JP2011035603A - 固体撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】増幅トランジスタのゲート・ソース間電圧の変動を低減することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】垂直信号線を介して増幅トランジスタのソース端子側にバイアス電流を供給するソース端子用電流源と、垂直信号線を介して増幅トランジスタのソース端子側に第一の基準電位を供給する反転アンプ用電圧源と、増幅トランジスタのドレイン端子側に第二の基準電圧を供給するフォロア用電圧源と、増幅トランジスタのドレイン端子側にソース端子用電流源から供給されるバイアス電流をコピーしたバイアス電流を供給する反転アンプ用電流源と、を備え、垂直信号線に反転アンプ用電圧源を接続し、増幅トランジスタのドレイン端子側に反転アンプ用電流源を接続した状態で、リセットトランジスタを介して増幅トランジスタのゲート端子側とドレイン端子側を接続することによって、増幅トランジスタのゲート端子のリセット電位を決定する。
【選択図】図1

Description

本発明は、撮像素子を一括リセット、一括蓄積することが可能な固体撮像装置に関する。
動きのある被写体を、CCD(Charge Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor:相補型金属酸化膜半導体)イメージセンサーなどの撮像素子を用いて撮影した場合、被写体の動きに応じた動きブレに伴って、撮影した静止画の画質劣化が起こってしまう。この被写体の動きが原因となる画質劣化を避けるため、撮像素子のフォトダイオードによる被写体光の蓄積開始と蓄積終了とを画面内で同時に行う一括リセットおよび一括蓄積を実現したグローバルシャッター方式が用いられている。
図6は、上述のグローバルシャッター方式による読み出しを行う従来の固体撮像装置を説明する図である。図6(a)は、グローバルシャッター方式の固体撮像装置の概略構成を示した図である。
図6(a)に示した固体撮像装置は、単位画素P11〜P22が行方向および列方向(図6(a)においては、2行2列)に二次元的に配置された画素部2と、画素部2を読み出す際に行方向を選択する垂直走査回路3と、画素部2の列方向毎にバイアス電流を供給する画素バイアス部I11およびI12とから構成される。なお、以下では、単位画素P11〜P22のいずれか1つを示すときには「単位画素1」という。
単位画素1は、それぞれ、フォトダイオードPD、転送トランジスタM1、リセットトランジスタM2、増幅トランジスタM3、選択トランジスタM4から構成される。
フォトダイオードPDは、被写体光を光電変換して電荷を発生する光電変換部である。 転送トランジスタM1は、垂直走査回路3から入力された転送ラインφTR1〜φTR2に基づいて、フォトダイオードPDで発生した電荷を増幅トランジスタM3のゲート端子に転送する。リセットトランジスタM2は、垂直走査回路3から入力されたリセットラインφRST1〜φRST2に基づいて増幅トランジスタM3のゲート端子の電位をリセットする。増幅トランジスタM3は、転送トランジスタM1によって転送されたフォトダイオードPDの電荷に応じた電圧を出力する。選択トランジスタM4は、垂直走査回路3から入力された選択ラインφROW1〜φROW2に基づいて、増幅トランジスタM3が出力した電圧を、単位画素1の出力として出力する。
固体撮像装置は、垂直走査回路3から出力されるリセットラインφRST1〜φRST2、転送ラインφTR1〜φTR2および選択ラインφROW1〜φROW2によって選択された行方向の単位画素1の出力を画素信号として画素出力ラインV1〜V2に出力する。
図6(b)は、グローバルシャッター方式による読み出しを行う固体撮像装置の制御タイミングの一例を示した図である。
グローバルシャッター方式の固体撮像装置から画素信号を読み出す場合、リセットラインφRST1、φRST2を“H”レベルとし、転送ラインφTR1、φTR2を“H”レベルとする(タイミングt1)。このことにより、単位画素P11〜P22内のリセットトランジスタM2および転送トランジスタM1がON状態となり、単位画素P11〜P22内のフォトダイオードPDの電荷がリセットされる。また、このとき、増幅トランジスタM3のゲート端子の電位も電源電圧VDDのレベルにリセットされる。
続いて、リセットラインφRST1、φRST2を“L”レベルとし、転送ラインφTR1、φTR2を“L”レベルとする(タイミングt2)。このことにより、単位画素P11〜P22内のリセットトランジスタM2および転送トランジスタM1がOFF状態となり、単位画素P11〜P22内のフォトダイオードPDの電荷のリセット動作と、増幅トランジスタM3のゲート端子の電位のリセット動作を終了する。このとき、増幅トランジスタM3のゲート端子の電位VG_RESET(M3)は、リセットトランジスタM2に起因して、下式(1)に示すようなリセットノイズ(リセット雑音)を持つこととなる。
VG_RESET(M3)=VDD+√((K×T)/CFD)・・・・・(1)
上式(1)において、Kはボルツマン定数、Tは絶対温度、CFDは増幅トランジスタM3のゲート端子の容量値を示す。なお、上式(1)の右辺第2項(√((K×T)/CFD))は、リセットノイズ成分を示している。
続いて、蓄積時間において、最初に選択ラインφROW1を“H”レベルとする(タイミングt3)ことによって、一行目の単位画素P11、P12内の選択トランジスタM4がON状態となり、単位画素P11、P12のリセット成分(単位画素P11、P12内の増幅トランジスタM3のゲート端子の電位VG_RESET(M3)に応じた電位)が画素出力ラインV1、V2に出力(読み出し)される。続いて、選択ラインφROW1を“L”レベルとする(タイミングt4)ことによって、選択トランジスタM4がOFF状態となり、一行目の単位画素P11、P12のリセット成分の読み出しを終了する。このとき画素出力ラインV1、V2から出力されたリセット成分は、固体撮像装置の外部のアナログ・デジタル変換部でアナログ・デジタル変換され、単位画素P11、P12のリセット成分に応じたデジタル値が固体撮像装置の外部のフレームメモリに記憶される。
続いて、2行目の単位画素P21、P22のリセット成分も同様に読み出され、単位画素P21、P22のリセット成分に応じたデジタル値が固体撮像装置の外部のフレームメモリに記憶される。全ての単位画素1のリセット成分の読み出しが完了すると、固体撮像装置のリセット成分の読み出し動作を終了する。このときのリセット成分による画素出力ラインV1の電位V_RESET(V1)は、下式(2)で示され、上式(1)より、下式(3)で示される。
V_RESET(V1)=VG_RESET(M3)−VGS_RESET(M3_ave)+ΔVGS(M3)・・・・・(2)
V_RESET(V1)=VDD+√((K×T)/CFD)−VGS_RESET(M3_ave)+ΔVGS(M3)・・・・・(3)
上式(2)および式(3)において、VGS_RESET(M3_ave)は増幅トランジスタM3で発生するゲート・ソース間電圧の平均値、ΔVGS(M3)は単位画素P11〜P22の増幅トランジスタM3で発生するゲート・ソース間電圧のばらつきを示す。なお、増幅トランジスタM3で発生するゲート・ソース間電圧のばらつきΔVGS(M3)は、増幅トランジスタM3の特性ばらつきと、画素バイアス部I11〜I12の電流ばらつきとに起因するばらつきである。
続いて、蓄積時間が終了するときに、転送ラインφTR1、φTR2を“H”レベルとする(タイミングt5)。このことにより、単位画素P11〜P22内の転送トランジスタM1がON状態となり、単位画素P11〜P22内のフォトダイオードPDの電荷が増幅トランジスタM3のゲート端子に転送される。その後、転送ラインφTR1、φTR2を“L”レベルとする(タイミングt6)ことにより、単位画素P11〜P22内の転送トランジスタM1がOFF状態となり、単位画素P11〜P22内のフォトダイオードPDの電荷の転送動作を終了する。このとき、増幅トランジスタM3のゲート端子の電位VG_SIG(M3)は、下式(4)で示される。
VG_SIG(M3)= VG_RESET(M3)−VSIG
= VG_RESET(M3)−Q/CFD・・・・・(4)
上式(4)において、Qは転送された信号電荷、CFDは増幅トランジスタM3のゲート端子の容量値を示す。
続いて、蓄積時間が終了した後、最初に選択ラインφROW1を“H”レベルとする(タイミングt7)ことによって、一行目の単位画素P11、P12内の選択トランジスタM4がON状態となり、単位画素P11、P12の信号成分(単位画素P11、P12内の増幅トランジスタM3のゲート端子の電位VG_SIG(M3)に応じた電位)が画素出力ラインV1、V2に読み出される。続いて、選択ラインφROW1を“L”レベルとする(タイミングt8)ことによって、選択トランジスタM4がOFF状態となり、一行目の単位画素P11、P12の信号成分の読み出しを終了する。このとき画素出力ラインV1、V2から出力された信号成分は、固体撮像装置の外部のアナログ・デジタル変換部でアナログ・デジタル変換され、単位画素P11、P12の信号成分に応じたデジタル値が固体撮像装置の外部のフレームメモリに記憶される。
続いて、2行目の単位画素P21、P22の信号成分も同様に読み出され、単位画素P21、P22の信号成分に応じたデジタル値が固体撮像装置の外部のフレームメモリに記憶される。全ての単位画素1の信号成分の読み出しが完了すると、固体撮像装置の信号成分の読み出し動作を終了する。このときの信号成分による画素出力ラインV1の電位V_SIG(V1)は、下式(5)で示される。
V_SIG(V1)=V_RESET(V1)−A×(Q/CFD)・・・・・(5)
上式(5)において、Aは増幅トランジスタM3の増幅率を示す。
最後に、それぞれ外部のフレームメモリに記憶されている信号成分に応じたデジタル値からリセット成分に応じたデジタル値を減算することによって、リセットノイズ成分√((K×T)/CFD)および増幅トランジスタM3のゲート・ソース間電圧のばらつき成分ΔVGS(M3)がなくなり、減算後のデジタル値は、フォトダイオードPDが蓄積時間に発生した信号電荷Qの関数のみとなる。
