CN101377438A - 光传感器以及具有该光传感器的显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及光传感器及具有该光传感器的显示装置，其特征在于光传感器具有：光电变换部(Tr1)，用于接受外部光，输出与接受的上述外部光的照度相对应的光电流信号；电流电压变换部(Tr2)，用于把从上述光电变换部输出的上述光电流信号变换成电压信号；电压放大部(Tr3、Tr4)，用于放大上述电压信号；以及电流放大部(Tr5)，用于输出与上述被放大的电压信号相对应的电流信号。其中，上述光电变换部、上述电流电压变换部、上述电压放大部、以及上述电流放大部，被构成分别包含单个或多个薄膜晶体管。
Description
发明领域
本发明涉及具有电流放大电路的光传感器以及具有该光传感器的显示装置。
背景技术
像液晶显示装置这样的非发光型显示装置，是从外部向像素排列成矩阵状的显示部分上照射光线而进行显示的。来自外部的光的照射方法有：利用显示装置的周围的外部光的方法、以及把光源(背光)布置在显示部分的背面上，用背光来照射显示部分的方法。一般，前者的显示装置称为反射式显示装置，后者的显示装置称为透射式显示装置。
但是，已经知道，透射式显示装置中的显示的易看清程度，随着显示装置的周围的亮度而变化。例如，若显示装置的周围较暗，则显示装置的显示容易看清，但是，若显示装置的周围较亮，则显示装置的显示不容易看清。
作为其对应措施，在特开2000-112382号公报中，记载了这样一种方法，即利用光传感器来检测从显示装置周围来的光(外部光)的照度，根据检测到的外部光的照度来控制背光的照度，以改善显示装置的易看清程度。
并且，在这种检测光强度的光传感器中，作为取得小型高动态范围光传感器用的方法，在特开2003-75252号公报中公开了这样一种技术，即利用双极性晶体管来对由构成光传感器的光电二极管所检测出的光电流信号进行电流放大。
在把光传感器用于检测由特开2000-112382号公报所示的显示装置的周围亮度的情况下，如果用非晶硅薄膜晶体管(以下表示为a-Si TFT)来构成光传感器，那么，可以用同样的工序来制造光传感器和显示部分。这里，采用a-Si TFT的光传感器，被用于在TFT栅电极上加负电压(例如约-5V～-10V程度)时根据光的照度来检测TFT的漏源之间所流过的电流(将其称为漏电流)。
但是，一般，a-Si TFT的漏电流非常小，所以，为了在由上述特开2000-112382号公报所公开的背光的照度控制中利用a-Si TFT的光传感器，希望对来自光传感器的漏电流进行放大之后再取出。在此，由上述特开2003-75252号公报所公开的技术，是利用双极性晶体管来放大光传感器的输出电流的。所以，在利用上述特开2003-75252号公报所公开的技术的情况下，由于a-Si TFT和双极性晶体管制作工序不同，因此不能用相同的工序来制造显示部分和光传感器，增加制造工序是不可避免的。
发明内容
本发明是鉴于上述情况进行的，其目的在于提供尤其对显示装置的背光的照度控制适用的光传感器以及具有该光传感器的显示装置。
为了达到上述目的，本发明的光传感器具有：光电变换部(Tr1)，用于接受外部光，输出与接受的上述外部光的照度相对应的光电流信号；电流电压变换部(Tr2)，用于把从上述光电变换部输出的上述光电流信号变换成电压信号；电压放大部(Tr3、Tr4)，用于放大上述电压信号；以及电流放大部(Tr5)，用于输出与上述被放大的电压信号相对应的电流信号。
上述光传感器，其特征在于：上述光电变换部、上述电流电压变换部、上述电压放大部、以及上述电流放大部，被构成为分别包含单个或多个的薄膜晶体管。
并且，为了达到上述目的，本发明的显示装置，其特征在于具有：显示部(11)，排列有具有各个薄膜晶体管(19)的多个像素，用于对射入到上述多个像素内的光的透射进行控制，对图像进行显示；
