JP2011052114A - セルロースエステルの回収方法 - Google Patents

Abstract

【課題】偏光板から、セルロースアシレートを効率よく回収する。
【解決手段】クラッシャ２７は余剰シート５を切断し、複層チップ１２をつくる。吸収装置２８は複層チップ１２と吸収液３０８とを接触する。複層チップ１２のうち接着層は吸収液３０８を吸収する。複層チップ１２は、吸液チップ１４となる。分解装置２９は、吸収液３０８を十分に吸収した接着層と分解液３０９とを接触する。分解液３０９は、吸収液３０８を介し、接着層に吸収される。接着層に吸収された分解液３０９は、接着層を分解する。この分解反応により、吸液チップ１４は残チップ１６となる。洗浄研磨装置３０は、残チップ１６に付着残留する溶解液を除去する。洗浄研磨装置３０により、残チップ１６はＴＡＣチップ１８となる。
【選択図】図４

Description

本発明は、セルロースエステルを含む複合体からセルロースエステルを効率よく回収するセルロースエステルの回収方法に関する。

セルロースアシレートフィルム、中でも５７．５％〜６２．５％の平均酢化度を有するセルローストリアセテート（以下、ＴＡＣと称する）から形成されるＴＡＣフィルムは、その強靭性と難燃性とから写真感光材料のベースとして利用されている。また、ＴＡＣフィルムは光学等方性に優れていることから、偏光膜の保護フィルムや、光学補償フィルムのフィルムベース等として用いられる。

偏光板は、表面が鹸化処理されたＴＡＣフィルムを、偏光膜の両面に貼り合わせることによりつくられる。この偏光膜は、一般的に、ポリビニルアルコール（以下、ＰＶＡと称する）製のフィルムにヨウ素等の偏光材料を吸着させた後、所定方向へ延伸することにより得られる。近年の偏光板の高機能化の要請に伴い、偏光板を構成するＴＡＣフィルムには、液晶表示装置の視野角を拡大する液晶性光学補償層、液晶表示装置の映り込みを防止する反射防止層等の機能層が積層されることが多くなっている。

近年の廃棄物問題を背景として、液晶表示装置の構成部材のうち、その加工工程、製造工程等で発生した余剰物をリサイクルすることが望まれている。したがって、液晶表示装置の構成部材である偏光板からＴＡＣを回収して、再利用することも望まれている。偏光板からＴＡＣを回収する場合には、例えば、特許文献１に提案されているように、過酸化水素などの処理液を用いて機能層等を除去する方法がある。
特開２００４−２０３９６３号公報

ところが、偏光板からＴＡＣを回収する場合には、偏光板を処理液に長時間接触させて、偏光膜とＴＡＣとを分離することで足りたが、機能層が積層されたＴＡＣフィルムからＴＡＣを回収するためには、機能層を分離する必要がある。従来の方法を用いて機能層とＴＡＣとを分離しようとすると、機能層が架橋構造を有する場合、或いは、液晶層のような疎水性を有する場合には、ＴＡＣと機能層との分離に時間がかかる結果、短時間で偏向板からＴＡＣを回収することができないというデメリットがある。したがって、従来の方法では、機能層が積層されたＴＡＣフィルムからＴＡＣを効率よく回収する点に限界がある。

本発明は、上記問題を解決するものであり、セルロースエステルを含む複合体から、セルロースエステルを効率よく回収することのできるセルロースエステルの回収方法を提供することを目的とする。

本発明は、セルロースエステルを含む層と機能層とが層を成す複合体から前記セルロースエステルを回収する方法であって、前記機能層に液を吸収させる吸収工程と、過酸化物を含む分解液と前記複合体とを接触させ、前記機能層を分解する分解工程と、研磨剤を含む洗浄液を用いて、前記機能層を研磨しながら前記分解工程を経た前記複合体を洗浄する洗浄研磨工程と、を有することを特徴とする。

前記吸収工程における前記セルロースエステルを含む層の温度を１５℃以上８０℃以下の範囲内に調節することが好ましい。また、前記吸収工程にて前記液を攪拌することが好ましい。更に、前記吸収工程後に、前記分解工程及び前記洗浄研磨工程を同時に行うことが好ましい。

前記機能層が、ポリビニルアルコール又は変性ポリビニルアルコールを含むことが好ましい。また、前記機能層が、ＰＶＡ層と液晶性化合物を含む液晶層とを含むことが好ましい。

本発明によれば、セルロースエステルを含む層と機能層とが層を成す複合体から前記セルロースエステルを回収する方法であって、前記機能層に液を吸収させる吸収工程と、過酸化物を含む分解液と前記複合体とを接触させ、前記機能層を分解する分解工程と、研磨剤を含む洗浄液を用いて、前記機能層を研磨しながら前記分解工程を経た前記複合体を洗浄する洗浄研磨工程と、を有するため、複合体からセルロースエステルを効率よく回収することができる。

図１に示すように、偏光板２は、シート状の原反３から、所定の向き、寸法に切り出すことによって得られる。この原反３から偏光板２を取り除いたものが余剰シート５である。図２に示すように、余剰シート５は、偏光膜であるＰＶＡ層６と、ＰＶＡ層６の両側に設けられる一対のＴＡＣ層７とが層構造をなし、少なくとも一方のＴＡＣ層７には、機能層９が設けられる。ＴＡＣ層７の膜厚は、５μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。

（セルロースアシレート回収工程）
図３のように、セルロースアシレート回収工程１０は、余剰シート５を切断して複層チップ１２とするチップ化工程１３と、少なくとも機能層９（図２参照）に液を吸収させて吸液チップ１４とする吸収工程１５と、吸液チップ１４及び分解液の接触により、吸液チップ１４を残チップ１６とする分解工程１７と、研磨剤を含む洗浄液を用いて残チップ１６を洗浄し、残チップ１６に残留する分解液等を除去して、ＴＡＣチップ１８を得る洗浄研磨工程１９とを有する。なお、必要に応じて、ＴＡＣチップ１８に残留する洗浄液等を蒸発し、ＴＡＣチップを乾燥する乾燥工程を行っても良い。また、洗浄研磨工程１９は省略してもよい。

（セルロースアシレート回収設備）
図４に示すように、セルロースアシレート回収設備２５は、クラッシャ２７と、吸収装置２８と、分解装置２９と、洗浄研磨装置３０とを備える。なお、必要に応じて乾燥装置３１を設けても良い。また、洗浄研磨装置３０は省略してもよい。

（クラッシャ）
クラッシャ２７は、余剰シート５を切断する切断部材と、切断により得られた複層チップ１２を分解装置２９に送るための送出手段とを有する。切断部材としては、ロータリカッタやスリッター等を用いることが好ましい。また、送出手段としては、複層チップ１２に風を吹き付けて、分解装置２９に送り出す風送機等を用いることが好ましい。

（吸収装置）
吸収装置２８は、吸収液３０８を貯留する容器４０と、容器４０内の吸収液３０８の温度を調節する温度調節器４１とを備える。また、容器４０に、軸４２を回転中心として回転する攪拌機４３と、この攪拌機４３の回転条件を制御するための撹拌コントローラ４４とが設けられることが好ましい。