しかしながら、図6に示す従来の固体撮像装置は、リセットノイズ成分√((K×T)/CFD)および増幅トランジスタM3のゲート・ソース間電圧のばらつき成分ΔVGS(M3)を含んだ状態でアナログ・デジタル変換を行うため、画素出力ラインV1の電位V_SIG(V1)の信号レベルが小さい場合、リセットノイズ成分√((K×T)/CFD)および増幅トランジスタM3のゲート・ソース間電圧のばらつき成分ΔVGS(M3)の割合が大きくなる。例えば、画素出力ラインV1の電位V_SIG(V1)信号レベルが100[mV]、増幅トランジスタM3のゲート端子の容量値CFDが0.5[fF]であった場合、リセットノイズ成分は、√((K×T)/CFD)は約2.8[mV]であるが、増幅トランジスタM3のゲート・ソース間電圧のばらつき成分ΔVGS(M3)は約20[mV]となり、この増幅トランジスタM3のゲート・ソース間電圧のばらつき成分ΔVGS(M3)は無視できるレベルの値ではないという問題がある。
上述の増幅トランジスタM3のゲート・ソース間電圧のばらつき成分の問題を改善するため、種々の技術が考案されている。例えば、特許文献1には、増幅トランジスタM3のゲート端子のリセット動作時に増幅トランジスタM3を含む負帰還回路を構成する技術が開示されている。
図7は、特許文献1で開示された従来の回路の構成を示す回路図である。図7に示した回路は、単位画素P、フォロアアンプ用電流源I111、反転アンプ用電圧源VREF、反転アンプ用電流源I112、電源切り替えスイッチSW1、SW2から構成される。
また、単位画素Pは、フォトダイオードPD、増幅トランジスタM103、選択トランジスタM104、リセットトランジスタM105およびM106、帰還容量CFから構成される。
フォトダイオードPDは、被写体光を光電変換して電荷を発生する光電変換部である。増幅トランジスタM103は、ゲート端子に入力されたフォトダイオードPDの電荷に応じた電圧を出力する。リセットトランジスタM105およびM106は、リセットラインφRS1およびφRS2に基づいて増幅トランジスタM103のゲート端子の電位をリセットする。選択トランジスタM104は、選択ラインφSELに基づいて増幅トランジスタM103、すなわち、単位画素Pの出力を選択する。帰還容量CFは、増幅トランジスタM103のリセット電圧を保持する。
図7に示した従来の回路は、リセットラインφRS1、φRS2、および選択ラインφSELによって選択された単位画素Pの出力を画素信号として出力する。また、図7に示した従来の回路は、リセット動作および読み出し動作に応じて電源切り替えスイッチSW1、SW2を切り替え、増幅トランジスタM103のソース端子およびドレイン端子の接続を切り替える。より具体的には、増幅トランジスタM103のソース端子は、リセット動作時に反転アンプ用電圧源VREFに接続され、読み出し動作時にフォロアアンプ用電流源I111に接続される。また、増幅トランジスタM103のドレイン端子は、リセット動作時に反転アンプ用電流源I112に接続され、読み出し動作時に画素電源VDDに接続される。なお、図7は、リセット時における増幅トランジスタM103の接続を示している。
以下、図7に示した従来の回路のリセット動作について説明する。
はじめに、電源切り替えスイッチSW1、SW2を切り替えて、増幅トランジスタM103のソース端子を反転アンプ用電圧源VREFに接続し、増幅トランジスタM103のドレイン端子を反転アンプ用電流源I112に接続する。
続いて、選択ラインφSELを“H”レベルとし、リセットラインφRS1、φRS2をそれぞれ“H”レベルとすることにより、単位画素P内の選択トランジスタM104、リセットトランジスタM105およびM106がON状態となる。このことにより、増幅トランジスタM103は、ゲート端子を反転入力端子、ドレイン端子を出力端子とする反転増幅器として動作する。そして、選択トランジスタM104とリセットトランジスタM105およびM106とに基づいて、増幅トランジスタM103のソース端子の電圧が反転アンプ用電圧源VREFとなるように増幅トランジスタM103のゲート端子の電圧を決定する帰還ループを形成する。このときの増幅トランジスタM103のゲート端子の電圧VG_RESET(M103)は、下式(6)で示される。
VG_RESET(M103)=VREF+VGS_AMP(M103)・・・・・(6)
上式(6)において、VGS_AMP(M103)は反転アンプ用電流源I112を接続したときの増幅トランジスタM103で発生するゲート・ソース間電圧を示す。なお、増幅トランジスタM103で発生するゲート・ソース間電圧VGS_AMP(M103)には、増幅トランジスタM103の特性ばらつき成分と反転アンプ用電流源I112の電流ばらつき成分とを含んでいる。
続いて、リセットラインφRS1、φRS2をそれぞれ“L”レベルとすることにより、リセットトランジスタM105およびM106をOFF状態とする。さらに、電源切り替えスイッチSW1、SW2を切り替えて、増幅トランジスタM103のソース端子をフォロアアンプ用電流源I111に接続し、増幅トランジスタM103のドレイン端子を画素電源VDDに接続する。このことによって、単位画素Pのリセット成分を、増幅トランジスタM103を介して画素出力ラインに出力(読み出し)する。このとき読み出されたリセット成分による画素出力ラインVの電位V_RESET(V)は、下式(7)で示される。
V_RESET(V)=VG_RESET(M103)−VGS_FLW(M103)=VREF+V(KTC)+ VGS_FLW(M103)−VGS_AMP(M103)・・・・・(7)
上式(7)において、V(KTC)はリセットトランジスタM105およびM106に起因するリセットノイズ、VGS_FLW(M103)はフォロア用電流源I112を接続したときに増幅トランジスタM103で発生するゲート・ソース間電圧を示す。
特開2003−51986号公報
しかしながら、特許文献1に記載の技術によって増幅トランジスタM103のゲート・ソース間電圧のばらつき成分を抑えるためには、上式(7)からも明らかなように、反転アンプ用電流源I112の電流値とフォロア用電流源I111の電流値とが同じ電流値である必要があるという制約がある。より具体的には、特許文献1に記載の回路の動作において、増幅トランジスタM103のゲート端子の電圧を決定する帰還ループを形成する際の基準電流源は反転アンプ用電流源I112であるのに対し、リセット成分を読み出す時の基準電流源はフォロアアンプ用電流源I111である。このため、反転アンプ用電流源I112の電流値とフォロア用電流源I111の電流値とが同じ電流値でない場合は、リセット成分を正しく読み出すことができないという問題がある。
ところが、特許文献1に記載の技術では、この2つの電流源(反転アンプ用電流源I112およびフォロアアンプ用電流源I111)の電流値について十分な考慮がされておらず、上述の制約を排除することができない。
本発明は、上記の課題認識に基づいてなされたものであり、固体撮像装置から読み出されたリセット成分のデジタル値と信号成分のデジタル値との演算を行う場合において、増幅トランジスタのゲート・ソース間電圧の変動を低減することができる固体撮像装置を提供することを目的としている。
上記の課題を解決するため、本発明の固体撮像装置は、入射光に応じた信号電荷を発生する光電変換手段(例えば、第1の実施形態におけるフォトダイオードPD)と、前記光電変換手段で発生した信号電荷をゲート端子で増幅した画素信号を出力する増幅トランジスタ(例えば、第1の実施形態における増幅トランジスタM3)と、前記増幅トランジスタのゲート端子に蓄積された信号電荷をリセットするリセットトランジスタ(例えば、第1の実施形態におけるリセットトランジスタM2)と、を含んだ画素を二次元の行列方向に複数配置した画素部(例えば、第1の実施形態における画素部2)と、前記増幅トランジスタのソース端子側に前記画素部の列毎に設けられている垂直信号線(例えば、第1の実施形態における画素出力ラインV1)と、を有し、蓄積の開始と終了とを一括して行う固体撮像装置(例えば、第1の実施形態における固体撮像装置100)において、前記垂直信号線を介して前記増幅トランジスタのソース端子側にバイアス電流を供給するソース端子用電流源(例えば、第1の実施形態におけるフォロアアンプ用電流供給トランジスタM11)と、前記垂直信号線を介して前記増幅トランジスタのソース端子側に第一の基準電位を供給する反転アンプ用電圧源(例えば、第1の実施形態における反転アンプ用電圧源VREF)と、前記増幅トランジスタのドレイン端子側に第二の基準電圧を供給するフォロア用電圧源(例えば、第1の実施形態における画素電源VDD)と、前記増幅トランジスタのドレイン端子側に前記ソース端子用電流源から供給されるバイアス電流をコピーしたバイアス電流を供給する反転アンプ用電流源(例えば、第1の実施形態におけるカレントミラー回路M14)と、を備え、前記垂直信号線に前記反転アンプ用電圧源を接続し、前記増幅トランジスタのドレイン端子側に前記反転アンプ用電流源を接続した状態で、前記リセットトランジスタを介して前記増幅トランジスタのゲート端子側とドレイン端子側を接続することによって、前記増幅トランジスタのゲート端子のリセット電位を決定する、ことを特徴とする。
また、本発明の前記反転アンプ用電流源は、カレントミラー回路(例えば、第1の実施形態におけるカレントミラー回路M13、M14)を含み、前記カレントミラー回路は、前記ソース端子用電流源から供給されるバイアス電流をコピーしたバイアス電流を供給する、ことを特徴とする。
また、本発明の前記反転アンプ用電流源は、カレントコピアセル(例えば、第2の実施形態におけるカレントコピア用トランジスタM15、サンプルホールド容量C11、電流サンプルスイッチSW11)を含み、前記カレントコピアセルは、前記ソース端子用電流源から供給されるバイアス電流に応じた電圧を保持し、該保持した電圧に応じた値の電流を供給する、ことを特徴とする。
また、本発明の前記カレントコピアセルは、前記増幅トランジスタのゲート端子をリセットするときに前記増幅トランジスタを介して前記ソース端子用電流源から供給されるバイアス電流に応じた電圧を保持する、ことを特徴とする。
