JP2010535008A - ライン導入過渡状態のための過渡電圧抑制デバイス及びドライバ段での不要な発振を抑制するメカニズムを備えたスイッチモード電力供給装置 - Google Patents

ライン導入過渡状態のための過渡電圧抑制デバイス及びドライバ段での不要な発振を抑制するメカニズムを備えたスイッチモード電力供給装置 Download PDF

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Abstract

スイッチモード電力供給装置(15)は整流器(20)、変換器(50)及び変換器ドライバ(60)を用いる。整流器(20)はインライン電圧(VLN)に基づき整流供給電圧(VRS)を発生させ、変換器ドライバ(60)は直流バス電圧(VDC)への整流供給電圧(VRS)の変換器(50)による変換を助ける1又はそれ以上の駆動電圧(VDR)を発生させる。変換器(50)は、スイッチモード電力供給装置(15)の異常なライン状態に応答して整流供給電圧(VRS)を抑制する過渡電圧抑制デバイス(52)を有することができる。変換器ドライバ(60)は、変換器ドライバ(60)の自由発振状態に応答して1又はそれ以上の駆動電圧(VDR)を抑制する自由発振抑制デバイス(61)を有することができる。

Description

本発明は、概して、インライン電圧アプリケーションのための如何なるタイプのスイッチモード電力供給装置にも関する。本発明は、具体的に、インライン電圧アプリケーションのために利用されるスイッチモード電力供給装置、特に、2スイッチ・バックブースト(buck-boost)変換器を用いるスイッチモード電力供給装置の過渡電圧保護及びMOSFET駆動保護に関する。
図1は、当該技術で知られているスイッチモード電力供給装置10を表す。スイッチモード電力供給装置10は、過渡電圧抑制デバイス21(例えば、1又はそれ以上のバリスタ。)を有する整流器20と、電子スイッチデバイス31(例えば、バックトポロジ、ブーストトポロジ又はバックブーストトポロジ。)を有する変換器30と、変換器ドライバ40とを用いる。電力供給装置10の正常なライン状態では、整流器20は、自身に印加されるインライン電圧VLNに応答して、調整されていない整流供給電圧VRSを発生させ、また、電子スイッチングデバイス31は、整流供給電圧VRSを調整された直流バス電圧VDCに変換するよう変換器ドライバ40からの1又はそれ以上の駆動電圧VDRを介して制御される。電力供給装置10の異常なライン状態では、更に、過渡電圧VTRが整流器20へ印加される。これによって、過渡電圧抑制デバイス21は、整流供給電圧VRSを抑制するよう導通して、過渡電圧VTRが電子スイッチングデバイス31へのダメージを引き起こすことを防ぐ。
例えば、図2は、2スイッチ・バックブースト型のスイッチモード電力供給装置10としてスイッチモード電力供給装置11を表す。スイッチモード電力供給装置11の整流器12は、ヒューズF1、バリスタV1、インダクタL1、インダクタL2、コンデンサC1、バリスタV2、整流ダイオードブリッジD1〜D4、及び整流器出力コンデンサC2(例えば、235ナノファラッド(nF)。)の、図示されるような標準的なトポロジを有しており、スイッチモード電力供給装置11の入力ラインINTと中性ラインNEUとの間に印加されるインライン電圧VLNに応答して整流器出力コンデンサC2の両端に整流供給電圧VRSを発生させることができる。
スイッチモード電力供給装置11の2スイッチ・バックブースト変換器13は、MOSFETスイッチQ1、ダイオードD6、インダクタL3、MOSFETスイッチQ2、ダイオードD5、抵抗R5(例えば、0.45オーム(Ω)。)及び変換器出力コンデンサC3(例えば、47マイクロファラッド(μF)。)の、図示されるような標準的なトポロジを有しており、変換器出力コンデンサC3の両端で、整流供給電圧VRSを調整直流バス電圧VDCに変換することができる。スイッチモード電力供給装置11の力率補正(PFC(power factor correction))ドライバ14は、PFC制御器U1(例えば、L6561。)、抵抗R1(例えば、1Ω。)、遮断コンデンサC4(例えば、22μF。)、並びに一次変圧器巻線T1−A、二次変圧器巻線T1−B及び二次変圧器巻線T1−Cを有する変圧器Tの、図示されるような標準的なトポロジを有する。MOSFETスイッチQ1のための駆動回路は、二次巻線T1−Bに加えて、コンデンサC5(例えば、100μF。)、ダイオードD7及び抵抗R3(例えば、2.2キロオーム(kΩ)。)を有する。MOSFETQ2のための駆動回路は、二次巻線T1−Cに加えて、コンデンサC6(例えば、100μF。)、ダイオードD8及び抵抗R4(例えば、2.2kΩ。)を有する。
