CN104915657B - 基于ltps技术的掌纹识别电路、掌纹识别方法以及显示屏 - Google Patents

基于ltps技术的掌纹识别电路、掌纹识别方法以及显示屏 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种基于LTPS技术的掌纹识别电路、掌纹识别方法和显示屏。该掌纹识别电路包括：光信号收集单元，收集指示掌纹信息的光信号，并将收集到的光信号转换成电流信号，所述光信号是背光发射的光经用户手掌掌纹反射而获得的；电流信号放大单元，连接至所述光信号收集单元，对转换后的电流信号进行放大；以及电流信号检测单元，连接至所述电流信号放大单元，对经放大的电流信号的强度进行检测，所述电流信号的强度指示掌纹信息中掌纹的脊线或谷线。从而解决了市场上没有针对LTPS‑TFT显示面板的掌纹识别电路和方法的技术空白，同时消除了识别过程中由于电路工艺变化走线方式变换所产生的寄生电容变化对识别结果的影响。

Description

基于LTPS技术的掌纹识别电路、掌纹识别方法以及显示屏
技术领域
本发明涉及信息识别领域，更具体地，涉及一种基于LTPS(low temperaturepoly-silicon)技术的掌纹识别电路、掌纹识别方法和显示屏。
背景技术
20世纪90年代后期，香港理工大学与清华大学率先开创了掌纹识别技术研究领域，掌纹识别具有精度高，速度快，价格低，用户接受度高等优点，因此该领域开创以来，就得到了学术界的充分重视，国内外很多的高校和科研机构纷纷加入到该研究领域中，并取得了一系列的成果。
掌纹中最重要的特征是纹线特征，例如脊线和谷线。而且这些纹线特征最清晰的几条纹线基本上伴随人的一生不发生变化。当将手掌置于掌纹检测玻璃面板的表面时，能够通过对手掌上明显的纹线特征的光反射的差异，来实现掌纹检测的目的。
低温多晶硅(low temperature poly-silicon，简称LTPS)是多晶硅技术的一个分支。对于LCD显示面板而言，采用多晶硅液晶材料有许多优点，如薄膜晶体管电路可以做得更薄、更小，功耗更低等。LTPS薄膜晶体管显示面板的电子迁移率可以达到200cm2/V-sec以上，可以有效地减小薄膜晶体管的面积，从而达到提供开口率，并且在增强显示面板亮度的同时还可以降低整体功耗。另外，较高的电子迁移率可以将部分驱动电路集成在玻璃基板上，减少了驱动IC，还可以大幅提高液晶显示面板的可靠度，从而使得面板的制造成本大幅降低。
因此需要开发一种基于LTPS技术的掌纹识别电路、掌纹识别方法。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种基于LTPS技术的掌纹识别电路、掌纹识别方法和显示屏，从而解决了市场上没有针对LTPS-TFT显示面板的掌纹识别电路和方法的技术空白，同时消除了识别过程中由于电路工艺变化走线方式变换所产生的寄生电容变化对识别结果的影响。
本发明的一个方面提供了一种基于LTPS(Low Temperature Poly-Silicon)技术的掌纹识别电路，包括：
光信号收集单元，收集指示掌纹信息的光信号，并将收集到的光信号转换成电流信号，所述光信号是背光发射的光经用户手掌掌纹反射而获得的；
电流信号放大单元，连接至所述光信号收集单元，对转换后的电流信号进行放大；以及
电流信号检测单元，连接至所述电流信号放大单元，对经放大的电流信号的强度进行检测，所述电流信号的强度指示掌纹信息中掌纹的脊线或谷线。
优选地，所述光信号收集单元包括：光电转换器件，将收集到的光信号转换成电流信号，转换后的电流信号与收集到的光信号成比例，并且所述光电转换器件是LTPS薄膜晶体管。
优选地，所述光信号收集单元还包括第一晶体管、第二晶体管以及第一电容器，所述第一晶体管的第一极与所述光电转换器件的第二极连接，第二极与所述第一电容器的第一端连接，栅极与传送控制端连接，所述第一晶体管在传送控制端的控制下将所述转换后的电流信号传送至所述第一电容器，并由所述第一电容器存储为数据电压信号；所述第二晶体管的第一极与所述第一电容器的第一端连接，第二极与所述第二电容器的第二端连接，栅极与第一复位端连接，所述第二晶体管在第一复位端的控制下使所述第一电容器放电。