また、本発明の固体撮像装置は、入射光に応じた信号電荷を発生する光電変換手段(例えば、第4の実施形態におけるフォトダイオードPD)と、前記光電変換手段で発生した信号電荷をゲート端子で増幅した画素信号を出力する増幅トランジスタ(例えば、第4の実施形態における増幅トランジスタM3)と、前記増幅トランジスタのゲート端子に蓄積された信号電荷をリセットするリセットトランジスタ(例えば、第4の実施形態におけるリセットトランジスタM2)と、を含んだ画素を二次元の行列方向に複数配置した画素部(例えば、第4の実施形態における画素部2)と、前記増幅トランジスタのソース端子側に前記画素部の列毎に設けられている垂直信号線(例えば、第4の実施形態における画素出力ラインV1)と、を有し、蓄積の開始と終了とを一括して行う固体撮像装置(例えば、第4の実施形態における固体撮像装置400)において、前記垂直信号線にソース端子が接続され、前記増幅トランジスタと共に差動入力回路を構成する差動入力トランジスタ(例えば、第4の実施形態における差動入力トランジスタM21)と、前記垂直信号線を介して前記差動入力回路にバイアス電流を供給する差動入力部用電流源(例えば、第4の実施形態における差動入力用電流供給トランジスタM16)と、前記差動入力トランジスタのゲート端子に第一の基準電位を供給する第一の基準電圧源(例えば、第4の実施形態における基準電圧源VREF)と、前記増幅トランジスタのドレイン端子側に第二の基準電位を供給する第二の基準電圧源(例えば、第4の実施形態における画素電源VDD)と、前記差動入力トランジスタのドレイン端子側に第三の基準電位を供給する第三の基準電圧源(例えば、第4の実施形態における画素電源VDD)と、前記増幅トランジスタのドレイン端子側に前記差動入力部用電流源から供給されるバイアス電流に基づいたバイアス電流を供給する第一のドレイン電流源(例えば、第4の実施形態におけるカレントミラー回路M14)と、前記差動入力トランジスタのドレイン端子側に前記差動入力部用電流源から供給されるバイアス電流に基づいたバイアス電流を供給する第二のドレイン電流源(例えば、第4の実施形態におけるカレントミラー回路M14)と、を備え、前記増幅トランジスタのドレイン端子に前記第一のドレイン電流源を接続し、前記差動入力トランジスタのドレイン端子に前記第三の基準電圧源を接続することによって、前記差動入力トランジスタのゲート端子が非反転入力端子、前記増幅トランジスタのゲート端子が反転入力端子、前記増幅トランジスタのドレイン端子が出力端子として動作する差動増幅回路を構成し、前記リセットトランジスタを介して前記増幅トランジスタのゲート端子側とドレイン端子側を接続することによって、前記増幅トランジスタのゲート端子のリセット電位を前記差動増幅回路の非反転入力端子に供給された前記第一の基準電圧源に応じた電位に決定する、ことを特徴とする。
また、本発明の前記第一のドレイン電流源および前記第二のドレイン電流源は、共通のカレントミラー回路(例えば、第4の実施形態におけるカレントミラー回路M13、M14)を含み、前記共通のカレントミラー回路は、前記差動入力部用電流源から供給されるバイアス電流に基づいた値の電流を供給する、ことを特徴とする。
また、本発明の前記第一のドレイン電流源は、カレントコピアセル(例えば、第5の実施形態におけるカレントコピア用トランジスタM15、サンプルホールド容量C11、電流サンプルスイッチSW11)を含み、前記カレントミラー回路は、前記差動入力部用電流源から供給されるバイアス電流に基づいた値の電流を供給し、前記第二のドレイン電流源は、カレントミラー回路を含み、前記カレントコピアセルは、前記増幅トランジスタのゲート端子をリセットするときに前記増幅トランジスタを介して前記差動入力部用電流源から供給されるバイアス電流に応じた電圧を保持し、該保持した電圧に応じた値の電流を供給する、ことを特徴とする。
本発明によれば、固体撮像装置から読み出されたリセット成分のデジタル値と信号成分のデジタル値との演算を行う場合において、リセット成分を読み出すための電流と信号成分を読み出すための電流とを同じにすることができ、増幅トランジスタのゲート・ソース間電圧の変動を低減することができるという効果が得られる。
このことにより、固体撮像装置から読み出した信号成分の信号レベルが小さい場合でも外部のアナログ・デジタル変換部のダイナミックレンジを有効に使うことができるという効果が得られる。
本発明の第1の実施形態による固体撮像装置の回路構成と動作を説明する図である。 本発明の第2の実施形態による固体撮像装置の回路構成と動作を説明する図である。 本発明の第3の実施形態による固体撮像装置の回路構成と動作を説明する図である。 本発明の第4の実施形態による固体撮像装置の回路構成と動作を説明する図である。 本発明の第5の実施形態による固体撮像装置の回路構成と動作を説明する図である。 従来の固体撮像装置の構成と動作を説明する図である。 従来の固体撮像装置における回路の構成を示す回路図である。
<第1実施形態>
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態による固体撮像装置100の回路構成と動作を説明する図である。図1(a)において、固体撮像装置100は、単位画素1、反転アンプ用電圧源VREF、フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11、反転アンプ用電流設定トランジスタM12、カレントミラー回路M13、M14、電源切り替えスイッチSW1、SW2から構成される。なお、図1(a)において、固体撮像装置100は、図6(a)に示した従来の固体撮像装置の画素部2から1行1列目の単位画素P11のみを抜き出して示している。すなわち、固体撮像装置100は、図6(a)に示した従来の固体撮像装置と同様に、単位画素1が二次元的に配置された画素部2を備えているが、図示を省略している。また、固体撮像装置100は、図6(a)に示した従来の固体撮像装置と同様に、画素部2を読み出す際の行方向を選択する垂直走査回路3を備えているが、図示を省略している。
単位画素1は、フォトダイオードPD、転送トランジスタM1、リセットトランジスタM2、増幅トランジスタM3、選択トランジスタM4から構成される。なお、単位画素1内の各構成要素の機能及び動作は、図6(a)に示した従来の固体撮像装置と同様であり、同一の符号を付加している。
フォトダイオードPDは、被写体光を光電変換して電荷を発生する光電変換部である。 転送トランジスタM1は、垂直走査回路3(図示せず)から入力された転送ラインφTR1に基づいて、フォトダイオードPDで発生した電荷を増幅トランジスタM3のゲート端子に転送する。リセットトランジスタM2は、垂直走査回路3(図示せず)から入力されたリセットラインφRST1に基づいて増幅トランジスタM3のゲート端子の電位をリセットする。増幅トランジスタM3は、転送トランジスタM1によって転送されたフォトダイオードPDの電荷に応じた電圧を出力する。選択トランジスタM4は、垂直走査回路3(図示せず)から入力された選択ラインφROW1に基づいて、増幅トランジスタM3が出力した電圧を、単位画素1の出力として出力する。
固体撮像装置100は、垂直走査回路3(図示せず)から出力されるリセットラインφRST1、転送ラインφTR1および選択ラインφROW1によって選択された行方向の単位画素1の出力を画素信号として画素出力ラインV1に出力する。
反転アンプ用電圧源VREFは、電源切り替えスイッチSW1を介して増幅トランジスタM3のソース端子側、すなわち、選択トランジスタM4のソース端子に基準電位を供給する電圧源である。
フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11は、電源切り替えスイッチSW1を介して増幅トランジスタM3のソース端子側にバイアス電流を供給する電流源である。このフォロアアンプ用電流供給トランジスタM11は、図6(a)に示した従来の固体撮像装置における画素バイアス部I11および図7に示した従来の回路におけるフォロアアンプ用電流源I111に相当する。
反転アンプ用電流設定トランジスタM12は、フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11と同じ特性を持った電流源である。また、反転アンプ用電流設定トランジスタM12は、フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11に流れるバイアス電流と同じ電流をカレントミラー回路M13、M14のゲート端子に供給する。また、フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11、反転アンプ用電流設定トランジスタM12のゲート端子は、同じ電流設定端子VBIASに接続されている。
カレントミラー回路M13、M14は、反転アンプ用電流設定トランジスタM12から供給された電流を基準として、フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11に流れるバイアス電流と同じ電流を供給する反転アンプ用電流源である。このカレントミラー回路M14が供給する電流は、電源切り替えスイッチSW2を介して増幅トランジスタM3のドレイン端子とリセットトランジスタM2のドレイン端子に供給される。このカレントミラー回路M14は、図7に示した従来の回路における反転アンプ用電流源I112に相当する。
なお、フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11とカレントミラー回路M14との電流値が等しくなるように構成する。より具体的には、フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11と反転アンプ用電流設定トランジスタM12とは同じサイズのトランジスタとする。さらに、カレントミラー回路M13、M14も同じサイズのトランジスタとする。なお、反転アンプ用電流設定トランジスタM12、カレントミラー回路M13、M14は、フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11の近くに配置されることが望ましい。
電源切り替えスイッチSW1は、増幅トランジスタM3のソース端子側に接続されるフォロアアンプ用電流供給トランジスタM11と反転アンプ用電圧源VREFとを切り替えるスイッチである。
電源切り替えスイッチSW2は、増幅トランジスタM3のドレイン端子側に接続される画素電源VDDとカレントミラー回路M14とを切り替えるスイッチである。