バリスタV1及びV2は、整流器12での過渡電圧VTRの印加(図1)がMOSFETQ1へのダメージを引き起こすことを防ぐ。具体的に、MOSFETQ1及びQ2は、力率1を実現することを考慮して、夫々の駆動電圧VDR1及びVDR2を介してPFCドライバ14によって導通状態と非導通状態との間で同時に切り替えられる。最初に、MOSFETQ1及びQ2が、入力ラインINTと中性ラインNEUとの間のライン電圧VLINの最初の印加において、導通状態へ切り替えられる場合に、コンデンサC2の両端で発生する整流供給電圧VRSは、最初に、インダクタL3に印加される。次いでMOSFETQ1及びQ2が非導通状態へ切り替えられる場合に、インダクタL3の電流は、ダイオードD5及びD6を通って流れ、変換器出力コンデンサC3の両端に直流バス電圧VDCを発生させるよう変換器出力コンデンサC3を充電する。その後、MOSFETQ1及びQ2は、力率1を実現することを考慮して変換器出力コンデンサC3の両端の直流バス電圧VDCを調整するように、夫々の駆動電圧VDR1及びVDR2を介してPFCドライバ14によって導通状態と非導通状態との間で切り替えられる。
スイッチモード電力供給装置11に関して、バリスタV1及びV2は、整流器出力コンデンサC2の両端に発生する整流供給電圧VRSをクランプすることによって整流供給電圧VRSを抑制するために使用される。例えば、交流480ボルト(V)の入力ライン電圧VLNとともに、交流560VのバリスタV1及びV2が、コンデンサC2の両端に発生する整流供給電圧VRSをクランプするために用いられる。バリスタV1及びV2に対する不利な点は、バリスタV1及びV2を流れる電流が変化すると、バリスタV1及びV2のクランプ電圧も変化する点である。従って、例えば、交流560Vを用いると、バリスタV1及びV2は、整流器12への過渡電圧VTRの印加(図1)に応答して、バリスタV1及びV2を流れる50アンペアの電流で、直流1400Vのクランプ電圧を有する。故に、理想的には、MOSFETスイッチQ1は、直流1400Vよりも高い耐電圧を有するべきである。しかし、経済上及び製造上の理由から、MOSFETスイッチQ1は、通常、直流1000Vの耐電圧しか有さない。この場合に、MOSFETスイッチQ1にかかる電圧は、整流器12への過渡電圧VTRの印加においてその耐電圧よりも高い。これにより、MOSFETスイッチQ1及びQ2は、整流器12へ印加される過渡電圧VTRを考慮して、ダメージを受けやすい。
再び図1を参照すると、変換器ドライバ40の制御された発振状態において、各駆動電圧VDRは、直流バス電圧VDCへの整流供給電圧VRSの望ましい変換を促すよう、その大きさ及びデューティサイクルに関して制御されている。反対に、変換器ドライバ40の自由発振状態では、各駆動電圧VDRは、その大きさ及びデューティサイクルに関して制御不可能である。これにより、MOSFETQ1及びQ2は、整流器20へ印加される如何なる電圧も考慮して、ダメージを受けやすい。
例えば、図2に示されるPFCドライバ14では、PFC制御器U1が何らかの理由(例えば、ターンオン/オフの移行又はファイルテスト。)で中断され又は動作不能である場合に、PFC制御器U1の出力は接地に短絡される。結果として、遮断コンデンサC4及び一次変圧器巻線T1−Aは、周波数f=1/(2.π.(LT1−A.CC41/2)により自由発振を始める。ここで、LT1−Aは一次変圧器巻線T1−Aのインダクタンスであり、CC4は遮断コンデンサC4のキャパシタンスである。自由発振の開始時に、遮断コンデンサC4にかかる電圧は、負の電圧として一次変圧器巻線T1−Aに印加される。変圧器の二次側で、この負の電圧はダイオードD7及びD8をオンする。これにより、コンデンサC5及びC6は充電される。この自由発振が続くにつれて、変圧器の一次側での電圧は負から零へと増大する。