JP2011014127A - 光センシング回路、これを備えるタッチパネル、及び光センシング回路の駆動方法 - Google Patents

光センシング回路、これを備えるタッチパネル、及び光センシング回路の駆動方法 Download PDF

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Abstract

【課題】光センシング回路、これを備えるタッチパネル、及び光センシング回路の駆動方法を提供する。
【解決手段】外部からの光を受光して電流を発生させ、カソード電極及びアノード電極を備えるフォトダイオードと、フォトダイオードで発生させた電流を増幅する駆動トランジスタと、駆動トランジスタに伝達される電圧レベルのデータ信号を保存するためのキャパシタと、現在のスキャン信号に応答して駆動トランジスタのしきい電圧を補償する第1スイッチングトランジスタと、現在のスキャン信号に応答して電圧レベルのデータ信号を伝達する第2スイッチングトランジスタと、を備えるフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路。これにより、駆動トランジスタのしきい電圧の偏差を補償して光センシングを正確に行える。
【選択図】図3

Description

本発明は、光センシング回路、これを備えるタッチパネル、及び光センシング回路の駆動方法に関する。
従来には、コンピュータで入力信号を印加する方法としてマウスやキーボードなどが使われた。また、デジタルTVでユーザーが特定機能を選択するためにリモコンが使われた。しかし、マウス、キーボード、リモコンなどの操作に慣れていないユーザーは、かかる入力装置を使用するのに不便さを感じるはずである。
タッチパネルまたはタッチスクリーンは、前記ユーザーの不便さを解消できる新たな概念の入力装置である。タッチパネルとは、既存にマウスなどで行った命令信号の入力を、指先やペンなどでユーザーがディスプレイパネル上に直接接触することによって行える入力装置をいう。
ユーザーがディスプレイパネル上に指先などを接触させることによって命令信号を入力できるため、マウス、キーボードなどの入力装置の使用に抵抗を感じる人も容易にコンピュータなどのデジタル装置を使用できる。これらのタッチパネルは、外部入力を認識する方法によって分類できる。前記タッチパネルには、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線感知方式、超音波方式、積分式張力測定方式、ピエゾ効果方式、光センシング方式などがある。
前記多様なタッチパネル方式のうち、光センシング方式は、パネル内部にフォトダイオードを形成し、前記フォトダイオードに入射される光によって発生する電流を感知して指先などの接触を認識する方式である。これらの光センシング方式で必須要素であるフォトダイオードは、LCD(Liquid Crystal Display)、OLED(Organic Light Emitting Diode)などのディスプレイパネルの駆動回路を形成する工程で共に形成できて、製造上に利点がある。また抵抗膜方式や静電容量方式などのように、ディスプレイパネル外部に別個の層を形成する必要がなく、厚さを縮めることができるという長所がある。
しかし、光センシング方式で使われるフォトダイオードがセンシングする値が非常に小さい。例えば、フォトダイオードで発生する電流は、印加された電圧値とフォトダイオード面積によって若干の差があるが、ほぼ数ないし数十pA(ピコアンペア)ほどの小さな値である。したがって、フォトダイオードで発生する電流を増幅して出力して初めて、センシングの精度を高めることができる。
一方、光センシング方式のタッチパネルは階調表現のための複数の画素回路と、それぞれの画素のタッチを感知するための複数の光センサー回路とを備えている。複数の光センサー回路には、それぞれのフォトダイオードの電流増幅のために薄膜トランジスタが使われる。電流増幅のための駆動用トランジスタのしきい電圧Vthが変わって光センサー回路ごとに出力値にバラツキが出て、タッチまたはタッチ位置を判断する精度が落ちるようになる。
本発明が解決しようとする技術的課題は、フォトダイオードで発生する電流を増幅するだけではなく、駆動用薄膜トランジスタのしきい電圧の偏差を補償できる光センシング回路、これを備えるタッチパネル、及び光センシング回路の駆動方法を提供するところにある。
