JP2011054281A - 酸化マグネシウム膜およびその成膜方法、ならびにプラズマ生成電極 - Google Patents
酸化マグネシウム膜およびその成膜方法、ならびにプラズマ生成電極 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】酸化マグネシウム膜1は、酸化マグネシウム薄膜部4と、その表面から成長して酸化マグネシウム薄膜部4と一体になっているウィスカー5とを有している。酸化マグネシウム膜1は、基材2の表面に、大気開放下での化学気相析出法(CVD法)によって酸化マグネシウム薄膜部4を形成し、この表面からウィスカー5を成長させることにより形成される。この酸化マグネシウム膜1を電極保護膜として用いたプラズマ生成電極は、放電開始電圧が従来よりも30%以上低減されている。
【選択図】図3
Description
酸化マグネシウム薄膜部と、
該酸化マグネシウム薄膜部の表面から成長して突出する酸化マグネシウム柱状結晶とを有し、
前記酸化マグネシウム柱状結晶は、前記酸化マグネシウム薄膜部の表面から成長して前記酸化マグネシウム薄膜部と一体になっていることを特徴とする。
図1は本実施形態の酸化マグネシウム膜の断面構成を示す走査型電子顕微鏡(SEM)による撮影画像である。本実施形態の酸化マグネシウム膜1は、基材2の表面を覆う酸化マグネシウム薄膜部4と、この酸化マグネシウム薄膜部4の表面から成長している多数のウィスカー5(酸化マグネシウム柱状結晶)を備えている。各ウィスカー5は単結晶であり、各ウィスカー5の根元部分は、酸化マグネシウム薄膜部4と繋がって一体になっている。また、各ウィスカー5の先端は、針状に尖って形成されている。
本実施形態では、酸化マグネシウム膜1を、基材2を加熱しながら、大気開放下での化学気相析出法(CVD法)によって基材2の表面に酸化マグネシウム薄膜部4およびウィスカー5を成長させる工程を行うことにより形成している。
図3は、上記の成膜方法によって得られた酸化マグネシウム膜1を、走査型電子顕微鏡(SEM)によって上方から撮影した撮影画像である。また、図4は、この酸化マグネシウム膜1の断面の走査型電子顕微鏡(SEM)による撮影画像である。図3、4の酸化マグネシウム膜1は、基材2としてステンレススチール基板(SUS304L)を用い、大気開放型CVD装置10を用いて、原料気化器14内に入れる原料錯体としてMg(C5H7O2)2・2H2Oを用いてこれを230℃で気化させ、表面温度が620℃になるように加熱した基材2の表面に原料混合ガスを吹き付けて酸化マグネシウム薄膜部4およびウィスカー5を形成したものである。
本実施形態の酸化マグネシウム膜1を電極保護膜に用いた電極(プラズマ生成電極)は、AC型PDPのプラズマ生成電極として用いれば、放電開始電圧を低減化することができ、消費電力の低減などを図ることができる。また、電極の用途はAC型PDPに限定されず、プラズマ発生を利用する各種の装置に利用可能である。さらに、低真空条件下、あるいは大気圧下でも放電を可能にすることができるので、従来は密閉加圧空間を必要としていたネオン管などの照明装置を高真空の密閉型にする必要がなくなり、このようなプラズマ発生を利用する照明装置の設計の自由度が高まる。
2 基材
4 酸化マグネシウム薄膜部
5 ウィスカー(酸化マグネシウム柱状結晶)
10 大気開放型CVD装置
11 キャリヤーガス供給源
12 キャリヤーガス供給配管
13 ガス流量計
14 原料気化器
15 原料混合ガス供給配管
16 ノズル
17 基材加熱台
18 空間制御型電流測定装置
Claims (10)
- 酸化マグネシウム薄膜部と、
該酸化マグネシウム薄膜部の表面から突出する酸化マグネシウム柱状結晶とを有し、
前記酸化マグネシウム柱状結晶は、前記酸化マグネシウム薄膜部の表面から成長して前記酸化マグネシウム薄膜部と一体になっていることを特徴とする酸化マグネシウム膜。 - 前記酸化マグネシウム柱状結晶の先端が針状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の酸化マグネシウム膜。
- 前記酸化マグネシウム柱状結晶は、長さが100nm以上20000nm以下、断面径が10nm以上5000nm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の酸化マグネシウム膜。
- 前記酸化マグネシウム薄膜部の厚さが10nm以上1000nm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の酸化マグネシウム膜。
- 前記酸化マグネシウム薄膜部の表面に、複数の前記酸化マグネシウム柱状結晶が互いに独立して直立しており、
前記酸化マグネシウム薄膜部の表面における前記酸化マグネシウム柱状結晶の数密度は、10μm×10μmの範囲で4本以上106本以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の酸化マグネシウム膜。 - 前記酸化マグネシウム薄膜部および前記酸化マグネシウム柱状結晶は、大気開放型化学気相析出膜であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の酸化マグネシウム膜。
- 気化させた酸化マグネシウム原料を、キャリヤーガスとともに、大気開放下で加熱された基材の表面に向けて供給する大気開放型化学気相析出法により、前記基材の表面を覆う酸化マグネシウム薄膜部と、当該酸化マグネシウム薄膜部の表面から立ち上がる酸化マグネシウム柱状結晶とを形成することを特徴とする酸化マグネシウム膜の成膜方法。
- 気化させる前記酸化マグネシウム原料として、有機マグネシウム錯化合物を用いることを特徴とする請求項7に記載の酸化マグネシウム膜の成膜方法。
- 前記有機マグネシウム錯化合物は、Mg(C5H7O2)2・2H2Oを含むことを特徴とする請求項8に記載の酸化マグネシウム膜の成膜方法。
- 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の酸化マグネシウム膜からなる電極保護層が表面に設けられていることを特徴とするプラズマ生成電極。
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