JP2011039234A - 表示装置 - Google Patents
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- G09G3/3614—Control of polarity reversal in general
Abstract
【解決手段】各走査線毎に設けられる第1トランジスタと、第1電極が前記各走査線に接続され、第2電極に基準電位が入力される第2トランジスタとを有し、第1トランジスタの第1電極は、第1群のゲート配線の中のいずれかのゲート配線に接続され、第1トランジスタの制御電極は、第2群のゲート配線の中のいずれかのゲート配線に接続され、第2トランジスタの制御電極は、第2群の反転ゲート配線の中のいずれかの反転ゲート配線に接続され、走査線駆動回路は、第2群のゲート配線の何れかに対して非選択走査電圧を出力するとき、第2群の反転ゲート配線の中の対応する反転ゲート配線に対して、間欠的に選択反転走査電圧を出力する。
【選択図】図3
Description
図1に示すように、従来の液晶表示パネルは、液晶を介して互いに対向配置される一対の基板の一方の基板の液晶側の面に、複数の走査線(ゲート線ともいう)(GL)と、複数の映像線(ソース線、またはドレイン線ともいう)(DL)とを有する。
走査線と映像線とで囲まれた領域がサブピクセル領域であり、1つのサブピクセル領域には、ゲートが走査線に、ドレイン(または、ソース)が映像線に、およびソース(または、ドレイン)が画素電極(PX)に接続されるアクティブ素子を構成する薄膜トランジスタ(TFT)が設けられる。
画素電極(PX)と対向電極(CT)との間には液晶が介在するので、画素電極(PX)と対向電極(CT)との間には、液晶容量(Clc)が形成される。なお、実際は、画素電極(PX)と対向電極(共通電極ともいう)(CT)との間には保持容量(Cadd)が設けられるが、図1では、保持容量(Cadd)の図示は省略している。
各走査線(GL)は、垂直走査回路(ゲートドライバともいう)(XDV)に接続され、垂直走査回路(XDV)は、各走査線(GL)に対して順次選択走査信号を供給する。
各映像線(DL)は、水平走査回路(ソースドライバまたはドレインドライバともいう)(YDV)に接続され、水平走査回路(YDV)は、1水平走査期間内に、R、G、Bの映像電圧(所謂、階調電圧)を、各映像線(DL)に出力する。なお、RGBスイッチを用いて映像線の選択を時分割で行い映像線を駆動するドライバの出力数を減らすことが、
下記特許文献1に記載されている。
一般的には、液晶テレビ用の液晶表示パネルでは、アクティブ素子としてa−Si薄膜トランジスタが使用され、携帯電話機用の液晶表示パネルでは、アクティブ素子としてpoiy−Si薄膜トランジスタが使用される。
poiy−Si薄膜トランジスタは、動作速度が、a−Si薄膜トランジスタより2桁程度早いので、アクティブ素子としてpoiy−Si薄膜トランジスタを使用する液晶表示パネルでは、poiy−Si薄膜トランジスタで垂直走査回路(XDV)を構成し、当該垂直走査回路(XDV)を、液晶表示パネルを構成する一対の基板の一方の基板の液晶側の面に作成するようにしている。
a−Si薄膜トランジスタ、あるいは、微結晶薄膜トランジスタは、動作速度が、p−Si薄膜トランジスタより遅いので、アクティブ素子としてa−Si薄膜トランジスタ、あるいは、微結晶薄膜トランジスタを使用する液晶表示パネルでは、垂直走査回路(XDV)を搭載した半導体チップを、例えば、液晶表示パネルを構成する一対の基板の一方の基板に実装するようにしている。
どちらの方法でも、垂直走査回路(XDV)(あるいは走査回路(RDV))から各走査線(GL)に選択走査電圧を供給するために、走査線(GL)の数だけ、垂直走査回路(XDV)(あるいは走査回路(RDV))と各走査線(GL)とを接続するゲート配線が必要となる。
しかし、携帯電話機などの液晶表示パネルのような小型パネルでは、高精細化で画素数が増えた場合、液晶表示パネル内にゲート配線を配線しきれない場合が想定される。そのため、走査線(GL)を駆動するのにアドレス指定した走査線(GL)のみを選択するラインアドレス駆動法が考えられる。
なお、図1、図2において、VSYNCは垂直同期信号、HSYNCは水平同期信号、CKはドットクロック、Dataは映像データである。
一般に、前述のラインアドレス駆動法では、垂直走査回路(XDV)(あるいは走査回路(RDV))によって走査線(GL)が選択された後の約1フレーム期間の間、走査線(GL)を接地電位(リセット電位)に固定するためリセット用の薄膜トランジスタが設けられる。
このリセット用の薄膜トランジスタのソースには、接地電位が供給されるとともに、ドレインには、走査線(GL)が接続され、さらに、ゲートには、通常、走査線(GL)に選択走査電圧を供給する期間のみ、リセット用の薄膜トランジスタをOFFとなし、それ以外の期間(殆ど1フレーム期間)にリセット用の薄膜トランジスタをONとする信号が印加される。
そして、ラインアドレス駆動法を用いる場合、走査線(GL)に選択走査電圧が供給されるのは1フレーム期間に1回なので、走査線(GL)を接地電位に固定するためのリセット用の薄膜トランジスタは、ほぼ1フレーム期間の間連続してONとなる。
そのため、リセット用の薄膜トランジスタのゲートとソース、あるいはドレインとの間の電位差と、その印加時間により生じる過大なストレスにより、リセット用の薄膜トランジスタの劣化が懸念され、液晶表示パネルの信頼性が問題になる。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、ラインアドレス駆動法の表示装置において、リセット用の薄膜トランジスタに加わるストレスを少なくして、リセット用の薄膜トランジスタの劣化を防止することが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
(1)複数の画素と、前記複数の画素に走査電圧を入力する複数の走査線と、前記複数の走査線に前記走査電圧を供給する走査線駆動回路とを備える表示装置であって、前記複数の走査線は、b個の第1のグループにクループ分けされ、前記第1のグループの各々は、1本以上a本以下の前記走査線を有し、前記走査線駆動回路には、a本の第1群のゲート配線と、b本の第2群のゲート配線と、b本の第2群の反転ゲート配線とが接続され、前記複数の走査線の各々は、第1のトランジスタの第2電極及び第2のトランジスタの第1電極が接続され、前記第2のトランジスタの第2電極には、所定の基準電位が印加され、前記第1トランジスタの第1電極は、前記第1群のゲート配線の中のいずれかの1本に接続され、前記第1のトランジスタの制御電極は、前記第2群のゲート配線の中のいずれかの1本に接続され、前記第2のトランジスタの制御電極は、前記第2群の反転ゲート配線の中のいずれかの1本に接続され、前記第1のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記第1のトランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第2群のゲート配線に接続され、前記第1のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記第2のトランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第2群の反転ゲート配線に接続され、前記第2群のゲート配線の何れかに、前記第1のトランジスタがオンとなる選択走査電圧が印加されるときに、前記選択走査電圧が印加された前記第2群のゲート配線と、接続する前記第1のグループが同じである前記第2群の反転ゲート配線には、前記第2のトランジスタがオフとなる非選択反転走査電圧が印加され、且つ、前記第2群のゲート配線の何れかに、前記第1のトランジスタがオフとなる非選択走査電圧が印加されるときに、前記非選択走査電圧が印加された前記第2群のゲート配線と、接続する前記第1のグループが同じである前記第2群の反転ゲート配線には、前記第2のトランジスタがオンとなる選択反転走査電圧が、間欠的に印加される。