前記技術的課題を解決するために、本発明の一実施形態によるフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路は、外部からの光を受光して電流を発生させ、カソード電極及びアノード電極を備えるフォトダイオードと、前記フォトダイオードで発生させた電流を増幅する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに伝達される電圧レベルのデータ信号を保存するためのキャパシタと、現在のスキャン信号に応答して前記駆動トランジスタのしきい電圧を補償する第1スイッチングトランジスタと、前記現在のスキャン信号に応答して電圧レベルのデータ信号を伝達する第2スイッチングトランジスタと、を備える。
望ましくは、前記駆動トランジスタは、ゲート電極が前記キャパシタの一側端子に連結され、ソース電極が前記第2スイッチングトランジスタに連結され、ドレイン電極が前記第1スイッチングトランジスタに連結されたPMOSトランジスタであることを特徴とする。
望ましくは、前記第1スイッチングトランジスタは、ソース電極が前記駆動トランジスタのドレイン電極と、ドレイン電極が前記駆動トランジスタのゲート電極と連結されたPMOSトランジスタであり、前記現在のスキャン信号に応答して前記駆動トランジスタをダイオード連結させて、前記駆動トランジスタのしきい電圧を補償することを特徴とする。
望ましくは、前記光センシング回路は、前記現在のスキャン信号の直前のスキャン信号に応答して、フォトダイオードのカソード電極の電圧と前記駆動トランジスタのゲート電極の電圧とを初期化させる初期化電圧を伝達する第3スイッチングトランジスタをさらに備えることを特徴とする。
望ましくは、前記光センシング回路は、発光信号に応答して、第1電源電圧を前記駆動トランジスタに伝達する第4スイッチングトランジスタをさらに備えることを特徴とする。
望ましくは、前記光センシング回路は、集光信号に応答して、前記駆動用トランジスタを通じて増幅された電流を出力ラインを通じて伝達する第5スイッチングトランジスタをさらに備えることを特徴とする。
望ましくは、前記光センシング回路は、リセット信号に応答して、前記出力ラインの電圧を接地電圧にリセットさせる第6トランジスタをさらに備えることを特徴とする。
望ましくは、前記現在のスキャン信号ラインと前記以前のスキャン信号ラインとは、表示のためのピクセル駆動回路の現在のスキャン信号ラインと、以前のスキャン信号ラインとであることを特徴とする。
望ましくは、前記初期化電圧及び前記第1電源電圧は、表示のための複数のピクセルを駆動するピクセル駆動回路の初期化電圧及び電源電圧であることを特徴とする。
望ましくは、前記第2スイッチングトランジスタは、表示のための複数のピクセルを駆動するピクセル駆動回路にスキャン信号を伝達するピクセルスキャン駆動部に配されたことを特徴とする。
望ましくは、前記第4スイッチングトランジスタは、表示のための複数のピクセルを駆動するピクセル駆動回路に発光信号を伝達するピクセル発光駆動部に配されたことを特徴とする。
他の技術的課題を解決するために、本発明の他の実施形態による、表示のために複数のピクセルを駆動するピクセル駆動回路を備えるタッチパネルは、タッチを検出する光センシング回路を備え、前記光センシング回路は、外部からの光を受光して電流を発生させ、カソード電極及びアノード電極を備えるフォトダイオードと、前記フォトダイオードで発生させた電流を増幅する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに伝達される電圧レベルのデータ信号を保存するためのキャパシタと、前記ピクセルを選択する現在のスキャン信号に応答して前記駆動トランジスタをダイオード連結させて、前記駆動トランジスタのしきい電圧を補償する第1スイッチングトランジスタと、前記現在のスキャン信号に応答して電圧レベルのデータ信号を伝達する第2スイッチングトランジスタと、を備える。
望ましくは、前記駆動トランジスタは、ゲート電極が前記キャパシタの一側端子に連結され、ソース電極が前記第2スイッチングトランジスタに連結され、ドレイン電極が前記第1スイッチングトランジスタに連結されたPMOSトランジスタであることを特徴とする。
望ましくは、前記第1スイッチングトランジスタは、ソース電極が前記駆動トランジスタのドレイン電極と、ドレイン電極が前記駆動トランジスタのゲート電極と連結されたPMOSトランジスタであり、前記現在のスキャン信号に応答して前記駆動トランジスタをダイオード連結させて、前記駆動トランジスタのしきい電圧を補償することを特徴とする。
望ましくは、前記タッチパネルは、前記フォトダイオードのカソード電極の電圧と前記駆動トランジスタのゲート電極の電圧とを初期化させるために、前記現在のスキャン信号の直前のスキャン信号に応答して前記ピクセル駆動回路の初期化電圧を伝達する第3スイッチングトランジスタをさらに備えることを特徴とする。