なお、電源切り替えスイッチSW1および電源切り替えスイッチSW2の切り替えは、図示しない垂直走査回路3によって制御される。
次に、図1(b)に示した本実施形態による固体撮像装置100の動作タイミングについて説明する。
最初に、増幅トランジスタM3のゲート端子電圧のリセット動作を行う。まず、電源切り替えスイッチSW1および電源切り替えスイッチSW2に供給する信号を“L”レベルにして、増幅トランジスタM3のソース端子側に反転アンプ用電圧源VREFを接続し、増幅トランジスタM3のドレイン端子側にカレントミラー回路M14を接続するように電源切り替えスイッチSW1、SW2を切り替える(以下、電源切り替えスイッチSW1、SW2に供給する信号を“L”レベルにして切り替えた状態を「 ̄READ状態」という)。
続いて、選択ラインφROW1を“H”レベルとし、リセットラインφRST1および転送ラインφTR1を“H”レベルとすると、単位画素1内の選択トランジスタM4、リセットトランジスタM2、および転送トランジスタM1がON状態となる(タイミングt1)。このことにより、増幅トランジスタM3は、ゲート端子およびドレイン端子をそれぞれ反転入力端子および出力とする反転増幅器として働き、リセットトランジスタM2を介して、画素出力ラインV1の電圧が反転アンプ用電圧源VREFとなるように、増幅トランジスタM3のゲート端子の電圧を決定する帰還ループを形成する。このときの増幅トランジスタM3のゲート端子の電圧VG_RESET(M3)を下式(8)に示す。
VG_RESET(M3)=VREF+VGS_AMP(M3)・・・・・(8)
上式(8)において、VGS_AMP(M3)はカレントミラー回路M14を接続したときに増幅トランジスタM3で発生するゲート・ソース間電圧を示す。なお、VGS_AMP(M3)の値は、増幅トランジスタM3の特性ばらつき成分と、カレントミラー回路M14の電流ばらつき成分とを含む値である。
その後、増幅トランジスタM3のゲート端子のリセット成分の読出し動作を行う。まず、リセットラインφRST1および転送ラインφTR1を“L”レベルとする。このことにより、リセットトランジスタM2と転送トランジスタM1とがOFF状態となる。さらに、電源切り替えスイッチSW1および電源切り替えスイッチSW2に供給する信号を“H”レベルにして、増幅トランジスタM3のソース端子側にフォロアアンプ用電流供給トランジスタM11を接続し、増幅トランジスタM3のドレイン端子側に画素電源VDDを接続するように電源切り替えスイッチSW1、SW2を切り替える(タイミングt2)(以下、電源切り替えスイッチSW1、SW2に供給する信号を“H”レベルにして切り替えた状態を「READ状態」という)。このことにより、増幅トランジスタM3を介して単位画素1のリセット成分が読み出される。
その後、選択ラインφROW1を“L”レベルとすることによって、選択トランジスタM4がOFF状態となり、単位画素1のリセット成分の読み出しを終了する(タイミングt3)。このとき画素出力ラインV1から出力されたリセット成分は、固体撮像装置100の外部のアナログ・デジタル変換部でアナログ・デジタル変換され、単位画素1のリセット成分に応じたデジタル値が固体撮像装置100の外部のフレームメモリに記憶される。このときの画素出力ラインV1の電位V_RESET(V1)を下式(9)に示す。
V_RESET(V1)=VG_RESET(M3)−VGS_FLW(M3)
=VREF+V(KTC)+ VGS_FLW(M3)−VGS_AMP(M3)
・・・・・(9)
上式(9)において、V(KTC)はリセットトランジスタM2に起因するリセットノイズ、VGS_FLW(M3)はフォロアアンプ用電流供給トランジスタM11を接続したときに増幅トランジスタM3で発生するゲート・ソース間電圧を示す。このとき、フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11とカレントミラー回路M14との電流は、ほぼ同じ値となり、リセット成分の読出し動作(以下、「フォロア出力動作」という)時と信号成分読み出し動作(以下、「反転アンプ動作」という)時とにおける増幅トランジスタM3に発生するゲート・ソース間電圧も同じ値となることから、下式(10)に示すように増幅トランジスタM3のゲート・ソース間電圧の成分がなくなる。
V_RESET(V1)=VREF+V(KTC)・・・・・(10)
続いて、単位画素1の露光期間が終了するときに、単位画素1内のフォトダイオードPDの電荷の読み出し動作(反転アンプ動作)を行う。まず、転送ラインφTR1を“H”レベルとする(タイミングt5)。このことにより、転送トランジスタM1がON状態となり、単位画素1内のフォトダイオードPDの電荷が増幅トランジスタM3のゲート端子に転送される。その後、転送ラインφTR1を“L”レベルとすることにより、転送トランジスタM1がOFF状態となり、単位画素1内のフォトダイオードPDの電荷の転送動作を終了する(タイミングt6)。このとき、増幅トランジスタM3のゲート端子の電位VG_SIG(M3)は、下式(11)で示される。
VG_SIG(M3)= VG_RESET(M3)−VSIG
= VG_RESET(M3)−Q/CFD・・・・・(11)
上式(11)において、Qは転送された信号電荷、CFDは増幅トランジスタM3のゲート端子の容量値を示す。
続いて、露光期間が終了した後、選択ラインφROW1を“H”レベルとすることによって、選択トランジスタM4がON状態となり、単位画素1の信号成分(単位画素1内の増幅トランジスタM3のゲート端子の電位VG_SIG(M3)に応じた電位)が画素出力ラインV1に読み出される(タイミングt7)。その後、選択ラインφROW1を“L”レベルとすることによって、選択トランジスタM4がOFF状態となり、単位画素1の信号成分の読み出しを終了する(タイミングt8)。このとき、画素出力ラインV1から出力された信号成分は、固体撮像装置100の外部のアナログ・デジタル変換部でアナログ・デジタル変換され、単位画素1の信号成分に応じたデジタル値が固体撮像装置100の外部のフレームメモリに記憶される。このときの画素出力ラインV1の電位V_SIG(V1)は下式(12)で示される。
V_SIG(V1)=V_RESET(V1)−A×(Q/CFD)・・・・・(12)
上式(12)において、Aは増幅トランジスタM3の増幅率を示す。
最終的に、それぞれ外部のフレームメモリに記憶されている信号成分に応じたデジタル値からリセット成分に応じたデジタル値を減算することによって、減算後のデジタル値は、フォトダイオードPDが露光時間に発生した電荷成分Qの関数のみとなる。
上記に述べたとおり、本第1の実施形態の固体撮像装置100によれば、反転アンプ動作時のバイアス電流をカレントミラー回路M14で発生させることにより、フォロア出力動作時と反転アンプ動作時とにおける増幅トランジスタM3のバイアス電流をほぼ等しい値にすることができ、増幅トランジスタM3のゲート・ソース間電圧の変動を抑えることができる。このことによって、フォトダイオードPDが露光時間に発生した信号レベルが小さい場合でも、アナログ・デジタル変換部のダイナミックレンジを有効に使うことができる。
<第2実施形態>
以下、本発明の第2の実施形態について、図面を参照して説明する。図2は、本発明の第2の実施形態による固体撮像装置200の回路構成と動作を説明する図である。図2(a)において、固体撮像装置200は、単位画素1、反転アンプ用電圧源VREF、フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11、カレントコピア用トランジスタM15、サンプルホールド容量C11、電流サンプルスイッチSW11、垂直ライン接続スイッチSW12、電源切り替えスイッチSW1、SW2から構成される。なお、図2(a)において、固体撮像装置200は、上述の第1の実施形態の固体撮像装置100と同様に、図6(a)に示した従来の固体撮像装置の画素部2から1行1列目の単位画素P11のみを抜き出して示している。
また、図2(a)において、図1(a)と同様の機能及び動作である構成要素には、同一の符号を付加している。また、固体撮像装置200における固体撮像装置100からの変更点は、固体撮像装置100においてフォロアアンプ用電流供給トランジスタM11が増幅トランジスタM3のソース端子側に供給するバイアス電流と同じ電流を生成していた反転アンプ用電流設定トランジスタM12、カレントミラー回路M13、M14に代わり、カレントコピア用トランジスタM15、サンプルホールド容量C11、電流サンプルスイッチSW11から構成されるカレントコピアセルと、垂直ライン接続スイッチSW12とを備えたことである。
カレントコピアセルは、電流サンプルスイッチSW11を閉じた状態で電流を印加すると、印加された電流値をサンプルホールド容量C11に記憶し、電流サンプルスイッチSW11を開けた場合、印加された電流を流し続けるという特性を持つ回路である。このカレントコピア用トランジスタM15は、図7に示した従来の回路における反転アンプ用電流源I112に相当する。
電源切り替えスイッチSW2は、増幅トランジスタM3のドレイン端子側に接続される画素電源VDDとカレントコピア用トランジスタM15とを切り替えるスイッチである。
次に、図2(b)に示した本第2の実施形態による固体撮像装置200の動作タイミングについて説明する。なお、単位画素1内のフォトダイオードPDの電荷の読み出し動作は、第1の実施形態と同様であるため、説明を省略し、増幅トランジスタM3のゲート端子のリセット動作およびフォロア出力動作に絞って説明する。
最初に、増幅トランジスタM3のゲート端子電圧のリセット動作を行う。まず、電源切り替えスイッチSW1、SW2をREAD状態にして、増幅トランジスタM3のソース端子側にフォロアアンプ用電流供給トランジスタM11を接続し、増幅トランジスタM3のドレイン端子側に画素電源VDDを接続する。さらに、電流サンプルスイッチSW11を閉じて、カレントコピアセルが電流値を記憶する状態とし、垂直ライン接続スイッチSW12を閉じて、カレントコピアセルとフォロアアンプ用電流供給トランジスタM11を接続する(タイミングt1)。このことにより、フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11の電流値に応じて発生したカレントコピア用トランジスタM15のゲート・ソース間電圧VGS(M15)が、サンプルホールド容量C11に記憶される。その後、電流サンプルスイッチSW11と垂直ライン接続スイッチSW12を開くことによって、カレントコピア用トランジスタM15のゲート・ソース間に発生した電圧VGS(M15)の電圧値がサンプルホールド容量C11に保持される。