(3)複数の画素と、前記複数の画素に走査電圧を入力する複数の走査線と、前記複数の走査線に前記走査電圧を供給する走査線駆動回路とを備える表示装置であって、Nを2以上の整数とするとき、前記複数の走査線は、第1のグループから第Nのグループまで、階層的にグループ分けされ、階層的な前記グループ分けは、前記複数の走査線を、複数個の第1のグループにクループ分けし、前記複数個の第1のグループを、複数個の第2のグループにグループ分し、順次、複数個の第(N−2)のグループを、複数個の第(N−1)のグループにグループ分けし、複数個の第(N−1)のグループが、第Nのグループを成し、前記第1のグループの各々は、1本以上k1本以下の前記走査線を有し、前記第2のグループの各々は、k2個の前記第1のグループを有し、順次、前記第Nのグループの各々は、kN個の前記第(N−1)のグループを有し、前記走査線駆動回路には、k1本の第1群のゲート配線と、k2本の第2群のゲート配線から、順次kN本の第N群のゲート配線までのゲート配線群と、k2本の第2群の反転ゲート配線から、順次kN本の第N群の反転ゲート配線までの反転ゲート配線群とが接続され、前記複数の走査線の各々には、1番目から(2N−2)番目までの(2N−2)個のトランジスタで構成される回路が設けられ、前記1番目から(N−1)番目までの(N−1)個のトランジスタは互いに直列接続され、前記第(N−1)番目のトランジスタの第2電極が前記走査線に接続され、N番目から前記(2N−2)番目までの(N−1)個のトランジスタは、それぞれの第1電極が並列に前記走査線に接続され、前記N番目から(2N−2)番目までの(N−1)個のトランジスタの第2電極の各々には、所定の基準電位が印加され、前記1番目のトランジスタの第1電極は、前記第1群のゲート配線の中のいずれか1本に接続され、前記1番目から前記(N−1)番目までのトランジスタの制御電極は、前記1番目のトランジスタの制御電極が、前記第2群のゲート配線の中のいずれか1本に接続され、順次、前記(N−1)番目のトランジスタの制御電極が、前記第N群のゲート配線の中のいずれか1本に接続され、前記N番目から前記(2N−2)番目までのトランジスタの制御電極は、前記N番目のトランジスタの制御電極が、前記第2群の反転ゲート配線の中のいずれか1本に接続され、順次、前記(2N−2)番目のトランジスタの制御電極が、前記第N群の反転ゲート配線の中のいずれか1本に接続され、前記第1のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記1番目トランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第2群のゲート配線に接続され、順次、前記第(N−1)のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記(N−1)番目のトランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第N群のゲート配線に接続され、前記第1のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記N番目のトランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第2群の反転ゲート配線に接続され、順次、前記第(N−1)のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記(2N−2)番目のトランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第N群の反転ゲート配線に接続され、前記第2群のゲート配線から前記第N群のゲート配線の何れかのゲート配線に、前記トランジスタがオンとなる選択走査電圧が印加されるときに、前記選択走査電圧が印加されたゲート配線と、接続する前記第1のグループから前記第(N−1)までの内のいずれかのグループが同じである前記第2群の反転ゲート配線から前記第N群の反転ゲート配線までの内の何れかの反転ゲート配線には、前記トランジスタがオフとなる非選択反転走査電圧が印加され、前記第2群のゲート配線から前記第N群のゲート配線の何れかのゲート配線に、前記トランジスタがオフとなる非選択走査電圧が印加されるときに、前記非選択走査電圧が印加されたゲート配線と、接続する前記第1のグループから前記第(N−1)までの内のいずれかのグループが同じである前記第2群の反転ゲート配線から前記第N群の反転ゲート配線までの内の何れかの反転ゲート配線には、前記トランジスタがオンとなる選択反転走査電圧が、間欠的に印加される。
(5)(3)または(4)において、前記走査線駆動回路は、k1本の前記第1群のゲート配線に対して、前記第1のグループ各々の走査線を1水平走査期間毎に選択する第1選択走査電圧を出力し、k2本の前記第2群のゲート配線に対して、k1水平走査期間毎に順次第2選択走査電圧を出力し、k3本の前記第3群のゲート配線に対して、(k1×k2)水平走査期間毎に順次第3選択走査電圧を出力し、順次、kN本の前記第N群のゲート配線に対して、(k1×k2×・・・×k(N−1))水平走査期間毎に順次第N選択走査電圧を出力する。
(6)(3)または(4)において、前記複数の画素に映像電圧を入力する複数の映像線と、前記複数の映像線に前記映像電圧を供給する映像線駆動回路とを備え前記各画素は、第1の色のサブピクセルと、第2の色のサブピクセルと、第3の色のサブピクセルとで構成され、前記各画素の前記第1の色のサブピクセル、第2の色のサブピクセル、および第3の色のサブピクセルには、同一の映像線から映像電圧が入力され、k1本の前記第1群のゲート配線は、第1の色用の走査線Aと、第2の色用の走査線Bと、第3の色用の走査線Cとで構成され、前記各画素の前記第1の色のサブピクセルには、前記第1の色用の走査線Aから前記走査電圧が入力され、前記各画素の前記第2の色のサブピクセルには、前記第2の色用の走査線Bから前記走査電圧が入力され、前記各画素の前記第3の色のサブピクセルには、第3の色用の走査線Cから前記走査電圧が入力され、1画素行に前記映像電圧を入力する走査期間を1水平走査期間とするとき、前記1水平走査期間は、連続する第1期間、第2期間、および第3期間に分割され、前記映像線駆動回路は、前記第1期間に前記第1の色の前記映像電圧を、前記第2期間に前記第2の色の前記映像電圧を、前記第3期間に前記第3の色の前記映像電圧を、各映像線に対して供給し、前記走査線駆動回路は、k1個の前記第1群のゲート配線に対して、前記第1期間に前記第1のグループ各々の前記走査線Aを選択し、前記第2期間に前記第1のグループ各々の前記走査線Bを選択し、前記第3期間に前記第1のグループ各々の前記走査線Cを選択する第1選択走査電圧を、1/3水平走査期間毎に出力し、k2本の前記第2群のゲート配線に対して、(1/3×k1)水平走査期間毎に順次第2選択走査電圧を出力し、k3本の前記第3群のゲート配線に対して、(1/3×k1×k2)水平走査期間毎に順次第3選択走査電圧を出力し、順次、kN本の前記第N群のゲート配線に対して、(1/3×k1×k2×・・・×k(N−1))水平走査期間毎に順次第N選択走査電圧を出力する。