（吸収液）
吸収液３０８は、機能層９を適度に膨潤させる液であることが好ましく、分解工程１７において、吸液チップ１４に接触した分解液３０９が機能層９に浸透する程度に、機能層９を膨潤させる液であることがより好ましい。機能層９についての膨潤度が、ＴＡＣ層７の膨潤度よりも大きい吸収液３０８を用いることが好ましい。加えて、吸収液３０８として、中性のものを用いることが好ましい。吸収液３０８が酸性の場合には、吸収装置２８等、周辺の装置、部品等の腐食が進行するため好ましくなく、吸収液３０８がアルカリ性である場合には、ＴＡＣ層７がけん化してしまうため好ましくない。なお、本明細書における中性とは、機能層９の溶解が起こらないものを指し、例えば、ｐＨ５．５〜８．５のものをいう。

本明細書において、膨潤とは、ゲルや固形状の試験片を吸収液３０８に接触させたときに、吸収液３０８の吸収により、試験片の体積が増大することをいう。また、膨潤度とは、ゲルや固形状の試験片を吸収液３０８に接触させて、試験片を膨潤させたときに、膨潤前後の試験片の寸法の変化率を表す。互いに直交するｘ、ｙ、ｚ方向において、膨潤前の試験片の寸法をＬ０ｘ，Ｌ０ｙ、Ｌ０ｚとし、膨潤後における試験片の寸法をＬ１ｘ，Ｌ１ｙ、Ｌ１ｚとするときには、各方向における膨潤度はそれぞれ、Ｌ１ｘ／Ｌ０ｘ，Ｌ１ｙ／Ｌ０ｙ、Ｌ１ｚ／Ｌ０ｚと表される。なお、膨潤を行う前の試験片の条件、膨潤を行う際の手順、及び試験片の寸法の測定は、膨潤度の比較対象となる試験片について同一の方法で行えばよく、特に限定されるものではないが、例えば、ＪＩＳ Ｋ７２０９等に基づいて行うことが出来る。

吸収液３０８として、水、有機溶媒、及び有機溶媒の水溶液を用いることが好ましい。吸収液３０８として、水を用いる場合には、特に限定されないが、中でも、純水を用いることが好ましい。純水とは、比電気抵抗が少なくとも１ＭΩ以上であり、特にナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウムなどの金属イオンは１ｐｐｍ未満、クロル、硝酸などのアニオンは０．１ｐｐｍ未満を指す。純水は、逆浸透膜、イオン交換樹脂、蒸留などの単体、あるいは組み合わせによって、容易に得ることができる。また、この吸収液３０８として、有機溶媒や有機溶媒の水溶液を用いる場合には、炭素数１〜３のアルコール、並びにこれらの水溶液を用いることが好ましい。

（分解装置）
分解装置２９は、分解液３０９を貯留する容器５０と、容器５０内の分解液３０９の温度を調節する温度調節器５１とを備える。また、吸収装置２８と同様に、軸５２を回転中心として回転する攪拌機５３と、撹拌コントローラ５４とが分解装置２９に設けられることが好ましい。

（分解液）
分解液３０９として、接触等により機能層９を溶解させるものを用いることが好ましい。例えば、酸化剤を含むものを用いることが好ましく、特に、酸化剤及び水を含む液を用いることが好ましい。酸化剤としては過酸化水素または過酸化水素と同等の電離度を有するものが好ましい。ただし、ＴＡＣやＴＡＣ層７中に含まれている各種添加剤を劣化させないものとする。過酸化水素以外の酸化剤としては、次亜塩素酸等がある。過酸化水素の水溶液を用いる場合には、０．０１重量％以上１０重量％以下の濃度とすることが好ましく、より好ましくは０．０５重量％以上５重量％以下である。このような酸化剤を用いることにより、セルロースアシレートを劣化させることなく回収することができる。

また、分解液３０９として、吸収液３０８と溶け合うものが好ましく、吸収液３０８の良溶媒であるものがより好ましい。分解液３０９が吸収液３０８の貧溶媒であるか良溶媒であるかの判断方法は、温度５℃以上３０℃以下の範囲内において、分解液３０９が全重量の５重量％となるように、吸収液３０８と分解液３０９とを混合する。そして、その混合物中に不溶解物が有る場合には、分解液３０９が吸収液３０８の良溶媒であると判断することができる。

（洗浄研磨装置）
洗浄研磨装置３０は、研磨剤３１１を含む洗浄液３１０が貯留する容器６０と、容器６０内の洗浄液３１０の温度を調節する温度調節器６１とを備える。また、吸収装置２８と同様に、軸６２を回転中心として回転する攪拌機６３と、撹拌コントローラ６４とが洗浄研磨装置３０に設けられることが好ましい。なお、研磨剤３１１を省略してもよい。

なお、洗浄液３１０としては、ＴＡＣが溶解しないものであればよく、例えば、水、または水を含む液を用いることが好ましい。

（研磨剤）
研磨剤としては、二酸化ケイ素、炭酸カルシウム（カルサイト）、ケイ酸アルミニウム鉱物、天然ケイ酸系鉱物等を例示することができるが、入手性からは天然ケイ酸系鉱物が特に好ましい。天然ケイ酸系鉱物として、珪藻土などを用いることが好ましい。また、研磨剤には界面活性剤が含まれていることが好ましい。界面活性剤を用いることにより、研磨による物理的除去と界面活性剤による化学的除去との両方の効果を得ることができる。界面活性剤は、研磨剤としての各粒体の表面に付着されていてもよいし、粒体として研磨剤の粒体郡に添加されていてもよい。なお、本明細書中で、粒体は必ずしも断面が真円である必要はなく、また粒径が不均一であってもよい。なお、粒体の平均粒径は１０〜１００（単位；μｍ）であることが好ましく、このように非常に細かないわゆる粉体であってもよい。

乾燥装置３１は、ＴＡＣチップ１８に乾燥風を送り、ＴＡＣチップ１８に残留する洗浄液３１０等を蒸発させる送風部と、ＴＡＣチップ１８から蒸発した各液を凝縮させて外部に排出する排出機構（図示せず）とを備える。

次に、セルロースアシレート回収装置２５により行われるセルロースアシレート回収工程１０（図３参照）について説明する。

（チップ化工程）
図３及び図４に示すように、チップ化工程１３では、余剰シート５がクラッシャ２７に供給され、クラッシャ２７は、切断部材を用いて余剰シート５を細かく切断し、略矩形状の複層チップ１２とする。その後、クラッシャ２７の送出手段により複層チップ１２に風を送り、複層チップ１２を分解装置２９に送る。クラッシャ２７では、余剰シート５を０．５ｃｍ×０．５ｃｍ〜１．０ｃｍ×１．０ｃｍの大きさの複層チップ１２に切断することが好ましく、０．５ｃｍ×０．５ｃｍ〜０．７ｃｍ×０．７ｃｍの大きさの複層チップ１２に切断することがより好ましい。複層チップ１２の大きさが０．５ｃｍ×０．５ｃｍよりも小さいと、使用済みの吸収液３０８を容器４０から廃液として排出するときに、容器４０内に設けられたフィルタが閉塞しやすくなること、或いは、複層チップ１２が廃液とともに排出されてしまうことがあるため好ましくない。また、複層チップ１２の大きさが１．０ｃｍ×１．０ｃｍよりも大きいと、ＴＡＣチップ１８を風送することが困難となり、ＴＡＣチップ１８の取り扱い性が低下するため好ましくない。