続いて、電源切り替えスイッチSW1、SW2を ̄READ状態にして、増幅トランジスタM3のソース端子側に反転アンプ用電圧源VREFを接続し、増幅トランジスタM3のドレイン端子側にカレントコピア用トランジスタM15を接続する。
続いて、選択ラインφROW1を“H”レベルとし、リセットラインφRST1および転送ラインφTR1を“H”レベルとすると、単位画素1内の選択トランジスタM4、リセットトランジスタM2、および転送トランジスタM1がON状態となる(タイミングt2)。このことにより、増幅トランジスタM3は、ゲート端子およびドレイン端子をそれぞれ反転入力端子および出力とする反転増幅器として働き、リセットトランジスタM2を介して、画素出力ラインV1の電圧が反転アンプ用電圧源VREFとなるように、増幅トランジスタM3のゲート端子の電圧を決定する帰還ループを形成する。このときの増幅トランジスタM3のゲート端子の電圧VG_RESET(M3)を下式(13)に示す。
VG_RESET(M3)=VREF+VGS_AMP(M3)・・・・・(13)
上式(13)において、VGS_AMP(M3)はカレントコピア用トランジスタM15を接続したときに増幅トランジスタM3で発生するゲート・ソース間電圧を示す。なお、VGS_AMP(M3)の値は、増幅トランジスタM3の特性ばらつき成分と、カレントコピア用トランジスタM15の電流ばらつき成分とを含む値である。
その後、増幅トランジスタM3のゲート端子のフォロア出力動作を行う。まず、リセットラインφRST1および転送ラインφTR1を“L”レベルとする。このことにより、リセットトランジスタM2と転送トランジスタM1とがOFF状態となる。さらに、電源切り替えスイッチSW1および電源切り替えスイッチSW2をREAD状態にして、増幅トランジスタM3のソース端子側にフォロアアンプ用電流供給トランジスタM11を接続し、増幅トランジスタM3のドレイン端子側に画素電源VDDを接続する(タイミングt3)。このことにより、増幅トランジスタM3を介して単位画素1のリセット成分が読み出される。
その後、選択ラインφROW1を“L”レベルとすることによって、選択トランジスタM4がOFF状態となり、単位画素1のリセット成分の読み出しを終了する(タイミングt4)。このとき画素出力ラインV1から出力されたリセット成分は、固体撮像装置200の外部のアナログ・デジタル変換部でアナログ・デジタル変換され、単位画素1のリセット成分に応じたデジタル値が固体撮像装置200の外部のフレームメモリに記憶される。このときの画素出力ラインV1の電位V_RESET(V1)を下式(14)に示す。
V_RESET(V1)=VG_RESET(M3)−VGS_FLW(M3)
=VREF+V(KTC)+ VGS_FLW(M3)−VGS_AMP(M3)
・・・・・(14)
上式(14)において、V(KTC)はリセットトランジスタM2に起因するリセットノイズ、VGS_FLW(M3)はフォロアアンプ用電流供給トランジスタM11を接続したときに増幅トランジスタM3で発生するゲート・ソース間電圧を示す。このとき、フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11とカレントコピア用トランジスタM15との電流は同じ値となり、フォロア出力動作時と反転アンプ動作時とにおける増幅トランジスタM3に発生するゲート・ソース間電圧もほぼ同じ値となることから、増幅トランジスタM3のゲート・ソース間電圧の成分がなくなる。
その後、第1の実施形態と同様(タイミングt5〜t8)に、単位画素1内のフォトダイオードPDの電荷の反転アンプ動作を行う。
上記に述べたとおり、本第2の実施形態の固体撮像装置200によれば、フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11のバイアス電流を、直接カレントコピアセルに入力して記憶させる。また、記憶した電流に基づいた反転アンプ動作時のバイアス電流を発生させることによって、フォロア出力動作時と反転アンプ動作時の増幅トランジスタM3のバイアス電流を近い値にすることができ、増幅トランジスタM3のゲート・ソース間電圧の変動を抑えることができる。このことによって、フォトダイオードPDが露光時間に発生した信号レベルが小さい場合でも、アナログ・デジタル変換部のダイナミックレンジを有効に使うことができる。
<第3実施形態>
以下、本発明の第3の実施形態について、図面を参照して説明する。図3は、本発明の第3の実施形態による固体撮像装置300の回路構成と動作を説明する図である。図3(a)において、固体撮像装置300は、単位画素1、反転アンプ用電圧源VREF、フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11、カレントコピア用トランジスタM15、サンプルホールド容量C11、電流サンプルスイッチSW11、電源切り替えスイッチSW1から構成される。なお、図3(a)において、固体撮像装置300は、上述の第1の実施形態の固体撮像装置100および第2の実施形態の固体撮像装置200と同様に、図6(a)に示した従来の固体撮像装置の画素部2から1行1列目の単位画素P11のみを抜き出して示している。
また、図3(a)において、図2(a)と同様の機能及び動作である構成要素には、同一の符号を付加している。また、固体撮像装置300における固体撮像装置200からの変更点は、固体撮像装置200においてフォロアアンプ用電流供給トランジスタM11が増幅トランジスタM3のソース端子側に供給するバイアス電流を記憶するカレントコピア用トランジスタM15、サンプルホールド容量C11、電流サンプルスイッチSW11で構成されるカレントコピアセルを、増幅トランジスタM3のドレイン端子側に接続したことである。
また、カレントコピアセルを増幅トランジスタM3のドレイン端子側に直接接続したことにより、電源切り替えスイッチSW2が削除されている。
次に、図3(b)に示した本第3の実施形態による固体撮像装置300の動作タイミングについて説明する。なお、単位画素1内のフォトダイオードPDの電荷の読み出し動作は、第1の実施形態と同様であるため、説明を省略し、増幅トランジスタM3のゲート端子のリセット動作およびフォロア出力動作に絞って説明する。
最初に、増幅トランジスタM3のゲート端子電圧のリセット動作を行う。まず、電源切り替えスイッチSW1をREAD状態にして、増幅トランジスタM3のソース端子側にフォロアアンプ用電流供給トランジスタM11を接続する。さらに、電流サンプルスイッチSW11を閉じた状態で選択ラインφROW1およびリセットラインφRST1を“H”レベルとし、選択トランジスタM4とリセットトランジスタM2とをON状態とする(タイミングt1)。このことにより、増幅トランジスタM3を介したフォロアアンプ用電流供給トランジスタM11の電流値、すなわち、フォロア出力動作時の増幅トランジスタM3のバイアス電流と同じ電流値に応じて発生したカレントコピア用トランジスタM15のゲート・ソース間電圧VGS(M15)が、サンプルホールド容量C11に記憶される。その後、電流サンプルスイッチSW11を開くことによって、カレントコピア用トランジスタM15のゲート・ソース間に発生した電圧VGS(M15)の電圧値がサンプルホールド容量C11に保持される。
続いて、転送ラインφTR1を“H”レベルとすることによって、転送トランジスタM1をON状態とし、続いて、電源切り替えスイッチSW1を ̄READ状態にして、増幅トランジスタM3のソース端子側に反転アンプ用電圧源VREFを接続する(タイミングt2)。このことによって、増幅トランジスタM3は、ゲート端子およびドレイン端子をそれぞれ反転入力端子および出力とする反転増幅器として働き、リセットトランジスタM2を介して、画素出力ラインV1の電圧が反転アンプ用電圧源VREFとなるように、増幅トランジスタM3のゲート端子電圧を決定する帰還ループを形成する。このときの増幅トランジスタM3のゲート端子電圧VG_RESET(M3)は、上式(13)と同様に表される。
その後、増幅トランジスタM3のゲート端子のフォロア出力動作において、リセットラインφRST1および転送ラインφTR1を“L”レベルとし、リセットトランジスタM2と転送トランジスタM1とをOFF状態とする。さらに、電源切り替えスイッチSW1をREAD状態にして、増幅トランジスタM3のソース端子側にフォロアアンプ用電流供給トランジスタM11を接続する。また同時に、電流サンプルスイッチSW11を閉じることによって、カレントコピア用トランジスタM15を増幅トランジスタM3のドレイン端子側にダイオード接続する(タイミングt3)。このことにより、増幅トランジスタM3を介した単位画素1のリセット成分が読み出される。
続いて、選択ラインφROW1を“L”レベルとすることによって、選択トランジスタM4がOFF状態となり、単位画素1のリセット成分の読み出しを終了する(タイミングt4)。このとき画素出力ラインV1から出力されたリセット成分は、固体撮像装置300の外部のアナログ・デジタル変換部でアナログ・デジタル変換され、単位画素1のリセット成分に応じたデジタル値が固体撮像装置300の外部のフレームメモリに記憶される。このときの画素出力ラインV1の電位V_RESET(V1)は、上式(14)と同様に表される。
このとき、フォロアアンプ用電流供給トランジスタM11とカレントコピア用トランジスタM15との電流は同じ値となり、フォロア出力動作時と反転アンプ動作時とにおける増幅トランジスタM3に発生するゲート・ソース間電圧もほぼ同じ値となることから、増幅トランジスタM3のゲート・ソース間電圧の成分がなくなる。
その後、第1の実施形態と同様(タイミングt5〜t8)に、単位画素1内のフォトダイオードPDの電荷の反転アンプ動作を行う。