(8)(1)から(7)のいずれかにおいて、前記査線駆動回路は、半導体層がポリシリコン層、或いはポリシリコン層とアモルファスシリコンの積層で形成される薄膜トランジスタで構成される回路であり、前記回路は、前記複数の画素が配置される表示部の周囲に形成されている。
(9)(1)から(7)のいずれかにおいて、前記査線駆動回路は、半導体層が微結晶シリコン層、或いは微結晶シリコン層とアモルファスシリコンの積層で形成される薄膜トランジスタで構成される回路であり、前記回路は、前記複数の画素が配置される表示部の周囲に形成されている。
(10)(1)から(7)のいずれかにおいて、前記走査線駆動回路は、半導体チップ内に搭載された回路である。
本発明によれば、ラインアドレス駆動法の表示装置において、リセット用の薄膜トランジスタに加わるストレスを少なくして、リセット用の薄膜トランジスタの劣化を防止することが可能となる。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
[実施例1]
図3は、本発明の実施例1のTFT方式アクティブマトリクス型の液晶表示パネルの等価回路を示す図である。
図3に示すように、本実施例の液晶表示パネルは、液晶を介して互いに対向配置される一対の基板の一方の基板の液晶側の面に、複数の走査線(ゲート線ともいう)(GL−R,GL−G,GL−B)と、複数の映像線(ソース線、またはドレイン線ともいう)(DL)とを有する。
走査線と映像線とで囲まれた領域がサブピクセル領域であり、1つのサブピクセル領域には、ゲートが走査線に、ドレイン(または、ソース)が映像線に、およびソース(または、ドレイン)が画素電極(PX)に接続されるアクティブ素子を構成する薄膜トランジスタ(TFT)が設けられる。
画素電極(PX)と対向電極(CT)との間には液晶が介在するので、画素電極(PX)と対向電極(CT)との間には、液晶容量(Clc)が形成される。なお、実際は、画素電極(PX)と対向電極(共通電極ともいう)(CT)との間には保持容量(Cadd)が設けられるが、図3では、保持容量(Cadd)の図示は省略している。
各映像線(DL)は、水平走査回路と垂直走査回路とを内蔵する走査回路(RDV)に接続される。走査回路(RDV)は、1水平走査期間内に、R、G、Bの映像電圧(所謂、階調電圧)を映像線(DL)に出力する。
そのため、本実施例では、1画素内の赤(R)のサブピクセル、緑(G)のサブピクセル、および青(B)のサブピクセルには、R用の走査線(GL−R)と、G用の走査線(GL−G)と、B用の走査線(GL−B)の専用の走査線を介してそれぞれ走査電圧が入力される。
このように、本実施例では、R,G,Bの各サブピクセルが、映像線(D)の延長方向に、R→G→Bの順番で配置され、また、1表示ライン方向(走査線(G)の延長方向)に、それぞれR,G、Bの各サブピクセルが、1直線上に配置される。
各走査線(GL−R,GL−G,GL−B)は、走査回路(RDV)に接続され、走査回路(RDV)は、上から下、あるいは、下から上に向かって選択走査信号を、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)に順次供給する。
このように、本実施例の液晶表示パネルでは、液晶が一対の基板の間に挟持された構造となっている。また、対向電極は、TN方式やVA方式の液晶表示パネルであれば第2基板(対向基板)側に設けられる。IPS方式の場合は、第1基板(TFT基板)側に設けられる。
なお、本発明において、液晶表示パネルの内部構造とは関係がないので、液晶表示パネルの内部構造の詳細な説明は省略する。さらに、本発明は、どのような構造の液晶表示パネルであっても適用可能である。
本実施例は、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)を2段構成で駆動する実施例である。そのため、本実施例では、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)は、k2個の第1のグループにグループ分けされる。
具体的には、図3において、各第1のグループの走査線(GL−R,GL−G,GL−B)の本数は72本(k1本)であり、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)は36個(k2個)の第1のグループにグループ分けされている。従って図3では、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)の総本数は、2592本(2592=36×72)となる。
そのため、走査回路(RDV)は、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)用の端子として、72個(k1個)の第1群の端子(G0−1〜G0−72)と、(2×36)個(2k2個)の第2群の端子(G1−1〜G1−36,G1−1(B)〜G1−36(B))とを有する。なお、第2群の端子のうち、G1−1〜G1−36が選択走査電圧を出力する端子であり、G1−1(B)〜G1−36(B)が選択反転走査電圧を出力する端子である。なお、上記の例えば1(B)、2(B)等の表記を、図3においては1、2等の数字の上部にバー記号を付ける形で記載している。
なお、図3において、図1に示すように、走査回路(RDV)は、垂直走査回路(XDV)と、水平走査回路(YDV)との別々の回路構成であってもよい。ここで、走査回路(RDV)(あるいは、垂直走査回路(XDV)と、水平走査回路(YDV))は、半導体チップ内の回路で構成し、当該半導体チップを、液晶表示パネルを構成する一対の基板の一方の基板上に実装してもよい。
あるいは、走査回路(RDV)、垂直走査回路(XDV)、あるいは、水平走査回路(YDV)を、poiy−Si薄膜トランジスタで構成し、それらの回路を、液晶表示パネルを構成する一対の基板の一方の基板の液晶側の面に作成するようにしてもよい。
される。
本実施例では、各走査線(GL−R,GL−G,GL−B)の一端は、第1トランジスタ(TR1)の第2電極(ドレインまたはソース)に接続される。
また、各走査線(GL−R,GL−G,GL−B)と基準電位(ここでは、電圧レベルがLowレベル(以下、Lレベルという)のVSSの電圧)との間には、各走査線(GL−R,GL−G,GL−B)に非選択走査電圧が供給されるときに、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)がフローティング状態になるのを防止するための第2トランジスタ(TR2)が接続される。