これにより、コンデンサC5及びC6にかかる電圧は、夫々の二次変圧器巻線T1−B及びT1−Cの電圧よりも高くなる。その結果、ダイオードD7及びD8はオフされ、コンデンサC5及びC6は夫々の抵抗R3及びR4を介して放電する。コンデンサC5及びC6の放電率は夫々の二次変圧器巻線T1−B及びT1−Cでの電圧増大の速度よりも遅いので、コンデンサC5及びC6と夫々の二次変圧器巻線T1−B及びT1−Cとの間の電圧差はMOSFETQ1及びQ2のゲート端子で正の電圧を生成する。結果として、入力端子INと中性端子NEUとの間に何らかの電圧が存在する場合に、MOSFETQ1及びQ2に対してダメージが発生しうる。
更に、変圧器巻線T1−A、T1−B及びT1−Cは、変圧器の自由発振が続く場合に飽和しうる。その場合に、負から零への一次側での電圧増大の速度は高まり、それによって、更に、MOSFETQ1及びQ2のゲート端子で正の電圧を保つ。先と同じく、入力端子INと中性端子NEUとの間に何らかの電圧が存在する場合に、MOSFETQ1及びQ2に対してダメージが発生しうる。
本発明は、スイッチモード電力供給装置10(図1)に関する欠点を、特に、スイッチモード電力供給装置11(図2)として具現される場合に、解消するよう、スイッチモード電力供給装置のための新規且つ独自の過渡電圧保護及びMOSFET駆動保護を提供する。
本発明の1つの形態で、スイッチモード電力供給装置は、インライン電圧に基づいて整流供給電圧を発生させるよう動作可能な整流器と、該整流器と電気的に通信し、前記整流供給電圧を直流バス電圧へ変換する変換器とを有する。前記変換器は、当該スイッチモード電力供給装置の異常なライン状態に応答して前記整流供給電圧を抑制するよう動作可能な過渡電圧抑制デバイスを有する。
本発明の第2の形態で、スイッチモード電力供給装置は、インライン電圧に基づいて整流供給電圧を発生させるよう動作可能な整流器と、1又はそれ以上の駆動電圧を発生させるよう動作可能な変換器ドライバと、前記整流器及び前記変換器ドライバと電気的に通信し、前記駆動電圧に基づいて前記整流供給電圧を直流バス電圧へ変換する変換器とを有する。前記変換器ドライバは、該変換器ドライバの自由発振状態に応答して前記駆動電圧を抑制するよう動作可能な自由発振抑制デバイスを有する。
本発明の上記の形態及び他の形態並びに本発明の様々な特徴及び利点は、添付の図面に関連して読まれる本発明の様々な実施形態の以下の詳細な記載から更に明らかになるであろう。詳細な記載及び図面は限定よりむしろ本発明の例示に過ぎず、本発明の適用範囲は添付の特許請求の範囲及びその均等によって定義される。
当該技術で知られているスイッチモード電力供給装置の一実施例のブロック図を表す。 当該技術で知られている図1に表されるスイッチモード電力供給装置の一実施例の回路図を表す。 本発明に従うスイッチモード電力供給装置の一実施例のブロック図を表す。 本発明に従う過渡電圧抑制デバイスの第1の実施例の回路図を表す。 本発明に従う過渡電圧抑制デバイスの第2の実施例の回路図を表す。 本発明に従う自由発振抑制デバイスの第1の実施例の回路図を表す。 本発明に従う自由発振抑制デバイスの第2の実施例の回路図を表す。
図3を参照すると、本発明のスイッチモード電力供給装置15は、任意に過渡電圧抑制デバイス21を有する整流器20と、電子スイッチデバイス51(例えば、バックトポロジ、ブーストトポロジ又はバックブーストトポロジ。)及び過渡電圧抑制デバイス52(例えば、1又はそれ以上のバリスタ。)を有する変換器50と、自由発振抑制デバイス61を有する変換器ドライバ60とを用いる。電力供給装置15の正常なライン状態では、整流器20は、自身に印加されるインライン電圧VLNに応答して、調整されていない整流供給電圧VRSを発生させ、また、電子スイッチングデバイス51は、整流供給電圧VRSを調整された直流バス電圧VDCに変換するよう変換器ドライバ60からの1又はそれ以上の駆動電圧VDRを介して制御される。電力供給装置15の異常なライン状態では、更に、過渡電圧VTRが整流器20へ印加される。これによって、過渡電圧抑制デバイス52は、第1に整流供給電圧VRSを抑制するよう導通して、過渡電圧VTRが電子スイッチングデバイス51へのダメージを引き起こすことを防ぐ。変換器ドライバ60の自由発振状態では、自由発振抑制デバイス61は、変換器ドライバ60から電子スイッチングデバイス51への駆動電圧を抑制する。