（吸収工程）
温度調節器４１は、容器４０に貯留する吸収液３０８の温度を所定の範囲内で略一定となるように調節する。吸収工程１５では、容器４０に貯留する吸収液３０８に複層チップ１２を浸漬する。この浸漬により、機能層９（図２参照）が吸収液３０８を吸収する結果、機能層９は膨潤し、複層チップ１２は吸液チップ１４となる。このように、吸収工程１５では、機能層９の膨潤がＴＡＣ層７に比べて進行している吸液チップ１４が得られるように、複層チップ１２を処理する。吸収工程１５を行った後、吸液チップ１４を容器４０から取り出して、容器５０へ送る。なお、撹拌コントローラ４４は、軸４２を中心に攪拌機４３を所定の回転速度で回転させることが好ましい。

図２及び図３に示すように、吸収工程１５は、機能層９の膨潤を目的として行われる。吸収工程１５の処理時間が長くなると、機能層９のみならずＴＡＣ層７までもが膨潤してしまうおそれがある。そこで、吸収工程１５の処理時間は、３時間以内とすることが好ましく、時間効率の点から１時間以内とすることがより好ましい。また、吸収工程１５の処理時間の下限は、機能層９が十分に膨潤できる時間であれば、短時間になるほど好ましい。

図４に示すように、容器４０における吸収液３０８の温度は、特に限定されるものではないが、吸収または膨潤する速度を制御するため、（ＭＰ＋１０）℃以上（ＢＰ−１５）℃以下の範囲内で維持されることが好ましい。ここで、ＢＰは吸収液３０８の沸点であり、ＭＰは吸収液３０８の融点である。

また、図２及び図４に示すように、機能層９に含まれる物質がＴＡＣに比べ膨潤度が高い場合には、ＴＡＣ層７及び機能層９の膨潤度の差に起因して、吸液チップ１４の機能層９とＴＡＣ層７との界面には内部応力が発生する。複層チップ１２からＴＡＣを回収する目的より、当該界面に発生する内部応力は大きくなるほど好ましい。したがって、分解工程１７（図３参照）の吸液チップ１４において、この内部応力に追従するＴＡＣ層７の伸びを抑えるために、吸収工程１５（図３参照）を行う際、ＴＡＣ層７の温度が８０℃以下の範囲内で略一定に保持されることが好ましく、３０℃以下の範囲内で略一定に保持されることがより好ましい。また、処理速度向上の観点から、ＴＡＣ層７の温度は、１５℃以上にすることが好ましい。ＴＡＣ層７の温度の調節は、容器４０における吸収液３０８の温度の調節により行うことができる。更に、ＴＡＣ層７の膨潤度を小さくすることを目的として、吸収液３０８に水またはアルコール系溶剤を用いることが好ましい。

（分解工程）
図３及び図４に示すように、温度調節器５１は、容器５０に貯留する分解液３０９の温度を所定の範囲内で略一定となるように調節する。分解工程１７では、吸液チップ１４が容器５０に貯留する分解液３０９に浸漬する。こうして、吸液チップ１４と分解液３０９との接触により残チップ１６が得られる。分解工程１７の開始から所定時間経過した後、残チップ１６を容器５０から取り出して、容器６０へ送る。

図２及び図３に示すように、分解工程１７では、機能層９の溶解を目的として、吸液チップ１４と分解液３０９とを接触させる。分解工程１７の処理時間が長くなると、ＴＡＣ層７が膨潤により柔らかくなり、ＴＡＣ層７が研磨剤によって研磨されにくくなる結果、洗浄研磨工程での処理効率が低下してしまう。そこで、分解工程１７の処理時間は短いほどよく、本発明の吸収工程１５及び分解工程１７に要する時間を、従来の分解工程に比べて短くする点から、分解工程１７を行う時間を、２時間以内にすることが好ましく、１．５時間以内とすることがより好ましい。また、分解工程１７の処理時間の下限は、機能層９が十分に溶解できる時間であれば、短時間になるほど好ましく、例えば、処理時間が１時間以上であれば、ＰＶＡ層６、機能層９の十分な溶解を確実に行うことができるため好ましい。

分解工程１７において、分解液３０９（図４参照）の温度は、特に限定されるものではないが、機能層９の溶解を確実に行うために、ＴＡＣ層７の溶解やＴＡＣ層７及び機能層９との親和性の向上が抑えられる範囲で、できるだけ高いほうが好ましい。一方、分解工程１７においても、吸収工程１５と同様の内部応力が当該界面に発生する場合がある。この場合には、内部応力に追従するＴＡＣ層７の伸びを抑えるために、分解工程１７におけるＴＡＣ層７の温度が１５℃以上８０℃以下の範囲内で略一定に保持されることが好ましく、３０℃以上８０℃以下の範囲内で略一定に保持されることがより好ましい。したがって、分解液３０９（図４参照）の温度は、１５℃以上８０℃以下の範囲内で略一定に維持されることが好ましく、３０℃以上８０℃以下の範囲内で略一定に維持されることが好ましい。

（洗浄研磨工程）
図３及び図４に示すように、温度調節器６１は、容器６０に貯留し、研磨剤３１１を含む洗浄液３１０の温度を所定の範囲内で略一定となるように調節する。なお、洗浄液３１０の好ましい温度範囲は、前述した吸収液３０８や分解液３０９についての温度範囲と同一の範囲にすることが好ましい。洗浄研磨工程１９では、容器６０に貯留する洗浄液３１０に残チップ１６を浸漬し、残チップ１６中の機能層９（図２参照）を研磨しながら、残チップ１６に付着、或いは残留する分解液３０９等を除去する。これにより、機能層９（図２参照）が除去された状態の残チップ１６は洗浄され、ＴＡＣチップ１８となる。その後、乾燥装置３１は、ＴＡＣチップ１８に乾燥風を送り、ＴＡＣチップ１８に残留する洗浄液３１０等を蒸発させる。乾燥風の温度は、１００℃以上１２０℃以下の範囲であることが好ましく、１０５℃以上１１０℃以下の範囲であることがより好ましい。

本発明では、分解工程１７の前に吸収工程１５を行うため、分解工程１７では、吸収液３０８を十分に含む機能層９（図２参照）と分解液３０９とが接触し、分解液３０９は、機能層９に含まれる吸収液３０８を介して、機能層９に吸収される。分解液３０９は吸収液３０８と溶け合うため、機能層９における分解液３０９の吸収に要する時間は、吸収液３０８を介する場合の方が、吸収液３０８を介さない場合に比べて短くなり、結果として、分解工程１７を短時間で行うことが出来る。更に、吸収液３０８による吸収工程１５は、分解工程１７に要する時間の短縮分よりも短い時間で行うことが出来る。したがって、本発明によれば、吸収工程１５を経た吸液チップ１４に分解工程１７を行うと、吸収工程１５を行わずに分解工程を行った場合に比べ、複層チップ１２から残チップ１６を得るために要する時間を短くすることが可能となり、複層チップ１２からセルロースアシレートの回収を効率よく行うことができる。

