明電極材料を用いる。
空間光変調器10は、図2に示すように、一例として、4本の下部電極12と4本の上部電極11とをそれぞれ直交させた構造を有しており、図2の平面視における下部電極12と上部電極11とが交差する16カ所の領域部がそれぞれ、画素20となる。すなわち、空間光変調器10は、16個の画素20が、互いに直交する行方向(4行)と列方向(4列)とに一定間隔で配置された二次元マトリックスパターンで配置された構造を有しており、1つの画素20が、レーザ光源2から入射する光を変調して出射する1つのユニットとなっている。なお、後記するように、光変調素子13の上面および下面の平面視形状を、長方形、角のない長方形、楕円形等の形状とする場合、これらの形状に合わせて、下部電極12の幅と上部電極11の幅とに差を設け、画素20の形状が平面視で長方形となるようにしてもよい。
図3(a)に画素の構成を表した平面図を示し、図3(b)に図3(a)の矢視B−B断面図を示し、図3(c)に図3(a)の矢視C−C断面図を示す。ここで、画素20内の光変調素子13は、1つでもよいし、複数であってもよい。ここでは、1つの画素20内に、2つの光変調素子13a,13bを備えるものとする。なお、図3では、光変調素子13a,13bはそれぞれ、実質的に同じ形状および構造を有しており、ここでは平面視で長方形のものを例示している。
各画素20には、1組の光変調素子13a,13bが配設されており、1つの画素20において、光変調素子13a,13bは、上部電極11および下部電極12に対して並列接続された状態となっている(適宜、図1,2参照)。
固定層101は、強磁性材料からなり、磁化方向が所定方向(高さ方向と平行な方向(垂直な方向)の一方の向き)に固定されている。
固定層101には、例えば、遷移金属と希土類金属との磁性合金であるGd−FeやTe−Fe−CoやTb−Fe−Co等が好適に用いられる。また、これらにCo−Fe磁性合金を積層した積層構造としてもよい。Co−Fe磁性合金は、中間層102と固定層101界面におけるスピン偏極率を増大させるために用いるものであるが、必ずしも必要ではない。その他、例えば、遷移金属と非磁性金属の積層による人工格子多層膜であるCo/PtやCo/PdやFe/Pt等(左側から記載の材料から順に積層)、あるいは、ホイスラー合金(Co2FeSi、Cu2MnAl等)等の磁性合金を用いることもでき、これとIr−Mn等のスピン固着層とを組み合わせた積層構造としてもよい。
中間層102は、非磁性材料からなる非磁性層または絶縁材料からなる絶縁層であり、光変調素子13をCPP−GMR素子で構成する場合には、中間層102は非磁性層であり、TMR素子で構成する場合には、中間層102は絶縁層である。
光変調素子13がCPP−GMR素子である場合には、中間層102には、Au,Al,Cu,Cu合金等の非磁性金属または合金が好適に用いられる。このうちCuは電気抵抗が小さくバリア効果が高いので、特に好適に用いられる。光変調素子13がTMR素子である場合には、中間層102は、例えば、アルミナ(Al2O3)やマグネシア(MgO)等の絶縁材料から構成され、その厚さは、スピン偏極電子がトンネルできる程度の厚さである数nm以下とされる。
反転層103は、上部電極11と下部電極12との間に印加される電圧の向きに応じて(つまり、光変調素子13を流れる電流の向きに応じて)、注入される電子のスピンと反転層103内の電子スピンとの相互作用により反転層103内の磁化の向きが反転するものである。すなわち、反転層103は、固定層101によって弁別された偏極スピンによって自身の磁化の向きを反転させることができる。反転層103は、固定層101と同じ材料で構成することもできるが、スピン注入により容易に磁化方向が反転することができる材料であって、磁気光学カー効果の大きい材料(偏極率が比較的高い強磁性材料)を選択することが好ましい。なお、偏極率が低いほど磁化反転に必要な電流の値が大きくなるため、偏極率は50%以上であることが好ましい。反転層103としては、固定層101で示した材料の他、例えば、Co、Ni等を用いることができる。
光変調素子13は、画素20のサイズよりも小さく、かつ、光変調素子13の上面および下面が、それぞれ直径100nmの円の面積以上の面積を有する。適切なサイズは材料により異なるが、一般的に強磁性体薄膜は、その上下面の面積が、円とした場合に直径数十nm程度で単磁区状態(単磁区構造)となるため、光変調素子13を多磁区状態(多磁区構造)とするために、それよりも大きくて、画素サイズよりも小さい、上面および下面が、それぞれ直径100nmの円の面積以上の面積を有する大きさの任意形状とする。
光変調素子13の大きさをこのように規定することで、光変調素子13に流れる電流の大きさにより、1つの光変調素子13において、単独に、磁区の状態を単磁区状態または多磁区状態に制御することができる。なお、上下面の面積は、画素20のサイズ等を考慮し、それぞれ直径500nmの円の面積以下するのが好ましい。