実際には、本発明は、スイッチモード電力供給装置15の構造配置に関して如何なる限定又は如何なる制限も負わさない。従って、図4乃至7に示されるスイッチモード電力供給装置15の様々な構成要素の実施例に関する以下の記載は、本発明の発明原理を考慮してスイッチモード電力供給装置15の構造配置の範囲を限定も制限もしない。
図4を参照すると、本発明の過渡電圧抑制デバイス16は、整流器出力コンデンサC2及び変換器出力コンデンサC3へ電気的に接続されている、ダイオードD9及びバリスタV3の直列接続を用いる。この実施例で、バリスタV2は、図2に示される整流器12から除かれ得る。
バリスタV3は、整流器出力コンデンサC2の両端の整流供給電圧VRSを、以下の発明の過渡電圧保護原理[1]及び[2]に従って、MOSFETスイッチQ1の耐電圧VQ1WSよりも低くなるよう条件付きでクランプする:
DC+VCLAMP<VQ1WS [1]
DC+VUNCLAMP>VRSPK [2]
ここで、VCLAMPは定格電流でのバリスタV3のクランピング電圧であり、VUNCLAMPはバリスタV3のスタンドオフ(stand off)電圧であり、VRSPKは整流器12の正常なライン状態(図2)の下での整流供給電圧VRSのピーク電圧である。
動作において、ダイオードD9は、電力供給装置15の異常なライン状態の下では導通状態でバリスタV3を駆動し、電力供給装置15の正常なライン状態の下では非導通状態でバリスタV3を駆動するために使用される。発明の過渡電圧保護原理[1]は、整流器出力コンデンサC2の両端の整流供給電圧VRSが電力供給装置15の異常なライン状態の下でMOSFETスイッチQ1の耐電圧VQ1WSを下回って導通バリスタV3によってクランプされることを確かにする。発明の過渡電圧保護原理[2]は、バリスタV3が電力供給装置15の正常なライン状態の下では非導通状態にあることを確かにする。
図5を参照すると、過渡電圧感知デバイス17が、過渡電圧抑制デバイス16によって提供されるMOSFETスイッチQ1の過渡電圧保護を補うよう設けられる。過渡電圧感知デバイス17は、整流器出力コンデンサC2に電気的に並列に接続されている、抵抗R6(例えば、1.1メガオーム(MΩ)。)及び抵抗R7(例えば、2.2kΩ。)の直列接続を有する。コンデンサC7(例えば、30ピコファラッド(pF)。)は抵抗R7に電気的に並列に接続されている。ツェナーダイオードD10及びダイオードD11の直列接続は、抵抗R6及びR7の直列接続の中点及びPFU制御器U1(図2)へ電気的に接続されている。
この実施例で、バリスタV3は、整流器出力コンデンサC2の両端の整流供給電圧VRSを、以下の発明の過渡電圧保護原理[2]及び[3]に従って、MOSFETスイッチQ1の耐電圧VQ1WSよりも低くなるよう条件付きでクランプする:
DC+VUNCLAMP>VRSPK [2]
CLAMP<VQ1WS [3]
動作において、ダイオードD9は、電力供給装置15の異常なライン状態の下では導通状態でバリスタV3を駆動し、電力供給装置15の正常なライン状態の下では非導通状態でバリスタV3を駆動するために使用される。発明の過渡電圧保護原理[3]は、MOSFETスイッチQ1にかかる電圧が電力供給装置15の異常なライン状態の下でMOSFETスイッチQ1の耐電圧VQ1WSを超えないことを確かにする。発明の過渡電圧保護原理[2]は、先と同じく、バリスタV3が電力供給装置15の正常なライン状態の下では非導通状態にあることを確かにする。
より具体的に、電力供給装置15の正常なライン状態の下では、整流供給電圧VRSは耐電圧VQ1WSより低い。反対に、異常なライン状態の下では、ライティング(lighting)サージのように、整流供給電圧VRSは増大する。整流供給電圧VRSが耐電圧VQ1WSに近い場合は、コンデンサC7にかかる電圧はツェナーダイオードD10の耐電圧VD10WSよりも高く、これによってツェナーダイオードD10は導通し、電流がダイオードD10及びD11を通ってPFC制御器U1へ流れる。結果として、PFC制御器U1は、MOSFETQ1及びQ2を非導通状態へ駆動し、これによって、ノードN1とN2との間のインダクタL3の両端の電圧は浮いている。