更に、分解工程１７の前に吸収工程１５を行うため、分解工程１７の際、機能層９（図２参照）の全域にわたって吸収液３０８が吸収されている。このような吸液チップ１４に分解工程１７を行うと、機能層９の全体において溶解反応が均一に起こりやすくなるため、吸液チップ１４中の機能層９を確実に溶解することができる。したがって、本発明によれば、複層チップ１２からセルロースアシレートの回収を確実に行うことができる。

上記実施形態では、分解工程１７における機能層９の溶解を目的として、吸収工程１５では吸収液３０８を機能層９へ吸収させたが、本発明はこれに限られない。すなわち、複層チップ１２からＴＡＣを回収するために、吸収工程１５にて複層チップ１２と吸収液３０８とを接触させ、除去対象物へ吸収液３０８を吸収させた後、分解工程１７にて分解液３０９との接触により除去対象物の溶解を行えば良い。したがって、上述した除去対象物を、機能層９のみならず、機能層９及びＰＶＡ層６としても良い。なお、ＴＡＣ層７にけん化層などの変性層が設けられる場合には、機能層９、ＰＶＡ層６及び変性層を除去対象物として設定しても良い。

以下、各工程の詳細について説明する。

（吸収工程）
上記実施形態では、吸収液３０８を用いて吸収工程１５を行ったが、本発明はこれに限られず、吸収液３０８及び研磨剤３１１を用いて、吸収工程１５を行ってもよい。これにより、吸収工程１５にて機能層９が破壊されるため、その後の分解工程１７にて、吸液チップ１４における分解液３０９の吸収、膨潤を促進させることができる。機能層９の破壊は、部分的な破壊（例えば、表層）でもよいし、機能層９全体であってもよい。

（分解工程）
上記実施形態では、分解液３０９として、接触等により機能層９を溶解させるものを用いたが、本発明はこれに限られず、接触等により機能層９を分散させるものを用いてもよいし、接触等により機能層９を溶解させるもの及び接触等により機能層９を分散させるものの混合物でもよい。

上記実施形態では、分解液３０９として、ＰＶＡ層６や機能層９等、複層チップ１２におけるＴＡＣ以外の物質、すなわち除去対象物を溶解または分散させるものを用いたが、本発明はこれに限られず、除去対象物を溶解や分散するに至らないものであっても、少なくとも除去対象物を軟化させるものであれば、分解液３０９として用いることができる。ＰＶＡ層６や機能層９の溶解、分散や軟化は、主として、ＰＶＡ層６、機能層９におけるポリマーの架橋構造の分解によるものと考えられる。したがって、分解液３０９として、除去対象物における架橋構造を分解する物質を含むことが好ましい。

なお、分解液３０９として除去対象物を軟化させるものを用いる場合には、分解液３０９に研磨剤３１１を加えて、分解液３０９を攪拌しながら分解工程１７を行うことが好ましい。また、分解液３０９として除去対象物を溶解または分散させるものを用いる場合であっても、分解液３０９に研磨剤３１１を加えて、分解液３０９を攪拌しながら分解工程１７を行うことが好ましい。分解工程１７において除去対象物の溶解を完全に行う必要がなくなり、結果として、セルロースアシレート回収工程１０全体に要する時間を短縮することが出来る点で好ましい。

上記実施形態では、分解液３０９を用いて分解工程１７を行ったが、本発明はこれに限られず、分解液３０９及び研磨剤３１１を用いて、分解工程１７を行ってもよい。なお、研磨剤３１１を含む分解液３０９を用いて分解工程１７を行う場合、吸収工程１５を、分解工程１７の前に行っても良いし、省略しても良い。

なお、研磨剤３１１を含む洗浄液３１０を用いて洗浄研磨工程を行う場合には、機能層９が完全に溶解するまで分解工程１７を行わずに、研磨剤３１１を含む洗浄液３１０により機能層９がＴＡＣ層７と分離可能な状態に至るまで分解工程１７を行ってもよい。

（洗浄研磨工程）
研磨剤３１１を含む洗浄液３１０を用いて洗浄研磨工程１９を行った後には、洗浄研磨工程１９を経たＴＡＣチップ１８に残留する研磨剤などを除去するために、研磨剤を含まない洗浄液３１０を用いて洗浄工程を行うことが好ましい。

上記実施形態において、攪拌機４３の回転速度は、特に限定されるものではないが、吸収液３０８の機能層９への吸収を効率よく行う点から、機能層９が吸収液３０８と均一に接触するように、吸収液３０８を複層チップ１２とともに攪拌することが好ましい。なお、攪拌機４３の回転速度は、例えば、６０ｒｐｍ以上１３０ｒｐｍ以下であることが好ましい。また、同様にして、分解装置２９や洗浄研磨装置３０の攪拌機５３、６３を用いて、分解液３０９を吸液チップ１４とともに攪拌する、或いは洗浄液３１０を残チップ１６とともに攪拌することが好ましい。この場合には、攪拌機５３、６３の回転速度を、上記範囲内に調節することが好ましい。

また、複層チップ１２の形状や複層チップ１２を構成する材料によっては、吸収液３０８の吸収が複層チップ１２の表面全体において均一に起こらない場合も有る。例えば、吸収液３０８との親和性が、ＰＶＡ層６に比べて、ＴＡＣ層７、機能層９が低い場合には、複層チップ１２と吸収液３０８とを接触させたときに、ＴＡＣ層７、機能層９には吸収液３０８がほとんど吸収されないため、複層チップ１２の表面に露呈するＰＶＡ層６から吸収液３０８の吸収が選択的に進行する場合などである。このように、吸収液３０８の吸収が複層チップ１２において均一に起こらない場合には、攪拌機４３の回転により、複層チップ１２及び吸収液３０８を攪拌することが好ましい。

上記実施形態では、図３及び図４に示すように、吸収工程１５、分解工程１７及び洗浄研磨工程１９を、それぞれ吸収装置２８、分解装置２９及び洗浄研磨装置３０にて個別に行ったが、本発明はこれに限られず、図５に示す回収装置８０を用いて、吸収工程１５、分解工程１７及び洗浄研磨工程１９を行っても良い。

回収装置８０は、容器８１と、容器８１に各液３０８〜３１０や研磨剤３１１を供給する供給口８２と、容器８１に貯留する各液３０８〜３１０の温度を調節する温度調節器８３と、容器８１内の各液３０８〜３１０及び研磨剤３１１を排出する排出口８４とを備える。供給口８２は、配管を介して、吸収液３０８、分解液３０９及び洗浄液３１０が個別に貯留する各貯留タンク（図示しない）とそれぞれ接続し、各配管にはバルブ８８〜９１が設けられる。排出口８４は、配管を介して、排水処理部９３と接続し、この配管にはバルブ９４が設けられる。排出口８４には、各液３０８〜３１０や研磨剤３１１を通過させて、複層チップ１２等を通過させないフィルタ９５が設けられる。軸９６を回転中心として回転する攪拌機９７と、この攪拌機９７の回転条件を制御するための撹拌コントローラ９８とが設けられることが好ましい。