第1トランジスタ(TR1)の第1電極(ソースまたはドレイン)は、第1群の端子(G0−1〜G0−72)に接続されるゲート配線のいずれかに接続される。また、第1トランジスタ(TR1)のゲートは、第2群の端子の中の(G1−1〜G1−36)の端子に接続されるゲート配線のいずれかに接続される。
さらに、第2トランジスタ(TR2)のゲートは、第2群の端子の中で、選択反転走査電圧を出力する(G1−1(B)〜G1−36(B))の端子に接続される反転ゲート配線のいずれかに接続される。
このスイッチ素子(SW−TFT)のゲートは、各走査線(GL−R,GL−G,GL−B)に接続され、当該走査線が選択されたときに、VcomA、あるいは、VcomBの対向電圧を対向電極(CT)に入力する。なお、VcomAと、VcomBには、正極性の対向電圧と負極性の対向電圧が出力される。ここで、VcomAに正極性の対向電圧が出力されるとき、VcomBの端子には負極性の対向電圧が出力され、VcomAの端子に負極性の対向電圧が出力されるとき、VcomBの端子には負極性の対向電圧が出力される。
これにより、共通対向電極配線の交流周期を1フレーム期間としたまま、液晶表示パネルの駆動方法として、1ライン反転駆動法を可能にしている。また、スイッチ素子(SW−TFT)を設けることにより、各対向電極(CT)の選択時にはただ1本の対向電極の容量を駆動するのみになり、液晶表示パネルを駆動するドライバ(走査回路(RDV)、垂直走査回路(XDV)、あるいは、水平走査回路(YDV))において、対向電極駆動時の消費電流を低くしたまま1ライン反転駆動が可能になる。
図6に示すように、走査回路(RDV)は、第1群の端子であるG0−1からG0−72の端子に、H/3毎に、順次Highレベル(以下、Hレベル)の選択走査電圧を出力する(72進)。
また、走査回路(RDV)は、第2群の端子の中のG1−1からG1−36の端子に、24H期間(=72H/3)毎に、順次Hレベルの選択走査電圧を出力する(24進)。第2群の端子の中で選択された端子にHレベルの選択走査電圧が出力されると、当該選択された端子に接続されたゲート配線にゲートが接続される第1トランジスタ(TR1)がオンとなる。
この状態で、第1群の端子(G0−1〜G0−72)の中で選択された端子から、Hレベルの選択走査電圧が出力されると、選択走査電圧が供給された走査線(GL−R,GL−G,GL−B)にゲートが接続された薄膜トランジスタ(アクティブ素子)(TFT)がオンとなり、薄膜トランジスタ(TFT)を介して画素電極に映像電圧が書き込まれ、液晶表示パネルに画像が表示される。
例えば、G1−1の端子からHighレベル(以下、Hレベル)の選択走査電圧が出力されている期間内に、G0−1〜G0−72の72個の単発パルスがパラレルに、36個の第1のグループ内、1番目の第1のグループに形成された各第1トランジスタ(TR1)に入力され、G1−2の端子からHレベルの選択走査電圧が出力されている期間内に、G0−1〜G0−72の72個の単発パルスがパラレルに、2番目の第1のグループに形成された各第1トランジスタ(TR1)に入力される。
最後に、G1−36の端子からHレベルの選択走査電圧が出力されている期間内に、G0−1〜G0−72の72個の単発パルスがパラレルに、36番目の第1のグループに形成された各第1トランジスタ(TR1)に入力されることで、2592本の走査線(GL−R,GL−G,GL−B)に順次選択走査電圧(図5でVGHで示す電圧)を出力することになる。
ここで、第2群の端子のG1−1(B)からG1−36(B)の端子の中で、選択された端子に対応する端子から、Lレベルの非選択反転走査電圧が出力される。
当該選択された端子に対応する端子から、Lレベルの非選択反転走査電圧が出力されると、当該Lレベルの非選択反転走査電圧が出力される端子に接続された反転ゲート配線にゲートが接続された第2トランジスタ(TR2)がオフとなる。
本実施例では、第1群の端子(G0−1〜G0−72)と、第2群の端子(G1−1〜G1−36,G1−1(B)〜G1−36(B))と、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)とを接続するゲート配線と反転ゲート線の本数は、それぞれ72本、72本(36本×2)で同数であり、この時、ゲート配線の総数は、144本(=72+72)となる。つまり、走査回路(RDV)から全ての走査線(GL−R,GL−G,GL−B)に1本ずつ配線した場合、ゲート配線が2592本必要であったものを、144本に削減できたわけである。
前述したように、薄膜トランジスタの動作寿命に関しては、ゲートとソースとの間、あるいはゲートとドレインとの間の電位差とその印加時間によってストレスの大きさが定義され、このストレスにより、薄膜トランジスタのON電流低下や、閾値シフトが報告されている。
前述した従来技術の第2トランジスタ(TR2)の動作においては、第2トランジスタ(TR2)のゲートに印加されるHレベルの選択反転走査電圧のデューティー比が大きいので、時間経過による薄膜トランジスタの特性の変動が懸念され、これに伴う製品パネルの信頼性が問題となる。
そして、第2トランジスタ(TR2)のゲートに入力されるHレベルの選択反転走査電圧のデューティー比を低下させることは、第2トランジスタ(TR2)の長寿命化に有効であり、本発明では、この第2トランジスタ(TR2)のゲートに入力されるHレベルの選択反転走査電圧のデューティー比を5%以上、50%以下に規定するものである。
このように、本実施例では、第2トランジスタ(TR2)のゲートに、間欠的にHレベルの選択反転走査電圧を入力するので、第2トランジスタ(TR2)のゲートに、Lレベルの非選択反転走査電圧が入力されている期間には、走査線(GL−R,GL−B,GL−B)はフローティング状態となる。
そのため、映像線(DL)に供給される映像電圧の変化の影響で、フローティング状態の走査線(GL−R,GL−G,GL−B)の電圧が立ち上がり、フローティング状態の走査線(GL−R,GL−G,GL−B)にゲートが接続される薄膜トランジスタ(TFT)がオンとなり、選択された画素以外の画像に映像電圧が書き込まれる可能性がある。
第1のグループ内の各第1トランジスタ(TR1)がOFFになり、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)がフローティング状態となり、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)の電圧が立ち上がろうとするが、第2トランジスタ(TR2)のゲートに、間欠的にHレベルの選択反転走査電圧を入力することにより、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)はLレベルに維持されることになる。
ここで、本実施例では、1フレーム期間内に、第2トランジスタ(TR2)のゲートにHレベルの選択反転走査電圧を入力する期間(Ton;1フレーム期間内の全ての、図6に示すT1の期間を加算した期間)は、1フレーム期間内に、第2トランジスタ(TR2)のゲートにLレベルの非選択反転走査電圧を入力する期間(Toff)の、5%以上、50%以下とされる。