整流供給電圧VRSが耐電圧VQ1WSよりも高くなる場合は、MOSFETスイッチQ1では正常に電子雪崩が開始される。しかし、この状況で、MOSFETスイッチQ1の雪崩エネルギは、負荷が極めて小さいダイオードD6及びMOSFETスイッチQ1の寄生容量であることにより極めて小さい。ノードN1及びN2での電圧は高まる。しかし、ノードN1とN2との間の電圧が直流バス電圧VDCを超える前に、バリスタV3は、原理[3]を考慮して、導通状態へ駆動され得る。従って、MOSFETスイッチQ1では、ダイオードD5を通って変換器出力コンデンサC3への相対的に相当に大きい電子雪崩は起こらない。更に、整流供給電圧VRSはVDC+VCLAMPへクランプされ、これによって、整流器出力コンデンサC2のエネルギはダイオードD9及びバリスタV3を通って変換器出力コンデンサC3へ伝送される。このエネルギ伝送が整流供給電圧VRSを耐電圧VQ1WSより下に下げると、ダイオードD10及びD11を通って流れる電流は止まり、これによって、PFC制御器U1は駆動電圧VDR1及びVDR2を再開する。
図6を参照すると、本発明の自由発振抑制デバイス18は、ダイオードD7及び抵抗R3(例えば、10kΩ。)に電気的に並列に接続されている、ツェナーダイオードD12及び抵抗R8(例えば、10kΩ。)の直列接続と、ダイオードD12及び抵抗R8の直列接続の中点をNPNトランジスタQ3のベース端子へ電気的に接続する抵抗R9(例えば、10kΩ。)と、ダイオードD7及び抵抗R3に電気的に並列に接続されている、抵抗R10(例えば、2kΩ。)及びNPNトランジスタQ3の直列接続と、ダイオードD7及び抵抗R3に電気的に並列に接続されている、抵抗R11(例えば、68Ω。)及びNPNトランジスタQ4の直列接続とを用いる。なお、NPNトランジスタQ4のベース端子は、抵抗R10及びNPNトランジスタQ3の直列接続の中点へ電気的に接続されている。任意のコンデンサC8(例えば、470pF。)は、NPNトランジスタQ4のベース端子を、NPNトランジスタQ4のエミッタ端子へ電気的に接続する。
自由発振抑制デバイス18は、更に、ダイオードD8及び抵抗R4(例えば、10kΩ。)に電気的に並列に接続されている、ダイオードD13及び抵抗R12(例えば、10kΩ。)の直列接続と、ダイオードD13及び抵抗R12の直列接続の中点をNPNトランジスタQ5のベース端子へ電気的に接続する抵抗R13(例えば、10kΩ。)と、ダイオードD8及び抵抗R4に電気的に並列に接続されている、抵抗R14(例えば、2kΩ。)及びNPNトランジスタQ5の直列接続と、ダイオードD8及び抵抗R4に電気的に並列に接続されている、抵抗R15(例えば、68Ω。)及びNPNトランジスタQ6の直列接続とを用いる。なお、NPNトランジスタQ6のベース端子は、抵抗R14及びNPNトランジスタQ5の直列接続の中点へ電気的に接続されている。任意のコンデンサC9(例えば、470pF。)は、NPNトランジスタQ6のベース端子を、NPNトランジスタQ6のエミッタ端子へ電気的に接続する。
動作において、駆動電圧VDR1及びVDR2は、正常な高(ハイ)駆動状態の間、夫々のダイオードD12及びD13のツェナー電圧よりも高く、これによって、NPNトランジスタQ3及びQ5は導通状態へ駆動され、一方、NPNトランジスタQ4及びQ6は非導通状態へ駆動される。この高駆動状態で、抵抗R10及びR14の抵抗値は、抵抗R3及びR4の抵抗値よりも十分に大きくなるよう選択されるべきであり、これによって、デバイス18は、駆動電圧VDR1及びVDR2に悪影響を及ぼさない。
駆動電圧VDR1及びVDR2の正常な低(ロー)駆動状態の間、MOSFETQ1及びQ2の各自のゲート端子GTQ1及びGTQ2での駆動電圧VDR1及びVDR2は零に近く、これによって、NPNトランジスタQ3及びQ5は非導通状態へ駆動される。一方で、NPNトランジスタQ4は導通状態へ駆動され、これによって、NPNトランジスタQ4並びに抵抗R10及びR11は、負荷としてMOSFETスイッチQ1のゲート端子GTQ1に加えられる。他方で、NPNトランジスタQ6は導通状態へ駆動され、これによって、NPNトランジスタQ6並びに抵抗R14及びR15は、負荷としてMOSFETスイッチQ2のゲート端子GTQ2へ加えられる。この余分の負荷は、MOSFETQ1及びQ2を非導通状態へ速やかに駆動するためのものである。この正常な低駆動状態の間、遮断コンデンサC4にかかる電圧に等しい負の電圧が一次変圧器巻線T1−Aに印加されており、これによって、二次変圧器巻線T1−B及びT1−Cにかかる負の電圧は、コンデンサC5及びC6の放電を防ぐよう夫々のコンデンサC5及びC6にかかる電圧に等しい。