照明部(14)，用于照射对上述多个像素进行照明用的照明光；光传感器，其中具有：光电变换部(Tr1)，用于接受射入到上述显示部的外部光，输出与接受的上述外部光的照度相对应的光电流信号；电流电压变换部(Tr2)，用于把上述光电流信号变换成电压信号；电压放大部(Tr3、Tr4)，用于放大上述电压信号；以及电流放大部(Tr5)，用于输出与上述被放大的电压信号相对应的电流信号，上述光电变换部、上述电流电压变换部、上述电压放大部和上述电流放大部，分别由单个或许多个薄膜晶体管构成；以及控制部(30)，用于根据从上述光传感器中输出的上述电流信号来控制上述照明光的照度。
根据本发明，则能够提供尤其对显示装置的背光的照度控制适用的光传感器、以及具有该光传感器的显示装置。
附图说明
图1是表示涉及本发明的一实施方式的具有光传感器的显示装置的一例的液晶显示装置的总体结构的图。
图2是表示背光控制器的内部构成的方框图。
图3是表示光传感器的电路构成的图。
图4是表示TFT的光照射时的栅电压Vg-漏电流Id特性的图。
图5是表示对图3的电路的模拟结构的图。
图6是表示TFT的断面的图。
图7是表示TFT的弯曲结构的图。
符号说明
10：显示板、11：显示部、12：驱动器、13：挠性印制电路板(FPC)、14：背光(照明部)、14a：LED、20：光传感器、30：背光控制器。
Tr1：晶体管(光传感器元件、光电变换部)、Tr2：晶体管(电流电压变换部)、Tr3、Tr4：晶体管(电压放大部)、Tr5：晶体管(电流放大部)。
具体实施方式
以下参照附图，详细说明本发明的实施方式。
图1表示涉及本发明一实施方式的、具有光传感器的显示装置的一例的液晶显示装置的总体结构。图1所示的显示装置具有：显示板10、光传感器20和背光控制器30。这里，图1所示的显示装置，只要是用背光进行显示的透射型显示装置即可，不一定是液晶显示装置。
显示板10的结构是，在安装了显示部11和驱动器12的玻璃基板上连接挠性印制电路板(FPC)13，并且在显示部11的背面上布置背光(照明部)14。显示部11的结构是，其中布置的像素主要由a-Si的TFT(薄膜晶体管)19、以及与该TFT相连接的液晶层LC等构成，所述a-Si的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)19在多条扫描线S和多条数据线D、各扫描线S和各数据线D的各交点附近所形成。显示部11的各像素具有接受从驱动器12施加电压使光的透射率进行变化的特性，利用该特性来进行灰度等级显示。驱动器12根据通过FPC13而输入的显示数据来对显示部11施加电压。FPC13连接外部的未图示的电源等和显示板10。背光14，例如由LED以及把LED的光引向显示部11的导光板等而构成，从显示部11的背面进行光照射。
光传感器20安装在显示板10的玻璃基板上，对显示部11周围的亮度(射入到显示部11内的外部光的照度)进行检测，把与被检测的外部光的照度相对应的电流信号Iout输出到背光控制器30内。而且，光传感器20的详细情况在后面叙述。
背光控制器30取得来自光传感器20的电流信号Iout，根据取得的电流信号的大小来控制背光14的照度。
图2是表示背光控制器30的内部构成的方框图。如图2所示，背光控制器30具有I-V变换部31、电平变换部32和LED驱动器33。I-V变换部31把来自光传感器20的电流信号Iout变换成电压信号Vout(Vout＝-Iout×R)。电平变换部32对在I-V变换部31中取得的电压信号Vout进行电平变换(增益调整)。LED驱动器33根据由电平变换部32取得的电压信号来生成对背光14的LED进行驱动所需的电压，供给到背光14内。LED驱动器33对LED14a的驱动电压进行控制，使其与光传感器20所检测出的外部光的照度成正比。LED14a的驱动电压的变化既可以是连续性的也可以是离散性的。也就是说，在由光传感器20所检测出的外部光的照度强的情况下，提高LED14a的驱动电压，使LED14a的照度增高。这样，能够改善显示部11的可见性。另一方面，在由光传感器20所检测出的外部光的照度弱的情况下，降低LED14a的驱动电压，使LED14a的照度下降。这样，能够降低功耗。