即ち、前述したように、第2トランジスタ(TR2)のゲートに入力される選択反転走査電圧のデューティー比は5%以上、50%以下とされる。
図7は、本発明の実施例2のTFT方式アクティブマトリクス型の液晶表示パネルの等価回路を示す図である。
本実施例は、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)を3段構成で駆動する実施例である。本実施例では、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)は、k2×k3個の第1のグループにグループ分けされる。第2のグループの各々はk2個の第1のグループを有し、第3のグループはk3個の第2のグループを有する。
具体的には、図7において、第3のグループは9個(k3個)の第2のグループを有し、第2のグループは12個(k2個)の第1のグループを有し、第1のグループは24本(k1本)の走査線(GL−R,GL−G,GL−B)を有している。従って図7では、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)の総本数は、2592(=24×12×9)となる。
そのため、走査回路(RDV)は、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)用の端子として、24個(k1個)の第1群の端子(G0−1〜G0−24)と、(2×24)個(2k2個)の第2群の端子(G1−1〜G1−12,G1−1(B)〜G1−12(B))と、(2×9)個(2k3個)の第3群の端子(G2−1〜G2−9,G2−1(B)〜G2−9(B))とを有する。
本実施例では、第1群の端子(G0−1〜G0−24)と、第2群の端子(G1−1〜G1−12,G1−1(B)〜G1−12(B))と、第3群の端子(G2−1〜G2−9,G2−1(B)〜G2−9(B))と走査線(GL−R,GL−G,GL−B)とを接続するゲート配線と反転ゲート線の本数は、それぞれ24本、24本(12本×2)、18本(9本×2)とほぼ同数であり、この時、ゲート配線の総数は66本=(24+24+18)となる。つまり、走査回路(RDV)から全ての走査線(GL−R,GL−G,GL−B)に1本ずつ配線した場合、ゲート配線が2592本必要であったものを、66本に削減できたわけである。
また、本実施例では、実施例1と比べてトランジスタ数が、1走査線につき2個から4個に増えるが、そのかわり、ゲート配線数が半分以下(144本→66本)となる。
このように、トランジスタ数とゲート配線数はトレードオフの関係となる。アクティブ素子として、a−Si薄膜トランジスタを使用する液晶表示パネルの場合等のように、トランジスタのサイズを大きくしないと走査線(GL−R,GL−G,GL−B)の立ち上げ、立ち下げに必要な性能が出ない時には、前述の実施例1の方がトランジスタ数を減らせるので、ゲート配線数が増えてもトータルの面積は小さくでき有効となる。
本実施例では、各走査線(GL−R,GL−G,GL−B)の一端は、第3トランジスタ(TR3)の第2電極(ドレインまたはソース)に接続される。さらに、第3トランジスタ(TR3)の第1電極(ソースまたはドレイン)は第1トランジスタ(TR1)の第2電極に接続される。
また、各走査線(GL−R,GL−G,GL−B)と基準電位(ここでは、電圧レベルがLowレベル(以下、Lレベルという)のVSSの電圧)との間には、各走査線(GL−R,GL−G,GL−B)に非選択走査電圧が供給されるときに、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)がフローティング状態になるのを防止するための第2トランジスタ(TR2)と第4トランジスタ(TR4)が接続される。
第1トランジスタ(TR1)の第1電極(ソースまたはドレイン)は、第1群の端子(G0−1〜G0−24)に接続されるゲート配線のいずれかに接続される。また、第1トランジスタ(TR1)のゲートは、第2群の端子の中の(G1−1〜G1−12)の端子に接続されるゲート配線のいずれかに接続される。また、第3トランジスタ(TR3)のゲートは、第3群の端子の中の(G2−1〜G2−9)の端子に接続されるゲート配線のいずれかに接続される。
なお、図7において、図1に示すように、走査回路(RDV)は、垂直走査回路(XDV)と、水平走査回路(YDV)との別々の回路構成であってもよい。ここで、走査回路(RDV)(あるいは、垂直走査回路(XDV)と、水平走査回路(YDV))は、半導体チップ内の回路で構成し、当該半導体チップを、液晶表示パネルを構成する一対の基板の一方の基板上に実装してもよい。
あるいは、走査回路(RDV)、垂直走査回路(XDV)、あるいは、水平走査回路(YDV)を、poiy−Si薄膜トランジスタで構成し、それらの回路を、液晶表示パネルを構成する一対の基板の一方の基板の液晶側の面に作成するようにしてもよい。
される。
また、図8において、VCOMと、VCOMBは、対向電極(CT)に供給する対向電圧の出力端子であり、VCOMの端子に正極性の対向電圧が出力されるとき、VCOMBの端子には負極性の対向電圧が出力され、VCOMの端子に負極性の対向電圧が出力されるとき、VCOMBの端子には負極性の対向電圧が出力される。
図10に示すように、走査回路(RDV)は、第1群の端子の中のG0−1からG0−24の端子に、H/3毎に、順次Highレベル(以下、Hレベル)の選択走査電圧を出力する(24進)。
また、走査回路(RDV)は、第2群の端子の中のG1−1からG1−12の端子に、8H期間(=24H/3)毎に、順次Hレベルの選択走査電圧を出力する(8進)。第2群の端子の中で選択された端子にHレベルの選択走査電圧が出力されると、当該選択された端子に接続されたゲート配線にゲートが接続される第1トランジスタ(TR1)がオンとなる。
また、走査回路(RDV)は、第3群の端子の中のG2−1からG2−9の端子に、96H期間毎に、順次Hレベルの選択走査電圧を出力する(9進)。第3群の端子の中で選択された端子にHレベルの選択走査電圧が出力されると、当該選択された端子に接続されたゲート配線にゲートが接続される第3トランジスタ(TR3)がオンとなる。
これにより、第1群の端子の中で選択された端子から、Hレベルの選択走査電圧が出力されると、選択走査電圧が供給された走査線(GL−R,GL−G,GL−B)にゲートが接続された薄膜トランジスタ(アクティブ素子)(TFT)がオンとなり、薄膜トランジスタ(TFT)を介して画素電極に映像電圧が書き込まれ、液晶表示パネルに画像が表示される。
例えば、G1−1の端子とG2−1の端子とからHレベルの選択走査電圧が出力されている期間内に、G0−1〜G0−24の24個の単発パルスがパラレルに、第1グループ内の各第1トランジスタ(TR1)に入力され、G1−2の端子とG2−1の端子とからHレベルの選択走査電圧が出力されている期間内に、G0−1〜G0−24の24個の単発パルスがパラレルに、第2グループ内の各第1トランジスタ(TR1)に入力される。
