CN105515540B - 一种基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器 - Google Patents
一种基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105515540B CN105515540B CN201610053833.3A CN201610053833A CN105515540B CN 105515540 B CN105515540 B CN 105515540B CN 201610053833 A CN201610053833 A CN 201610053833A CN 105515540 B CN105515540 B CN 105515540B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit
- transistor
- radio
- biasing circuit
- grid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3205—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in field-effect transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
- H03F1/523—Circuit arrangements for protecting such amplifiers for amplifiers using field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器,包括输入匹配电路,输出宽带匹配电路,偏置电路A,偏置电路B,以及至少由两个晶体管漏极源极相连堆叠起来的功率放大电路;信号源通过输入匹配电路连接功率放大电路的最底层的晶体管的栅极,偏置电路B也连接此栅极;偏置电路A连接功率放大电路的其余晶体管的栅极;所述其余晶体管的栅极和源极之间连接有反馈电容;最上层的晶体管的漏极通过输出宽带匹配电路连接负载。本发明的电路结构提高了射频功率放大器的线性度和耐压能力,同时还能提高射频功率放大器的输出电压摆幅、工作带宽、功率效率、功率增益和最大输出功率,并有着较好的二次谐波抑制效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种功率放大器,尤其涉及一种射频功率放大器。
背景技术
射频功率放大器是现代无线通信系统的重要组成部分,能将功率很小的射频信号无失真地进行功率放大,进而通过天线辐射出去。
随着便携式设备的功能模块和现代通信系统的调制方式越来越复杂,如为满足不同用户的使用需要,无线手机一般都支持两种或两种以上的网络制式,且为了满足用户的大数据要求,现代通信系统采用诸如QPSK等调制方式,这要求应用于新一代通信系统的功率放大器必须有着较高的功率效率、线性度与带宽。
另外,随着便携式设备的功能模块越来越复杂,将各个功能模块集成在一块芯片上,将大大缩短设备制造商的量产和加工时间,并减少在流片方面的资金消耗,因此,如何减小芯片的有效面积和用廉价的工艺在单一芯片上实现整个射频模组具有重要的研究意义。
由于硅工艺是最为成熟的,也是成本最低、集成度最高且与多数无线收发机的基带处理部分工艺相兼容,因此,硅CMOS工艺是单片实现各个模块集成的理想方案,不过CMOS工艺自身存在着物理缺陷,如低击穿电压和较差的电流能力等。工作于低电压的功率放大器,需要通过减小负载阻值进而增大电流的方法来提高输出功率,然后,这种方法使输出匹配电路的设计变得异常困难。
在中国专利201510150849.1中,通过采用共源共栅结构的射频功率放大器结构来提升功率级的耐压能力,然而共源共栅结构的第二个晶体管的栅极因去耦电容在交流时呈接地状态。随着输入信号功率的增大,输出的电压信号也随着变大,从而会使该结构最上层的晶体管最先出现击穿问题。另外,由于共源共栅结构中的两个晶体管的输出阻抗并不是最佳阻抗,所以输出功率较小。
发明内容
在中国专利201510150849.1中,射频功率放大器采用共源共栅结构,该结构能提高射频功率放大器的耐压能力。然而,这种结构由于堆叠在最底下的晶体管上面的晶体管的栅极的去耦电容的作用,晶体管的栅极在交流时呈接地状态,因此会导致该结构中最上层的晶体管最先出现击穿而最底下面的晶体管最先出现进入线性区的情况;另外,该结构不能很好地保证每个晶体管的输出阻抗都为最佳阻抗,因此,该结构输出功率相对下降。本发明的的目的在于克服以上现有技术的缺点,而提供一种基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器。
本发明的具体技术方案为:
一种基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器,该射频功率放大器包括输入匹配电路,输出宽带匹配电路,偏置电路A,偏置电路B,以及至少由两个晶体管漏极源极相连堆叠起来的功率放大电路;其中,射频信号源通过所述输入匹配电路连接所述功率放大电路的最底层的晶体管的栅极,所述偏置电路B连接所述最底层晶体管的栅极;所述偏置电路A连接所述功率放大电路的除所述最底层晶体管的其余晶体管的栅极;所述其余晶体管的栅极和源极之间连接有反馈电容;所述功率放大电路最上层的晶体管的漏极通过所述输出宽带匹配电路连接负载。本技术方案分别采用分离的偏置电路A,B对各晶体管进行偏置,其中偏置电路B为堆叠在最下层的晶体管提供合适的静态工作点,而偏置电路A为其余堆叠的晶体管提供合适的静态工作点。输入匹配电路将功率放大电路的晶体管的阻抗转换成信号源的源阻抗,完成共扼匹配,从而获得最大的射频功率增益。为了使每个晶体管都能够输出最大功率,在每个堆叠的晶体管的栅极与源极相连,从而提供一个合适的交流阻抗,使每个晶体管的输出电压同相等幅叠加,使从每个晶体管的漏往负载方向看过去的阻抗为最优阻抗;信号从最上层的晶体管的漏极输出,且经过输出宽带匹配电路,传输到负载端。宽带匹配电路将负载阻抗转换成能使射频功率放大器输出最大功率时的最优阻抗。
优选地,所述偏置电路A和偏置电路B由一个整合的偏置电路代替。
优选地,所述最底层晶体管的源极直接接地。
优选地,所述偏置电路B为电阻与晶体管组成的偏置电路,偏置电路A为电阻分压式偏置电路。偏置电路B为电阻与晶体管组成的偏置电路,精度高且占芯面积小;偏置电路A为电阻分压式偏置,这种偏置方式不仅有着良好的温度抑制系数,且易于集成。
优选地,所述功率放大电路中堆叠的晶体管的偏置电压不等分,最上层晶体管的偏置电压最低,最下层晶体管的偏置电压最高,其余晶体管的偏置电压介于两者之间,使功率放大电路输出高功率时,各个晶体管的直流电压汇集于一点,从而使各个晶体管在高输出功率时有着一致的静态情况,进而增强了功率放大电路的输出功率和线性度。
优选地,所述输出宽带匹配电路中设有二次谐波抑制电路;并可以结合扼流电感与功率放大电路输出级的输出电容,更好地实现二次谐波短路,三次谐波开路,从而大大提高了射频功率放大器的效率。
优选地,电源经滤波电路连接到所述功率放大电路的最上层的晶体管的漏极。
优选地,所述滤波电路由滤波电容和扼流电感组成。
优选地,所述滤波电路由低频滤波电容、高频滤波电容和扼流电感组成。
本发明的有益效果:本发明的电路结构不仅提高了射频功率放大器的耐压能力,而且使每个堆叠的晶体管的负载都为最佳阻抗,从而提高了射频功率放大器的功率输出能力。另外,本发明通过在堆叠的晶体管的栅极源极之前加载反馈电容,提供一个正反馈电路,并相应的提供合适的偏置,从而使每个晶体管在输出高功率时有着相同的静态工作点,从而提高了射频功率放大器整体的线性度。本发明还能提高射频功率放大器的输出电压摆幅、工作带宽、功率效率、功率增益和最大输出功率,并有着较好的二次谐波抑制效果。
附图说明
图1是实施例的射频功率放大器电路图。
图中虚线方框所圈起的部分为功率放大电路部分。
具体实施方式
本发明的一个较佳实施例,一种基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器,该射频功率放大器包括输入匹配电路,输出宽带匹配电路,偏置电路A,偏置电路B,以及至少由两个晶体管漏极源极相连堆叠起来的功率放大电路;其中,射频信号源RFin通过所述输入匹配电路连接所述功率放大电路的最底层的晶体管M1的栅极,所述偏置电路B连接所述最底层晶体管M1的栅极;所述偏置电路A连接所述功率放大电路的除所述最底层晶体管的其余晶体管的栅极,即晶体管M2至Mn;所述其余晶体管的栅极和源极之间连接有反馈电容,即电容C1至Cn;所述最底层晶体管M1的源极直接接地;所述功率放大电路的最上层的晶体管Mn的漏极与所述输出宽带匹配电路和负载RL顺序连接。电源VDD经滤波电路连接到所述功率放大电路的最上层的晶体管Mn的漏极;所述滤波电路由低频滤波电容Cp1、高频滤波电容Cp2和扼流电感Lc组成。所述偏置电路B为电阻与晶体管组成的偏置电路,偏置电路A为电阻分压式偏置电路,偏置电压不等分,最上层晶体管的偏置电压最低,最下层晶体管的偏置电压最高,其余晶体管的偏置电压介于两者之间。
该电路结构不仅提高了射频功率放大器的耐压能力,而且通过非等分方式的偏置方法,并通过结合在每个堆叠的晶体管的栅极与源极连接正反馈电容,从而提供一个合适的交流阻抗,使每个堆叠的晶体管的负载都为最佳阻抗,从而提高射频功率放大器的功率输出能力,而使每个晶体管在输出高功率时有着相同的静态工作点,从而提高了射频功率放大器整体的线性度。
Claims (4)
1.一种基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器,其特征在于:该射频功率放大器包括输入匹配电路,输出宽带匹配电路,偏置电路A,偏置电路B,以及至少由两个晶体管漏极源极相连堆叠起来的功率放大电路;其中,射频信号源通过所述输入匹配电路连接所述功率放大电路的最底层的晶体管的栅极,所述偏置电路B连接所述最底层晶体管的栅极;所述偏置电路A连接所述功率放大电路的除所述最底层晶体管的其余晶体管的栅极;所述其余晶体管的栅极和源极之间连接有反馈电容;所述功率放大电路最上层的晶体管的漏极通过所述输出宽带匹配电路连接负载;电源经滤波电路连接到所述功率放大电路的最上层的晶体管的漏极;所述滤波电路由滤波电容和扼流电感组成;所述滤波电路由低频滤波电容、高频滤波电容和扼流电感组成;