望ましくは、前記タッチパネルは、前記ピクセルを発光させる発光信号に応答して、前記ピクセル駆動回路の電源電圧を前記駆動トランジスタに伝達する第4スイッチングトランジスタをさらに備えることを特徴とする。
望ましくは、前記タッチパネルは、集光信号に応答して、前記駆動トランジスタを通じて増幅された電流を出力ラインを通じて伝達する第5スイッチングトランジスタをさらに備えることを特徴とする。
望ましくは、前記タッチパネルは、リセット信号に応答して、前記出力ラインの電圧を接地電圧にリセットさせる第6トランジスタをさらに備えることを特徴とする。
さらに他の技術的課題を解決するために、本発明のさらに他の実施形態による光センシング回路の駆動方法は、以前のスキャン信号によって、駆動トランジスタのゲート電極及びフォトダイオードのカソード電極の電圧を初期化させるステップと、現在のスキャン信号により駆動トランジスタをダイオード連結させ、前記駆動トランジスタに伝達される電圧レベルのデータ信号をキャパシタに保存するステップと、発光信号により前記駆動トランジスタのソース電極に電源電圧を印加し、前記フォトダイオードで発生した電流に相応する電圧レベルのデータ信号を前記キャパシタに保存するステップと、集光信号により前記フォトダイオードで発生した電流を増幅させて出力するステップと、を含む。
望ましくは、前記駆動方法は、前記駆動トランジスタのしきい電圧の偏差を補償することを特徴とする。
本発明の一実施形態による光センシング回路は、フォトダイオードで発生する電流を増幅させうるだけではなく、トランジスタのしきい電圧の偏差を補償することによって光センシングを正確に行える。
本発明の一実施形態によるフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路を示す図面である。 図1に示した光センシング回路を駆動するためのタイミング図である。 本発明の他の実施形態によるフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路を示す図面である。 図3に示した光センシング回路を駆動するためのタイミング図である。 図3に示した光センシング回路の動作点を説明するための図面である。 本発明のさらに他の実施形態によるフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路を示す図面である。
以下、図1ないし図6を参照して本発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態によるフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路を示す図面であり、図2は、図1に示した光センシング回路の動作を説明するためのタイミング図である。
図1を参照すれば、光センシング回路は、フォトダイオードD、駆動トランジスタTr_d、第1スイッチングトランジスタTr_s1、第2スイッチングトランジスタTr_s2及びキャパシタCstを備える。
フォトダイオードDは、外部から入射される光を受光して電流を発生させる。フォトダイオードDは、アノード電極及びカソード電極を備える。フォトダイオードDのアノード電極には接地電圧VSSが印加され、カソード電極はノードN1に連結されて、駆動トランジスタTr_dのゲート電極に連結される。
フォトダイオードDは、一般的なダイオードとは異なって逆バイアス電圧がかかる。したがって、アノード電極の電位がカソード電極の電位より低くなければならない。フォトダイオードDに逆バイアス電圧がかかった状態で外部から光が入射されれば、光の輝度、逆バイアス電圧値、フォトダイオード面積によって電流ID1が発生する。しかし、フォトダイオードはタッチパネル内に内蔵されるため、そのサイズに制約があり、フォトダイオードに入射される光の輝度と逆バイアス電圧値にも制約がある。一般的に、タッチパネルの光センシングに利用されるフォトダイオードの電流値は、ほぼ数ないし数十pAほどである。したがって、フォトダイオードの電流値を増幅して使用せねばならない。
駆動トランジスタTr_dのソース電極には電源電圧VDDが印加され、ゲート電極は、第1スイッチングトランジスタTr_s1のドレイン電極、フォトダイオードDのカソード電極、キャパシタCstの一側端子に連結される。