図示しない制御部の制御の下、バルブ８８〜９０を操作し、吸収液３０８を容器８１へ供給し、複層チップ１２を容器８１へ供給する。容器８１内では、複層チップ１２と吸収液３０８とが接触し、吸収工程１５が行われ、複層チップ１２が吸液チップ１４となる。吸収工程１５を所定時間行った後、バルブ９４の操作により、容器８１内の吸収液３０８は、フィルタ９５を介して排水処理部９３へ送られ、容器８１内には吸液チップ１４が残る。次に、バルブ８８〜９０の操作により、分解液３０９を容器８１へ供給する。容器８１内では、吸液チップ１４と分解液３０９とが接触し、分解工程１７が行われ、吸液チップ１４が残チップ１６となる。分解工程１７を所定時間行った後、バルブ９４の操作により、容器８１内の分解液３０９を排水処理部９３へ排出する。その後、バルブ８８〜９０の操作により、洗浄液３１０を容器８１へ供給する。容器８１内では、残チップ１６と洗浄液３１０とが接触し、洗浄研磨工程１９が行われ、残チップ１６がＴＡＣチップ１８となる。

なお、撹拌コントローラ９８の制御の下、攪拌機９７を所定の回転数で回転させて、各チップ１２、１４、１６と共に各液３０８〜３１０を攪拌することが好ましい。更に、容器８１に貯留する吸収液３０８に複層チップ１２を浸漬し、吸収工程１５を所定時間行った後、吸液チップ１４を吸収液３０８に浸漬させたまま状態で、容器８１中の吸収液３０８が所定濃度の分解液３０９となるように、酸化剤を容器８１の吸収液３０８に加え、引き続き分解工程１７を行っても良い。加えて、容器８１の吸収液３０８に研磨剤３１１を加えた後に、分解工程１７を行っても良いし、或いは分解工程１７を行っている途中で、容器８１の吸収液３０８に研磨剤３１１を加えて、引き続き分解工程１７を行っても良い。

上記実施形態では、図２に示すように、ＰＶＡ層６、ＴＡＣ層７、機能層９が層構造をなす余剰シート５を複合体として用いたが、本発明は、これに限られず、偏光板等、ＴＡＣを含む第１部材と、ＴＡＣ以外の物質を含み、第１部材に固着するようにして設けられる第２部材とからなる複合体でもよい。また、第１部材、第２部材及び複合体の形状は、シート状のものに限られない。更に、本発明は、原反３から偏光板２を取り出す工程で生じた余剰シート５からＴＡＣを回収することに限られず、機能層を有するＴＡＣフィルムの製造工程で生じた余剰物においても適用することができる。

（ＰＶＡ層）
ＰＶＡ層は、一般にＴＡＣフィルムの表面上に設けられる。ＰＶＡ層は、その上に設けられる液晶層に含まれる、液晶性ディスコティック化合物の配向方向を規定するように機能する。そしてこの化合物の配向が、光学補償シートから傾いた光軸を与える。ＰＶＡ層は、液晶層に配向性を付与できるものであれば、どのような層でも良い。ＰＶＡ層の好ましい例としては、有機化合物（好ましくはポリマー）のラビング処理された層を挙げることができる。

ＰＶＡ層用の有機化合物の例としては、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸／メタクリル酸共重合体、スチレン／マレインイミド共重合体、ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、スチレン／ビニルトルエン共重合体、クロロスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル／塩化ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体、カルボキシメチルセルロース、ポリエチレン、ポリプロピレン及びポリカーボネート等のポリマー及びシランカップリング剤等の化合物を挙げることができる。好ましいポリマーの例としては、ポリイミド、ポリスチレン、スチレン誘導体のポリマー、ゼラチン、ポリビニルアルコール及びアルキル基（炭素原子数６以上が好ましい）を有する変性ポリビニルアルコールを挙げることができる。これらのポリマーの層を配向処理することにより得られるＰＶＡ層は、液晶層の液晶性ディスコティック化合物を、所定の向きに配向させることができる。

上記ポリマーの中で、ポリビニルアルコール又は変性ポリビニルアルコールが好ましい。ポリビニルアルコールとしては、例えば鹸化度７０〜１００％のものであり、一般に鹸化度８０〜１００％のものであり、より好ましくは鹸化度８５乃至９５％のものである。重合度としては、１００〜３０００の範囲が好ましい。変性ポリビニルアルコールとしては、共重合変性したもの（変性基として、例えば、ＣＯＯＮａ、Ｓｉ（ＯＸ）₃、Ｎ（ＣＨ₃）₃・Ｃｌ、Ｃ₉Ｈ₁₉ＣＯＯ、ＳＯ₃、Ｎａ、Ｃ₁₂Ｈ₂₅等が導入される）、連鎖移動により変性したもの（変性基として、例えば、ＣＯＯＮａ、ＳＨ、Ｃ₁₂Ｈ₂₅等が導入されている）、ブロック重合による変性をしたもの（変性基として、例えば、ＣＯＯＨ、ＣＯＮＨ₂、ＣＯＯＲ、Ｃ₆Ｈ₅等が導入される）等のポリビニルアルコールの変性物を挙げることができる。重合度としては、１００〜３０００のも範囲が好ましい。これらの中で、鹸化度８０〜１００％の未変性乃至変性ポリビニルアルコールであり、より好ましくは鹸化度８５乃至９５％の未変性ないしアルキルチオ変性ポリビニルアルコールである。

なお、上記実施形態では、ポリビニルアルコールからなるＰＶＡ層６を用いたが、本発明はこれに限られず、ＰＶＡ層６の代わりに、ポリカーボネート系ポリマーやセルロース系ポリマー等からなるポリマー層であってもよい。

（ＴＡＣ層）
ＴＡＣ層７の成分としては、ＴＡＣの他、セルロースジアセテート（ＤＡＣ）等のセルロースアシレートを用いても良い。また、ＴＡＣ層７の成分として、セルロースの低級脂肪酸エステルと低級アルキルエーテル（５０重量％未満）とが複合したものでもよい。低級脂肪酸とは、炭素原子数が６以下の脂肪酸を意味し、好ましくは炭素原子数が４以下の脂肪酸である。低級アルキルエーテルの低級アルキルとは、炭素原子数が４以下のアルキル基を意味する。さらに、本発明は、溶液製膜用のドープに用いられる有機溶媒、例えばメチレンクロライド：メタノール＝９：１（重量比）の混合物に完全に溶解するようなポリマーをＴＡＣ層７に代えて用いる場合にも有効である。

ＴＡＣ層７となるＴＡＣフィルムは溶液製膜方法によりつくることが好ましい。溶液製膜方法は、溶融製膜などの他の製造方法と比較して、光学的性質などの物性に優れるフィルムを製造することができるからである。溶液製膜方法は、ポリマーをジクロロメタンや酢酸メチルを主溶媒とする混合物に溶解した高分子溶液（以下、ドープと称する）をつくり、このドープを流延ダイより支持体上に流延して流延膜を形成し、この流延膜を剥ぎ取って乾燥することによりフィルムを製造する方法であり、例えば、特開２００５−１０４１４８号公報等に詳しく説明されている。