优选地，所述电流信号放大单元还包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管以及第二电容器，
第四晶体管的栅极与栅极线连接，第一极与第一电容器的第一端连接，第二极与第二电容器的第一端连接；第二电容器的第二端与第八晶体管的第二极连接，第八晶体管的栅极与栅极线连接，第一极与第三晶体管的第一极连接，在栅极线的控制下第四晶体管和第八晶体管导通，从而将第一电容器上的数据电压信号输入至第二电容器的第一端，
第二电容器的第二端与第三晶体管的栅极连接，以将数据电压信号输入到第三晶体管的栅极，
第五晶体管的栅极与第一发光控制端连接，第一极与第二电容器的第一端连接，第二极与高电压端连接，在第一发光控制端的控制下第五晶体管导通，第二电容器的第一端的电压变为高电压，从而第二电容器的第二端的电压能够抵消第三晶体管的阈值电压，
第三晶体管的第一极与第六晶体管的第一极连接，第二极与光电转换器件的第一极连接，第六晶体管的栅极与第二发光控制端连接，在第二发光控制端的控制下第六晶体管导通，并且第六晶体管的第二极输出的经放大的电流信号与第三晶体管的阈值电压无关，从而使得经放大的电流信号保持恒定。
优选地，所述电流信号检测单元包括：
第一开关，所述第一开关的断开时间由时钟控制，使得在所述断开时间期间，由所述经放大的电流信号对所述电流信号检测单元中引线对地电容以及芯片内部的参考电容进行充电；
运算放大器，与所述第一开关串联，在所述第一开关闭合期间，对所述经放大的电流信号的强度进行检测；
第三电容器，与所述运算放大器并联；以及
第二开关，与所述第三电容器并联，在所述第一开关的断开时间期间闭合，以使所述第三电容器放电，
其中，从所述运算放大器输出的检测电流信号仅与第三电容器电容值和所述第一开关的断开时间相关。
本发明的另一方面提供了一种基于LTPS(Low Temperature Poly-Silicon)技术的掌纹识别方法，包括以下步骤：
由光信号收集单元收集指示掌纹信息的光信号，并将收集到的光信号转换成电流信号，所述光信号是背光发射的光经用户手掌掌纹反射而获得的；
由电流信号放大单元对转换后的电流信号进行放大；以及
由电流信号检测单元对经放大的电流信号的强度进行检测，所述电流信号的强度指示掌纹信息中掌纹的脊线或谷线。
优选地，转换后的电流信号与收集到的光信号成比例。
优选地，所述方法还包括：补偿电流信号放大单元中的驱动晶体管的阈值电压，从而使得所述经放大的电流信号保持恒定。
优选地，所述电流信号检测单元包括第一开关，所述第一开关的断开时间由时钟控制，使得在所述断开时间期间，由所述经放大的电流信号对所述电流信号检测单元中引线对地电容以及芯片内部的参考电容进行充电；
优选地，所述电流信号检测单元还包括与所述第一开关串联的运算放大器，在所述第一开关闭合期间，通过所述运算放大器输出的输出电压对所述经放大的电流信号的强度进行检测；
优选地，所述电流信号检测单元还包括与所述运算放大器并联的第三电容器，从所述运算放大器输出的检测电流信号仅与第三电容器的电容值和所述第一开关的断开时间相关，而与电流信号检测电路中引线对地电容以及芯片内部的参考电容无关。
本发明的再一方面提供了一种显示屏，包括上述的掌纹识别电路。
本发明通过采用LTPS技术，提出一种掌纹识别电路、掌纹识别方法和显示屏，从而能够通过手掌上明显纹线特征(例如，脊线和谷线)对背光发射光的反射的差异，来实现掌纹检测的目的。从而解决了市场上没有针对LTPS-TFT显示面板的掌纹识别电路和方法的技术空白。具体地，本发明的掌纹识别电路共分为三个单元，即光信号收集单元，电流信号放大单元，和电流信号检测单元。首先，光电流收集单元中的光电转换器件(即，LTPS薄膜晶体管)将收集到的反射光转换成电流值，并储存到存储电容器上。然后，通过电流信号放大单元，将电流值进行放大并存储到电流信号检测单元中引线对地电容以及芯片内部的参考电容上。最后，电流信号检测单元将表示光信号的电流信号的强度检测出来，并通过检测到电流信号的强弱来识别掌纹的谷线和脊线，同时消除了识别过程中由于电路工艺变化走线方式变换所产生的寄生电容变化对识别结果的影响。