第1スイッチングトランジスタTr_s1のゲート電極はスキャンラインScan[n]に連結され、ソース電極には初期電圧Vinitが印加される。ここで、スキャンラインScan[n]は、表示のために複数のピクセルを駆動するピクセル駆動回路のスキャンラインである。したがって、光センシング回路のために別途の信号ラインが不要である。
第2スイッチングトランジスタTr_s2のゲート電極には集光ラインInteg[n]が連結され、ドレイン電極にはデータ出力ラインD−outが連結され、光を受光して発生したフォトダイオード電流ID1を増幅させた電流ID2がデータ出力ラインを通じて出力される。
キャパシタCstの一側端子は駆動トランジスタTr_dのソース電極に連結され、これに電源電圧VDDが印加される。ここで、電源電圧VDDは、ピクセル駆動回路の電源電圧である。したがって、光センシング回路のための別途の電源ラインが不要である。キャパシタCstの他側端子は駆動トランジスタTr_dのゲート電極に連結され、キャパシタCstにはゲート電極とソース電極との間の電圧Vgsが保存される。
図1に示した光センシング回路は構造が簡単であり、レイアウト時に面積を小さく具現できる。したがって、フォトダイオードの受光部領域を最大化させることができて、タッチパネル感度を向上させることができる。また、ピクセルのスキャン信号ラインと電源ラインとを共有することによって、光センシング回路のための別途の信号ラインと電源ラインとが不要である。
図2を参照すれば、スキャン信号により第1スイッチングトランジスタTr_s1がターンオンされて、初期電圧Vinitが駆動トランジスタTr_dのゲート電極に印加される。すなわち、スキャン信号により第1スイッチングトランジスタTr_s1がターンオンされて、初期化ラインの初期電圧VinitがノードN1に印加されて、駆動トランジスタTr_dのゲート電極とフォトダイオードのカソード電極との電圧を初期化させる。次いで、外部の光源または内部の光源の光をフォトダイオードが受光して、1フレーム時間の間、フォトダイオードDが集光すれば、電流ID1が発生し、駆動トランジスタTr_dのゲート電圧が落ちる。
集光信号Integ[n]により第2スイッチングトランジスタTr_s2がターンオンされれば、駆動トランジスタTr_dのゲート・ソース間の電圧Vgsにより決定された電流ID2が、データ出力ラインD−outを通じて出力される。ここで、増幅された電流ID2は次の数式1のように計算できる。
Figure 2011014127
ここで、ΔVは、フォトダイオードDで発生した電流ID1によってノードN1、すなわち、駆動トランジスタTr_dのゲート電圧が落ちることを反映した電圧変化量であり、Vthは、駆動トランジスタTr_dのしきい電圧であり、βは、定数値である。
前記数式1から分かるように、光センシング回路の出力電流値ID2は、駆動トランジスタのしきい電圧Vthの影響を受ける。前述したように、電流増幅のための駆動トランジスタのしきい電圧Vthは、トランジスタごとに異なる。これは、薄膜トランジスタの製造工程変数によってしきい電圧が変わるので、あらゆるトランジスタのしきい電圧を統一するように製造することが不可能なためである。したがって、増幅回路ごとにしきい電圧の偏差が存在して、タッチまたは位置判断の正確性が落ちる。
図3は、本発明の他の実施形態によるフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路を示す図面であり、図4は、図3に示した光センシング回路を駆動するためのタイミング図である。
図3を参照すれば、光センシング回路は、フォトダイオードD、駆動トランジスタTr_d、第1ないし第6スイッチングトランジスタTr_s1ないしTr_s6、キャパシタCstを備える。
フォトダイオードDは、外部から入射される光を受光して電流を発生させる。フォトダイオードDは、アノード電極及びカソード電極を備える。フォトダイオードDのアノード電極には第1接地電圧VSS1が印加され、カソード電極は、ノードN1に連結されて駆動トランジスタTr_dのゲート電極に連結される。
駆動トランジスタTr_dのソース電極は、第2スイッチングトランジスタTr_s2のドレイン電極、キャパシタCstの一側端子、第4スイッチングトランジスタTr_s4のドレイン電極に連結される。
第1スイッチングトランジスタTr_s1は、ソース電極に初期電圧initialが印加され、ゲート電極に以前のスキャンラインScan[n−1]が連結されており、ドレイン電極はノードN1に連結される。第1スイッチングトランジスタTr_s1は、現在のスキャン信号の直前のスキャン信号、すなわち、以前のスキャン信号Scan[n−1]に応答して駆動トランジスタTr_dのゲート電極とフォトダイオードDのカソード電極との電圧を初期化させる。