PFC制御器U1が何らかの理由(例えば、ターンオン/オフの移行又はファイルテスト。)で中断され又は動作不能である場合に、変圧器の一次側の自由発振又は変圧器の飽和は、負から零への、変圧器の一次側及び二次側の両方での電圧増大を引き起こしうる。しかし、R11及びR15(例えば、100Ω又はそれ以下。)によって導入される余分の負荷は、MOSFETスイッチQ1及びQ2の各自のゲート端子GTQ1及びGTQ2で正の電圧を除去して、MOSFETQ1及びQ2が導通状態へ駆動されることを防ぐようコンデンサC5及びC6を速やかに放電する。
図7を参照すると、本発明の自由発振抑制デバイス18’は、装置17(図6)のダイオードD12、抵抗R8〜R11、NPNトランジスタQ3及びQ4、並びに任意のコンデンサC8を用いる。デバイス18’に関しては、バッファ19並びに一次変圧器巻線T2−A及び二次変圧器巻線T2−Bを有する変圧器T2が変圧器T1(図6)に代わって用いられる。具体的に、バッファ19は、NPNトランジスタQ7のベース端子及びPNPトランジスタQ8へ電気的に接続されている抵抗R1(例えば、22Ω。)を用いる。NPNトランジスタQ7のコレクタ端子は電圧供給VCCへ電気的に接続されており、PNPトランジスタQ8のコレクタ端子はPFC制御器U1の接地ピンGNDへ電気的に接続されている。
抵抗R16(例えば、10Ω。)は、NPNトランジスタQ7のエミッタ端子及びPNPトランジスタQ8のエミッタ端子へ電気的に接続されている。ダイオードD12及びD13の直列接続は、電圧供給VCC及びPFC制御器U1の接地ピンGNDへ電気的に接続されている。コンデンサC4は、抵抗R16、PNPトランジスタQ8のエミッタ端子、並びにダイオードD12及びD13の直列接続の中点へ電気的に接続されている。一次変圧器巻線T2−Aは、コンデンサC4及びPFC制御器U1の接地ピンGNDへ電気的に接続されている。二次変圧器巻線T2−Bは、コンデンサC5及びMOSFETスイッチQ1のソース端子STQ1へ電気的に接続されている。
MOSFETスイッチQ2に関しては、抵抗R17(例えば、100Ω。)及び抵抗R18(例えば、47Ω。)の直列接続が、PFC制御器U1のGDピン及びMOSFETスイッチQ2のゲート端子GTQ2へ電気的に接続されている。PNPトランジスタQ9のベース端子は、抵抗R7及びR8の直列接続の中点へ電気的に接続されている。PNPトランジスタQ9のコレクタ端子は、MOSFETスイッチQ2のソース端子STQ2へ電気的に接続されている。
動作において、PFC制御器U1及びデバイス18’は、保護バッファ19がMOSFETスイッチQ1からデバイス18’への如何なる破損した信号からもPFC制御器U1を保護する点を除いて、MOSFETスイッチQ1を駆動することに関してPFC制御器U1及びデバイス18(図6)と同様に動作する。他方で、MOSFETスイッチQ2は、PFC制御器U1によって直接に駆動されるが、MOSFETスイッチQ1からデバイス18’への如何なる破損したフィードバックに対する同様の保護を有する。
図3乃至7を参照して、当業者は、スイッチモード電力供給装置の改善された過渡電圧保護及びMOSFET駆動保護を含む、それらに限定されない本発明の多数の利点を理解するであろう。加えて、当業者は、更に、図4及び5に示される例となるバックブースト変換器を基づいて本発明の発明原理をどのようにして本発明に従うスイッチモード電力供給装置の他の形態へ適用すべきかを理解するであろう。
ここに開示される本発明の実施形態は、今のところは好ましいと考えられるが、様々な変更及び改良が、本発明の精神及び適用範囲から逸脱することなく行われ得る。本発明の適用範囲は添付の特許請求の範囲で示され、均等の意味及び範囲内にある全ての変更はそれに包含されるよう意図される。

Claims (20)

  1. インライン電圧に基づいて整流供給電圧を発生させるよう動作可能な整流器;及び