附图说明
根据结合附图的以下详细描述，本发明的多个实施例的上述和其他方面、特征以及优点将更清楚，在附图中：
图1是示出了根据本发明实施例的包含基于LTPS技术的掌纹识别电路的层叠结构的示意图；
图2是示出了根据本发明实施例的掌纹识别电路的框图；
图3是示出了根据本发明另一实施例的掌纹识别电路的电路图；
图4是示出了根据本发明另一实施例的掌纹识别电路的操作时序的示意图；以及
图5是示出了根据本发明实施例的掌纹识别方法的流程图。
应当理解，所有附图中相同的附图标记指示相同元件、特征和结构。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，对本发明的具体实现方式进行详细描述。
参照图1，图1是示出了根据本发明实施例的包含基于LTPS技术的掌纹识别电路的层叠结构的示意图。在该层叠结构中，由下而上分别包括背光层、玻璃层、掌纹识别电路层等。当用户将手掌置于该层叠结构上表面的上方时，背光层发射的光被手掌上明显纹线特征(例如，脊线和谷线)反射，而到达掌纹识别电路。掌纹识别电路通过检测谷线和脊线的光强差异来对掌纹进行识别。对于谷线而言，背光层发射的光在谷线处产生全反射，从而从谷线反射的光强较强。相反，从脊线反射的光强较弱。因此可以通过光强的强弱来判断是谷线还是脊线，从而实现掌纹检测的目的。另外，这种基于LTPS技术的掌纹识别电路可以作为单独的掌纹识别器件进行应用，也可以被整合在LCD或OLED器件中进行复合应用。
下面描述LTPS技术的掌纹识别电路的具体结构。图2是示出了根据本发明实施例的基于LTPS技术的掌纹识别电路200的框图。掌纹识别电路200包括：光信号收集单元201、电流信号放大单元202以及电流信号检测单元203。
光信号收集单元201收集指示掌纹信息的光信号，并将收集到的光信号转换成电流信号，所述光信号是背光发射的光经用户手掌掌纹反射而获得的。掌纹信息例如包括掌纹中最重要的纹线特征，脊线和谷线。从脊线或谷线反射的背光发射光信号中携带了掌纹信息。另外光信号收集单元201中的LTPS薄膜晶体管(未示出)的漏电流与光信号的强度存在对应关系，即光强越强漏电流越大。继而由光信号转换而成的电流信号也携带了该掌纹信息。
电流信号放大单元202连接至光信号收集单元201，对转换后的电流信号进行放大。电流信号放大单元202还能够补偿其中包括的驱动晶体管(未示出)的阈值电压，从而使得经放大的电流信号保持恒定。
电流信号检测单元203连接至电流信号放大单元202，对经放大的电流信号的强度进行检测。由于该电流信号的强度可以指示掌纹信息中掌纹的脊线或谷线，因此可以通过测量电流信号的强度来实现掌纹识别的目的。
本实施例中的掌纹识别电路200基于低温多晶硅(low temperature poly-silicon，简称LTPS)技术。例如对于LCD显示面板而言，采用多晶硅液晶材料有许多优点，如LTPS薄膜晶体管电路可以做得更薄、更小，功耗更低等。然而市场并没有基于LTPS技术的掌纹识别电路，因此本发明填补了该领域的空白。
下面参照图3和图4详细描述根据本发明另一实施例的掌纹识别电路的具体结构和操作时序。图3示出了掌纹识别电路中包括的光信号收集单元201、电流信号放大单元202和电流信号检测单元203具体示意图。图4示出了掌纹识别电路中的控制端ELVDD、EM2、EM1、GATE、RET1、RET2和TE的控制信号的时序图。
光信号收集单元201包括光电转换器件Ts、第一晶体管T1、第二晶体管T2以及第一电容器Cs。光电转换器Ts将收集到的光信号转换成电流信号，转换后的电流信号与收集到的光信号成比例。具体地，当光电转换器Ts处于截止状态下时，背光发射的光被手掌反射后照射到光电转换器件Ts上，从而该光电转换器件Ts产生漏电流Ioff。该漏电流Ioff与光信号的强度存在对应关系，即光强越强漏电流Ioff越大，反之光强越小漏电流Ioff越小。光强携带了掌纹信息，即较强的光强指示掌纹的谷线，而较弱的光强指示掌纹中的脊线。相应地，较大漏电流指示掌纹的谷线，而较小漏电流指示掌纹的脊线，因此可以通过检测漏电流Ioff的大小来实现掌纹识别。优选地，光电转换器件Ts是LTPS薄膜晶体管。