第2スイッチングトランジスタTr_s2は、ソース電極に初期電圧Vinitが印加され、ゲート電極に現在のスキャンラインScan[n]が連結されており、ドレイン電極は駆動トランジスタTr_dのソース電極に連結される。第2スイッチングトランジスタTr_s2は現在のスキャン信号Scan[n]に応答して、駆動トランジスタTr_dのソース電極に電圧レベルのデータ信号、すなわち、電圧Vinitを印加する。
第3スイッチングトランジスタTr_s3のソース電極は駆動トランジスタTr_dのゲート電極、ドレイン電極は駆動トランジスタTr_dのドレイン電極に連結され、ゲート電極は現在のスキャンラインScan[n]に連結されて、現在のスキャン信号に応答してターンオンされて、駆動トランジスタTr_dをダイオード連結させる。第3スイッチングトランジスタTr_s3が駆動トランジスタTr_dをダイオード連結させることによって、駆動トランジスタTr_dのしきい電圧Vthの偏差を補償する。しきい電圧補償と関連しては、図4を参照して後述する。
第4スイッチングトランジスタTr_s4は、ソース電極に電源電圧VDDが印加され、ゲート電極には発光ラインEM[n]が連結されて、発光信号によって電源電圧VDDを駆動トランジスタTr_dのソース電極に伝達する。ここで、電源電圧VDDはピクセル駆動回路の電源電圧であって、光センシング回路のための別途の電源電圧ラインが必要ない。
第5スイッチングトランジスタTr_s5のゲート電極には集光ラインInteg[n]が連結され、ドレイン電極にはデータ出力ラインD−outが連結され、光を受光して発生したフォトダイオード電流ID1を増幅させた電流ID2が、データ出力ラインを通じて出力される。
第6スイッチングトランジスタTr_s6は、ゲート電極のリセットラインreset[n]のリセット信号に応答して、ドレイン電極に印加された第2接地電圧Vss2でデータ出力ラインD−outを初期化させる。
キャパシタCstの一側端子は駆動トランジスタTr_dのソース電極に連結され、これに電源電圧VDDが印加される。ここで、電源電圧VDDはピクセル駆動回路の電源電圧である。キャパシタCstの他側端子には駆動トランジスタTr_dのゲート電極が連結され、キャパシタCstにはゲート電極とソース電極との間の電圧Vgsが保存される。
図3に示した光センシング回路は、駆動トランジスタTr_dのしきい電圧を補償することができ、しきい電圧の変化による散布が小さい。また、ピクセルのスキャン信号ラインと電源ラインとを共有することによって、光センシング回路のための別途の信号ラインと電源ラインとが不要である。
図4を参照すれば、まず、以前のスキャン信号Scan[n−1]により第1スイッチングトランジスタTr_s1がターンオンされ、ノードN1の電圧が初期化される。すなわち、駆動トランジスタTr_dのゲート電極とフォトダイオードDのカソード電極とを初期化させる。そして、現在のスキャン信号Scan[n]により、第2スイッチングトランジスタTr_s2と第3スイッチングトランジスタTr_s3とがターンオンされる。第3スイッチングトランジスタTr_s3がターンオンされて駆動トランジスタTr_dがダイオード連結され、第2スイッチングトランジスタTr_s2がターンオンされて、電圧Vinitがダイオード連結により駆動トランジスタTr−dのゲート電極に印加され、この時、キャパシタCstにはVinit−Vthの電圧値が保存される。
そして、発光信号EM[n]により第4スイッチングトランジスタTr_s4がターンオンされ、電源電圧VDDが駆動トランジスタTr−dのソース電極に印加される。発光によって、フォトダイオードDが1フレーム間集光して電流ID1が流れ、ノードN1の電圧、すなわち、駆動トランジスタTr_dのゲート電極の電圧が発生した電流ID1に相応して減少する。すなわち、ゲート電極の電圧VがΔVほど減少する。したがって、光反応による電圧減少量がキャパシタCstに保存される。
次いで、リセット信号により第6スイッチングトランジスタTr_s6がターンオンされて、データ出力ラインD−outが初期化され、集光信号Integ[n]により第5スイッチングトランジスタTr_s5がターンオンされて、受光により発生したフォトダイオードDの電流ID1を増幅した電流ID2が出力ラインを通じて出力される。すなわち、光によりセンシングされたデータ値、すなわち、電流ID2が出力される。前記過程を通じて増幅された電流ID2は、次の数式2の通りである。
Figure 2011014127