以下详细说明光传感器20。图3是表示本实施方式中的光传感器20的电路构成的图。图3所示的光传感器20具有由a-Si薄膜晶体管构成的晶体管Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、Tr5。
晶体管Tr1是MOS晶体管型光传感器元件。作为晶体管Tr1的控制端子的栅端子被连接在负的电压源-V上；作为电流路的漏端子和源端子中，一个连接在作为第1连接点的点A上；另一个被接地。该晶体管Tr1具有利用图4所示的TFT的光照明时的栅电压Vg-漏电流Id特性来检测光的照度的光电变换部的功能。如图4所示，TFT，在栅端子上加负电压(例如-5V～-10V左右)时若进行光照射，则流过与该光照度相对应的光电流信号。通过检测该光电流信号可以把TFT作为光传感器使用。
然而，由于光照射而在TFT中流过的漏极电流(漏电流)，如图4所示是非常小的，所以很难将其直接用于背光14的照度控制。因此，在本实施方式中，对流过晶体管Tr1的电流Id进行放大后再供给到背光控制器30内。以下说明该用途的放大电路。
晶体管Tr2，作为电流路的漏端子和源端子中，一个和作为控制端子的栅端子一起被连接在正的电压源+V上；另一个连接在点A上。该晶体管Tr2是和晶体管Tr1一起形成转换电路，当由于光照射而使漏电流流入到晶体管Tr1内时，在点A产生与漏电流相对应的电压的电流电压变换部。
晶体管Tr3，作为控制端子的栅端子被连接在点A上；作为电流路的漏端子和源端子中，一个被连接在作为第2连接点的点B上、另一个被接地。并且，晶体管Tr4，作为电流路的漏端子和源端子中，一个和作为控制端子的栅端子一起被连接在正的电压源+V上、另一个被连接在B点上。该晶体管Tr3和晶体管Tr4是形成转换(inverter)电路，在点B上发生一种对点A上所产生的电位进行反向放大后的电位。
晶体管Tr5，作为控制端子的栅端子连接在点B上；作为电流路的漏端子和源端子中，一个连接在正的电压源+V上、另一个作为输出端子连接在背光控制器30上。晶体管Tr5作为输出与点B的电位相对应的输出电流Iout的电流放大部(Tr5)使用。
并且，从另外的观点来看，由于若作为光传感器元件的晶体管Tr1中流过的电流增大，则晶体管Tr5的输出电流Iout增加；若晶体管Tr1内流过的电流减小，则晶体管Tr5的输出电流Iout减小，所以，也可以说，晶体管Tr2～Tr5作为电流放大器使用。
在图3的构成中，若对晶体管Tr1进行光照射，则流过与该光的照度相对应的漏极电流(漏电流)Id。若晶体管Tr1内有电流通过，则点A的电位随其进行变化。在图3的构成中，点A的电位在Id增加时下降，在Id减小时上升。并且，若点A的电位发生变化，则点B的电位也发生变化。在图3的构成中，点B的电位，在点A的电位下降时上升；在点A的电位上升时下降。再者，若在点B上发生电位，则晶体管Tr5内流过的电流Iout的大小也发生变化。在图3的构成中，输出电流Iout，在点B的电位上升时增大；在点B的电位下降时减小。
也就是说，在图3的构成中，若对晶体管Tr1进行照射的光的照度增大(Id增大)，则输出电流Iout增大；若照度减小，则电流减小。这样来对晶体管Tr1的输出电流进行放大。
在此，若把晶体管Tr5中流过的电流Iout和晶体管Tr1中流过的电流Id之比作为图3的电路总体的电流放大率，则可以使该电流放大率随各晶体管的沟道宽度W或沟道长度L而变化。例如，在图3的构成中，把电压源的电压定为±12V；把各晶体管的沟道长度L定为6.2μm，在采用沟道宽度W为100000μm(＝100mm)的TFT作为晶体管Tr1的情况下，若把晶体管Tr2、Tr3、Tr4、Tr5的沟道宽度W分别定为1600μm、7400μm、80μm、1000μm，则可以使电流放大率约达到100倍。该设定的电路模拟的结果示于图5。通过该电路模拟，可以看出：从10-7级的Id中获得10-5级的Iout，电流放大率约达到100倍。与图4的例相比，Id大是因为晶体管Tr1的沟道宽度W比图4的长。
