JP2011009625A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 29
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76816—Aspects relating to the layout of the pattern or to the size of vias or trenches
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76897—Formation of self-aligned vias or contact plugs, i.e. involving a lithographically uncritical step
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
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- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
- H10B12/0335—Making a connection between the transistor and the capacitor, e.g. plug
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/48—Data lines or contacts therefor
- H10B12/485—Bit line contacts
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
【課題】レジストパターン露光時の分離マージン不足の解消と同時にドライエッチング加工の局所ばらつきを解消し、工程数の増大及び煩雑化を抑えたビットコンタクトの形成方法を提供する。
【解決手段】活性領域を含む半導体基板上に、活性領域と交差するワード配線形成工程、拡散層領域形成工程、ビットラインの形成高さまで第1の絶縁膜を形成する工程、第1の絶縁膜上に活性領域の延在方向上にライン状の開口を有するパターンをマスクとして第1の絶縁膜をエッチングし、半導体基板表面を露出する溝パターンを形成する工程、溝パターン内に導電膜を埋め込む工程、第1の絶縁膜上にビットコンタクト形成部上を通過するマスクパターンを形成する工程、マスクパターンをマスクとして、第1の絶縁膜及び導電膜をワード配線の上層絶縁膜が露出するまで除去し、ビットコンタクトと他のコンタクトとを分離する工程とを備える。
【選択図】図18
【解決手段】活性領域を含む半導体基板上に、活性領域と交差するワード配線形成工程、拡散層領域形成工程、ビットラインの形成高さまで第1の絶縁膜を形成する工程、第1の絶縁膜上に活性領域の延在方向上にライン状の開口を有するパターンをマスクとして第1の絶縁膜をエッチングし、半導体基板表面を露出する溝パターンを形成する工程、溝パターン内に導電膜を埋め込む工程、第1の絶縁膜上にビットコンタクト形成部上を通過するマスクパターンを形成する工程、マスクパターンをマスクとして、第1の絶縁膜及び導電膜をワード配線の上層絶縁膜が露出するまで除去し、ビットコンタクトと他のコンタクトとを分離する工程とを備える。
【選択図】図18
Description
本発明は半導体装置の製造方法に関し、詳しくは、DRAM(Dynamic Random Access Memory)のメモリセル等におけるビットコンタクトの形成方法に関する。
半導体集積回路装置は、特性と収率とを向上するために配線の微細化が進んでいる。微細化された半導体集積回路装置の製造プロセスでは、コンタクトホールの設計マージンを下層配線との位置合わせのバラツキを考慮して決定すると、コンタクトホールの設計寸法(=ホール径+設計マージン)が大きくなり過ぎるという問題が生じる。位置合わせのバラツキは、フォトリソグラフィで用いられる縮小投影露光装置の位置合わせ性能(アラインメント性能)の不足に起因するものである。しかも、このバラツキは、半導体プロセスに含まれる様々な寸法条件(スケーリング・ファクター)の中でも特にスケールダウンが困難な項目であり、解像度以上に露光技術の限界を決定する要因であるとすら言われている。
このため、近年では、位置合わせのための設計マージンをフォトマスク上で不要にできる自己整合コンタクト(SAC:Self-Aligned Contact)プロセスが専ら使われている。
DRAMメモリセルでは、2つの隣接するトランジスタがビットコンタクト拡散層を共有し、両側にキャパシタコンタクト拡散層が形成されて1セルを構成する構造が一般的である。図1〜図9は、従来のビット配線上にキャパシタ構造を形成するいわゆるCOB構造(Capacitor Over Bitline)のセルトランジスタのビット配線形成までの工程を説明する図であり、各図において、(a)は上面図、(b)はXX断面図、(c)はYY断面図、(d)は斜視投影図である。