第一晶体管T1的第一极与光电转换器件Ts的第二极连接，第二极与第一电容器Cs的第一端连接，栅极与传送控制端TE连接。通过将传送控制端TE的控制信号置高，第一晶体管T1导通，使得携带了掌纹信息的电流信号由第一晶体管T1传送至第一电容器Cs的第一端，并被存储为数据电压信号Vdata。同样该数据电压信号Vdata记载了掌纹信息。第二晶体管T2的第一极与第一电容器Cs的第一端连接，第二极与第一电容器Cs的第二端连接，栅极与第一复位端RET1连接。通过将第一复位端RET1置高，第二晶体管T2在第一复位端RET1的控制下使第一电容器Cs放电。在本实施例中，光电转换器件Ts的栅极、第一电容器Cs的第二端以及第二晶体管T2的第二极均与接地端连接。另外在本实施例中，光电转换器件Ts、第一晶体管T1和第二晶体管T2的第一极可以是源极，第二极可以是漏极，反之亦然。
电流信号放大单元202包括第三晶体管T3(即，驱动晶体管)、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8以及第二电容器C1。第四晶体管T4的栅极与栅极线GATE连接，第一极与第一电容器Cs的第一端连接，第二极与第二电容器C1的第一端连接。第二电容器C1的第二端与第八晶体管T8的第二极连接。第八晶体管T8的栅极与栅极线GATE连接，第一极与第三晶体管T3的第一极连接。通过将传送控制端TE置低，第一晶体管T1截止，同时通过将栅极线GATE置高来导通第四晶体管T4和第八晶体管T8，从而将第一电容器Cs上的数据电压信号Vdata输入至第二电容器C1的第一端。第二电容器C1的第二端与第三晶体管T3的栅极连接，由于第二电容器C1两端产生的压降为数据电压信号Vdata，因此将数据电压信号Vdata输入到第三晶体管的栅极，第三晶体管T3导通。由于经过了第三晶体管T3，因此第二电容器C1的第二端的最终电压为Vdata-Vth，其中，Vth是第三晶体管T3的阈值电压。第五晶体管的栅极与第一发光控制端EM1连接，第一极与第二电容器C1的第一端连接，第二极与高电压端ELVDD连接。通过将栅极线GATE置低，使得第四晶体管T4和第八晶体管截止。同时通过将第一发光控制端EM1置高，第五晶体管T5导通，而其他晶体管均截止，第二电容器C1的第一端的电压变为高电压Vdd，而第二端的电压变为2Vdd-Vdata-Vth。第三晶体管T3的第一极与第六晶体管T6的第一极连接，第二极与光电转换器件Ts的第一极连接。第六晶体管T6的栅极与第二发光控制端EM2连接。通过将第一发光控制端EM1置低，第五晶体管T5截止，而同时通过将第二发光控制端EM2置高，第六晶体管T6导通。第六晶体管T6的第二极输出的电流Itest为：
该电流Itest即为电流信号放大单元202输出的经放大的电流信号。通过上述公式可以看出经放大的电流信号与第三晶体管T3(驱动管)的阈值电压Vth无关，从而使得经放大的电流信号保持恒定，而不受由于工艺变化而引起的阈值电压变化的影响。另外，该电流信号由数据电压信号Vdata决定，因此同样携带了掌纹信息。
另外，第七晶体管T7的栅极与第二复位端RET2连接，第一极与输入电压端Vint连接，第二极与第二电容器C1的第二端连接。因此通过将第二复位端RET2置高，第七晶体管T7导通，第七晶体管T7在第二复位端RET2的控制下使第二电容器C1放电。此时第三晶体管T3的栅极电压为0，从而第三晶体管T3关闭。需要注意的是，掌纹识别电路检测到电流信号之后，第一复位端RET1和第二复位端RET2同时置高，然后进行下个检测周期。
在本实施例中，第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7以及第八晶体管T8的第一极可以是源极，第二极可以是漏极，反之亦然.
