JP2010536013A - 導電体を流れる電流を測定する装置および方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、導電体(1)を流れる電流を測定する装置に関し、該装置は、導電体(1)と結合するための磁気回路(2)を有し、該磁気回路(2)は空隙(3)を有する。導電体(1)によって生成された磁場を測定するための、磁場を感知する構成要素(4)は、磁気回路(2)の腕部の間に位置する。2つの制御コア(5a、5b)は磁気回路(2)の空隙(3)に配置され、各制御コア(5a、5b)は、該制御コア(5a、5b)を磁気的に飽和させるための制御巻線(6)を有し、導電体(1)の両側に配置される。
【選択図】図1
【選択図】図1
Description
特許文献1は、導電体を流れる電流を測定する装置を開示している。
1つの達成すべき目的は、外部磁気の影響とは無関係に正確な測定を可能にする、導電体を流れる電流を測定する装置および方法を示すことである。
この目的は、請求項1に記載の導電体を流れる電流を測定する装置によって達成される。
さらに、この目的は、請求項12に記載の方法によって達成される。
装置は、空隙を持ち導電体に結合するための磁気回路を有する。導電体によって生成される磁場を測定するための、磁場を感知する構成要素が磁気回路内に位置する。好ましくは、磁場を感知する構成要素は磁気回路に直接組み込まれる。2つの制御コアが磁気回路の空隙内に位置し、各制御コアは、該制御コアを磁気的に飽和させるための制御巻線を有し、導電体の両側に配置される。
好ましい一実施例では、磁気回路はU字型の軟磁性コアを有し、そこに磁場を感知する構成要素が直接組み込まれる。好ましくは、磁場を感知する構成要素はU字型のコアの2つの腕部の間の中央に位置する。
2つの制御コアは、前記制御コアに取り付けられた巻線によって、互いに独立して制御電流によって飽和されうる。
好ましい一実施例では、第1の制御コアが導電体の第1の側に位置し、第2の制御コアが導電体の第2の側に位置する。
好ましくは、第2の制御コアは、好ましくはU字型である磁気回路の2つの腕部の間の、磁場を感知する構成要素と平行に位置する。
一実施例では、磁気回路が追加の巻線を有する。
好ましい一実施例では、2つの制御コアが共通の平面上にある。好ましくは、2つの制御コアはU字型のコアの2つの腕部の間に、そして導電体の両側に配置される。
好ましくは、磁気回路は導電体の周囲に延伸する。
好ましい一実施例では、制御コアはフェライトコアとして形成される。この場合、特に好ましくは、フェライトコアは長方形のフレームとして形成され、該コアは該フレームの少なくとも1つの側にフェライトコアを飽和させるための制御巻線を有する。特に効率的な変形例では、制御巻線はフレームの互いに反対の2つの側に配置される。この形態で制御コアを形成すると、制御コアの効率的な飽和を達成することが可能である。
磁気回路において、2つの制御コアは縦に並んで配置されてはおらず、互いに並列に、すなわち、導電体の両側に配置されている。このことによって、2つの制御コアは、上下に配置された2つの制御コアを有する構造と比較して、2倍以上の巻数の制御コアを有することができる。その結果として、制御巻線の線の直径が同じ場合、巻数を2倍にすることが可能である。このことは、制御コアの飽和が一次電流によって阻止されることなく、非常に大きな電流を測定することを可能とする。従来は、およそ1000Aの範囲の非常に大きな電流の場合、一次電流は制御コアのリムのうち1つにおける制御電流と反対に作用して、制御コアの飽和を阻止していた。
好ましくは、磁場を感知する構成要素はホールセンサである。
ホールセンサがそこを通って流れる電流を有し、電流と垂直に走る磁場に置かれる場合、ホールセンサは磁場の強さと電流との積に比例した出力電圧を生成する。
導電体を流れる電流を決定するために、さまざまな測定がホールセンサを用いて行われる。
導電体を流れる電流を測定する方法は、上記装置を用いて行われる。
本方法では、磁場を感知する構成要素を通り抜ける磁束密度は、第1に、制御コアが非飽和の場合に測定される。
第2の測定において、第1の制御コアは飽和しており第2の制御コアは非飽和のままであり、磁場を感知する構成要素を通り抜ける磁束密度が測定される。
第3の測定において、第2の制御コアは飽和しており第1の制御コアは非飽和である。磁場を感知する構成要素を通り抜ける磁束密度は第3の測定値を与える。
第4の、そして最後の測定において、磁場を感知する構成要素を通り抜ける磁束密度は両方の制御コアが飽和している場合に測定される。
