JP2011021913A - ウィスカ評価方法及びウィスカ評価用試験装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウィスカ評価方法は、評価対象である試料を試験槽内に配置する工程と、前記試験槽内を所定の酸素量、100℃以上の設定温度、及び所定の設定湿度に調整する槽内環境調整工程と、前記試験槽内を前記所定の酸素量、前記設定温度及び前記設定湿度に所定時間維持して、前記試料にウィスカを発生させる環境維持工程と、を含んでいる。
【選択図】図1
Description
まず、ウィスカ評価方法に用いるプレッシャークッカー試験装置(高度加速寿命試験装置)1について説明する。図1に示すように、この試験装置1は、一端を開放させる試験槽としての圧力容器2と、この圧力容器2の開放側を閉鎖可能な扉3とを備えている。圧力容器2の下部には所定量の加湿水(加湿用の水)4が貯溜されている。圧力容器2の内部には内シリンダ5が設置されている。この内シリンダ5は、圧力容器2の開放側と同一側が開放されており、この内シリンダ5の内部がテストエリア6となっている。このテストエリア6には試料棚7が設置されており、この試料棚7の上に試料8を載置できるように構成されている。内シリンダ5の閉鎖側端部の中央には送風口9が形成されており、この送風口9は保護網10によって覆われている。
以下、本発明の実施形態に係るウィスカ評価方法について説明する。
次に、第1実施形態に係るウィスカ評価方法について図4を参照しながら説明する。図4は、第1実施形態のウィスカ評価方法における制御の流れを示すフローチャートである。図4に示すように、この第1実施形態では、酸素量調整工程、温湿度調整工程、環境維持工程、温度降下工程、保存工程の順に制御が実行される。本実施形態では、装置1は、圧力容器2内に設けられた図略の酸素濃度センサ、及び図略の圧力センサを備えている。
(相対湿度)=((T2での飽和水蒸気圧)/(T1での飽和水蒸気圧))×100 ・・・(1)
具体的には、例えば器内温度センサ17による検出温度をT1とし、加湿水温度センサ19又はウィック温度センサ20による検出温度をT2として、これらのT1,T2の値を上記式(1)に代入して相対湿度を求めることができる。
図5は、本発明の第2実施形態のウィスカ評価方法における制御の流れを示すフローチャートであり、図6は、第2実施形態のウィスカ評価方法における各工程の温度、湿度、圧力などの物理量の推移を示すグラフである。この第2実施形態では、酸素量調整工程が第1実施形態とは異なっている。なお、ここでは第1実施形態と同じ工程については、その詳細な説明を省略する。
図7は、本発明の第3実施形態のウィスカ評価方法における制御の流れを示すフローチャートであり、図8は、第3実施形態のウィスカ評価方法における各工程の温度、湿度、圧力などの物理量の推移を示すグラフである。この第3実施形態では、真空工程を含む点が第1実施形態とは異なっている。なお、ここでは第1実施形態と同じ工程については、その詳細な説明を省略する。
図9は、本発明の第4実施形態のウィスカ評価方法における制御の流れを示すフローチャートであり、図10は、第4実施形態のウィスカ評価方法における各工程の温度、湿度、圧力などの物理量の推移を示すグラフである。この第4実施形態では、圧力容器2内に酸素又は酸素を含むガスを連続的又は断続的に導入しながら前記温湿度調整工程及び環境維持工程を実行する点が第1実施形態とは異なっている。なお、ここでは第1実施形態と同じ工程については、その詳細な説明を省略する。
図11は、本発明の第5実施形態のウィスカ評価方法における制御の流れを示すフローチャートであり、図12は、第5実施形態のウィスカ評価方法における各工程の温度、湿度、圧力などの物理量の推移を示すグラフである。この第5実施形態では、温湿度調整工程が酸素量調整工程よりも前に実行される点が第1実施形態とは異なっている。なお、ここでは第1実施形態と同じ工程については、その詳細な説明を省略する。
なお、本発明は、前記実施形態に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変更、改良等が可能である。例えば、前記各実施形態では、半導体パッケージを基板に実装した試料を評価する場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。本発明は、ウィスカが発生する可能性のある他の評価対象に適用することも可能である。
2 圧力容器(試験槽)
4 加湿水
6 テストエリア
8 試料
16 加熱ヒータ
17 器内温度センサ
18 加湿水ヒータ
19 加湿水温度センサ
20 ウィック温度センサ
21 ウィック
31 制御部
41 ガス導入口
43 ガス導入用配管
45 ガス導入手段
51 半導体パッケージ
53 リード
53a 母材
53b 錫めっき
54 基板
57 水分の層
61 ウィスカ
Claims (15)
- 評価対象である試料を試験槽内に配置する工程と、
前記試験槽内を所定の酸素量、100℃以上の設定温度、及び所定の設定湿度に調整する槽内環境調整工程と、