电流信号检测单元203包括第一开关SW1、运算放大器AM、第三电容器Cfb以及第二开关SW2。第一开关SW1的断开时间t由时钟控制，使得在断开时间t期间，由经放大的电流信号(即，电流Itest)对电流信号检测电路203中引线对地电容器Cp以及芯片内部的参考电容器Cref进行充电。该断开时间t需要由芯片精确控制，使得在该断开时间t内保证不能将参考电容器Cref充满。
第一开关SW1与运算放大器AM串联。当第一开关SW1闭合时，通过运算放大器AM输出的电压Vout来对电流Itest进行检测。电压Vout与电流Itest之间的关系如以下公式所示：
Itest＝Vtest*(Cp+Cref)/t；
Vtest＝Vout*Cfb/(Cp+Cref)；
Itest＝Vout*Cfb/t。
在以上公式中可以看出，电流Itest与引线对地电容器Cp以及芯片内部的参考电容器Cref的电容无关，从而消除了电路工艺变化以及走线方式变化所造成的寄生电容变化对电流检测的影响。
另外，第三电容器Cfb与运算放大器AM并联。第二开关SW2与第三电容器Cfb并联。第二开关SW2在第一开关SW2的断开时间t期间闭合，以使第三电容器Cfb放电。
因此根据本实施例，从运算放大器AM输出的检测电流信号仅与第三电容器Cfb电容值和第一开关SW1的断开时间t相关，而不受电路工艺变化以及走线方式变化的影响。
以下参照图5，详细描述根据本发明实施例的掌纹识别方法的流程图。
在步骤501，由光信号收集单元201收集指示掌纹信息的光信号，并将收集到的光信号转换成电流信号。该光信号是背光发射的光经用户手掌掌纹反射而获得的。
在步骤502，由电流信号放大单元202对转换后的电流信号进行放大。
在步骤503，由电流信号检测单元203对经放大的电流信号的强度进行检测。电流信号的强度指示掌纹信息中掌纹的脊线或谷线。
在本实施例中，转换后的电流信号与收集到的光信号成比例。
在本实施例中，掌纹识别方法还包括：补偿电流信号放大单元202中的驱动晶体管的阈值电压的步骤，从而使得经放大的电流信号保持恒定。
在本实施例中，电流信号检测单元203包括第一开关，所述第一开关的断开时间由时钟控制，使得在所述断开时间期间，由所述经放大的电流信号对所述电流信号检测单元中引线对地电容以及芯片内部的参考电容进行充电。
在本实施例中，电流信号检测单元203还包括与所述第一开关串联的运算放大器，在所述第一开关闭合期间，通过所述运算放大器输出的输出电压对所述经放大的电流信号的强度进行检测。
在本实施例中，电流信号检测单元203还包括与所述运算放大器并联的第三电容器，从所述运算放大器输出的检测电流信号仅与第三电容器的电容值和所述第一开关的断开时间相关，而与电流信号检测电路中引线对地电容以及芯片内部的参考电容无关。
本发明的另一实施例还提供了包括上述掌纹识别电路200的显示屏。
显然，本领域的技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的前提下对本发明的实施例进行各种改变和修改。本发明的范围由所附权利要求及其等同物来限定。

Claims (11)

1.一种基于LTPS(Low Temperature Poly-Silicon)技术的掌纹识别电路，包括：
光信号收集单元，收集指示掌纹信息的光信号，并将收集到的光信号转换成电流信号，所述光信号是背光发射的光经用户手掌掌纹反射而获得的；
电流信号放大单元，连接至所述光信号收集单元，对转换后的电流信号进行放大；以及
电流信号检测单元，连接至所述电流信号放大单元，对经放大的电流信号的强度进行检测，所述电流信号的强度指示掌纹信息中掌纹的脊线或谷线，
其中所述电流信号检测单元包括第一开关，所述第一开关的断开时间由时钟控制，使得在所述断开时间期间，由所述经放大的电流信号对所述电流信号检测单元中引线对地电容以及芯片内部的参考电容进行充电。
2.根据权利要求1所述的掌纹识别电路，其中，所述光信号收集单元包括：光电转换器件，将收集到的光信号转换成电流信号，转换后的电流信号与收集到的光信号成比例，并且所述光电转换器件是LTPS薄膜晶体管。
