JP2011035131A - Ito電極の形成方法、半導体素子のito電極及びito電極を備えた半導体素子 - Google Patents
Ito電極の形成方法、半導体素子のito電極及びito電極を備えた半導体素子 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】半導体素子1における酸化インジウムスズ(ITO)の電極50の形成方法において、電極50を、成膜レートにつき1Å/sec以上5Å/sec以下とし、酸素圧力につき0.005Pa以上0.02Pa以下として、電子線蒸着法により形成した後、所定温度で焼成し、良質なITO電極50を得た。
【選択図】図1
Description
発光素子1は、青色領域の波長の光を発するフェイスアップ型の発光ダイオード(LED)である。図1に示すように、発光素子1は、サファイア基板10と、n−GaN層20と、n−GaN層20上に設けられる発光層30と、発光層30の上に設けられるp−GaN層40と、を備えている。n−GaN層20、発光層30及びp−GaN層40は、III族窒化物化合物半導体からなる層である。尚、サファイア基板10とn−GaN層20との間にバッファ層やノンドープGaN層を設けてもよい。また、n−GaN層20はサファイア基板10側のn型コンタクト層と発光層30側のn型クラッド層を含んで構成することができ、p−GaN層40は発光層30側のp型クラッド層とp型クラッド層の上に形成されるp型コンタクト層とを含んで構成することができる。
次いで、図3(a)に示すように、真空蒸着法及びフォトリソグラフィー技術を用いて、p側パッド電極60をp側コンタクト電極50の予め定められた領域に形成する。尚、p側コンタクト電極50の上にp側パッド電極60の熱処理前の材料を設けておき、p側パッド電極60に熱処理を施すようにしてもよい。
続いて、図3(b)に示すように、真空蒸着法及びフォトリソグラフィー技術を用いて、n側パッド電極70をn−GaN層20の予め定められた領域に形成する。尚、n−GaN層20の上にn側パッド電極70の熱処理前の材料を設けておき、n側パッド電極70に熱処理を施すようにしてもよい。
前記実施形態におけるITOのシート抵抗の低減及び光透過性の効果を確認するため、複数の発光素子の試料体を作製して実験を行った。
各試料体は、サファイア基板上に、MOCVD法によってバッファ層、n−GaN層、発光層、p−GaN層を順に積層して作製した。原料ガスには、Ga源としてTMG(トリメチルガリウム)、Al源としてTMA(トリメチルアルミニウム)、In源としてTMI(トリメチルインジウム)、N源としてアンモニア、n型ドーパントであるSi源としてシラン、p型ドーパントであるMg源としてCp2Mg(ビスシクロペンタジエニルマグネシウム)を用いた。
10 サファイア基板
20 n−GaN層
30 発光層
40 p−GaN層
50 p側コンタクト電極
60 p側パッド電極
70 n側パッド電極
80 保護膜
90 n側コンタクト電極
Claims (4)
- 半導体素子における酸化インジウムスズ(ITO)の電極の形成方法において、
前記電極を、成膜レートにつき1Å/sec以上5Å/sec以下とし、酸素圧力につき0.005Pa以上0.02Pa以下として、電子線蒸着法により形成した後、所定温度で焼成するITO電極の形成方法。 - 前記半導体素子は、III族窒化物化合物半導体からなる請求項1に記載のITO電極の形成方法。。
- 請求項1又は2に記載されたITO電極の形成方法で形成され、結晶中の粒界が存在しない半導体素子のITO電極。
- 請求項3に記載されたITO電極を備えた半導体素子。
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