并且，在采用与上述相同的晶体管Tr1的情况下，若把Tr2、Tr3、Tr4、Tr5的沟道宽度W分别定为12800μm、74000μm、80μm、8000μm，则可使电流放大率约达到1000倍；若把晶体管Tr2、Tr3、Tr4、Tr5的沟道宽度W，分别设定为160μm、740μm、80μm、100μm，则电流放大率约达到10倍。
以下说明构成图3所示的光传感器20或显示部11的像素的TFT的结构。如上所述，在本实施方式中，用a-Si的TFT来构成用于构成光传感器20和显示部11的像素的晶体管。所以，能够用通用的制造工序来制造这些晶体管。
图6是表示构成光传感器20或显示部11的像素的TFT的断面图的图。在图6所示的TFT中，在显示板10的玻璃基板101上形成了栅电极102。形成该栅电极102的方法是：例如用溅射法在玻璃基板101上形成Cr、Al、Ti等金属膜，对该金属膜进行蚀刻。并且，在图6中，在已形成了栅电极102的玻璃基板101上，形成了由SiO2或SiNx等构成的栅绝缘膜103。栅绝缘膜103，例如用等离子CVD方法来形成。
并且，在图6中，在栅绝缘膜103上形成了本征a-Si层104、n+a-Si层105。这些本征a-Si层104和n+a-Si层105，例如用等离子CVD法来形成。而且，在本征a-Si层104和n+a-Si层105之间，形成了由SiNx等绝缘材料构成的蚀刻阻止层106。
并且，在图6中的n+a-Si层105上形成了源电极和漏电极107。该源电极和漏电极107的形成方法是：例如用溅射法在n+a-Si层105上形成Cr、Al、Ti等金属膜，对该金属膜进行蚀刻。蚀刻阻止层106的目的是，在沟道区域内用蚀刻法来对n+a-Si层105进行分离时，对本征a-Si层104的沟道区域进行保护。
构成光传感器20或显示部11的像素的TFT全都具有上述共同的断面结构。也就是说，构成光传感器20或显示部11的像素的TFT，其平面形状和面积不同，但具有相同的积层结构。在此，所谓相同的积层结构，是指栅电极、本征a-Si层、n+a-Si层和源电极及漏电极等各部分是按相同积层顺序用相同材料实质上按相同厚度来形成的。相同积层结构，其制作方法可以是按照规定的顺序来实现使材料全面进行成膜的成膜工序和蚀刻工序。
在图6中，在漏电极和源电极107上形成了保护膜108。
在此，若把光照射到图6所示的本征a-Si层104上，则通过光电变换而产生电流。该电流是上述漏电流。在利用TFT作为显示部11的像素的情况下，利用保护膜108来对本征a-Si层104进行遮光，以免产生该漏电流。并且，在用TFT作为光传感器20的光电变换部的情况下，不对本征a-Si层104进行遮光。而且，虽然，通过增加沟道长度L或沟道宽度W，能够增大由光电变换所产生的漏电流，但是，若单纯增加该W和L，则不可避免会使光传感器20的体积增大。
因此，在本实施方式中，对TFT采用弯曲结构，所以，既能避免光传感器20的体积增大，又能通过增加沟道宽度W来取得大的漏电流。图7表示TFT的弯曲结构。如图7所示，对于栅电极102，按规定长度把一个电极弯曲成锯齿状而形成。对于源电极和漏电极，形成沿着栅电极102的右端侧的侧部和左端侧的侧部的部分，同时形成跨越在呈锯齿状弯曲的栅电极102的离间部分上的部分。并且，在弯曲成锯齿状的栅电极102的离间部分上跨越的部分，每隔一个用连接部107a连接到源电极和漏电极107的右端侧的侧部上。这样来形成源电极和漏电极的一个电极。并且，在弯曲成锯齿状的栅电极102的离间部分上跨越的部分中，未用连接部107a进行连接的部分由连接部107b将其连接在源电极和漏电极107的左端侧的侧部上。这样来形成源电极和漏电极的另一个电极。由于采用这样的结构，所以能够根据弯曲次数来相应增长沟道宽度W。
如以上说明的那样，若采用本实施方式，则利用和显示部11的像素相同的a-Si TFT来形成光传感器20的光电变换部和放大电路，所以能够用相同制造工序在玻璃基板上制造光传感器20和显示部11。因此，这对于液晶显示装置等的背光的照度控制所用的光传感器尤其适用。
