KR101133416B1 - 캐스코드 증폭기용 피드백 바이어싱을 이용한 전력 전송 시스템 - Google Patents
캐스코드 증폭기용 피드백 바이어싱을 이용한 전력 전송 시스템 Download PDFInfo
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- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 12
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 15
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
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- H03F—AMPLIFIERS
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 일실시형태에 따른 공통 게이트 트랜지스터의 기생 캐패시턴스를 도시한 캐스코드 증폭 시스템의 회로도.
도 3은 본 발명의 일실시형태에 따른 캐스코드 증폭기용 피드백 바이어싱을 사용한 전력 전송 시스템의 회로도.
도 4는 본 발명의 일실시형태에 따른 피드백 네트워크의 회로도.
103: 전력 증폭기 스테이지 104, 316: 피드백 네트워크
200: 캐스코드 증폭 시스템 202: 공통 소스 트랜지스터
207: 공통 게이트 트랜지스터 302, 306, 318, 319: 트랜지스터
313: 입력 매칭 블록 314: 중간 매칭 네트워크
315: 출력 매칭 블록 211, 350, 352: RF 초크
Claims (20)
- 제1 캐스코드 구조로 연결된 적어도 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 갖는 제1 증폭기 스테이지;
제2 캐스코드 구조로 연결된 적어도 제3 트랜지스터 및 제4 트랜지스터를 갖는 제2 증폭기 스테이지;
상기 제4 트랜지스터의 제1 게이트 또는 베이스를 상기 제2 트랜지스터의 제2 게이트 또는 베이스에 연결하며, 적어도 두 개의 캐패시터 및 하나의 인덕터를 포함하는 피드백 네트워크를 포함하며,
상기 제1 트랜지스터는 시스템 입력을 수신하고, 상기 제2 트랜지스터는 상기 제3 트랜지스터와 연결되며, 상기 제4 트랜지스터는 시스템 출력을 제공하는 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 적어도 두 개의 캐패시터는 제1 캐패시터 및 제2 캐패시터를 포함하고 상기 제1 캐패시터, 제2 캐패시터 및 인덕터는 각각 제1 단 및 제2 단을 가지며,
상기 제1 캐패시터의 제1 단은 상기 제4 트랜지스터의 제1 게이트 또는 베이스에 연결되고, 상기 제1 캐패시터의 제2 단은 상기 제2 캐패시터의 제1 단 및 상기 인덕터의 제1 단이 공통으로 연결된 노드에 연결되며,
상기 제2 캐패시터의 제2 단은 상기 제2 트랜지스터의 제2 게이트 또는 베이스에 연결되며,
상기 인덕터의 제2 단은 접지에 연결된 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 피드백 네트워크는 피드백 신호를 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 게이트 또는 베이스에 제공하도록 동작하며,
상기 피드백 신호는 상기 제4 트랜지스터의 상기 제1 게이트 또는 베이스에 형성된 적어도 하나의 기생 신호에 기초하는 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 제4항에 있어서,
상기 적어도 하나의 기생 신호는, 상기 제4 트랜지스터에 대한 드레인-게이트 캐패시턴스 또는 게이트-소스 캐패시턴스 중 적어도 하나에 기초한 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 제4항에 있어서,
상기 피드백 네트워크는, 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 게이트 또는 베이스 및 상기 제4 트랜지스터의 상기 제1 게이트 또는 베이스에 대한 교류 접지를 제공하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터는 각각 게이트, 소스 및 드레인을 갖는 전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 각각 베이스, 에미터 및 콜렉터를 갖는 양극형 접합 트랜지스터(BJT)인 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 제 트랜지스터 및 상기 제3 트랜지스터는 공통 소스 증폭기 또는 공통 에미터 증폭기이며, 상기 제2 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터는 공통 게이트 증폭기 또는 공통 베이스 증폭기인 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 제1 트랜지스터는 제4 게이트 또는 베이스 및 제1 드레인 또는 콜렉터를 포함하고, 상기 제2 트랜지스터는 제2 소스 또는 에미터 및 제2 드레인 및 콜렉터를 포함하고, 상기 제3 트랜지스터는 제3 게이트 또는 베이스 및 제3 드레인 또는 콜렉터를 포함하며, 상기 제4 트랜지스터는 제4 소스 또는 에미터 및 제4 드레인 또는 콜렉터를 포함하며,