導電体を流れる電流はこれまでに実施された測定によって決定された4つの測定値から計算される。
50A未満の電流の場合、第1および第3の測定は大体同一の電流感度を有する。第2の制御コアは第1の測定において非飽和であり第3の測定において飽和している。したがって、両方の測定において磁場を感知する構成要素で同じH磁場が存在する。それゆえ、磁場を感知する構成要素において、H磁場は印加された電圧に類似した振る舞いをする。磁気回路の磁気リラクタンスおよび制御コアの磁気リラクタンスは電気抵抗に類似した振る舞いをする。
したがって、以下の3つの方程式が成立する。
I. r4=n+s4*IDC+SB4*BS
II. r3=n+s3*IDC+SB3*BS
III. r2=n+s2*IDC+SB2*BS
I. r4=n+s4*IDC+SB4*BS
II. r3=n+s3*IDC+SB3*BS
III. r2=n+s2*IDC+SB2*BS
測定において、物理量はアナログの電気量に変換されることがある。量子化の間、アナログ量の測定領域は有限個の相互に隣接した部分領域(区間)に分割され、それらは各々有限の記号系(例えば整数)の値を割り当てられる。分解能という言葉は、用いられるアナログ量の部分領域の個数を意味し、バイナリ記号系の場合には2のべき乗を意味し(ビットの分解能)、区間のサイズが等しい場合には区間自体のサイズを意味する。
量子化ステップは測定信号の値を離散的な形式で表す。
上記方程式において、r2は第1の制御コアが飽和している場合の、測定の間の量子化ステップの数を示す。r3は第2の制御コアが飽和している場合の、測定の間の量子化ステップの数を示す。r4は両方の制御コアが飽和している場合の、測定の間の量子化ステップの数を示す。変数s2、s3、およびs4は、導電体を流れる電流に対するホールセンサの感度をそれぞれ示す。変数nは量子化ステップにおける磁場を感知する構成要素のゼロ点を示す。この場合には0Aの電流が導電体に存在し、0テスラの磁束密度が磁場を感知する構成要素に存在する。変数SB2、SB3、およびSB4はそれぞれ、第1の制御コアが飽和している場合、第2の制御コアが飽和している場合、および両方の制御コアが飽和している場合の、磁場を感知する構成要素の感度を示す。変数BSは外部妨害磁場の磁束密度を表す。変数IDCは導電体を流れる電流を表し、該電流は測定において決定されることが意図されている。
すべての感度は装置の生産の間に決定され、評価ユニットに恒久的に記憶されている。
次いで、以下のようにnを消去する。
I−II r4−r3=(s4−s3)*IDC+(SB4−SB3)*BS
I−III r4−r2=(s4−s2)*IDC+(SB4−SB2)*BS
I−II r4−r3=(s4−s3)*IDC+(SB4−SB3)*BS
I−III r4−r2=(s4−s2)*IDC+(SB4−SB2)*BS
この2つの方程式I−IIおよびI−IIIはIDCに関して解かれ、次いで等号で結ばれ、さらにBSに関して解かれる。
BS=r3*(s2−s4)+r4*(s3−s2)+r2*(s4−s3)/(sB4*(s3−s2)+sB3*(s2−s4)+sB2*(s4−s3))
BS=r3*(s2−s4)+r4*(s3−s2)+r2*(s4−s3)/(sB4*(s3−s2)+sB3*(s2−s4)+sB2*(s4−s3))
IDCおよびnを決定するために、方程式I−IIまたはI−IIIにBSを代入し、次に方程式IからIIIのうちひとつにIDCおよびBSを代入することによって解法プロセスが実行される。nは方程式IIIを解くことによって決定され、IDCは方程式IIを解くことによって決定される。方程式IはBSを決定するために最も適している。
代替手段として、BSは方程式IIまたはIIIにおいて無視されうる。わずかに不正確に決定された主要電流IDCが、必要があれば、BSを決定するために用いられうる。
ホールセンサは多くの理由によってドリフトされうることが知られている。それらの理由のいくつかは、より詳細に以下に記載される。
好ましくは、ホールセルは、モノリシック構造の場合、シリコン基板またはエピタキシャル層内の弱くドープされた拡散領域として実施される。好ましくは、ショットノイズが除去されるように導電板が上に置かれている。弱くドープされた拡散領域は逆方向にバイアスされなければならない寄生ダイオードを形成する。いわゆる「バックバイアス効果」である、空間電荷領域のドリフト運動(可変容量ダイオードに類似している)が発生する。空間電荷領域の厚み変動はホールセルの感度に直接影響する(およそ+3〜5%/V)。通常、ホールセルの上の導電板は同様にバイアス電圧を印加されている。同様に、このバイアス電圧は、弱くドープされた拡散領域の空間電荷領域の厚み変動をもたらす(0.01%/V)。バイアス電圧が、例えば経年変化の結果としてドリフトする場合、ホールセルの感度もまたドリフトする。