ここで、ΔVは、フォトダイオードDで発生した電流ID1によってノードN1、すなわち、駆動トランジスタTr_dのゲート電圧が低下することを反映した電圧変化量であり、Vthは、駆動トランジスタTr_dのしきい電圧であり、βは、定数値である。
前記数式2から分かるように、光センシング回路の出力電流値ID2は、駆動トランジスタのしきい電圧Vthに影響されない。したがって、駆動トランジスタのしきい電圧の偏差に関係なく、それぞれの光センシング回路で一定の出力データを得ることができるので、タッチまたは位置を正確に判断できる。
図5は、図3に示した光センシング回路の動作点を説明するための図面である。
図5を参照すれば、駆動トランジスタのゲートとソースとの間の電圧Vgsによる出力電流Idsを示すグラフである。それぞれの動作点(Operation Point)を見れば、各地点での傾斜度に差があることが確認できる。再び図4を参照すれば、スキャン信号により駆動トランジスタTr_dがダイオード連結される時、電圧Vinitが印加される。この時、低い電圧値を印加すれば、最終的に出力する時にVgs値が大きくなるので、矢印方向の動作点で駆動する。したがって、小さなVgs変動に対してIds値変化が大きいので、光反応によるセンシング値の分解能を向上させることができる。
図6は、本発明のさらに他の実施形態によるフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路を示す図面である。
図6を参照すれば、図3に示した光センシング回路との差異点は、第2スイッチングトランジスタTr_s2と第4スイッチングトランジスタTr_s4とを、パネル600外部、すなわち、ピクセル発光駆動部610とピクセルスキャン駆動部620とに配したことである。したがって、図6に示した光センシング回路は、駆動トランジスタTr_dのしきい電圧Vthを補償するだけではなく、パネル内部の光センシング回路の面積を縮めることができ、フォトダイオードのサイズを確保できるという効果がある。以下、図3に示した光センシング回路との動作は同一であり、構造上の差異点を中心に説明する。
第2スイッチングトランジスタTr_s2と第4スイッチングトランジスタTr_s4との間に、1本のラインで2つの電圧、すなわち、VDD2とdata[m]とを印加でき、パネルの外部にスイッチングトランジスタを配置しつつ、パネル内蔵回路の信号及び電源を利用できるので、別途の内蔵回路の追加なしに動作できてレイアウト面積を確保することができる。ここで、VDD2は、ピクセル発光駆動部の発光電源EM VDDである。そしてVDD1は、ピクセル駆動回路の電源である。このように、別途の電源を利用することによって、ピクセルの電源電圧を共有して使用する時に発生しうるパネルイメージ影響を最小化できる。
タッチパネル600には一つの光センシング回路のみ図示されているが、表示のためのn×m行列の複数のピクセルを駆動するピクセル駆動回路を備え、それぞれのピクセル駆動回路に対応するそれぞれの光センシング回路が存在する。
ここで、ピクセル駆動回路は、有機発光表示装置(OLED)のピクセル回路でありうる。有機発光表示回路の一実施形態として、第1トランジスタtr1、第2トランジスタtr2、キャパシタCst及びOLEDを含む2トランジスタ1キャパシタ形態のピクセル回路が適用される。前記ピクセル回路では、従来の有機発光表示装置の表示回路と同じ方式でデータを表示でき、その詳細な動作についての説明は省略する。また、ピクセル駆動回路は例示的なものであって、既知の多様な形態のピクセル駆動回路を使用することができる。
以上説明したように、本発明の望ましい実施形態による光センシング回路は、ピクセル駆動回路と光センシング回路とがスキャンラインを共有することによって、タッチパネルの駆動に必要な配線の数及び駆動信号を生成するための駆動装置の数を低減させることができる。また、フォトダイオードの電流増幅のために使われる駆動トランジスタのしきい電圧を補償することによって、一定の出力データを得ることができる。
以上、詳細な説明及び図面では、駆動トランジスタとスイッチングトランジスタとして、PMOSトランジスタを挙げて説明したが、NMOSトランジスタまたはCMOSトランジスタで構成してもよい。
前記発明の詳細な説明と図面は、単に本発明の例示的なものであって、これは単に本発明を説明するための目的で使われたものであり、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使われたものではない。したがって、以上説明した内容を通じて当業者ならば、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であるということを理解できるであろう。したがって、本発明の技術的保護範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲により定められねばならない。
