JP2011055144A - カスコード回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】カスコード回路の両FET(または両バイポーラトランジスタ)の接続部にバイアス電圧を印加することで、ソース接地FETにおけるゲートバイアス電圧(またはエミッタ接地バイポーラトランジスタにおけるベースバイアス電圧)と、RFゲート接地FETにおけるドレーンバイアス電圧(またはベース接地バイポーラトランジスタにおけるコレクタバイアス電圧)とを、独立に設定できる。特に、これらのバイアス電圧を、ソース接地FET(またはエミッタ接地バイポーラトランジスタ)がB級動作ないし深いAB級動作をし、かつ、交流ゲート接地FET(または交流ベース接地バイポーラトランジスタ)が浅いAB級動作ないしA級動作をする組み合わせに設定する。
【選択図】図3
Description
VD2=VDD−VD1
の関係が成り立つ。
図3は、本発明の第1の実施形態におけるカスコード回路の構成を示す図である。このカスコード回路は、信号入力部INと、ソース接地FET21と、交流ゲート接地FET22と、FET21のゲートバイアス部23と、FET22のドレーンバイアス部27と、FET22のゲートバイアス部25と、FET22の交流接地用キャパシタ24と、信号出力部OUTと、接続点バイアス部31とを具備する。ソース接地FET21は本発明の第1のFETに対応し、交流ゲート接地FET22は本発明の第2のFETに対応する。また、バイアス部23、バイアス部27及びバイアス部25は、本発明の第1のバイアス部、第2のバイアス部及び第3のバイアス部に対応する。
VD1=VDS
VD2=VDD−VDS
の関係が成り立つ。
図4は、本発明の第2の実施形態におけるカスコード回路の構成を示す図である。このカスコード回路は、信号入力部INと、エミッタ接地バイポーラトランジスタ41と、ベース接地バイポーラトランジスタ42と、トランジスタ41のベースバイアス部43と、トランジスタ42のコレクタバイアス部47と、トランジスタ42のベースバイアス部45と、トランジスタ42の交流接地用キャパシタ44と、信号出力部OUTと、接続点バイアス部51とを具備する。
VC1=VCE
VC2=VCC−VCE
の関係が成り立つ。
図7は、本発明の第3の実施形態おけるカスコード回路の構成を示す図である。本実施形態おけるカスコード回路は、本発明の第1の実施形態おけるカスコード回路に直流遮断・RF短絡用容量57およびインダクタンス成分の回路素子58を追加したものに等しい。
2 交流ゲート接地FET
3 FET1のゲートバイアス部
4 FET2の交流接地用キャパシタ
5 FET2のゲートバイアス部
6 FET2のドレーン電極
7 FET2のドレーンバイアス部
8 FET1のドレーン電極
9 FET2のソース電極
10 ドレーン電流ID−ドレーン電圧VD特性
11 ドレーンソース間電圧特性VDS
12 交点、直流動作点
21 ソース接地FET
22 交流ゲート接地FET
23 FET21のゲートバイアス部
23a 接続用端部
23b バイアス電源接続用端部
23c インダクタンス
23d キャパシタ
24 FET22の交流接地用キャパシタ
25 FET22のゲートバイアス部
26 FET22のドレーン電極
27 FET22のドレーンバイアス部
27a 接続用端部
27b バイアス電源接続用端部
27c インダクタンス
27d キャパシタ
28 FET21のドレーン電極
29 FET22のソース電極
30 接続点
31 接続点バイアス部
31a 接続用端部
31b バイアス電源接続用端部
31c インダクタンス
31d キャパシタ
41 エミッタ接地バイポーラトランジスタ
42 交流ベース接地バイポーラトランジスタ
43 トランジスタ41のベースバイアス部
43a 接続用端部
43b バイアス電源接続用端部
43c インダクタンス
43d キャパシタ
44 トランジスタ42の交流接地用キャパシタ
45 トランジスタ42のベースバイアス部
46 トランジスタ42のコレクタ電極
47 トランジスタ42のコレクタバイアス部
47a 接続用端部
47b バイアス電源接続用端部
47c インダクタンス
47d キャパシタ
48 トランジスタ41のコレクタ電極
49 トランジスタ42のエミッタ電極
50 接続点
51 接続点バイアス部
51a 接続用端部
51b バイアス電源接続用端部
51c インダクタンス
51d キャパシタ
52 振幅偏移特性
53 振幅偏移特性
54 位相偏移特性
55 位相偏移特性
57 直流遮断・RF短絡用容量
58 インダクタンス成分の回路素子
Claims (7)
- 信号入力部と、
前記信号入力部にゲートが接続されて、かつ、ソース接地された、第1のFETと、
前記第1のFETにおけるドレーンにソースが接続されて、かつ、交流でゲート接地された、第2のFETと、
前記第1のFETにおけるゲートに第1のバイアス電圧を印加する第1のバイアス部と、