さらに、ホール素子はピエゾ抵抗効果に高感度である。外部の圧力や水分の吸収の結果としての機械的な変形は、ホールセルの感度を変化させる。ハウジングが射出成型される前にシリコンチップが軟質プラスチックでコーティングされている場合、感度の長期ドリフトは0.25%に減少されうる。機械的な変形はわずかな動作時間(10〜100時間)の後で発生し、いくつかの場合には可逆であり、通常は長期ドリフトの最大の部分を占める。
不純物、例えば弱く結合された水素の格子間拡散が、半導体における拡散された抵抗の抵抗ドリフトとして知られている。長期ドリフトは1%/100000時間の値をとりうる。
130nmBICMOS処理のn+にドープされた拡散領域はおよそ1500〜2000ppm/Kの温度係数を有する。最新のホールセンサは切り替え温度を測定すること、および温度を補償された測定値を計算することによって温度ドリフトを補償する。
装置内で使用されるホールセンサの感度は経年変化を示す。方程式に用いられるホールセンサの感度(SB2、SB3およびSB4)は、機械的な構造に排他的に依存する。例えば完全なカプセル化の結果として、機械的な系が変化し得ない場合、磁場センサ自身が時間とともにより高感度またはより低感度になる場合に感度が変化しうるのみである。それによって、ホールセンサの感度に関する全部で4つの方程式からなる方程式系を解くことによる解法プロセスを実行することによって、磁場センサの感度の経年変化を決定することが可能となる。より正確な測定を可能にするために、ホールセンサの感度はすべての感度に共通の係数として示され、ホールセンサの感度shallは以下の方程式によって計算される。
rx=n+shall(I*sx+B*sBx)
rx=n+shall(I*sx+B*sBx)
上記方程式において、rxは各状態xにおける量子化ステップの数を示す。変数xは4つの場合(x=1〜4)のうち1つを意味する。第1の場合は、両方の制御コアが非飽和である。第2の場合は、第1の制御コアのみが飽和している。第3の場合は、第2の制御コアのみが飽和している。第4の場合は、両方の制御コアが飽和している。変数nは量子化ステップにおける磁場を感知する構成要素のゼロ点を示す。この場合には0Aの電流が導電体に存在し、0テスラの磁束密度が磁場を感知する構成要素に存在する。変数SBxは対応する状態での磁場を感知する構成要素の感度を示す。変数Bは外部妨害磁場の磁束密度を示す。
したがって、磁場を感知する構成要素の感度shallは以前に得られた測定値から計算されうる。
装置は、典型実施例および添付の図面に基づいて、以下により詳細に説明される。
以下に記載された図面は原寸に比例していると見なされるべきではない。原寸に比例するのではなく、記載を改良するために、個々の寸法は拡大されたり縮小されたり歪められたりして記載されることがある。
互いに類似する要素または同じ機能を果たす要素は同一の参照符号によって示されている。
図1は導電体1を流れる電流を測定する装置の典型例の1つの可能な変形例を示し、フェライトからなってよい磁気回路2が導電体1の周りに延伸している。磁気回路2は一方の側に空隙3を有し、そこに2つの制御コア5a、5bが位置する。好ましくは、制御コア5a、5bは導電体1の両側に配置される。この場合、第2の制御コア5bは磁場を感知する構成要素4の近隣に配置され、好ましくは磁場を感知する構成要素4と平行に配置される。U字型磁気回路2において、導電体1を流れる電流を測定する役割を果たす、磁場を感知する構成要素4は、好ましくは、磁気回路2の腕部の間に位置する。各制御コア5a、5bは、制御コア5a、5bを飽和させる役割を果たす制御巻線6を有する。好ましくは、前記制御巻線6は、制御コア5a、5bのフレームの1つのまたは複数の側に、好ましくは互いに反対の側に位置する。
図2は、導電体1を流れる電流を測定する第1の測定の構造物を示す。好ましくは、制御コア5a、5bは導電体1の両側に配置される。第1の測定において、制御コア5a、5bの両方が非飽和である。U字型磁気回路2の腕部の間に配置された、磁場を感知する構成要素4は、導電体1を流れる電流を測定する。