前記試験槽内を前記所定の酸素量、前記設定温度及び前記設定湿度に所定時間維持して、前記試料にウィスカを発生させる環境維持工程と、を含むウィスカ評価方法。 - 前記試料は、金属母材の表面に鉛フリーめっきの層が形成された部分を有し、前記金属母材の一部が前記めっき層から露出している、請求項1に記載のウィスカ評価方法。
- 前記槽内環境調整工程は、
前記試験槽の排気弁を開放した状態で、前記試験槽内を所定の初期温度及び所定の初期水蒸気分圧に調整することにより、前記試験槽内を所定の初期空気分圧に調整する酸素量調整工程と、
前記酸素量調整工程の後、前記排気弁を閉じた状態で、前記試験槽内を前記設定温度及び前記設定湿度に調整する温湿度調整工程と、を有している、請求項1又は2に記載のウィスカ評価方法。 - 前記槽内環境調整工程は、
前記試験槽の排気弁を開放した状態で、前記試験槽に設けられた酸素濃度検知手段により前記試験槽内の酸素濃度を検知しながら、前記試験槽に設けられたガス導入手段により前記所定の酸素量に達するまで前記試験槽内に酸素又は酸素を含むガスを導入する酸素量調整工程と、
前記酸素量調整工程の後、前記排気弁を閉じた状態で、前記試験槽内を前記設定温度及び前記設定湿度に調整する温湿度調整工程と、を有している、請求項1又は2に記載のウィスカ評価方法。 - 前記試験槽の排気弁を閉じた状態で前記試験槽内を真空に引く真空工程をさらに含み、
この真空工程の後、前記排気弁を閉じた状態で、前記槽内環境調整工程及び環境維持工程を実行する、請求項1又は2に記載のウィスカ評価方法。 - 前記槽内環境調整工程は、前記試験槽の排気弁を開放した状態で、前記試験槽に設けられたガス導入手段により前記試験槽内に酸素又は酸素を含むガスを連続的又は断続的に導入することにより、前記試験槽内を所定の初期酸素分圧に調整する酸素量調整工程と、
前記酸素量調整工程の後、前記排気弁を開放したままの状態で、かつ、前記ガス導入手段により酸素又は酸素を含むガスを連続的又は断続的に導入した状態で、前記試験槽内を前記設定温度及び前記設定湿度に調整する温湿度調整工程と、を有しており、
前記環境維持工程は、前記試験槽の排気弁を開放したままの状態で、前記ガス導入手段により前記試験槽内に酸素又は酸素を含むガスを連続的又は断続的に導入することにより、前記試験槽内を前記所定の酸素量に調整する、請求項1又は2に記載のウィスカ評価方法。 - 前記槽内環境調整工程は、前記試験槽の排気弁を開放した状態で、前記試験槽内の温度及び湿度を前記設定温度及び前記設定湿度にそれぞれ調整する温湿度調整工程と、
前記温湿度調整工程の後、前記排気弁を閉じた状態で、前記試験槽に設けられたガス導入手段により前記所定の酸素量に達するまで前記試験槽内に酸素又は酸素を含むガスを導入する酸素量調整工程と、を有している、請求項1又は2に記載のウィスカ評価方法。 - 前記温度が105℃以上140℃以下である、請求項1〜7のいずれかに記載のウィスカ評価方法。
- 前記設定湿度が相対湿度75%以上である、請求項1〜8のいずれかに記載のウィスカ評価方法。
- 前記環境維持工程における前記試験槽内の酸素分圧が10kPa以上である、請求項1〜9のいずれかに記載のウィスカ評価方法。
- 評価対象である試料を内部に配置可能な試験槽と、
前記試験槽内を100℃以上の設定温度に調整可能な温度調整手段と、
前記試験槽内を所定の設定湿度に調整可能な湿度調整手段と、
前記試験槽の内外を連通可能な排気弁と、
前記試験槽内が前記設定温度、前記設定湿度及び所定の酸素量となるように前記温度調整手段及び前記湿度調整手段を制御し、前記試料にウィスカが発生するように前記試験槽内を前記設定温度、前記設定湿度及び前記所定の酸素量に所定時間維持する制御を行う制御手段と、を備えたウィスカ評価用試験装置。 - 前記試験槽内に酸素又は酸素を含むガスを導入可能なガス導入手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記試験槽内が前記所定の酸素量となるように前記ガス導入手段を制御する、請求項11に記載のウィスカ評価用試験装置。 - 前記ガス導入手段は、酸素又は酸素を含むガスを前記試験槽内に圧送可能であり、
前記制御手段は、前記排気弁を開放した状態で、前記排気弁の開度及び前記ガス導入手段による圧送時の圧力の少なくとも一方を調整して前記試験槽内を前記所定の酸素量に調整する制御を行う、請求項12に記載のウィスカ評価用試験装置。 - 前記試験槽内のガスを排出可能な真空ポンプをさらに備えている、請求項12に記載のウィスカ評価用試験装置。
- 前記試験槽内の酸素濃度を検知する酸素濃度検知手段、前記試験槽内の圧力を検知する圧力検知手段、及び前記試験槽内に前記ガス導入手段により導入されるガスの流量を検知する流量検知手段の少なくとも一つをさらに備え、
前記制御手段は、前記検知手段による検知結果に基づいて前記試験槽内を前記所定の酸素量に調整する制御を行う、請求項11〜14のいずれかに記載のウィスカ評価用試験装置。
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