まず、図1に示すように、分離領域2によって区画されたシリコン基板1内には、ソース・ドレインとなる拡散領域3が形成されており、セルトランジスタは、ゲート絶縁膜(図示せず)上にポリシリコン4とタングステン5と窒化シリコン6を積層して、リソグラフィとドライエッチングによってパターニングし、さらに窒化シリコンを成膜後にエッチバックして、ポリシリコン4とタングステン5の側壁にサイドウォール7を形成することでゲート(ワード配線)が完成する。
次に、図2に示すように、前記ゲートパターンの間を層間絶縁膜8で埋め込んで、CMP(Chemical Mechanical Polishing)による平坦化を窒化シリコン6が露出するまで実施することで、ゲート層間が完成する。
続いて、図3に示すように、層間絶縁膜8上にレジスト21を塗布・現像して、コンタクトのエッチングマスクとなるホール形状のレジスト開口部21aを形成する。ここでは、断面図(b)に示すように、分離領域2で囲まれた2ヶ所のシリコン基板1上において、夫々のゲートパターン間にレジスト開口部21aが各3ヶ((a)では計6ヶ)配置するように形成する。
図4に示すように、ドライエッチングにて、前記レジスト開口部21aから露出している層間絶縁膜8を拡散領域3が露出するまでエッチングを実施して、層間絶縁膜開口部8aを形成する。その後、レジスト21を剥離して、層間絶縁膜8の上面から除去ことにより、セルコンタクトホールが形成される。
図5に示すように、層間絶縁膜8上に導電膜(図示せず)を成膜してから、CMPにて層間絶縁膜8上の余剰な導電膜を除去すると、導電膜が内部に埋め込まれたセルコンタクト11が自己整合的に完成する。
続く図6の工程では、層間絶縁膜8上にビットコンタクト形成用の層間絶縁膜13を成膜し、さらにレジスト22を塗布・現像して、コンタクトのエッチングマスクとなるホール形状のレジスト開口部22aを形成する。ここでは、断面図(b)に示すように、分離領域2で囲まれた2ヶ所のシリコン基板1上において、夫々のゲートパターン間にレジスト開口部22aが各1ヶ((a)ではワード配線方向に計2ヶ)配置するように形成する。
図7に示すように、ドライエッチングにて、前記レジスト開口部22aから露出している層間絶縁膜13をコンタクト11が露出するまでエッチングを実施して、層間絶縁膜開口部13aを形成する。その後、レジスト21を剥離して、層間絶縁膜13の上面から除去する。
図8に示す工程では、層間絶縁膜13上に導電膜(図示せず)を成膜してから、CMPにて層間絶縁膜13上の余剰な導電膜を除去すると、導電膜が層間絶縁膜開口部13a内部に埋め込まれたビットコンタクト15が完成する。
最後に、図9に示すように、層間絶縁膜13上に導電膜(図示せず)を成膜してから、さらにレジスト(図示せず)を塗布・現像して、ビット配線用のエッチングマスク(図示せず)を形成後、ドライエッチングにて、前記レジスト開口部で露出している導電膜を層間絶縁膜13が露出するまでエッチングを実施すると、ビット配線16が完成する。その後、レジストを剥離して、層間絶縁膜13の上面から除去する。
従来のセルコンタクト11及びビットコンタクト15は、リソグラフィによってレジストにパターンを形成してから、ドライエッチングで加工してホール形成するために、レジストパターンの完成寸法とドライエッチングの加工精度が、コンタクトの完成形状に大きく影響する。この影響について、図10を参照して説明する。なお、同図(b)、(d)はそれぞれ同図(a)、(c)のYY線での断面図である。
理想的なドライエッチング後の層間絶縁膜開口部13aは、前述の図7に示すように所定位置に形成される。
図10(a)、(b)は、隣接したパターンが重なって開口接触部18が生じた場合のコンタクトホールパターンで、レジストパターン露光時の分離マージン不足が原因である。このような分離マージン不足は、微細化に伴い、ワード配線間距離の縮小に加え、ワード配線方向の拡散層間距離の縮小を行う場合、より顕著となる。
図10(c)、(d)は、エッチング加工で、一部に非開口部19が生じた場合のコンタクトパターンで、ドライエッチング加工の局所ばらつきが原因である。
以上の図10に示したパターン変形は、半導体装置の微細化に伴って増加してきているが、ホールパターンを用いる従来技術では対応が困難である。この問題は、ビットコンタクト形成に限らず、SAC法で形成されるセルコンタクトにおいても、ワード配線の間隔を狭めることはできても、ワード配線方向の拡散層間距離の縮小を行う場合に同様の問題として起こり得る。
特許文献1では、コンタクト開口の大きさを小さくするフォトリソグラフィプロセスが提案されている。特許文献1では、ネガレジストに互いに交差する2回のラインパターン露光を行って、ラインパターン間の未露光部を現像することによりコンタクト開口用のマスクとして利用する方法が提案されている。この時、ラインパターンの間隔を調整することで、任意の大きさの開口マスクが形成されるとしている。この方法では、確かにレジストパターン露光時の分離マージン不足は解消されるが、ホールパターンと同様にドライエッチング加工の局所ばらつきまでをも解消できるものではない。