導電体1を流れる電流によってもたらされるH磁場は、U字型磁気回路2の2つの腕部内および制御コア5a、5b内にB磁場を生成する。第1の制御コア5aの磁気リラクタンスが磁気回路2の磁気リラクタンスおよび第2の制御コア5bの磁気リラクタンスよりも著しく小さくはない場合は、磁場を感知する構成要素4には、第2の制御コア5bが存在しないか飽和しているのと同じくらいにB磁場が通り抜ける。本構造物の電流感度は結果として非常に高い。磁気回路2の全体は制御コア5a、5bによって閉じられており、それによって外部妨害磁場に対する感度は低い。知られているゼロ点の場合および知られている外部妨害磁場の場合の小さな電流を正確に測定するために、制御コア5a、5bに電圧を加える必要は全くない。この場合、磁場を感知する構成要素4はなおもB磁場を測定することが可能である。
図3は導電体1を流れる電流を測定する第2の構造物を示す。磁場を感知する構成要素4を流れる電流の第2の測定において、第1の制御コア5aは飽和している。第2の制御コア5bは非飽和のままである。
第2の制御コア5bの磁気リラクタンスが、この場合、磁気回路2において有効な磁気リラクタンスよりも著しく小さいため、第1の制御コア5aの磁気リラクタンスは大きく上昇し、磁場を感知する構成要素4において磁束(B磁場)が実質的に全く記録されない。構造物を流れる磁力線の主要な部分が、良好な透磁率を有する第2の制御コア5bを流れるため、外部妨害磁場に対する感度は低い。
図4は、導電体1を流れる電流が磁場を感知する構成要素4によって測定される第3の構造物を示す。第3の測定において、第2の制御コア5bは飽和している。第1の制御コア5aは非飽和である。
この構造物では、第1の制御コア5aの磁気リラクタンスは低く、一方第2の制御コア5bの磁気リラクタンスは高いため、構造物はやはり磁気的に閉じている。磁場を感知する構成要素4を流れる磁力線は、図2に記載された第1の測定の場合よりもわずかに多い。
図5は、導電体1を流れる電流を測定する第4の構造物を示す。第4の測定において、制御コア5a、5bの両方が飽和している。この構造物では磁気回路は開いている。ほとんどすべての磁力線がU字型磁気回路2の空隙3を流れ、該磁気回路2には磁場を感知する構成要素4が位置する。外部妨害磁場と、導電体1を流れる電流によって生成された磁場とが、高感度の磁場を感知する構成要素4によって検出される。導電体1を流れる電流における感度は、図2および4に記載された測定における感度から約10の1乗のオーダーで低く、図3に記載された測定の場合における感度から約10の1乗のオーダーで高い。しかしながら、外部妨害磁場に対する感度は他の3つの測定における感度から10の1乗のオーダーを超えて高くなりうる。
典型実施例において、本願発明の可能な発展を限られた数しか記載することができなかったが、本願発明はそれらに限定されるものではない。原則として、装置において異なる数の制御巻線または異なる形態の磁気回路を用いることが可能である。本願発明は概略的に記載された要素の数に限定されない。
本明細書で特定された主題事項および方法の記載は、個々の特定の実施例に限定されるものではない。むしろ、個々の実施形態の特徴は、技術的に目的に適っている限りにおいて、所望のように互いに組み合わせることができる。
1 導電体
2 磁気回路
3 空隙
4 磁場を感知する構成要素
5a 第1の制御コア
5b 第2の制御コア
6 制御巻線
2 磁気回路
3 空隙
4 磁場を感知する構成要素
5a 第1の制御コア
5b 第2の制御コア
6 制御巻線
Claims (17)
- 空隙(3)を持ち導電体(1)に結合するための磁気回路(2)と、
前記導電体(1)によって生成される磁場を測定するための、前記磁気回路(2)に配置された磁場を感知する構成要素(4)と、
2つの制御コア(5a、5b)と、を有し、
前記各制御コア(5a、5b)が、該制御コア(5a、5b)を磁気的に飽和させるための制御巻線(6)を有し、前記導電体(1)の両側の空隙(3)に配置される、
導電体(1)を流れる電流を測定する装置。 - 第1の制御コア(5a)が前記導電体(1)の第1の側に配置され、第2の制御コア(5b)が前記導電体(1)の第2の側に配置される、請求項1に記載の装置。
- 第2の制御コア(5b)が前記磁場を感知する構成要素(4)に平行に配置される、請求項1または2に記載の装置。
- 前記磁気回路(2)が追加の巻線を有する、請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。
- 前記2つの制御コア(5a、5b)が共通の平面上にある、請求項1から4のいずれか一項に記載の装置。
- 前記磁気回路(2)が前記導電体(1)の周囲に延伸している、請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記制御コア(5a、5b)がフェライトコアとして形成されている、請求項1から6のいずれか一項に記載の装置。