3.根据权利要求2所述的掌纹识别电路，其中，所述光信号收集单元还包括第一晶体管、第二晶体管以及第一电容器，所述第一晶体管的第一极与所述光电转换器件的第二极连接，第二极与所述第一电容器的第一端连接，栅极与传送控制端连接，所述第一晶体管在传送控制端的控制下将所述转换后的电流信号传送至所述第一电容器，并由所述第一电容器存储为数据电压信号；所述第二晶体管的第一极与所述第一电容器的第一端连接，第二极与所述第一电容器的第二端连接，栅极与第一复位端连接，所述第二晶体管在第一复位端的控制下使所述第一电容器放电。
4.根据权利要求3所述的掌纹识别电路，其中，所述电流信号放大单元还包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管以及第二电容器，
第四晶体管的栅极与栅极线连接，第一极与第一电容器的第一端连接，第二极与第二电容器的第一端连接；第二电容器的第二端与第八晶体管的第二极连接，第八晶体管的栅极与栅极线连接，第一极与第三晶体管的第一极连接，在栅极线的控制下第四晶体管和第八晶体管导通，从而将第一电容器上的数据电压信号输入至第二电容器的第一端，
第二电容器的第二端与第三晶体管的栅极连接，以将数据电压信号输入到第三晶体管的栅极，
第五晶体管的栅极与第一发光控制端连接，第一极与第二电容器的第一端连接，第二极与高电压端连接，在第一发光控制端的控制下第五晶体管导通，第二电容器的第一端的电压变为高电压，从而第二电容器的第二端的电压能够抵消第三晶体管的阈值电压，
第三晶体管的第一极与第六晶体管的第一极连接，第二极与光电转换器件的第一极连接，第六晶体管的栅极与第二发光控制端连接，在第二发光控制端的控制下第六晶体管导通，并且第六晶体管的第二极输出的经放大的电流信号与第三晶体管的阈值电压无关，从而使得经放大的电流信号保持恒定。
5.根据权利要求1所述的掌纹识别电路，其中，所述电流信号检测单元还包括：
运算放大器，与所述第一开关串联，在所述第一开关闭合期间，对所述经放大的电流信号的强度进行检测；
第三电容器，与所述运算放大器并联；以及
第二开关，与所述第三电容器并联，在所述第一开关的断开时间期间闭合，以使所述第三电容器放电，
其中，从所述运算放大器输出的检测电流信号仅与第三电容器的电容值和所述第一开关的断开时间相关。
6.一种基于LTPS(Low Temperature Poly-Silicon)技术的掌纹识别方法，包括以下步骤：
由光信号收集单元收集指示掌纹信息的光信号，并将收集到的光信号转换成电流信号，所述光信号是背光发射的光经用户手掌掌纹反射而获得的；
由电流信号放大单元对转换后的电流信号进行放大；以及
由电流信号检测单元对经放大的电流信号的强度进行检测，所述电流信号的强度指示掌纹信息中掌纹的脊线或谷线，
其中，所述电流信号检测单元包括第一开关，所述第一开关的断开时间由时钟控制，使得在所述断开时间期间，由所述经放大的电流信号对所述电流信号检测单元中引线对地电容以及芯片内部的参考电容进行充电。
7.根据权利要求6所述的掌纹识别方法，其中，转换后的电流信号与收集到的光信号成比例。
8.根据权利要求6所述的掌纹识别方法，还包括：补偿电流信号放大单元中的驱动晶体管的阈值电压，从而使得所述经放大的电流信号保持恒定。
9.根据权利要求6所述掌纹识别方法，其中，所述电流信号检测单元还包括与所述第一开关串联的运算放大器，在所述第一开关闭合期间，通过所述运算放大器输出的输出电压对所述经放大的电流信号的强度进行检测。
10.根据权利要求9所述的掌纹识别方法，其中，所述电流信号检测单元还包括与所述运算放大器并联的第三电容器，从所述运算放大器输出的检测电流信号仅与第三电容器的电容值和所述第一开关的断开时间相关，而与电流信号检测电路中引线对地电容以及芯片内部的参考电容无关。
11.一种显示屏，包括权利要求1至5中任一项所述的掌纹识别电路。
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