特許文献2では、拡散層の配置によってビット用セルコンタクトとキャパシタ用セルコンタクトが近接する場合に、コンタクトホール間隔を縮小すると同時に比較的大きなコンタクトホールを形成する方法が提案されている。この方法では、コンタクトホールを形成する絶縁膜上にポリシリコンからなる薄いハードマスク層を形成し、隣接するコンタクトホール開口用のハードマスクパターンを2回のハードマスクエッチングにより一つおきに形成することで、レジストパターン露光時の分離マージン不足を解消するものである。しかしながら、2回に分けてハードマスクエッチングを実施するため、工程が煩雑である。また、ドライエッチング加工の局所ばらつきについては同様の問題が残る。
ドライエッチング加工の局所ばらつきを解消するためオーバーエッチングする方法もあるが、ビットコンタクトの下にはゲート電極となるワード配線が配されており、オーバーエッチングによりエッチングの進行が速い部分ではゲート電極とコンタクトとを絶縁している絶縁膜がエッチングされて短絡するなどの問題が発生する場合がある。特にSAC法で微細なセルコンタクトを形成した場合、その上層に形成するコンタクトホールの開口は、セルコンタクトの上面の径よりも大きくなり、ワード配線を覆う絶縁膜のエッチングは避けられない。従って、オーバーエッチングによる局所ばらつきの解消にも限界がある。
一方、活性領域の長手方向に延在するラインパターン(スリットパターン)を用いてセルコンタクトを形成する技術が、特許文献3に示されている。この技術ではスリットパターン形成後にさらにサイドウォールを形成してセルコンタクトの更なる縮小が図られている。しかしながら、セルコンタクト上に形成されるビットコンタクトについては、従来法で作製されており、ビットコンタクト形成における上記問題点は考慮されていない。
このように、従来技術では、レジストパターン露光時の分離マージン不足の解消は可能であるが、工程が煩雑であり、また、ホールパターンを形成している以上、ドライエッチング加工の局所ばらつきまでをも解消するには到っていないのが実情である。特にビットコンタクトの形成に関して、十分な対策は講じられていなかった。
本発明者は、レジストパターン露光時の分離マージン不足の解消と同時にドライエッチング加工の局所ばらつきを解消するために、セルコンタクト及びビットコンタクトをラインパターンを用いて形成する方法について鋭意検討した。ラインパターン(溝パターン)を用いる方法では、溝に沿ってエッチャントの相互移動が可能となり、ドライエッチング加工の局所ばらつきを抑える効果がある。また、ラインパターンはホールパターンと比較してレジストパターン露光時の分離マージンを確保しやすい。但し、このようなラインパターンを用いても製造工程が煩雑になるのでは意味が無い。本発明では、工程の煩雑化を抑えて有効にラインパターンを用いてセルコンタクト及びビットコンタクトを形成する方法が提供される。
すなわち本発明の一実施形態によれば、
素子分離された活性領域を含む半導体基板上に、活性領域と交差し、ゲート電極を兼ねるワード配線を形成する工程と
前記ワード配線間の活性領域に拡散層領域を形成する工程と、
全面にビットラインの形成高さまで第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に前記活性領域の延在方向上にライン状の開口を有するライン状マスクパターンを形成する工程と、
前記ライン状マスクパターンをマスクとして前記第1の絶縁膜をエッチングし、前記活性領域を含む半導体基板表面を露出する溝パターンを形成する工程と、
前記溝パターン内に導電膜を埋め込む工程と、
前記導電膜の埋め込まれた第1の絶縁膜上に、ビットコンタクト形成部上を通過するエッチングマスクパターンを形成する工程と、
前記エッチングマスクパターンをマスクとして、前記第1の絶縁膜及び導電膜を前記ワード配線の上層絶縁膜が露出するまで除去し、ビットコンタクトと他のコンタクトとを分離する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
素子分離された活性領域を含む半導体基板上に、活性領域と交差し、ゲート電極を兼ねるワード配線を形成する工程と
前記ワード配線間の活性領域に拡散層領域を形成する工程と、
全面にビットラインの形成高さまで第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に前記活性領域の延在方向上にライン状の開口を有するライン状マスクパターンを形成する工程と、
前記ライン状マスクパターンをマスクとして前記第1の絶縁膜をエッチングし、前記活性領域を含む半導体基板表面を露出する溝パターンを形成する工程と、
前記溝パターン内に導電膜を埋め込む工程と、
前記導電膜の埋め込まれた第1の絶縁膜上に、ビットコンタクト形成部上を通過するエッチングマスクパターンを形成する工程と、