所述偏置电路B为电阻与晶体管组成的偏置电路,偏置电路A为电阻分压式偏置电路。
2.根据权利要求1所述的基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器,其特征在于:所述偏置电路A和偏置电路B由一个整合的偏置电路代替。
3.根据权利要求1所述的基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器,其特征在于:所述最底层晶体管的源极直接接地。
4.根据权利要求1所述的基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器,其特征在于:所述输出宽带匹配电路中设有二次谐波抑制电路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610053833.3A CN105515540B (zh) | 2016-01-26 | 2016-01-26 | 一种基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610053833.3A CN105515540B (zh) | 2016-01-26 | 2016-01-26 | 一种基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105515540A CN105515540A (zh) | 2016-04-20 |
CN105515540B true CN105515540B (zh) | 2019-01-25 |
Family
ID=55723264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610053833.3A Expired - Fee Related CN105515540B (zh) | 2016-01-26 | 2016-01-26 | 一种基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105515540B (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106160673B (zh) * | 2016-06-30 | 2021-03-30 | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 | 谐波抑制方法及相应的低噪声放大器、通信终端 |
CN108322194A (zh) * | 2017-01-16 | 2018-07-24 | 天津大学(青岛)海洋工程研究院有限公司 | 一种基于电流复用技术的高输出功率高增益的功率放大器 |
CN108322190A (zh) * | 2017-01-16 | 2018-07-24 | 天津大学(青岛)海洋工程研究院有限公司 | 一种高输出功率高效率的功率放大器 |
CN108768308B (zh) * | 2018-05-16 | 2020-06-12 | 清华大学 | 基于晶体管堆叠结构的非对称Doherty功率放大器 |
CN110708024A (zh) * | 2018-07-10 | 2020-01-17 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 高耐压的双叠接放大器 |
CN108736846B (zh) * | 2018-07-24 | 2024-02-27 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种基于波形控制技术的连续逆f类堆叠功率放大器 |
CN109104160A (zh) * | 2018-08-22 | 2018-12-28 | 广东工业大学 | 一种射频功率放大器及无线通信系统 |
CN109245735B (zh) * | 2018-10-18 | 2023-10-27 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种基于二次谐波注入技术的高效率j类堆叠功率放大器 |
CN110311635A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-10-08 | 京信通信系统(中国)有限公司 | 超宽带放大器和基于该放大器的多载波发射、收发装置 |
JP2021090168A (ja) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
CN116667801B (zh) * | 2023-07-28 | 2023-10-20 | 宜确半导体(苏州)有限公司 | 一种射频功率放大器、半导体管芯及电子设备 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102130658A (zh) * | 2009-12-17 | 2011-07-20 | 三星电机株式会社 | 用于共源共栅放大器的反馈偏置 |
