JP2016155088A - 処理装置及び薄膜の製造方法 - Google Patents
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
【解決手段】弾道電子を放出するナノ結晶シリコン層を備える電子源と、弾道電子が照射される処理対象を載置するステージと、電子源における弾道電子の放出面と処理対象の処理面とが対向し、且つ、放出面と処理面とが非接触となるように電子源とステージとの相対位置を制御する位置制御部とを備える処理装置、及びステージ上に処理対象を載置する工程と、処理対象上に、物質イオンを含む電解質を塗布する工程と、ナノ結晶シリコン層を有する電子源と電解質とが対向し、且つ、電子源と電解質とが非接触となるように電子源とステージとの相対位置を制御する工程と、電子源の放出面から弾道電子を放出する工程と、弾道電子により物質イオンを還元して、処理対象上に還元物質を成膜する工程とを備える薄膜の製造方法を提供する。
【選択図】図1
Description
特許文献1 特許第5649007号公報
特許文献2 特開2003−332265号公報
特許文献3 特開2007−288011号公報
Claims (13)
- 弾道電子を放出するナノ結晶シリコン層を備える電子源と、
前記弾道電子が照射される処理対象を載置するステージと、
前記電子源における前記弾道電子の放出面と前記処理対象の処理面とが対向し、且つ、前記放出面と前記処理面とが非接触となるように前記電子源と前記ステージとの相対位置を制御する位置制御部と
を備える処理装置。 - 前記電子源は、前記放出面に形成された放出電極を更に備え、
前記放出電極は、第1の厚さを有する放出領域と、前記第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有する非放出領域とを有し、または放出領域とそれ以外をマスクパターンで覆った非放出領域とを有し、
前記弾道電子は、前記放出領域から放出される請求項1に記載の処理装置。 - 前記放出電極は、前記放出面以外の領域が露出している請求項2に記載の処理装置。
- 物質イオンを含む電解質を前記処理面上に塗布するディスペンサ、スピンナーまたは印刷システムのいずれかを更に備え、
前記位置制御部は、前記放出面が前記電解質の表面と対向し、且つ、前記放出面と前記電解質とが非接触となるように前記電子源と前記ステージとの相対位置を制御し、
前記電子源は、前記物質イオンを還元して前記処理面上に還元物質を成膜する請求項1から3のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記電子源及び前記ステージを収容する収容部を更に備え、
前記位置制御部は、前記収容部内の気圧に応じて前記放出面と前記処理面との間隔を制御する請求項1から4のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記位置制御部は、前記収容部内が大気圧である場合に、前記放出面と前記処理面との間隔を500nm以下に制御する請求項5に記載の処理装置。
- 前記処理対象の電位を制御する電位制御部を更に備え、
前記電位制御部は、前記収容部内の気圧に応じて前記処理対象の電位を制御する請求項5又は6に記載の処理装置。 - 前記位置制御部は、前記電子源の位置を、前記ステージに対して相対的に走査する請求項1から7のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記電子源と前記処理面との最短距離は、前記放出面と前記処理面との距離である請求項1から8のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記電子源は、前記弾道電子を照射することで、前記処理対象のpHを制御する請求項1から9のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記電子源は、前記弾道電子を照射することで、前記処理対象の表面を改質する請求項1から10のいずれか一項に記載の処理装置。
- ステージ上に処理対象を載置する工程と、
前記処理対象上に、物質イオンを含む電解質を塗布する工程と、
ナノ結晶シリコン層を有する電子源と前記電解質とが対向し、且つ、前記電子源と前記電解質とが非接触となるように前記電子源と前記ステージとの相対位置を制御する工程と、
前記電子源の放出面から弾道電子を放出する工程と、
前記弾道電子により前記物質イオンを還元して、前記処理対象上に還元物質を成膜する工程と
を備える薄膜の製造方法。 - 前記電子源と前記ステージとの相対位置を制御する工程は、
前記電子源及び前記ステージを収容する収容部内の気圧に応じて、前記放出面と前記処理対象との間隔を制御する請求項12に記載の薄膜の製造方法。
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