前記エッチングマスクパターンをマスクとして、前記第1の絶縁膜及び導電膜を前記ワード配線の上層絶縁膜が露出するまで除去し、ビットコンタクトと他のコンタクトとを分離する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、ラインパターンを用いることでレジストパターン露光時の分離マージン不足を解消すると同時に、ドライエッチング加工の局所ばらつきの問題も解消することができる。また、このようなラインパターンを用いてビットコンタクトとセルコンタクトとを一体に形成し、キャパシタコンタクトの接続されるセルコンタクトをピットコンタクト高さまで埋め込まれた導電膜から高さを減じることで製造できるため、工程の煩雑化及び工程数の増加を抑えることができる。
図11〜図16,図18〜図21は、本発明の第一の実施形態に係る半導体装置の、ビットライン上にキャパシタ構造を形成するいわゆるCOB構造(Capacitor Over Bitline)のセルトランジスタのビット配線形成までの工程を説明する図であり、各図において、(a)は上面図、(b)はXX断面図、(c)はYY断面図、(d)は斜視投影図である。
まず、図1と同様に、分離領域2によって区画されたシリコン基板1内には、ソース・ドレインとなる拡散領域3が形成されており、セルトランジスタは、ゲート絶縁膜(図示せず)上にポリシリコン4とタングステン5と窒化シリコン6を積層して、リソグラフィとドライエッチングによってパターニングし、さらに窒化シリコンを成膜後にエッチバックして、ポリシリコン4とタングステン5の側壁にサイドウォール7を形成することでゲート(ワード配線)が完成する(図11)。本実施例形態例では、従来技術に示す図1よりもワード線方向の活性領域の間隔を狭めた場合を示している。
次に、図12に示すように、前記ゲートパターンの間を層間絶縁膜8で埋め込んで、CMP(Chemical Mechanical Polishing)による平坦化を窒化シリコン6が露出するまで実施することで、ゲート層間が完成する。ここでは、窒化シリコン6上に層間絶縁膜8を残して平坦化を終了させる。窒化シリコン6上における層間絶縁膜8の厚さは、図6の層間絶縁膜13の厚さに相当する100nm程度である。つまり、ビットラインを形成する高さまで層間絶縁膜(第1の絶縁膜)8を残すことになる。
続いて、図13に示すように、層間絶縁膜8上にレジスト(不図示)を塗布・現像して、エッチングマスクとなるライン形状のレジスト開口部(図示せず)を形成する。ここで、レジスト開口部は、分離領域2で囲まれたシリコン基板1(活性領域)の延在する方向にゲートパターンを横切るように配置する。
ドライエッチングにて、前記レジスト開口部から露出している層間絶縁膜8を拡散領域3が露出するまでエッチングを実施して、層間絶縁膜開口部8aを形成する。その後、レジストを剥離して、層間絶縁膜8の上面から除去ことにより、ラインパターン(溝パターン)の開口部が形成される。
図14に示すように、層間絶縁膜8上に導電膜9を成膜してから、CMPにて層間絶縁膜8上の余剰な導電膜を除去すると、図15に示すように導電膜が溝パターン内部に埋め込まれるが、この状態ではコンタクト間は繋がっており未完成である。
続く図16の工程では、層間絶縁膜8上に200nm厚のアモルファスカーボンと15nm厚の窒素含有酸化シリコンと15nm厚の酸化シリコンを順次成膜して積層膜10を形成し、その上にレジスト31を塗布・現像して、積層膜10のエッチングマスクとなるライン形状のレジスト31を形成する。さらにドライエッチングによって、ライン形状の積層膜10を形成しても、レジスト31は残留。ここで平面図(a)に示すように、ライン形状の導電膜9を横切る位置に、レジスト31と積層膜10を配置する。この例では、隣接するワード配線間にビットコンタクト拡散層がワード配線方向に隣接して配置される場合を示しており、レジスト31と積層膜10の配置は、隣接するワード配線間に配置されている。例えば、図17(a)に示すように、拡散層3が形成される活性領域3aを半周期ずつずらして配置する場合、ライン形状の導電膜9,ワード配線の何れとも交差するように配置しても良い。また、レジスト31と積層膜10の配置は、これらのように直線状に配置される場合に限定されず、図17(b)に示すように屈曲したライン状であっても良い。さらに、ビットコンタクト部分の導電膜9上周辺のみにドット状のパターンを形成しても良い。要は、ハードマスクとなる積層膜10がビットコンタクト部分の導電膜9上に残存するように配置すればよい。より好ましくは、ビットコンタクトとして残すべき導電膜9の周囲に層間絶縁膜8の一部が残存するようにすることで、導電膜の倒れを防止するようにすることが好ましい。
図18に示すように、ドライエッチングにて、前記積層膜10で覆っている部分を残して、窒化シリコン6が露出するまで掘り込むと、セルコンタクトとなるコンタクト11とビット−セル一体型コンタクトとなるコンタクト12が分離されて完成する。ここでのドライエッチングは、タングステンである導電膜9と酸化シリコンである層間絶縁膜8を同時にエッチングすることが、本実施形態例の製法におけるポイントであり、その時のドライエッチング条件は以下の通りである。ここで、タングステンと酸化シリコンのエッチング選択比は同じとしているので、エッチング段差を生じることなく加工を行うことが可能である。