    前記整流器と電気的に通信し、前記整流供給電圧を直流バス電圧へ変換する変換器;
    を有し、
    前記変換器は、当該スイッチモード電力供給装置の異常なライン状態に応答して前記整流供給電圧を抑制するよう動作可能な過渡電圧抑制デバイスを有する、スイッチモード電力供給装置。
  2. 前記過渡電圧抑制デバイスは、当該スイッチモード電力供給装置の前記異常なライン状態に応答して前記整流供給電圧をクランプするよう動作可能なバリスタを有する、請求項1記載のスイッチモード電力供給装置。
  3. 前記過渡電圧抑制デバイスは、当該スイッチモード電力供給装置の前記異常なライン状態に応答して前記バリスタを導通状態へ駆動するよう動作可能なダイオードを更に有する、請求項2記載のスイッチモード電力供給装置。
  4. 前記ダイオードは、当該スイッチモード電力供給装置の正常なライン状態に応答して前記バリスタを非導通状態へ駆動するよう動作する、請求項3記載のスイッチモード電力供給装置。
  5. 前記整流器は整流器出力コンデンサを有し、前記整流供給電圧は該整流器出力コンデンサの両端に発生し、
    前記変換器は変換器出力コンデンサを更に有し、前記直流バス電圧は該変換器出力コンデンサの両端に発生し、
    前記バリスタは、前記整流器出力コンデンサ及び前記変換器出力コンデンサと電気的に通信し、それによって、当該スイッチモード電力供給装置の前記異常なライン状態に応答して前記整流供給電圧をクランプする、請求項2記載のスイッチモード電力供給装置。
  6. 前記変換器は:
    電子スイッチングデバイス;及び
    前記電子スイッチングデバイスが当該スイッチモード電力供給装置の前記異常なライン状態に応答して非導通状態へ駆動されることを助けるよう動作可能な過渡電圧感知デバイス;
    を更に有する、請求項1記載のスイッチモード電力供給装置。
  7. 前記整流器は整流器出力コンデンサを有し、前記整流供給電圧は該整流器出力コンデンサの両端に発生し、
    前記変換器は変換器出力コンデンサを更に有し、前記直流バス電圧は該変換器出力コンデンサの両端に発生し、
    前記過渡電圧抑制デバイスは、前記電子スイッチングデバイスが当該スイッチモード電力供給装置の前記異常なライン状態に応答して前記非導通状態へ駆動されることに基づいて前記整流器出力コンデンサから前記変換器出力コンデンサへの交換エネルギを促すよう動作可能なバリスタを有する、請求項6記載のスイッチモード電力供給装置。
  8. インライン電圧に基づいて整流供給電圧を発生させるよう動作可能な整流器;
    少なくとも1つの駆動電圧を発生させるよう動作可能な変換器ドライバ;及び
    前記整流器及び前記変換器ドライバと電気的に通信し、前記少なくとも1つの駆動電圧に基づいて前記整流供給電圧を直流バス電圧へ変換する変換器;
    を有し、
    前記変換器ドライバは、該変換器ドライバの自由発振状態に応答して前記少なくとも1つの駆動電圧を抑制するよう動作可能な自由発振抑制デバイスを有する、スイッチモード電力供給装置。
  9. 前記変換器ドライバは:
    一次変圧器巻線;
    前記一次変圧器巻線と電気的に通信する二次変圧器巻線;
    前記二次変圧器巻線及び前記変換器と電気的に通信するコンデンサ;及び
    前記一次変圧器巻線と電気的に通信し、前記変圧器への第1の駆動電圧の振幅を制御する力率補正制御器;
    を更に有し、
    前記自由発振抑制デバイスは、前記コンデンサ及び前記変換器と電気的に通信し、前記一次変圧器巻線の自由発振に応答して前記コンデンサを放電する、請求項8記載のスイッチモード電力供給装置。
  10. 前記コンデンサの放電率は、前記一次変圧器巻線の前記自由発振状態に応答して前記変換器を非導通状態へ駆動するよう前記一次変圧器巻線の前記自由発振の電圧上昇率を超える、請求項9記載のスイッチモード電力供給装置。
  11. 前記変換器ドライバは:
    一次変圧器巻線;
    前記一次変圧器巻線と電気的に通信する二次変圧器巻線;
    前記二次変圧器巻線及び前記変換器と電気的に通信するコンデンサ;及び
    前記一次変圧器巻線と電気的に通信し、前記変圧器への第1の駆動電圧の振幅を制御する力率補正制御器;
    を更に有し、