最後に、G1−12の端子とG2−1の端子とからHレベルの選択走査電圧が出力されている期間内に、G0−1〜G0−24の24個の単発パルスがパラレルに、第12グループ内の各第1トランジスタ(TR1)に入力されることで、2592本の走査線(GL−R,GL−G,GL−B)に順次選択走査電圧(図9でVGHで示す電圧)を出力することになる。
ここで、第2群のG1−1(B)からG1−12(B)と、第3群のG2−1(B)からG2−9(B)の端子の中で、選択された端子に対応する端子から、Lレベルの非選択反転走査電圧が出力される。
当該選択された端子に対応する端子から、Lレベルの非選択反転走査電圧が出力されると、当該Lレベルの非選択反転走査電圧が出力される端子に接続された反転ゲート配線にゲートが接続された第2トランジスタ(TR2)と、第4トランジスタ(TR4)がオフとなる。
これにより、108のグループの中で選択されたグループの第1トランジスタ(TR1)と第3トランジスタ(TR3)とがオンとなり、第2トランジスタ(TR2)と第4トランジスタ(TR4)とがオフとなる。残りのグループでは、第2トランジスタ(TR2)および第4トランジスタ(TR4)のいずれかがオンとなっているため、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)は、Lレベル(=VSS)となる。本実施例では、このようにして、順次走査線(GL−R,GL−G,GL−B)を選択する。
また、本実施例でも、映像線(DL)に供給される映像電圧の変化の影響で、フローティング状態の走査線(GL−R,GL−G,GL−B)の電圧が立ち上がり、フローティング状態の走査線(GL−R,GL−G,GL−B)にゲートが接続される薄膜トランジスタ(TFT)がオンとなり、選択された画素以外の画像に映像電圧が書き込まれるのを防ぐために、第1のグループ内の各第1トランジスタ(TR1)と各第3トランジスタ(TR3)とがONとなっている期間に、G0−1〜G0−24の端子のそれぞれはHレベルの選択走査電圧を順次出力し、その後Lレベルである非選択走査電圧を出力する。これにより、第1のグループ内の各第1トランジスタ(TR1)と各第3トランジスタ(TR3)の直列回路に接続される全ての走査線(GL−R,GL−B,GL−B)がLレベルに固定されてから、第1のグループ内の各第1トランジスタ(TR1)と各各第3トランジスタ(TR3)がOFFになる。
ここで、本実施例でも、1フレーム期間内に、第2トランジスタ(TR2)のゲートにHレベルの選択反転走査電圧を入力する期間(Ton;1フレーム期間内の全ての、図10に示すT1の期間を加算した期間)は、1フレーム期間内に、第2トランジスタ(TR2)のゲートにLレベルの非選択反転走査電圧を入力する期間(Toff)の、5%以上、50%以下とされる。
即ち、前述したように、第2トランジスタ(TR2)のゲートに入力されるHレベルの選択反転走査電圧のデューティー比は5%以上、50%以下とされる。
なお、本実施例では、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)を3段構成で駆動する場合について説明したが、走査線(GL−R,GL−G,GL−B)を4段以上の構成で駆動することも可能である。
図11は、本発明の実施例3のTFT方式アクティブマトリクス型の液晶表示パネルの等価回路を示す図である。図12は、図11に示す第1トランジスタ(TR1)と第2トランジスタ(TR2)の配置状態を示す図である。
本実施例でも、1画素は、第1の色である赤(R)のサブピクセルと、第2の色である緑(G)のサブピクセルと、第3の色である青(B)のサブピクセルとで構成されるが、本実施例では、1画素内の赤(R)のサブピクセル、緑(G)のサブピクセル、および青(B)のサブピクセルに、それぞれ別々の映像線(DL)を介して、映像電圧(所謂、階調電圧)が入力される。
そこで、本実施例では、走査回路(RDV)側に、RGBスイッチ回路(RGB−SW)を設け、RGBスイッチ回路(RGB−SW)により、1H期間内に走査回路(RDV)から出力される赤(R)、緑(G)、青(B)の映像電圧を、それぞれ赤(R)用の映像線(DL)、緑(G)用の映像線(DL)、青(B)用の映像線(DL)に出力する。
また、1H期間内に、1画素内の赤(R)のサブピクセル、緑(G)のサブピクセル、および青(B)のサブピクセルには、同じ走査線(GL)を介して走査電圧が入力される。
そのため、本実施例では、前述の実施例1と比して、映像線(DL)の本数が3倍となる代わりに、走査線(GL)が(1/3)となる。即ち、走査線(GL)の本数が、864本となる。
本実施例では、走査線(GL)は、36個(k2個)の第1のグループにグループ分けされる。各第1のグループの走査線(GL)の本数は、24本(k1本)である。
そのため、走査回路(RDV)は、走査線(GL)用の端子として、24個(k1個)の第1群の端子(G0−1〜G0−24)と、(2×36)個(2k2個)の第2群の端子(G1−1〜G1−36,G1−1(B)〜G1−36(B))とを有する。
本願実施例の動作は、前述の実施例1と同じであるので再度の詳細な説明は省略する。
なお、前述の各実施例において、第1トランジスタ(TR1)〜第4トランジスタ(TR4)には、poiy−Si薄膜トランジスタを使用した場合について説明したが、第1トランジスタ(TR1)〜第4トランジスタ(TR4)には、a−Si薄膜トランジスタ、あるいは、微結晶Si薄膜トランジスタが使用可能である。また、各トランジスタに、a−Siとpoiy−Siの積層膜、あるいはa−Siと微結晶Siの積層膜を使用してもよい。
また、前述の各実施例では、本発明を、液晶表示装置に適用した実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、表示パネルとして、有機発光ダイオード素子や表面伝導型電子放出素子を用いる表示装置にも適用可能である。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
DL 映像線
PX 画素電極
CT 対向電極
TFT,TR1,TR2,TR3,TR4 薄膜トランジスタ
Clc 液晶容量
RDV 走査回路
XDV 垂直走査回路
YDV 水平走査回路
RGB−SW RGBスイッチ回路
Claims (10)
- 複数の画素と、
前記複数の画素に走査電圧を入力する複数の走査線と、
前記複数の走査線に前記走査電圧を供給する走査線駆動回路とを備える表示装置であって、
前記複数の走査線は、b個の第1のグループにクループ分けされ、
前記第1のグループの各々は、1本以上a本以下の前記走査線を有し、
前記走査線駆動回路には、a本の第1群のゲート配線と、b本の第2群のゲート配線と、b本の第2群の反転ゲート配線とが接続され、
前記複数の走査線の各々は、第1のトランジスタの第2電極及び第2のトランジスタの第1電極が接続され、
前記第2のトランジスタの第2電極には、所定の基準電位が印加され、
前記第1トランジスタの第1電極は、前記第1群のゲート配線の中のいずれかの1本に接続され、
前記第1のトランジスタの制御電極は、前記第2群のゲート配線の中のいずれかの1本に接続され、
前記第2のトランジスタの制御電極は、前記第2群の反転ゲート配線の中のいずれかの1本に接続され、