●ドライエッチング条件(同時エッチング)
(1)方式:反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching:RIE)
(2)ソースパワー:400W
(3)バイアスパワー:50W
(4)圧力:約0.53Pa(4mTorr)
(5)ウェハ温度:15℃
(6)プロセスガス及び流量:
CF4/Cl2/O2/N2=55/20/10/100sccm
(7)選択比:
SiN/W/SiO=1.3/1.0/1.0
(1)方式:反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching:RIE)
(2)ソースパワー:400W
(3)バイアスパワー:50W
(4)圧力:約0.53Pa(4mTorr)
(5)ウェハ温度:15℃
(6)プロセスガス及び流量:
CF4/Cl2/O2/N2=55/20/10/100sccm
(7)選択比:
SiN/W/SiO=1.3/1.0/1.0
また、導電膜9と層間絶縁膜8は、必ずしも同時にエッチングする必要はなく、導電膜9と層間絶縁膜8を個別にエッチングしても良い。その時のドライエッチング条件は以下の通り。ここで導電膜9のエッチング条件では、層間絶縁膜8のエッチングは出来ず、また同様に層間絶縁膜8のエッチング条件では、導電膜9のエッチングは出来ないため、各エッチングの終了ポイントを合わせることで、エッチング段差を生じることなく加工をすることが可能となる。但し、層間絶縁膜8を先にエッチングして除去すると、残った導電膜9が倒れて破損する場合があるので、導電膜9のエッチングを先に実施することが好ましい。
●ドライエッチング条件(導電膜9のエッチング)
(1)方式:RIE
(2)ソースパワー:1000W
(3)圧力:約0.67Pa(5mTorr)
(4)ウェハ温度:20℃
(5)プロセスガス及び流量:
SF6/Ar=150/10sccm
(1)方式:RIE
(2)ソースパワー:1000W
(3)圧力:約0.67Pa(5mTorr)
(4)ウェハ温度:20℃
(5)プロセスガス及び流量:
SF6/Ar=150/10sccm
●ドライエッチング条件(層間絶縁膜8のエッチング)
(1)方式:RIE
(2)ソースパワー:2000W
(3)圧力:約10.7Pa(80mTorr)
(4)ウェハ温度:60℃
(5)プロセスガス及び流量:
パーフルオロシクロブタン(C4F8)/Ar/O2
=15/750/15sccm
(1)方式:RIE
(2)ソースパワー:2000W
(3)圧力:約10.7Pa(80mTorr)
(4)ウェハ温度:60℃
(5)プロセスガス及び流量:
パーフルオロシクロブタン(C4F8)/Ar/O2
=15/750/15sccm
ドライエッチング中に、レジスト31と積層膜10のうち窒素含有酸化シリコンと酸化シリコンは除去される。また、エッチング後に残留したアモルファスカーボンは、酸素プラズマによるアッシングで除去することができる。
図19に示す工程では、前記コンタクト11とコンタクト12を埋め込むように層間絶縁膜13を成膜し、CMPによって、コンタクト12が露出するまで平坦化を実施すると、コンタクト層間が完成する。
図20に示すように、層間絶縁膜13上に導電膜14を成膜し、さらにレジスト32を塗布・現像して、配線のエッチングマスクとなるライン形状のレジスト32を形成する。ここで、レジスト32は、図19で露出させたコンタクト12上に配置するが、同図では簡略化のため、ワード配線に直交する方向にレジスト32を配置している。実際の半導体装置では、コンタクト11に接続されるキャパシタコンタクト(不図示)の形成位置を避けるように配置される。
レジスト32をエッチングマスクとして、ドライエッチングで導電膜14を層間絶縁膜13が露出するまでエッチングを実施すると、ビット配線16が完成する。その後レジスト32を剥離して除去すると、図21に示す構造が得られる。
この後、配線16を層間絶縁膜で埋め込んで平坦化してから、キャパシタの形成に移行する。キャパシタの構造は特に制限されるものではなく、公知のスタック型、クラウン型、シリンダ型等のキャパシタ構造が採用される。
以上の通り、本発明におけるコンタクトは、まずライン形状のパターンとしてから、下地膜で区切られたところまでCMPやドライエッチングによって導電層を除去して形成する。従って、レジストのホールパターンが不要となって隣接パターンの接触が無くなり、さらにホールパターン起因によるエッチング加工の局所ばらつきを低減できるため、従来技術の課題を解決することが可能となる。
また、以上の説明では、2つの隣接するトランジスタがビットコンタクト拡散層を共有し、両側にキャパシタコンタクト拡散層が形成されて1セルを構成する構造を例に説明したが、1つのトランジスタにより1セルが構成される場合にも適用することができる。