并且，因为能够把从a-Si TFT的光电变换部中输出的光电流，放大到能够用于背光的照度控制等的水平，所以能够利用廉价的I-V变换部来取出光电流。再者，因为从光传感器来的输出电流大，所以也没有必要太注意外来噪音等。
并且，由于对构成光传感器20的各TFT采用弯曲结构，所以既能够增加各TFT的沟道长度，又能够抑制光传感器20体积增大。
以上根据实施方式来说明了本发明，但本发明并非仅限于上述实施方式，当然，在本发明要点的范围内能够使本发明实现各种变形和应用。
再者，在上述实施方式中包含各个阶段的发明，通过公开的许多构成要件的适当组合，能够得出各种发明。例如，即使从实施方式中所示的全部构成要件中删除一些构成要件，仍能够解决上述问题，在能取得上述效果的情况下，删除了该构成要件的构成仍能够被作为发明而抽出。
Claims (22)
1、一种光传感器，其特征在于具有：
光电变换部(Tr1)，用于接受外部光，输出与接受的上述外部光的照度相对应的光电流信号；
电流电压变换部(Tr2)，用于把从上述光电变换部输出的上述光电流信号变换成电压信号；
电压放大部(Tr3、Tr4)，用于放大上述电压信号；以及
电流放大部(Tr5)，用于输出与上述被放大的电压信号相对应的电流信号。
上述光电变换部、上述电流电压变换部、上述电压放大部、以及上述电流放大部，被构成为分别包含单个或多个薄膜晶体管。
2、如权利要求1所述的光传感器，其特征在于：上述薄膜晶体管具有相同的层结构。
3、如权利要求1所述的光传感器，其特征在于：上述薄膜晶体管是由非晶硅构成的薄膜晶体管。
4、如权利要求1所述的光传感器，其特征在于：上述光电变换部(Tr1)具有控制端子与负电源相连接，一条电流路与第1连接点(A)相连接，另一条电流路被接地的第1薄膜晶体管。
5、如权利要求4所述的光传感器，其特征在于：上述电流电压变换部(Tr2)具有控制端子及一条电流路与正电源相连接，另一条电流路与上述第1连接点相连接的第2薄膜晶体管。
6、如权利要求5所述的光传感器，其特征在于：上述电压放大部(Tr3、Tr4)包括与上述第1连接点相连接的转换电路。
7、如权利要求6所述的光传感器，其特征在于：上述电压放大部(Tr3、Tr4)包括与上述电流电压变换部相连接的转换电路。
8、如权利要求6所述的光传感器，其特征在于:上述电压放大部包括：控制端子与上述第1连接点相连接，一条电流路与第2连接点相连接，另一条电流路被接地的第3薄膜晶体管、以及控制端子及一条电流路与上述正电源相连接，另一条电流路与上述第2连接点(B)相连接的第4薄膜晶体管。
9、如权利要求8所述的光传感器，其特征在于上述电流放大部具有：控制端子与上述第2连接点相连接，一条电流路与上述正电源相连接，另一条电流路与输出端子相连接的第5薄膜晶体管。
10、一种光传感器，其特征在于具有：
光传感器元件(Tr1)，用于接受外部光，输出与接受的上述外部光的照度相对应的光电流信号；以及
电流放大器，其中包括多个薄膜晶体管(Tr2～Tr5)，与上述光传感器元件所输出的上述光电流信号的增减成比例地增减输出电流，
上述光传感器元件和上述电流放大器所包括的多个薄膜晶体管具有相同的层结构。
11、如权利要求10所述的光传感器，其特征在于上述电流放大器包括：
电流电压变换部(Tr2)，用于把从上述光电变换部输出的上述光电流信号变换成电压信号；
电压放大部(Tr3、Tr4)，用于放大上述电压信号；以及
电流放大部(Tr5)，用于输出与上述被放大的电压信号相对应的电流信号。
12、一种光传感器，其特征在于具有：
光传感器元件(Tr1)，用于输出与外部光的照度相对应的光电流信号；
电流电压变换部，其中包括把上述光电流信号变换成电压信号的第2薄膜晶体管(Tr2)；
电压放大部，其中包括由串联连接的2个薄膜晶体管(Tr3、Tr4)构成的转换电路，放大上述电压信号；以及
电流放大部，其中至少包括一个薄膜晶体管(Tr5)，用于输出与上述被放大的电压信号相对应的电流信号，
上述光传感器元件、上述电流电压变换部、上述电压放大部和上述电流放大部中所包括的各薄膜晶体管具有相同的层结构。
13、一种显示装置，其特征在于具有：