前記第1のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記第1のトランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第2群のゲート配線に接続され、
前記第1のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記第2のトランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第2群の反転ゲート配線に接続され、
前記第2群のゲート配線の何れかに、前記第1のトランジスタがオンとなる選択走査電圧が印加されるときに、
前記選択走査電圧が印加された前記第2群のゲート配線と、接続する前記第1のグループが同じである前記第2群の反転ゲート配線には、前記第2のトランジスタがオフとなる非選択反転走査電圧が印加され、
且つ、前記第2群のゲート配線の何れかに、前記第1のトランジスタがオフとなる非選択走査電圧が印加されるときに、
前記非選択走査電圧が印加された前記第2群のゲート配線と、接続する前記第1のグループが同じである前記第2群の反転ゲート配線には、前記第2のトランジスタがオンとなる選択反転走査電圧が、間欠的に印加されることを特徴とする表示装置。 - 複数の画素と、
前記複数の画素に走査電圧を入力する複数の走査線と、
前記複数の走査線に前記走査電圧を供給する走査線駆動回路とを備える表示装置であって、
前記複数の走査線は、複数個の第1のグループにクループ分けされ、
前記複数個の第1のグループは、c個の第2のグループにグループ分けされ、
前記第1のグループの各々は、1本以上a本以下の前記走査線を有し、
前記第2のグループの各々は、b個の前記第1のグループを有し、
前記走査線駆動回路には、a本の第1群のゲート配線と、b本の第2群のゲート配線と、c本の第3群のゲート配線と、b本の第2群の反転ゲート配線と、c本の第3群の反転ゲート配線とが接続され、
前記複数の走査線の各々には、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、第4のトランジスタで構成される回路が設けられ、
前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは直列接続され、
前記第2のトランジスタの第2電極が前記走査線に接続され、
前記第3のトランジスタと前記第4のトランジスタとはそれぞれの第1電極が並列に前記走査線に接続され、
前記第3のトランジスタの第2電極と前記第4のトランジスタの第2電極とは、それぞれ所定の基準電位が印加され、
前記第1トランジスタの第1電極は、前記第1群のゲート配線の中のいずれかの1本に接続され、
前記第1のトランジスタの制御電極は、前記第2群のゲート配線の中のいずれかの1本に接続され、
前記第2のトランジスタの制御電極は、前記第3群のゲート配線の中のいずれかの1本に接続され、
前記第3のトランジスタの制御電極は、前記第2群の反転ゲート配線の中のいずれかの1本に接続され、
前記第4のトランジスタの制御電極は、前記第3群の反転ゲート配線の中のいずれかの1本に接続され、
前記第1のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記第1のトランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第2群のゲート配線に接続され、
前記第2のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記第2のトランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第3群のゲート配線に接続され、
前記第1のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記第3のトランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第2群の反転ゲート配線に接続され、
前記第2のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記第4のトランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第3群の反転ゲート配線に接続され、
前記第2群のゲート配線或いは前記第3群のゲート配線の何れかのゲート配線に、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタがオンとなる選択走査電圧が印加されるときに、
前記選択走査電圧が印加されたゲート配線と、接続する前記第1のグループ或いは第2のグループが同じである前記第2群の反転ゲート配線或いは前記第3群の反転ゲート配線には、前記第3のトランジスタ及び前記第4のトランジスタがオフとなる非選択反転走査電圧が印加され、
且つ、前記第2群のゲート配線或いは前記第3群のゲート配線の何れかのゲート配線に、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタがオフとなる非選択走査電圧が印加されるときに、
前記非選択走査電圧が印加された前記ゲート配線と、接続する前記第1のグループ或いは第2のグループが同じである前記第2群の反転ゲート配線或いは前記第3群の反転ゲート配線には、前記第3のトランジスタ及び前記第4のトランジスタがオンとなる選択反転走査電圧が、間欠的に印加されることを特徴とする表示装置。 - 複数の画素と、
前記複数の画素に走査電圧を入力する複数の走査線と、
前記複数の走査線に前記走査電圧を供給する走査線駆動回路とを備える表示装置であって、
Nを2以上の整数とするとき、前記複数の走査線は、第1のグループから第Nのグループまで、階層的にグループ分けされ、
階層的な前記グループ分けは、
前記複数の走査線を、複数個の第1のグループにクループ分けし、
前記複数個の第1のグループを、複数個の第2のグループにグループ分し、
順次、複数個の第(N−2)のグループを、複数個の第(N−1)のグループにグループ分けし、
複数個の第(N−1)のグループが、第Nのグループを成し、
前記第1のグループの各々は、1本以上k1本以下の前記走査線を有し、
前記第2のグループの各々は、k2個の前記第1のグループを有し、
順次、前記第Nのグループの各々は、kN個の前記第(N−1)のグループを有し、
前記走査線駆動回路には、k1本の第1群のゲート配線と、k2本の第2群のゲート配線から、順次kN本の第N群のゲート配線までのゲート配線群と、k2本の第2群の反転ゲート配線から、順次kN本の第N群の反転ゲート配線までの反転ゲート配線群とが接続され、
前記複数の走査線の各々には、1番目から(2N−2)番目までの(2N−2)個のトランジスタで構成される回路が設けられ、
前記1番目から(N−1)番目までの(N−1)個のトランジスタは互いに直列接続され、
前記第(N−1)番目のトランジスタの第2電極が前記走査線に接続され、
N番目から前記(2N−2)番目までの(N−1)個のトランジスタは、それぞれの第1電極が並列に前記走査線に接続され、
前記N番目から(2N−2)番目までの(N−1)個のトランジスタの第2電極の各々には、所定の基準電位が印加され、
