JP2011050980A - ガスシールドアーク溶接トーチのシールドノズル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ソリッドワイヤーが挿通され、ソリッドワイヤーに電流を供給するコンタクトチップを包容するように配設された筒状のガスシールドアーク溶接トーチのシールドノズル5であって、シールドノズル母材5a表面に、密着性セラミック被膜の母材表上被膜層5bを形成し、母材表上被膜層5bの上層に、硬質セラミック被膜の表面被膜層5dを形成する。なお、母材表上被膜層5bと表面被膜層5dの間に、密着性セラミックと硬質セラミックの混合物からなる中間被膜層5cを形成することが好ましい。
【選択図】図2
Description
ソリッドワイヤーが挿通され、ソリッドワイヤーに電流を供給するコンタクトチップを包容するように配設された筒状のガスシールドアーク溶接トーチのシールドノズルであって、
シールドノズル母材表面に、密着性セラミック被膜の母材表上被膜層を形成し、
前記母材表上被膜層の上層に、硬質セラミック被膜の表面被膜層を形成し、
前記密着性セラミックは、Cr、V、Ta、Zr、Wから選ばれる1種類以上の金属元素と、N、C、Bから選ばれる1種類以上の元素からなる複合化合物、又はこの複合化合物の混合物であり、
前記硬質セラミック被膜は、Ti、Cr、Al及びSiから選ばれる2種以上の金属元素を含有し、N、C、Bから選ばれる1種類以上の元素からなる複合化合物、又はこの複合化合物の混合物であることを特徴とする。
密着性セラミックは、CrN、Cr2N、又は、これらの混合物であることを特徴とする。
これにより、硬質セラミック被膜である表面被膜層にスパッタが当接したとしても、硬質セラミック被膜の摩擦係数は低く、当該被膜は滑らかなため、スパッタが流れ落ち、シールドノズル表面へのスパッタの付着を防止することが可能となる。また、硬質セラミック被膜は耐熱性が高いため、スパッタの当接により表面被膜層が消耗しない。更に、母材表上被膜層を密着性セラミックで構成したので、表面被膜層の剥離が抑制される。このため、溶接ラインや溶接作業を止めることなく、長時間連続して溶接することが可能となる。
これにより、密着性セラミックと硬質セラミックとの格子定数の差に起因する表面被膜層と母材表上被膜層との密着性の低下を抑止し、表面被膜層の剥離を防止することが可能となる。
これにより、密着性セラミックと硬質セラミックとの格子定数の差を緩和させることにより、密着性セラミックと硬質セラミックとの格子定数に起因する表面被膜層と母材表上被膜層との密着性の低下を防止し、表面被膜層の剥離を防止することが可能となる。
これにより、密着性セラミック被膜として、シールドノズルへの高い密着性を実現することが可能となる。
これにより、硬質セラミック被膜として、低い摩擦係数及び高い耐熱性を実現することが可能となる。
以下に、図面を参照しつつ本発明の好ましい実施の形態を示す。図1において、1はコンタクトチップ、2はチップホルダ、3はノズルホルダ、5はシールドノズルである。
以下、図2を用いて、シールドノズル5の表面に形成された被膜について説明する。
シールドノズルの母材5aには、鉄、ステンレス、銅、クロム銅等の銅合金が含まれる。本発明のシールドノズル5は、図2に示されるように、シールドノズル母材5a表面から順に、母材表上被膜層5b、中間被膜層5c、表面被膜層5dが形成されている。
なお、表面被膜層5dを、金属元素の原子比率がTi0.5以下、Cr0.2以上0.5以下、Al0.3以上0.7以下、Si0.2以下のTiCrAlSi系窒化物で構成すると、動摩擦計数は0.25〜0.40、面粗度は、0.15〜0.25(Ra:μm)となる。
また、硬質セラミック被膜は耐熱性(前記金属元素の原子比率TiCrAlSi系窒化物の場合には酸化開始温度1050〜1100℃)に優れるので、スパッタがシールドノズル5の表面(表面被膜層5d)に当接したとしても、表面被膜層5dが熱により酸化することない。更に、硬質セラミック被膜は、高硬度(前記金属元素の原子比率TiCrAlSi系窒化物の場合には3000〜3400Hv)であるので、スパッタの当接により、表面被膜層5dに傷が着くことがない。
以下に本発明のシールドノズル5の製造方法について説明する。本発明では、周知のアークイオンプレーティング法により、シールドノズル母材5a表面に、母材表上被膜層5b、中間被膜層5c、表面被膜層5dを形成している。本発明では、アークイオンプレーティング装置内に配設されるターゲットとして、Cr、TiとCrとAl及びSiのうちの2種以上の元素の固溶体を組み合わせ使用している。ターゲットと離間して陽極が配設され、ターゲットと陽極はアーク電源に接続されている。
本発明では、シールドノズル5に、母材表上被膜層5b、中間被膜層5c、表面被膜層5dを形成しているが、コンタクトチップ1やチップホルダ2に、母材表上被膜層、中間被膜層、表面被膜層を形成することもでき、この場合には、コンタクトチップ1やチップホルダ2へのスパッタの付着を抑止することが可能となる。
1a ワイヤー送出口
2 チップホルダ
2a ネジ部
2b ガス供給口
3 ノズルホルダ
3a 取付部
3b ネジ部
5 シールドノズル
5a シールドノズル母材
5b 母材表上被膜層
5c 中間被膜層
5d 表面被膜層
5g 取付部
50 コンタクトチップ
51 チップホルダ
51a ガス供給口
52 シールドノズル
53 ノズルホルダ
99 スパッタ
Claims (5)
- ソリッドワイヤーが挿通され、ソリッドワイヤーに電流を供給するコンタクトチップを包容するように配設された筒状のガスシールドアーク溶接トーチのシールドノズルであって、
シールドノズル母材表面に、密着性セラミック被膜の母材表上被膜層を形成し、
前記母材表上被膜層の上層に、硬質セラミック被膜の表面被膜層を形成し、
前記密着性セラミックは、Cr、V、Ta、Zr、Wから選ばれる1種類以上の金属元素と、N、C、Bから選ばれる1種類以上の元素からなる複合化合物、又はこの複合化合物の混合物であり、
前記硬質セラミック被膜は、Ti、Cr、Al及びSiから選ばれる2種以上の金属元素を含有し、N、C、Bから選ばれる1種類以上の元素からなる複合化合物、又はこの複合化合物の混合物であることを特徴とするガスシールドアーク溶接トーチのシールドノズル。 - 母材表上被膜層と表面被膜層の間に、密着性セラミックと硬質セラミックの混合物からなる中間被膜層を形成したことを特徴とする請求項1に記載のガスシールドアーク溶接トーチのシールドノズル。
- 中間被膜層は、密着性セラミックと硬質セラミックの比率が、母材表上被膜層から表面被膜層に向けて、連続的又は段階的に変化していることを特徴とする請求項2に記載のガスシールドアーク溶接トーチのシールドノズル。
- 密着性セラミックは、CrN、Cr2N、又は、これらの混合物であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載のガスシールドアーク溶接トーチのシールドノズル。
- 硬質セラミック被膜は、金属元素の原子比率がTi0.5以下、Cr0.2以上0.5以下、Al0.3以上0.7以下、Si0.2以下であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載のガスシールドアーク溶接トーチのシールドノズル。
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