JP2011009323A - 紫外線センサ - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、所望の波長領域においてＵＶ感度が高い特性を有する紫外線センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る紫外線センサ１は、酸化物半導体で構成された基板２と、基板２内に形成された内部電極６と、基板２の一面の所定領域３ａに、所定の形状に形成された外部電極３とを備え、外部電極３は、基板２と外部電極３との境界線の長さが、所定領域３ａの外周の長さよりも長くなるような形状に形成してある。さらに、基板２は、ＺｎＯがＮｉＯに固溶してなる酸化物半導体で構成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、紫外線を検知する紫外線センサに関し、特に、紫外線を受光する部分に酸化物半導体を用いた紫外線センサに関する。

従来の紫外線を検知する紫外線センサには、紫外線を受光する部分に紫外線光電管が用いられていた。しかし、紫外線光電管は、非常に高い駆動電圧が必要であり、紫外線センサ自体が大型化する問題があった。近年、当該問題点を解消するために、紫外線を受光する部分に酸化物半導体を用いた紫外線センサが開発されている。

例えば、特許文献１及び特許文献２に、紫外線を受光する部分に酸化物半導体を用いた紫外線センサが開示されている。特許文献１には、ＺｎＯを含む酸化物半導体で構成されたＺｎＯ層と、ＺｎＯがＮｉＯに固溶してなる酸化物半導体で構成された（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層と、ＺｎＯ層に電気的に接続される第１の端子電極と、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層に電気的に接続される第２の端子電極とを備えた紫外線センサが開示されている。なお、特許文献１に開示されている紫外線センサは、ＺｎＯ層と（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層との接合部に紫外線が当たった場合、光電効果により接合部に光電子が生じることで第１の端子電極と第２の端子電極との間の抵抗値が低下する。したがって、第１の端子電極と第２の端子電極との間の変化した電圧（電流）の値を測定することにより紫外線を検知することができる。

特許文献２では、ＺｎＯ層と（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層との積層体の端部に第１の端子電極及び第２の端子電極が設けられ、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層内に、第１の端子電極に電気的に接続される第１の電流経路付与電極及び第２の端子電極に電気的に接続される第２の電流経路付与電極が所定の間隔を隔てて設けられ、ＺｎＯ層の外表面に第３電流経路付与電極が設けられた紫外線センサが開示されている。特許文献２に開示されている紫外線センサでは、ＺｎＯ層、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層、ＺｎＯ層が、多結晶体であるセラミックで構成されているので、検知できる紫外線の波長領域が広くなる。

特許第３９５２０７６号公報 特開２００８−３０５８１５号公報

特許文献１及び特許文献２に開示されている紫外線センサでは、紫外線を検知するためにＺｎＯ層と（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層との接合部に紫外線を当てる必要がある。そのため、ＺｎＯ層は、紫外線を透過する性質を有している必要がある。

しかし、ＺｎＯ層が紫外線を透過する性質を有していても、ＺｎＯ層を透過する際に紫外線がＺｎＯ層に吸収され減衰することにより、紫外線を１００％透過することはできない。そのため、特許文献１及び特許文献２に開示されている紫外線センサは、ＺｎＯ層での紫外線の減衰分だけ、ＵＶ感度が低くなる。特に、ＺｎＯ層の代わりに紫外線を遮蔽する材料を用いた紫外線センサでは、ＵＶ感度がさらに低くなるという問題があった。

また、特許文献１に開示されている紫外線センサでは、紫外線を検知可能な波長領域が１９８ｎｍ〜３６５ｎｍと広い。特許文献２に開示されている紫外線センサでも、紫外線を検知可能な波長領域が２００ｎｍ〜４００ｎｍと広い。

紫外線は、中波長紫外線ＵＶＢ（２９０ｎｍ〜３２０ｎｍ）、長波長紫外線ＵＶＡ（３２０ｎｍ〜４００ｎｍ）等に分類されるが、特許文献１及び特許文献２に開示されている紫外線センサでは、検知することが可能な波長領域が中波長紫外線ＵＶＢ及び長波長紫外線ＵＶＡを含む広い領域となるので、中波長紫外線ＵＶＢ又は長波長紫外線ＵＶＡのいずれかのみを選択して検知することができないという問題があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、所望の波長領域においてＵＶ感度が高い特性を有する紫外線センサを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために第１発明に係る紫外線センサは、酸化物半導体で構成された基板と、該基板内に形成された内部電極と、前記基板の一面の所定領域に、所定の形状に形成された外部電極とを備え、前記外部電極は、前記基板と前記外部電極との境界線の長さが、前記所定領域の外周の長さよりも長くなるような形状に形成してある。

また、第２発明に係る紫外線センサは、第１発明において、前記酸化物半導体は、ＺｎＯがＮｉＯに固溶してなる。

また、第３発明に係る紫外線センサは、第１又は第２発明において、前記外部電極は、ストライプ形状、メッシュ形状、ミアンダ形状のいずれかの形状に形成してある。

また、第４発明に係る紫外線センサは、第１乃至第３発明のいずれか一つにおいて、前記外部電極は、紫外線を遮蔽する材料で形成してある。

また、第５発明に係る紫外線センサは、第４発明において、前記外部電極は、前記基板の前記一面に入射する紫外線を、前記基板と前記外部電極との略境界で強めあう回折格子として機能する形状に形成してある。

また、第６発明に係る紫外線センサは、第５発明において、前記外部電極は、複数の線材で形成してあり、隣接して形成してある前記線材間の距離をｄ、前記基板からの前記線材の厚みをＬ、回折次数をｎとした場合、（式１）を満たす波長の光を、前記基板と前記外部電極との略境界で強めあう回折格子として機能する形状に形成してある。

第１発明では、基板と外部電極との境界線の長さが所定領域の外周の長さよりも長くなるような形状に外部電極を形成することにより、所定領域の全面に紫外線を遮蔽する材料を設けた外部電極を用いた紫外線センサに比べて、基板と外部電極との境界に紫外線が入射したときに光電効果により生じる光電子が増加し、所望の波長領域においてＵＶ感度が高い特性を有することができる。

第２発明では、基板は、ＺｎＯがＮｉＯに固溶してなる酸化物半導体で構成することにより、酸化物半導体を焼成して形成する際に、ＺｎＯがＮｉＯに固溶されるので、揮発成分であるＺｎが揮発するのを防止して、ＵＶ感度が安定した特性を有する紫外線センサを得ることができる。

第３発明では、外部電極は、ストライプ形状、メッシュ形状、ミアンダ形状のいずれかの形状に形成することにより、基板と外部電極との境界線の長さが所定領域の外周の長さよりも長くなるので、所望の波長領域においてＵＶ感度が高い特性を有することができる。

第４発明では、外部電極は、紫外線を遮蔽する材料として、ＡｇペーストやＣｕペースト等を用いて形成することができるので、ＺｎＯで形成する場合に比べて製造コストを安くすることができる。

第５発明では、外部電極は、基板の一面に入射する紫外線を、基板と外部電極との略境界で強めあう回折格子として機能する形状に形成することにより、特定の波長を有する紫外線を高いＵＶ感度で検知することができる。

第６発明では、外部電極は、複数の線材で形成してあり、隣接して形成してある前記線材間の距離をｄ、基板からの線材の厚みをＬ、回折次数をｎとした場合、（式１）を満たす波長の光を、基板と外部電極との略境界で強めあう回折格子として機能する形状に形成することにより、特定の波長を有する紫外線を高いＵＶ感度で検知することができる。

本発明に係る紫外線センサは、基板と外部電極との境界線の長さが所定領域の外周の長さよりも長くなるような形状に外部電極を形成することにより、所定領域の全面に紫外線を遮蔽する材料を設けた外部電極を用いた紫外線センサに比べて、基板と外部電極との境界に紫外線が入射したときに光電効果により生じる光電子が増加し、所望の波長領域においてＵＶ感度が高い特性を有することができる。

本発明の実施の形態１に係る紫外線センサの構成を示す概略図である。 本発明の実施の形態１に係る紫外線センサの基板を形成する方法を説明するための概略図である。 本発明の実施の形態１に係る紫外線センサの外部電極を形成する方法を説明するための概略図である。 本発明の実施の形態１に係る紫外線センサの回路構成を示す模式図である。 本発明の実施の形態１に係る紫外線センサが、特定波長の光毎に出力するＵＶ感度を示すグラフである。 本発明の実施の形態１に係る紫外線センサの外部電極の線材の線幅と、紫外線センサのＺｎＯの紫外線センサに対する相対感度との関係を示すグラフである。 本発明の実施の形態１に係る紫外線センサの外部電極の形状がメッシュ形状である構成を示す平面図である。 本発明の実施の形態１に係る紫外線センサの外部電極の形状がミアンダ形状である構成を示す平面図である。 図１（ａ）に示す紫外線センサのＢ−Ｂ断面図である。 本発明の実施の形態２に係る紫外線センサが、特定波長の光毎に出力するＵＶ感度を示すグラフである。

以下、本発明の実施の形態における紫外線センサについて、図面を用いて具体的に説明する。以下の実施の形態は、特許請求の範囲に記載された発明を限定するものではなく、実施の形態の中で説明されている特徴的事項の組み合わせの全てが解決手段の必須事項であるとは限らないことは言うまでもない。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る紫外線センサの構成を示す概略図である。図１（ａ）は、本発明の実施の形態１に係る紫外線センサの平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す紫外線センサのＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）に示すように、紫外線センサ１は、直方体の酸化物半導体で構成された基板２と、基板２の一面に、基板２の長手方向に対して平行に複数の線材３１が形成されたストライプ形状の外部電極３と、基板２の長手方向の両端面にそれぞれ形成された端子電極４、５とを備えている。また、図１（ｂ）に示すように、紫外線センサ１は、基板２内に、外部電極３と平行に形成された内部電極６を備えている。

基板２を構成する酸化物半導体は、２０〜４０モル％のＺｎＯがＮｉＯに固溶してなる（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏの酸化物半導体である。ただし、基板２を構成する酸化物半導体は、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏに限定されるものではなく、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂ 等でも良い。なお、紫外線センサ１は、基板２を構成する酸化物半導体のバンドギャップ値によって検知することができる紫外線の波長領域が異なる。例えば、基板２を構成する酸化物半導体がＮｉＯである紫外線センサ１は、波長が２８０ｎｍ以下の紫外線を検知することができ、酸化物半導体がＺｎＯである紫外線センサ１は、波長が３８０ｎｍ以下の紫外線を検知することができる。また、基板２を構成する酸化物半導体が（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏである紫外線センサ１は、波長が４００ｎｍ以下の紫外線を検知することができる。

ここで、基板２を形成する方法について、以下に説明する。図２は、本発明の実施の形態１に係る紫外線センサ１の基板２を形成する方法を説明するための概略図である。まず、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏの酸化物半導体からなるグリーンシート２１を形成する。グリーンシート２１の形成処理は、ＮｉＯとＺｎＯとの割合が６５モル％と３５モル％となるように、原料のＮｉＯ及びＺｎＯの無機粉末を秤量し、秤量した無機粉末に純水を加え、ＰＳＺ（安定化ジルコニア）ビーズをメディア（粉砕用ボール（球石））として、ボールミルにて平均粒径０．５μｍ以下となるように混合粉砕する。さらに、混合粉砕によりスラリーとなった無機粉末を、脱水乾燥し、５０μｍ程度の粒径の粉末に造粒した後、１２００℃の温度で２時間仮焼する。仮焼した無機粉末に、純水を加え、ＰＳＺビーズをメディアとしてボールミルにて平均粒径０．５μｍになるまで混合粉砕する。混合粉砕した無機粉末は、脱水乾燥した後、有機溶剤及び分散剤を加えて混合し、さらにバインダ及び可塑剤を加えスラリーとし、ドクターブレード法を用いて、厚み１０μｍのシートに成形する。成形したシートを板状にカットし、複数枚のグリーンシート２１として形成する。

次に、形成した複数枚のグリーンシート２１のいずれか１枚に、Ｐｄペーストをスクリーン印刷し、６０℃の温度で１時間乾燥して内部電極６を形成する。図２に示すように、内部電極６を形成したグリーンシート２１は、内部電極６を形成した面側に他のグリーンシート２１を１枚積層し、反対の面側に他のグリーンシート２１を複数枚積層する。なお、積層したグリーンシート２１の厚みが０．５ｍｍとなるように、積層するグリーンシート２１の枚数を調整する。

次に、積層したグリーンシート２１を、金型に入れて２０ＭＰａの圧力で圧着した後、所定の形状に合わせてカットする。カットしたグリーンシート２１は、３００℃の温度でゆっくりと、十分に脱脂した後、１２００℃の温度で１時間焼成し、基板２として形成する。

図１（ａ）に戻って、外部電極３は、紫外線を遮蔽する材料としてＡｇを用いて、基板２の一面の所定領域３ａに、基板２の長手方向に対して平行に線幅３ｂの線材３１を複数（図１（ａ）では４本）設けたストライプ形状に形成されている。例えば、基板２の一面の広さは４．５ｍｍ×３．２ｍｍ、所定領域３ａは３．１ｍｍ×１．７ｍｍとする。なお、外部電極３が形成される基板２の一面が、紫外線を受光する部分である。

ここで、フォトリソグラフィ法を用いて外部電極３を形成する方法について、以下に説明する。図３は、本発明の実施の形態１に係る紫外線センサ１の外部電極３を形成する方法を説明するための概略図である。まず、図３に示すように、基板２の一面の全面に、感光性Ａｇペースト３４を塗布する。塗布した感光性Ａｇペースト３４をパターニングマスク３２を用いてＵＶ光３３で露光することで、塗布された感光性Ａｇペースト３４がストライプ形状に感光される。感光された感光性Ａｇペースト３４以外をエッチングして、残った感光性Ａｇペースト３４を８００℃の温度で焼成することで基板２の所定領域３ａに線材３１を形成し、ストライプ形状の外部電極３を形成する。なお、外部電極３は、厚みが１０μｍ、線材３１の線幅３ｂが５０〜５００μｍ（隣接して形成してある線材３１間の距離である線間は５０μｍ）のストライプ形状に形成してある。

図１に戻って、端子電極４は、外部電極３と電気的に接続し、端子電極５は内部電極６と電気的に接続する。そのため、端子電極４は、基板２の一面に形成した外部電極３の一部と重なるように、基板２の長手方向の端面にＡｇペーストを塗布して、８００℃の温度で１０分間焼成して形成されている。端子電極５は、内部電極６の一部が露出した基板２の長手方向の端面にＡｇペーストを塗布して、８００℃の温度で１０分間焼成して形成してある。

次に、本実施の形態１に係る紫外線センサ１の動作について、以下に説明する。図４は、本発明の実施の形態１に係る紫外線センサ１の回路構成を示す模式図である。図４に示すように、紫外線センサ１は、外部電極３がプラス、内部電極６がマイナスとなるように、電源１１のプラス側が端子電極４に、電源１１のマイナス側が端子電極５にそれぞれ接続している。また、紫外線センサ１は、紫外線センサ１に印加されるバイアス電圧を測定するために電圧計１２、紫外線センサ１に流れる光電流を測定するために電流計１３がそれぞれ接続してある。

電源１１により紫外線センサ１に１Ｖのバイアス電圧を印加し、暗室において、分光器を装着した紫外線光源から特定波長の光１５を、紫外線センサ１の基板２の外部電極３を形成した面に照射する。照射した光１５により基板２と外部電極３（線材３１）との境界近傍に光電子が生じる。生じた光電子は、外部電極３から端子電極４、そして端子電極５、内部電極６への経路を流れる。紫外線センサ１は、特定波長の光１５毎に、当該経路を流れる光電子による電流を電流計１３で測定し、所定の演算で変換したＵＶ感度を出力する。

図５は、本発明の実施の形態１に係る紫外線センサ１が、特定波長の光１５毎に出力するＵＶ感度を示すグラフである。図５に示すように、紫外線センサ１は、外部電極３に紫外線を透過するＺｎＯを用いた紫外線センサ（以下、ＺｎＯの紫外線センサという）のＵＶ感度の特性と同じように波長が約３５０ｎｍ付近でＵＶ感度のピークが現れ、波長が短くなるに従いＵＶ感度が低下しているＵＶ感度の特性を有している。つまり、紫外線センサ１は、所望の波長領域においてＺｎＯの紫外線センサと同じＵＶ感度の特性を有することができる。なお、紫外線センサ１は、外部電極３の線材３１の線幅３ｂを１００μｍ、特定波長の光１５の放射強度を１μＷ／ｃｍ² 〜１０ｍＷ／ｃｍ² 、測定温度を２５℃±１℃としている。

図６は、本発明の実施の形態１に係る紫外線センサ１の外部電極３の線材３１の線幅３ｂと、紫外線センサ１のＺｎＯの紫外線センサに対する相対感度との関係を示すグラフである。なお、紫外線センサ１のＺｎＯの紫外線センサに対する相対感度とは、波長が約３５０ｎｍ付近での紫外線センサ１のＵＶ感度のＺｎＯの紫外線センサのＵＶ感度に対する割合を示している。図６に示しているように、線材３１の線幅３ｂが約１００μｍで相対感度が１となり、ＺｎＯの紫外線センサのＵＶ感度と紫外線センサ１のＵＶ感度とはほぼ同じになる。線材３１の線幅３ｂが約１００μｍより太いと相対感度が１より小さくなり、ＺｎＯの紫外線センサのＵＶ感度に比べて紫外線センサ１のＵＶ感度が低くなる。線材３１の線幅３ｂが約１００μｍより細いと相対感度が１より大きくなり、ＺｎＯの紫外線センサのＵＶ感度に比べて紫外線センサ１のＵＶ感度が高くなる。よって、紫外線センサ１は、線材３１の線幅３ｂを約１００μｍより細くすることで、所望の波長領域においてＺｎＯの紫外線センサと比べてＵＶ感度が高い特性を有することができる。

線材３１の線幅３ｂを細くすることで、基板２と外部電極３（線材３１）との境界線の長さが長くなり、照射した光により生じる光電子が増加するので、所望の波長領域においてＵＶ感度が高い特性を有することができる。例えば、３．１ｍｍ×１．７ｍｍの所定領域３ａに、線材３１の線幅３ｂが１００μｍ（隣接して形成してある線材３１間の距離である線間は５０μｍ）のストライプ形状の外部電極３を形成した場合、１１本の線材３１を設けることができる。そのため、基板２と外部電極３（線材３１）との境界線の長さは、１１本の線材３１の外周（１１本×（３．１ｍｍ＋０．１ｍｍ）×２）＝７０．４ｍｍとなる。つまり、紫外線センサ１は、基板２と外部電極３（線材３１）との境界線の長さが略７０ｍｍであれば、ＺｎＯの紫外線センサのＵＶ感度の特性と同様の特性を示すので、基板２と外部電極３（線材３１）との境界線の長さが略７０ｍｍよりも長ければ、所望の波長領域においてＺｎＯの紫外線センサと比べてＵＶ感度が高い特性を有することができる。

なお、所定領域の全面に紫外線を遮蔽する材料を設けた外部電極を用いた紫外線センサ（以下、全面外部電極の紫外線センサという）は、所定領域の外周が基板と外部電極との境界となる。そのため、紫外線センサ１は、所定領域３ａの外周よりも基板２と外部電極３（線材３１）との境界線の長さが長くなるような形状に外部電極３を形成すれば、全面外部電極の紫外線センサよりもＵＶ感度を高くすることができる。例えば、３．１ｍｍ×１．７ｍｍの所定領域３ａに、線材３１の線幅３ｂが１００μｍ（線間は５０μｍ）のストライプ形状の外部電極３を形成した場合、基板２と外部電極３（線材３１）との境界線の長さは７０．４ｍｍ、所定領域３ａの外周の長さは９．６ｍｍとなり、基板２と外部電極３（線材３１）との境界線の長さが所定領域３ａの外周の長さよりも長くなっているので、紫外線センサ１は、所望の波長領域において全面外部電極の紫外線センサと比べてＵＶ感度が高い特性を有することができる。

以上のように、本実施の形態１に係る紫外線センサ１は、基板２と外部電極３（線材３１）との境界線の長さが、所定領域３ａの外周の長さよりも長くなるような形状に外部電極３を形成しているので、全面外部電極の紫外線センサよりもＵＶ感度を高くすることができる。また、紫外線センサ１は、基板２と外部電極３（線材３１）との境界線の長さが略７０ｍｍより長ければ、ＺｎＯの紫外線センサよりもＵＶ感度を高くすることができる。

なお、外部電極３の形状は、ストライプ形状に限定されるものではなく、基板２と外部電極３（線材３１）との境界線の長さが、所定領域３ａの外周の長さよりも長くなるような形状であればメッシュ形状でも、ミアンダ形状でも良い。図７は、本発明の実施の形態１に係る紫外線センサ１の外部電極３の形状がメッシュ形状である構成を示す平面図である。図８は、本発明の実施の形態１に係る紫外線センサ１の外部電極３の形状がミアンダ形状である構成を示す平面図である。

また、外部電極３は、感光性Ａｇペーストを用いて、フォトリソグラフィ法で形成される場合に限定されるものではなく、紫外線を遮蔽する材料であれば、Ｃｕペースト等の他のペーストでも良く、外部電極３を形成する方法もめっき法を用いても良い。

（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係る紫外線センサ１は、図１に示した実施の形態１に係る紫外線センサ１の構成と同じであるため、詳細な説明は省略する。しかし、本実施の形態２に係る紫外線センサ１の外部電極３は、外部電極３が形成される基板２の一面に入射する紫外線を、基板２と外部電極３（線材３１）との略境界で強めあう回折格子として機能する形状に形成してある点が、実施の形態１に係る紫外線センサ１と異なる。

図９は、図１（ａ）に示す紫外線センサ１のＢ−Ｂ断面図である。なお、図９は、図１（ａ）に示す紫外線センサ１を略２倍に拡大した拡大断面図である。図９に示すように、外部電極３は、隣接して形成してある線材３１間の距離（線間）をｄ、基板２からの線材３１の厚み（外部電極３の厚み）をＬとした場合、（式１）を満たす波長λの光を、基板２と外部電極３（線材３１）との略境界で強めあう回折格子として機能する形状に形成してある。なお、（式１）に示すｎは、回折次数である。

例えば、線材３１をｄ＝１０μｍ、Ｌ＝１９０μｍとして形成した場合、基板２と外部電極３（線材３１）との略境界で強めあう光の波長λが３５０ｎｍとなる回折格子として機能する形状の外部電極３を形成することになる。なお、回折次数はｎ＝１とする。

図１０は、本発明の実施の形態２に係る紫外線センサ１が、特定波長の光１５毎に出力するＵＶ感度を示すグラフである。図１０に示すように、紫外線センサ１のＵＶ感度の特性は、ＺｎＯの紫外線センサのＵＶ感度の特性と異なり、波長が約３５０ｎｍ付近でＵＶ感度のピークが現れるが、それ以外の波長ではＵＶ感度が低い。なお、紫外線センサ１は、外部電極３の線材３１をｄ＝１０μｍ、Ｌ＝１９０μｍ、回折次数をｎ＝１とし、特定波長の光１５の放射強度を１μＷ／ｃｍ² 〜１０ｍＷ／ｃｍ² 、測定温度を２５℃±１℃としている。

以上のように、本実施の形態２に係る紫外線センサ１の外部電極３は、外部電極３が形成される基板２の一面に入射する紫外線を、基板２と外部電極３（線材３１）との略境界で強めあう回折格子として機能する形状に形成してあることにより、特定の波長を有する紫外線（例えば、波長が約３５０ｎｍ付近の紫外線）においてＵＶ感度が高い特性を有することができる。

なお、外部電極３の形状は、ストライプ形状に限定されるものではなく、入射する紫外線を、基板２と外部電極３（線材３１）との略境界で強めあう回折格子として機能するような形状であればメッシュ形状でも、ミアンダ形状でも良い。

１ 紫外線センサ
２ 基板
３ 外部電極
４、５ 端子電極
６ 内部電極
１１ 電源
１２ 電圧計
１３ 電流計
２１ グリーンシート
３１ 線材
３２ パターニングマスク
３３ ＵＶ光
３４ Ａｇペースト

Claims (6)

1. 酸化物半導体で構成された基板と、
   該基板内に形成された内部電極と、
   前記基板の一面の所定領域に、所定の形状に形成された外部電極と
   を備え、
   前記外部電極は、前記基板と前記外部電極との境界線の長さが、前記所定領域の外周の長さよりも長くなるような形状に形成してあることを特徴とする紫外線センサ。
2. 前記酸化物半導体は、ＺｎＯがＮｉＯに固溶してなることを特徴とする請求項１に記載の紫外線センサ。
3. 前記外部電極は、ストライプ形状、メッシュ形状、ミアンダ形状のいずれかの形状に形成してあることを特徴とする請求項１又は２に記載の紫外線センサ。
4. 前記外部電極は、紫外線を遮蔽する材料で形成してあることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の紫外線センサ。
5. 前記外部電極は、前記基板の前記一面に入射する紫外線を、前記基板と前記外部電極との略境界で強めあう回折格子として機能する形状に形成してあることを特徴とする請求項４に記載の紫外線センサ。
6. 前記外部電極は、複数の線材で形成してあり、
   隣接して形成してある前記線材間の距離をｄ、前記基板からの前記線材の厚みをＬ、回折次数をｎとした場合、
   （式１）を満たす波長の光を、前記基板と前記外部電極との略境界で強めあう回折格子として機能する形状に形成してあることを特徴とする請求項５に記載の紫外線センサ。
   

   

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