すなわち、光変調素子13の上面の形状をおよび下面の形状を、それぞれ、長軸と短軸の長さで規定する。これにより、長軸(縦方向)と短軸(横方向)がともに所定の長さを有する大きさの光変調素子13とすることができる。なお、この場合、長軸は、画素20の長辺よりも短い長さとし、短軸は、画素20の短辺よりも短い長さとし、また、上下面それぞれの面積が、直径500nmの円の面積以下の面積となるような長さとするのが好ましい。例えば、長軸と短軸が、それぞれ400nm以下である。
なお、画素20のサイズは、一辺の長さが、110〜1000nm程度である。
すなわち、光変調素子13の上面の形状において、長軸(長手方向)と短軸(幅方向)の比において、短軸を1としたとき、長軸を1.2以上とする。光変調素子13の下面の形状についても同様である。このような形状とすることで、多磁区状態(多磁区構造)をとりやすくする。なお、より多磁区状態をとりやすくするため、長軸と短軸とのアスペクト比は、好ましくは、2以上、より好ましくは、2.5以上である。また、アスペクト比は、画素20のサイズ等を考慮し、5以下とするのが好ましい。なお、この場合も、長軸は、画素20の長辺よりも短い長さとし、短軸は、画素20の短辺よりも短い長さとする。
光変調素子13の形状としては、その上下面の形状(ここでは上面の形状を説明する)において、具体的には、図4(a)に示すような長方形(すなわち、光変調素子13の形状は、立方体ではない直方体)や、図4(b)に示すような角のない長方形や、図4(c)に示すような楕円形が挙げられる。また、図4(d)に示すように、長軸側の側面に、上面と下面とを貫くように、ノッチPが形成されていることが好ましい。このように、上面から下面まで、側面の一部が凹むように、ノッチPを形成することも、多磁区状態の制御には効果的であり、より多磁区状態をとりやすくなる。
ここで、画素20内に同一形状の複数の光変調素子13a,13bを配置してもよいが(図4(e))、反転特性を調整した複数の光変調素子13a,13bを配置してもよい(図4(f))。このように、形状の異なる2種類の光変調素子13a,13bを用いることにより、光の階調数をさらに増やすことができる。例えば、図4(f)に示すように、長方形のもの(13b)と、長方形で、かつ側面にノッチPを有するもの(13a)を配置した場合、所定条件下、どちらか一方の光変調素子13のみが多磁区状態をとることにより、1つの画素20で、階調数を4つにすることができる。さらに、両方の光変調素子13a,13bが異なる条件で多磁区状態をとることにより、1つの画素20で、階調数を5つにすることができる。なお、画素20内に複数の光変調素子13を配置する場合にも、複数の光変調素子13が画素20内に収まるように、光変調素子13のサイズを、画素20のサイズよりも小さくする。
次に、空間光変調器の製造方法の一例について説明する。
まず、例えば、シリコン(Si)、石英または石英ガラス(SiO2)、マグネシア(MgO)等の基板上に、下部電極12としての金属層(例えば、Cu等)を、蒸着法やスパッタリング法等により成膜する。次に、この金属層をフォトリソグラフィ法と、イオンビームミリングやドライエッチング法等によって、短冊状(図2参照)にパターニングし、その後、下部電極12間をSiO2等の絶縁材料で埋める。なお、この下部電極12の形成には、所謂、リフトオフ法を用いてもよい。
例えば、図5(a)〜(c)に示すように、光変調素子13の上下面の形状を長方形にする場合には、素子膜91上に配置されるレジスト90の上下面形状を長方形とし(図5(a))、このレジスト90のパターンにしたがって、露出面を下部電極12の上面の高さまでドライエッチングを行い(図5(b))、その後、絶縁体104の堆積、リフトオフ等を順次行えばよい(図5(c))。また、図5(d)〜(f)に示すように、光変調素子13の上下面の形状を楕円形にする場合には、レジスト90の上下面の形状を楕円形とし(図5(d))、このレジスト90のパターンにしたがって、ドライエッチングを行い(図5(e))、その後、絶縁体104の堆積、リフトオフ等を順次行えばよい(図5(f))。また、図5(g)〜(i)に示すように、光変調素子13を、側面にノッチPを有する形状にする場合には、ノッチPを形成したレジスト90を使用し(図5(g))、このレジスト90のパターンにしたがってドライエッチングを行い(図5(h))、その後、絶縁体104の堆積、リフトオフ等を順次行えばよい(図5(i))。
次に、図2を参照して、制御部について説明する。
制御部18は、4本の上部電極11から電流を流す上部電極を選択する上部電極選択部14と、4本の下部電極12から電流を流す下部電極を選択する下部電極選択部15と、上部電極選択部14および下部電極選択部15に電流を供給する電流源16と、上部電極選択部14、下部電極選択部15および電流源16を制御する電流制御手段17とを備えている。