トランジスタのゲート構造に関しても、ポリシリコン上にタングステンを積層したポリメタル構造のプレーナ型構造として説明したが、シリサイドを形成したポリサイド構造としても良く、また、基板中にゲートを埋設したリセスゲート構造としても良い。その他の材料構成についても、例示されたものに限定されるものではない。
さらに、特許文献3に示されるように、ラインパターン形成後にサイドウォールを形成してラインパターンの側面方向の微細化を図るようにしても良い。
このように、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記の実施形態のみに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
1 半導体基板
2 素子分離
3a 活性領域
3 拡散層
4 ポリシリコン
5 タングステン
6 窒化シリコン
7 サイドウォール
8 第1の層間絶縁膜(第1の絶縁膜)
8a 開口部
9 導電膜
10 積層膜
11 (セル)コンタクト
12 (ビット−セル一体型)コンタクト
13 層間絶縁膜(第2の絶縁膜)
14 導電膜
16 ビット配線
2 素子分離
3a 活性領域
3 拡散層
4 ポリシリコン
5 タングステン
6 窒化シリコン
7 サイドウォール
8 第1の層間絶縁膜(第1の絶縁膜)
8a 開口部
9 導電膜
10 積層膜
11 (セル)コンタクト
12 (ビット−セル一体型)コンタクト
13 層間絶縁膜(第2の絶縁膜)
14 導電膜
16 ビット配線
Claims (5)
- 素子分離された活性領域を含む半導体基板上に、活性領域と交差し、ゲート電極を兼ねるワード配線を形成する工程と
前記ワード配線間の活性領域に拡散層領域を形成する工程と、
全面にビットラインの形成高さまで第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に前記活性領域の延在方向上にライン状の開口を有するライン状マスクパターンを形成する工程と、
前記ライン状マスクパターンをマスクとして前記第1の絶縁膜をエッチングし、前記活性領域を含む半導体基板表面を露出する溝パターンを形成する工程と、
前記溝パターン内に導電膜を埋め込む工程と、
前記導電膜の埋め込まれた第1の絶縁膜上に、ビットコンタクト形成部上を通過するエッチングマスクパターンを形成する工程と、
前記エッチングマスクパターンをマスクとして、前記第1の絶縁膜及び導電膜を前記ワード配線の上層絶縁膜が露出するまで除去し、ビットコンタクトと他のコンタクトとを分離する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記ワード配線にサイドウォールを形成する工程を有する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1の絶縁膜と導電膜の除去が、両者のエッチング選択比が無い条件で同時に行われる請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 導電膜を除去した後、第1の絶縁膜の除去が行われる請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- ビットコンタクトと他のコンタクトとを分離する工程の後、第2の絶縁膜を成膜し、ビットコンタクト上面を露出するように平坦化した後、ビットコンタクトに接続されるビット配線を形成する工程を有する請求項1乃至4の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009153637A JP2011009625A (ja) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
US12/824,381 US20100330802A1 (en) | 2009-06-29 | 2010-06-28 | Manufacturing method of semiconductor device |
US13/463,289 US8710565B2 (en) | 2009-06-29 | 2012-05-03 | Semiconductor device and manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009153637A JP2011009625A (ja) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011009625A true JP2011009625A (ja) | 2011-01-13 |
Family
ID=43381221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009153637A Pending JP2011009625A (ja) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20100330802A1 (ja) |
JP (1) | JP2011009625A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9343417B2 (en) | 2013-09-18 | 2016-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Hollow metal pillar packaging scheme |
CN105448919B (zh) * | 2014-09-01 | 2018-07-27 | 华邦电子股份有限公司 | 动态随机存取存储器及其制造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010008288A1 (en) * | 1988-01-08 | 2001-07-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device having memory cells |
US6255685B1 (en) * | 1996-11-22 | 2001-07-03 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JPH10223897A (ja) | 1997-01-31 | 1998-08-21 | Nippon Steel Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100604960B1 (ko) * | 1997-03-28 | 2006-07-26 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 불휘발성 반도체 기억장치 및 그 제조방법 및 반도체 장치 및 그 제조방법 |
US6008085A (en) | 1998-04-01 | 1999-12-28 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Design and a novel process for formation of DRAM bit line and capacitor node contacts |
JP2000188383A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-07-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法、半導体集積回路およびその製造方法 |
TW457548B (en) | 2000-02-10 | 2001-10-01 | Winbond Electronics Corp | A lithography process for reducing the dimension of the contact window openings |
JP2003163265A (ja) | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Nec Corp | 配線構造およびその製造方法 |
KR100468784B1 (ko) | 2003-02-14 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 콘택으로부터 형성된 하드 마스크를 사용하는 다마신과정으로 배선을 형성하는 방법 |
JP2005109236A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP4215711B2 (ja) | 2004-12-20 | 2009-01-28 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP5613506B2 (ja) * | 2009-10-28 | 2014-10-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
2009
- 2009-06-29 JP JP2009153637A patent/JP2011009625A/ja active Pending
-
2010
- 2010-06-28 US US12/824,381 patent/US20100330802A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-05-03 US US13/463,289 patent/US8710565B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8710565B2 (en) | 2014-04-29 |
US20130119546A1 (en) | 2013-05-16 |
US20100330802A1 (en) | 2010-12-30 |
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