显示部(11)，排列有具有各个薄膜晶体管(19)的多个像素，用于对射入上述多个像素的光的透射进行控制，对图像进行显示；
照明部(14)，用于照射对上述多个像素进行照明用的照明光；
光传感器，其中具有：光电变换部(Tr1)，用于接受射入上述显示部的外部光，输出与接受的上述外部光的照度相对应的光电流信号；电流电压变换部(Tr2)，用于把上述光电流信号变换成电压信号；电压放大部(Tr3、Tr4)，用于放大上述电压信号；以及电流放大部(Tr5)，用于输出与上述被放大的电压信号相对应的电流信号，上述光电变换部、上述电流电压变换部、上述电压放大部和上述电流放大部，分别由单个或多个薄膜晶体管构成；以及
控制部(30)，用于根据从上述光传感器中输出的上述电流信号来控制上述照明光的照度。
14、如权利要求13所述的显示装置，其特征在于：上述光电变换部(Tr1)具有控制端子与负电源相连接，一条电流路与第1连接点(A)相连接，另一条电流路被接地的第1薄膜晶体管。
15、如权利要求14所述的显示装置，其特征在于：上述电流电压变换部(Tr2)具有控制端子及一条电流路与正电源相连接，另一条电流路与上述第1连接点相连接的第2薄膜晶体管。
16、如权利要求15所述的显示装置，其特征在于：上述电压放大部(Tr3、Tr4)包括与上述第1连接点相连接的转换电路。
17、如权利要求16所述的显示装置，其特征在于：上述电压放大部(Tr3、Tr4)包括与上述电流电压变换部相连接的转换电路。
18、如权利要求16所述的显示装置，其特征在于上述电压放大部包括：控制端子与上述第1连接点相连接，一条电流路与第2连接点相连接，另一条电流路被接地的第3薄膜晶体管、以及控制端子及一条电流路与上述正电源相连接，另一条电流路与上述第2连接点(B)相连接的第4薄膜晶体管。
19、如权利要求18所述的显示装置，其特征在于上述电压放大部具有：控制端子与上述第2连接点相连接，一条电流路与上述正电源相连接，另一条电流路与输出端子相连接的第5薄膜晶体管。
20、一种显示装置，其特征在于具有：
显示部(11)，排列有具有各个薄膜晶体管(19)的多个像素，用于对射入上述多个像素的光的透射进行控制，对图像进行显示；
照明部(14)，用于照射对上述多个像素进行照明用的照明光；
光传感器，其中具有：
用于接受外部光，输出与接受的上述外部光的照度相对应的光电流信号的光传感器元件(Tr1)；以及包括多个薄膜晶体管(Tr2～Tr5)，与从上述光传感器元件中输出的上述光电流信号的增减成比例地来对输出电流进行调整的电流放大器，上述光传感器元件和上述电流放大器中所包含的多个薄膜晶体管具有相同的层结构；以及
控制部(30)，用于根据从上述光传感器中输出的上述电流信号来控制上述照明光的照度。
21、如权利要求20所述的显示装置，其特征在于上述电流放大器包括：
电流电压变换部(Tr2)，用于把从上述光电变换部输出的上述光电流信号变换成电压信号；
电压放大部(Tr3、Tr4)，用于放大上述电压信号；以及
电流放大部(Tr5)，用于输出与上述被放大的电压信号相对应的电流信号。
22、一种显示装置，其特征在于：具有：
显示部(11)，排列有具有各个薄膜晶体管(19)的多个像素，用于对射入上述多个像素的光的透射进行控制，对图像进行显示；
照明部(14)，用于照射对上述多个像素进行照明用的照明光；
光传感器，其中具有：输出与外部光的照度相对应的光电流信号的光传感器元件(Tr1)、包含把上述光电流信号变换成电压信号的第2薄膜晶体管(Tr2)的电流电压变换部、包含由串联连接的2个薄膜晶体管(Tr3、Tr4)而构成的转换电路，用于放大上述电压信号的电压放大部、至少包含一个薄膜晶体管(Tr5)，用于输出与上述已被放大的电压信号相对应的电流信号的电流放大部，上述光传感器元件、上述电流电压变换部、上述电压放大部和上述电流放大部内所包含的各薄膜晶体管具有相同的层结构；以及
控制部(30)，用于根据从上述光传感器输出的上述电流信号来控制上述照明光的照度。
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