前記第2のFETにおけるゲートに第2のバイアス電圧を印加する第2のバイアス部と、
前記第2のFETにおけるドレーンに第3のバイアス電圧を印加する第3のバイアス部と、
前記第1のFETにおけるドレーンと、前記第2のFETにおけるソースとの接続点に第4のバイアス電圧を印加する第4のバイアス部と、
前記第2のFETにおけるドレーンに接続された信号出力部と
を具備する
カスコード回路。 - 請求項1に記載のカスコード回路において、
前記第1〜第4のバイアス電圧は、前記第1のFETがB級ないしAB級動作をし、かつ、前記第2のFETがAB級動作ないしA級動作をする組み合わせに設定されている
カスコード回路。 - 請求項1または2に記載のカスコード回路において、
前記第1〜第4のバイアス電圧が、前記第1のFETにおける三次相互コンダクタンスと、前記第2のFETにおける三次相互コンダクタンスとが、お互いに逆符号になるように設定されている
カスコード回路。 - 信号入力部と、
前記信号入力部にベースが接続されて、かつ、エミッタ接地された、第1のバイポーラトランジスタと、
前記第1のバイポーラトランジスタにおけるコレクタにエミッタが接続されて、かつ、交流ベース接地された、第2のバイポーラトランジスタと、
前記第1のバイポーラトランジスタにおけるベースに第1のバイアス電圧を印加する第1のバイアス部と、
前記第2のバイポーラトランジスタにおけるベースに第2のバイアス電圧を印加する第2のバイアス部と、
前記第2のバイポーラトランジスタにおけるコレクタに第3のバイアス電圧を印加する第3のバイアス部と、
前記第1のバイポーラトランジスタにおけるコレクタと、前記第2のバイポーラトランジスタにおけるエミッタとの接続点に第4のバイアス電圧を印加する第4のバイアス部と、
前記第2のバイポーラトランジスタにおけるコレクタに接続された信号出力部と
を具備する
カスコード回路。 - 請求項4に記載のカスコード回路において、
前記第1〜第4のバイアス電圧は、前記第1のバイポーラトランジスタがB級ないしAB級動作をし、かつ、前記第2のバイポーラトランジスタがAB級動作ないしA級動作をする組み合わせに設定されている
カスコード回路。 - 請求項4または5に記載のカスコード回路において、
前記第1〜第4のバイアス電圧が、前記第1のバイポーラトランジスタにおける三次相互コンダクタンスと、前記第2のバイポーラトランジスタにおける三次相互コンダクタンスとが、お互いに逆符号になるように設定されている
カスコード回路。 - 請求項1〜6のいずれかに記載のカスコード回路において、
前記接続点に接続されて、前記接続点における容量成分を打ち消すインダクタンス成分の回路素子
をさらに具備する
カスコード回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009200788A JP2011055144A (ja) | 2009-08-31 | 2009-08-31 | カスコード回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009200788A JP2011055144A (ja) | 2009-08-31 | 2009-08-31 | カスコード回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011055144A true JP2011055144A (ja) | 2011-03-17 |
Family
ID=43943730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009200788A Pending JP2011055144A (ja) | 2009-08-31 | 2009-08-31 | カスコード回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011055144A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015231123A (ja) * | 2014-06-04 | 2015-12-21 | 富士通株式会社 | 無線装置 |
CN110708024A (zh) * | 2018-07-10 | 2020-01-17 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 高耐压的双叠接放大器 |
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Citations (2)
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-
2009
- 2009-08-31 JP JP2009200788A patent/JP2011055144A/ja active Pending
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