    前記自由発振抑制デバイスは、前記コンデンサ及び前記変換器と電気的に通信し、前記一次変圧器巻線の自由発振に応答して前記コンデンサを放電し、
    前記力率補正制御器と前記一次変圧器巻線との間の電気通信は、前記変換器から前記力率補正制御器へのフィードバックを阻むようバッファリングされる、請求項9記載のスイッチモード電力供給装置。
  12. インライン電圧に基づいて整流供給電圧を発生させるよう動作可能な整流器;
    少なくとも1つの駆動電圧を発生させるよう動作可能な変換器ドライバ;及び
    前記整流器及び前記変換器ドライバと電気的に通信し、前記少なくとも1つの駆動電圧に基づいて前記整流供給電圧を直流バス電圧へ変換する変換器;
    を有し、
    前記変換器は、当該スイッチモード電力供給装置の異常なライン状態に応答して前記整流供給電圧を抑制するよう動作可能な過渡電圧抑制デバイスを有し、
    前記変換器ドライバは、該変換器ドライバの自由発振状態に応答して前記少なくとも1つの駆動電圧を抑制するよう動作可能な自由発振抑制デバイスを有する、スイッチモード電力供給装置。
  13. 前記過渡電圧抑制デバイスは、当該スイッチモード電力供給装置の前記異常なライン状態に応答して前記整流供給電圧をクランプするよう動作可能なバリスタを有する、請求項12記載のスイッチモード電力供給装置。
  14. 前記過渡電圧抑制デバイスは、当該スイッチモード電力供給装置の前記異常なライン状態に応答して前記バリスタを導通状態へ駆動するよう動作可能なダイオードを更に有する、請求項13記載のスイッチモード電力供給装置。
  15. 前記ダイオードは、当該スイッチモード電力供給装置の正常なライン状態に応答して前記バリスタを非導通状態へ駆動するよう動作する、請求項14記載のスイッチモード電力供給装置。
  16. 前記整流器は整流器出力コンデンサを有し、前記整流供給電圧は該整流器出力コンデンサの両端に発生し、
    前記変換器は変換器出力コンデンサを更に有し、前記直流バス電圧は該変換器出力コンデンサの両端に発生し、
    前記バリスタは、前記整流器出力コンデンサ及び前記変換器出力コンデンサと電気的に通信し、それによって、当該スイッチモード電力供給装置の前記異常なライン状態に応答して前記整流供給電圧をクランプする、請求項13記載のスイッチモード電力供給装置。
  17. 前記変換器は:
    電子スイッチングデバイス;及び
    前記電子スイッチングデバイスが当該スイッチモード電力供給装置の前記異常なライン状態に応答して非導通状態へ駆動されることを助けるよう動作可能な過渡電圧感知デバイス;
    を更に有する、請求項12記載のスイッチモード電力供給装置。
  18. 前記整流器は整流器出力コンデンサを有し、前記整流供給電圧は該整流器出力コンデンサの両端に発生し、
    前記変換器は変換器出力コンデンサを更に有し、前記直流バス電圧は該変換器出力コンデンサの両端に発生し、
    前記過渡電圧抑制デバイスは、前記電子スイッチングデバイスが当該スイッチモード電力供給装置の前記異常なライン状態に応答して前記非導通状態へ駆動されることに基づいて前記整流器出力コンデンサから前記変換器出力コンデンサへの交換エネルギを促すよう動作可能なバリスタを有する、請求項17記載のスイッチモード電力供給装置。
  19. 前記変換器ドライバは:
    一次変圧器巻線;
    前記一次変圧器巻線と電気的に通信する二次変圧器巻線;
    前記二次変圧器巻線及び前記変換器と電気的に通信するコンデンサ;及び
    前記一次変圧器巻線と電気的に通信し、前記変圧器への第1の駆動電圧の振幅を制御する力率補正制御器;
    を更に有し、
    前記自由発振抑制デバイスは、前記コンデンサ及び前記変換器と電気的に通信し、前記一次変圧器巻線の自由発振に応答して前記コンデンサを放電する、請求項12記載のスイッチモード電力供給装置。
  20. 前記コンデンサの放電率は、前記一次変圧器巻線の前記自由発振状態に応答して前記変換器を非導通状態へ駆動するよう前記一次変圧器巻線の前記自由発振の電圧上昇率を超える、請求項19記載のスイッチモード電力供給装置。
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