前記1番目のトランジスタの第1電極は、前記第1群のゲート配線の中のいずれか1本に接続され、
前記1番目から前記(N−1)番目までのトランジスタの制御電極は、
前記1番目のトランジスタの制御電極が、前記第2群のゲート配線の中のいずれか1本に接続され、順次、前記(N−1)番目のトランジスタの制御電極が、前記第N群のゲート配線の中のいずれか1本に接続され、
前記N番目から前記(2N−2)番目までのトランジスタの制御電極は、
前記N番目のトランジスタの制御電極が、前記第2群の反転ゲート配線の中のいずれか1本に接続され、順次、前記(2N−2)番目のトランジスタの制御電極が、前記第N群の反転ゲート配線の中のいずれか1本に接続され、
前記第1のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記1番目トランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第2群のゲート配線に接続され、
順次、前記第(N−1)のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記(N−1)番目のトランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第N群のゲート配線に接続され、
前記第1のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記N番目のトランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第2群の反転ゲート配線に接続され、
順次、前記第(N−1)のグループの各々が有する前記走査線に接続されている前記(2N−2)番目のトランジスタの制御電極は、それぞれ同じ前記第N群の反転ゲート配線に接続され、
前記第2群のゲート配線から前記第N群のゲート配線の何れかのゲート配線に、前記トランジスタがオンとなる選択走査電圧が印加されるときに、
前記選択走査電圧が印加されたゲート配線と、接続する前記第1のグループから前記第(N−1)までの内のいずれかのグループが同じである前記第2群の反転ゲート配線から前記第N群の反転ゲート配線までの内の何れかの反転ゲート配線には、前記トランジスタがオフとなる非選択反転走査電圧が印加され、
前記第2群のゲート配線から前記第N群のゲート配線の何れかのゲート配線に、前記トランジスタがオフとなる非選択走査電圧が印加されるときに、
前記非選択走査電圧が印加されたゲート配線と、接続する前記第1のグループから前記第(N−1)までの内のいずれかのグループが同じである前記第2群の反転ゲート配線から前記第N群の反転ゲート配線までの内の何れかの反転ゲート配線には、前記トランジスタがオンとなる選択反転走査電圧が、間欠的に印加されることを特徴とする表示装置。 - 1フレーム期間内に、前記走査線駆動回路から前記第2群から第N群の各反転ゲート配線に対して、選択反転走査電圧を出力する期間をTon、非選択反転走査電圧を出力する期間をToffとするとき、0.05≦Ton/(Ton+Toff)≦0.5を満足することを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
- 前記走査線駆動回路は、k1本の前記第1群のゲート配線に対して、前記第1のグループ各々の走査線を1水平走査期間毎に選択する第1選択走査電圧を出力し、
k2本の前記第2群のゲート配線に対して、k1水平走査期間毎に順次第2選択走査電圧を出力し、
k3本の前記第3群のゲート配線に対して、(k1×k2)水平走査期間毎に順次第3選択走査電圧を出力し、
順次、kN本の前記第N群のゲート配線に対して、(k1×k2×・・・×k(N−1))水平走査期間毎に順次第N選択走査電圧を出力することを特徴とする請求項3または請求項4項に記載の表示装置。 - 前記複数の画素に映像電圧を入力する複数の映像線と、
前記複数の映像線に前記映像電圧を供給する映像線駆動回路とを備え
前記各画素は、第1の色のサブピクセルと、第2の色のサブピクセルと、第3の色のサブピクセルとで構成され、
前記各画素の前記第1の色のサブピクセル、第2の色のサブピクセル、および第3の色のサブピクセルには、同一の映像線から映像電圧が入力され、
k1本の前記第1群のゲート配線は、第1の色用の走査線Aと、第2の色用の走査線Bと、第3の色用の走査線Cとで構成され、
前記各画素の前記第1の色のサブピクセルには、前記第1の色用の走査線Aから前記走査電圧が入力され、
前記各画素の前記第2の色のサブピクセルには、前記第2の色用の走査線Bから前記走査電圧が入力され、
前記各画素の前記第3の色のサブピクセルには、第3の色用の走査線Cから前記走査電圧が入力され、
1画素行に前記映像電圧を入力する走査期間を1水平走査期間とするとき、
前記1水平走査期間は、連続する第1期間、第2期間、および第3期間に分割され、
前記映像線駆動回路は、前記第1期間に前記第1の色の前記映像電圧を、前記第2期間に前記第2の色の前記映像電圧を、前記第3期間に前記第3の色の前記映像電圧を、各映像線に対して供給し、
前記走査線駆動回路は、k1個の前記第1群のゲート配線に対して、前記第1期間に前記第1のグループ各々の前記走査線Aを選択し、前記第2期間に前記第1のグループ各々の前記走査線Bを選択し、前記第3期間に前記第1のグループ各々の前記走査線Cを選択する第1選択走査電圧を、1/3水平走査期間毎に出力し、
k2本の前記第2群のゲート配線に対して、(1/3×k1)水平走査期間毎に順次第2選択走査電圧を出力し、
k3本の前記第3群のゲート配線に対して、(1/3×k1×k2)水平走査期間毎に順次第3選択走査電圧を出力し、
順次、kN本の前記第N群のゲート配線に対して、(1/3×k1×k2×・・・×k(N−1))水平走査期間毎に順次第N選択走査電圧を出力することを特徴とする請求項3または請求項4に記載の表示装置。 - 前記走査線駆動回路は、前記第2選択走査電圧を出力している期間内で、前記第1選択走査電圧を出力した後に、k1個の前記第1群のゲート配線の各々に、前記基準電位を出力することを特徴とする請求項5または請求項6に記載の表示装置。
- 前記査線駆動回路は、半導体層がポリシリコン層、或いはポリシリコン層とアモルファスシリコンの積層で形成される薄膜トランジスタで構成される回路であり、
前記回路は、前記複数の画素が配置される表示部の周囲に形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記査線駆動回路は、半導体層が微結晶シリコン層、或いは微結晶シリコン層とアモルファスシリコンの積層で形成される薄膜トランジスタで構成される回路であり、
前記回路は、前記複数の画素が配置される表示部の周囲に形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記走査線駆動回路は、半導体チップ内に搭載された回路であることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の表示装置。
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