本発明は、タッチパネル関連の技術分野に好適に用いられる。
Cst キャパシタ
Tr_d 駆動トランジスタ
Tr_s1 第1スイッチングトランジスタ
Tr_s2 第2スイッチングトランジスタ
Tr_s3 第3スイッチングトランジスタ
Tr_s4 第4スイッチングトランジスタ
Tr_s5 第5スイッチングトランジスタ
Tr_s6 第6スイッチングトランジスタ
Scan[n] スキャンライン
D−out[m] データ出力ライン
data[m] データライン
reset[n] 初期化ライン
Integ[n] 集光ライン
EM[n] 発光ライン
600 タッチパネル
610 ピクセル発光駆動部
620 ピクセルスキャン駆動部

Claims (20)

  1. 外部からの光を受光して電流を発生させ、カソード電極及びアノード電極を備えるフォトダイオードと、
    前記フォトダイオードで発生させた電流を増幅する駆動トランジスタと、
    前記駆動トランジスタに伝達される電圧レベルのデータ信号を保存するためのキャパシタと、
    現在のスキャン信号に応答して前記駆動トランジスタのしきい電圧を補償する第1スイッチングトランジスタと、
    前記現在のスキャン信号に応答して電圧レベルのデータ信号を伝達する第2スイッチングトランジスタと、を備えるフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路。
  2. 前記駆動トランジスタは、
    ゲート電極が前記キャパシタの一側端子に連結され、ソース電極が前記第2スイッチングトランジスタに連結され、ドレイン電極が前記第1スイッチングトランジスタに連結されたPMOSトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載のフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路。
  3. 前記第1スイッチングトランジスタは、
    ソース電極が前記駆動トランジスタのドレイン電極と、ドレイン電極が前記駆動トランジスタのゲート電極と連結されたPMOSトランジスタであり、前記現在のスキャン信号に応答して前記駆動トランジスタをダイオード連結させて、前記駆動トランジスタのしきい電圧を補償することを特徴とする請求項2に記載のフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路。
  4. 前記現在のスキャン信号の直前のスキャン信号に応答して、フォトダイオードのカソード電極の電圧と前記駆動トランジスタのゲート電極の電圧とを初期化させる初期化電圧を伝達する第3スイッチングトランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路。
  5. 現在の発光信号に応答して、第1電源電圧を前記駆動トランジスタに伝達する第4スイッチングトランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項4に記載のフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路。
  6. 集光信号に応答して、前記駆動用トランジスタを通じて増幅された電流を出力ラインを通じて伝達する第5スイッチングトランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路。
  7. リセット信号に応答して、前記出力ラインの電圧を接地電圧にリセットする第6トランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項6に記載のフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路。
  8. 前記現在のスキャン信号ラインと前記以前のスキャン信号ラインとは、
    表示のためのピクセル駆動回路の現在のスキャン信号ラインと、以前のスキャン信号ラインとであることを特徴とする請求項1に記載のフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路。
  9. 前記初期化電圧及び前記第1電源電圧は、