上記に述べたとおり、本第3の実施形態の固体撮像装置300によれば、フォロア出力動作時におけるフォロアアンプ用電流供給トランジスタM11のバイアス電流を、直接カレントコピアセルに入力して記憶させる。また、記憶した電流に基づいた反転アンプ動作時のバイアス電流を発生させることによって、フォロア出力動作時と反転アンプ動作時の増幅トランジスタM3のバイアス電流を極めて近い値にすることができ、増幅トランジスタM3のゲート・ソース間電圧の変動を抑えることができる。このことによって、フォトダイオードPDが露光時間に発生した信号レベルが小さい場合でも、アナログ・デジタル変換部のダイナミックレンジを有効に使うことができる。
<第4実施形態>
以下、本発明の第4の実施形態について、図面を参照して説明する。図4は、本発明の第4の実施形態による固体撮像装置400の回路構成と動作を説明する図である。図4(a)において、固体撮像装置400は、単位画素1、基準電圧源VREF、差動入力用電流供給トランジスタM16、反転アンプ用電流設定トランジスタM12、カレントミラー回路M13、M14、差動入力トランジスタM21、基準電圧入力スイッチSW21、フォロア出力用スイッチSW22、電源切り替えスイッチSW2、SW3から構成される。なお、図4(a)において、固体撮像装置400は、上述の第1の実施形態の固体撮像装置100と同様に、図6(a)に示した従来の固体撮像装置の画素部2から1行1列目の単位画素P11のみを抜き出して示している。
また、図4(a)において、図1(a)と同様の機能及び動作である構成要素には、同一の符号を付加している。また、固体撮像装置400における固体撮像装置100からの変更点は、単位画素1の出力である画素信号を、差動増幅器の非反転入力端子と出力端子を接続したバッファ回路を介して画素出力ラインV1に出力することである。このバッファ回路は、増幅トランジスタM3と差動入力回路を構成するように、増幅トランジスタM3のソース端子側と自身のソース端子とを接続した差動入力トランジスタM21と、差動入力トランジスタM21のゲート端子とドレイン端子とを接続するフォロア出力用スイッチSW22と、差動入力トランジスタM21のゲート端子に基準電圧を印加する基準電圧源VREFと、基準電圧源VREFと差動入力トランジスタM21のゲート端子とを接続する基準電圧入力スイッチSW21とから構成される。
固体撮像装置400は、垂直走査回路3(図示せず)から出力されるリセットラインφRST1、転送ラインφTR1および選択ラインφROW1によって選択された行方向の単位画素1の出力を画素信号とし、バッファ回路を介して画素出力ラインV1に出力する。ここで、増幅トランジスタM3側のソース端子側は、差動入力用電流供給トランジスタM16に接続されている。この差動入力用電流供給トランジスタM16は、図6(a)に示した従来の固体撮像装置における画素バイアス部I11および図7に示した従来の回路におけるフォロアアンプ用電流源I111に相当する。
また、増幅トランジスタM3のドレイン端子側は、電源切り替えスイッチSW2によって画素電源VDDまたはカレントミラー回路M14に接続される。このカレントミラー回路M14は、図7に示した従来の回路における反転アンプ用電流源I112に相当する。
また、差動入力トランジスタM21のドレイン端子は、電源切り替えスイッチSW3によって画素電源VDDまたはカレントミラー回路M14に接続される。
なお、差動入力用電流供給トランジスタM16に対してカレントミラー回路M14の電流値が1/2となるように構成する。より具体的には、差動入力用電流供給トランジスタM16と反転アンプ用電流設定トランジスタM12は同じサイズのトランジスタとし、反転アンプ用電流設定トランジスタM12のゲート端子は、差動入力用電流供給トランジスタM16と同じ電流設定端子VBIASに接続する。
さらに、カレントミラー回路M13、M14は、反転アンプ用電流設定トランジスタM12の電流値、すなわち、差動入力用電流供給トランジスタM16の電流値を1/2に変換するため、異なるサイズのトランジスタで構成する。より具体的には、反転アンプ用電流設定トランジスタM12とカレントミラー回路M13とを同じサイズのトランジスタとし、カレントミラー回路M14をカレントミラー回路M13の1/2のサイズのトランジスタとする。このことによって、反転アンプ用電流設定トランジスタM12の電流値が、1/2に変換されて、カレントミラー回路M14から取り出される。
次に、図4(b)に示した本第4の実施形態による固体撮像装置400の動作タイミングについて説明する。
最初に、増幅トランジスタM3のゲート端子電圧のリセット動作を行う。まず、電源切り替えスイッチSW2を ̄READ状態にして増幅トランジスタM3側のドレイン端子側にカレントミラー回路M14を接続する。また、電源切り替えスイッチSW3を ̄READ状態にして、差動入力トランジスタM21のドレイン端子側に画素電源VDDを接続する。また同時に、基準電圧入力スイッチSW21を閉じ、フォロア出力用スイッチSW22を開いて、差動入力トランジスタM21のゲート端子を基準電圧源VREFに接続する。
続いて、選択ラインφROW1を“H”レベルとし、リセットラインφRST1および転送ラインφTR1を“H”レベルとすると、単位画素1内の選択トランジスタM4、リセットトランジスタM2、および転送トランジスタM1がON状態となる(タイミングt1)。このことにより、差動入力トランジスタM21のゲート端子を非反転入力端子、増幅トランジスタM3のゲート端子およびドレイン端子をそれぞれ反転入力端子および出力とする差動増幅器が構成される。このときの増幅トランジスタM3のゲート端子の電圧VG_RESET(M3)を下式(15)に示す。
VG_RESET(M3)=VREF−VGS_RESET(M21)+VGS_RESET(M3)・・・・・(15)
上式(15)において、VGS_RESET(M21)はドレイン端子に画素電源VDDに接続したときに差動入力トランジスタM21で発生する差動入力トランジスタM21のゲート・ソース間電圧、VGS_RESET(M3)はカレントミラー回路M14を接続したときに増幅トランジスタM3で発生するゲート・ソース間電圧を示す。なお、VGS_RESET(M21)の値は、差動入力トランジスタM21の特性ばらつき成分とカレントミラー回路M14の電流ばらつき成分を含む値であり、VGS_RESET(M3)の値は、増幅トランジスタM3の特性ばらつき成分とカレントミラー回路M14の電流ばらつき成分を含む値である。
その後、増幅トランジスタM3のゲート端子のフォロア出力動作を行う。まず、リセットラインφRST1および転送ラインφTR1を“L”レベルとする。このことにより、リセットトランジスタM2と転送トランジスタM1とがOFF状態となる。さらに、電源切り替えスイッチSW2および電源切り替えスイッチSW3をREAD状態にして、差動入力トランジスタM21のドレイン端子側にカレントミラー回路M14を接続し、増幅トランジスタM3側のドレイン端子側に画素電源VDDを接続する。また同時に、基準電圧入力スイッチSW21を開いて、差動入力トランジスタM21のゲート端子と基準電圧源VREFを切り離し、フォロア出力用スイッチSW22を閉じて差動入力トランジスタM21のゲート端子とドレイン端子とを接続する(タイミングt2)。このことにより、増幅トランジスタM3のゲート端子を非反転入力端子、差動入力トランジスタM21のゲート端子およびドレイン端子をそれぞれ反転入力端子および出力とする差動増幅器を利用したフォロアアンプが働き、画素出力ラインV1を介して単位画素1のリセット成分が読み出される。
その後、選択ラインφROW1を“L”レベルとすることによって、選択トランジスタM4がOFF状態となり、単位画素1のリセット成分の読み出しを終了する(タイミングt3)。このとき画素出力ラインV1から出力されたリセット成分は、固体撮像装置400の外部のアナログ・デジタル変換部でアナログ・デジタル変換され、単位画素1のリセット成分に応じたデジタル値が固体撮像装置400の外部のフレームメモリに記憶される。このときの画素出力ラインV1の電位V_RESET(V1)を下式(16)に示す。
V_RESET(V1)=VG_RESET(M3)−VGS_FLW(M3)+VGS_FLW(M21)
= VREF+V(KTC)−VGS_RESET(M21)+VGS_FLW(M21)+VGS_RESET(M3)−VGS_FLW(M3)・・・・・(16)
上式(16)において、V(KTC)はリセットトランジスタM2に起因するリセットノイズ、VGS_FLW(M3)はドレイン端子に画素電源VDDに接続したときに増幅トランジスタM3で発生するゲート・ソース間電圧、VGS_FLW(M21)はドレイン端子にカレントミラー回路M14を接続したときに差動入力トランジスタM21で発生するゲート・ソース間電圧を示す。このとき、カレントミラー回路M14の電流は差動入力用電流供給トランジスタM16の電流の1/2に設定していることから、リセット動作時と反転アンプ動作時とにおける増幅トランジスタM3および差動入力トランジスタM21に流れる電流がほぼ同じ値となる。したがって、上式(16)は、下式(17)に示すようになり、増幅トランジスタM3および差動入力トランジスタM21のゲート・ソース間電圧の成分がなくなる。
V_RESET(V11)=VREF+V(KTC)・・・・・(17)
続いて、単位画素1の露光期間が終了するときに、単位画素1内のフォトダイオードPDの電荷の反転アンプ動作を行う。まず、転送ラインφTR1を“H”レベルとする(タイミングt5)。このことにより、転送トランジスタM1がON状態となり、単位画素1内のフォトダイオードPDの電荷が増幅トランジスタM3のゲート端子に転送される。その後、転送ラインφTR1を“L”レベルとすることにより、転送トランジスタM1がOFF状態となり、単位画素1内のフォトダイオードPDの電荷の転送動作を終了する(タイミングt6)。このとき、増幅トランジスタM3のゲート端子の電位VG_SIG(M3)は、下式(18)で示される。
VG_SIG(M3)= VG_RESET(M3)−VSIG
= VG_RESET(M3)−Q/CFD・・・・・(18)
上式(18)において、Qは転送された信号電荷、CFDは増幅トランジスタM3のゲート端子の容量値を示す。
続いて、露光期間が終了した後、選択ラインφROW1を“H”レベルとすることによって、選択トランジスタM4がON状態となり、単位画素1の信号成分(単位画素1内の増幅トランジスタM3のゲート端子の電位VG_SIG(M3)に応じた電位)が画素出力ラインV1に読み出される(タイミングt7)。その後、選択ラインφROW1を“L”レベルとすることによって、選択トランジスタM4がOFF状態となり、単位画素1の信号成分の読み出しを終了する(タイミングt8)。ことのとき、画素出力ラインV1から出力された信号成分は、固体撮像装置400の外部のアナログ・デジタル変換部でアナログ・デジタル変換され、単位画素1の信号成分に応じたデジタル値が固体撮像装置400の外部のフレームメモリに記憶される。このときの画素出力ラインV1の電位V_SIG(V1)は下式(19)で示される。