- 前記制御コア(5a、5b)が、長方形のフレームを有し、該フレームの少なくとも1つの側に制御コア(5a、5b)を飽和させるための制御巻線(6)を有する、請求項1から7のいずれか一項に記載の装置。
- 前記制御コア(5a、5b)が、互いに反対の2つの側にそれぞれ制御巻線(6)を有する、請求項1から8のいずれか一項に記載の装置。
- 飽和した前記制御コア(5a、5b)が、非常に大きな電流の場合であっても飽和状態である、請求項1から9のいずれか一項に記載の装置。
- 前記磁場を感知する構成要素(4)がホールセンサである、請求項1から10のいずれか一項に記載の装置。
- 請求項1から11のいずれか一項に記載の導電体(1)を流れる電流を測定するための装置を用いて、導電体(1)を流れる電流を測定する方法であって、前記制御コア(5a、5b)が非飽和の場合に、前記磁場を感知する構成要素(4)を通り抜ける磁束密度が測定される、方法。
- 第1の制御コア(5a)が飽和の場合に、前記磁場を感知する構成要素(4)を通り抜ける磁束密度が測定される、請求項12に記載の方法。
- 第2の制御コア(5b)が飽和の場合に、前記磁場を感知する構成要素(4)を通り抜ける磁束密度が測定される、請求項13に記載の方法。
- 両方の制御コア(5a、5b)が飽和の場合に、前記磁場を感知する構成要素(4)を通り抜ける磁束密度が測定される、請求項14に記載の方法。
- 前記導電体(1)を流れる電流が、得られた測定値から計算される、請求項15に記載の方法。
- 前記磁場を感知する構成要素(4)の感度が、得られた測定値から計算される、請求項16に記載の方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016513262A (ja) * | 2013-02-21 | 2016-05-12 | ザ・ボーイング・カンパニーThe Boeing Company | 磁気コア磁束センサ |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2977323B1 (fr) * | 2011-06-28 | 2013-11-29 | Schneider Electric Ind Sas | Dispositif de mesure du courant electrique circulant dans un appareillage electrique, ledit dispositif permettant la mesure d'energie, ainsi qu'un appareillage electrique le comportant |
US11092656B2 (en) * | 2015-05-12 | 2021-08-17 | Texas Instruments Incorporated | Fluxgate magnetic field detection method and circuit |
GB201518372D0 (en) * | 2015-10-16 | 2015-12-02 | Johnson Electric Sa | Current determining device and methods |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE650176A (ja) * | 1963-07-05 | |||
DE2112163B2 (de) * | 1971-03-13 | 1975-09-11 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Anordnung für die radiale, statische und dynamische Konvergenz |
US3940688A (en) * | 1974-09-30 | 1976-02-24 | Commissariat A L'energie Atomique | Device for testing the magnetic properties of a magnetic material |
US4059798A (en) * | 1976-03-08 | 1977-11-22 | F. W. Bell, Inc. | Method and apparatus for measuring the current flowing in a workpiece |