ＴＡＣは、セルロースの水酸基をカルボン酸でエステル化している割合、つまりアシル基の置換度（以下、アシル基置換度と称する）が下記式（Ｉ）〜（III)の全ての条件を満足するものが好ましい。なお、（Ｉ）〜（III）において、Ａ及びＢはともにアシル基置換度であり、Ａにおけるアシル基はアセチル基であり、Ｂにおけるアシル基は炭素原子数が３〜２２のものである。なお、ＴＡＣ層７となるセルロースアシレートフィルムを溶液製膜方法によりつくる場合には、９０質量％以上が０．１ｍｍ〜４ｍｍの粒子であるセルロースアシレートを溶剤に溶かしてドープをつくることが好ましい。
（Ｉ）２．５≦Ａ＋Ｂ≦３．０
（II）０≦Ａ≦３．０
（III）０≦Ｂ≦２．９

なお、セルロースアシレートの詳細については、特開２００５−１０４１４８号公報の［０１４０］段落から［０１９５］段落に記載されており、これらの記載は本発明にも適用することができる。

ＴＡＣ層７となるＴＡＣフィルムのドープをつくるための溶剤としては、芳香族炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエンなど）、ハロゲン化炭化水素（例えば、ジクロロメタン、クロロベンゼンなど）、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ジエチレングリコールなど）、ケトン（例えば、アセトン、メチルエチルケトンなど）、エステル（例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピルなど）及びエーテル（例えば、テトラヒドロフラン、メチルセロソルブなど）などが挙げられる。なお、本発明において、ドープとはポリマーを溶媒に溶解または分散して得られるポリマー溶液、分散液を意味している。

上記溶剤の中でも炭素原子数１〜７のハロゲン化炭化水素が好ましく、ジクロロメタンが最も好ましい。ＴＡＣの溶解性、流延膜の支持体からの剥ぎ取り性、フィルムとしたときの機械的強度及び光学特性などの物性の観点からは、炭素原子数１〜５のアルコールを１種ないし数種類ジクロロメタンに混合することが好ましい。この場合には、アルコールの含有量が溶剤全体に対し２質量％〜２５質量％であることが好ましく、５質量％〜２０質量％であることがより好ましい。アルコールの具体例としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールなどが挙げられ、中でも、メタノール、エタノール、ｎ−ブタノールあるいはこれらの混合物が好ましい。

環境に対する影響を最小限に抑えることを目的にした場合には、ジクロロメタンを用いずにドープを製造してもよい。この場合の溶剤としては、炭素原子数が４〜１２のエーテル、炭素原子数３〜１２のケトン、炭素原子数が３〜１２のエステル、炭素原子数１〜１２のアルコールが好ましい。これらを適宜混合して用いることもでき、この場合の例として、酢酸メチル、アセトン、エタノール、ｎ−ブタノールの混合物が挙げられる。エーテル、ケトン、エステル及びアルコールは、環状構造を有していてもよい。なお、エーテル、ケトン、エステル及びアルコールの官能基（すなわち、−Ｏ−，−ＣＯ−，−ＣＯＯ−及び−ＯＨ）のいずれかを２つ以上有する化合物も溶剤として用いることができる。

なお、このＴＡＣ層７には、添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、紫外線吸収剤、レタデーション調整剤、マット剤、可塑剤等が挙げられる。

溶剤及び可塑剤，劣化防止剤，紫外線吸収剤，光学異方性コントロール剤，染料，マット剤，剥離剤等の添加剤についても、同じく同じく特開２００５−１０４１４８号公報の［０１９６］段落から［０５１６］段落に詳細に記載されており、これらの記載も本発明に適用することができる。

本発明を用いて、光学補償フィルムや、光学補償フィルムの製造時に光学補償フィルムの原反から生じた余剰シートからＴＡＣを回収しても良い。次に、光学補償フィルムの構造、組成について、ＴＡＣフィルムとＰＶＡ層と液晶層とが層を成す構造を有する視野角拡大フィルムを用いて説明するが、本発明に用いられる光学補償フィルムは、視野角拡大フィルムに限られるものではない。

（液晶層）
液晶層は、ＰＶＡ層上に形成される。液晶層は、液晶性ディスコティック化合物を配向後冷却固化させる、あるいは重合性の液晶性ディスコティック化合物の重合（硬化）により得られる負の複屈折を有する層である。上記のディスコティック化合物の例としては、Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．、７１巻、１１１頁（１９８１年）に記載されているベンゼン誘導体、Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．、１２２巻、１４１頁（１９８５年）、Ｐｈｙｓｉｃｓｌｅｔｔ．、Ａ，７８巻、８２頁（１９９０）に記載されているトルキセン誘導体、Ｂ．Ｋｏｈｎｅらの研究報告、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．９６巻、７０頁（１９８４年）に記載されたシクロヘキサン誘導体及びＪ．Ｍ．Ｌｅｈｎらの研究報告、Ｊ．Ｃｈｅｍ．、Ｃｏｍｍｕｎ．、１７９４頁（１９８５年）、Ｊ．Ｚｈａｎｇらの研究報告、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、１１６巻、２６５５頁（１９９４年）に記載されているアザクラウン系やフェニルアセチレン系マクロサイクルなどを挙げることができる。上記ディスコティック（円盤状）化合物は、一般的にこれらを分子中心の母核とし、直鎖のアルキル基やアルコキシ基、置換ベンゾイルオキシ基等がその直鎖として放射線状に置換された構造であり、液晶性を示し、一般的にディスコティック液晶とよばれるものが含まれる。ただし、分子自身が負の一軸性を有し、一定の配向を付与できるものであれば上記記載に限定されるものではない。また、本発明において、円盤状化合物から形成したとは、最終的にできた物が前記化合物である必要はなく、例えば、前記低分子ディスコティック液晶が熱、光等で反応する基を有しており、結果的に熱、光等で反応により重合または架橋し、高分子量化し、液晶性を失ったものも含まれる。

（反射防止層）
反射防止層は、光学機能層としての作用を有するような層であり、ポリマーであるバインダや重合開始剤、分散剤等からなる少なくとも１層の層より構成される。したがって、反射防止層は２層以上の複層構造を有していても良い。光学機能層を構成する層としては、例えば、光拡散層、中屈折率層、高屈折率層、光学補償層、防眩性付与層等が挙げられる。また、反射防止層を構成する層は同一種でも良いし、異なる組成を有する層でも良く、上記の中から、適宜選択して所望の反射防止層を形成すれば良い。ただし、優れた反射防止効果を得るためにも、層として防眩性付与層を含んでいることが好ましい。

また、反射防止層に使用されるバインダとしては、飽和炭化水素鎖又はポリエーテル鎖を主鎖として有するポリマーであることが好ましい。このようなポリマーを構成するモノマーの構造や、芳香族環の有無、或いはハロゲン原子、硫黄原子、リン原子、窒素原子等の原子の有無、等を適宜選択してバインダとなるポリマーを用いることにより、形成させる層の屈折率を好適に調整することが可能となる。