V_SIG(V1)=V_RESET(V1)−(Q/CFD)・・・・・(19)
最終的に、それぞれ外部のフレームメモリに記憶されている信号成分に応じたデジタル値からリセット成分に応じたデジタル値を減算することによって、フォトダイオードPDが露光時間に発生した電荷成分Qの関数のみとなる。
上記に述べたとおり、本第4の実施形態の固体撮像装置400によれば、カレントミラー回路M14の電流を差動入力用電流供給トランジスタM16の電流の1/2に設定し、フォロア出力動作時にはカレントミラー回路M14を増幅トランジスタM3のドレイン端子に接続し、反転アンプ動作時にはカレントミラー回路M14を差動入力トランジスタM21のドレイン端子に接続させる。このことにより、フォロア出力動作時および反転アンプ動作時における増幅トランジスタM3および差動入力トランジスタM21のバイアス電流をほぼ等しい値にすることができ、増幅トランジスタM3のゲート・ソース間電圧の変動を抑えることができる。このことによって、フォトダイオードPDが露光時間に発生した信号レベルが小さい場合でも、アナログ・デジタル変換部のダイナミックレンジを有効に使うことができる。
また、加えて、差動増幅器を用いたフォロアアンプ形式で画素出力ラインV1から画素信号を出力することができるため、増幅トランジスタM3のゲート端子の変動をゲイン=1で取り出すことができる。このことによって、固体撮像装置400が出力する画素信号のS/N(Signal−to−Noise ratio)を改善することができる。
<第5実施形態>
以下、本発明の第5の実施形態について、図面を参照して説明する。図5は、本発明の第5の実施形態による固体撮像装置500の回路構成と動作を説明する図である。図5(a)において、固体撮像装置500は、単位画素1、基準電圧源VREF、差動入力用電流供給トランジスタM16、反転アンプ用電流設定トランジスタM12、カレントミラー回路M13、M14、カレントコピア用トランジスタM15、サンプルホールド容量C11、電流サンプルスイッチSW11、差動入力トランジスタM21、基準電圧入力スイッチSW21、フォロア出力用スイッチSW22、電源切り替えスイッチSW3から構成される。なお、図5(a)において、固体撮像装置500は、上述の第1の実施形態の固体撮像装置100と同様に、図6(a)に示した従来の固体撮像装置の画素部2から1行1列目の単位画素P11のみを抜き出して示している。
また、図5(a)において、図3(a)および図4(a)と同様の機能及び動作である構成要素には、同一の符号を付加している。また、固体撮像装置500における固体撮像装置400からの変更点は、固体撮像装置400において差動入力用電流供給トランジスタM16が増幅トランジスタM3のソース端子側に供給するバイアス電流と同じ電流を生成していた反転アンプ用電流設定トランジスタM12、カレントミラー回路M13、M14とともに、カレントコピア用トランジスタM15、サンプルホールド容量C11、電流サンプルスイッチSW11から構成されるカレントコピアセルを備えたことである。また、このカレントコピアセルを、増幅トランジスタM3のドレイン端子側に直接接続し、電源切り替えスイッチSW2を削除している。このカレントコピア用トランジスタM15は、図7に示した従来の回路における反転アンプ用電流源I112に相当する。
次に、図5(b)に示した本第5の実施形態による固体撮像装置500の動作タイミングについて説明する。なお、単位画素1内のフォトダイオードPDの電荷の読み出し動作は、第1の実施形態と同様であるため、説明を省略し、増幅トランジスタM3のゲート端子のリセット動作およびフォロア出力動作に絞って説明する。
最初に、増幅トランジスタM3のゲート端子電圧のリセット動作を行う。まず、電源切り替えスイッチSW3をREAD状態にして、差動入力トランジスタM21のドレイン端子側にカレントミラー回路M14を接続する。また同時に、基準電圧入力スイッチSW21を開いて、差動入力トランジスタM21のゲート端子と基準電圧源VREFを切り離し、フォロア出力用スイッチSW22を閉じて差動入力トランジスタM21のゲート端子とドレイン端子とを接続する。さらに、電流サンプルスイッチSW11を閉じた状態で選択ラインφROW1およびリセットラインφRST1を“H”レベルとし、選択トランジスタM4とリセットトランジスタM2とをON状態とする(タイミングt1)。このことにより、増幅トランジスタM3を介した差動入力用電流供給トランジスタM16の電流値、すなわち、フォロア出力動作時の増幅トランジスタM3のバイアス電流と同じ電流値に応じて発生したカレントコピア用トランジスタM15のゲート・ソース間電圧VGS(M15)が、サンプルホールド容量C11に記憶される。その後、電流サンプルスイッチSW11を開くことによって、カレントコピア用トランジスタM15のゲート・ソース間に発生した電圧VGS(M15)の電圧値がサンプルホールド容量C11に保持される。
その後、電源切り替えスイッチSW3を ̄READ状態にして、差動入力トランジスタM21のドレイン端子側に画素電源VDDを接続する。また同時に、基準電圧入力スイッチSW21を閉じて、差動入力トランジスタM21のゲート端子を基準電圧源VREFに接続し、フォロア出力用スイッチSW22を開いて、差動入力トランジスタM21のゲート端子とドレイン端子との接続を切り離す。
続いて、転送ラインφTR1を“H”レベルとすることによって、転送トランジスタM1をON状態とする(タイミングt2)。このことによって、差動入力トランジスタM21のゲート端子を非反転入力端子、増幅トランジスタM3のゲート端子およびドレイン端子をそれぞれ反転入力端子および出力とする差動増幅器が構成される。このときの増幅トランジスタM3のゲート端子電圧VG_RESET(M3)を下式(20)に示す。
VG_RESET(M3)=VREF−VGS_RESET(M21)+VGS_RESET(M3)・・・・・(20)
上式(20)において、VGS_RESET(M21)はドレイン端子に画素電源VDDに接続したときに差動入力トランジスタM21で発生する差動入力トランジスタM21のゲート・ソース間電圧、VGS_RESET(M3)はカレントコピア用トランジスタM15を接続したときに増幅トランジスタM3で発生するゲート・ソース間電圧を示す。なお、VGS_RESET(M21)の値は、差動入力トランジスタM21の特性ばらつき成分とカレントミラー回路M14の電流ばらつき成分を含む値であり、VGS_RESET(M3)の値は、増幅トランジスタM3の特性ばらつき成分とカレントコピア用トランジスタM15の電流ばらつき成分を含む値である。
その後、増幅トランジスタM3のゲート端子のフォロア出力動作において、リセットラインφRST1および転送ラインφTR1を“L”レベルとし、リセットトランジスタM2と転送トランジスタM1とをOFF状態とする。さらに、電源切り替えスイッチSW3をREAD状態にして、差動入力トランジスタM21のドレイン端子側にカレントミラー回路M14を接続する。また同時に、電流サンプルスイッチSW11を閉じることによって、カレントコピア用トランジスタM15を増幅トランジスタM3のドレイン端子側にダイオード接続する(タイミングt3)。このことにより、増幅トランジスタM3を介した単位画素1のリセット成分が画素出力ラインV1に読み出される。
続いて、選択ラインφROW1を“L”レベルとすることによって、選択トランジスタM4がOFF状態となり、単位画素1のリセット成分の読み出しを終了する(タイミングt4)。このとき画素出力ラインV1から出力されたリセット成分は、固体撮像装置500の外部のアナログ・デジタル変換部でアナログ・デジタル変換され、単位画素1のリセット成分に応じたデジタル値が固体撮像装置500の外部のフレームメモリに記憶される。このときの画素出力ラインV1の電位V_RESET(V1)を下式(21)に示す。
V_RESET(V1)=VG_RESET(M3)−VGS_FLW(M3)+VGS_FLW(M21)
= VREF+V(KTC)−VGS_RESET(M21)+VGS_FLW(M21)+VGS_RESET(M3)−VGS_FLW(M3)・・・・・(21)
上式(21)において、V(KTC)はリセットトランジスタM2に起因するリセットノイズ、VGS_FLW(M3)はドレイン端子をダイオード接続のカレントコピア用トランジスタM15に接続したときに増幅トランジスタM3で発生するゲート・ソース間電圧、VGS_FLW(M21)はドレイン端子にカレントミラー回路M14を接続したときに差動入力トランジスタM21で発生するゲート・ソース間電圧を示す。このとき、カレントコピア用トランジスタM15の電流は、フォロア出力動作時の増幅トランジスタM3のバイアス電流を記憶したものであることから、リセット動作時と反転アンプ動作時とにおける増幅トランジスタM3および差動入力トランジスタM21に流れる電流がほぼ同じ値となる。したがって、上式(21)は、下式(22)に示すようになり、増幅トランジスタM3および差動入力トランジスタM21のゲート・ソース間電圧の成分がなくなる。
V_RESET(V11)=VREF+V(KTC)・・・・・(22)
その後、第1の実施形態と同様(タイミングt5〜t8)に、単位画素1内のフォトダイオードPDの電荷の反転アンプ動作を行う。
上記に述べたとおり、本第5の実施形態の固体撮像装置500によれば、フォロア出力動作時のバイアス電流を直接カレントコピアセルに入力して記憶させ、記憶した電流に基づいてリセット動作時のバイアス電流を発生させ、リセット動作には増幅トランジスタM3のドレイン端子に接続し、フォロア出力動作時には差動入力トランジスタM21のドレイン端子に接続させる。このことにより、フォロア出力動作時および反転アンプ動作時で、増幅トランジスタM3および差動入力トランジスタM21のバイアス電流を極めて近い値にすることができ、増幅トランジスタM3のゲート・ソース間電圧の変動を抑えることができる。このことによって、フォトダイオードPDが露光時間に発生した信号レベルが小さい場合でも、アナログ・デジタル変換部のダイナミックレンジを有効に使うことができる。