CH674088A5 (ja) * | 1987-10-16 | 1990-04-30 | Lem Liaisons Electron Mec | |
CH690464A5 (fr) * | 1995-02-23 | 2000-09-15 | Lem Liaisons Electron Mec | Dispositif de mesure inductif pour la mesure de composantes de courant alternatif superposées à un courant fort continu. |
JP3007553B2 (ja) * | 1995-03-24 | 2000-02-07 | 日本レム株式会社 | 電流センサ |
CN1165770C (zh) * | 1999-01-21 | 2004-09-08 | Tdk株式会社 | 电流传感装置 |
EP1450176A1 (en) * | 2003-02-21 | 2004-08-25 | Liaisons Electroniques-Mecaniques Lem S.A. | Magnetic field sensor and electrical current sensor therewith |
ATE412188T1 (de) * | 2004-07-16 | 2008-11-15 | Lem Liaisons Electron Mec | Stromsensor |
DE102006016745B4 (de) * | 2005-04-08 | 2014-07-03 | Epcos Ag | Stromsensor mit hoher Dynamik und Verfahren zu seinem Betrieb |
DE102005024075B4 (de) * | 2005-05-25 | 2007-04-12 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Verfahren und Vorrichtung zur Messung eines in einem elektrischen Leiter fließenden Stroms |
DE102005040316B4 (de) | 2005-08-25 | 2007-09-27 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Vorrichtung und Verfahren zur Messung eines in einem elektrischen Leiter fließenden Stromes |
DE102006032763B4 (de) * | 2006-07-14 | 2009-05-07 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Vorrichtung und Verfahren zur Messung eines in einem elektrischen Leiter fließenden Stromes |
DE102006032762B8 (de) * | 2006-07-14 | 2009-10-08 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Verfahren zur Messung eines in einem elektrischen Leiter fließenden Stromes und Verwendung des Verfahrens sowie einer Vorrichtung zur Überwachung von Strömen im Bordnetz eines Kraftfahrzeugs |
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DE102007036674A1 (de) * | 2007-08-03 | 2009-02-05 | Epcos Ag | Anordnung zur Messung eines in einem elektrischen Leiter fließenden Stroms |
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2010
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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