JP2011041947A - 改質方法および改質装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】改質装置は、冷電子放出素子からなる面放射型電子源1を備え、この面放射型電子源1から放射される電子線を物体に照射することにより、その物体の特性や表面の改質を行う。冷電子放出素子からなる面放射型電子源1を用いているため、熱電子放出素子に比べて消費電力の低減、並びに電子放出までの立ち上がり時間が短縮でき、点又は線状の熱電子放出素子からなる電子源を用いる従来方法および従来装置に比較して、処理効率が高く、簡単且つ低コストな改質方法および改質装置が実現できる。
【選択図】 図1
Description
2 加速電極
3 ハウジング
4 外部電源
Claims (9)
- n形シリコン基板の主表面側に強電界ドリフト層が形成され、強電界ドリフト層上に金属薄膜よりなる表面電極が形成され、n形シリコン基板と当該n形シリコン基板の裏面に形成されたオーミック電極とで下部電極が構成され、さらに、強電界ドリフト層が、少なくとも下部電極の表面側に列設された柱状の多結晶シリコンのグレインと、グレインの表面に形成されたシリコン酸化膜と、グレイン間に介在する多数のシリコン微結晶と、シリコン微結晶の表面に形成され当該シリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜とから構成される冷電子放出素子よりなる面放射型電子源から放出される電子を物体に照射することで当該物体の特性若しくは表面を改質することを特徴とする改質方法。
- 前記改質は、滅菌、殺菌、除菌、殺虫であることを特徴とする請求項1記載の改質方法。
- 前記改質は、イオン化であることを特徴とする請求項1記載の改質方法。
- 前記面放射型電子源から放出されて物体に照射される電子のエネルギを、50[KeV]以下、1[eV]以上としたことを特徴とする請求項1又は2又は3記載の改質方法。
- 前記面放射型電子源から放出されて物体に照射される電子のエネルギを、紫外線のエネルギ領域としたことを特徴とする請求項1又は2又は3記載の改質方法。
- 前記紫外線のエネルギ領域は、4〜8[eV]であることを特徴とする請求項5記載の改質方法。
- 前記面放射型電子源から放出されて物体に照射される電子のエネルギを、電離エネルギ領域としたことを特徴とする請求項1又は2又は3記載の改質方法。
- 前記電離エネルギ領域は、20〜100[eV]であることを特徴とする請求項7記載の改質方法。
- n形シリコン基板の主表面側に強電界ドリフト層が形成され、強電界ドリフト層上に金属薄膜よりなる表面電極が形成され、n形シリコン基板と当該n形シリコン基板の裏面に形成されたオーミック電極とで下部電極が構成され、さらに、強電界ドリフト層が、少なくとも下部電極の表面側に列設された柱状の多結晶シリコンのグレインと、グレインの表面に形成されたシリコン酸化膜と、グレイン間に介在する多数のシリコン微結晶と、シリコン微結晶の表面に形成され当該シリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜とから構成される冷電子放出素子からなり、物体又は物体が存在する可能性のある空間に向けて電子を放出する面放射型電子源を備え、前記面放射型電子源から放出される電子により前記物体の特性若しくは表面を改質することを特徴とする改質装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016155088A (ja) * | 2015-02-20 | 2016-09-01 | 国立大学法人東京農工大学 | 処理装置及び薄膜の製造方法 |
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2010
- 2010-09-22 JP JP2010212149A patent/JP2011041947A/ja active Pending
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