상기 제4 게이트 또는 베이스는 상기 시스템 입력을 수신하고, 상기 제1 드레인 또는 콜렉터는 상기 제2 소스 또는 에미터에 연결되고, 상기 제2 드레인 또는 콜렉터는 상기 제3 게이트 또는 베이스에 연결되고, 상기 제3 드레인 또는 콜렉터는 상기 제4 소스 또는 에미터에 연결되며, 상기 제4 드레인 또는 콜렉터는 상기 시스템 출력을 제공하는 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 제9항에 있어서,
상기 제2 드레인 또는 콜렉터를 상기 제3 게이트 또는 베이스에 연결하는 중간 매칭 네트워크;
상기 시스템 입력을 상기 제4 게이트 또는 베이스에 제공하는 입력 매칭 네트워크; 및
상기 제4 드레인 또는 콜렉터로부터 상기 시스템 출력을 수신하는 출력 매칭 네트워크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 제9항에 있어서,
상기 제1 트랜지스터는 접지에 연결된 제1 소스 또는 에미터를 포함하며,
상기 제2 드레인 또는 콜렉터는 직류 전력 공급원에 더 연결되며,
상기 제3 트랜지스터는 접지에 연결된 제3 소스 또는 에미터를 포함하며,
상기 제4 드레인 또는 콜렉터는 상기 직류 전력 공급원에 더 연결되는 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 제1 증폭기 스테이지는 드라이버 증폭기 스테이지이며, 상기 제2 증폭기 스테이지는 전력 증폭기 스테이지인 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 제1 캐스코드 구조로 연결된 적어도 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 갖는 제1 증폭기 스테이지;
제2 캐스코드 구조로 연결된 적어도 제3 트랜지스터 및 제4 트랜지스터를 갖는 제2 증폭기 스테이지;
상기 제4 트랜지스터의 제1 게이트 또는 베이스로부터 상기 제2 트랜지스터의 제2 게이트 또는 베이스로 적어도 하나의 기생 신호를 피드백 신호로서 제공하고, 상기 제2 트랜지스터의 제2 게이트 또는 베이스 및 상기 제4 트랜지스터의 상기 제1 게이트 또는 베이스에 대한 교류 접지를 제공하도록 동작하는 피드백 수단을 포함하며,
상기 제1 트랜지스터는 시스템 입력을 수신하고, 상기 제2 트랜지스터는 상기 제3 트랜지스터와 연결되며, 상기 제4 트랜지스터는 시스템 출력을 제공하는 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 제13항에 있어서,
상기 적어도 하나의 기생 신호는, 상기 제4 트랜지스터에 대한 드레인-게이트 캐패시턴스 또는 게이트-소스 캐패시턴스 중 적어도 하나에 기초한 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 삭제
- 제13항에 있어서,
상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터는 각각 게이트, 소스 및 드레인을 갖는 전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 각각 베이스, 에미터 및 콜렉터를 갖는 양극형 접합 트랜지스터(BJT)인 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 제13항에 있어서,
상기 제 트랜지스터 및 상기 제3 트랜지스터는 공통 소스 증폭기 또는 공통 에미터 증폭기이며, 상기 제2 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터는 공통 게이트 증폭기 또는 공통 베이스 증폭기인 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 제13항에 있어서,
상기 제1 트랜지스터는 제4 게이트 또는 베이스 및 제1 드레인 또는 콜렉터를 포함하고, 상기 제2 트랜지스터는 제2 소스 또는 에미터 및 제2 드레인 및 콜렉터를 포함하고, 상기 제3 트랜지스터는 제3 게이트 또는 베이스 및 제3 드레인 또는 콜렉터를 포함하며, 상기 제4 트랜지스터는 제4 소스 또는 에미터 및 제4 드레인 또는 콜렉터를 포함하며,
상기 제4 게이트 또는 베이스는 상기 시스템 입력을 수신하고, 상기 제1 드레인 또는 콜렉터는 상기 제2 소스 또는 에미터에 연결되고, 상기 제2 드레인 또는 콜렉터는 상기 제3 게이트 또는 베이스에 연결되고, 상기 제3 드레인 또는 콜렉터는 상기 제4 소스 또는 에미터에 연결되며, 상기 제4 드레인 또는 콜렉터는 상기 시스템 출력을 제공하는 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 제2 드레인 또는 콜렉터를 상기 제3 게이트 또는 베이스에 연결하는 중간 매칭 네트워크;
상기 시스템 입력을 상기 제4 게이트 또는 베이스에 제공하는 입력 매칭 네트워크; 및
상기 제4 드레인 또는 콜렉터로부터 상기 시스템 출력을 수신하는 출력 매칭 네트워크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 제1 트랜지스터는 접지에 연결된 제1 소스 또는 에미터를 포함하며,
상기 제2 드레인 또는 콜렉터는 직류 전력 공급원에 더 연결되며,
상기 제3 트랜지스터는 접지에 연결된 제3 소스 또는 에미터를 포함하며,