また、加えて、差動増幅器を用いたフォロアアンプ形式で画素出力ラインV1から画素信号を出力することができるため、増幅トランジスタM3のゲート端子の変動をゲイン=1で取り出すことができる。このことによって、固体撮像装置500が出力する画素信号のS/Nを改善することができる。
上記に述べたとおり、本発明を実施するための形態によれば、グローバルシャッター方式の固体撮像装置において、単位画素1内の増幅トランジスタM3に供給するバイアス電流をフォロア出力動作時と反転アンプ動作時とで近い値にすることができるので、増幅トランジスタM3のゲート・ソース間電圧の変動を抑えることができる。このことによって、固体撮像装置から出力される画素信号の信号レベルが小さい場合でも、固体撮像装置の外部のアナログ・デジタル変換部のダイナミックレンジを有効に使うことができる。
このことによって、良好なS/Nの最終画像データを得ることができる。
なお、本発明においては、本実施形態の回路構成および動作タイミングに限定しない。例えば、図1(a)や図4(a)および図5(a)で示したカレントミラー回路を、ワイドラー型やウィルソン型に変更することもできる。また、例えば、図2(b)で示した電流サンプルスイッチSW11と垂直ライン接続スイッチSW12の動作タイミングにおいて、電流サンプルスイッチSW11を閉じるタイミングを、垂直ライン接続スイッチSW12を閉じるタイミングよりも先のタイミングとすることもできる。また、例えば、単位画素1が二次元的に配置された画素部2において、各単位画素1内のフォトダイオードPDを、それぞれ独立にリセットするトランジスタを追加した構成とすることもできる。
以上、本発明の実施形態について、図面を参照して説明してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲においての種々の変更も含まれる。
100,200,300,400,500・・・固体撮像装置
1,P,P11,P12,P21,P22・・・単位画素
PD・・・フォトダイオード
M1・・・転送トランジスタ
M2,M105,M106・・・リセットトランジスタ
M3,M103・・・増幅トランジスタ
M4,M104・・・選択トランジスタ
2・・・画素部
3・・・垂直走査回路
I11,I12・・・画素バイアス部
I111・・・フォロアアンプ用電流源
I112・・・反転アンプ用電流源
VREF・・・基準電圧源
M11・・・フォロアアンプ用電流供給トランジスタ
M12・・・反転アンプ用電流設定トランジスタ
M13,M14・・・カレントミラー回路
M15・・・カレントコピア用トランジスタ
M16・・・差動入力用電流供給トランジスタ
M21・・・差動入力トランジスタ
SW1・・・電源切り替えスイッチ
SW2・・・電源切り替えスイッチ
SW3・・・電源切り替えスイッチ
SW11・・・電流サンプルスイッチ
SW12・・・垂直ライン接続スイッチ
SW21・・・基準電圧入力スイッチ
SW22・・・フォロア出力用スイッチ
C11・・・サンプルホールド容量
CF・・・帰還容量

Claims (7)

  1. 入射光に応じた信号電荷を発生する光電変換手段と、
    前記光電変換手段で発生した信号電荷をゲート端子で増幅した画素信号を出力する増幅トランジスタと、
    前記増幅トランジスタのゲート端子に蓄積された信号電荷をリセットするリセットトランジスタと、
    を含んだ画素を二次元の行列方向に複数配置した画素部と、
    前記増幅トランジスタのソース端子側に前記画素部の列毎に設けられている垂直信号線と、
    を有し、蓄積の開始と終了とを一括して行う固体撮像装置において、
    前記垂直信号線を介して前記増幅トランジスタのソース端子側にバイアス電流を供給するソース端子用電流源と、
    前記垂直信号線を介して前記増幅トランジスタのソース端子側に第一の基準電位を供給する反転アンプ用電圧源と、
    前記増幅トランジスタのドレイン端子側に第二の基準電圧を供給するフォロア用電圧源と、
    前記増幅トランジスタのドレイン端子側に前記ソース端子用電流源から供給されるバイアス電流をコピーしたバイアス電流を供給する反転アンプ用電流源と、
    を備え、
    前記垂直信号線に前記反転アンプ用電圧源を接続し、前記増幅トランジスタのドレイン端子側に前記反転アンプ用電流源を接続した状態で、前記リセットトランジスタを介して前記増幅トランジスタのゲート端子側とドレイン端子側を接続することによって、前記増幅トランジスタのゲート端子のリセット電位を決定する、
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記反転アンプ用電流源は、
    カレントミラー回路を含み、
    前記カレントミラー回路は、
    前記ソース端子用電流源から供給されるバイアス電流をコピーしたバイアス電流を供給する、
    ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記反転アンプ用電流源は、
    カレントコピアセルを含み、
    前記カレントコピアセルは、
    前記ソース端子用電流源から供給されるバイアス電流に応じた電圧を保持し、該保持した電圧に応じた値の電流を供給する、
    ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  4. 前記カレントコピアセルは、
    前記増幅トランジスタのゲート端子をリセットするときに前記増幅トランジスタを介して前記ソース端子用電流源から供給されるバイアス電流に応じた電圧を保持する、
    ことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。
  5. 入射光に応じた信号電荷を発生する光電変換手段と、
    前記光電変換手段で発生した信号電荷をゲート端子で増幅した画素信号を出力する増幅トランジスタと、
    前記増幅トランジスタのゲート端子に蓄積された信号電荷をリセットするリセットトランジスタと、
    を含んだ画素を二次元の行列方向に複数配置した画素部と、
    前記増幅トランジスタのソース端子側に前記画素部の列毎に設けられている垂直信号線と、
    を有し、蓄積の開始と終了とを一括して行う固体撮像装置において、
    前記垂直信号線にソース端子が接続され、前記増幅トランジスタと共に差動入力回路を構成する差動入力トランジスタと、
    前記垂直信号線を介して前記差動入力回路にバイアス電流を供給する差動入力部用電流源と、
    前記差動入力トランジスタのゲート端子に第一の基準電位を供給する第一の基準電圧源と、
    前記増幅トランジスタのドレイン端子側に第二の基準電位を供給する第二の基準電圧源と、
    前記差動入力トランジスタのドレイン端子側に第三の基準電位を供給する第三の基準電圧源と、
    前記増幅トランジスタのドレイン端子側に前記差動入力部用電流源から供給されるバイアス電流に基づいたバイアス電流を供給する第一のドレイン電流源と、
    前記差動入力トランジスタのドレイン端子側に前記差動入力部用電流源から供給されるバイアス電流に基づいたバイアス電流を供給する第二のドレイン電流源と、
    を備え、
    前記増幅トランジスタのドレイン端子に前記第一のドレイン電流源を接続し、前記差動入力トランジスタのドレイン端子に前記第三の基準電圧源を接続することによって、前記差動入力トランジスタのゲート端子が非反転入力端子、前記増幅トランジスタのゲート端子が反転入力端子、前記増幅トランジスタのドレイン端子が出力端子として動作する差動増幅回路を構成し、前記リセットトランジスタを介して前記増幅トランジスタのゲート端子側とドレイン端子側を接続することによって、前記増幅トランジスタのゲート端子のリセット電位を前記差動増幅回路の非反転入力端子に供給された前記第一の基準電圧源に応じた電位に決定する、
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  6. 前記第一のドレイン電流源および前記第二のドレイン電流源は、
    共通のカレントミラー回路を含み、
    前記共通のカレントミラー回路は、
    前記差動入力部用電流源から供給されるバイアス電流に基づいた値の電流を供給する、
    ことを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置。
  7. 前記第一のドレイン電流源は、
    カレントコピアセルを含み、
    前記カレントミラー回路は、
    前記差動入力部用電流源から供給されるバイアス電流に基づいた値の電流を供給し、
    前記第二のドレイン電流源は、
    カレントミラー回路を含み、
    前記カレントコピアセルは、
    前記増幅トランジスタのゲート端子をリセットするときに前記増幅トランジスタを介して前記差動入力部用電流源から供給されるバイアス電流に応じた電圧を保持し、該保持した電圧に応じた値の電流を供給する、
    ことを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置。
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JPWO2018116539A1 (ja) * 2016-12-21 2019-07-18 オリンパス株式会社 撮像素子、撮像装置および内視鏡
CN111901540A (zh) * 2014-12-26 2020-11-06 松下知识产权经营株式会社 摄像装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111901540A (zh) * 2014-12-26 2020-11-06 松下知识产权经营株式会社 摄像装置
CN111901540B (zh) * 2014-12-26 2023-05-23 松下知识产权经营株式会社 摄像装置
JPWO2018116539A1 (ja) * 2016-12-21 2019-07-18 オリンパス株式会社 撮像素子、撮像装置および内視鏡

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