光学機能層を構成する層に、複数の透光性微粒子が添加されていることが好ましい。本発明では、可視光領域で吸収のない微粒子を透光性微粒子と称する。このような透光性微粒子を層中に複数添加させると、微粒子としての作用により層の屈折率を容易に調整することができる他に、透光性微粒子は光を透過させるため、層の防眩性を好適に調整することができる。透光性粒子については、特開２００３−３０２５０６号公報の［００４４］に具体的記載があり、本発明に適用することができる。なお、透光性微粒子は、形成させる層の屈折率に応じて屈折率差を考慮しながら適宜選択することが好ましい。

透光性微粒子としては、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫、アンチモンのうち、少なくとも１種の金属酸化物であることが好ましい。また、その平均粒径は、０．２μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１μｍ以下であり、特に好ましくは０．０６μｍ以下である。上記の金属酸化物としては、例えば、ＴｉＯ_２ 、ＺｒＯ_２ 、Ａｌ_２ Ｏ_３ 、Ｉｎ_２ Ｏ_３ 、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２ 、Ｓｂ_２ Ｏ_３ 、ＩＴＯ、ＳｉＯ_２ 等が挙げられる。中でも、ＴｉＯ_２ 及びＺｒＯ_２ は、高屈折率化の点で好ましい。なお、各微粒子の表面を、シランカップリング剤やチタンカップリング剤等で処理すると、バインダに対する分散性や相溶性を向上させることができるので好ましい。上記の微粒子の添加量は、添加させる層の全質量に対して１０〜９０％であることが好ましく、より好ましくは２０〜８０％であり、特に好ましくは、３０〜７５％である。

透光性微粒子のうち、防眩性を付与する目的で用いられる微粒子としては、フィラ粒子よりも粒径が大きく、平均粒径が１〜１０μｍ程度のマット粒子が好ましく用いることができる。マット粒子としては、例えば、シリカ粒子、ＴｉＯ_２ 粒子等の無機化合物粒子や、アクリル粒子、架橋アクリル粒子、ポリスチレン粒子、架橋スチレン粒子、メラミン粒子、ベンゾグアナミン粒子等の有機化合物粒子等が挙げられる。中でも、高い防眩性を発現させることができることから、架橋スチレン粒子、架橋アクリル粒子、シリカ粒子を用いることが好ましい。マット粒子の形状は、真球或いは不定形と問わず、特に限定されるものではない。粒径や形状の異なる２種類以上のマット粒子を併用させることも可能である。なお、防眩性の層を形成させるためには、マット粒子の含有量が、形成させる層１ｍ^２ 辺りに対して１０〜２０００ｍｇであることが好ましい。より好ましくは、１００〜１４００ｍｇである。

上記マット粒子は、層中で均一に分散されていることが好ましい。また、各粒子の粒子径が略同一であることが好ましい。例えば、平均粒径よりも２０％以上大きい粒子を粗大粒子とするとき、全粒子に含まれる粗大粒子が含まれる割合は１％以下であることが好ましく、より好ましくは０．１％以下である。したがって、マット粒子は、粒径が略同一であり、層中に均一に分散させることを目的として、出来る限り程度の強い分級が多く行われたものを用いることが好ましい。なお、上記に示す微粒子は、粒径が光の波長よりも十分に小さいため、光の散乱が生じない。

また、光学機能層には、界面活性作用を持つフッ素系化合物及びシリコーン系化合物のうち少なくとも１種を含有させることが好ましい。このような化合物を適宜選択して用いることにより、優れた防汚性や滑り性を有する光学機能層を形成することができる。なお、上記の化合物は、層形成用に用いられる層形成材料の全固形分量に対して、０．０１〜２０質量％とすることが好ましい。より好ましくは０．０５〜１０質量％であり、特に好ましくは０．１〜５質量％である。

フッ素系化合物としては、フルオロアルキル基を有する化合物が好ましい。また、このフルオロアルキル基は炭素数が１〜２０であることが好ましく、より好ましくは、１〜１０である。この場合、直鎖、分岐構造、脂環式構造であっても良いし、エーテル結合を有していても良い。なお、フルオロアルキル基は、同一分子中に複数含まれていても良い。

上記のフッ素系化合物は、相溶性や光学機能層と低屈折率層との界面での密着性に作用するような置換基を有していることが好ましい。この置換基は、同一でも良いし、異なっていても良いが、複数個有していることが好ましい。置換基としては、例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、アリール基、シンナモイル基、エポキシ基、オキセタニル基、水酸基、ポリオキシアルキレン基、カルボキシル基、アミノ基等が挙げられる。また、フッ素化合物は、フッ素原子を含まない化合物とフッ素原子を含む化合物との共重合体でも良いし、共重合オリゴマーでも良く、その分子量も特に制限されない。フッ素化合物におけるフッ素原子の含有量も特に制限されないが、フッ素原子全量に対して２０質量％であることが好ましい。より好ましくは３０〜７０質量％であり、特に好ましくは４０〜７０質量％である。

シリコーン系化合物としては、例えば、ジメチルシリルオキシ単位を繰り返し単位として複数個含む化合物鎖の末端及び側鎖、又は末端か側鎖のいずれか一方に置換基を有するものが挙げられる。なお、上記のような単位を繰り返し含む化合物には、ジメチルシリルオキシ以外の構造単位を含んでいても良い。また、置換基は同一でも異種でも良いが、複数個有することが好ましい。置換基の好適な例としては、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、アリール基、シンナモイル基、エポキシ基、オキセタニル基、水酸基、フルオロアルキル基、ポリオキシアルキレン基、カルボキシル基、アミノ基等が挙げられる。分子量に特に制限はないが、取り扱い性等を考慮して、１０００００以下であることが好ましい。より好ましくは、５００００以下であり、特に好ましくは３０００〜３００００である。シリコーン系化合物のシリコーン原子量にも特に制限はないが、化合物全量に対して１８質量％以上であることが好ましく、より好ましくは２５〜３７．８質量％であり、特に好ましくは３０〜３７質量％である。

次に、本発明の実施例を説明する。各実験の説明は実験１で詳細に行い、実験２〜１８については、実験１と同じ条件の箇所の説明は省略する。

（実験１）
図１及び図２に示すように、一方の面に液晶層を有する偏光板の原反から、所定の角度で、所定の寸法の偏光板を切り出した。余剰シート５について、図３及び図４に示すように、セルロースアシレート回収設備２５を用いて、セルロースアシレート回収工程１０を行い、余剰シート５からＴＡＣチップ１８を得た。

チップ化工程１３では、切断部材を用いて余剰シート５を細かく切断し、０．５ｃｍ×０．５ｃｍ〜１．０ｃｍ×１．０ｃｍの大きさの複層チップ１２とした。吸収工程１５では、温度ＫＴが略３０℃に保持された水に、複層チップ１２を浸漬して、吸液チップ１４をつくった。更に、吸収工程１５では、略７５０ｒｐｍの回転速度ＫＲで攪拌機４３を回転させて、この吸収液３０８を攪拌した。吸収工程１５の処理時間ＫＰを１時間とした。