상기 제4 드레인 또는 콜렉터는 상기 직류 전력 공급원에 더 연결되는 것을 특징으로 하는 전력 전송 시스템.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/641,052 US7944311B1 (en) | 2009-12-17 | 2009-12-17 | Feedback biasing for cascode amplifiers |
US12/641,052 | 2009-12-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110069685A KR20110069685A (ko) | 2011-06-23 |
KR101133416B1 true KR101133416B1 (ko) | 2012-04-09 |
Family
ID=43981569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100064960A KR101133416B1 (ko) | 2009-12-17 | 2010-07-06 | 캐스코드 증폭기용 피드백 바이어싱을 이용한 전력 전송 시스템 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7944311B1 (ko) |
KR (1) | KR101133416B1 (ko) |
CN (1) | CN102130658B (ko) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8279008B2 (en) * | 2010-08-06 | 2012-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMOS millimeter-wave variable-gain low-noise amplifier |
CN102594269A (zh) * | 2012-02-10 | 2012-07-18 | 无锡木港科技有限公司 | 用于手机的射频功率放大器 |
KR101338015B1 (ko) | 2012-07-27 | 2013-12-09 | 숭실대학교산학협력단 | 스택 구조를 가지는 전력 증폭기 |
CN103023440B (zh) * | 2012-12-20 | 2015-10-07 | 中国科学院微电子研究所 | 一种提高功率放大器线性度的电路 |
CN103595357A (zh) * | 2013-10-17 | 2014-02-19 | 天津大学 | 一种0.1~1.2GHz的CMOS超宽带射频功率放大器 |
CN104821793B (zh) * | 2014-02-04 | 2019-06-07 | 马维尔国际有限公司 | 信号放大器、电子装置及其形成方法 |
DE102014118684A1 (de) * | 2014-12-15 | 2016-06-30 | Intel IP Corporation | Verstärkerschaltung, Radiofrequenz-Empfänger und mobile Telekommunikationsvorrichtung |
CN105515540B (zh) * | 2016-01-26 | 2019-01-25 | 广东工业大学 | 一种基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器 |
CN107453713B (zh) * | 2017-07-12 | 2021-01-26 | 杭州电子科技大学 | 一种改善栅源寄生效应的功率放大器 |
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2002261551A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Mobile Communications Tokyo Inc | バイアス制御回路 |
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-
2009
- 2009-12-17 US US12/641,052 patent/US7944311B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-07-06 KR KR1020100064960A patent/KR101133416B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-17 CN CN201010600890.1A patent/CN102130658B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100648380B1 (ko) * | 2005-12-12 | 2006-11-24 | 한국전자통신연구원 | 가변 이득 증폭기 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102130658B (zh) | 2014-06-25 |
CN102130658A (zh) | 2011-07-20 |
US7944311B1 (en) | 2011-05-17 |
KR20110069685A (ko) | 2011-06-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150202 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160111 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170102 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180102 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190103 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200102 Year of fee payment: 9 |