図6に光変調素子による空間光変調の形態(空間光変調器の動作の形態)を模式的に表した説明図を示す。ここで、図6(a)は明状態を示し、図6(b)は暗状態を示している。「明状態」とは、光変調素子13からの反射光が偏光フィルタ4bを通過してスクリーン3に照射される状態をいい、このとき「光変調素子13が明状態にある」ということとする。また、「暗状態」とは、光変調素子13からの反射光が偏光フィルタ4bによって遮光されて、スクリーン3に照射されない状態をいい、このとき「光変調素子13が暗状態にある」ということとする。
また、後記するように、電流の大きさを大きくすることでも、反転層103の磁化方向を反転させることができる。
次に、光変調素子の磁区状態の変移について、図8を参照して説明する。
図8(a)〜(c)に、光変調素子の磁化の回転を説明するための説明図を示す。
前記したように、初期状態で、反転層103の磁化方向が、固定層101の磁化方向と同じ方向(平行:Parallel)(上向きの方向)であるときに、逆方向のスピンを持つ電子を注入することにより、すなわち電流を下部電極12から光変調素子13を通って上部電極11へ供給することにより、反転層103の磁化方向を反転(スピン注入磁化反転)させて、反転層103の磁化方向を、180°異なる方向(反平行:Anti−Parallel)にすることができる(図6(b))。一方、初期状態で、固定層101と反転層103の磁化方向が反平行であるときに、電流を上部電極11から光変調素子13を通って下部電極12へ供給することにより、反転層103の磁化方向を反転(スピン注入磁化反転)させて、反転層103の磁化方向を、固定層101の磁化と平行にすることができる(図6(a))。
また、電流の大きさを大きくすることにより、反転層103の磁化方向を、固定層101の磁化方向と平行または反平行にすることができる。
なお、このような磁区の数は、アスペクト比を大きくするか、ノッチの数を増やすことにより、増加させることができる。
固定層は、Tb−Fe−Co(10nm)/Co−Fe(1nm)(左側から記載の材料から順に積層)とし、中間層は、Cu(6nm)とした。反転層は、Co(0.2nm)/Ni(0.6nm)(左側から記載の材料から順に積層)を4組積層し、その上に、さらに、Gd−Fe(7nm)を積層した。光変調素子の形状は、上下面を、それぞれ100nm×280nmの長方形とした直方体とした。
なお、素子抵抗変化率は、反転層の磁化状態を反映するものであり、カー楕円率は、磁気光学型の光変調素子において、光の変調度(明るさ)に比例的に相関するパラメータである。
図9(a)に示すように、MR比においては、明瞭な2段階の遷移を示している。これは、反転層の磁化方向が固定層の磁化方向と反平行な状態、反転層の磁化の一部が反転している状態、反転層の磁化の全てが反転して、固定層の磁化方向と平行な状態が、パルス電流により制御されていることを示している。また、図9(b)に示すように、カー楕円率の変化は、パルス電流により素子抵抗変化と同様に変化しており、多磁区状態の制御により、光の階調表示を行うことが可能であることを示している。
2 レーザ光源
3 スクリーン
4a,4b 偏光フィルタ
10 空間光変調器
11 上部電極
12 下部電極
13(13a,13b) 光変調素子
14 上部電極選択部
15 下部電極選択部
16 電流源
17 電流制御手段
18 制御部
20 画素
90 レジスト
91 素子膜
92 基板
101 固定層
102 中間層
103 反転層
104 絶縁体(封止材)
P ノッチ
Claims (6)
- 磁気光学効果により光の変調を制御する磁気光学型の空間光変調器であって、
前記空間光変調器を構成する画素が、光変調素子を備え、
前記光変調素子は、前記画素のサイズよりも小さく、かつ、前記光変調素子の上面および下面が、それぞれ直径100nmの円の面積以上の面積を有し、
前記光変調素子は、当該光変調素子に流れる電流の大きさにより、磁区の状態を単磁区状態または多磁区状態として、当該単磁区状態および多磁区状態を光の階調に割り当てることを特徴とする空間光変調器。 - 前記光変調素子は、前記上面および下面のそれぞれの形状において、長軸と短軸が、それぞれ100nm以上であることを特徴とする請求項1に記載の空間光変調器。
- 前記光変調素子は、前記上面および下面のそれぞれの形状において、長軸と短軸とのアスペクト比が、それぞれ1.2以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の空間光変調器。
- 前記光変調素子は、前記長軸側の側面に、前記上面と下面とを貫くように、ノッチが形成されていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の空間光変調器。
- 前記画素内に、複数の光変調素子を備えることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の空間光変調器。
- 前記光変調素子は、スピン注入磁化反転素子であることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の空間光変調器。
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