CN102484452A (zh) * | 2009-08-19 | 2012-05-30 | 高通股份有限公司 | 具有基于二极管的偏压的堆叠式放大器 |
CN104716905A (zh) * | 2015-04-01 | 2015-06-17 | 宜确半导体(苏州)有限公司 | 一种效率提高的共源共栅射频功率放大器 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7876158B2 (en) * | 2009-04-24 | 2011-01-25 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | High gain stacked cascade amplifier with current compensation to reduce gain compression |
US9667195B2 (en) * | 2012-12-28 | 2017-05-30 | Peregrine Semiconductor Corporation | Amplifiers operating in envelope tracking mode or non-envelope tracking mode |
-
2016
- 2016-01-26 CN CN201610053833.3A patent/CN105515540B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102484452A (zh) * | 2009-08-19 | 2012-05-30 | 高通股份有限公司 | 具有基于二极管的偏压的堆叠式放大器 |
CN102130658A (zh) * | 2009-12-17 | 2011-07-20 | 三星电机株式会社 | 用于共源共栅放大器的反馈偏置 |
CN104716905A (zh) * | 2015-04-01 | 2015-06-17 | 宜确半导体(苏州)有限公司 | 一种效率提高的共源共栅射频功率放大器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105515540A (zh) | 2016-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105515540B (zh) | 一种基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器 | |
CN105515542B (zh) | 一种堆叠结构的射频功率放大器 | |
CN105515541A (zh) | 一种两级堆叠结构的射频功率放大器 | |
CN102208899B (zh) | 功率放大器 | |
CN105324936B (zh) | 功率放大模块 | |
CN102142819B (zh) | 基于变压器的射频功率放大器 | |
CN103595359A (zh) | 一种0.1~5GHz超宽带CMOS功率放大器 | |
CN208337517U (zh) | 功率放大电路 | |
CN205320035U (zh) | 一种高线性度的堆叠结构的射频功率放大器 | |
CN106817096A (zh) | 功率放大模块 | |
CN108418558A (zh) | 功率放大电路以及高频模块 | |
CN105743447A (zh) | 堆叠结构的射频功率放大器 | |
CN100536324C (zh) | 高输出放大器 | |
CN101888214A (zh) | 效率和线性度提高的Cascode功率放大器 | |
CN107306118A (zh) | 功率放大模块 | |
CN109167579A (zh) | 一种高输出功率高效率的功率放大器 | |
CN207691763U (zh) | 用于wi-fi模块的射频功率放大器 | |
CN106505901B (zh) | 一种线性-谐振复合式超高频逆变器 | |
CN104521139A (zh) | 放大装置和搭载有放大装置的无线通信装置 | |
CN205566230U (zh) | 一种两级堆叠结构的射频功率放大器 | |
CN110034737A (zh) | 功率放大电路 | |
CN107078696A (zh) | 宽带射频功率放大器 | |
CN205320039U (zh) | 一种基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器 | |
CN104158502B (zh) | 宽带功率放大模块 | |
CN205320036U (zh) | 一种堆叠结构的射频功率放大器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190125 Termination date: 20210126 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |