JP2011003584A5 - 半導体装置および多層配線基板 - Google Patents
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Description
本出願は、半導体装置に作用する擾乱ノイズをシールドする作用を有する半導体装置およびこれを構成する多層配線基板に関する。
本発明は、このような複数の機能を備える半導体装置において、半導体素子間、あるいは異なる機能部分間における電磁的なノイズを抑制し、動作特性の安定性、信頼性を高めることができる半導体装置、およびこれを構成する多層配線基板を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。
すなわち、本発明に係る半導体装置は、配線層と絶縁層とが交互に積層され、前記絶縁層に形成された第1ビアを介して配線層が電気的に接続された多層配線基板と、
前記多層配線基板に搭載された半導体素子とを備え、前記絶縁層に第2ビアが形成されている半導体装置であって、前記第2ビアが積層して構成され、前記多層配線基板を厚さ方向に貫通するスタックビアを備えており、前記半導体素子では、複数の機能部分が平面的に区分されて形成されており、前記多層配線基板では、前記半導体素子の特定の機能部分を含む平面領域を、他の機能部分と区画する平面配置であって、前記平面領域の周縁部に沿って該平面領域を囲む配置に、前記スタックビアが複数設けられている。
すなわち、本発明に係る半導体装置は、配線層と絶縁層とが交互に積層され、前記絶縁層に形成された第1ビアを介して配線層が電気的に接続された多層配線基板と、
前記多層配線基板に搭載された半導体素子とを備え、前記絶縁層に第2ビアが形成されている半導体装置であって、前記第2ビアが積層して構成され、前記多層配線基板を厚さ方向に貫通するスタックビアを備えており、前記半導体素子では、複数の機能部分が平面的に区分されて形成されており、前記多層配線基板では、前記半導体素子の特定の機能部分を含む平面領域を、他の機能部分と区画する平面配置であって、前記平面領域の周縁部に沿って該平面領域を囲む配置に、前記スタックビアが複数設けられている。
更に前記多数配線基板の外周縁部に沿って該外周縁部を一周する配置に、前記スタックビアが複数設けられていることが好ましい。
また、前記多層配線基板の一方の面に単数または複数の前記半導体素子が搭載され、前記多層配線基板の一方の面に、前記半導体素子を覆う配置に金属からなるキャップが封着されていることが好ましい。
また、前記多層配線基板の一方の面に単数または複数の前記半導体素子が搭載され、前記多層配線基板の一方の面に、前記半導体素子を覆う配置に金属からなるキャップが封着され、前記キャップのフランジ部が、前記多層配線基板の外周縁部に沿って設けられた前記スタックビアに接続されていることが好ましい。
また、前記平面領域の周縁部に沿って設けられた前記スタックビアは、二重以上の配置に設けられていることが好ましい。
また、前記平面領域の周縁部に沿って設けられた前記スタックビアの、同層の各前記第2ビアの頂部は、連結パターンに形成され、前記平面領域を前記連結パターンにより連続して一周するように設けられていることが好ましい。
また、前記多層配線基板の一方の面に単数または複数の前記半導体素子が搭載され、前記多層配線基板の一方の面に、前記半導体素子を覆う配置に金属からなるキャップが封着されていることが好ましい。
また、前記多層配線基板の一方の面に単数または複数の前記半導体素子が搭載され、前記多層配線基板の一方の面に、前記半導体素子を覆う配置に金属からなるキャップが封着され、前記キャップのフランジ部が、前記多層配線基板の外周縁部に沿って設けられた前記スタックビアに接続されていることが好ましい。
また、前記平面領域の周縁部に沿って設けられた前記スタックビアは、二重以上の配置に設けられていることが好ましい。
また、前記平面領域の周縁部に沿って設けられた前記スタックビアの、同層の各前記第2ビアの頂部は、連結パターンに形成され、前記平面領域を前記連結パターンにより連続して一周するように設けられていることが好ましい。
本発明に係る多層配線基板は、配線層と絶縁層とが交互に積層され、前記絶縁層に形成された第1ビアを介して配線層が電気的に接続された多層配線基板であって、前記多層配線基板の一方の面は、複数の機能部分が平面的に区分されて形成された半導体素子が搭載される半導体素子搭載面を有し、前記多層配線基板の他方の面には、外部接続端子が設けられ、前記半導体素子搭載面において、搭載される半導体素子の特定の機能部分を含む平面領域を、他の機能部分と区画する平面配置に、前記多層配線基板を厚さ方向に貫通するスタックビアが並置され、前記スタックビアは、複数の第2ビアが積層して構成され、前記第1ビアおよび配線層が形成された層と同一層に、前記第2ビアが形成されている。
本発明に係る多層配線基板を備えた半導体装置によれば、半導体素子の特定の機能部分あるいは半導体素子自体に作用する電磁ノイズを抑制することができ、半導体素子の動作の安定性を向上させることができる。
図4は、スタックビア24の変形例を示す。上述したスタックビア24は、隣り合ったスタックビア24同士が干渉しないように(重複しないように)並置している。図4(a)は、同一層内のビア24aについて、ビア24aの頂部を互いに連結する連結パターン24bを設けてビア24aを形成した例である。図4(a)はスタックビア24の並び方向の断面を見た状態、図4(b)は連結パターン24bを設けた状態を平面方向から見た状態を示す。
連結パターン24bによりスタックビア24を連結すると、図4(b)に示すように、スタックビア24によって囲まれた領域の周縁部に沿って導体が連続して一周する配置となる。これによって、スタックビア24を互いに離間させて配置した場合と比較して、スタックビア24によって囲まれた領域内に電磁ノイズが侵入することを抑制することができる。
連結パターン24bによりスタックビア24を連結すると、図4(b)に示すように、スタックビア24によって囲まれた領域の周縁部に沿って導体が連続して一周する配置となる。これによって、スタックビア24を互いに離間させて配置した場合と比較して、スタックビア24によって囲まれた領域内に電磁ノイズが侵入することを抑制することができる。
(参考例)
図7は、2つの半導体素子32、33を搭載する半導体装置(マルチチップパッケージ)において、スタックビア24を用いて半導体素子32、33間における電磁ノイズを遮蔽するように設けた参考例を示す。配線基板20の周縁部に沿ってスタックビア240を配置し、半導体素子32、33を覆う配置にキャップ40を配置し、スタックビア240にキャップ40のフランジ部40aを接続する配置とする。
半導体素子32と半導体素子33との間における電磁ノイズを遮断するため、半導体素子32、33を仕切るように、半導体素子32、33の中間位置を通過する配置にスタックビア24を配置している。
図7は、2つの半導体素子32、33を搭載する半導体装置(マルチチップパッケージ)において、スタックビア24を用いて半導体素子32、33間における電磁ノイズを遮蔽するように設けた参考例を示す。配線基板20の周縁部に沿ってスタックビア240を配置し、半導体素子32、33を覆う配置にキャップ40を配置し、スタックビア240にキャップ40のフランジ部40aを接続する配置とする。
半導体素子32と半導体素子33との間における電磁ノイズを遮断するため、半導体素子32、33を仕切るように、半導体素子32、33の中間位置を通過する配置にスタックビア24を配置している。
このようにマルチチップパッケージの場合も、半導体素子間での電磁ノイズを遮断する必要がある場合には、半導体素子が搭載されている平面領域を区画するようにスタックビア24を配置することにより、半導体素子間に生じる電磁ノイズを抑えることができる。本参考例においても、配線基板20の周縁部に配置したスタックビア240を接地電位とすることによりキャップ40を接地電位とすることにより半導体素子32、33に作用する電磁ノイズを効果的に抑制することができる。
Claims (7)
- 配線層と絶縁層とが交互に積層され、前記絶縁層に形成された第1ビアを介して配線層が電気的に接続された多層配線基板と、
前記多層配線基板に搭載された半導体素子と
を備え、前記絶縁層に第2ビアが形成されている半導体装置であって、
前記第2ビアが積層して構成され、前記多層配線基板を厚さ方向に貫通するスタックビアを備えており、
前記半導体素子では、複数の機能部分が平面的に区分されて形成されており、
前記多層配線基板では、前記半導体素子の特定の機能部分を含む平面領域を、他の機能部分と区画する平面配置であって、前記平面領域の周縁部に沿って該平面領域を囲む配置に、前記スタックビアが複数設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 更に前記多数配線基板の外周縁部に沿って該外周縁部を一周する配置に、前記スタックビアが複数設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記多層配線基板の一方の面に単数または複数の前記半導体素子が搭載され、
前記多層配線基板の一方の面に、前記半導体素子を覆う配置に金属からなるキャップが封着されていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。 - 前記多層配線基板の一方の面に単数または複数の前記半導体素子が搭載され、
前記多層配線基板の一方の面に、前記半導体素子を覆う配置に金属からなるキャップが封着され、
前記キャップのフランジ部が、前記多層配線基板の外周縁部に沿って設けられた前記スタックビアに接続されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。 - 前記平面領域の周縁部に沿って設けられた前記スタックビアは、二重以上の配置に設けられていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記平面領域の周縁部に沿って設けられた前記スタックビアの、同層の各前記第2ビアの頂部は、連結パターンに形成され、前記平面領域を前記連結パターンにより連続して一周するように設けられていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の半導体装置。
- 配線層と絶縁層とが交互に積層され、前記絶縁層に形成された第1ビアを介して配線層が電気的に接続された多層配線基板であって、
前記多層配線基板の一方の面は、複数の機能部分が平面的に区分されて形成された半導体素子が搭載される半導体素子搭載面を有し、
前記多層配線基板の他方の面には、外部接続端子が設けられ、
前記半導体素子搭載面において、搭載される半導体素子の特定の機能部分を含む平面領域を、他の機能部分と区画する平面配置に、前記多層配線基板を厚さ方向に貫通するスタックビアが並置され、
前記スタックビアは、複数の第2ビアが積層して構成され、
前記第1ビアおよび配線層が形成された層と同一層に、前記第2ビアが形成されていることを特徴とする多層配線基板。
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JP2009143235A JP5189032B2 (ja) | 2009-06-16 | 2009-06-16 | 半導体装置および多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2011003584A JP2011003584A (ja) | 2011-01-06 |
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JP5189032B2 JP5189032B2 (ja) | 2013-04-24 |
Family
ID=43561350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009143235A Active JP5189032B2 (ja) | 2009-06-16 | 2009-06-16 | 半導体装置および多層配線基板 |
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US9054096B2 (en) * | 2012-09-25 | 2015-06-09 | Xilinx, Inc. | Noise attenuation wall |
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2009
- 2009-06-16 JP JP2009143235A patent/JP5189032B2/ja active Active
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