    表示のための複数のピクセルを駆動するピクセル駆動回路の初期化電圧及び電源電圧であることを特徴とする請求項5に記載のフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路。
  10. 前記第2スイッチングトランジスタは、
    表示のための複数のピクセルを駆動するピクセル駆動回路にスキャン信号を伝達するピクセルスキャン駆動部に配されたことを特徴とする請求項1に記載のフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路。
  11. 前記第4スイッチングトランジスタは、
    表示のための複数のピクセルを駆動するピクセル駆動回路に発光信号を伝達するピクセル発光駆動部に配されたことを特徴とする請求項5に記載のフォトダイオード電流増幅のための光センシング回路。
  12. 表示のために複数のピクセルを駆動するピクセル駆動回路を備えるタッチパネルにおいて、
    タッチを検出する光センシング回路を備え、
    前記光センシング回路は、
    外部からの光を受光して電流を発生させ、カソード電極及びアノード電極を備えるフォトダイオードと、
    前記フォトダイオードで発生させた電流を増幅する駆動トランジスタと、
    前記駆動トランジスタに伝達される電圧レベルのデータ信号を保存するためのキャパシタと、
    前記ピクセルを選択する現在のスキャン信号に応答して前記駆動トランジスタをダイオード連結させて、前記駆動トランジスタのしきい電圧を補償する第1スイッチングトランジスタと、
    前記現在のスキャン信号に応答して電圧レベルのデータ信号を伝達する第2スイッチングトランジスタと、を備えるタッチパネル。
  13. 前記駆動トランジスタは、
    ゲート電極が前記キャパシタの一側端子に連結され、ソース電極が前記第2スイッチングトランジスタに連結され、ドレイン電極が前記第1スイッチングトランジスタに連結されたPMOSトランジスタであることを特徴とする請求項12に記載のタッチパネル。
  14. 前記第1スイッチングトランジスタは、
    ソース電極が前記駆動トランジスタのドレイン電極と、ドレイン電極が前記駆動トランジスタのゲート電極と連結されたPMOSトランジスタであり、前記現在のスキャン信号に応答して前記駆動トランジスタをダイオード連結させて、前記駆動トランジスタのしきい電圧を補償することを特徴とする請求項12に記載のタッチパネル。
  15. 前記フォトダイオードのカソード電極の電圧と前記駆動トランジスタのゲート電極の電圧とを初期化するために、前記現在のスキャン信号の直前のスキャン信号に応答して前記ピクセル駆動回路の初期化電圧を伝達する第3スイッチングトランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項12に記載のタッチパネル。
  16. 前記ピクセルを発光させる発光信号に応答して、前記ピクセル駆動回路の電源電圧を前記駆動トランジスタに伝達する第4スイッチングトランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項12に記載のタッチパネル。
  17. 集光信号に応答して、前記駆動トランジスタを通じて増幅された電流を出力ラインを通じて伝達する第5スイッチングトランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項12に記載のタッチパネル。
  18. リセット信号に応答して、前記出力ラインの電圧を接地電圧にリセットさせる第6トランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項12に記載のタッチパネル。
  19. 以前のスキャン信号によって、駆動トランジスタのゲート電極及びフォトダイオードのカソード電極の電圧を初期化させるステップと、
    現在のスキャン信号により駆動トランジスタをダイオード連結させ、前記駆動トランジスタに伝達される電圧レベルのデータ信号をキャパシタに保存するステップと、
    発光信号により前記駆動トランジスタのソース電極に電源電圧を印加し、前記フォトダイオードで発生した電流に相応する電圧レベルのデータ信号を前記キャパシタに保存するステップと、
    集光信号により前記フォトダイオードで発生した電流を増幅させて出力するステップと、を含む光センシング回路の駆動方法。
  20. 前記駆動トランジスタのしきい電圧の偏差を補償することを特徴とする請求項19に記載の光センシング回路の駆動方法。
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