分解工程１７では、温度ＹＴが略８０℃に保持される分解液３０９に吸液チップ１４を浸漬した。分解液３０９として、過酸化水素の濃度ＹＣが略０．９重量％の過酸化水素水を用いた。また、研磨剤として、珪藻土（昭和化学工業株式会社 ラジオライト＃３００、粒径５μｍ以上７５μｍ以下）を、分解液３０９に添加した。研磨剤の添加量は、吸液チップ１４に対し略０．０３重量％であった。分解工程１７の処理時間ＹＰを３０時間とした。分解工程１７により、吸液チップ１４から残チップ１６をつくった。

洗浄研磨工程１９では、温度ＳＴが１５℃以上２０℃以下に保持される水に、残チップ１６を浸漬した。更に、洗浄研磨工程１９では、略２００回／分の回転速度ＳＲで攪拌機６３を回転させて、この水を１０〜１５分間攪拌して、残チップ１６に付着、残留する過酸化水素を除去し、残チップ１６からＴＡＣチップ１８をつくった。洗浄研磨工程１９の処理時間ＳＰを１０分〜１５分間とした。その後、容器６０から水を取り除いた後、再び水を容器６０に注いだ。そして、この水にＴＡＣチップ１８を浸漬し、ＴＡＣチップ１８を洗浄した。

実験１について、以下に示す残留物の存否について評価を行った。得られた残チップ１６及びＴＡＣチップ１８において、ＰＶＡ層６や機能層９の残留物の存否について、目視観察により調べた。そして、１５ｇの残チップ１６及びＴＡＣチップ１８にて観察された残留物のうち、面積が０．５ｍｍ^２以上の残留物の数をＮとし、この残留物の数Ｎを以下基準に基づいて評価した。
◎：Ｎが５個未満であった。
○：Ｎが５個以上１０個未満であった。
△：Ｎが１０個以上２０個未満であった。
×：Ｎが２０個以上５０個未満であった。
××：Ｎが５０個以上であった。

（実験２〜１７）
実験２〜１７では、吸収液３０８の温度ＫＴ、吸収工程１５の処理時間ＫＰ、攪拌機４３の回転速度ＫＲ、分解液３０９の過酸化水素の濃度ＹＣ、分解液３０９の温度ＹＴ、分解工程１７の処理時間ＹＰ、及び分解液３０９における研磨剤の有無を、表１に示す値又は条件にしたこと以外は、実験１と同様にして、セルロースアシレート回収工程１０を行い、余剰シート５からＴＡＣチップ１８を得た。分解液３０９における研磨剤の有無においては、「有」は研磨剤を含む分解液３０９を用いたことを表し、「無」は、研磨剤を含まない分解液３０９を用いたことを表す。また、実験１３は、吸液チップ１４の重量の０．３％の重量で、実験１と同様の研磨剤を含む分解液３０９を用いた。更に、実験１６、１７は、チップ化工程１３を経た複層チップ１２に、吸収工程１５を行わずに、分解工程１７を行ったものである。

そして、実験１と同様にして、残留物の存否評価を行った。各実験１〜１７における評価結果１，２を、表１に示す。表１において、評価結果１は、残チップ１６における評価結果を表し、評価結果２は、ＴＡＣチップ１８における評価結果を表す。

（実験２１〜２２）
実験２１は、処理時間ＹＰを２０分、３０分、６０分、９０分と変えて分解工程１７を行ったこと以外は、実験１３と同様にして、セルロースアシレート回収工程１０を行い、余剰シート５からＴＡＣチップ１８を得た。実験２２は、研磨剤を含まない分解液３０９を用いて分解工程１７を行ったこと、及び分解工程１７を経た残チップ１６に実験１と同様の洗浄研磨工程１９を行ったこと以外は、実験２１と同様にして、セルロースアシレート回収工程１０を行い、余剰シート５からＴＡＣチップ１８を得た。図６は、横軸が分解工程１７の処理時間ＹＰ（分）を表し、縦軸が残留物の存否の評価結果のスコアを表すグラフであり、実験２１の結果を◆で、実験２２の結果を△で表す。評価結果のスコアは、残留物の存否について評価結果に対応するものであり、両者の対応関係は、◎＝５点、○＝４点、△＝３点、×＝２点、××＝１点である。

図６に示すように、処理時間ＹＰが６０分以下の範囲において、実験２１が、実験２２よりも残留物の存否の評価結果が優れていることがわかる。すなわち、研磨剤を含む分解液３０９を用いて分解工程１７を行うと、過酸化水素及び分解液３０９の温度による化学的ドライビングフォースと、研磨剤による物理的ドライビングフォースとの相乗効果により、機能層９の表層の研磨とともに、ＰＶＡ層６の分解・剥離を促進することが出来る。

実施例１〜２より、本発明によれば、偏光板や視野角拡大フィルムの余剰シートからＴＡＣを効率よく回収することが出来ることがわかった。

（Ａ）は、原反の概要を示す斜視図であり、（Ｂ）は、原反から、偏光板を切り出す概要を示す説明図である。 余剰シートの断面図である。 セルロースアシレート回収工程の概要を示すフロー図である。 セルロースアシレート回収設備の概要を示す説明図である。 回収装置の概要を示す説明図である。 実験２１及び実験２２の実験データを示すグラフである。

５ 余剰シート
６ ＰＶＡ層
７ ＴＡＣ層
８ 接着層
１０ セルロースアシレート回収工程
１２ 複層チップ
１３ チップ化工程
１４ 吸液チップ
１５ 接触工程
１６ 残チップ
１７ 分解工程
１８ ＴＡＣチップ
１９ 洗浄研磨工程
２８ 吸収装置
２９ 溶解装置
３０ 洗浄研磨装置
４１ 温度調節器
３０８ 吸収液
３０９ 分解液
３１０ 洗浄液

Claims (6)

1. セルロースエステルを含む層と機能層とが層を成す複合体から前記セルロースエステルを回収する方法であって、
   前記機能層に液を吸収させる吸収工程と、
   過酸化物を含む分解液と前記複合体とを接触させ、前記機能層を分解する分解工程と、
   研磨剤を含む洗浄液を用いて、前記機能層を研磨しながら前記分解工程を経た前記複合体を洗浄する洗浄研磨工程とを有することを特徴とするセルロースエステルの回収方法。
2. 前記吸収工程における前記セルロースエステルを含む層の温度を１５℃以上８０℃以下の範囲内に調節することを特徴とする請求項１記載のセルロースエステルの回収方法。
3. 前記吸収工程にて前記液を攪拌することを特徴とする請求項１または２記載のセルロースエステルの回収方法。
4. 前記吸収工程後に、前記分解工程及び前記洗浄研磨工程を同時に行うことを特徴とする請求項１ないし３のうちいずれか１項記載のセルロースエステルの回収方法。
5. 前記機能層が、ポリビニルアルコール又は変性ポリビニルアルコールを含むことを特徴とする請求項１ないし４のうちいずれか１項記載のセルロースエステルの回収方法。
6. 前記機能層が、ＰＶＡ層と液晶性化合物を含む液晶層とを含むことを特徴とする請求項１ないし４のうちいずれか１項記載のセルロースエステルの回収方法。

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